JPS63214009A - 複合トランジスタ - Google Patents
複合トランジスタInfo
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- JPS63214009A JPS63214009A JP63024877A JP2487788A JPS63214009A JP S63214009 A JPS63214009 A JP S63214009A JP 63024877 A JP63024877 A JP 63024877A JP 2487788 A JP2487788 A JP 2487788A JP S63214009 A JPS63214009 A JP S63214009A
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 35
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 210000004899 c-terminal region Anatomy 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は複合トランジスタ、特にＰＮＰ形トランジスタ
を用いて単一トランジスタと同様に使用する能動素子に
関する。
を用いて単一トランジスタと同様に使用する能動素子に
関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕複合ト
ランジスタに好適なモノリシック集積回路（ＩＣ）は、
一般に４ｌ−ＮＰＮ形トランジスタの動作特性を強化な
いし改善する為にり８発された。その１例は本特許出願
人の出願に係る実公昭６２−１８９７７号公報に開示さ
れている如く、３個のＮＰＮ形トランジスタを含む３端
子型複合ＮＰＮ形トランジスタである。この複合トラン
ジスタの電流利得と周波数応答特性とは単一のＮＰＮ形
トランジスタのこれらの特性を約２倍にする。
ランジスタに好適なモノリシック集積回路（ＩＣ）は、
一般に４ｌ−ＮＰＮ形トランジスタの動作特性を強化な
いし改善する為にり８発された。その１例は本特許出願
人の出願に係る実公昭６２−１８９７７号公報に開示さ
れている如く、３個のＮＰＮ形トランジスタを含む３端
子型複合ＮＰＮ形トランジスタである。この複合トラン
ジスタの電流利得と周波数応答特性とは単一のＮＰＮ形
トランジスタのこれらの特性を約２倍にする。
また、ロバート・ドブキン発明の米国特許には２個のＮ
ＰＮ形トランジスタと２個のＰＮＩ’形トランジスタと
を有し１従来の単一のＮＩ’Ｎ形トランジスタの特性を
しのぐ特性を得ている。
ＰＮ形トランジスタと２個のＰＮＩ’形トランジスタと
を有し１従来の単一のＮＩ’Ｎ形トランジスタの特性を
しのぐ特性を得ている。
電子回路の設計にあっては、回路構成及び利用できるバ
イアス電圧の制約からＩ’ＮＰ形トランジスタを使用せ
ざるを得ない場合がある。しかし、ＰＮＰ形トランジス
タの特性はＮＰＮ形トランジスタに比して一般に特性が
劣り、特にβが極めて低く直線性も悪い、そこで回路設
計者は何とかしてＮＰＮ形トランジスタが圧倒している
問題の解決策を模索して来た。
イアス電圧の制約からＩ’ＮＰ形トランジスタを使用せ
ざるを得ない場合がある。しかし、ＰＮＰ形トランジス
タの特性はＮＰＮ形トランジスタに比して一般に特性が
劣り、特にβが極めて低く直線性も悪い、そこで回路設
計者は何とかしてＮＰＮ形トランジスタが圧倒している
問題の解決策を模索して来た。
従って本発明の目的はＰＮＰ形トランジスタを使用する
複合トランジスタを提供することである。
複合トランジスタを提供することである。
本発明の他の目的は単一のＰＮＰ形トランジスタに比し
て電流利得及び相互コンダクタンス特性の優れた複合ト
ランジスタを提供することである。
て電流利得及び相互コンダクタンス特性の優れた複合ト
ランジスタを提供することである。
本発明の複合トランジスタによると、基本的には１個の
ＰＮＰ形トランジスタと３個のＮＰＮ形トランジスタを
使用し、２個のＮＰＮ形トランジスタをカスコード接続
して入力段とし、ｌ’ＮＩ’形及びＮＰＮ形トランジス
タを直列接続して出力段とする。この複合トランジスタ
はＩＣ化が容易であり、単純にＩＣ化したＰＮＰ形トラ
