JP2598312B2 - 光磁気記録装置及びそのような光磁気記録装置に用いる駆動回路 - Google Patents
光磁気記録装置及びそのような光磁気記録装置に用いる駆動回路Info
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、光磁気記録装置およびそのような光磁気
記録装置に用いられる界磁コイル駆動用の駆動回路に関
する。
記録装置に用いられる界磁コイル駆動用の駆動回路に関
する。
更に詳述すると、本発明は、情報信号を光磁気記録担
体に記録する光磁気記録装置であって、前記記録担体中
に磁界を発生するための界磁コイルと、この界磁コイル
を駆動するための駆動回路と、前記磁界を前記情報信号
に応じて変調するために前記駆動回路を前記情報信号に
基づいて制御する制御回路とを具備する光磁気記録装置
に関する。
体に記録する光磁気記録装置であって、前記記録担体中
に磁界を発生するための界磁コイルと、この界磁コイル
を駆動するための駆動回路と、前記磁界を前記情報信号
に応じて変調するために前記駆動回路を前記情報信号に
基づいて制御する制御回路とを具備する光磁気記録装置
に関する。
また本発明は、上述したような光磁気記録装置に用い
られる界磁コイル用の駆動回路にも関する。
られる界磁コイル用の駆動回路にも関する。
[従来の技術] 光磁気材料に記録を行う場合は、従来、以下のことが
行われている。即ち、記録に先立ち光磁気材料を特定の
方向に磁化し、次いで記録時には、該材料をこのように
前もって付与された磁化方向とは反対の方向の磁界にさ
らすと同時に強度変調されたレーザビームにより局部的
にキューリー点近くの温度まで加熱し、これによって変
調パターンに対応すると共に周囲の領域とは異なる方向
の磁化方向を持つような磁気領域のパターンを生成す
る。
行われている。即ち、記録に先立ち光磁気材料を特定の
方向に磁化し、次いで記録時には、該材料をこのように
前もって付与された磁化方向とは反対の方向の磁界にさ
らすと同時に強度変調されたレーザビームにより局部的
にキューリー点近くの温度まで加熱し、これによって変
調パターンに対応すると共に周囲の領域とは異なる方向
の磁化方向を持つような磁気領域のパターンを生成す
る。
しかしながら、上記の方法には、既に記録されている
部分は新たに記録を行う前に消去を行なわなければなら
ないという欠点がある。
部分は新たに記録を行う前に消去を行なわなければなら
ないという欠点がある。
上記のような欠点を低減する記録技術は、Phi-lips T
echnical Review 第42巻、第2号、1985年8月、第41頁
から既知である。この記録技術においては、レーザビー
ムの代わりに、磁界が変調される。
echnical Review 第42巻、第2号、1985年8月、第41頁
から既知である。この記録技術においては、レーザビー
ムの代わりに、磁界が変調される。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、このような磁界変調を用いる記録技術
は、界磁コイルを駆動するための回路を得るための満足
の行く解決策が見いだされていないため、実際には使用
されていない。そこで当面する問題は、磁界が強い結果
(約200ないし300エルステッド)磁界中に蓄積されるエ
ネルギが高いため、界磁コイルに大きな電圧差を印加し
た場合にのみ磁界を充分高速で反転させることができ
る、ということである。理論的には、上記の大きな電圧
差は、高電圧出力(約100ボルト)の電圧源によって実
現することができる。この場合、界磁コイルは、定常電
流を制限するために、直列抵抗を介して駆動される。従
来の光磁気記録装置においては残りの電子回路は5ない
し15ボルトの電源電圧で動作するようになっているの
で、磁界変調は別の100V電圧源を用いなければならない
ということを意味する。このことが、変調磁界による光
磁気記録を非現実的にしている。また、上述した直列抵
抗を用いることには、この直列抵抗においてかなりの量
の熱(約10ワット)が放散されるという欠点がある。
は、界磁コイルを駆動するための回路を得るための満足
の行く解決策が見いだされていないため、実際には使用
されていない。そこで当面する問題は、磁界が強い結果
(約200ないし300エルステッド)磁界中に蓄積されるエ
ネルギが高いため、界磁コイルに大きな電圧差を印加し
た場合にのみ磁界を充分高速で反転させることができ
る、ということである。理論的には、上記の大きな電圧
差は、高電圧出力(約100ボルト)の電圧源によって実
現することができる。この場合、界磁コイルは、定常電
流を制限するために、直列抵抗を介して駆動される。従
来の光磁気記録装置においては残りの電子回路は5ない
し15ボルトの電源電圧で動作するようになっているの
で、磁界変調は別の100V電圧源を用いなければならない
ということを意味する。このことが、変調磁界による光
磁気記録を非現実的にしている。また、上述した直列抵
抗を用いることには、この直列抵抗においてかなりの量
の熱(約10ワット)が放散されるという欠点がある。
したがって、この発明の目的はかなり低い電源電圧し
か必要とせず、また非常に熱放散の少ない界磁コイル駆
動用の駆動回路を備えた光磁気記録装置を提供すること
にある。
か必要とせず、また非常に熱放散の少ない界磁コイル駆
動用の駆動回路を備えた光磁気記録装置を提供すること
にある。
また、この発明の他の目的は、低い電源電圧しか必要
とせず、熱放散が少なく、且つ、高速で磁界を反転する
ことが可能な磁界発生回路を提供することにもある。
とせず、熱放散が少なく、且つ、高速で磁界を反転する
ことが可能な磁界発生回路を提供することにもある。
[課題を解決するための手段及び作用] 本発明によれば、上記目的は、前記界磁コイルが並列
