KR0181327B1 - 전계 방출형 콜드 캐소드 및 이를 포함하는 전자총 - Google Patents

전계 방출형 콜드 캐소드 및 이를 포함하는 전자총 Download PDF

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KR0181327B1
KR0181327B1 KR1019960005064A KR19960005064A KR0181327B1 KR 0181327 B1 KR0181327 B1 KR 0181327B1 KR 1019960005064 A KR1019960005064 A KR 1019960005064A KR 19960005064 A KR19960005064 A KR 19960005064A KR 0181327 B1 KR0181327 B1 KR 0181327B1
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히로노리 이무라
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가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은(a) 그 표면에 적어도 전기 도전성인 기판(1), (b) 기판(1) 상에 배치되고, 첨예한 선단을 갖는 적어도 하나의 에미터 콘(6), (c) 에미터 콘(6)이 배치될 적어도 하나의 캐비티(4)를 갖는 게이트 전극(3), 및 (d) 기판(1)과 게이트 전극(3) 사이에 삽입된 절연층(2)을 포함하는 전계 방출형 콜드 캐소드에 있어서, 에미터 콘의 선단 주위에 게이트 전극(3) 영역 A(5)는 영역 A(5) 이외의 게이트 전극(3)의 영역 B와 전위 강하에 있어서 다른 특성을 갖는 전계 방출형 콜드 캐소드를 제공한다.
전계 방출형 콜드 캐소드는 전자 총에 적용 가능하다.

Description

전계 방출형 콜드 캐소드 및 이를 포함하는 전자총
제1A도 내지 제1D도는 시. 에이. 스핀트(C. A. Spindt)가 제시한 방법인 전계 방출형 콜드 캐소드의 제도 방법의 각 단계를 도시한 단면도.
제2A도 및 제2B도는 일본국 특허 공개 제5-144370호에 기술된 전계 방출형 콜드 캐소드를 각각 도시한 평면도 및 단면도.
제3도는 전계 방출형 콜드 캐소드의 동작 특성을 도시한 그래프.
제4도는 종래의 핫 캐소드 및 전극을 포함하는 전자총의 일부분의 단면도.
제5도는 일본국 특허 공개 제4-284324호에 기술된 전계 방출형 콜드 캐소드를 도시한 사시도.
제6도는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 제조된 전계 방출형 콜드 캐소드의 단면도.
제7도는 제6도에 도시된 콜드 캐소드의 사시도.
제8도는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 제조된 전계 방출형 콜드 캐소드를 포함하는 전자총의 단면도.
제9도는 본 발명의 제2 실시예에 따라 제조된 전계 방출형 콜드 캐소드의 단면도.
제10도는 제9도에 도시된 콜드 캐소드의 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 도전성 기판 2 : 절연층
3 : 게이트 전극 4 : 캐비티
5 : 고저항 영역 6 : 에미터 콘
7 : 제1 게이트 층 8 : 제2 게이트 층
9 : 희생층 1 0 : 고융점 금속층
1 1 : 제1 전극 1 2 : 제2 전극
1 3 : 개구부 1 4 : 전자 방출 영역
1 5 : 에미터 콘 1 6 : 고저항 층
1 7 : 저저항층 1 8 : 게이트 지선
1 9 : 게이트 트렁크 2 0 : 전자총
2 1 : 등전위선 2 2 : 핫 캐소드
본 발명은 전자 방출원으로 작용하는 콜드 캐소드(cold cathode)에 관한 것으로, 특히 첨예한 선단을 통해 전자를 방출하는 전계 방출형 콜드 캐소드, 및 이러한 콜드 캐소드를 포함하는 전자총에 관한 것이다.
전계 방출형 콜드 캐소드에 대하여 여러 가지 시도가 이루어지고 있다. 예를 들면, C. A. Spindt가 LSI 제조 기술을 응용한 미소 구조로 제조하는 마이크로머신닝( micro-machining )기술에 의해 실리콘 웨이퍼 상에 제조되는 전계 방출형 콜드 캐소드를 제안하고 있다(Journal of Applied Physics, Vol.. 39, pp. 3504-3505, 1968).