ンジスタより極めて大きいβ、１を超す大きさのα及び
無限大に近い相互コンダクタンスを呈する。また、エミ
ッタベース電圧は０に近く、よって温度係数は低い。
ＰＮＰ形トランジスタと３個のＮＰＮ形トランジスタを
使用し、２個のＮＰＮ形トランジスタをカスコード接続
して入力段とし、ｌ’ＮＩ’形及びＮＰＮ形トランジス
タを直列接続して出力段とする。この複合トランジスタ
はＩＣ化が容易であり、単純にＩＣ化したＰＮＰ形トラ
ンジスタより極めて大きいβ、１を超す大きさのα及び
無限大に近い相互コンダクタンスを呈する。また、エミ
ッタベース電圧は０に近く、よって温度係数は低い。
〔実施例〕
第１図乃至第３図は本発明による複合トランジスタの異
なる実施例を示す、先ず第１図を参照して本発明の複合
トランジスタの基本回路を説明する。１個のＰＮＰ形ト
シトランジスタロ２個のＮＰＮ形トランジスタＱ、、Ｑ
、及び口、が夫々外部エミッタ（ＩＥ）、ベース（Ｂ）
及びコレクタ（Ｃ）端子０１． Ｑｆｉ及びａ旬を有す
る複合トランジスタを構成する。トランジスタロ、のベ
ースは端子Ｕに接続し、複合トランジスタのベース端子
（Ｂ）とする。トランジスタものエミッタ及びコレクタ
は夫々トランジスタａｔのベース及びエミッタに接続し
トランジスタ０１のコレクタとトランジスタＱ、のエミ
ッタが複合トランジスタのエミッタ端子Ｏ１となる。ト
ランジスタＱ、及び口、のエミッタは、互に接続して複
合トランジスタのコレクタ端子００となる。トランジス
タ０．と０４は周知のカレントミラー接続される。即ち
、両トランジスタＱｓ−Ｑｔのベースを相互接続すると
共にトランジスタ０．のベース・コレクタを結線してダ
イオード接続となす、トランジスタロコと０４のエミッ
タ・ベース接合面積は夫々予め定めたＡ及びｋＡの比例
関係にあり、その結果トランジスタ０．と口、のコレク
タにはｌｅｇ及びｋｌｃｚの電流が流れる。トランジス
タＱ３のコレクタはトランジスタａｔのコレクタに接続
して相補接続となし、静止電流１ｃｔを流す、またトラ
ンジスタロ、と口、はカスコード型接続、即ち、トラン
ジスタロオのコレクタをトランジスタＯＩのエミッタに
接続して、トランジスタＱ、のエミッタに静止電流ｋｌ
ｃｔを流すようにする。
なる実施例を示す、先ず第１図を参照して本発明の複合
トランジスタの基本回路を説明する。１個のＰＮＰ形ト
シトランジスタロ２個のＮＰＮ形トランジスタＱ、、Ｑ
、及び口、が夫々外部エミッタ（ＩＥ）、ベース（Ｂ）
及びコレクタ（Ｃ）端子０１． Ｑｆｉ及びａ旬を有す
る複合トランジスタを構成する。トランジスタロ、のベ
ースは端子Ｕに接続し、複合トランジスタのベース端子
（Ｂ）とする。トランジスタものエミッタ及びコレクタ
は夫々トランジスタａｔのベース及びエミッタに接続し
トランジスタ０１のコレクタとトランジスタＱ、のエミ
ッタが複合トランジスタのエミッタ端子Ｏ１となる。ト
ランジスタＱ、及び口、のエミッタは、互に接続して複
合トランジスタのコレクタ端子００となる。トランジス
タ０．と０４は周知のカレントミラー接続される。即ち
、両トランジスタＱｓ−Ｑｔのベースを相互接続すると
共にトランジスタ０．のベース・コレクタを結線してダ
イオード接続となす、トランジスタロコと０４のエミッ
タ・ベース接合面積は夫々予め定めたＡ及びｋＡの比例
関係にあり、その結果トランジスタ０．と口、のコレク
タにはｌｅｇ及びｋｌｃｚの電流が流れる。トランジス
タＱ３のコレクタはトランジスタａｔのコレクタに接続
して相補接続となし、静止電流１ｃｔを流す、またトラ
ンジスタロ、と口、はカスコード型接続、即ち、トラン
ジスタロオのコレクタをトランジスタＯＩのエミッタに
接続して、トランジスタＱ、のエミッタに静止電流ｋｌ
ｃｔを流すようにする。
もしトランジスタ０１及びＱ！のベース電流を無視する
と、トランジスタＯ１はトランジスタロ、の電流のに倍
の電流を強制的に流す、よって、Ｅ端子０１への入力電
流が変調されると、トランジスタＯＩ及びＯｌのエミッ
タ電流は全く同じ割合で変調される。
と、トランジスタＯ１はトランジスタロ、の電流のに倍
の電流を強制的に流す、よって、Ｅ端子０１への入力電
流が変調されると、トランジスタＯＩ及びＯｌのエミッ
タ電流は全く同じ割合で変調される。
その結果、トランジスタ０１のＶｂａ （ベース・エミ
ッタ電圧）が変化すると、これを補償すべくトランジス
