JP2661358B2 - レベルシフト回路 - Google Patents

レベルシフト回路

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JP2661358B2
JP2661358B2 JP2302217A JP30221790A JP2661358B2 JP 2661358 B2 JP2661358 B2 JP 2661358B2 JP 2302217 A JP2302217 A JP 2302217A JP 30221790 A JP30221790 A JP 30221790A JP 2661358 B2 JP2661358 B2 JP 2661358B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レベル変換回路に関し、特に、直流レベル
を変換するレベルシフト回路の回路構成に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のレベルシフト回路には、抵抗における
電圧降下や、ダイオードにおける電圧降下を利用した回
路が用いられている。
従来のレベルシフト回路の一例として、抵抗を用いた
レベルシフト回路の回路図を第4図(a)に示す。
第4図(a)において、入力端子1に印加される入力
電圧をVI、出力端子2に出力される出力電圧をVO、抵抗
R1及びR2の抵抗値をそれぞれR1及びR2とすると、 となり、VIがVOにレベルシフトされる。
従来のレベルシフト回路の他の例として、ダイオード
における電圧降下を利用したレベルシフト回路の回路図
を第4図(b)に示す。
第4図(b)において、入力端子1に入力される入力
電圧をVI、出力端子2に出力される出力電圧をVO、ダイ
オードD1のアノード・カソード間電圧をVAKとすると、
出力電圧VOは、 VO=VI−VAK となり、VIがVOにレベルシフトされる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のレベルシフト回路は、以下に述べるよ
うな欠点を持っている。
先ず、第4図(a)に示す、抵抗による電圧降下を利
用したレベルシフト回路には、出力のインピーダンスが
高いという欠点がある。
一方、第4図(b)に示す、ダイオードにおける電圧
降下を利用したレベルシフト回路では、上述のような欠
点はないものの、ダイオードの両端の電圧が温度によっ
て変化するため、出力電圧VOが温度によって変化してし
まうという欠点がある。
すなわち、従来のレベルシフト回路では、出力端子の
低インピーダンス化と出力電圧の温度変動に対する安定
性とを両立させることができないという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のレベルシフト回路は、ベースに外部からの基
準電圧が入力され、コレクタがカレントミラー回路の入
力側バイポーラトランジスタを介して電源電圧供給端子
に接続される第1のバイポーラトランジスタのエミッタ
と、ベースが第2の定電流源を介して接地され、コレク
タが前記電源電圧供給端子に接続される第2のバイポー
ラトランジスタのエミッタとを共通接続して第1の定電
流源を介して接地してなる差動増幅器に対し、前記カレ
ントミラー回路の出力側トランジスタのコレクタと前記
第2のバイポーラトランジスタのベースとの間に、抵抗
とpn接合ダイオードとを直列に設けて全帰還型とした差
動増幅器と、エミッタホロワ接続されたバイポーラトラ
ンジスタとを設け、前記エミッタホロワ接続のバイポー
ラトランジスタのベースと前記カレントミラー回路の出
力側トランジスタのコレクタとを接続し、前記エミッタ
ホロワ接続のバイポーラトランジスタのエミッタから出
力電圧を取り出すように構成したことを特徴とする。
又、本発明のレベルシフト回路は、ベースに外部から
の基準電圧が入力され、コレクタがカレントミラー回路
の入力側バイポーラトランジスタを介して電源電圧供給
端子に接続される第1のバイポーラトランジスタのエミ
ッタと、ベースが第2の定電流源を介して接地され、コ
レクタが前記電源電圧供給端子に接続される第2のバイ
ポーラトランジスタのエミッタとを共通接続して第1の
定電流源を介して接地してなる差動増幅器に対し、前記
カレントミラー回路の出力側トランジスタのコレクタと
前記第2のバイポーラトランジスタのベースとの間に、
抵抗を設けて全帰還型とした差動増幅器と、エミッタホ
ロワ接続された第3のバイポーラトランジスタと、エミ
ッタホロワ接続されたバイポーラトランジスタであっ
て、前記第3のバイポーラトランジスタとは反対導電型
の第4のバイポーラトランジスタとを設け、前記第4の
バイポーラトランジスタのベースと前記カレントミラー
回路の出力側トランジスタのコレクタとを接続し、前記
第3のバイポーラトランジスタのベースと前記第4のバ
イポーラトランジスタのエミッタとを接続し、前記第3