제1A도 내지 제1D도는 Spindt에 의해 제안된 콜드 캐소드를 제조하는 방법의 각 단계를 도시한 단면도이다. 이하 각 단계를 간단히 설명한다. 제1A도를 참조하면, 단결정 실리콘으로 이루어지는 도전성 기판(1) 상에는 1μm 두께의 절연층(2) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 게이트 전극(3)이 퇴적되어 있다. 그 다음, 절연층(2) 및 게이트 전극(3)을 관통한 약 1. 5μm의 내부 직경을 갖는 캐비티(4)를 각각 형성하고 있어 이 캐비티(4)가 기판(1)의 표면에 도달한다.
다음에, 도전성 기판(1)이 상기 기판(1)의 중심을 통과하는 기판(1)의 법선에 대해 회전할 때, 알루미늄으로 이루어진 희생층( 9 )이 제1B도에 도시된 바와 같이, 기판(1)이 법선으로부터 측정된 70°의 각으로 진공 증착법에 의해 게이트 전극(3) 및 캐비티( 4 )의 측벽의 상부에 퇴적된다.
다음, 도전성 기판(1)이 상기 법선 주위에서 다시 회전할 때, 몰리브덴 Mo과 같은 고융점 금속이 상기 법선 방향으로 전공 증착법에 의해 증착된다. Mo로 이루어진 고융점 금속층(10)이 게이트 전극(3) 상에 퇴적될 때, 상기 캐비티(4) 위의 고융점 금속층(10) 내에 형성된 홀(10a) 은 내부 직경이 감소되는데 그 이유는 Mo 역시 홀(10a)의 각각의 측벽에 증착되기 때문이다. 그러므로, 홀(10a)은 원주 형상이 된다.
고융점 금속층(10) 내에 형성된 홀(10a)를 관통하는 고융점 금속 Mo이 캐비티(4 )의 저면 상에 퇴적된다. 홀(10a)의 내부 직경이 감소될 때 퇴적된 Mo의 영역도 감소된다.
고융점 금속층(10)의 홀(10a)이 완전히 폐쇄될 때까지 Mo의 퇴적을 계속함으로써 캐비티(4)의 저면 상에 퇴적된 고융점 금속 Mo이 제1C도에 도시된 바와 같이 원주( 6; 이하, 에미터 콘(emitter cone )이라 함 )를 형성한다. 고융점 금속층(1 0)의 형성 후, 인산과 같은 약산에 침수하고 희생층(9)을 용해하면, 예를 들어 리프트 오프( lift-off ) 기술에 의해 고융점 금속층(1 0)을 제거할 수 있다. 그러므로, 제1D도에 도시한 바와 같이, 미소 전계 방출형 콜드 캐소드를 얻을 수 있다.
기판(1)과 게이트 전극(3) 양단에서 게이트 전극(3)에 인가되는 전압이 양(+)가 되도록 수십 내지 200V의 전압을 인가함으로써 에미터 콘(6)의 선단에는 107V/cm 이상의 전계가 발생하여 에미터 콘(6)의 선단으로부터 전자가 방출된다.
현재, 에미터 콘 당 100μA 이상의 전류를 발생할 수 있다. 그러므로, 상술한 바와 같이 전계 방출형 콜드 캐소드의 응용이 여러 가지로 시도되고 있다. 예를 들면, 상기 콜드 캐소드를 전자원으로 한 미세 3극관을 포함하는 스위칭 장치가 제안되고 있고 매트릭스 상으로 배열된 복수의 음극을 포함하는 평면형 방출원을 이용하여 형광 물질을 발생할 디스플레이 패널도 제안되고 있다.
일본국 특허 공개 제5-144370호에는 게이트 전극이 저항이 상이한 2개의 층으로 이루어진 전계 방출형 콜드 캐소드가 제시되어 있다. 특허 공개 제5-144370호 에 기술된 캐소드가 제2A도 및 제2B도에 도시되어 있는데, 제2A도는 캐소드 평면도이고, 제2B도는 제2A도의 라인 A-A를 따라 절취한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 캐소드는 각 그룹이 3 × 3 에미터 콘을 포함하는 다수의 그룹으로 분할되는 다수의 에미터 콘( 15 )을 갖고 있다. 에미터 콘( 150)의 각각은 고저항층( 16 )으로 이루어진 게이트 전극을 갖고 있고, 에미터 콘( 15 )은 저저항층( 17 )으로 둘러싸여 있다.