共振回路として構成され、前記駆動回路が、 前記制御回路により制御されて第1および第2の電流
通路を交互に形成することにより前記界磁コイルをこれ
ら電流通路を介して正方向電流および負方向電流により
交互に駆動するスイッチと、 前記電流通路のうちの一方が遮断された後前記共振回
路の共振周期の半分に対応する期間にわたり前記界磁コ
イルへの前記電流通路のうちの他方を介しての電流供給
を禁止するように構成された電流禁止手段と、 を有していることを特徴とすることにより達成された。
共振回路として構成され、前記駆動回路が、 前記制御回路により制御されて第1および第2の電流
通路を交互に形成することにより前記界磁コイルをこれ
ら電流通路を介して正方向電流および負方向電流により
交互に駆動するスイッチと、 前記電流通路のうちの一方が遮断された後前記共振回
路の共振周期の半分に対応する期間にわたり前記界磁コ
イルへの前記電流通路のうちの他方を介しての電流供給
を禁止するように構成された電流禁止手段と、 を有していることを特徴とすることにより達成された。
この場合、上記界磁コイルが共振回路として構成され
ているので、一方の電流通路が遮断された後に同共振回
路で共振が起きる。かくして、界磁コイルを介して流れ
る電流は正弦状となり、次いでその電流方向が反転す
る。共振周期の1/2の後にこの電流は、その絶対値が前
記遮断時点の電流値の絶対値に略等しくかつその符号が
この遮断時の電流とは反対であるような、極限値に到達
する。この極限値に到達した時点で、前記界磁コイルを
他の電流通路で駆動することによって、前記コイルの電
流を上記極限値に維持することができる。そして、この
電流を維持するには、界磁コイルの抵抗値による電圧降
下を補償するのみでよいから、このコイルの両端間の電
圧は数ボルトあればよい。かくして、既に他の部分の電
子回路に必要とされている低電圧源をこの磁界変調用の
電源として使用することが可能になる。
ているので、一方の電流通路が遮断された後に同共振回
路で共振が起きる。かくして、界磁コイルを介して流れ
る電流は正弦状となり、次いでその電流方向が反転す
る。共振周期の1/2の後にこの電流は、その絶対値が前
記遮断時点の電流値の絶対値に略等しくかつその符号が
この遮断時の電流とは反対であるような、極限値に到達
する。この極限値に到達した時点で、前記界磁コイルを
他の電流通路で駆動することによって、前記コイルの電
流を上記極限値に維持することができる。そして、この
電流を維持するには、界磁コイルの抵抗値による電圧降
下を補償するのみでよいから、このコイルの両端間の電
圧は数ボルトあればよい。かくして、既に他の部分の電
子回路に必要とされている低電圧源をこの磁界変調用の
電源として使用することが可能になる。
本発明による光磁気記録装置の一実施例は、前記電流
禁止手段が、前記各電流通路に設けられた整流素子を有
していることを特徴としている。
禁止手段が、前記各電流通路に設けられた整流素子を有
していることを特徴としている。
この実施例においては、前記の極限電流値に到達した
ときに、コイルの両端間の電圧が反転しているという事
実を有効に利用しており、したがって、共振周期の1/2
の間、整流素子によって前記他方の電流通路を通る電流
を自動的に禁止することができる。
ときに、コイルの両端間の電圧が反転しているという事
実を有効に利用しており、したがって、共振周期の1/2
の間、整流素子によって前記他方の電流通路を通る電流
を自動的に禁止することができる。
本発明による光磁気記録装置の他の実施例は、無直流
(dc free)符号化信号を記録するのに非常に適してお
り、前記各電流通路の共通部分に前記並列共振回路を含
むハイパスフィルタを設け、前記第1の電流通路が、形
成された場合に、前記共通部分を直流源に接続し、前記
第2の電流通路が、形成された場合に、前記共通部分を
短絡するように構成されていることを特徴としている。
この実施例は、無直流情報信号の場合、ハイパスフィル
タを前記駆動回路に用いても駆動電流によって発生され
る磁界の強度に影響を及ぼさないので、界磁コイルを単
一電源により駆動することができるという認識に基づい
ている。
(dc free)符号化信号を記録するのに非常に適してお
り、前記各電流通路の共通部分に前記並列共振回路を含
むハイパスフィルタを設け、前記第1の電流通路が、形
成された場合に、前記共通部分を直流源に接続し、前記
第2の電流通路が、形成された場合に、前記共通部分を
短絡するように構成されていることを特徴としている。
この実施例は、無直流情報信号の場合、ハイパスフィル
タを前記駆動回路に用いても駆動電流によって発生され
る磁界の強度に影響を及ぼさないので、界磁コイルを単
一電源により駆動することができるという認識に基づい
ている。
また、本発明の更に他の実施例は、前記スイッチが電
界効果型のトランジスタを有して構成されていることを
特徴としている。
界効果型のトランジスタを有して構成されていることを
特徴としている。
この実施例は、前記電流通路が遮断されたときにスイ
ッチの両端間に発生する高い逆方向誘導電圧に耐え得る
ような形式のスイッチを用いているので、極めて短いス
イッチング時間を得ることができるという利点を有して
いる。
ッチの両端間に発生する高い逆方向誘導電圧に耐え得る
ような形式のスイッチを用いているので、極めて短いス
イッチング時間を得ることができるという利点を有して
いる。
更に、光磁気記録装置に必要とされる1アンペアのオ
ーダの電流にとっては、電界効果トランジスタのスイッ
チング時間は、高逆電圧および所望の大電流を扱うこと
ができるバイポーラトランジスタのものよりもかなり短
い。また、もし前記界磁コイルを電界効果トランジスタ
を有するブリッジ回路により駆動するようにすると、発
生する逆電圧は2つのトランジスタにより分割されるこ