タロ２のＶｂｅが変化して、複合トランジスタの正味の
Ｖ、い即ちＢ端子亜とＥ端子Ｑ１間の電圧は、イ政えエ
ミッタ電流が変化したとしても実質的に一定である。複
合トランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ□はｒｃｔ
や出力電流に無関係であることは教科書にあるトランジ
スタ解析手法を用いて実証することも可能である。この
ことは、この複合トランジスタの相互コンダクタンスｇ
ヨが数式解析上は無限大となることを示す、よって、本
発明の複合トランジスタを実際に製造すると、その相互
コンダクタンスは極めて高い値となる。
ッタ電圧）が変化すると、これを補償すべくトランジス
タロ２のＶｂｅが変化して、複合トランジスタの正味の
Ｖ、い即ちＢ端子亜とＥ端子Ｑ１間の電圧は、イ政えエ
ミッタ電流が変化したとしても実質的に一定である。複
合トランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ□はｒｃｔ
や出力電流に無関係であることは教科書にあるトランジ
スタ解析手法を用いて実証することも可能である。この
ことは、この複合トランジスタの相互コンダクタンスｇ
ヨが数式解析上は無限大となることを示す、よって、本
発明の複合トランジスタを実際に製造すると、その相互
コンダクタンスは極めて高い値となる。
トランジスタロ８のベースに対してトランジスタａ、の
ベースとトランジスタ０□のエミッタは、夫々ベース・
エミッタ端子の電圧降下分シフトしているので、理想的
には同電位であることに注目されたい、従って、Ｂ端子
０２５とＥ端子ａ１間の電圧差即ち複合トランジスタの
ｖｌは素子の寸法（エミ。
ベースとトランジスタ０□のエミッタは、夫々ベース・
エミッタ端子の電圧降下分シフトしているので、理想的
には同電位であることに注目されたい、従って、Ｂ端子
０２５とＥ端子ａ１間の電圧差即ち複合トランジスタの
ｖｌは素子の寸法（エミ。
夕面積）を正しく選定することにより殆んど０とするこ
とが可能である。また、トランジスタＱ、と［１，とは
双方の順方向電圧が同一でなくとも相互に温度補償を行
うことに注目されたい。
とが可能である。また、トランジスタＱ、と［１，とは
双方の順方向電圧が同一でなくとも相互に温度補償を行
うことに注目されたい。
第１図の複合トランジスタを更に良く見ると、そのベー
ス電流は単にトランジスタロ、のベース電流のみである
。エミッタ電流！■は殆んど（ｋ／に＋１）ＩＣＣであ
る。ここでＩｃｅ ” （ｋ＋１） Ｉｃｔｌよって、
複合トランジスタのβはｋの値を小さく選定することに
より最大値となし得る。もしｋの値を極めて小さくし、
この複合トランジスタのエミッタ及びコレクタ電流の実
質的にすべてがトランジスタＱ２及び口、を流れるよう
にすると、トランジスタＱ、のベース電流は著しく小さ
く、即ち複合トランジスタのβを極めて高い値とするこ
とができる。
ス電流は単にトランジスタロ、のベース電流のみである
。エミッタ電流！■は殆んど（ｋ／に＋１）ＩＣＣであ
る。ここでＩｃｅ ” （ｋ＋１） Ｉｃｔｌよって、
複合トランジスタのβはｋの値を小さく選定することに
より最大値となし得る。もしｋの値を極めて小さくし、
この複合トランジスタのエミッタ及びコレクタ電流の実
質的にすべてがトランジスタＱ２及び口、を流れるよう
にすると、トランジスタＱ、のベース電流は著しく小さ
く、即ち複合トランジスタのβを極めて高い値とするこ
とができる。
また、複合トランジスタのベース電流でもあるトランジ
スタＱ１のベース電流１ｍｌはエミッタ電流ｂｔに加算
されるので、αを１より大きく （βを負に）すること
にも注目されたい、これにより複合トランジスタのαが
トランジスタロ、のβの減少につれて増加する（その理
由は、トランジスタＱ＋のベース電流が増加するとＣ端
子０４１のコレクタ電流ｒｃｃが増加する）、これは他
のＮＰＮ形トランジスタ段におけるαの損失を補償する
為に多くの回路設計上有用である。この良い例として、
この複合トランジスタのコレクタ電流をＮＰＮ形トラン
ジスタのカレントミラーの基準電流の確立に使用し、ま
たこの複合トランジスタで生じるα補償でカレントミラ
ー回路のベース接地段のα損失をオフセットすることが
挙げられる。α補償を最大にする為には、ｋは大きく