제3도는 전계 방출형 콜드 캐소드의 동작 특성의 경향을 도시하고 있다. 도시된 경향은 에미터 콘( 6 )으로부터 전자를 방출시시키에 충분한 전압이 게이트 전극( 3 )에 인가될 때 관측되는 것이다. 횡축은 전계 방출형 콜드 캐소드에 2..5mm의 거리로 대향하여 비치되고 상기 캐소드로부터 방출되는 전자를 받아들이는 전극( 이하, 콜렉터라 함)에 인가되는 전압(이하, 콜렉터 전압이라 함)의 제곱근을 나타내고, 반면에 종축은 에미터 콘(6)으로부터 콜렉터로 유입하는 전류( 이하 방출 전류라 함)와 에미터 콘(6)으로부터 게이트 전극에 유입하는 전류( 이하,게이트 전류라 함) 모두를 나타낸다. 제3도로부터 명백한 바와 같이, 콜렉터 전류가 상당히 낮은 경우, 방출 전류가 상당히 낮게 되고, 게이트 전극(3)에 유입하는 전자가 증가하는 경향이 있다. 방출 전류가 게이트 전극(3)내로 유입되는 경우에, 전계는 캐비티(4)의 선단부 주변의 영역( 이하, 개구 영역이라 함. 제1D도 참조 )에서 게이트 전극에 방출 전류를 유입하게 한다. 이것은, 콜렉터 전압을 강하한 상태에서 동작되는 전계 방출형 콜드 캐소드의 외관을 개구 영역(13)에서 관찰하면, 개구부(13)에서 전자에 의해 봄버드( bombardment )된 흔적을 발견할 수 있다.
제4도는 핫 캐소드( hot cathode; 22 )를 포함하는 종래의 전자총의 단면도이다. 제4도는 전극들과 핫 캐소드(22) 상이의 위치 관계를 도시하고 있다. 도시된 전자총은 예를 들어 음극선관(CRT)에 사용된다(이하, 이러한 전자총을 CRT 전자총이라 한다 ). 핫 캐소드(22 )의 내부 구조 및 상기 핫 캐소드(22)를 가열하는 히터는 간단성을 위해 생략되었다. 제4도에서, 전자총이 동작하는 경우에 관측되는 전위 분포가 등전위선(21)으로 나타나고 있다. 여기에는 핫 캐소드(22)의 방출에 기여하는 전위 분포만이 도시되었다. 제4도에서, 핫 캐소드(22)에 가장 인접한 전극은 제 1 전극(11)으로 불리고, 제 1 전극에 이어 핫 캐소드(22)에 가장 인접한 적극을 제 2 전극(12)이라 부른다. 핫 캐소드(22) , 제 1 및 제 2 전극(11 및 12)를 지지하는 프레임을 포함하는 CRT의 이외의 다른 부분은 생략하였는데 그 이유는 CRT 전자총의 설명에 불필요하기 때문이다.
일반적으로, 제1 전극(11)의 애퍼츄어는 CPT 전자총 내의 핫 캐소드(22)의 전자 방출 영역 보다 크기가 작고, 제4도에 도시된 등전위선(21)이 형성되도록 CRT 전자총의 전극에 전압이 인가된다.
핫 캐소드는 콜드 캐소드의 표면에 인가되는 전압의 3/2 제곱에 비례하는 양으로 전자를 방출한다. 따라서, 제1 전극(11)의 애퍼츄어에 가깝고 제1 전극(11)의 것 보다 높은 전압이 제공되는 핫 캐소드(22) 영역으로부터만 전자가 방출된다. 이하, 이 영역을 전자 방출 영역(14)이라 한다.
일본국 특허 공개 제4-284324호는 게이트 전극에 저항을 형성하는 전계 방출형 콜드 캐소드를 제시하고 있다. 제5도는 이 캐소드의 사시도이다. 여기에 도시된 바와 같이, 각 장치의 게이트 전극(3)은 저항을 갖는 게이트 지선(18)과 게이트 전극(3)에 전압을 인가하는 게이트 트렁크(19)를 포함하고 있다.
