JPH05205651A - 陰極線管 - Google Patents

陰極線管

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Publication number
JPH05205651A
JPH05205651A JP4057441A JP5744192A JPH05205651A JP H05205651 A JPH05205651 A JP H05205651A JP 4057441 A JP4057441 A JP 4057441A JP 5744192 A JP5744192 A JP 5744192A JP H05205651 A JPH05205651 A JP H05205651A
Authority
JP
Japan
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crt
lens element
anode
lens
tubular
Prior art date
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Pending
Application number
JP4057441A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiee Odensaru Konratsudo
コンラッド・ジェー・オデンサル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tektronix Japan Ltd
Original Assignee
Sony Tektronix Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Tektronix Corp filed Critical Sony Tektronix Corp
Publication of JPH05205651A publication Critical patent/JPH05205651A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/58Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
    • H01J29/62Electrostatic lenses
    • H01J29/626Electrostatic lenses producing fields exhibiting periodic axial symmetry, e.g. multipolar fields
    • H01J29/628Electrostatic lenses producing fields exhibiting periodic axial symmetry, e.g. multipolar fields co-operating with or closely associated to an electron gun
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48Electron guns

Landscapes

  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 アノード48及びターゲット28間に第1及
び第2管状外側レンズ素子54、56を配置し、第1及
び第2管状外側レンズ素子間に管状中央レンズ素子52
を配置する。第1外側レンズ素子は、アノード側に電子
ビームが通過する開口を設けた端部板57bを有する。
第1及び第2管状外側レンズ素子には共通の高電圧が供
給され、管状中央レンズ素子には上記共通の高電圧より
低い電圧が供給される。 【効果】 アノード及び第1外側レンズの端部板から成
る2個の前段集束レンズ手段と、第1、第2管状外側レ
ンズ素子及び管状中央レンズ素子からなる高電圧集束レ
ンズ手段が協動し、球面収差を小さくし、高解像度像を
得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は陰極線管(以下CRTと
いう)、特に、高電圧単一(アインゼル)集束レンズと
協動する前段(プリフォーカス)集束レンズを使用して
