JP3360911B2 - 差動増幅回路 - Google Patents

差動増幅回路

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JP3360911B2 JP35068593A JP35068593A JP3360911B2 JP 3360911 B2 JP3360911 B2 JP 3360911B2 JP 35068593 A JP35068593 A JP 35068593A JP 35068593 A JP35068593 A JP 35068593A JP 3360911 B2 JP3360911 B2 JP 3360911B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術(図8及び図9) 発明が解決しようとする課題(図10) 課題を解決するための手段(図1及び図5) 作用(図1) 実施例(図1〜図7) 発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は差動増幅回路に関し、例
えば集積回路チツプ上に形成したものに適用し得る。
【0003】
【従来の技術】従来、この種の差動増幅回路において
は、入力信号の直流電圧成分と異なる直流電圧成分を出
力信号に与えるため差動増幅段の前段にエミツタフオロ
ワを接続したものが考えられている。
【0004】図8に示すように、差動増幅回路1は、コ
レクタを接地ラインGNDに接続されたPNP型トラン
ジスタQのベースに入力信号S1が与えられる。トラ
ンジスタQは、エミツタが電流源2を介して電源V
CCに接続され、エミツタの出力信号S2を差動増幅段
3の非反転入力端Pに入力する。差動増幅段3の出力
信号S3は出力端Pより反転入力端Pに直接帰還さ
れる。
【0005】次に、入力信号S1が接地ラインGNDを
基準として入力され、出力信号S3に接地ラインGND
を基準とする一定の直流電圧成分を与えて出力する場合
には、図9に示す差動増幅回路4が使用される。差動増
幅回路4は、差動増幅回路1の構成のうち出力端P
反転入力端Pに直接接続されることに代えて抵抗R
を介して反転入力端Pに接続されている。また抵抗R
及び反転入力端Pの接続中点は抵抗Rを介して接
地ラインGNDに接続されている。
【0006】因みに、トランジスタQのエミツタ面積
は差動増幅段3の入力用差動対のトランジスタのエミツ
タ面積と同一である。このときの出力信号S3の直流電
圧成分VDCは抵抗R、Rの比に応じて決まり、次
式、
【数1】 で表される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の構成
のように差動増幅段3の前段に直流電圧成分シフト用エ
ミツタフオロワを接続するとエミツタフオロワのために
ノイズが増加するという問題があつた。
【0008】例えば差動増幅回路4で発生するノイズに
ついて信号の流れで考えると、図10に示すように、入
力信号S1の入力電圧VINはトランジスタQ1 で発生す
るノイズ電圧VN(Q1) を加えられ、出力信号S3の出力
電圧VOUT を帰還量β倍した帰還電圧VA を引かれる。
帰還量βは次式、
【数2】 で求められる。
【0009】さらにこの電圧には、差動増幅段3の入力
用差動対のトランジスタで発生するノイズ電圧VN(OP)
が加えられ、差動増幅段3のオープンループゲインAだ
け増幅されて出力電圧VOUT となる。これにより次式、
【数3】 及び次式、
【数4】 を得る。出力電圧VOUT は、(3)式及び(4)式より
次式、
【数5】 で表される。
【0010】ここでトランジスタQのエミッタ面積が
差動増幅段3の入力用差動対のトランジスタのエミツタ
面積と同一であることにより、トランジスタQ及び差
動増幅段3の入力用差動対のトランジスタで発生するノ
イズ電圧VN(Q1)及びVN(OP)が全て等しいと
し、その値をVとすると、ノイズ電圧V
N(Q1)は、次式、
【数6】 となる。
【0011】同様にノイズ電圧VN(OP) は、差動増幅段
3に入力用差動対のトランジスタが配されていることに
より次式、
【数7】 となり、(5)式も次式、