とになるので、駆動回路をこれら逆電圧に対してさらに
強いものとすることができる。
ーダの電流にとっては、電界効果トランジスタのスイッ
チング時間は、高逆電圧および所望の大電流を扱うこと
ができるバイポーラトランジスタのものよりもかなり短
い。また、もし前記界磁コイルを電界効果トランジスタ
を有するブリッジ回路により駆動するようにすると、発
生する逆電圧は2つのトランジスタにより分割されるこ
とになるので、駆動回路をこれら逆電圧に対してさらに
強いものとすることができる。
通常の電界効果トランジスタにおいては、pチャンネ
ル型の電界効果トランジスタの熱放散のほうがnチャン
ネル型の電界効果トランジスタのものよりかなり多い。
したがって、同一(好ましくは、n)チャンネル型の電
界効果トランジスタのみを有する駆動回路を用いること
が望ましい。
ル型の電界効果トランジスタの熱放散のほうがnチャン
ネル型の電界効果トランジスタのものよりかなり多い。
したがって、同一(好ましくは、n)チャンネル型の電
界効果トランジスタのみを有する駆動回路を用いること
が望ましい。
この要求を満たす駆動回路を有する光磁気記録装置の
一実施例は、 前記駆動回路が、第1の整流素子と、第1の電界効果
トランジスタと、第2の整流素子と、前記第1の電界効
果トランジスタに等しいチャンネル型の第2の電界効果
トランジスタとをこの順で接続して構成されかつ前記直
流源に接続された直列接続回路を有し、 前記ハイパスフィルタが、前記第1の整流素子と前記
第1の電界効果トランジスタとの接続点と、前記第2の
整流素子と前記第2の電界効果トランジスタとの接続点
との間に接続され、 前記駆動回路が、更に、前記第1の電界効果トランジ
スタと前記第2の整流素子との接続点を定電位点に接続
するインピーダンスを有していることを特徴としてい
る。
一実施例は、 前記駆動回路が、第1の整流素子と、第1の電界効果
トランジスタと、第2の整流素子と、前記第1の電界効
果トランジスタに等しいチャンネル型の第2の電界効果
トランジスタとをこの順で接続して構成されかつ前記直
流源に接続された直列接続回路を有し、 前記ハイパスフィルタが、前記第1の整流素子と前記
第1の電界効果トランジスタとの接続点と、前記第2の
整流素子と前記第2の電界効果トランジスタとの接続点
との間に接続され、 前記駆動回路が、更に、前記第1の電界効果トランジ
スタと前記第2の整流素子との接続点を定電位点に接続
するインピーダンスを有していることを特徴としてい
る。
[実施例] 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第1図は、本発明による光磁気記録装置1の一実施例
を示してる。この図において、記録担体4は、ターンテ
ーブル2およびモータ3を具備する駆動手段により回転
されるようになっている。上記記録担体4には、通常の
光磁気材料からなる記録層5が設けられている。また、
光学ヘッド6により、例えばレーザビームのような放射
ビーム7が前記記録層5に向けられるようになってい
る。しかして、上記光磁気材料はキューリ点付近の温度
まで加熱される。また、上記光磁気材料の加熱部分は、
磁界変調器8により、その磁界方向に依存する方向に該
加熱部分が磁化されるに充分な強さの磁界に曝されるよ
うになっている。この磁化は冷却後も保持される。上記
磁界変調器8はその磁界を、例えばEFMエンコーダのよ
うなエンコード回路9により情報信号Viから抽出された
制御信号VSに応じて変調する。このように、上記情報信
号を表すような磁気領域のパターンが、記録層5に形成
される。
を示してる。この図において、記録担体4は、ターンテ
ーブル2およびモータ3を具備する駆動手段により回転
されるようになっている。上記記録担体4には、通常の
光磁気材料からなる記録層5が設けられている。また、
光学ヘッド6により、例えばレーザビームのような放射
ビーム7が前記記録層5に向けられるようになってい
る。しかして、上記光磁気材料はキューリ点付近の温度
まで加熱される。また、上記光磁気材料の加熱部分は、
磁界変調器8により、その磁界方向に依存する方向に該
加熱部分が磁化されるに充分な強さの磁界に曝されるよ
うになっている。この磁化は冷却後も保持される。上記
磁界変調器8はその磁界を、例えばEFMエンコーダのよ
うなエンコード回路9により情報信号Viから抽出された
制御信号VSに応じて変調する。このように、上記情報信
号を表すような磁気領域のパターンが、記録層5に形成
される。
次ぎに、第2図は本発明による界磁コイル用駆動回路
の一実施例を含む磁界変調器8を示している。この図に
おいて、電子スイッチ11とダイオード12との直列接続
が、正電位Vpの端子10とノード13との間に設けられてい
る。また、電子スイッチ15とダイオード16との直列接続
が、上記電位Vpとは逆の電位Vnの端子14と前記ノード13
との間に設けられている。ノード13は、磁界を発生させ
るための界磁コイル18の一方の端子17に接続されてい
る。また、この界磁コイル18の他方の端子19は、アース
電位の端子20に接続されている。そして、コンデンサ21
が界磁コイル18に並列に設けられている。この場合、界
磁コイル18とコンデンサ21は並列共振回路を構成してい
る。このコンデンサ21の容量は、上記共振回路の共振周
期が磁界反転に要する最大許容スイッチング時間よりも
短くなるように選定されている。標準EFM信号を記録す
る装置においては、5マイクロヘンリのインダクダンス
と1ナノファラドの容量の組合せが好適である。以上に
述べた部分は、当該磁界変調器8における磁界発生回路
を構成し、該回路は以下に述べる制御回路により駆動さ
れる。
の一実施例を含む磁界変調器8を示している。この図に
おいて、電子スイッチ11とダイオード12との直列接続
