JP2976697B2 - 光磁気ディスク用変調磁界発生装置 - Google Patents
光磁気ディスク用変調磁界発生装置Info
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10508—Recording by modulating only the magnetic field at the transducer
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト可能な磁
界変調方式の光磁気記録装置に用いられる変調磁界発生
装置に関するものである。
界変調方式の光磁気記録装置に用いられる変調磁界発生
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子計算機の発達にともない低価
格，大容量の補助記録装置として光磁気ディスクが多く
の分野で期待されている。この光磁気記録装置において
高速のデータ記録を実現するために、各種のオーバーラ
イト方式が提案されている。
格，大容量の補助記録装置として光磁気ディスクが多く
の分野で期待されている。この光磁気記録装置において
高速のデータ記録を実現するために、各種のオーバーラ
イト方式が提案されている。
【０００３】その一つにレーザ光の強度を固定し、バイ
アス磁界の向きを変調して記録を行う磁界変調方式があ
る。このバイアス磁界を変調する方式としては、磁界発
生コイル電流の方向をスイッチング素子等を用いて反転
させる方法がある。
アス磁界の向きを変調して記録を行う磁界変調方式があ
る。このバイアス磁界を変調する方式としては、磁界発
生コイル電流の方向をスイッチング素子等を用いて反転
させる方法がある。
【０００４】以下、図面を参照しながら、上述した従来
の変調磁界発生装置の一例について説明する。図５は従
来の変調磁界発生装置を示すものである。５０１は磁界
発生コイルに定電圧ＶSを与える電圧源である。５０６
はインダクタンスＬ1磁界発生コイルで、光磁気記録媒
体（図示せず）に情報記録用のバイアス磁界を与える。
５０７はＲの値を持つ直流抵抗である。５０２，５０
３，５０４，５０５は磁界発生コイルに流れる電流の方
向を切り替えるトランジスタ等によるスイッチである。
５０８は５０２，５０３，５０４，５０５のスイッチの
オン状態の制御を行なう制御部である。
の変調磁界発生装置の一例について説明する。図５は従
来の変調磁界発生装置を示すものである。５０１は磁界
発生コイルに定電圧ＶSを与える電圧源である。５０６
はインダクタンスＬ1磁界発生コイルで、光磁気記録媒
体（図示せず）に情報記録用のバイアス磁界を与える。
５０７はＲの値を持つ直流抵抗である。５０２，５０
３，５０４，５０５は磁界発生コイルに流れる電流の方
向を切り替えるトランジスタ等によるスイッチである。
５０８は５０２，５０３，５０４，５０５のスイッチの
オン状態の制御を行なう制御部である。
【０００５】以上のように構成された変調磁界発生装置
について、以下その動作を説明する。スイッチ５０２と
５０５をオン，スイッチ５０３と５０４をオフとするこ
とにより、定電圧源５０１からスイッチ５０２，磁界発
生コイル直流抵抗５０７，磁界発生コイル５０６，スイ
ッチ５０５を通って電流が流れ、光磁気記録媒体にバイ
アス磁界を与える。またスイッチ５０３と５０４をオ
ン，スイッチ５０２と５０５をオフにすることにより、
磁界発生コイルには上記と逆方向の電流が流れ、バイア
ス磁界は反転する。この２つの状態を記録データに対応
して切り替えることにより、この装置は変調磁界を発生
する。
について、以下その動作を説明する。スイッチ５０２と
５０５をオン，スイッチ５０３と５０４をオフとするこ
とにより、定電圧源５０１からスイッチ５０２，磁界発
生コイル直流抵抗５０７，磁界発生コイル５０６，スイ
ッチ５０５を通って電流が流れ、光磁気記録媒体にバイ
アス磁界を与える。またスイッチ５０３と５０４をオ
ン，スイッチ５０２と５０５をオフにすることにより、
磁界発生コイルには上記と逆方向の電流が流れ、バイア
ス磁界は反転する。この２つの状態を記録データに対応
して切り替えることにより、この装置は変調磁界を発生
する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような構成では次のような課題を有していた。上記装置
において、磁界発生コイルの電流の向きを切り替えた瞬
間の磁界発生コイル電流は、Ｌ 1／Ｒの時定数で変化す
るので、電流反転にある程度の時間が必要となる。この
時定数のために、この装置では高速の変調磁界の発生は
困難であった。
ような構成では次のような課題を有していた。上記装置
において、磁界発生コイルの電流の向きを切り替えた瞬
間の磁界発生コイル電流は、Ｌ 1／Ｒの時定数で変化す
るので、電流反転にある程度の時間が必要となる。この
時定数のために、この装置では高速の変調磁界の発生は
困難であった。
【０００７】従来例の装置において、電流反転時間を短
縮方法は次の２つがある。 （１）磁界発生コイルのインダクタンスを小さくする （２）磁界発生コイルの直流抵抗を大きくする しかしながら、（１）は光磁気記録媒体に充分な磁場を
加えるためには限界がある。また、（２）は磁界発生コ
イルに充分な電流を流すために必要となる電源電圧ＶS
を高くする必要があり、このために回路の消費電力が大
きくなりシステムを構成することが困難であった。
縮方法は次の２つがある。 （１）磁界発生コイルのインダクタンスを小さくする （２）磁界発生コイルの直流抵抗を大きくする しかしながら、（１）は光磁気記録媒体に充分な磁場を