【数8】 と表し得る。
【0012】これにより出力電圧VOUT は(6)式〜
(8)式より次式、
【数9】 となる。この(9)式において第1項が信号成分であ
り、第2項がノイズ成分であり、この第2項で表現され
るノイズ成分を少しでも押さえることが必要となる。
【0013】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、差動増幅部の前段にトランジスタを接続したとき発
生するノイズを従来に比して一段と減少させ得る差動増
幅回路を提案しようとするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、PNP型トランジスタQとN
PN型トランジスタQとのエミツタを共通に接続し
て形成されたトランジスタ差動対Q及びQを有
し、当該トランジスタ差動対Q及びQの一方のP
NP型トランジスタQ又はNPN型トランジスタQ
に入力信号S1が接地ラインGNDを基準として入
力される差動入力部5Aと、トランジスタ差動対Q
及びQの他方のNPN型トランジスタQ又はPN
P型トランジスタQに電流調整手段R又は2によ
つて所定電流を流して当該他方のNPN型トランジスタ
又はPNP型トランジスタQより得た信号S4
を差動入力端P及びPの一方の入力端Pに取
り込んで増幅することにより接地ラインGNDを基準と
して出力信号S5を出力する差動増幅部3とを設け、当
該差動増幅部3の出力信号S5を他方のNPN型トラン
ジスタQ又はPNP型トランジスタQに負帰還す
ることにより当該出力信号S5を負帰還制御する。
【0015】また本発明においては、PNP型トランジ
スタQとNPN型トランジスタQとのエミツタを
共通に接続して形成されたトランジスタ差動対Q
びQを有し、当該トランジスタ差動対Q及びQ
の一方のPNP型トランジスタQ又はNPN型ト
ランジスタQに入力信号S1が接地ラインGNDを
基準として入力される差動入力部8Aと、トランジスタ
差動対Q及びQの他方のNPN型トランジスタQ
又はPNP型トランジスタQに電流調整手段R
又は2によつて所定電流を流して当該他方のNPN
型トランジスタQ又はPNP型トランジスタQ
り得た信号S6を差動入力端P及びPの一方の入
力端Pに取り込んで増幅することにより接地ライン
GNDを基準として出力信号S7を出力する差動増幅部
3と、当該差動増幅部3の出力信号S7が入力され、当
該出力信号S7の周波数成分の周波数に応じて当該周波
数成分を調整した成分調整信号S8を出力する周波数成
分調整手段R、R、R、R、C及びC
とを設け、当該成分調整信号S8を他方のNPN型
トランジスタQ又はPNP型トランジスタQに負
帰還することにより差動増幅部3の出力信号S7を負帰
還制御する。
【0016】
【作用】従つて、差動入力部5A内に配したトランジス
タ差動対Q及びQの一方のPNP型トランジスタ
又はNPN型トランジスタQに入力信号S1を
接地ラインGNDを基準として入力し、トランジスタ差
動対Q及びQの他方のNPN型トランジスタQ
又はPNP型トランジスタQに電流調整手段R
又は2によつて所定電流を流して得られた信号S4
を差動増幅部3で増幅することにより接地ラインGND
を基準として出力信号S5を出力すると共に、当該出力
信号S5を差動増幅部3の帰還ループの中に入る他方の
NPN型トランジスタQ又はPNP型トランジスタ
に負帰還させて当該出力信号S5を負帰還制御す
るようにしたことにより、出力信号S5に発生するノイ
ズを一段と減少させることができる。
【0017】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
【0018】図8との対応部分に同一符号を付して示す
図1において、5は全体として集積回路上に形成された
差動増幅回路を示し、入力信号S1を差動入力段5Aに
入力して得た差動入力段5Aの出力信号S4を差動増幅
段3に入力する。また差動増幅回路5は、差動増幅段3
の出力信号S5を差動入力段5Aを介して差動増幅段3
に帰還させることによつて、入力信号S1の直流電圧成
分と異なる直流電圧成分を出力信号S5に与える。
【0019】差動入力段5Aは、エミツタを共通に接続