が、正電位Vpの端子10とノード13との間に設けられてい
る。また、電子スイッチ15とダイオード16との直列接続
が、上記電位Vpとは逆の電位Vnの端子14と前記ノード13
との間に設けられている。ノード13は、磁界を発生させ
るための界磁コイル18の一方の端子17に接続されてい
る。また、この界磁コイル18の他方の端子19は、アース
電位の端子20に接続されている。そして、コンデンサ21
が界磁コイル18に並列に設けられている。この場合、界
磁コイル18とコンデンサ21は並列共振回路を構成してい
る。このコンデンサ21の容量は、上記共振回路の共振周
期が磁界反転に要する最大許容スイッチング時間よりも
短くなるように選定されている。標準EFM信号を記録す
る装置においては、5マイクロヘンリのインダクダンス
と1ナノファラドの容量の組合せが好適である。以上に
述べた部分は、当該磁界変調器8における磁界発生回路
を構成し、該回路は以下に述べる制御回路により駆動さ
れる。
制御回路22は、前記制御信号Vsから電子スイッチ11お
よび15用の制御信号を取り出す。この場合、前記スイッ
チ11および15の状態と制御信号Vsの論理値との間の関係
は表1に示すようになっている。
よび15用の制御信号を取り出す。この場合、前記スイッ
チ11および15の状態と制御信号Vsの論理値との間の関係
は表1に示すようになっている。
ここで、上記構成の磁界変調器8の動作を第3図を参
照して説明する。
照して説明する。
時刻t0においては、磁界変調器8は、制御信号Vsの論
理値が“1"の場合の安定状態にある、すなわち、スイッ
チ11は閉状態、スイッチ15は開状態にある。この場合、
界磁コイル18の両端間の電圧Vmは、端子10と端子20との
間の電位差(Vp)に等しい。また、コイル18を介して流
れる電流Imは、該界磁コイル18の抵抗値に依存する。こ
の抵抗値が通常の値の1Ωであり、通常の所望の電流強
度が1Aであるとすると、必要とされる電位差は数ボルト
のような低い値でよい。次いでスイッチ11は、時刻t1に
おける制御信号Vsの“1"から“0"への変化に応答して、
開状態となるので、界磁コイル18とコンデンサ21とを有
してなる共振回路は端子10から切り放される。これによ
り、該共振回路においては、前記電流Imおよび電圧Vmの
正弦変化の形の過渡現象が引き起こされる。この時スイ
ッチ15は閉じているが、端子17との接続は、界磁コイル
18に誘導される高い負の電圧(50ないし100V)の結果ダ
イオード16により禁止される。
理値が“1"の場合の安定状態にある、すなわち、スイッ
チ11は閉状態、スイッチ15は開状態にある。この場合、
界磁コイル18の両端間の電圧Vmは、端子10と端子20との
間の電位差(Vp)に等しい。また、コイル18を介して流
れる電流Imは、該界磁コイル18の抵抗値に依存する。こ
の抵抗値が通常の値の1Ωであり、通常の所望の電流強
度が1Aであるとすると、必要とされる電位差は数ボルト
のような低い値でよい。次いでスイッチ11は、時刻t1に
おける制御信号Vsの“1"から“0"への変化に応答して、
開状態となるので、界磁コイル18とコンデンサ21とを有
してなる共振回路は端子10から切り放される。これによ
り、該共振回路においては、前記電流Imおよび電圧Vmの
正弦変化の形の過渡現象が引き起こされる。この時スイ
ッチ15は閉じているが、端子17との接続は、界磁コイル
18に誘導される高い負の電圧(50ないし100V)の結果ダ
イオード16により禁止される。
時刻t2においてはダイオード16が導通するので、端子
17の電位は前記負の電位Vnに等しくなる。この時刻t2
は、スイッチ11が開となった時刻t1から共振周期の略半
分の時間後に位置する。この時刻においては電流Imは値
Inに減少しているが、この電流Inの絶対値は電流Imの時
刻t1における絶対値に等しく、またその符号は電流Imの
時刻t1における符号と反対である。時刻t2からは端子17
は負電流Vnの端子14に接続されることになるので、電流
Imの電流値は時刻t3において信号Vsが再び“0"から“1"
に変化するまでInに等しい値のままとなる。時刻t3にお
いてはスイッチ11が閉じ、スイッチ15が再び開となるの
で、結果として電流Imの方向は逆転する。
17の電位は前記負の電位Vnに等しくなる。この時刻t2
は、スイッチ11が開となった時刻t1から共振周期の略半
分の時間後に位置する。この時刻においては電流Imは値
Inに減少しているが、この電流Inの絶対値は電流Imの時
刻t1における絶対値に等しく、またその符号は電流Imの
時刻t1における符号と反対である。時刻t2からは端子17
は負電流Vnの端子14に接続されることになるので、電流
Imの電流値は時刻t3において信号Vsが再び“0"から“1"
に変化するまでInに等しい値のままとなる。時刻t3にお
いてはスイッチ11が閉じ、スイッチ15が再び開となるの
で、結果として電流Imの方向は逆転する。
第2図の実施例においては、並列共振回路が界磁コイ
ル18とコンデンサ21との並列接続回路を有して構成され
ている。しかしながら、実際には、多くの場合に界磁コ
イル18の両端間にコンデンサを設ける必要がないことが
解っている。これは、界磁コイル、スイッチおよび配線
の寄生容量がこの磁界変調器8の正しい動作にとって充
分に大きいからである。
ル18とコンデンサ21との並列接続回路を有して構成され
ている。しかしながら、実際には、多くの場合に界磁コ
イル18の両端間にコンデンサを設ける必要がないことが
解っている。これは、界磁コイル、スイッチおよび配線
の寄生容量がこの磁界変調器8の正しい動作にとって充
分に大きいからである。
更に、前記スイッチが、一方のスイッチが開となって
から共振周期の半分が経過するまで他方のスイッチが閉