高輝度、高解像度表示を行うCRTに関する。
【0002】
【従来の技術】高輝度、高解像度CRTは、例えば、米
国特許第4582396号に記載された形式のフィール
ド・シーケンシャル液晶カラー表示器を含む多様な用途
に使用されている。この様な表示器は、通常、液晶光シ
ャッタを通過してフルカラー表示像を形成する3つのカ
ラー成分像を順番に発生する単一電子銃を備えたCRT
を有する。
【0003】これらの表示器は、CRTの解像度に応じ
た高解像度像を形成することができるので好適である。
しかし、像が通過する液晶光シャッタは、約93%〜9
5%だけ像の輝度を減衰させるので、CRTは比較的高
輝度像を形成できることが必要とされる。したがって、
良好なフルカラー像を得るためには、CRTは、相応に
輝度が増加したカラー成分像を形成しなければならな
い。
【0004】しかし、CRTの特性では、電子ビーム電
流を増加して、輝度を増加させると、表示解像度が劣化
する。特に、電子ビーム電流を増加させると、ビームの
直径が大きくなり、電子ビーム内の電子の空間電荷効果
を増大させ、ビームが分散し、解像度が落ちる。
【0005】ピール等による米国特許第4620134
号は、管軸に沿って管のネック部に配置された前段集束
レンズ及び2電位主集束レンズを有するCRTを開示し
ている。前段集束レンズは、係数“S−eff”が1m
m以下であるように離間された1対のレンズ電極を有す
る。“S−eff”は、関数−ΔV/E(z)の最小値
として定義され、ここで、ΔVは2個の前段レンズ電極
の動作電圧の差、E(z)は、CRTの管軸に沿った2
個のレンズ電極間の電界の強さである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ピール等によるCRT
は、球面収差特性を改良することを目的としている。し
かし、このCRTでは、対角線が約33cmより短い表
示画面に約1000ラインを超える高輝度、高解像度像
を表示する表示装置の様な用途では、球面収差は許容範
囲を超える。この様な小さい表示装置に使用されるピー
ル等のCRTは、電子ビーム電流が比較的に大きく、ネ
ック部内の電子光学素子のサイズが比較的小さいので、
球面収差が比較的に大きくなる。更に、ピール等のCR
Tに使用される約7KVの高めの電圧は、管内で電気ア
ークを起こさせるおそれがある。電気アークにより、C
RT及び関連する回路に高電流が流れて、回路が損傷を
受けたり、破壊される。ネック部の直径が比較的に小さ
いCRTは、管内の素子の間隔が比較的に狭いので、特
にこの様な電気アークが起こり易い。
【0007】したがって、本発明の目的は、高輝度、高
解像度のCRTの提供にある。
【0008】本発明の他の目的は、サイズが小さい、特
に、ネック部の直径が小さいCRTの提供にある。
【0009】本発明の他の目的は、球面収差が比較的小
さいCRTの提供にある。
【0010】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明のCRT
によれば、例えば、フィールド・シーケンシャル液晶表
示装置と共に使用可能な高輝度、高解像度の表示像を得
ることができる。好適には、CRTは、真空管球のネッ
ク部内に配置され、協動して球面収差の小さい電子ビー
ムを形成する2個の前段集束レンズ素子及び高電圧単一
焦点レンズから成るセットを含む。電子ビームは、CR
Tの管軸に沿って、前段集束レンズ素子及び高電圧単一
集束レンズを通過する。
【0011】高電圧単一集束レンズは、従来の2電位集
束レンズよりも球面収差を小さくする。高電圧単一集束
レンズは、1対の外側レンズ素子の間に配置された中央
レンズ素子即ち集束リングを含む。2個の外側レンズ素
子には約12kVを超える共通高電圧が供給され、集束
リングには0〜6kVの電位が供給される。電子ビーム
は、入力レンズ素子である外側レンズ素子を介して高電
圧単一集束レンズに入り、出力レンズ素子である外側レ
ンズ素子を介して出る。
【0012】2個の前段集束素子の一方は、アノードで
ある。2個の前段レンズ素子は、電子力学関数−ΔV/
E(z)が1.0mm〜1.5mmの最小値になるよう
に、離間される。項ΔVは、2個の前段レンズ素子に供
給された電圧の差であり、項E(z)は管軸に沿ったこ
れらの素子間の電界強度を表す。
【0013】CRTの排気された管球は、ネック部から