されたPNP型トランジスタQ及びNPN型トランジ
スタQでなり、コレクタを接地ラインGNDに接続さ
れたトランジスタQのベースに入力信号S1が入力さ
れる。トランジスタQは、コレクタが抵抗Rを介し
て電源VCCに接続されており、コレクタの出力信号S
4を差動増幅段3の非反転入力端Pに入力する。
【0020】差動増幅段3は、電源VCCに比して電源
分だけ低い電圧が反転入力端Pに印加され、出力
信号S5をトランジスタQのベースに直接入力してい
る。
【0021】次に、図1との対応部分に同一符号を付し
て示す図2において、6は全体として集積回路上に形成
された差動増幅回路を示し、入力信号S1が接地ライン
GNDを基準としてトランジスタQ1 のベースに入力さ
れ、接地ラインGNDを基準として入力信号S1の直流
電圧成分と異なる直流電圧成分をもつ出力信号S5を出
力する。
【0022】差動増幅回路6は、差動増幅回路5の構成
のうち出力端PがトランジスタQのベースに直接接
続されることに代えて抵抗Rを介してトランジスタQ
のベースに接続されている。また抵抗Rとトランジ
スタQのベースとの接続中点が抵抗Rを介して接地
ラインGNDに接続されている。この差動増幅回路6に
おいても出力端PにはVDC=〔(R+R)/R
〕×(VBE(Q1))+VBE(Q2)で表される
直流電圧成分VDCが与えられる。因みに、トランジス
タQ及びQのエミツタ面積は差動増幅段3の入力用
差動対のトランジスタのエミツタ面積と同一である。
【0023】従来の場合と同様に例えば差動増幅回路6
で発生するノイズについて信号の流れで考えると、図3
に示すように、入力信号S1の入力電圧VINは、出力信
号S5の出力電圧VOUT を帰還量β倍した帰還電圧VA
を引かれ、トランジスタQ1、Q2 で発生するノイズ電
圧VN(Q1,Q2)を加えられる。さらにこの電圧は、トラン
ジスタQ1 、Q2 及び抵抗R3 で構成される差動アンプ
のゲインA1 倍だけ増幅され、差動増幅段3の入力用差
動対のトランジスタで発生するノイズ電圧VN(OP) を加
えられる。さらにこの電圧は、差動増幅段3のオープン
ループゲインA2 倍だけ増幅されて出力電圧VOUT とな
る。
【0024】これにより次式、
【数10】 及び次式、
【数11】 を得る。出力電圧VOUT は、(10)式及び(11)式より
次式、
【数12】 で表される。
【0025】ここでトランジスタQ及びQのエミツ
タ面積が差動増幅段3の入力用差動対のトランジスタの
エミツタ面積と同一であることにより、トランジスタQ
、Q及び差動増幅段3の入力用差動対のトランジス
タで発生するノイズ電圧がすべて等しいとし、その値を
とすると、ノイズ電圧VN(Q1,Q2)はトラン
ジスタQ、Qのノイズ電圧の2乗和の平方根すなわ
ち次式
【数13】 となる。
【0026】同様にノイズ電圧VN(OP) は、差動増幅段
3に入力用差動対のトランジスタが配されていることに
より次式、
【数14】 となり、(12)式も次式、
【数15】 と表し得る。これにより出力電圧VOUT は(13)式〜
(15)式より次式、
【数16】 となる。
【0027】ここでA1 を十分大きくとれば、出力電圧
OUT は次式、
【数17】 となる。
【0028】以上の構成において、実施例の出力電圧V
OUT を表す(17)式のノイズ成分と従来の出力電圧V
OUT を表す(9)式のノイズ成分とを比較すると、次
式、
【数18】 となる。すなわち、ノイズ成分は1.76〔dB〕減少するこ
とが分かる。
【0029】以上の構成によれば、差動入力段5A内の
トランジスタQ1 に入力信号S1を入力し、差動増幅段
3の帰還ループの中に入れて差動増幅段3の出力信号S
5を負帰還させたトランジスタQ2 の出力信号S4を差
動増幅段3に入力して差動増幅段3の出力信号S5を負
帰還制御することによつて、発生するノイズを一段と
(ここでは約 1.8〔dB〕)減少させ得る。
【0030】また従来の差動増幅回路1及び4ではトラ
ンジスタQ1 と差動増幅段3の入力用差動対のトランジ
スタとの合計3つのトランジスタがノイズ発生に関係す
る。これに対して差動増幅回路5及び6では、トランジ
スタQ1 及びQ2 の合計2つのトランジスタがノイズ発