のバイポーラトランジスタのエミッタから出力電圧を取
り出すように構成したことを特徴とする。
更に、本発明のレベルシフト回路は、ベースに外部か
らの基準電圧が入力され、コレクタがカレントミラー回
路の入力側バイポーラトランジスタを介して電源電圧供
給端子に接続される第1のバイポーラトランジスタのエ
ミッタと、コレクタが前記電源電圧供給端子に接続され
る第2のバイポーラトランジスタのエミッタとを共通接
続して第1の定電流源を介して接地してなる差動増幅器
と、エミッタホロワ接続されたバイポーラトランジスタ
であって、ベースが前記カレントミラー回路の出力側ト
ランジスタのコレクタに接続され、エミッタがエミッタ
ホロワの負荷抵抗及びこれに直列の第2の定電流源を介
して接地される第3のバイポーラトランジスタとを設
け、前記第3のバイポーラトランジスタのエミッタと前
記第2のバイポーラトランジスタのベースとを前記エミ
ッタホロワの負荷抵抗を介して接続して前記差動増幅器
を全帰還型の差動増幅器とするとと共に、前記第3のバ
イポーラトランジスタのエミッタから出力電圧を取り出
すように構成したことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例の回路構成を示す回
路図である。
なお、以後の説明では、バイポーラトランジスタのこ
とを単にトランジスタと記すこととする。
第1図において、NPNトランジスタQ1とQ2,PNPトラン
ジスタQ3とQ4並びにダイオードD2及び抵抗R4は、全帰還
型差動増幅器4を構成している。
定電流源3とNPNトランジスタQ5,Q6及びQ7はカレン
トミラーによる定電流回路を構成している。
NPNトランジスタQ8と抵抗R5とは、出力段のエミッタ
ホロア回路を構成している。
端子1,2及び5はそれぞれ入力端子,出力端子及び電
源供給端子である。
次に、この第1の実施例の動作について説明する。
第1図において、NPNトランジスタQ6とQ7のエミッタ
の面積比を2:1に設計すると、それぞれのトランジスタ
のコレクタ電流の比も2:1となり、全帰還型差動増幅器
4の負帰還動作により、NPNトランジスタQ1のベース、
すなわち入力端子1とNPNトランジスタQ2のベースとが
同電位になる。
この場合、入力端子1からNPNトランジスタQ2のベー
スまでの温度特性は、NPNトランジスタQ1及びQ2のベー
ス・エミッタ間電圧の温度特性でキャンセルされるの
で、0となる。
従って、入力端子1の電位をVI、NPNトランジスタQ2
のベース電位をVB2、ダイオードD2の順方向電圧を
VBED、NPNトランジスタQ8のベース・エミッタ間電圧をV
BE8、NPNトランジスタQ7のコレクタ電流をIC7、抵抗R4
の抵抗値をR4、出力端子2の電位をVOとすると、 VO=VB2+VBED+IC7・R4−VBE8となる。
ところが、ここで、 VB2=VI,VBED=VBE8 であるから、 VO=VI+IC7・R4 …………………(1) となりレベルシフト量はIC7・R4となる。
(1)式には、ダイオードやトランジスタのPN接合の
順方向電圧が含まれていないので、出力電圧VOの温度特
性は0となる。
又、出力段がエミッタホロア回路で構成されているの
で、出力端子2は低インピーダンスとなる。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。
第2図は、第2の実施例の回路図である。
本実施例においては、第1図に示す第1の実施例に対
して、全帰還型差動増幅器4のダイオードD2を取り除
き、出力段を2段接続のエミッタホロア回路で構成して
いる。
この場合、前段のエミッタホロア回路のトランジスタ
Q9と、後段のエミッタホロア回路のトランジスタQ10
は、互いに反対導電型のトランジスタであるものとす
る。
上述のような構成の第2の実施例においては、NPNト
ランジスタQ2のベース電位をVB2、NPNトランジスタQ9
びPNPトランジスタQ10のベース・エミッタ間電圧を、そ
れぞれ、VBE9及びVBE0とすると、 VO=VB2+IC7・R4−VBE9+VBE0 となる。
ところが、第1の実施例と同様に VB2=VI,VBE9=VBE0 であるので、 VO=VI+IC7・R4 となり、第1の実施例と同様の効果が得られる。
なお、この第2の実施例では、2段接続のエミッタホ
ロア回路のトランジスタとして、前段にNPNトランジス
タを、後段にPNPトランジスタを用いたが、各々のトラ
ンジスタの導電型を逆にしても同様の効果が得られるこ
とは明らかである。
次に、本発明の第3の実施例について説明する。
第3図は第3の実施例の回路図である。
この第3の実施例は、第1及び第2の実施例に対し
て、出力段のトランジスタQ12のエミッタから、抵抗R4
を介してトランジスタQ2のベースに帰還をかける構成に
なっている。
上述のような構成の第3の実施例においては、トラン
ジスタQ2のベスー電位をVB2とすると、 VO=VB2+IC7・R4 となる。