じないように制御されるようにすれば、前記ダイオード
12および16は必要でないことに注意すべきである。しか
しながら、簡素化するため、および共振周波数の変動に
影響されないようにするためには、ダイオードを設けた
実施例の方が好ましい。
から共振周期の半分が経過するまで他方のスイッチが閉
じないように制御されるようにすれば、前記ダイオード
12および16は必要でないことに注意すべきである。しか
しながら、簡素化するため、および共振周波数の変動に
影響されないようにするためには、ダイオードを設けた
実施例の方が好ましい。
次に、第4図は単一電圧源により給電し得るようにし
た、本発明による駆動回路の他の実施例を含む磁界変調
器8を示し、この図において第2図の要素に対応する各
要素には同一の符号を付してある。第4図において、ス
イッチ11は、pチャンネル電界効果型のトランジスタを
有してなっている(このトランジスタは例えば、BST 10
0なる型番で入手し得る)。また、スイッチ15は、nチ
ャンネル電界効果型のトランジスタを有してなっている
(このトランジスタは、例えば、BST 70Aなる型番で入
手し得る)。電界効果トランジスタは、本発明の磁界変
調器におけるスイッチとして用いて極めて好適である、
なぜなら、これらのトランジスタはスイッチの切り替え
時に発生する逆方向高電圧に耐えることができるからで
ある。このことは、バイポーラトランジスタと対照的で
ある。すなわり、バイポーラトランジスタは、かなり低
い逆電圧しか扱うことができず、従って、実際には比較
的低い周波数の記録信号にしか適していない。さらに、
所望の大電流と高逆電圧を扱えるバイポーラスイッチン
グトランジスタは、電界効果トランジスタよりかなりス
イッチイング時間が長い。一方、制御回路22は、2個の
バッファ増幅器30および31を有しており、これら増幅器
は好ましくは例えば74HCl25なる集積回路の同一集積回
路の一部となるようにする。このようにすれば、増幅器
30および31の各遅延時間が略等しくなるという利点があ
るので、前記各スイッチの開成および閉成時刻がよく対
応するようになる。
た、本発明による駆動回路の他の実施例を含む磁界変調
器8を示し、この図において第2図の要素に対応する各
要素には同一の符号を付してある。第4図において、ス
イッチ11は、pチャンネル電界効果型のトランジスタを
有してなっている(このトランジスタは例えば、BST 10
0なる型番で入手し得る)。また、スイッチ15は、nチ
ャンネル電界効果型のトランジスタを有してなっている
(このトランジスタは、例えば、BST 70Aなる型番で入
手し得る)。電界効果トランジスタは、本発明の磁界変
調器におけるスイッチとして用いて極めて好適である、
なぜなら、これらのトランジスタはスイッチの切り替え
時に発生する逆方向高電圧に耐えることができるからで
ある。このことは、バイポーラトランジスタと対照的で
ある。すなわり、バイポーラトランジスタは、かなり低
い逆電圧しか扱うことができず、従って、実際には比較
的低い周波数の記録信号にしか適していない。さらに、
所望の大電流と高逆電圧を扱えるバイポーラスイッチン
グトランジスタは、電界効果トランジスタよりかなりス
イッチイング時間が長い。一方、制御回路22は、2個の
バッファ増幅器30および31を有しており、これら増幅器
は好ましくは例えば74HCl25なる集積回路の同一集積回
路の一部となるようにする。このようにすれば、増幅器
30および31の各遅延時間が略等しくなるという利点があ
るので、前記各スイッチの開成および閉成時刻がよく対
応するようになる。
この第4図に示す実施例は、コンデンサ32がノード13
とコイル18の端子17との間に設けられている点で、前記
第2図の実施例とは異なっている。このコンデンサ32
は、コイル18とコンデサンサ21とを有してなる共振回路
と一緒に、直流成分を除去するためのハイパスフィルタ
を構成している。これによると、単一電源が使用し得る
という利点が得られる。
とコイル18の端子17との間に設けられている点で、前記
第2図の実施例とは異なっている。このコンデンサ32
は、コイル18とコンデサンサ21とを有してなる共振回路
と一緒に、直流成分を除去するためのハイパスフィルタ
を構成している。これによると、単一電源が使用し得る
という利点が得られる。
第4図に示す実施例は、例えばEFM変調信号のような
無直流(dc free)符号化信号を記録する場合に極めて
好適である。このような無直流符号化信号においては、
信号が論理値“1"の場合の平均時間と論理値“0"の場合
の平均時間とが等しくなる。このことは、第4図の実施
例にとって、コイルを介して流れる電流が両電流方向に
対して等しくなるということを意味し、これは、磁界の
強度が両磁化方向に対して等しくなければならない光磁
気記録にとって好ましいことである。
無直流(dc free)符号化信号を記録する場合に極めて
好適である。このような無直流符号化信号においては、
信号が論理値“1"の場合の平均時間と論理値“0"の場合
の平均時間とが等しくなる。このことは、第4図の実施
例にとって、コイルを介して流れる電流が両電流方向に
対して等しくなるということを意味し、これは、磁界の
強度が両磁化方向に対して等しくなければならない光磁
気記録にとって好ましいことである。
次に、第5図は、やはり単一の電源により給電するこ
とができ、無直流法により符号化された信号を記録す
る、本発明による駆動回路の更に他の実施例を含む磁気
変調器を示している。なお、この図において、第2図お
よび第4図における要素と対応する要素には同一の符号
を付してある。
とができ、無直流法により符号化された信号を記録す
る、本発明による駆動回路の更に他の実施例を含む磁気
変調器を示している。なお、この図において、第2図お
よび第4図における要素と対応する要素には同一の符号