（例えば１０以上）して、トランジスタロ、の静止電流
を最大にする。
スタＱ１のベース電流１ｍｌはエミッタ電流ｂｔに加算
されるので、αを１より大きく （βを負に）すること
にも注目されたい、これにより複合トランジスタのαが
トランジスタロ、のβの減少につれて増加する（その理
由は、トランジスタＱ＋のベース電流が増加するとＣ端
子０４１のコレクタ電流ｒｃｃが増加する）、これは他
のＮＰＮ形トランジスタ段におけるαの損失を補償する
為に多くの回路設計上有用である。この良い例として、
この複合トランジスタのコレクタ電流をＮＰＮ形トラン
ジスタのカレントミラーの基準電流の確立に使用し、ま
たこの複合トランジスタで生じるα補償でカレントミラ
ー回路のベース接地段のα損失をオフセットすることが
挙げられる。α補償を最大にする為には、ｋは大きく
（例えば１０以上）して、トランジスタロ、の静止電流
を最大にする。
トランジスタ０１のエミッタ電流とトランジスタロ２の
エミッタ電流の比が動作点により変化する要因は、複合
トランジスタの実効相互コンダクタンスを低下する。１
つの主要誤差原因として、カレントミラートランジスタ
Ｑ、 −Ｑ、のアーリイ（１！ａｒｌｙ）効果、即ちコ
レクタ電流による実効ベース幅の変化がある。第２図は
エミッタに電流負帰還抵抗を付加してこの誤差を低減す
る例を示す、ここで、抵抗（３０）と（４０）は夫々Ｒ
とｋＲの抵抗値を存し、トランジスタ６と０４のエミッ
タとＣ端子ａａ間に接続される。勿論、この抵抗の付加
により、増幅器の直線性を改善する。第２図のその余の
回路部分は第１図と同じであるので、ここで詳細説明は
行わない。
エミッタ電流の比が動作点により変化する要因は、複合
トランジスタの実効相互コンダクタンスを低下する。１
つの主要誤差原因として、カレントミラートランジスタ
Ｑ、 −Ｑ、のアーリイ（１！ａｒｌｙ）効果、即ちコ
レクタ電流による実効ベース幅の変化がある。第２図は
エミッタに電流負帰還抵抗を付加してこの誤差を低減す
る例を示す、ここで、抵抗（３０）と（４０）は夫々Ｒ
とｋＲの抵抗値を存し、トランジスタ６と０４のエミッ
タとＣ端子ａａ間に接続される。勿論、この抵抗の付加
により、増幅器の直線性を改善する。第２図のその余の
回路部分は第１図と同じであるので、ここで詳細説明は
行わない。
第３図は米国特許第３，５８８，６７２号明細書（対応
日本特許特公昭５４−９８１９号公Ｉｇ）に記載の所謂
ウィルソン電流源を用いてコレクタ電流ｔｃｃの広いダ
イナミックレンジにわたる直線性を維持する簡便な手法
を示す、ここでは５番目のトランジスタ０、を付加し、
トランジスタ０．の代りにトランジスタ０９をダイオー
ド接続とすることによりカレントミラーを変形する。こ
の付加トランジスタＱ、が電圧変化を吸収して非直線性
を生じ得る電圧変化を吸収する。
日本特許特公昭５４−９８１９号公Ｉｇ）に記載の所謂
ウィルソン電流源を用いてコレクタ電流ｔｃｃの広いダ
イナミックレンジにわたる直線性を維持する簡便な手法
を示す、ここでは５番目のトランジスタ０、を付加し、
トランジスタ０．の代りにトランジスタ０９をダイオー
ド接続とすることによりカレントミラーを変形する。こ
の付加トランジスタＱ、が電圧変化を吸収して非直線性
を生じ得る電圧変化を吸収する。
以上、本発明の複合トランジスタを好適実施例に基づき
説明したが、本発明の要旨を逸脱することなく種々の変
形変更が可能であること当業者には明白であろう０例え
ば、この複合トランジスタの安定性が問題であれば、ト
ランジスタＱ、のエミッタからトランジスタ０４のベー
ス間にＲＣ（抵抗−コンデンサ）回路網を接続して高周
波補償を行ってもよい。
説明したが、本発明の要旨を逸脱することなく種々の変
形変更が可能であること当業者には明白であろう０例え
ば、この複合トランジスタの安定性が問題であれば、ト
ランジスタＱ、のエミッタからトランジスタ０４のベー
ス間にＲＣ（抵抗−コンデンサ）回路網を接続して高周
波補償を行ってもよい。
上述の説明から明らかな如く、本発明の複合トランジス
タに依ると、１個のＰＮＰ トランジスタと複数個のＮ
ＰＮ トランジスタを使用し、これらを有機的に相互接
続して３端子（ｃ、 ｎ及びＥ）を存する単−ＰＮＰ形
トランジスタと同様に動作する。しかし、このトランジ
スタのβは単一トランジスタのそれより極めて大きく、