加えるためには限界がある。また、（２）は磁界発生コ
イルに充分な電流を流すために必要となる電源電圧ＶS
を高くする必要があり、このために回路の消費電力が大
きくなりシステムを構成することが困難であった。
【０００８】本発明は、前記課題に鑑み、低電源電圧，
低消費電力で大きなインダクタンスを持つ磁界発生コイ
ルを高周波で変調できる装置を提供するものである。
低消費電力で大きなインダクタンスを持つ磁界発生コイ
ルを高周波で変調できる装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の変調磁界発生装置は、光磁気記録媒体に記録
用変調磁界を与える第１のコイルと、第１のコイルに流
れる電流を反転させるためのエネルギーを蓄えておく第
２のコイルと、前記第２のコイルを流れる電流を制限す
る電流制限器を有し、第２のコイルに流れる電流を第１
のコイルに方向を切り替えて流す手段を持つ構成を備え
たものである。
に本発明の変調磁界発生装置は、光磁気記録媒体に記録
用変調磁界を与える第１のコイルと、第１のコイルに流
れる電流を反転させるためのエネルギーを蓄えておく第
２のコイルと、前記第２のコイルを流れる電流を制限す
る電流制限器を有し、第２のコイルに流れる電流を第１
のコイルに方向を切り替えて流す手段を持つ構成を備え
たものである。
【００１０】
【作用】本発明は上記した構成によって、第２のコイル
を通じて第１のコイルに電流を流すことによって、第２
のコイルには第１のコイルの電流を反転させるのに必要
なエネルギ−が蓄えられる。この状態から、スイッチン
グ素子等の切り替えにより第１のコイルの接続を反転す
ると第２のコイルに蓄えられたエネルギーは、第１のコ
イルを流れる電流を反転させる方向に働く。これによっ
て、第２のコイルに蓄えたエネルギ−が第１のコイルの
持っていた初期エネルギーよりも充分大きければ、第１
のコイルを流れる電流を急速に反転することが可能とな
る。
を通じて第１のコイルに電流を流すことによって、第２
のコイルには第１のコイルの電流を反転させるのに必要
なエネルギ−が蓄えられる。この状態から、スイッチン
グ素子等の切り替えにより第１のコイルの接続を反転す
ると第２のコイルに蓄えられたエネルギーは、第１のコ
イルを流れる電流を反転させる方向に働く。これによっ
て、第２のコイルに蓄えたエネルギ−が第１のコイルの
持っていた初期エネルギーよりも充分大きければ、第１
のコイルを流れる電流を急速に反転することが可能とな
る。
【００１１】
【実施例】本発明の第１の実施例の変調磁界発生装置に
ついて、図１を参照しながら説明する。図１において、
１０１は磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源、１０
２は電流Ｉsの定電流源、１０３はインダクタンス１０
０μＨの磁界発生コイルの電流を反転させるために必要
なエネルギーを蓄えるコイル、１０４は磁界発生コイル
の直流抵抗、１０５はインダクタンス９．５μＨの磁界
発生コイル、１０６，１０７，１０８，１０９は磁界発
生コイルの電流の方向をコントロールするスイッチング
素子、１１０はスイッチング素子の状態を制御する制御
部である。以上のように構成された変調磁界発生装置に
ついて以下その動作を説明する。
ついて、図１を参照しながら説明する。図１において、
１０１は磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源、１０
２は電流Ｉsの定電流源、１０３はインダクタンス１０
０μＨの磁界発生コイルの電流を反転させるために必要
なエネルギーを蓄えるコイル、１０４は磁界発生コイル
の直流抵抗、１０５はインダクタンス９．５μＨの磁界
発生コイル、１０６，１０７，１０８，１０９は磁界発
生コイルの電流の方向をコントロールするスイッチング
素子、１１０はスイッチング素子の状態を制御する制御
部である。以上のように構成された変調磁界発生装置に
ついて以下その動作を説明する。
【００１２】１０６，１０９がオン，１０７，１０８が
オフの状態で、１０１ー>１０２ー>１０３ー>１０６->１０
４->１０５->１０９とＩsの電流が流れ１０３のコイル
にはエネルギーが蓄積される。この状態で、磁界発生コ
イル１０５からは、Ｉsに比例した磁界が発生する。こ
の状態から１０７，１０８をオンとし１０６，１０９を
オフにすると、電流の経路は１０１ー>１０２ー>１０３ー>
１０７->１０４->１０５->１０８となり、１０３コイル
を流れていた電流は、磁界発生コイル１０５を流れてい
た電流を反転させる方向に加わる。１０３コイルのイン
ダクタンスは１００μＨと磁界発生コイル１０５のイン
ダクタンスよりも十分に大ききいために、磁界発生コイ
ルの電流を急速に反転させる。
オフの状態で、１０１ー>１０２ー>１０３ー>１０６->１０
４->１０５->１０９とＩsの電流が流れ１０３のコイル
にはエネルギーが蓄積される。この状態で、磁界発生コ
イル１０５からは、Ｉsに比例した磁界が発生する。こ
の状態から１０７，１０８をオンとし１０６，１０９を
オフにすると、電流の経路は１０１ー>１０２ー>１０３ー>
１０７->１０４->１０５->１０８となり、１０３コイル
を流れていた電流は、磁界発生コイル１０５を流れてい
た電流を反転させる方向に加わる。１０３コイルのイン
ダクタンスは１００μＨと磁界発生コイル１０５のイン
ダクタンスよりも十分に大ききいために、磁界発生コイ
ルの電流を急速に反転させる。
【００１３】本実施例によって９．５μＨのインダクタ
ンスを持つ磁界発生コイル１０５を駆動電流±１７０ｍ
Ａで駆動したときの電流の反転時間は、８０ｎｓとする