生に関係する。
【0031】これによりノイズレベルを下げる際にエミ
ツタ面積を大きくするトランジスタの数が少なくて済
み、従つて集積回路上に形成する場合チツプ面積が小さ
くてすむ。さらにトランジスタQ及びQは縦構造ト
ランジスタを用いることができるので、ダブルベースな
どのローノイズトランジスタも使用できる。
【0032】なお上述の実施例においては、トランジス
タQ2 が抵抗R3 を介して電源VCCに接続されている場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、図4に示
す差動増幅回路7のように抵抗R3 に代えて電流源2を
接続しても良い。この場合にも上述と同様の効果を得る
ことができる。
【0033】また上述の実施例においては、前段のトラ
ンジスタQ1 及びQ2 のエミツタ面積が差動増幅段3内
のそれぞれのトランジスタのエミツタ面積と同一である
と共に、帰還回路が抵抗R1 及びR2 だけで構成されて
周波数成分に係わりなく帰還量βが一定である場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、ノイズ源となる
前段のトランジスタのエミツタ面積が差動増幅段3内の
それぞれのトランジスタのエミツタ面積の所定倍に形成
される場合や、帰還回路で差動増幅段の出力信号の周波
数成分を調整して帰還させる場合にも適用できる。
【0034】図5に示すように、集積回路上に形成され
た再生イコライザ増幅回路8は、差動増幅回路6の構成
のうち差動入力段5Aに代えて差動入力段8Aが配され
ており、入力信号S1を差動入力段8Aに入力して得た
差動入力段8Aの出力信号S6を差動増幅段3に入力す
る。
【0035】また再生イコライザ増幅回路8は差動増幅
段3の出力信号S7を抵抗R、R、R、R及び
コンデンサC、Cでなる帰還回路と差動入力段8A
とを介して差動増幅段3に帰還させることによつて、入
力信号S1の直流電圧成分と異なる直流電圧成分を出力
信号S7に与える。すなわち再生イコライザ増幅回路8
においては、差動増幅回路6の構成のうち帰還用抵抗R
に加えて抵抗R及びコンデンサCでなる直列回路
が抵抗Rと並列に接続されている。また抵抗Rに加
えて抵抗R及びコンデンサCでなる直列回路が抵抗
と並列に接続されている。これにより周波数成分が
調整された出力信号S7の帰還信号S8がトランジスタ
のベースに入力されるようになつている。
【0036】差動入力段8Aは、エミツタを共通に接続
されたPNP型トランジスタQ及びNPN型トランジ
スタQでなり、コレクタを接地ラインGNDに接続さ
れたトランジスタQのベースに入力信号S1が入力さ
れる。トランジスタQのベースは抵抗Rを介して接
地ラインGNDに接続されている。トランジスタQ
は、コレクタが抵抗Rを介して電源VCCに接続さ
れており、コレクタの出力信号S6を差動増幅段3の非
反転入力端Pに入力する。
【0037】トランジスタQ及びQのエミツタ面積
は通常のトランジスタのエミツタ面積に比してそれぞれ
N倍及びM倍に形成されている。これによりトランジス
タQ及びQのノイズはトランジスタQ及びQ
ノイズVN(Q1))及びVN(Q2)に比してそれぞ
れ1/√N及び1/√Mとなり、トランジスタQ及び
の合計ノイズVN(Q3,Q4)は次式、
【数19】 となる。ここでトランジスタQ及びQで発生するノ
イズが等しく、
【数20】 とすると、(19)式及び(20)式より次式、
【数21】 となる。これによりトランジスタQ及びQの合計ノ
イズVN(Q3,Q4)は一段と減少することが分か
る。
【0038】この再生イコライザ増幅回路8は、入力は
GND基準であるが、出力は出力信号S7の波形がつぶ
れないように直流電圧成分がシフトされる。トランジス
タQ及びQのベース・エミツタ間電圧をそれぞれV
BE(Q3)及びVBE(Q4)とすると、抵抗R
び抵抗Rによる直流電圧成分のシフト量は次式、
【数22】 となる。
【0039】出力信号S7は中域の周波数成分がコンデ
ンサC2 でシヨートされる。これにより抵抗R2 及びR
6 の並列抵抗をR2 //R6 とすると、中域の周波数にお