を付してある。
この実施例においては、ノード13と端子19が、下記ブ
リッジの対角線上の相対する2つのノードを構成してい
る。この場合、上記ブリッジは、スイッチ11,15とダイ
オード12,16とを有してなる第1の枝路を具備すると共
に、この第1の枝路と同様であってスイッチ11a,15aと
ダイオード12a,16aとを有してなる第2の枝路を具備し
ている。上記スイッチ11および15は制御回路22により前
述したのと同様にして制御され、この制御回路22はこれ
らスイッチ11および15用の制御信号を制御信号Vsから作
成する。また、スイッチ11aおよび15aも上記制御回路22
と同様の制御回路22aにより上記と同様に制御される。
スイッチ11aおよび15a用の制御信号は信号▲ ▼から
作成され、この信号はインバータ40により前記信号Vsか
ら作成される。この実施例の磁界変調器においては、制
御信号Vsの論理値に応じて、対角辺上の相対する2つの
スイッチが閉じると、他の2つのスイッチは開となる。
かくして、界磁コイル18の両端間の電圧は制御信号Vsの
論理値に依存する。
リッジの対角線上の相対する2つのノードを構成してい
る。この場合、上記ブリッジは、スイッチ11,15とダイ
オード12,16とを有してなる第1の枝路を具備すると共
に、この第1の枝路と同様であってスイッチ11a,15aと
ダイオード12a,16aとを有してなる第2の枝路を具備し
ている。上記スイッチ11および15は制御回路22により前
述したのと同様にして制御され、この制御回路22はこれ
らスイッチ11および15用の制御信号を制御信号Vsから作
成する。また、スイッチ11aおよび15aも上記制御回路22
と同様の制御回路22aにより上記と同様に制御される。
スイッチ11aおよび15a用の制御信号は信号▲ ▼から
作成され、この信号はインバータ40により前記信号Vsか
ら作成される。この実施例の磁界変調器においては、制
御信号Vsの論理値に応じて、対角辺上の相対する2つの
スイッチが閉じると、他の2つのスイッチは開となる。
かくして、界磁コイル18の両端間の電圧は制御信号Vsの
論理値に依存する。
先に述べたような利点に加えて、この第5図の実施例
は、遮断時に発生する高誘導電圧が2個のスイッチによ
って分圧されるので、極めて高い誘導電圧を扱うことが
できるという利点を有している。
は、遮断時に発生する高誘導電圧が2個のスイッチによ
って分圧されるので、極めて高い誘導電圧を扱うことが
できるという利点を有している。
次に、第6図は駆動回路の更に他の例を含む磁界変調
器8を示している。この図において、端子10と端子14と
の間には、ダイオード60、nチャンネル電界効果トラン
ジスタ61、ダイオード62およびnチャンネル電界効果ト
ランジスタ63をこの順に含む直列接続回路が設けられて
いる。また、界磁コイル18とコンデンサ21との並列共振
回路はコンデンサ32と共にハイパスフィルタを構成して
おり、このハイパスフィルタはダイオード60とトランジ
スタ61との接続点64と、ダイオード62とトランジスタ63
との接続点65との間に設けられている。
器8を示している。この図において、端子10と端子14と
の間には、ダイオード60、nチャンネル電界効果トラン
ジスタ61、ダイオード62およびnチャンネル電界効果ト
ランジスタ63をこの順に含む直列接続回路が設けられて
いる。また、界磁コイル18とコンデンサ21との並列共振
回路はコンデンサ32と共にハイパスフィルタを構成して
おり、このハイパスフィルタはダイオード60とトランジ
スタ61との接続点64と、ダイオード62とトランジスタ63
との接続点65との間に設けられている。
また、非反転増幅器69と反転増幅器70は、信号Vsから
上記トランジスタ61および63を駆動するための駆動信号
Aおよびを各々作成する。これらの駆動信号は、電界
効果トランジスタ61および63を、これらトランジスタ61
および63のうちの1個だけが交互にオンとなるように、
駆動する。トランジスタ63が導通しトランジスタ61が遮
断しているときは、界磁コイル18は、ダイオード60、界
磁コイル18、コンデンサ32およびトランジス63を含む電
流通路を介して駆動される。もし次いで、トランジスタ
63が遮断しトランジスタ61が導通した場合は、界磁コイ
ル18とコンデンサ21とを含む前記共振回路で過渡現象が
起き、したがって、上記共振回路の共振周期の1/2に対
応する期間にわたって誘導電圧が発生し、この電圧がダ
イオード62を遮断状態に維持する。上記過渡期間の終了
時には界磁コイル18の電流が反転してダイオード62が再
びオンとなるので、コンデンサ32はダイオード62、トラ
ンジスタ61および界磁コイル18を含む回路を介して放電
する。この場合、コンデンサ32の容量は、該コンデンサ
がトランジスタ61および63がスイッチされる周波数に対
して短絡回路と見なされるような値に選定される。も
し、前記駆動信号AおよびがEFM信号を記録する場合
のような無直流信号であるとすれば、これはコンデンサ
32の両端間の電圧が常に端子10および14間の電圧の半分
に略等しいことを意味するから、界磁コイル18を介して
流れる電流は負の値と正の値との間を連続的に変化す
る。この場合、これらの正の電流と負の電流は絶対値が
等しい。このことは、光磁気記録においては重要であ
る。なぜなら、光磁気記録においては、記録中にこのよ
うにして発生される磁界はとり得る両方向において同一
の強度であるべきであるからである。
上記トランジスタ61および63を駆動するための駆動信号
Aおよびを各々作成する。これらの駆動信号は、電界
効果トランジスタ61および63を、これらトランジスタ61
および63のうちの1個だけが交互にオンとなるように、
駆動する。トランジスタ63が導通しトランジスタ61が遮