表示画面ターゲット面に広がるファネル部を含む。電磁
ヨークは、ファネル部の形状に沿うようにネック部の端
部に配置される。電気的抵抗性の「DAG」被覆は、偏
向ヨークと位置が合うように管球の内面に塗布される。
ネック部は、偏向ヨークの効率を良くするために、直径
が小さいことが好適である。
【0014】CRTは、管球のネック部内に、カソー
ド、輝度制御グリッド、前段集束レンズ素子、及び2、
3本のガラス棒上に支持された高電圧単一集束レンズを
含む。銃構体は、ファネル部に向かう方向にネック部内
に滑り入れられる。1対の弾性ばね状のコネクタ即ちス
ナバは、単一集束レンズの出力レンズ素子から延び、抵
抗性DAG被覆に接触して、この被覆を外側レンズ素子
に接続する。
【0015】本発明のCRTは、CRTでの電気アーク
の発生率を減少させる種々の構成を有する。例えば、粒
子捕捉部材は、出力レンズ素子に固定され、管球のネッ
ク部を横切って延び、表示画面上の蛍光体被覆の粒子、
ファネル部の表面の導電性被覆の粒子又は抵抗性DAG
被覆の粒子が管球のネック部に入るのを防止する。この
様な粒子がネック部に入ると、管内の高電圧表面に隣接
する低電圧表面上の電界放出点として作用し、電気アー
クが起きる可能性が増加する。
【0016】抵抗性DAG被覆が矧がれるのを減少させ
るには、高導電性の小さな被覆の断片を抵抗性DAG被
覆の面上に塗布し、出力レンズ素子の弾性スナバに対す
る接点を形成する。導電性断片は、CRTの製造中に、
スナバが抵抗性被覆をこするのを防止し、スナバ及び抵
抗性被覆間の電気抵抗を減少させることにより、抵抗性
DAG被覆が剥れるのを抑制する。即ち、抵抗を減少さ
せたことにより、抵抗性被覆からスナバを介して出力レ
ンズ素子に至る電流の密度を減少させる。電流密度が過
剰であると、抵抗性被覆の剥がれ現象が起きる。
【0017】高電圧表面及び低電圧表面が近接して位置
する管内の領域に電界放出点(例えば、ごみ又は粗い表
面)が存在することにより、電気アークが起こる可能性
が増加する。例えば、CRT内には、比較的低電圧が供
給される導電面(例えば、集束リング及びアノード)が
絶縁面(例えば、ガラス支持棒又はCRTのネック部の
内面)に近接して配置された幾つかの領域がある。更
に、アノードは、ガラス支持棒に挿入される脚部に支持
される。これらの領域が電気アークを起こし易い理由
は、絶縁面が管内で高電圧(例えば、12kV以上)に
充電される傾向があるからである。
【0018】この充電及びそれに続いて起こる電気アー
クの可能性を減少させるために、管内の幾つかの絶縁面
は、電極で遮蔽され、又は導電材料で被覆される。例え
ば、電気アーク抑制導電性リングは、高電圧単一レンズ
の入力レンズ素子の端部と位置合わせされ、ガラス棒を
遮蔽し、それらに沿った電界勾配を減少させる。更に、
導電被覆は、集束レンズ素子及び電気アーク抑制レンズ
と位置合わせされて、ガラス支持棒の外側に塗布され
る。
【0019】電気アーク抑制レンズ及び導電被覆の作用
により、強い電界を形成し易い領域に均一な電荷分布が
形成される。その結果、低電圧導電面に隣接した電界放
出点は、強電界から遮蔽され、管内で電気アークが起こ
る可能性が減少する。
【0020】本発明の陰極線管は、カソードに隣接して
配置され、電子ビームが通過する開口を有するアノード
と、アノードに隣接して配置され、アノード側に上記電
子ビームが通過する開口を設けた端部板を有する第1管
状外側レンズ素子と、第1管状外側レンズ素子及びター
ゲット間に配置された第2管状外側レンズ素子と、第1
及び第2管状外側レンズ素子間に配置された管状中央レ
ンズ素子とを具え、第1及び第2管状外側レンズ素子に
は共通の高電圧が供給され、管状中央レンズ素子には共
通の高電圧より低い電圧が供給されることを特徴とす
る。
【0021】
【実施例】図1は、本発明の高輝度及び高解像のCRT
を示す側面断面図である。このCRT10は、球面収差
の小さい電子ビームを形成するための前段集束レンズ1
4及び高電圧単一集束レンズ16を含む真空管球12を
有する。管球12は、管状ガラス・ネック部20、ガラ
ス・ファネル部22及び光学的に透明なガラス・フェー
スプレート24を含む。蛍光体材料の層26は、フェー
スプレート24の内面上に被着され、CRT10の表示
