JP2001176142A - 磁気ヘッド駆動回路及び光磁気記録装置 - Google Patents
磁気ヘッド駆動回路及び光磁気記録装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録停止時に電磁誘導により補助コイルが高
電圧を発生するので高耐圧のスイッチ素子を使用すると
オン抵抗の増加によって消費電力が増大し、記録速度を
向上できない。 【解決手段】 情報信号の記録中はスイッチ素子１３
ａ、１３ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を記録すべき情報信号に
応じて切り換え制御し、補助コイル１５ａ、１５ｂを経
る電流の経路を記録すべき情報信号によって切り換える
ことによって磁界発生用コイル１２に供給する電流を切
り換え、情報信号の記録を停止する際にはスイッチ素子
１３ａ、１３ｂをＯＮ状態に保持し、その後、情報信号
の記録中よりも緩やかにスイッチ素子をＯＮ状態からＯ
ＦＦ状態に切り換えることによって補助コイル１５ａ、
１５ｂの電流を徐々に低下させる。
電圧を発生するので高耐圧のスイッチ素子を使用すると
オン抵抗の増加によって消費電力が増大し、記録速度を
向上できない。 【解決手段】 情報信号の記録中はスイッチ素子１３
ａ、１３ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を記録すべき情報信号に
応じて切り換え制御し、補助コイル１５ａ、１５ｂを経
る電流の経路を記録すべき情報信号によって切り換える
ことによって磁界発生用コイル１２に供給する電流を切
り換え、情報信号の記録を停止する際にはスイッチ素子
１３ａ、１３ｂをＯＮ状態に保持し、その後、情報信号
の記録中よりも緩やかにスイッチ素子をＯＮ状態からＯ
ＦＦ状態に切り換えることによって補助コイル１５ａ、
１５ｂの電流を徐々に低下させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッドに設け
られた磁界発生用コイルに情報信号を記録するための電
流を供給する磁気ヘッド駆動回路、及び磁気ヘッド駆動
回路から磁気ヘッドに設けられた磁界発生用コイルに電
流を供給することにより磁気ヘッドに情報信号に応じて
方向や強度が切り換えられる磁界を発生させ、この磁界
を光磁気記録媒体に印加すると同時に、光ヘッドによっ
て磁界の印加部位に集束するように記録用光ビームを照
射することによって情報信号の記録を行う光磁気記録装
置に関するものである。
られた磁界発生用コイルに情報信号を記録するための電
流を供給する磁気ヘッド駆動回路、及び磁気ヘッド駆動
回路から磁気ヘッドに設けられた磁界発生用コイルに電
流を供給することにより磁気ヘッドに情報信号に応じて
方向や強度が切り換えられる磁界を発生させ、この磁界
を光磁気記録媒体に印加すると同時に、光ヘッドによっ
て磁界の印加部位に集束するように記録用光ビームを照
射することによって情報信号の記録を行う光磁気記録装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ヘッドによって光磁気記録媒
体に情報信号に応じて方向や強度を切り換えて磁界を印
加し、同時に光ヘッドによって磁界の印加部位に集束す
るように記録用光ビームを照射することによって光磁気
記録媒体に磁化の状態が変化する磁化領域を形成して情
報信号を記録する光磁気記録装置が知られている。特開
昭６３−９４４０６号公報には、このような光磁気記録
装置に使用され、磁気ヘッドに設けられた磁界発生用コ
イルに情報信号を記録するための電流を供給する磁気ヘ
ッド駆動回路の一例が示されている。
体に情報信号に応じて方向や強度を切り換えて磁界を印
加し、同時に光ヘッドによって磁界の印加部位に集束す
るように記録用光ビームを照射することによって光磁気
記録媒体に磁化の状態が変化する磁化領域を形成して情
報信号を記録する光磁気記録装置が知られている。特開
昭６３−９４４０６号公報には、このような光磁気記録
装置に使用され、磁気ヘッドに設けられた磁界発生用コ
イルに情報信号を記録するための電流を供給する磁気ヘ
ッド駆動回路の一例が示されている。
【０００３】図４は上記公報に記載された磁気ヘッド駆
動回路の構成を示す。ここで３０は磁気ヘッドに設けら
れた磁界発生用コイル、３１ａ，３１ｂはスイッチ素
子、３２ａ，３２ｂは補助コイル、３３ａ，３３ｂは直
流電源である。情報信号の記録を行う場合はスイッチ素
子３１ａ及び３１ｂを情報信号に応じて交互にＯＮ／Ｏ
ＦＦする。スイッチ素子３１ａがＯＮでスイッチ素子３
１ｂがＯＦＦである時は直流電源３３ａから補助コイル
３２ａを経て磁界発生用コイル３０、スイッチ素子３１
ａに電流が供給される。同時に直流電源３３ｂから補助
コイル３２ｂを経てスイッチ素子３１ａに電流が供給さ
れる。
動回路の構成を示す。ここで３０は磁気ヘッドに設けら
れた磁界発生用コイル、３１ａ，３１ｂはスイッチ素
子、３２ａ，３２ｂは補助コイル、３３ａ，３３ｂは直
流電源である。情報信号の記録を行う場合はスイッチ素
子３１ａ及び３１ｂを情報信号に応じて交互にＯＮ／Ｏ
ＦＦする。スイッチ素子３１ａがＯＮでスイッチ素子３