ことができた。従来の装置によって同一の磁界発生コイ
ルを、ほぼ同一の電流および電流反転時間で駆動した場
合、電流の反転時間を８０ｎＳとするために磁界発生コ
イルとの直流抵抗を２７０Ω、駆動電流±１７０ｍＡを
確保するためには４６Ｖの電源電圧が必要で、消費電力
も７．８Ｗ必要となっていた。しかし、本装置では電源
電圧を５Ｖまで低減でき、しかも消費電力が０．８５Ｗ
と大幅低減にすることが可能となった。
ンスを持つ磁界発生コイル１０５を駆動電流±１７０ｍ
Ａで駆動したときの電流の反転時間は、８０ｎｓとする
ことができた。従来の装置によって同一の磁界発生コイ
ルを、ほぼ同一の電流および電流反転時間で駆動した場
合、電流の反転時間を８０ｎＳとするために磁界発生コ
イルとの直流抵抗を２７０Ω、駆動電流±１７０ｍＡを
確保するためには４６Ｖの電源電圧が必要で、消費電力
も７．８Ｗ必要となっていた。しかし、本装置では電源
電圧を５Ｖまで低減でき、しかも消費電力が０．８５Ｗ
と大幅低減にすることが可能となった。
【００１４】本発明の第２の実施例の変調磁界発生装置
について、図２を参照しながら説明する。図２におい
て、２０１は磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源、
２０２は電流Ｉsの定電流源、２０３はインダクタンス
１００μＨの磁界発生コイルの電流を反転させるために
必要なエネルギーを蓄えるコイル、２０４は磁界発生コ
イルの直流抵抗、２０５はインダクタンス９．５μＨの
磁界発生コイル、２０６、２０７、２０８、２０９は磁
界発生コイルの電流の方向をコントロールするスイッチ
ング素子、２１０はスイッチング素子の状態を制御する
制御部、２１１は磁界発生コイル２０５の電流変化時間
を制限する、ダンピング抵抗ＲH である。変調磁界発生
装置の電流反転時間は、記録特性に影響を与えない程度
速ければ良く、ある程度以上は高速にする必要がない。
について、図２を参照しながら説明する。図２におい
て、２０１は磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源、
２０２は電流Ｉsの定電流源、２０３はインダクタンス
１００μＨの磁界発生コイルの電流を反転させるために
必要なエネルギーを蓄えるコイル、２０４は磁界発生コ
イルの直流抵抗、２０５はインダクタンス９．５μＨの
磁界発生コイル、２０６、２０７、２０８、２０９は磁
界発生コイルの電流の方向をコントロールするスイッチ
ング素子、２１０はスイッチング素子の状態を制御する
制御部、２１１は磁界発生コイル２０５の電流変化時間
を制限する、ダンピング抵抗ＲH である。変調磁界発生
装置の電流反転時間は、記録特性に影響を与えない程度
速ければ良く、ある程度以上は高速にする必要がない。
【００１５】しかし、上記第１の実施例においては、磁
界発生コイル１０５の電流反転時間はスイッチング素子
１０６〜１０９のスイッチング時間でほぼ決定され、電
流反転時間を変化させることは困難である。しかも、電
流反転時には変調磁界発生コイルのインダクタンスＬと
電流反転時間で決定される電圧Ｖｔ＝Ｌ・ｄｉ／ｄｔが
スイッチング素子１０６〜１０９に加わることになる。
よって電流反転時間の調整が出来なければ、必要以上に
電流反転時間が速くなりスイッチング素子１０６〜１０
９に必要以上に耐圧の高いスイッチング素子が必要とな
る。この課題を解決するために第２の実施例は、変調磁
界コイル２０５とその直流抵抗２０４と並列にダンピン
グ抵抗２１１を挿入したものである。このダンピング抵
抗２１１は、必要以上に速い電流変化成分をバイパスす
る役割を果たし、変調磁界発生コイルの電流反転時間を
ダンピング抵抗の抵抗値ＲHを変化させることにより簡
単に調整することができる。図６にＲHを変化させた場
合の電流波形を示す。ＲHの調整により自由に電流反転
時間をコントロールすることが可能となっている。ここ
では、ダンピング抵抗ＲHを変調磁界発生コイル２０５
と並列としたが、反転エネルギー蓄積コイル２０３と並
列に挿入しても電流反転時に発生する瞬時電圧を制限で
き同様の効果を得ることができる。
界発生コイル１０５の電流反転時間はスイッチング素子
１０６〜１０９のスイッチング時間でほぼ決定され、電
流反転時間を変化させることは困難である。しかも、電
流反転時には変調磁界発生コイルのインダクタンスＬと
電流反転時間で決定される電圧Ｖｔ＝Ｌ・ｄｉ／ｄｔが
スイッチング素子１０６〜１０９に加わることになる。
よって電流反転時間の調整が出来なければ、必要以上に
電流反転時間が速くなりスイッチング素子１０６〜１０
９に必要以上に耐圧の高いスイッチング素子が必要とな
る。この課題を解決するために第２の実施例は、変調磁
界コイル２０５とその直流抵抗２０４と並列にダンピン
グ抵抗２１１を挿入したものである。このダンピング抵
抗２１１は、必要以上に速い電流変化成分をバイパスす
る役割を果たし、変調磁界発生コイルの電流反転時間を
ダンピング抵抗の抵抗値ＲHを変化させることにより簡
単に調整することができる。図６にＲHを変化させた場
合の電流波形を示す。ＲHの調整により自由に電流反転
時間をコントロールすることが可能となっている。ここ
では、ダンピング抵抗ＲHを変調磁界発生コイル２０５
と並列としたが、反転エネルギー蓄積コイル２０３と並
列に挿入しても電流反転時に発生する瞬時電圧を制限で
き同様の効果を得ることができる。
【００１６】本発明の第３の実施例の変調磁界発生装置
について、図３を参照しながら説明する。図３におい
て、３０１は磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源、
