JPS6224972Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6224972Y2 JPS6224972Y2 JP18634182U JP18634182U JPS6224972Y2 JP S6224972 Y2 JPS6224972 Y2 JP S6224972Y2 JP 18634182 U JP18634182 U JP 18634182U JP 18634182 U JP18634182 U JP 18634182U JP S6224972 Y2 JPS6224972 Y2 JP S6224972Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- transistors
- output
- current
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は増巾器に関し特にバイポーラトランジ
スタを用いた広帯域増巾器に関するものである。
スタを用いた広帯域増巾器に関するものである。
例えばビデオ信号等の広帯域信号を増巾する増
巾器はその歪を最小にすることが必要であるがそ
のために負帰還を施して歪を抑圧する方法が広く
慣用されている。しかしながら、負帰還を施せば
増巾度の低減は避けられず、よつて所望の増巾度
を得るには多くの増巾素子や増巾回路が必要とな
るばかりか、増巾回路全体の安定度が悪くなつて
発振を呈する危険性も存在する。
巾器はその歪を最小にすることが必要であるがそ
のために負帰還を施して歪を抑圧する方法が広く
慣用されている。しかしながら、負帰還を施せば
増巾度の低減は避けられず、よつて所望の増巾度
を得るには多くの増巾素子や増巾回路が必要とな
るばかりか、増巾回路全体の安定度が悪くなつて
発振を呈する危険性も存在する。
特に、増巾素子であるトランジスタにおいては
そのベース・エミツタ間の入出力特性が非直線性
を示すために、この非直線性を改善すべく大電流
を流したり、負帰還を施したりしているが、いず
れも好ましいものではなく、特に負帰還による解
決法は上述の欠点をそのまゝ有することになる。
そのベース・エミツタ間の入出力特性が非直線性
を示すために、この非直線性を改善すべく大電流
を流したり、負帰還を施したりしているが、いず
れも好ましいものではなく、特に負帰還による解
決法は上述の欠点をそのまゝ有することになる。
本考案の目的は負帰還を施すことなく増巾用ト
ランジスタの非直線歪を改善することの可能なト
ランジスタ増巾器を提供することである。
ランジスタの非直線歪を改善することの可能なト
ランジスタ増巾器を提供することである。
本考案の増巾器は互いに逆導電型のトランジス
タと、基準電位点と回路出力との間に設けられた
出力抵抗とを用い、１つのトランジスタをエミツ
タフオロワ構成とし、他方のトランジスタにより
このエミツタフオロワ出力を増巾せしめ、更に両
トランジスタのエミツタ負荷及びコレクタ負荷と
なりこの両トランジスタ及び出力抵抗にほゞ等し
い電流を供給する電流ミラー回路を用いるもので
あつて、出力抵抗の両端から増巾出力を取り出す
ことを特徴としている。
タと、基準電位点と回路出力との間に設けられた
出力抵抗とを用い、１つのトランジスタをエミツ
タフオロワ構成とし、他方のトランジスタにより
このエミツタフオロワ出力を増巾せしめ、更に両
トランジスタのエミツタ負荷及びコレクタ負荷と
なりこの両トランジスタ及び出力抵抗にほゞ等し
い電流を供給する電流ミラー回路を用いるもので
あつて、出力抵抗の両端から増巾出力を取り出す
ことを特徴としている。
以下本考案につき図面を用いて説明する。
第１図は本考案の基本的動作を説明するために
示す回路図であり、増巾されるべき入力信号ＶIN
はエミツタフオロワ回路を構成するPNPトランジ
スタQ1のベース入力となり、このトランジスタ
のエミツタフオロワ出力は次段の増巾用NPNト
ランジスタQ2のベース入力となる。これら両ト
ランジスタQ1及びQ2のエミツタ負荷及びコレク
タ負荷としてカレントミラー回路１が設けられて
おり、この両トランジスタに等しい電流が供給さ
れる。当該カレントミラー回路１は、図示する如
く、互いにベースが共通接続されたPNPトランジ