断しているときは、界磁コイル18は、ダイオード60、界
磁コイル18、コンデンサ32およびトランジス63を含む電
流通路を介して駆動される。もし次いで、トランジスタ
63が遮断しトランジスタ61が導通した場合は、界磁コイ
ル18とコンデンサ21とを含む前記共振回路で過渡現象が
起き、したがって、上記共振回路の共振周期の1/2に対
応する期間にわたって誘導電圧が発生し、この電圧がダ
イオード62を遮断状態に維持する。上記過渡期間の終了
時には界磁コイル18の電流が反転してダイオード62が再
びオンとなるので、コンデンサ32はダイオード62、トラ
ンジスタ61および界磁コイル18を含む回路を介して放電
する。この場合、コンデンサ32の容量は、該コンデンサ
がトランジスタ61および63がスイッチされる周波数に対
して短絡回路と見なされるような値に選定される。も
し、前記駆動信号AおよびがEFM信号を記録する場合
のような無直流信号であるとすれば、これはコンデンサ
32の両端間の電圧が常に端子10および14間の電圧の半分
に略等しいことを意味するから、界磁コイル18を介して
流れる電流は負の値と正の値との間を連続的に変化す
る。この場合、これらの正の電流と負の電流は絶対値が
等しい。このことは、光磁気記録においては重要であ
る。なぜなら、光磁気記録においては、記録中にこのよ
うにして発生される磁界はとり得る両方向において同一
の強度であるべきであるからである。
この第6図に示した磁界変調器は、第4図に示した磁
界変調器がpチャンネル電界効果トランジスタとnチャ
ンネル電界効果トランジスタとを有しているのに対し
て、2個のnチャンネル電界効果トランジスタを有して
なっている。現在入手し得るpチャンネル電界効果トラ
ンジスタにおける熱放散はnチャンネル電界効果トラン
ジスタにおけるものよりかなり大きいので、第6図に示
す実施例の界磁コイル用駆動回路における熱放散は、第
4図に示した実施例におけるよるかなり少なくなる。
界変調器がpチャンネル電界効果トランジスタとnチャ
ンネル電界効果トランジスタとを有しているのに対し
て、2個のnチャンネル電界効果トランジスタを有して
なっている。現在入手し得るpチャンネル電界効果トラ
ンジスタにおける熱放散はnチャンネル電界効果トラン
ジスタにおけるものよりかなり大きいので、第6図に示
す実施例の界磁コイル用駆動回路における熱放散は、第
4図に示した実施例におけるよるかなり少なくなる。
なお、第6図に示す回路を信頼性をもって動作させる
には、トランジスタ61とダイオード62との接続点66をイ
ンピーダンス67を介して定電位点68に接続することが望
ましい。これは、トランジスタ61をオンさせるために
は、同トランジスタのゲート−ソース間電圧を良好に規
定された値にする必要があるためである。もし、インピ
ーダンス67がない場合は、上記ゲート−ソース間電圧
は、ダイオード62が遮断している期間にわたり良好に規
定された値とはならない。また、第6図に示す回路をp
チャンネル電界効果トランジスタを有して構成すること
もできる。この場合、端子10と14との間の電圧の極性は
逆となり、さらに、ダイオード60および62のカソードと
アノードとは入れ換える。
には、トランジスタ61とダイオード62との接続点66をイ
ンピーダンス67を介して定電位点68に接続することが望
ましい。これは、トランジスタ61をオンさせるために
は、同トランジスタのゲート−ソース間電圧を良好に規
定された値にする必要があるためである。もし、インピ
ーダンス67がない場合は、上記ゲート−ソース間電圧
は、ダイオード62が遮断している期間にわたり良好に規
定された値とはならない。また、第6図に示す回路をp
チャンネル電界効果トランジスタを有して構成すること
もできる。この場合、端子10と14との間の電圧の極性は
逆となり、さらに、ダイオード60および62のカソードと
アノードとは入れ換える。
さらに、理論的には、前記コンデンサ21は2個のコン
デンサに置き換えることができる。この場合、これら2
個のコンデンサの一方は前記接続点64と端子14との間に
接続し、他方のコンデンサは界磁コイル18とコンデンサ
32との接続点71と端子14との間に接続する。また、前記
コンデンサ21を前記接続点64と65との間に設けることも
できる。これは、前記コンデンサ32が、スイッチング周
波数に対して短絡回路と見なすことができるからであ
る。
デンサに置き換えることができる。この場合、これら2
個のコンデンサの一方は前記接続点64と端子14との間に
接続し、他方のコンデンサは界磁コイル18とコンデンサ
32との接続点71と端子14との間に接続する。また、前記
コンデンサ21を前記接続点64と65との間に設けることも
できる。これは、前記コンデンサ32が、スイッチング周
波数に対して短絡回路と見なすことができるからであ
る。
次ぎに、第7図は、4個のnチャンネル電界効果トラ
ンジスタ72、73、74、75とブリッジ回路を有する界磁コ
イル駆動回路の例を示す。この図において、界磁コイル
18とコンデンサ21との並列回路は、ブリッジ回路の対角
線上の2個の相対するノードの間に接続され、同ブリッ
ジ回路の他の2個のノードは端子10および14に各々接続
されている。トランジスタ72と接続点76との間にはダイ
オード78が、また、トランジスタ74と接続点77との間に
はダイオード79が各々設けられ、界磁コイル18の電流が
反転する間において端子10および14に接続された直流電
源からの電流供給を禁止するようになっている。この例
においても、低熱放散のnチャンネル電界効果トランジ
スタが用いられているので、回路内での最小の熱放散が
保証される。
ンジスタ72、73、74、75とブリッジ回路を有する界磁コ
イル駆動回路の例を示す。この図において、界磁コイル