３０２は電流Ｉsの定電流源、３０３はインダクタンス
１００μＨの磁界発生コイルの電流を反転させるために
必要なエネルギーを蓄えるコイル、３０４は磁界発生コ
イルの直流抵抗、３０５はインダクタンス９．５μＨの
磁界発生コイル、３０６，３０７はトランジスターで構
成したスイッチ、３０８，３０９は電界トランジスター
で構成したスイッチ、３１０，３１１はスイッチング素
子３０８，３０９を駆動するための駆動器、３１２，３
１３は３０６，３０７のトランジスターのベース電流を
制限する抵抗、３１４，３１５はベース電流の流れる方
向を規制するダイオード、３１６，３１７はトランジス
ター３０６，３０７の保護用ダイオードである。
について、図３を参照しながら説明する。図３におい
て、３０１は磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源、
３０２は電流Ｉsの定電流源、３０３はインダクタンス
１００μＨの磁界発生コイルの電流を反転させるために
必要なエネルギーを蓄えるコイル、３０４は磁界発生コ
イルの直流抵抗、３０５はインダクタンス９．５μＨの
磁界発生コイル、３０６，３０７はトランジスターで構
成したスイッチ、３０８，３０９は電界トランジスター
で構成したスイッチ、３１０，３１１はスイッチング素
子３０８，３０９を駆動するための駆動器、３１２，３
１３は３０６，３０７のトランジスターのベース電流を
制限する抵抗、３１４，３１５はベース電流の流れる方
向を規制するダイオード、３１６，３１７はトランジス
ター３０６，３０７の保護用ダイオードである。
【００１７】以上のように構成された変調磁界発生装置
について以下その動作を説明する。上記の第１および第
２の実施例に於いては、４個のスイッチング素子を独立
にコントロールしなければならず制御部の構成が複雑と
なる。また、スイッチング素子１０６，１０７（第２の
実施例では２０６，２０７）には、電流の反転時にＬ・
ｄｉ／ｄｔの電圧が加わるためにフォトカップラー等で
駆動部を絶縁する必要があった。この課題を解決するた
めに第３の実施例は、スイッチング素子３０６をスイッ
チング素子３０９で、スイッチング素子３０７をスイッ
チング素子３０８でオンオフする構成としたものであ
る。つまり、スイッチング素子３０９がオンとなるとト
ランジスター３０６には抵抗３１２を通してベース電流
が供給されるために、トランジスター３０６はオンとな
り、スイッチング素子３０９がオフとなるとトランジス
ター３０６のベース電流が遮断されるために、トランジ
スター３０６はオフとなる。
について以下その動作を説明する。上記の第１および第
２の実施例に於いては、４個のスイッチング素子を独立
にコントロールしなければならず制御部の構成が複雑と
なる。また、スイッチング素子１０６，１０７（第２の
実施例では２０６，２０７）には、電流の反転時にＬ・
ｄｉ／ｄｔの電圧が加わるためにフォトカップラー等で
駆動部を絶縁する必要があった。この課題を解決するた
めに第３の実施例は、スイッチング素子３０６をスイッ
チング素子３０９で、スイッチング素子３０７をスイッ
チング素子３０８でオンオフする構成としたものであ
る。つまり、スイッチング素子３０９がオンとなるとト
ランジスター３０６には抵抗３１２を通してベース電流
が供給されるために、トランジスター３０６はオンとな
り、スイッチング素子３０９がオフとなるとトランジス
ター３０６のベース電流が遮断されるために、トランジ
スター３０６はオフとなる。
【００１８】また、トランジスター３０７も同様の動作
を行うので、この構成によって制御部はスイッチング素
子３０８，３０９を制御するだけで、トランジスター３
０６，３０７も同時に制御でき、制御部の構成を簡単に
することができる。また、トランジスター３０６，３０
７のオン・オフがベースのキャリア蓄積効果等で遅れた
場合、トランジスター３０６，３０７のコレクターに加
わる逆電圧からトランジスター３０６，３０７を保護す
るためにダイオード３１６，３１７を挿入してある。
を行うので、この構成によって制御部はスイッチング素
子３０８，３０９を制御するだけで、トランジスター３
０６，３０７も同時に制御でき、制御部の構成を簡単に
することができる。また、トランジスター３０６，３０
７のオン・オフがベースのキャリア蓄積効果等で遅れた
場合、トランジスター３０６，３０７のコレクターに加
わる逆電圧からトランジスター３０６，３０７を保護す
るためにダイオード３１６，３１７を挿入してある。
【００１９】本発明の第４の実施例の変調磁界発生装置
について、図４を参照しながら説明する。図４におい
て、４０１は磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源、
４０３はインダクタンス１００μＨの磁界発生コイルの
電流を反転させるために必要なエネルギーを蓄えるコイ
ル、４０４は磁界発生コイルの直流抵抗、４０５はイン
ダクタンス９．５μＨの磁界発生コイル、４０６，４０
７はトランジスターで構成したスイッチ、４０８，４０
９は電界トランジスターで構成したスイッチ、４１０，
４１１はスイッチング素子４０８，４０９を駆動するた
めの駆動器、４１２，４１３は４０６，４０７のトラン
ジスターのベース電流を制限する抵抗、４１４，４１５
はベース電流の流れる方向を規制するダイオード、４２
２，４２３はトランジスター４０６，４０７の保護用ダ
イオード、４１８，４１９，４２０，４２１はトランジ
スター４０６，４０７にバイアス電圧を加えるダイオー
ド、４２２，４２３はトランジスター４０６，４０７の
エミッター電流を制限する抵抗である。
