JP2002352695A - 冷陰極カソードおよびその応用装置 - Google Patents

冷陰極カソードおよびその応用装置

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JP2002352695A
JP2002352695A JP2001158721A JP2001158721A JP2002352695A JP 2002352695 A JP2002352695 A JP 2002352695A JP 2001158721 A JP2001158721 A JP 2001158721A JP 2001158721 A JP2001158721 A JP 2001158721A JP 2002352695 A JP2002352695 A JP 2002352695A
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cathode
cold cathode
electrode
electron beam
equipotential
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Toru Kawase
透 川瀬
Keisuke Koga
啓介 古賀
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子ビームの収束性を向上させた冷陰極カソ
ードを実現し、高解像度の受像管を提供する。 【解決手段】 カソードの上部にカソード面に平行な等
電位面を設けることにより、放出電子の広がり角を押さ
る。その結果、電子ビームの収束性を向上させた冷陰極
カソードを提供することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、冷陰極素子ならび
に、カラーテレビや高精細モニタテレビに用いられる陰
極線管(CRT)、更には収束した電子ビームを利用する
電子ビーム露光装置等に用いられる電子銃に係わり、特
に陰極線管(CRT)用電子銃カソードとして利用可能な
冷陰極素子ならびにその応用装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電界放出型冷陰極素子は、画像表示装
置、電子顕微鏡及び電子ビーム露光装置などの電子装置
への応用が期待されている。この応用のために、十分小
さな電子ビーム径が必要となる。
【0003】電子ビームの広がりを抑える方法は、各種
行われている。例えば、偏向電極や収束電極などによっ
て電子ビームの広がりを抑える工夫がされている。
【0004】図6は、従来の電界放出型電子銃の原理構
成を示している。
【0005】この電界放出型電子銃の素子は、基板10
9上に設けられた複数のエミッタ104と、エミッタ1
04の周辺に設けられている絶縁膜105と、絶縁膜1
05上でエミッタ104の近傍に設けられている第1の
ゲート電極101と、第1のゲート電極101の周辺に
設けられている収束電極102とを有している。さら
に、エミッタ104の上位置にはアノード電極108が
設置されている。
【0006】第1のゲート電極101には、電圧V1が
印加され、収束電極102には、電圧V2が印加され
る。また、アノード電極108には、電圧Vaが印加さ
れている。
【0007】エミッタ104の先端から放出された電子
は、収束電極102によって偏向され、ゲート通過後に
アノード電極108の電位によって加速されて最終的に
エミッションした電子が収束される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来例のよう
な構造の電界放出型電子銃では、エミッタ104の先端
から放出された電子がゲート電圧よりも負の電位をもつ
収束電極102に曲げられることとなる。特に、複数の
エミッタ104が一つの収束電極102に囲まれた構造
においては、個々のエミッタ104の配置によりエミッ
タ104と収束電極102との位置関係が異なり、特
に、エミッタ104が配置されている領域のうち中心に
位置するエミッタ104と最外周のエミッタ104とで
は、収束電極102による影響が大きく異なってしま
う。
【0009】つまり、エミッションする電子は、収束電
極102に近いほど収束電極102に大きく影響を受け
る。
【0010】したがって、本発明は、エミッタから放出
される電子に対し、エミッタ面に対し、均一な電位を与
え、電子ビームの収束性を向上させた冷陰極カソードを
提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題を
解決するために、冷陰極素子から構成されたカソードに
おいて、前記カソードの上部に前記カソードに平行な等
電位面を設けたことを特徴とする冷陰極カソードであ
る。
【0012】また、冷陰極素子から構成されたカソード
において、前記カソードの上部に前記カソードに平行な