けるゲインGMID は次式、
【数23】 となる。
【0040】出力信号S7は高域の周波数成分がコンデ
ンサC1 でシヨートされる。これにより抵抗R1 及びR
5 の並列抵抗をR1 //R5 とすると、高域の周波数にお
けるゲインGHIGHは次式、
【数24】 となる。この周波数特性曲線の大まかな形は図6に示す
ようになる。
【0041】さらに上述の実施例においては、トランジ
スタQのコレクタが接地ラインGNDに接続され、ト
ランジスタQのコレクタの出力信号S4を差動増幅段
3の非反転入力端Pに入力する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、図7に示すように、差動入
力段5Aに対する入力信号S1の入力位置及び差動増幅
段に対する出力信号を取り出す位置が逆となる場合にも
適用できる。
【0042】すなわち差動増幅回路9においては、差動
入力段5AのトランジスタQのコレクタが電源VCC
に接続され、ベースに入力信号S1を入力される。また
トランジスタQは、コレクタが抵抗Rを介して接地
ラインGNDに接続され、コレクタの出力信号S9を差
動増幅段3の非反転入力端Pに入力する。差動増幅段
3は、反転入力端Pに接地ラインGNDに比して電源
分だけ高い電圧を印加され、出力端Pの出力信号
S10をトランジスタQのベースに直接帰還させてい
る。
【0043】さらに上述の実施例においては、差動増幅
回路5及び6が集積回路のチツプ上に形成される場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、差動増幅回路
が別個の素子等で構成される場合にも適用できる。
【0044】
【0045】
【0046】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、差動入力
部内に配したトランジスタ差動対及びの一方のPNP型
トランジスタ又はNPN型トランジスタに入力信号を接
地ラインを基準として入力し、トランジスタ差動対及び
の他方のNPN型トランジスタ又はPNP型トランジス
タに電流調整手段によつて所定電流を流して得られた信
号を差動増幅部で増幅することにより接地ラインを基準
として出力信号を出力すると共に、当該出力信号を差動
増幅部の帰還ループの中に入る他方のNPN型トランジ
スタ又はPNP型トランジスタに負帰還させて当該出力
信号を負帰還制御するようにしたことにより、出力信号
に発生するノイズを一段と減少させ得る差動増幅回路を
実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による差動増幅回路の一実施例を示す接
続図である。
【図2】実施例による差動増幅回路の説明に供する接続
図である。
【図3】その信号の流れを示すシグナルフローチヤート
である。
【図4】他の実施例による差動増幅回路を示す接続図で
ある。
【図5】他の実施例による再生イコライザ増幅回路の説
明に供する接続図である。
【図6】その出力信号のゲインの周波数特性を示す特性
曲線図である。
【図7】他の実施例による差動増幅回路を示す接続図で
ある。
【図8】従来の差動増幅回路の説明に供する接続図であ
る。
【図9】従来の差動増幅回路の説明に供する接続図であ
る。
【図10】その信号の流れを示すシグナルフローチヤー
トである。
【符号の説明】
1、4〜9……差動増幅回路、2……電流源、3……差
動増幅段、5A、8A……差動入力段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03F 1/34 H03F 3/45

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】PNP型トランジスタとNPN型トランジ
    スタとのエミツタを共通に接続して形成されたトランジ
    スタ差動対を有し、当該トランジスタ差動対の一方の
    記PNP型トランジスタ又は上記NPN型トランジスタ
    に入力信号が接地ラインを基準として入力される差動入
    力部と、 上記トランジスタ差動対の他方の上記NPN型トランジ
    スタ又は上記PNP型トランジスタに電流調整手段によ