18とコンデンサ21との並列回路は、ブリッジ回路の対角
線上の2個の相対するノードの間に接続され、同ブリッ
ジ回路の他の2個のノードは端子10および14に各々接続
されている。トランジスタ72と接続点76との間にはダイ
オード78が、また、トランジスタ74と接続点77との間に
はダイオード79が各々設けられ、界磁コイル18の電流が
反転する間において端子10および14に接続された直流電
源からの電流供給を禁止するようになっている。この例
においても、低熱放散のnチャンネル電界効果トランジ
スタが用いられているので、回路内での最小の熱放散が
保証される。
第1図は、本発明による光磁気記録装置の一実施例を示
す概略構成図、 第2図は、本発明による駆動回路の一実施例を含む磁界
変調器を示す概略構成図、 第3図は、本発明による駆動回路を含む磁界変調器の各
部の信号の波形を示す波形図、 第4図は、本発明による駆動回路の他の実施例を含む磁
界変調器を示す概略構成図、 第5図は、本発明による駆動回路の更に他の実施例を含
む磁界変調器を示す概略構成図、 第6図は、本発明による駆動回路の更に他の実施例を含
む磁界変調器を示す概略構成図、 第7図は、本発明による駆動回路の更に他の例を示す概
略構成図である。 1……光磁気記録装置、4……記録担体、8……磁界変
調器、11、15……スイッチ(電子スイッチ、電界効果ト
ランジスタ)、12、16……整流素子(ダイオード)、18
……界磁コイル、21……コンデンサ、22……制御回路、
32……コンデンサ。
す概略構成図、 第2図は、本発明による駆動回路の一実施例を含む磁界
変調器を示す概略構成図、 第3図は、本発明による駆動回路を含む磁界変調器の各
部の信号の波形を示す波形図、 第4図は、本発明による駆動回路の他の実施例を含む磁
界変調器を示す概略構成図、 第5図は、本発明による駆動回路の更に他の実施例を含
む磁界変調器を示す概略構成図、 第6図は、本発明による駆動回路の更に他の実施例を含
む磁界変調器を示す概略構成図、 第7図は、本発明による駆動回路の更に他の例を示す概
略構成図である。 1……光磁気記録装置、4……記録担体、8……磁界変
調器、11、15……スイッチ(電子スイッチ、電界効果ト
ランジスタ)、12、16……整流素子(ダイオード)、18
……界磁コイル、21……コンデンサ、22……制御回路、
32……コンデンサ。
Claims (9)
- 【請求項1】情報信号を光磁気記録担体に記録する光磁
気記録装置であって、前記記録担体中に磁界を発生する
ための界磁コイルと、この界磁コイルを駆動するための
駆動回路と、前記磁界を前記情報信号に応じて変調する
ために前記駆動回路を前記情報信号に基づいて制御する
制御回路とを具備する光磁気記録装置において、 前記界磁コイルが並列共振回路として構成され、 前記駆動回路が、 前記制御回路により制御されて第1および第2の電流通
路を交互に形成することにより前記界磁コイルをこれら
電流通路を介して正方向電流および負方向電流により交
互に駆動するスイッチと、 前記電流通路のうちの一方が遮断された後前記共振回路
の共振周期の半分に対応する期間にわたり前記界磁コイ
ルへの前記電流通路のうちの他方を介しての電流供給を
禁止するように構成された電流禁止手段と、 を有していることを特徴とする光磁気記録装置。 - 【請求項2】前記電流禁止手段が、前記各電流通路に設
けられた整流素子を有していることを特徴とする請求項
1に記載の光磁気記録装置。 - 【請求項3】前記各電流通路の共通部分に前記並列共振
回路を含むハイパスフィルタを設け、 前記第1の電流通路は、形成された場合に、前記共通部
分を直流源に接続し、前記第2の電流通路は、形成され
た場合に、前記共通部分を短絡するように構成されてい
る、 ことを特徴とする請求項1または2に記載の光磁気記録
装置。 - 【請求項4】前記ハイパスフィルタが、前記界磁コイル
に直列に接続されたコンデンサを有していることを特徴
とする請求項3に記載の光磁気記録装置。 - 【請求項5】前記駆動回路が各ブリッジ辺にスイッチを
具備するブリッジ回路を有し、前記並列共振回路はこの
ブリッジ回路の対角線上の相対する2つのノードの間に
接続され、前記第1の電流通路は前記ブリッジ回路の2
つの相対する対角辺を含み、前記第2の電流通路は前記
ブリッジ回路の他の2つの対角辺を含むことを特徴とす
る請求項1または2に記載の光磁気記録装置。 - 【請求項6】前記スイッチが電界効果トランジスタを有
して構成されていることを特徴とする請求項1ないし5
のいずれかの項に記載の光磁気記録装置。 - 【請求項7】請求項3または4を引用する請求項6に記
載の光磁気記録装置において、 前記駆動回路が、第1の整流素子と、第1の電界効果ト
ランジスタと、第2の整流素子と、前記第1の電界効果
トランジスタに等しいチャンネル型の第2の電界効果ト
ランジスタとをこの順で接続して構成されかつ前記直流
源に接続された直列接続回路を有し、 前記ハイパスフィルタが、前記第1の整流素子と前記第
1の電界効果トランジスタとの接続点と、前記第2の整
流素子と前記第2の電界効果トランジスタとの接続点と
の間に接続され、 前記駆動回路が、更に、前記第1の電界効果トランジス
タと前記第2の整流素子との接続点を定電位点に接続す
るインピーダンスを有していることを特徴とする光磁気
記録装置。 - 【請求項8】前記各電界効果トランジスタがnチャンネ
ル型電界効果トランジスタであることを特徴とする請求
項7に記載の光磁気記録装置。 - 【請求項9】請求項1ないし請求項8の何れか一項に記
載の光磁気記録装置における前記駆動回路と、該駆動回
路により駆動されると共に並列共振回路として構成され
た前記界磁コイルとを有してなる磁界発生回路。
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