について、図４を参照しながら説明する。図４におい
て、４０１は磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源、
４０３はインダクタンス１００μＨの磁界発生コイルの
電流を反転させるために必要なエネルギーを蓄えるコイ
ル、４０４は磁界発生コイルの直流抵抗、４０５はイン
ダクタンス９．５μＨの磁界発生コイル、４０６，４０
７はトランジスターで構成したスイッチ、４０８，４０
９は電界トランジスターで構成したスイッチ、４１０，
４１１はスイッチング素子４０８，４０９を駆動するた
めの駆動器、４１２，４１３は４０６，４０７のトラン
ジスターのベース電流を制限する抵抗、４１４，４１５
はベース電流の流れる方向を規制するダイオード、４２
２，４２３はトランジスター４０６，４０７の保護用ダ
イオード、４１８，４１９，４２０，４２１はトランジ
スター４０６，４０７にバイアス電圧を加えるダイオー
ド、４２２，４２３はトランジスター４０６，４０７の
エミッター電流を制限する抵抗である。
【００２０】以上のように構成された変調磁界発生装置
について以下その動作を説明する。本実施例は、第３の
実施例のスイッチング用トランジスター３０６，３０７
に定電流機能を付加したものである。スイッチング素子
４０９がオフの場合には、トランジスター４０６には電
流は流れない。スイッチング素子４０９がオンになる
と、トランジスター４０６にはダイオード４１６と４１
７によりバイアス電圧ＶEが加わりトランジスター４０
６には電流が流れる。このときの電流値ＩEは、トラン
ジスター４０６のベース・エミッター電圧をＶBE、４１
２の抵抗値をＲE とするとＩE＝（ＶB−ＶBE）／ＲEとな
る。これはトランジスター４０７についても同様であ
る。
について以下その動作を説明する。本実施例は、第３の
実施例のスイッチング用トランジスター３０６，３０７
に定電流機能を付加したものである。スイッチング素子
４０９がオフの場合には、トランジスター４０６には電
流は流れない。スイッチング素子４０９がオンになる
と、トランジスター４０６にはダイオード４１６と４１
７によりバイアス電圧ＶEが加わりトランジスター４０
６には電流が流れる。このときの電流値ＩEは、トラン
ジスター４０６のベース・エミッター電圧をＶBE、４１
２の抵抗値をＲE とするとＩE＝（ＶB−ＶBE）／ＲEとな
る。これはトランジスター４０７についても同様であ
る。
【００２１】つまり、変調磁界発生コイル４０５に流れ
る電流をトランジスター４０６，４０７に制限させる機
能を付加したものである。第３の実施例ではトランジス
ター３０６，３０７が飽和状態でスイッチング動作を行
うためにキャリア蓄積効果の少ないトランジスターを用
いる必要があり、最高動作周波数が制限されていたが、
本実施例ではトランジスター４０６，４０７が飽和状態
で動作しないためにさらに高い周波数での動作が可能と
なる。
る電流をトランジスター４０６，４０７に制限させる機
能を付加したものである。第３の実施例ではトランジス
ター３０６，３０７が飽和状態でスイッチング動作を行
うためにキャリア蓄積効果の少ないトランジスターを用
いる必要があり、最高動作周波数が制限されていたが、
本実施例ではトランジスター４０６，４０７が飽和状態
で動作しないためにさらに高い周波数での動作が可能と
なる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明は、光磁気記録媒体
に記録用変調磁界を与える第１のコイルに流れる電流を
反転させるためのエネルギーを蓄えておく第２のコイル
と、前記第２のコイルを流れる電流を制限する電流制限
器を有し、第２のコイルに流れる電流を第１のコイルに
方向を切り替えて流す手段を設けることにより、低駆動
電圧，低消費電力でかつ高周波の変調磁界を発生できる
装置を提供するものである。
に記録用変調磁界を与える第１のコイルに流れる電流を
反転させるためのエネルギーを蓄えておく第２のコイル
と、前記第２のコイルを流れる電流を制限する電流制限
器を有し、第２のコイルに流れる電流を第１のコイルに
方向を切り替えて流す手段を設けることにより、低駆動
電圧，低消費電力でかつ高周波の変調磁界を発生できる
装置を提供するものである。
【図１】本発明の第１の実施例に於ける回路図
【図２】本発明の第２の実施例に於ける回路図
【図３】本発明の第３の実施例に於ける回路図
【図４】本発明の第４の実施例に於ける回路図
【図５】従来の変調磁界発生装置の回路図
【図６】本発明の第２の実施例に於けるダンピング抵抗
による電流波形図
による電流波形図
１０１ 磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源 １０２ 電流Ｉsの定電流源 １０３ 電流を反転させるために必要なエネルギーを蓄
えるコイル １０４ 磁界発生コイルの直流抵抗 １０５ 磁界発生コイル １０６ スイッチング素子 １０７ スイッチング素子 １０８ スイッチング素子 １０９ スイッチング素子 １１０ スイッチング素子の状態を制御する制御部 ２０１ 磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源 ２０２ 電流Ｉsの定電流源 ２０３ 電流を反転させるために必要なエネルギーを蓄
えるコイル ２０４ 磁界発生コイルの直流抵抗 ２０５ 磁界発生コイル ２０６ スイッチング素子 ２０７ スイッチング素子 ２０８ スイッチング素子 ２０９ スイッチング素子 ２１０ スイッチング素子の状態を制御する制御部 ２１１ ダンピング抵抗 ３０１ 磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源 ３０２ 電流Ｉsの定電流源 ３０３ 電流を反転させるために必要なエネルギーを蓄