상술한 바와 같이, 콜렉터 전압이 상당히 낮은 경우에 케이트 전류가 증가한다. 이 게이트 전류의 증가에 따른 전압 강하에 의해 게이트 전압은 저하하고 방출 전류의 저하를 야기한다.
CRT전자총에 핫 캐소드를 장착하는 종래의 방법은 상기 전압 강하에 의해 게이트에 충분한 전압을 인가할 수 없고 CRT전자총이 동작할 수 없다고 하는 단점을 갖는다. CRT 전자총에 캐소드의 장착에 있어서, 게이트 전극에 전자의 유입을 방지하기 위해 소정 영역에만 전계 방출형 콜드 캐소드를 장착하는 방법이 있다. 그러나, 제1 전극과 캐소드 사이의 편심도(eccentricity)를 없애도록 캐소드를 배치할 필요가 있어 실용적이지 않다. 또한, 캐소드는, 게이트 전극과 에미터 콘 사이에 도전성 이물질 (foreign material)을 부착한 경우에도 상기 전압 강하에 의해 게이트 전압이 저하하여 캐소드의 동작이 열화한다는 결점을 갖는다.
이하, 전계 방출형 콜드 캐소드의 에미터 콘이 몇 개의 그룹으로 분할되는 경우에 발생되는 문제를 설명한다. 제2A도에 도시된 바와 같이, 에미터 콘이 몇 개의 그룹으로 분할되는 경우에, 그룹 각각의 중심에 배치된 캐비티(4a)가 동일한 거리로 고저항층(16)으로 둘러싸인다. 그러나, 그룹의 중앙에 배치되지 않은 캐비티(4b 및 4c )는 상이한 거리로 고저항층(16)으로 둘러싸인다. 예를 들어, 캐비티 (4b)는 제2B도의 좌측에 도시된 바와 같이 고저항충(16)에 아주 근접하여 배치되나, 우측에 도시된 바와 같이 고저항층(16)으로부터 멀리 떨어져 있다. 제1C도에 도시된 바와 같이, 고융점 금속층(10)의 증착 단계에서 캐비티(4)가 고저항층(16)까지의 거리가 다르면, 고융점 금속층(10)이 균일하게 형성되지 않고, 에미터 콘(6)의 형상이 불균일하게 된다는 결점을 갖는다. (a) 제2B도에 도시된 바와 같이 장치 내의 고저항층(16) 및 저저항층(17)을 포함하는 게이트 전극(3)이 평탄한 구조이거나, (b) 전자가 방출되는 방향과 수직한 방향, 즉 제2A도 및 제2B도의 횡방향에서 캐비티(4)에 대해 게이트 전극(3)이 축 대칭이든지, 또는 (c) 캐비티(4)가 저저항층(17)으로부터 충분히 떨어져 있지 않으면, 에미터 콘(6)의 형성 단계에서 게이트 전극(3) 상에 고융점 금속층(10)은 균일하게 적층되지 않고 고용점 금속층(10)의 구멍(10a)가 캐비티(4)의 중심 축에서 균일하게 폐쇄되지 않는다. 일본국 특허 공개 제5-144370호에 기술된 전계 방출형 콜드 캐소드의 결점을 방지하기 위해서 캐비티(4)로부터 고저항층(16)까지의 거리를 충분하게 적층해야 할 필요가 있지만 에미터 콘의 충전 밀도가 저하한다는 결점을 갖고 있다. 또한, 제2A도에 도시된 바와 같이 에미터 콘이 여러 그룹으로 분할되는 경우에, 상기 그룹들 각각의 중심에 배치된 에미터 콘과 저저항층 사이의 거리가 그룹의 중심에 있지 않은 에미터 콘과 저저항충 사이의 거리와 다르고, 전압 강하가 변동한다는 결점을 갖는다.