等電位面を発生させる電極を設けたことを特徴とする冷
陰極カソードである。
【0013】また、電極は穴部を有し、その形状が同心
円状、放射状、格子状、らせん状の少なくともいずれか
の形態を含むことが望ましい。
【0014】以上のように、本発明に係る冷陰極カソー
ドによると、カソードの上部にカソードに平行な等電位
面を設けることが可能となり、電子ビームの収束性を向
上させた冷陰極カソードを提供することが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
の第1の実施形態に係る冷陰極素子の構造について図1
から図3を参照しながら説明する。
【0016】図1はカソードを上部から見た図であり、
冷陰極素子から構成されるカソード2の上面に、そのカ
ソード2を分割する状態で張り巡らされた網状の等電位
電極1が存在する。
【0017】図2は、断面を示した模式図である。図2
において、カソード電極5の上に、絶縁層4が堆積され
ており、絶縁層4の上には金属薄膜の制御電極(取り出
し電極)3が形成されている。絶縁層4と取り出し電極
3には単数あるいは複数の空間が形成されており、その
中に先鋭部をもつエミッタ6が形成されている。エミッ
タ6および引き出し電極3の対向側には、等電位電極1
が形成されている。等電位電極1は、カソードを形成し
ている基板と一体型で形成しても良いし、別構造で上部
に配置しても良い。また、等電位電極1の上部には、ア
ノード電極(不図示)が形成された基板を配置してい
る。エミッタ6から放出された電子がアノード電極から
の電界によって加速されて、アノード電極に到達する。
アノード電極上には、エミッタと対向させるように蛍光
体を形成してもよい。
【0018】このような構成において、動作原理につい
て図3を用いて説明する。
【0019】カソード電極5とエミッタ6は同電位であ
り、このカソード電極5に対する差電圧を引き出し電極
3に印加する。この引き出し電極の電圧を上昇させる
と、あるしきい電圧でエミッタ6から電子が放出され
る。
【0020】このとき電子は、ある広がり角を持って放
出され、通常20〜30度程度広がっている。この広が
り角を押さえるために、等電位電極1を上部に形成して
いる。
【0021】エミッタ6の上部に、エミッタ面に平行な
等電位面を形成することにより、ある角度を持った電子
は等電位面に対して垂直方向に偏向力を受ける。この結
果、電子の方向が等電位面に垂直な方向にそろうことと
なる。つまり、等電位電極1に適切な正の電圧を印加す
ることにより、放出電子の広がり角を押さえ、平行な電
子ビームを取り出すことが可能となる。
【0022】また、カソード面に平行な等電位面を形成
することができるため、従来の周辺部に形成していた収
束電極ではなし得なかった発生電界のカソード面内での
不均一さも解消することができる。さらに、この等電位
面1は、カソード面からの距離を任意に設定できるた
め、カソードの特性に合わせて最適な電界を印加するこ
とができる。
【0023】また、この等電位面は等電位電極1で形成
するため、電子を可能な限り通過させるため、穴部を設
けている。穴部でない遮へい部は、電子が当たると通過
できないため、電子ビームとして取り出す場合は、電流
損失となる。このため具体的には、図1で示したように
網状の形状とし、張り巡らすように形成している。この
穴部と遮へい部の比率は、電子の通過割合や形成される
等電位面の形状から適宜設計すればよい。
【0024】以上のように、カソードの上部にカソード
面に平行な等電位面を設けることにより、放出電子の広
がり角を押さえ、平行電子ビームを取り出すことが可能
となる。この結果、電子ビームの収束性を向上させた冷
陰極カソードを提供することが可能となる。
【0025】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の
実施形態に係る冷陰極素子の構造について図4を参照し
ながら説明する。
【0026】図4は、等電位電極1の網目パターンを示
したものである。図4(a)は、中心から伸びる放射形
状と同心円のリング形状を組み合わせた形状である。ま
た、図4(b)は、中心から伸びる放射形状である。
【0027】また、図示はしていないが、穴部ではなく
遮へい部が中心部からせん状に伸びる形状を有していて
もかまわない。
【0028】電子ビームの収束性を考えたとき、遮へい
部の構造は点対称などの対象形であることが望ましい。
【0029】また、図4(c)は、穴部が正三角形の形
状をしているものである。
【0030】いずれの場合も、カソード面に平行な等電
位面を形成し、電子放出の損失をできる限り防ぐ形状で
あるとともに、電子ビームの対称性を考慮した形状であ
ればかまわない。
【0031】(第3の実施形態)以下、本発明の第3の
実施形態に係る冷陰極素子の応用例について図5を参照
しながら説明する。
【0032】図5は、冷陰極素子を用いた応用例とし