えるコイル ３０４ 磁界発生コイルの直流抵抗 ３０５ 磁界発生コイル ３０６ トランジスターで構成したスイッチ ３０７ トランジスターで構成したスイッチ ３０８ 電界トランジスターで構成したスイッチ ３０９ 電界トランジスターで構成したスイッチ ３１０ スイッチング素子３０８を駆動するための駆動
器 ３１１ スイッチング素子３０９を駆動するための駆動
器 ３１２ ３０６のトランジスターのベース電流を制限す
る抵抗 ３１３ ３０７のトランジスターのベース電流を制限す
る抵抗 ３１４ ベース電流の流れる方向を規制するダイオード ３１５ ベース電流の流れる方向を規制するダイオード ３１６ トランジスター３０６の保護用ダイオード ３１７ トランジスター３０７の保護用ダイオード ４０１ 磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源 ４０３ 電流を反転させるために必要なエネルギーを蓄
えるコイル ４０４ 磁界発生コイルの直流抵抗 ４０５ 磁界発生コイル ４０６ トランジスターで構成したスイッチ ４０７ トランジスターで構成したスイッチ ４０８ 電界トランジスターで構成したスイッチ ４０９ 電界トランジスターで構成したスイッチ ４１０ スイッチング素子３０８を駆動するための駆動
器 ４１１ スイッチング素子３０９を駆動するための駆動
器 ４１２ ３０６のトランジスターのベース電流を制限す
る抵抗 ４１３ ３０７のトランジスターのベース電流を制限す
る抵抗 ４１４ ベース電流の流れる方向を規制するダイオード ４１５ ベース電流の流れる方向を規制するダイオード ４１６ トランジスター３０６の保護用ダイオード ４１７ トランジスター３０７の保護用ダイオード ４１８ トランジスター４０６にバイアス電圧を加える
ダイオード ４１９ トランジスター４０６にバイアス電圧を加える
ダイオード ４２０ トランジスター４０７にバイアス電圧を加える
ダイオード ４２１ トランジスター４０７にバイアス電圧を加える
ダイオード ４２２ トランジスター４０６のエミッター電流を制限
する抵抗 ４２３ トランジスター４０７のエミッター電流を制限
する抵抗
えるコイル １０４ 磁界発生コイルの直流抵抗 １０５ 磁界発生コイル １０６ スイッチング素子 １０７ スイッチング素子 １０８ スイッチング素子 １０９ スイッチング素子 １１０ スイッチング素子の状態を制御する制御部 ２０１ 磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源 ２０２ 電流Ｉsの定電流源 ２０３ 電流を反転させるために必要なエネルギーを蓄
えるコイル ２０４ 磁界発生コイルの直流抵抗 ２０５ 磁界発生コイル ２０６ スイッチング素子 ２０７ スイッチング素子 ２０８ スイッチング素子 ２０９ スイッチング素子 ２１０ スイッチング素子の状態を制御する制御部 ２１１ ダンピング抵抗 ３０１ 磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源 ３０２ 電流Ｉsの定電流源 ３０３ 電流を反転させるために必要なエネルギーを蓄
えるコイル ３０４ 磁界発生コイルの直流抵抗 ３０５ 磁界発生コイル ３０６ トランジスターで構成したスイッチ ３０７ トランジスターで構成したスイッチ ３０８ 電界トランジスターで構成したスイッチ ３０９ 電界トランジスターで構成したスイッチ ３１０ スイッチング素子３０８を駆動するための駆動
器 ３１１ スイッチング素子３０９を駆動するための駆動
器 ３１２ ３０６のトランジスターのベース電流を制限す
る抵抗 ３１３ ３０７のトランジスターのベース電流を制限す
る抵抗 ３１４ ベース電流の流れる方向を規制するダイオード ３１５ ベース電流の流れる方向を規制するダイオード ３１６ トランジスター３０６の保護用ダイオード ３１７ トランジスター３０７の保護用ダイオード ４０１ 磁界発生コイルに電圧を与える定電圧源 ４０３ 電流を反転させるために必要なエネルギーを蓄
えるコイル ４０４ 磁界発生コイルの直流抵抗 ４０５ 磁界発生コイル ４０６ トランジスターで構成したスイッチ ４０７ トランジスターで構成したスイッチ ４０８ 電界トランジスターで構成したスイッチ ４０９ 電界トランジスターで構成したスイッチ ４１０ スイッチング素子３０８を駆動するための駆動
器 ４１１ スイッチング素子３０９を駆動するための駆動
器 ４１２ ３０６のトランジスターのベース電流を制限す
る抵抗 ４１３ ３０７のトランジスターのベース電流を制限す
る抵抗 ４１４ ベース電流の流れる方向を規制するダイオード ４１５ ベース電流の流れる方向を規制するダイオード ４１６ トランジスター３０６の保護用ダイオード ４１７ トランジスター３０７の保護用ダイオード ４１８ トランジスター４０６にバイアス電圧を加える
ダイオード ４１９ トランジスター４０６にバイアス電圧を加える
ダイオード ４２０ トランジスター４０７にバイアス電圧を加える
ダイオード ４２１ トランジスター４０７にバイアス電圧を加える
ダイオード ４２２ トランジスター４０６のエミッター電流を制限
する抵抗 ４２３ トランジスター４０７のエミッター電流を制限
する抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/02 G11B 11/10
Claims (5)
- 【請求項１】光磁気記録媒体に記録用の変調磁界を与え