캐소드가 CRT와 같은 전자총에 조립된 경우, 전자 방출 영역(14: 제4도)로부터 떨어져 배치된 에미터 콘은 동작하지 않는다. 일반적으로, CRT에 사용되는 전자총에서의 전자 방출 영역의 직경은 150μm 내지 300μm이고, 이 직경은 새롭게 개발된 전자총에서 감소되는 경향이 있다. 종래의 전계 방출형 콜드 캐소드에서 에미터 콘들 사이의 피치는 수 μm이고, 에미터 콘이 3×3 그룹으로 분할되는 경우에 각 그룹은 적어도 20㎛×20㎛의 크기를 갖는다. 에미터 콘이 여러 그룹으로 분할되는 경우에, 전자 방출 영역(14)으로부터 떨어져 배치된 에미터 콘이 전자를 방출할 수 있다. 또한, 3개의 전자총이 적(R), 녹(G) 및 청(B)을 이용할 때 전자총들 각각에 배열된 캐소드에 배치된 에미터 콘의 동작이 불균일하고 방출량이 변동된다는 결점을 갖고 있다.
저항으로서 작용하는 게이트 지선(18)이 게이트 전극(3)의 일부로서 형성되는 제5도에 도시된 종래의 방법에서, 게이트 지선(18)과 캐비티(4) 사이의 거리를 충분히 크게 할 필요가 있고, 보다 고밀도의 에미터 콘을 배열할 수 없다는 결점을 갖는다.
본 발명의 목적은 캐소드가 애노드 전압을 충분히 인가하지 않은 표면에서의 영역을 포함하거나, 게이트 전극이 캐비티에 유입되는 도전성 이물질로 인해 기판과 단락되어도, 에미터 콘이 게이트 전위 강하에 의해 동작하지 않는 것을 방지할 수 있는 전계 방출형 콜드 캐소드를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 캐소드가 상기 캐소드 표면에 애노드 전압을 불균일하게 인가하는 전자총에 응용될 때 전자가 방출되는 방향과 수직한 방향으로 캐소드와 전극을 정렬할 필요가 없는 전계 방출형 콜드 캐소들를 제공하려는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전계 방출형 콜드 캐소드를 포함하는 전자총을 제공하는 것이다.
한 특징으로서, 본 발명은 (a) 적어도 자체 표면에 도전성이 있는 기판: (b)상기 기판 상에 배치되고 뾰족한 선단을 갖는 적어도 하나의 에미터 콘: (c)상기 에미터 콘이 배치될 적어도 하나의 캐비터를 갖는 게이트 전극: 및 (d) 상기 기판과 상기 게이트 전극 사이에 삽입된 절연층을 구비한 전계 방출형 콜드 캐소드에 있어서, 상기 에미터 콘의 상기 선단 부근의 상기 게이트 전극의 영역 A가 상기 영역 A 이외의 상기 게이트 전극의 영역 B와 다른 전위 강하 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 콜드 캐소드를 제공하고 있다.
영역 A는 여러 가지 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극의 상기 영역 A는 상기 영역 B와 다른 재질로 제조된다. 다른 예로서, 상기 게이트 전극의 상기 영역 A는 상기 영역 B와 전기 정항이 다르다. 상기 게이트 전극의 상기 영역 A의 형상이 고리 모양이다.
선택적으로 상기 게이트 전극은 상기 절연층 상에 있는 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 있는 제2 도전층을 구비하고 있다. 상기 캐비티는 상기 제1 도전층에 형성된 제1 개구부와 상기 제2 도전층에 형성된 제2 개구부를 포함하되, 상기 제1 개구부는 상기 제2 개구부와 동축 상에 있으며 상기 제2 개구부 보다 작은 내부 직경을 갖고 있다. 이 구성에서, 제1 도전성 영역이 영역 A로서 작용하는 제2 도전성 층으로 피복되지 않는다. 상기 제1 도전층은 상기 제2 도전층 보다 더 적은 불순물로 도핑된다. 상기 제2 도전층은 양호하게도 텅스텐과 같은 고용점 금속 및 텅스텐 실리사이드와 같은 고융점 금속 화합물로 제조된다.
다른 특징으로서, 캐소드 및 상기 캐소드를 따라 정렬 배치된 복수의 제어 전극을 구비하여, 상기 캐소드로부터 방출된 전자들이 상기 제어 전극으로 향하도록 되어 있고, 상기 캐소드는 (a) 적어도 자체 표면에 도전성이 있는 기판: (b) 상기 기판 상에 배치되고 뾰족한 선단을 갖는 적어도 하나의 에미터 콘: (c) 상기 에미터 콘이 배치될 적어도 하나의 캐비터를 갖는 게이트 전극: 및 (d) 상기 기판과 상기 게이트 전극 사이에 삽입된 절연층을 구비하고 있는 전자총에 있어서, 상기 에미터 콘의 상기 선단 부근의 상기 게이트 전극의 영역 A가 상기 영역 A 이외의 상기 게이트 전극의 영역 B와 다른 전위 강하 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 전자총을 제공한다.