αも１を超す大きさとなすことができ、しかもエミッタ
・ベース電圧は実質的に０ボルトであるのでＶ口に起因
する各種の問題、例えば温度特性等が解消できる。更に
また、本発明の複合トランジスタは、実質的に能動素子
のみで構成されるのでＩＣ化に好適である。
タに依ると、１個のＰＮＰ トランジスタと複数個のＮ
ＰＮ トランジスタを使用し、これらを有機的に相互接
続して３端子（ｃ、 ｎ及びＥ）を存する単−ＰＮＰ形
トランジスタと同様に動作する。しかし、このトランジ
スタのβは単一トランジスタのそれより極めて大きく、
αも１を超す大きさとなすことができ、しかもエミッタ
・ベース電圧は実質的に０ボルトであるのでＶ口に起因
する各種の問題、例えば温度特性等が解消できる。更に
また、本発明の複合トランジスタは、実質的に能動素子
のみで構成されるのでＩＣ化に好適である。
第１図は本発明による複合トランジスタの基本回路、第
２図は本発明による複合トランジスタの直線性改良回路
、第３図は本発明の複合トランジスタの更に別の改良回
路図である。 Ｑｒ Ｏａは第１〜第４のトランジスタである。
２図は本発明による複合トランジスタの直線性改良回路
、第３図は本発明の複合トランジスタの更に別の改良回
路図である。 Ｑｒ Ｏａは第１〜第４のトランジスタである。
Claims (1)
- カスコード形に接続したＮＰＮ形の第１及び第４トラン
ジスタを含む入力段と、相補接続したＰＮＰ形の第２ト
ランジスタ及びＮＰＨ形の第３トランジスタを含む出力
段とを具え、第３及び第４トランジスタをカレントミラ
ー接続し、第１トランジスタのエミッタに第２トランジ
スタのベースを接続し、第１トランジスタのコレクタと
第２トランジスタのエミッタを相互接続した複合トラン
ジスタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US013,494 | 1987-02-11 | ||
| US07/013,494 US4730124A (en) | 1987-02-11 | 1987-02-11 | High transconductance composite PNP transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63214009A true JPS63214009A (ja) | 1988-09-06 |
| JPH0479166B2 JPH0479166B2 (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=21760252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63024877A Granted JPS63214009A (ja) | 1987-02-11 | 1988-02-04 | 複合トランジスタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4730124A (ja) |
| JP (1) | JPS63214009A (ja) |
| NL (1) | NL8800182A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5858904A (en) * | 1993-03-31 | 1999-01-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Catalyst for production of vinyl-based polymer and process for production of vinyl-based aromatic polymer |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4994694A (en) * | 1989-08-23 | 1991-02-19 | Tektronix, Inc. | Complementary composite PNP transistor |
| US4994758A (en) * | 1989-12-15 | 1991-02-19 | Motorola, Inc. | Alpha enhancement of a transistor using base current feedback to the emitter |