る第１のコイルと、第２のコイルと、前記第１のコイル
に並列に接続された抵抗と、前記第１のコイルに流れる
電流を反転させるための第１のスイッチング素子と第２
のスイッチング素子と第３のスイッチング素子と第４の
スイッチング素子とを有し、前記第２のコイルと前記第
１のスイッチング素子と前記第１のコイルと前記第４の
スイッチング素子に電流が流れている状態と、前記第２
のコイルと前記第２のスイッチング素子と前記第１のコ
イルと前記第３のスイッチング素子に電流が流れている
状態とを切り替えることにより前記第１のコイルに流れ
る電流を反転させる電流方向切り替え手段を有する変調
磁界発生装置。 - 【請求項２】光磁気記録媒体に記録用変調磁界を与える
第１のコイルと、前記第１のコイルに並列に接続された
抵抗と、前記第１のコイルに流れる電流を反転させる為
のエネルギーを蓄えておく第２のコイルと、前記第２の
コイルに流れる電流を制限する電流制限器を有し、前記
第２のコイルに流れる電流を前記第１のコイルに方向を
切り替えて流す手段を持つことを特徴とする変調磁界発
生装置。 - 【請求項３】光磁気記録媒体に記録用の変調磁界を与え
る第１のコイルと、第２のコイルと、前記第１のコイル
に流れる電流を反転させるための第１のスイッチング素
子と第２のスイッチング素子と第３のスイッチング素子
と第４のスイッチング素子とを有し、前記第２のコイル
と前記第１のスイッチング素子と前記第１のコイルと前
記第４のスイッチング素子に電流が流れている状態と、
前記第２のコイルと前記第２のスイッチング素子と前記
第１のコイルと前記第３のスイッチング素子に電流が流
れている状態とを切り替えることにより前記第１のコイ
ルに流れる電流を反転させる電流方向切り替え手段とを
有し、前記第４のスイッチング素子の導通により前記第
１のスイッチング素子が導通し、前記第３のスイッチン
グ素子の導通により前記第２のスイッチング素子が導通
することを特徴とする変調磁界発生装置。 - 【請求項４】光磁気記録媒体に記録用の変調磁界を与え
る第１のコイルと、第２のコイルと、前記第１のコイル
に流れる電流を反転させるための第１のスイッチング素
子と第２のスイッチング素子と第３のスイッチング素子
と第４のスイッ チング素子とを有し、前記第２のコイル
と前記第１のスイッチング素子と前記第１のコイルと前
記第４のスイッチング素子に電流が流れている状態と、
前記第２のコイルと前記第２のスイッチング素子と前記
第１のコイルと前記第３のスイッチング素子に電流が流
れている状態とを切り替えることにより前記第１のコイ
ルに流れる電流を反転させる電流方向切り替え手段とを
有し、前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッ
チング素子、もしくは前記第３のスイッチング素子と前
記第４のスイッチング素子が、オン状態において電流を
制限するスイッチング素子で構成されたことを特徴とす
る変調磁界発生装置。 - 【請求項５】光磁気記録媒体に記録用の変調磁界を与え
る第１のコイルと、第２のコイルと、前記第１のコイル
に流れる電流を反転させるための第１のスイッチング素
子と第２のスイッチング素子と第３のスイッチング素子
と第４のスイッチング素子とを有し、前記第２のコイル
と前記第１のスイッチング素子と前記第１のコイルと前
記第４のスイッチング素子に電流が流れている状態と、
前記第２のコイルと前記第２のスイッチング素子と前記
第１のコイルと前記第３のスイッチング素子に電流が流
れている状態とを切り替えることにより前記第１のコイ
ルに流れる電流を反転させる電流方向切り替え手段とを
有し、前記第１のスイッチング素子、前記第２のスイッ
チング素子、前記第３のスイッチング素子、前記第４の
スイッチング素子のうちのすくなくとも１つを保護する
ためのダイオードを設けたことを特徴とする変調磁界発
生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138360A JP2976697B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 光磁気ディスク用変調磁界発生装置 |
| US08/069,155 US5377172A (en) | 1992-05-29 | 1993-05-28 | Modulated magnetic field generation circuit for magneto-optical disks |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138360A JP2976697B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 光磁気ディスク用変調磁界発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05334605A JPH05334605A (ja) | 1993-12-17 |
| JP2976697B2 true JP2976697B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=15220118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4138360A Expired - Fee Related JP2976697B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 光磁気ディスク用変調磁界発生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5377172A (ja) |