전자총의 영역 A는 상기 전계 방출형 콜드 캐소드와 유사한 방식으로 형성된다.
본 발명에 따른 제조된 전계 방출형 콜드 캐소드에서, 게이트 전극의 상기 영역 A는 전자가 어레이에 배열된 다수의 에미터 콘을 갖는 전계 방출형 콜드 캐소드 내의 소정의 에미터 콘에서 게이트 전극의 영역 A 내로 유입되더라도 게이트 전극의 전압 감소 없이 캐소드를 안정적으로 동작할 수 있다.
또한, 영역 A를 형성하면, 전자가 다른 것으로부터 게이트 전극 내로 흐르는 캐소드를 다른 것과 전기적으로 분리시킬 수 있으므로 캐소드의 전자 방출 분포의 열화를 피하도록 최소 수의 캐소드 동작을 정지시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 전자총의 전극 내에 형성된 개구 영역 보다 큰 전자 방출 영역을 갖는 캐소드를 사용할 수 있어서 전자총과의 캐소드의 축 정렬을 쉽게 이룰 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 목적 및 장점을, 동일하거나 유사한 부품에 동일한 참조 부호를 병기한 첨부된 도면을 참조하여 다음의 상세한 설명으로부터 명백히 알 수 있다.
본 발명에 따른 양호한 실시예가 도면을 참조하여 아래에 설명된다.
제6도 및 제7도는 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조된 전계 방출형 콜드 캐소드를 도시한 것이다. 제7도는 사시도이고 제6도는 제7도 선 B-B를 따라 취해진 단면도이다. 제6도에 도시한 바와 같이, 단결정 실리콘 Si로 이루어진 전기 도전성 기판(1) 상에는 열 산화 또는 화학 증착(CVD)에 의해 실리콘 이산화물 및 실리콘 질화물과 같은 절연성 물질(재질)로 구성되고 1μm의 두께를 갖는 절연층(2)이 퇴적된다. 또한, 절연층(2) 상에는 CVD에 의해 0. 3μm의 두께를 갖는 폴리실리콘으로 구성된 게이트 전극(3)이 형성된다. 게이트 전극(3)은 질화물 막으로 마스크되어 캐비티(4)가 안에 형성될 2μm 직경 원형 영역을 덮고, 불순물이 이온 주입에 의해 게이트 전극(3)의 비마스크된 영역 내로 방출되어 게이트 전극(3)에 도전성을 부여한다. 그러므로, 복수의 원형 고저항 영역(5)은 캐비티가 형성되는 영역 내에 형성된다.
다음에, 전계 방출형 콜드 캐소드를 제조하는 종래의 방법과 유사하게, 1μm 의 직경을 갖는 캐비티(4)가 포토리소그래피 및 반응성 이온 에칭(RIE)에 의해 원형 고저항 영역(5) 내에 형성된다. 캐비티(4)를 형성함으로써, 고저항 영역(5)은 제6도에 도시한 바와 같이, 환형 영역으로 형상이 변화된다.
다음에 진공 증착 및 희생층 에칭을 수행함으로써, 에미터 콘(6)이 형성된다. 제6도 및 제7도에 도시한 바와 같이, 환경 고저항 영역(5)은 에미터 콘(6) 의 선단 바로 주위에 위치된다. 따라서, 전계 방출형 콜드 캐소드가 제1 실시예에 따라 완성된다.
앞서 설명된 바와 같이, 충분히 높은 애노드 전압이 캐소드에 인가되는 경우, 나아가 캐비티 (4) 내에 도전성 이물질이 없는 경우, 게이트 전류는 흐르지 않는다. 따라서, 게이트 전극(3)에 인가되었던 전압은 또한 고저항 영역(5)에 인가 되어, 전계 방출형 콜드 캐소드가 이제 동작할 수 있다.