スタQ3，Q4及びQ6と、各エミツタ抵抗R2，R3及
びR5より成り、トランジスタQ4はベースとコレ
クタが共通接続されたダイオード構成となつてお
り、これら抵抗R2，R3及びR5を等しく選定する
ことによりこれらトランジスタの出力からほゞ等
しい電流が供給される。
示す回路図であり、増巾されるべき入力信号ＶIN
はエミツタフオロワ回路を構成するPNPトランジ
スタQ1のベース入力となり、このトランジスタ
のエミツタフオロワ出力は次段の増巾用NPNト
ランジスタQ2のベース入力となる。これら両ト
ランジスタQ1及びQ2のエミツタ負荷及びコレク
タ負荷としてカレントミラー回路１が設けられて
おり、この両トランジスタに等しい電流が供給さ
れる。当該カレントミラー回路１は、図示する如
く、互いにベースが共通接続されたPNPトランジ
スタQ3，Q4及びQ6と、各エミツタ抵抗R2，R3及
びR5より成り、トランジスタQ4はベースとコレ
クタが共通接続されたダイオード構成となつてお
り、これら抵抗R2，R3及びR5を等しく選定する
ことによりこれらトランジスタの出力からほゞ等
しい電流が供給される。
従つて、トランジスタQ3のコレクタ電流はエ
ミツタフオロワトランジスタQ1へ流れ、トラン
ジスタQ4のそれは増巾用トランジスタQ2へ流
れ、またトランジスタQ6のそれは出力抵抗R4へ
供給される。尚、この出力抵抗R4は回路出力端
と基準電位点である接地間に設けられ、よつてこ
の抵抗の両端から出力が導出される。
ミツタフオロワトランジスタQ1へ流れ、トラン
ジスタQ4のそれは増巾用トランジスタQ2へ流
れ、またトランジスタQ6のそれは出力抵抗R4へ
供給される。尚、この出力抵抗R4は回路出力端
と基準電位点である接地間に設けられ、よつてこ
の抵抗の両端から出力が導出される。
かゝる構成において、トランジスタQ1，Q2，
Q4及びQ6の各ベース・エミツタ間電圧をＶBE1，
ＶBE2，ＶBE4及びＶBE6とし、トランジスタQ1の
エミツタラインの電圧をＶAとし、更にトランジ
スタQ1，Q2及び出力抵抗R4に流れる電流をIc1，
Ic2及びIc3とすれば次式が成立する。
Q4及びQ6の各ベース・エミツタ間電圧をＶBE1，
ＶBE2，ＶBE4及びＶBE6とし、トランジスタQ1の
エミツタラインの電圧をＶAとし、更にトランジ
スタQ1，Q2及び出力抵抗R4に流れる電流をIc1，
Ic2及びIc3とすれば次式が成立する。
ＶA＝ＶIN＋ＶBE1 ……(1)
Ic2＝（ＶA−ＶBE2）／R1 ……(2)
こゝで、カレントミラー回路１のトランジスタ
の共通ベースラインの電圧ＶBは次式となる。
の共通ベースラインの電圧ＶBは次式となる。
ＶB＝Ｖcc−ＶBE4−Ic2R2 ……(3)
(1)，(2)式を用いて(3)式を整理すると次式が得ら
れる。
れる。
ＶB＝Ｖcc−ＶBE4−Ｒ２／Ｒ１
（ＶIN＋ＶBE1−ＶBE2） ……(4)
更にIc3は次式で示される。
Ic3＝（Ｖcc−ＶBE6−ＶB）／R5 ……(5)
よつて出力Voutを求めると次式となる。
Vout＝Ic3・R4＝Ｒ４／Ｒ５
（Ｖcc−ＶBE6−ＶB） ……(6)
(6)式に(4)式を代入する。
Vout＝Ｒ４／Ｒ５｛ＶBE4−ＶBE5＋Ｒ２／Ｒ１
（ＶIN＋ＶBE1−ＶBE2）｝ ……(7)
こゝで、トランジスタQ1，Q2を流れる電流及
びトランジスタQ4，Q6を流れる電流はすべて等
しいと考えてよから、各トランジスタのＶBEは等
しくなつている。よつて(7)式は次の如くなる。
びトランジスタQ4，Q6を流れる電流はすべて等
しいと考えてよから、各トランジスタのＶBEは等
しくなつている。よつて(7)式は次の如くなる。
Vout＝Ｒ４／Ｒ５・Ｒ２／Ｒ１・ＶIN ……(8)
(8)式から明白な如く、出力Voutは各トランジ
スタのＶBEに関係なくかつ抵抗R1，R2及びR4，
R5等の比により定まる増巾度によりＶINが増巾
されたものとなる。
スタのＶBEに関係なくかつ抵抗R1，R2及びR4，
R5等の比により定まる増巾度によりＶINが増巾
されたものとなる。
かゝる第１図示の回路において、各部電流を更
に詳細に考察するに、電流ミラー回路１内の抵抗
R2及びR3を流れる電流を等しくＩE−2IBと仮定
する（こゝにＩBはトランジスタのベース電流と
