JP2010211955A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の発光装置は、電子放出源5、ゲート電極4、アノード電極7、蛍光体6及び増幅電極層12を具備する。ゲート電極4は、電子放出源5に対して電子放出させるための電界を印加するためのものである。アノード電極7は、電子放出源5と所定間隔をおいて対向するように配置されている。蛍光体6は、アノード電極7における電子放出源5の側の表面に形成され電子放出源5から電界放出された電子により励起されて発光する。増幅電極層12は、電子放出源5と蛍光体6との間に配置され電子放出源5から放出された電子が照射され2次電子放出比が1を超えるものである。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る発光装置を示す概略図である。図2は、図1の発光装置においてアノード電極の側から見た増幅電極部とゲート電極及び電子放出源の関係を示す図である。
図3、図4、図5、図6、図7及び図8は、電子放出素子の作製工程を説明するための図である。図3のSi基板22は抵抗率1,0[Ω cm]以下のn型の導電性Siウェハである。Si基板22の表面に酸素又は水蒸気雰囲気下で1100℃にチューブ炉で加熱することにより10μmのSiO2層23が形成される。次に、SiO2層23の表面にシランガスを用いたプラズマCVD装置を用いてで2μmのポリシリコン層24が形成される。このポリシリコン層24にも、チューブ炉によるリンの熱拡散を行い導電性が付与されている。このようにして、基板21が形成される。
図14及び図15は、平面型の増幅電極部の作製工程を説明するための図である。前述の実施例1ではより高効率の電流増幅を行うためにコーン状の形状を形成したが、これは必ずしも必要ではない。コーンの形成を省略してこう定数を減らし、コストダウンをすることも可能である。
2 導電性基板
3 絶縁体
4 ゲート電極
5 電子放出源
6 蛍光体
7 アノード電極
8 透明基材
9、10 電流
11 増幅電極部
12 増幅電極層
13 支持体
Claims (4)
- 電子放出源と、
前記電子放出源に対して電子放出させるための電界を印加するためのゲート電極と、
前記電子放出源と所定間隔をおいて対向するように配置されているアノード電極と、
前記アノード電極における前記電子放出源の側の表面に形成され前記電子放出源から電界放出された電子により励起されて発光する蛍光体と、
前記電子放出源と前記蛍光体との間に配置され前記電子放出源から放出された電子が照射され2次電子放出比が1を超える増幅電極層と、
を具備することを特徴とする発光装置。 - 導電性基板と、
前記導電性基板の表面の所定領域に形成されている電子放出源と、
前記導電性基板の表面の所定領域に形成されている絶縁体と、
前記絶縁体の表面に形成され前記電子放出源に対して電子放出させるための電界を印加するためのゲート電極と、
前記電子放出源と所定間隔をおいて対向するように配置されているアノード電極と、
前記アノード電極における前記電子放出源の側の表面に形成され前記電子放出源から電界放出された電子により励起されて発光する蛍光体と、
前記電子放出源と前記蛍光体との間に配置され前記電子放出源から放出された電子が照射され2次電子放出比が1を超える増幅電極層と、
を具備することを特徴とする発光装置。 - 前記増幅電極層は、所定間隔をおいて配置されている複数の支持体と、前記支持体における前記電子放出源の側の表面に突出するように形成され2次電子放出比が1を超える増幅電極部と、を具備することを特徴とする請求項1及び請求項2のいずれかに記載の発光装置。
- 前記増幅電極部の表面は、銀、金、銅、モリブデン、ニッケル、白金、タングステン、ジルコニウム、ゲルマニウム、シリコン及び三酸化二アルミニウムのいずかで形成されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
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