画面28を形成する。電子的に透明なアルミニウム・フ
ィルム30は、ファネル部22の内面及び蛍光体層26
に真空蒸着により被着され、管球12の内面の一部は抵
抗性のDAG層32で被覆される。
【0022】電子銃40は、表示画面28とは反対側の
CRT10の端部で、ガラス・ネック部20内に配置さ
れる。銃40は、0〜+60Vの電位が供給されるカソ
ード42、開口46を有し、略0Vの電位が供給される
コップ状制御グリッド即ちG1 44及び開口50を有
するアノード・ウェハー即ちG2 48を有する。アノ
ード48には、150〜250Vの電位、好適には、制
御グリッド44の電位に対して約+200Vの電位が供
給される。アノード48に供給される電位の範囲は、カ
ソード42に対して+60Vの比較的に低いカソード・
カットオフ電圧となる。電圧は、1組のベース・ピン5
1及び接続導線(図示せず)を介して、カソード42、
制御グリッド44及びアノード48に供給される。
【0023】低カソード・カットオフ電圧による利点
は、それにより、小振幅のビデオ駆動信号でカソード4
2を駆動できることである。小振幅のビデオ駆動信号
は、例えば、フィールド・シーケンシャル液晶表示シス
テムに適している。このシステムのフィールド・シーケ
ンシャル動作では、従来のビデオ駆動信号の周波数の3
倍高いビデオ駆動信号周波数を必要とする。従来の信号
振幅を使用すると、この高周波数ビデオ駆動信号を発生
する回路は高価になる。
【0024】高電圧単一集束レンズ16は、離間された
1対の外側管状素子54及び56間に配置された中央管
状素子即ち集束リング52を含む。外側管状素子54
は、円筒状部57a及び、開口50に隣接して配置され
た開口58を有する平坦な端部ディスク板57b(G3
でも表される)を有する。外側管状素子54は、1組の
打型を使用して、1個の外側電極半加工品を打ち抜く
か、又は端部ディスク板57bを円筒状部分57aに溶
接するか、或いはろう付けすることで形成できる。
【0025】集束リング52には、ベース・ピン51の
1つを介して、中央画面集束電位として、好適には+
4.2Vである0〜+6Vの電位が供給される。6kV
よりも集束電位がベース・ピン51に供給されると、従
来のベース・ピン構体内では電気アークが生じる。外側
管状素子54及び56には、好適には約18kVである
12〜24kVの高電圧が供給される。したがって、単
一集束レンズ16の高電圧の性質は、外側管状素子54
及び56に供給される高電位に関係する。この高電圧
は、従来の2電位集束レンズと両立しない。
【0026】管状素子54に供給された高電圧及びアノ
ード48に供給された低電圧の間の作用により、低カソ
ード・カットオフ・ビデオ電圧は、CRT10の高解像
度性能と両立する。特に、アノード48に低電圧を供給
することにより、カソード・カットオフ電圧は低くな
り、これに対して、管状素子54の高電圧は、開口50
の大きさと共にアノード48の低電圧と作用し、電子ビ
ームを強力に予め集束して、高解像度を得る。後述する
様に、開口50は、直径が比較的に小さいので、前段集
束レンズ14の強度を増加させる。
【0027】更に、カットオフ・ビデオ信号電圧が低い
ので、カソード42は、比較的小さいカソード負荷(即
ち、カソードから放出される電子ビームの電流密度)で
動作する。カソード負荷が小さいと、カソード42の寿
命が延び、即ちCRT10の動作寿命が延びるという利
点がある。しかし、本発明による低カソード・カットオ
フ・ビデオ電圧及び小カソード負荷は、従来のCRTに
比べて都合がよい。通常、高い解像度を得るために、高
いカソード・カットオフ・ビデオ電圧、高いビデオ駆動
電圧及び大きいカソード負荷を使用する。
【0028】電子銃40及び高電圧単一集束レンズ16
は、管球12のネック部20に沿って延びる1対のガラ
ス棒60間に支持される。粒子捕捉部材(トラップ)6
2は、外側管状素子56の端部に固定される。粒子捕捉
部材62は、その周囲に配置された複数の弾性フィンガ
64を含み、ネック部20の内面に当接する。管状素子
56は、更に、1対の導電性弾性ばね状フィンガ即ちス
ナバ66を含み、スナバ66は、抵抗性のDAG層32
で被覆された管球12の内面を押して接触する。ゲッタ
・リング68も、管状素子56の端部に取り付けられ、
製造中の排気を容易にするために、管球12の内面にゲ