する）と、トランジスタQ3及びQ4のコレクタ電
流も共に等しくＩE−3IBとなる。こゝでトランジ
スタQ4のコレクタ電流（ＩE−3IB）と、３ケの
トランジスタQ3，Q4及びQ6のベース電流3IBとが
コレクタ側で加えられてトランジスタQ2のコレ
クタ流入電流となり、ＩEで示される。従つてト
ランジスタQ2のエミツタ電流はＩE＋ＩBとなる
ことが分る。一方、トランジスタQ3のコレクタ
電流（ＩE−3IB）のうちＩBはトランジスタQ2の
ベース電流となり、他のＩE−4IBがトランジスタ
Q1のエミツタ電流となる。
に詳細に考察するに、電流ミラー回路１内の抵抗
R2及びR3を流れる電流を等しくＩE−2IBと仮定
する（こゝにＩBはトランジスタのベース電流と
する）と、トランジスタQ3及びQ4のコレクタ電
流も共に等しくＩE−3IBとなる。こゝでトランジ
スタQ4のコレクタ電流（ＩE−3IB）と、３ケの
トランジスタQ3，Q4及びQ6のベース電流3IBとが
コレクタ側で加えられてトランジスタQ2のコレ
クタ流入電流となり、ＩEで示される。従つてト
ランジスタQ2のエミツタ電流はＩE＋ＩBとなる
ことが分る。一方、トランジスタQ3のコレクタ
電流（ＩE−3IB）のうちＩBはトランジスタQ2の
ベース電流となり、他のＩE−4IBがトランジスタ
Q1のエミツタ電流となる。
従つて、この両トランジスタQ1及びQ2のエミ
ツタ電流はそれぞれＩE−4IB及びＩE＋ＩBとな
り、5IBだけ電流値が異なる。その結果、両トラ
ンジスタの互いのＶBEは完全に等しくはならず、
その非直線性が完全には打消されないことになる
が実用上問題とはならない。
ツタ電流はそれぞれＩE−4IB及びＩE＋ＩBとな
り、5IBだけ電流値が異なる。その結果、両トラ
ンジスタの互いのＶBEは完全に等しくはならず、
その非直線性が完全には打消されないことになる
が実用上問題とはならない。
しかしながら、より完全とするために第２図に
示す本考案の回路が提案される。図において、第
１図と同等部分は同一符号により示すが、第１図
と異なる部分のみ説明すれば、電流ミラー回路１
のトランジスタQ4のダイオード接続の代りに、
そのベースにエミツタが、そのコレクタにベース
が接続されたPNPトランジスタQ5を設け、この
トランジスタQ5のコレクタをトランジスタQ3の
コレクタに接続した構成としている。
示す本考案の回路が提案される。図において、第
１図と同等部分は同一符号により示すが、第１図
と異なる部分のみ説明すれば、電流ミラー回路１
のトランジスタQ4のダイオード接続の代りに、
そのベースにエミツタが、そのコレクタにベース
が接続されたPNPトランジスタQ5を設け、この
トランジスタQ5のコレクタをトランジスタQ3の
コレクタに接続した構成としている。
従つて、トランジスタQ5により、トランジス
タQ3，Q4及びQ6のベース電流3IBがトランジスタ
Q3のコレクタにてこのコレクタ電流と加えられ
てＩEとなり、そのうちＩBはトランジスタQ2の
ベース電流となつて他のＩE−ＩBがトランジスタ
Q1のエミツタ電流となる。
タQ3，Q4及びQ6のベース電流3IBがトランジスタ
Q3のコレクタにてこのコレクタ電流と加えられ
てＩEとなり、そのうちＩBはトランジスタQ2の
ベース電流となつて他のＩE−ＩBがトランジスタ
Q1のエミツタ電流となる。
他方、トランジスタQ5の電流増巾率を大に選
定しておけば、そのベース電流は無視しうる程に
小となり得るから、トランジスタQ4のコレクタ
電流ＩE−3IBはそのまゝトランジスタQ2のコレ
クタへ流入する。従つて、トランジスタQ2のエ
ミツタ電流はＩE−2IBとなり、先のトランジスタ
Q1のそれとＩBだけの差となり、両トランジスタ
のＶBEを第１図の回路に比しより等しくしうる。
このようにトランジスタQ5によりミラー回路１
のベース共通接続トランジスタのベース電流をト
ランジスタQ3のコレクタすなわちトランジスタ
Q1のエミツタへ供給するように構成して、エミ
ツタフオロワトランジスタQ1と増巾用トランジ
スタQ2とのＶBEによる非直線性を完全に打消す
ことが可能となる。
定しておけば、そのベース電流は無視しうる程に
小となり得るから、トランジスタQ4のコレクタ
電流ＩE−3IBはそのまゝトランジスタQ2のコレ
クタへ流入する。従つて、トランジスタQ2のエ