| JP (1) | JP2976697B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3107265B2 (ja) * | 1993-08-06 | 2000-11-06 | キヤノン株式会社 | 磁気ヘッド駆動装置及び磁気記録装置 |
| JP3573997B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2004-10-06 | 三洋電機株式会社 | 磁気ヘッド駆動回路および磁気記録装置 |
| JP2001076394A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録方法及び装置 |
| JP2001084505A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Fujitsu Ltd | 電流ドライバ回路 |
| JP2001176142A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Canon Inc | 磁気ヘッド駆動回路及び光磁気記録装置 |
| US8159780B2 (en) * | 2009-07-15 | 2012-04-17 | Seagate Technology Llc | Recording head heater systems with two electrical connections |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6048806A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 回転式棚設備 |
| JP2682621B2 (ja) * | 1987-03-03 | 1997-11-26 | オリンパス光学工業株式会社 | バイアス磁界異常検出装置 |
| US5020041A (en) * | 1987-03-06 | 1991-05-28 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical memory apparatus having a floating magnetic head |
| JPH0833974B2 (ja) * | 1987-08-19 | 1996-03-29 | ソニー株式会社 | 磁気ヘッド駆動回路 |
| DE3883342T2 (de) * | 1987-10-14 | 1994-03-10 | Philips Nv | Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung und Betätigungsschaltung zur Anwendung in derartigen, magnetooptischen Aufzeichnungsvorrichtungen. |
| DE3836125A1 (de) * | 1988-10-22 | 1990-05-03 | Thomson Brandt Gmbh | Schaltungsanordnung zur umkehrung eines magnetfeldes |
| JPH02132603A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気ディスクの初期化方法 |
| DE3907057A1 (de) * | 1989-03-04 | 1990-09-13 | Thomson Brandt Gmbh | Schaltungsanordnung zur umkehrung eines magnetfeldes |
| FR2647940B1 (fr) * | 1989-06-02 | 1994-03-04 | Thomson Csf | Circuit de commande de modulation du champ magnetique pour l'enregistrement d'une memoire magneto-optique |
| US5189567A (en) * | 1991-08-26 | 1993-02-23 | Eastman Kodak Company | High speed switching circuit for controlling current flow in a bridge circuit coil for use in a magneto-optic direct overwrite system |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4138360A patent/JP2976697B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-05-28 US US08/069,155 patent/US5377172A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05334605A (ja) | 1993-12-17 |
| US5377172A (en) | 1994-12-27 |
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|---|---|---|---|
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