ッタ材料を被着するために使用される。電子銃40は、
表示画面28に向かう方向76に管軸74に沿って伝搬
する電子ビームを生成する。制御グリッド44、開口4
6、50及び管状素子52、54、56は、管軸74に
沿って一直線に並んで配置される。
【0029】開口50を有するアノード48及び開口5
8を有するディスク板57bは協動し、前段集束レンズ
14として機能する。動作上、アノード48に供給され
る+200Vの比較的低い電位は、電子ビームを比較的
に低速度で開口46から開口50に伝搬させる。これに
より、アノード48及び開口50は、比較的強力な第1
前段集束レンズ素子として機能し、電子ビームの外側電
子を収束させるが、ビームの内側電子を発散させる。更
に、外側管状素子54のディスク板57bに供給される
高電圧は、改良された球面収差特性を有する前段集束レ
ンズ14を形成する。
【0030】電磁偏向ヨーク78は、ネック部20に沿
ってファネル部22の端部に配置され、従来ラスタ走査
パターンに電子ビームを表示画面28上で走査する。偏
向ヨーク78は、電子ビームを水平及び垂直方向に夫々
偏向する水平及び垂直偏向コイルを含む。偏向ヨーク7
8は、抵抗性DAG層32が被覆された管球12の一部
に重なる。液晶光シャッタ80は、表示画面28の正面
に配置され、CRT10と協動して、フィールド・シー
ケンシャル液晶カラー表示装置82として働く。
【0031】表示装置82は、対角線が約10cm〜6
9cmの表示画面28を有する。CRT10の表示画面
28は、例えば、小型パーソナル・コンピュータに組み
込めるように、対角線が約25.4cmであることが好
ましい。。この様な表示画面28と適合するように、管
球12のネック部20は、約20mmの比較的小さな外
径を有する。
【0032】CRT10を高解像度にするには、電子銃
40内の単一集束レンズ16は、球面収差が小さい電子
ビームを形成する必要がある。図3は、中心管状素子5
2に供給された集束電圧の関数として、CRT10で発
生される電子ビームの球面収差係数の曲線84を示す。
集束電圧は、後述する様に、管状素子54及び56間の
距離に関係する。更に、集束電圧の大きさは、外側電極
54及び56の間隔、及びこれらに供給される高電圧の
大きさに関係する。したがって、図3は、単一集束レン
ズ16の特性が、電子ビーム内の球面収差を減少させる
ために重要であることを示している。
【0033】図4は、ガラス棒60の一方に固定された
高電圧単一集束レンズ16を示す部分的拡大断面図であ
る。ガラス棒60の構造は、CRT10の両方のガラス
棒に関して略同じである。
【0034】図4を参照すると、集束素子52は、最大
可能直径で形成されるように、ガラス棒60の凹部94
内に取り付けられる。集束素子52の直径を大きくする
ことにより、ネック部20の直径が小さいにもかからわ
ず、単一集束レンズの球面収差係数を減少させるように
働く。凹部94は、集束リング52の各端部に間隙96
を有し、ガラス棒60及びリング52の端部間を適切に
離間する。
【0035】間隙96による離間により、集束リング5
2からガラス棒60への電子の電界放出漏れが減少す
る。この電界放出漏れは、後述する様に、電気アークを
起こさせる虞がある。更に、凹部94により、集束リン
グ52の直径を大きくし、集束リング52及び外側導体
54、56間の間隔が増加し、更に、電気アークの発生
率が減少する。
【0036】単一集束レンズ16の外側素子54及び5
6に供給される高電圧は、CRT10内で電気アークを
起こさせる虞がある。更に、ネック部20の直径が比較
的小さいことにより、電子素子の間隔もそれに応じて小
さくなるので、電気アークが起こる可能性が大きくな
る。したがって、CRT10は、電気アークが生じる可
能性の増加を相殺するという種々の特徴を有する。
【0037】特に、粒子捕捉部材62は、例えば、抵抗
性DAG被覆32、アルミニウム膜30、又は蛍光体層
26を剥す粒子が、ネック部20に沿って伝搬するのを
防止する。電子銃40をガラス管球12に滑り入れると
きのCRTの製造工程、極めて高電圧の電気アークを管
内で故意に発生させる「スポット・ノッキング」と呼ば
れる製造工程段階の間、又は管の処理の間に、粒子は緩
く打当たる。
【0038】この粒子は、CRT10の高電圧表面に隣