| US5500615A (en) * | 1991-12-06 | 1996-03-19 | Tektronix, Inc. | Low power CCD driver with symmetrical output drive signal |
| US5311146A (en) * | 1993-01-26 | 1994-05-10 | Vtc Inc. | Current mirror for low supply voltage operation |
| US5347210A (en) * | 1993-03-31 | 1994-09-13 | Texas Instruments Incorporated | Current switch with bipolar switching transistor and β compensating circuit |
| GB9617323D0 (en) * | 1996-08-17 | 1996-09-25 | Belyi Valerie | High gain, wide band amplifier |
| KR20030033929A (ko) * | 2001-10-23 | 2003-05-01 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 함수 회로 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3757137A (en) * | 1969-12-18 | 1973-09-04 | Rca Corp | Low voltage reference circuit |
| US4236119A (en) * | 1978-09-11 | 1980-11-25 | Tektronix, Inc. | Monolithic wideband amplifier |
| US4371792A (en) * | 1980-07-24 | 1983-02-01 | National Semiconductor Corporation | High gain composite transistor |
| US4580068A (en) * | 1983-12-14 | 1986-04-01 | Rca Corporation | Keyed low impedance voltage source |
| NL8400635A (nl) * | 1984-02-29 | 1985-09-16 | Philips Nv | Darlington transistorschakeling. |
-
1987
- 1987-02-11 US US07/013,494 patent/US4730124A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-01-26 NL NL8800182A patent/NL8800182A/nl not_active Application Discontinuation
- 1988-02-04 JP JP63024877A patent/JPS63214009A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5858904A (en) * | 1993-03-31 | 1999-01-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Catalyst for production of vinyl-based polymer and process for production of vinyl-based aromatic polymer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4730124A (en) | 1988-03-08 |
| JPH0479166B2 (ja) | 1992-12-15 |
| NL8800182A (nl) | 1988-09-01 |
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