ところが、第1の実施例と同様に VB2=VI であるので、 VO=VI+IC7・R4 となって、第1の実施例と同様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、出力段をエミ
ッタホロア回路で構成し、このエミッタホロア回路の出
力と、全帰還型差動増幅器の逆相入力端子との間の電位
差を、ダイオード又はトランジスタを含む回路によっ
て、所望のレベルシフト量に等しい電位差にすることに
よって、温度特性が良好で、且つ、低インピーダンスの
レベルシフト出力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第1の実施例を示す回路図、第2図
は、本発明の第2の実施例を示す回路図、第3図は、本
発明の第3の実施例を示す回路図、第4図(a)及び
(b)は、従来のレベルシフト回路を示す回路図であ
る。 1…入力端子、2…出力端子、3…定電流源、4…全帰
還型差動増幅器、5…電源供給端子。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ベースに外部からの基準電圧が入力され、
    コレクタがカレントミラー回路の入力側バイポーラトラ
    ンジスタを介して電源電圧供給端子に接続される第1の
    バイポーラトランジスタのエミッタと、ベースが第2の
    定電流源を介して接地され、コレクタが前記電源電圧供
    給端子に接続される第2のバイポーラトランジスタのエ
    ミッタとを共通接続して第1の定電流源を介して接地し
    てなる差動増幅器に対し、前記カレントミラー回路の出
    力側トランジスタのコレクタと前記第2のバイポーラト
    ランジスタのベースとの間に、抵抗とpn接合ダイオード
    とを直列に設けて全帰還型とした差動増幅器と、 エミッタホロワ接続されたバイポーラトランジスタとを
    設け、 前記エミッタホロワ接続のバイポーラトランジスタのベ
    ースと前記カレントミラー回路の出力側トランジスタの
    コレクタとを接続し、前記エミッタホロワ接続のバイポ
    ーラトランジスタのエミッタから出力電圧を取り出すよ
    うに構成したことを特徴とするレベルシフト回路。
  2. 【請求項2】ベースに外部からの基準電圧が入力され、
    コレクタがカレントミラー回路の入力側バイポーラトラ
    ンジスタを介して電源電圧供給端子に接続される第1の
    バイポーラトランジスタのエミッタと、ベースが第2の
    定電流源を介して接地され、コレクタが前記電源電圧供
    給端子に接続される第2のバイポーラトランジスタのエ
    ミッタとを共通接続して第1の定電流源を介して接地し
    てなる差動増幅器に対し、前記カレントミラー回路の出
    力側トランジスタのコレクタと前記第2のバイポーラト
    ランジスタのベースとの間に、抵抗を設けて全帰還型と
    した差動増幅器と、 エミッタホロワ接続された第3のバイポーラトランジス
    タと、 エミッタホロワ接続されたバイポーラトランジスタであ
    って、前記第3のバイポーラトランジスタとは反対導電
    型の第4のバイポーラトランジスタとを設け、 前記第4のバイポーラトランジスタのベースと前記カレ
    ントミラー回路の出力側トランジスタのコレクタとを接
    続し、 前記第3のバイポーラトランジスタのベースと前記第4
    のバイポーラトランジスタのエミッタとを接続し、 前記第3のバイポーラトランジスタのエミッタから出力
    電圧を取り出すように構成したことを特徴とするレベル
    シフト回路。
  3. 【請求項3】ベースに外部からの基準電圧が入力され、
    コレクタがカレントミラー回路の入力側バイポーラトラ
    ンジスタを介して電源電圧供給端子に接続される第1の
    バイポーラトランジスタのエミッタと、コレクタが前記
    電源電圧供給端子に接続される第2のバイポーラトラン
    ジスタのエミッタとを共通接続して第1の定電流源を介
    して接地してなる差動増幅器と、 エミッタホロワ接続されたバイポーラトランジスタであ
    って、ベースが前記カレントミラー回路の出力側トラン
    ジスタのコレクタに接続され、エミッタがエミッタホロ
    ワの負荷抵抗及びこれに直列の第2の定電流源を介して
    接地される第3のバイポーラトランジスタとを設け、 前記第3のバイポーラトランジスタのエミッタと前記第
    2のバイポーラトランジスタのベースとを前記エミッタ
    ホロワの負荷抵抗を介して接続して前記差動増幅器を全
    帰還型の差動増幅器とするとと共に、 前記第3のバイポーラトランジスタのエミッタから出力
    電圧を取り出すように構成したことを特徴とするレベル
    シフト回路。
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