接して配置された低電圧表面上の電界放出点として働く
ことにより、電気アークの可能性を増加させる。例え
ば、集束リング52は、約4.2kVの比較的低電圧が
供給される導電面であり、ガラス支持棒60は、CRT
10内の最高電圧(素子54及び56に供給される18
kV)まで充電する傾向がある隣接する絶縁表面であ
る。
【0039】外側素子56上のスナバ66の各々は、抵
抗層32の表面上に塗布された高導電率の被覆である断
片98に当接する。断片98は、0.4cm2〜0.6c
m2、好適には、0.5cm2の比較的小さな矩形領域で
ある。断片98は、当業者には周知の銀塗料で形成さ
れ、軸74に平行な方向に長辺を有する。断片98は、
銃40及びガラス棒60上の単一レンズ16をガラス管
球12内に滑り入れたときに、抵抗性被覆32から抵抗
性DAGの粒子を削り取るのを防止することにより、電
気アークの発生率を減少させる。
【0040】更に、断片98は、スナバ66及び抵抗性
層32の電気的に結合を広い領域にわたり分布させるこ
とにより、電気アークの発生率を減少させている。分布
する電気的結合は、電気抵抗を減少させ、スポット・ノ
ッキング製造工程の間に、スナバ66及び抵抗性層32
間に高密度電流路を形成する。その結果、断片98は、
スポット・ノッキングの間に発生される粒子の数を減少
させる。
【0041】断片98の面積は比較的に小さいので、偏
向ヨーク78による渦電流の発生が抑制される。渦電流
は、電磁偏向ヨーク78に重なる導電面上の一般特性で
ある。しかし、渦電流はビーム偏向磁界のエネルギを消
散させて、偏向ヨークの効率を減少させるので、好まし
くない。
【0042】更に、他のエネルギがネック部20で発生
し、ファネル22が熱くなり、その中のイオンの移動性
を増加させ、被覆32又は断片98上の高電圧は、ヨー
ク78に対して突き抜け現象を生じさせる。突き抜け現
象とは、管球12を粉々に破壊する激しい電気アークで
あり、これにより、CRT10及び関連する回路が破壊
され。
【0043】図1及び図4を参照すると、電気アーク抑
制リング100は、アノード48に隣接して配置した外
側管状素子54の端部と放射方向で重なり、端部同士が
一直線に並んでいる。電気アーク抑制リング100は、
導線102により集束リング52に電気的に接続され、
アノード48及び制御グリッド44上の電界放出位置か
ら外側管状素子54を遮蔽する。電気アーク抑制リング
100の直径は、集束リング52の直径と略同一であ
り、間隙106を有するガラス棒60の凹部104内に
取り付けられる。電気アーク抑制リング100は、外側
管状素子54の端部に対向して、均一充電表面を形成す
るように働く。この様な均一な電荷分布は、ガラス棒6
0上の電荷電位を減少させることにより、アノード48
から素子54の端部への電気アークの発生を抑制する働
きをする。
【0044】ガラス棒60の外側は、管球12の内面に
面している。導電性塗料被覆108は、集束リング52
及び電気アーク抑制リング100と位置を合わせて、ガ
ラス棒60の外側に設けられる。導電被覆108は、ガ
ラス棒60及び管球12の内面に沿って、略均一な電荷
分布を形成することで電気アークを抑制するように働
く。したがって、導電性被覆108、電気アーク抑制リ
ング100、導電性断片98及び粒子捕捉部材62の全
ては、電気アークを十分に抑制し、ネック部20の直径
が小さいにもかかわらず、高電圧単一集束レンズ16及
び表示画面28が高電圧で動作可能になる。$ 図1及び図2は、CRT10内の種々の寸法を示してい
る。特に、制御グリッド44は、約0.076mmの圧
断、又は鋳造された厚さ120を有し、アノード48は
約0.50mmである厚さ122のウェハであり、G3
開口58の長さ124は、約0.25mmである。G1
開口46及びG2開口50の直径126は、約0.56
mmであり、G3開口の直径128は、約1mmであ
る。
【0045】制御グリッド44は、約0.10mmであ
る距離130だけカソード42から離間される。アノー
ド48は、約0.23mmである距離132だけ制御グ
リッド44内の開口46から離間される。他の管状素子
54は、約1.27mmである距離134だけ、アノー
ド48から離間される。
【0046】アノード48及びディスク板57b間の距
離134は、電気力学的関数−ΔV/E(z)が、1.