    つて所定電流を流して上記他方の上記NPN型トランジ
    スタ又は上記PNP型トランジスタより得た信号を差動
    入力端の一方の入力端に取り込んで増幅することにより
    上記接地ラインを基準として出力信号を出力する差動増
    幅部とを具え、上記差動増幅部の上記出力信号を上記他
    方の上記NPN型トランジスタ又は上記PNP型トラン
    ジスタに負帰還することによ当該出力信号を負帰還制
    御することを特徴とする差動増幅回路。
  2. 【請求項2】上記差動増幅部の上記出力信号を上記他方
    上記NPN型トランジスタ又は上記PNP型トランジ
    スタに直接負帰還することを特徴とする請求項1に記載
    の差動増幅回路。
  3. 【請求項3】上記差動増幅部の上記出力信号、当該出
    力信号を調整する帰還調整手段を介して上記他方の上記
    NPN型トランジスタ又は上記PNP型トランジスタに
    負帰還することを特徴とする請求項1に記載の差動増幅
    回路。
  4. 【請求項4】上記帰還調整手段は、抵抗でなることを特
    徴とする請求項3に記載の差動増幅回路。
  5. 【請求項5】上記差動入力部及び又は上記差動増幅部及
    び又は上記帰還調整手段及び又は上記電流調整手段が同
    一半導体チツプ上に形成されていることを特徴とする
    求項1、請求項2、請求項3又は請求項4に記載の差動
    増幅回路。
  6. 【請求項6】PNP型トランジスタとNPN型トランジ
    スタとのエミツタを共通に接続して形成されたトランジ
    スタ差動対を有し、当該トランジスタ差動対の一方の上
    記PNP型トランジスタ又は上記NPN型トランジスタ
    に入力信号が接地ラインを基準として入力される差動入
    力部と、 上記トランジスタ差動対の他方の上記NPN型トランジ
    スタ又は上記PNP型トランジスタに電流調整手段によ
    つて所定電流を流して上記他方の上記NPN型トランジ
    スタ又は上記PNP型トランジスタより得た信号を差動
    入力端の一方の入力端に取り込んで増幅することにより
    上記接地ラインを基準として出力信号を出力する差動増
    幅部と、 上記差動増幅部の上記出力信号が入力され、当該出力信
    号の周波数成分の周波数に応じて当該周波数成分を調整
    した成分調整信号を出力する周波数成分調整手段と を具
    え、上記成分調整信号を上記他方の上記NPN型トラン
    ジスタ又は上記PNP型トランジスタに負帰還すること
    により上記差動増幅部の上記出力信号を負帰還制御する
    ことを特徴とする差動増幅回路。
  7. 【請求項7】上記周波数成分調整手段は、抵抗及びコン
    デンサでなることを特徴とする請求項6に記載の差動増
    幅回路。
  8. 【請求項8】上記電流調整手段は、抵抗でなることを特
    徴とする請求項1請求項2請求項3請求項4
    求項5請求項6又は請求項7に記載の差動増幅回路。
  9. 【請求項9】上記電流調整手段は、電流源でなることを
    特徴とする請求項1請求項2請求項3請求項4
    請求項5請求項6又は請求項7に記載の差動増幅回
    路。
  10. 【請求項10】上記トランジスタ差動対の上記PNP型
    トランジスタ及び上記NPN型トランジスタのエミツタ
    面積と、上記差動増幅部の入力のトランジスタのエミツ
    タ面積とが所定の面積比を有することを特徴とする請求
    項1請求項2請求項3請求項4請求項5請求
    項6請求項7請求項8又は請求項9に記載の差動増
    幅回路。
  11. 【請求項11】上記差動入力部及び又は上記差動増幅部
    及び又は上記帰還調整手段及び又は上記周波数成分調整
    手段及び又は上記電流調整手段が同一半導体チツプ上に
    形成されていることを特徴とする請求項6請求項7
    請求項8請求項9又は請求項10に記載の差動増幅回
    路。
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