제8도는 CRT에 사용되고 제1 실시예에 따라 제조된 전계 방출형 콜드 캐소드에 적용되는 전자총의 단면도이다. 도시한 바와 같이, 애노드 전압은 전자 방출 영역(14) 외부에 배치된 캐소드에 인가되지 않기 때문에, 에미터 콘(6)으로부터 방출된 전자가 캐비티(4)의 측벽으로 들어가고, 따라서 전위 강하가 고저항 영역(5)으로 인해 일어나고, 결국 전계는 에미터 콘(6)의 더 이상 미치지 않는다. 따라서, 전자 방출 영역(14) 외부에 배치된 캐소드는 동작하지 않는 반면, 전자 방출 영역(14) 내에 배치된 캐소드 만이 동작할 수 있다.
제9도 및 제10도는 본 발명의 제2 실시예에 따라 제조된 전계 방출형 콜드 캐소드를 도시한 것이다. 제10도는 사시도이고, 제 9도는 제10도의 선 C-C를 따라 취한 단면도이다. 제9도에 도시한 바와 같이, 단결정 실리콘 Si로 이루어진 전기 도전성 기판(1) 상에 열 산화 또는 화학 증착(CVD)에 의해 실리콘 이산화물 및 실리콘 질화물과 같은 절연 물질로 구성되고 1μm의 두께를 갖는 열연층(2)이 퇴적된다. 또한, 절연층(2) 상에 CVD에 폴리실리콘 막으로 이루어진 제1 게이트층 (7)이 형성된다. 제1 게이트 층(7)은 불순물로 저농도 핑도된다. 제1 게이트 (7) 상에 스퍼터링에 의해 저저항 제2 게이트 층(8)이 퇴적된다. 제2 게이트층(8)은 텅스텐(W)과 같은 공용점 금속 또는 텅스텐 규화물(WSI)와 같은고융점 금속 화합물로 이루어진다. 제1 및 제2 게이트 층(7 및 8)은 게이트 전극(3)을 형성하도록 서로 상호 작용한다.
리소그래피 및 드라이 에칭을 각각 2번 수행함으로써, 제1 및 제2 개구(7a 및 8a)는 각각 제1 및 제2 게이트 층(7 및 8) 내에 동축으로 형성된다. 제1 개구(7a)는 제2 개구(8a)의 내부 직경 보다 적은 내부 직경을 갖도록 형성된다. 본 실시예에서, 제1 개구(7a)는 1μm의 내부 직경을 갖고, 제2 개구(8a)는 2μm의 내부 직경을 갖는다.
다음에, 드라이 에칭 및 웨트 에칭이 수행되어 캐비티(4)를 형성한다. 후속하여, 전계 방출형 콜드 캐소드를 제조하는 종래의 방법과 유사하게, 진공 증착 및 희생층 에칭이 수행되어 에미터 콘(6)을 형성한다. 따라서, 제2 실시예에 따라 전계 방출형 콜드 캐소드가 얻어진다. 주목하여야 할 것은 외부에 노출되거나 또는 제2 게이트 층(8)으로 덮혀지지 않는 제1 게이트 층(7)의 영역은 고저항 영역(5)으로서 작용한다는 것이다.
제8도에 도시한 전자 총에의 제1 실시예에 따라 제조된 전계 방출형 콜드 캐소드의 적용과 유사하게, 전자 총에 상술한 제2 실시예에 따라 제조된 전계 방출형 콜드 캐소드를 적용하는 것이 가능하다.
상기 설명에서 분명한 바와 같이, 전자가 어레이로 배열된 복수의 에미터 콘을 갖는 전계 방출형 콜드 캐소드의 몇개의 에미터 콘 내의 영역에 흐르더라도, 게이트 전극(3)의 고저항 영역(5)은 게이트 전극 전압의 감소 없이 캐소드를 안정하게 동작시키게 할 수 있다.
또한, 고저항 영역의 형성은 전자가 게이트 전극 내로 흐르는 캐소드를 다른 것과 전기적으로 분리시키게 하므로, 최소 수의 캐소드의 동작을 정지시키는 것이 가능하다.
또한, 본 발명은 전자 총의 전극 내에 형성된 개구의 영역 보다 큰 전자 방출 영역을 갖는 캐소드를 사용하는 것이 가능하여, 전자 총과의 캐소드의 측 정렬이 용이하게 이루어질 수 있다.