0mm〜1.5mmの最小値になるように選択される。
項ΔVは、アノード48及び管状素子54に供給された
電圧の差であり、項E(z)は管軸74に沿ったこれら
の素子間の電界強度を表す。図5は、CRT10に関す
るこの関数の曲線140及び、最小値142を示すグラ
フ図である。
【0047】図1及び図4を参照すると、集束リング5
2の長さ146及び外径148は、夫々17.0mm及
び12.1mmである。外側管状素子54及び56は、
共に直径150が8.0mmであり、夫々の長さ152
及び154が15.5mm及び9.4mmである。素子5
4及び56は、14.0mmである距離158だけ離間
されている。電気アーク抑制リング100の長さ156
は、約5.08mmである。CRT10の全長160
は、235cmである。特定の直径の管状素子に関し
て、単一レンズ16は、従来の2電位集束レンズより
も、小さい球面収差を与える。
【0048】図6は、外側電極54及び56間の距離の
関数として、CRT10内で発生する電子ビームの球面
収差係数の曲線162を示す。曲線162は、外側電極
54及び56間の間隔158が増加するほど、球面収差
が減少することを示している。したがって、間隔158
が増加すると、集束リング52に供給される集束電圧
が、電子ビーム・スポットの大きさを最小にし、CRT
10の解像度を増加させる。
【0049】図3及び図6を参照すると、曲線162は
減少勾配を有し、外側電極54及び56の距離158が
増加して15.2mmを超えると、球面収差係数の減少
は少なくなり、球面収差係数の減少が少ないわりに、銃
40が過度に長くなる。集束電圧及び距離は互いに関係
するので、14.0mmの好適な距離155では、集束
電圧は4.2kVである。これらの動作条件は、曲線8
4及び162で示す最低電圧、最短間隔の構成に比較し
て、CRT10の球面収差係数が約300%だけ改善さ
れた。
【0050】更に、外側電極54及び56は、それらの
対向する内側面164及び166で夫々端部が開放され
ている。電極54及び56の端部が開放された内側面1
64及び166は、単一集束レンズ16の球面収差係数
を減少させる働きをする直径の大きい開口を形成する。
【0051】
【発明の効果】本発明の陰極線管は、アノード及び第1
外側レンズの端部板から成る2個の前段集束レンズ手段
と、第1、第2管状外側レンズ素子及び管状中央レンズ
素子からなる高電圧集束レンズ手段が協動し、球面収差
を小さくし、高解像度像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のCRTを示す側面断面図である。
【図2】図1のCRTの前段集束レンズの部分的側面図
である。
【図3】図1のCRTの電子ビームの球面収差係数を集
束電圧の関数として示すグラフ図である。
【図4】図1のCRTのアノード及び高電圧単一集束レ
ンズの部分的拡大図である。
【図5】図1のCRTの前段レンズ素子に関する電気力
学的関数のグラフ図である。
【図6】図1のCRTの電子ビームの球面収差係数を外
側レンズ素子の間隔の関数として示すグラフ図である。
【符号の説明】
28 ターゲット 42 カソード 48 アノード 52 管状中央レンズ素子 54 第1管状外側レンズ素子 56 第2管状外側レンズ素子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一端に電子ビームを発生するカソード及
    び他端に上記電子ビームが衝突するターゲットを有する
    陰極線管において、 上記カソードに隣接して配置され、上記電子ビームが通
    過する開口を有するアノードと、 該アノードに隣接して配置され、上記アノード側に上記
    電子ビームが通過する開口を設けた端部板を有する第1
    管状外側レンズ素子と、 該第1管状外側レンズ素子及び上記ターゲット間に配置
    された第2管状外側レンズ素子と、 上記第1及び第2管状外側レンズ素子間に配置された管
    状中央レンズ素子とを具え、 上記第1及び第2管状外側レンズ素子には共通の高電圧
    が供給され、上記管状中央レンズ素子には上記共通の高
    電圧より低い電圧が供給されることを特徴とする陰極線
    管。
JP4057441A 1991-02-11 1992-02-10 陰極線管 Pending JPH05205651A (ja)

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