ミツタ電流はＩE−2IBとなり、先のトランジスタ
Q1のそれとＩBだけの差となり、両トランジスタ
のＶBEを第１図の回路に比しより等しくしうる。
このようにトランジスタQ5によりミラー回路１
のベース共通接続トランジスタのベース電流をト
ランジスタQ3のコレクタすなわちトランジスタ
Q1のエミツタへ供給するように構成して、エミ
ツタフオロワトランジスタQ1と増巾用トランジ
スタQ2とのＶBEによる非直線性を完全に打消す
ことが可能となる。
以上述べた如く、本考案によれば負帰還を施さ
ずに歪を除去し、かつ簡単な構成で所望の増巾度
を有するトランジスタ増巾器を得ることができ
る。
ずに歪を除去し、かつ簡単な構成で所望の増巾度
を有するトランジスタ増巾器を得ることができ
る。
第１図は本考案の基本動作を示す回路図、第２
図は本考案の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明、１……電流ミラー回
路、Q1……エミツタフオロワトランジスタ、Q2
……増巾用トランジスタ、R4……出力抵抗。
図は本考案の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明、１……電流ミラー回
路、Q1……エミツタフオロワトランジスタ、Q2
……増巾用トランジスタ、R4……出力抵抗。
Claims (1)
- ベースに入力が印加されたエミツタフオロワ構
成の第１のトランジスタと、この第１のトランジ
スタの出力をベース入力としコレクタから出力を
導出しかつ前記第１のトランジスタと逆導電型の
第２のトランジスタと、基準電位点と回路出力端
との間に設けられた出力変換手段と、ベースが共
通接続され前記第１のトランジスタのエミツタと
前記第２のトランジスタのコレクタ及び前記出力
変換手段の回路出力端に夫々コレクタが接続され
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタ
更には前記出力変換手段へ各々ほぼ等しい電流を
供給する第１のトランジスタと同導電型の第３、
第４及び第５のトランジスタと、エミツタが前記
第３乃至第５のトランジスタのベースにコレクタ
が第３のトランジスタのコレクタにベースが第４
のトランジスタのコレクタに夫々接続された第１
のトランジスタと同導電型の第６のトランジスタ
とを備え、前記第３乃至第６のトランジスタによ
りカレントミラー回路を構成し、前記第６のトラ
ンジスタにより前記第３乃至第５のトランジスタ
のベース電流を前記第１のトランジスタのエミツ
タ出力点に供給し、前記出力変換手段に流れる電
流の変化に対応して出力を導出することを特徴と
する増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18634182U JPS58109319U (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18634182U JPS58109319U (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58109319U JPS58109319U (ja) | 1983-07-26 |
| JPS6224972Y2 true JPS6224972Y2 (ja) | 1987-06-26 |
Family
ID=30102673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18634182U Granted JPS58109319U (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58109319U (ja) |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP18634182U patent/JPS58109319U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58109319U (ja) | 1983-07-26 |
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