Claims (12)

  1. (a) 적어도 자체 표면에 도전성이 있는 기판(1); (b) 상기 기판(1) 상에 배치되고 뾰족한 선단을 갖는 적어도 하나의 에미터 콘(6); (c) 상기 에미터 콘(6)이 배치될 적어도 하나의 캐비티(4)를 갖는 게이트 전극(3); 및 (d) 상기 기판(1)과 상기 게이트 전극(3) 사이에 삽입된 절연층(2)을 구비한 전계 방출형 콜드 캐소드(field emission cold cathode)에 있어서, 상기 에미터 콘(6)의 상기 선단 부근의 상기 게이트 전극(3)의 영역 A(5)가 상기 영역 A(5) 이외의 상기 게이트 전극(3)의 영역 B와 다른 전위 강하 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 콜드 캐소드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극(3)의 상기 영역 A(5)는 상기 영역 B와 다른 재질로 제조되는 것을 특징츠로 하는 전계 방출형 콜드 캐소드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 케이트 전극(3)의 상기 영역 A(5)는 상기 영역 B와 전기 저항이 다른 것을 특징으로 한는 전계 방출형 콜드 캐소드.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 전극(3)의 상기 영역 A(5)의 형상이 고리 모양(annular in shape)인 것을 특징으로 하는 전계 방출형 콜드 캐소드
  5. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극(3)은 상기 절연층(2) 상에 있는 제1 도전층(7) 및 상기 제 1 도전층(7) 상에 있는 제2 도전층(8)을 구비하며, 상기 캐비티(4)는 상기 제1 도전층(7)에 형성된 제1 개구부(7a)와 상기 제2도전층(8)에 형성된 제2 개구부(8a) 를 포함하되, 상기 제1 개구부(7a)는 상기 제2 개구부(8a)와 동축 상에 있으며 상기 제2 개구부(8a) 보다 작은 내부 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 콜드 캐소드.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 도전층(7)은 상기 제2 도전층(8) 보다 더 적은 불순물로 도핑되는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 콜드 캐소드.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제2 도전층(8)은 고융점 금속으로 제조되는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 콜드 캐소드.
  8. 캐소드 및 상기 캐소드를 따라 정렬 배치된 복수의 제어 전극(11, 12)을 구비하여, 상기 캐소드로부터 방출된 전자들이 상기 제어 전극(11, 12)로 향하도록 되어 있고, 상기 캐소드는 (a) 적어도 자체 표면에 도전성이 있는 기판 (1) ; (b) 상기 기판(1) 상에 배치되고 뾰족한 선단을 갖는 적어도 하난의 에미터 콘(6) ; (c)상기 에미터 콘(6)이 배치될 적어도 하나의 캐비티(4)를 갖는 게이트 전극(3); 및 (d) 상기 기판(1)과 상기 게이트 전극(3) 사이에 삽입된 절연층(2)을 구비하고 있는 전자총에 있어서, 상기 에미터 콘(6)의 상기 선단 부근의 상기 게이트 전극(3)의 영역 A(5)가 상기 영역 A(5) 이외의 상기 게이트 전극(3)의 영역 B와 다른 전위 강차 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 전자총.
  9. 제8항에 있어서, 상기 게이트 전극(3)의 상기 영역 A(5)는 상기 영역 B와 다른 재질로 제조되는 것을 특징으로 하는 전자총.
  10. 제8향에 있어서, 상기 게이트 전극(3)의 상기 영역 A(5)는 상기 영역 B와 전기 저항이 다른 것을 특징으로 하는 전자총.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 전극(3)의 상기 영역 A(5)의 형상이 고리 모양인 것을 특징으로 하는 전자층.
  12. 제8항에 있어서, 상기 게이트 전극(3)은 상기 절연층(2) 상에 있는 제1 도전층(7) 및 상기 제 1 도전층(7) 상에 있는 제2 도전층(8)을 구비하며, 상기 캐비티(4)는 상기 제1 도전층(7)에 형성된 제1 개구부(7a)와 상기 제2 도전층(8)에 형성된 제2 개구부(8a)를 포함하되, 상기 제1 개구부(7a)는 상기 제2 개구부(8a)와 동축 상에 있으며 상기 제2 개구부(8a) 보다 작은 내부 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 전자총.
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