て、画像表示装置の一つである受像管(CRT)を示し
たものである。これまでの実施の形態で説明してきた冷
陰極素子37が陰極線管42の中に納められている。冷
陰極から放出された電子は、陰極線管42の中の電極
で、電子銃44を構成する第1電極36、第2電極3
5、第3電極34で集束、加速されて電子ビーム43と
なり、偏向コイル33で偏向されて所定の位置の蛍光体
を衝撃する。電子ビーム電流は蛍光体と接続された陽極
端子31を通して陽極電源32に流れこむ。38,3
9,40はそれぞれ第1電極36、第2電極35、第3
電極34に印加する正の電圧を発生する電源である。入
力の映像信号は冷陰極素子37に入力される。
【0033】このように、冷陰極素子を受像管に応用す
ることにより、画像を表示することが可能となる。
【0034】また、カソードの上部にカソード面に平行
な等電位面を設けることにより、放出電子の広がり角を
押さえ、平行電子ビームを取り出すことが可能となる。
この結果、電子ビームの収束性を向上させ微少ビームス
ポットが実現でき、高解像度の受像管を提供することが
可能となる。
【0035】なお、本実施の形態では、冷陰極素子37
を電子銃44に納めてCRTを構成したが、これに限る
ものでなく、電子銃と構成が似ている電子ビーム装置と
しても応用可能である。
【0036】また、本実施の形態では、CRTへの応用
例を示したがこれに限るものでなく、本発明の冷陰極素
子を搭載したCRT管を用いた受像管システムを構成し
てもかまわない。
【0037】以上の応用例においても、電子ビームの収
束性を向上させ、微少ビームスポットを実現することが
可能である。
【0038】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る冷陰極素子
によると、カソードの上部にカソード面に平行な等電位
面を設けることにより、放出電子の広がり角を押さえ、
平行電子ビームを取り出すことが可能となる。この結
果、電子ビームの収束性を向上させた冷陰極カソードを
提供することが可能となる。
【0039】また、冷陰極素子を受像管に応用した場
合、カソードの上部にカソード面に平行な等電位面を設
けることにより、放出電子の広がり角を押さえ、平行電
子ビームを取り出すことが可能となる。この結果、電子
ビームの収束性を向上させ微少ビームスポットが実現で
き、高解像度の受像管を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る冷陰極素子を示
した模式図
【図2】本発明の第1の実施形態に係る冷陰極素子を示
した模式図
【図3】本発明の第1の実施形態に係る冷陰極素子を示
した模式図
【図4】本発明の第2の実施形態に係る冷陰極素子を示
した模式図
【図5】本発明の第3の実施形態に係る冷陰極素子の応
用例を示した模式図
【図6】従来技術における冷陰極素子の例を示した模式
【符号の説明】
1 等電位電極 2 カソード 3 引き出し電極 4 絶縁層 5 カソード電極 6 エミッタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5C031 DD09 DD15 5C036 EE03 EE19 EF01 EF07 EF09 EG12 EG19 EH04

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 冷陰極素子から構成されたカソードにお
    いて、前記カソードの上部に前記カソードの面に平行な
    等電位面を設けたことを特徴とする冷陰極カソード。
  2. 【請求項2】 冷陰極素子から構成されたカソードにお
    いて、前記カソードの上部に前記カソードの面に平行な
    等電位面を発生させる電極を設けたことを特徴とする冷
    陰極カソード。
  3. 【請求項3】 電極は穴部を有し、その形状が同心円
    状、放射状、格子状、らせん状、正n角形(nは整数)
    の少なくともいずれかの形態を含むことを特徴とする請
    求項2に記載の冷陰極カソード。
  4. 【請求項4】 冷陰極カソードの上部に前記カソードに
    平行な等電位面を設けたことを特徴とする請求項1から
    3のいずれかに記載の電子銃。
  5. 【請求項5】 冷陰極カソードの上部に前記カソードに
    平行な等電位面を設けたことを特徴とする請求項1から
    4のいずれかに記載の電子ビーム装置。
  6. 【請求項6】 冷陰極カソードの上部に前記カソードに
    平行な等電位面を設けたことを特徴とする請求項1から
    4のいずれかに記載の受像管。
  7. 【請求項7】 冷陰極カソードの上部に前記カソードに
    平行な等電位面を設けたことを特徴とする請求項1から
    4のいずれかに記載の受像管システム。
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