１ｂがＯＦＦである時は直流電源３３ａから補助コイル
３２ａを経て磁界発生用コイル３０、スイッチ素子３１
ａに電流が供給される。同時に直流電源３３ｂから補助
コイル３２ｂを経てスイッチ素子３１ａに電流が供給さ
れる。
【０００４】一方、スイッチ素子３１ａがＯＦＦ、スイ
ッチ素子３１ｂがＯＮである時は直流電源３３ｂから補
助コイル３２ｂを経て磁界発生用コイル３０、スイッチ
素子３１ｂに電流が供給される。同時に直流電源３３ａ
から補助コイル３２ａを経てスイッチ素子３１ｂに電流
が供給される。ここで、補助コイル３２ａ及び３２ｂは
磁界発生用コイル３０よりもそのインダクタンスが十分
に大きく、情報信号の記録中はスイッチ素子３１ａ，３
１ｂの状態にかかわらず補助コイル３２ａの電流Ｉａ及
び補助コイル３２ｂの電流Ｉｂはそれぞれ略一定値Ｉｓ
に保たれる。例えば、電流Ｉｓは０．１５Ａ程度であ
る。ただし、スイッチ素子３１ａがＯＮからＯＦＦに切
り換わる時点で補助コイル３２ｂの電流ＩｂはΔＩほど
減少し、スイッチ素子３１ｂがＯＮからＯＦＦに切り換
わる時点で補助コイル３２ａの電流ＩａはΔＩほど低下
する。この電流の低下ΔＩは、Ｉｓに比較すると十分に
小さい。
ッチ素子３１ｂがＯＮである時は直流電源３３ｂから補
助コイル３２ｂを経て磁界発生用コイル３０、スイッチ
素子３１ｂに電流が供給される。同時に直流電源３３ａ
から補助コイル３２ａを経てスイッチ素子３１ｂに電流
が供給される。ここで、補助コイル３２ａ及び３２ｂは
磁界発生用コイル３０よりもそのインダクタンスが十分
に大きく、情報信号の記録中はスイッチ素子３１ａ，３
１ｂの状態にかかわらず補助コイル３２ａの電流Ｉａ及
び補助コイル３２ｂの電流Ｉｂはそれぞれ略一定値Ｉｓ
に保たれる。例えば、電流Ｉｓは０．１５Ａ程度であ
る。ただし、スイッチ素子３１ａがＯＮからＯＦＦに切
り換わる時点で補助コイル３２ｂの電流ＩｂはΔＩほど
減少し、スイッチ素子３１ｂがＯＮからＯＦＦに切り換
わる時点で補助コイル３２ａの電流ＩａはΔＩほど低下
する。この電流の低下ΔＩは、Ｉｓに比較すると十分に
小さい。
【０００５】このようにしてスイッチ素子３１ａ及び３
１ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を交互に切り換えることによっ
て、磁界発生用コイル３０に補助コイル３２ａを経る電
流と、補助コイル３２ｂを経る電流が交互に供給され
る。これにより、磁界発生用コイル３０には情報信号に
よって方向が交互に切り換えられ、振幅が略±Ｉｓの電
流が供給される。また、補助コイル３２ｂとスイッチ素
子３１ａの接続点Ｑａの電圧ＶＱａ及び補助コイル３２
ａとスイッチ素子３１ｂの接続点Ｑｂの電圧ＶＱｂは、
補助コイル３２ａ及び３２ｂの電流のΔＩほどの低下に
伴い電磁誘導によってパルス状に変化する。磁界発生用
コイル３０の電流Ｉｈの切り換え時の変化の速度が最大
で０．０１５Ａ／ｎｓとなるようにした場合には、この
パルス状の電圧のピーク値Ｖｐ１は１５Ｖ程度である。
１ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を交互に切り換えることによっ
て、磁界発生用コイル３０に補助コイル３２ａを経る電
流と、補助コイル３２ｂを経る電流が交互に供給され
る。これにより、磁界発生用コイル３０には情報信号に
よって方向が交互に切り換えられ、振幅が略±Ｉｓの電
流が供給される。また、補助コイル３２ｂとスイッチ素
子３１ａの接続点Ｑａの電圧ＶＱａ及び補助コイル３２
ａとスイッチ素子３１ｂの接続点Ｑｂの電圧ＶＱｂは、
補助コイル３２ａ及び３２ｂの電流のΔＩほどの低下に
伴い電磁誘導によってパルス状に変化する。磁界発生用
コイル３０の電流Ｉｈの切り換え時の変化の速度が最大
で０．０１５Ａ／ｎｓとなるようにした場合には、この
パルス状の電圧のピーク値Ｖｐ１は１５Ｖ程度である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記公報に
記載されているような磁気ヘッド駆動回路においては、
情報信号の記録を行わない場合は磁気ヘッドは磁界を発
生する必要はないので、直流電流源１７からの電流供給
は行わないようにすることによって消費電力を低減する
のが望ましい。そのためには情報信号の記録を行わない
時にはスイッチ素子３１ａ及び３１ｂともにＯＦＦ状態
とする必要がある。
記載されているような磁気ヘッド駆動回路においては、
情報信号の記録を行わない場合は磁気ヘッドは磁界を発
生する必要はないので、直流電流源１７からの電流供給
は行わないようにすることによって消費電力を低減する
のが望ましい。そのためには情報信号の記録を行わない
時にはスイッチ素子３１ａ及び３１ｂともにＯＦＦ状態
とする必要がある。
【０００７】ところが、情報信号の記録を停止すると同
時にスイッチ素子３１ａ及び３１ｂをともにＯＦＦした
とすると、補助コイル３２ａの電流Ｉｓ及び補助コイル
３２ｂの電流ＩｂはともにＩｓから０まで低下する。従
来、スイッチ素子３１ａ及び３１ｂをともにＯＦＦする
際の動作については特別な配慮はなされておらず、この
電流Ｉａ及び電流Ｉｂの低下の速度は情報信号の記録中
における磁界発生用コイル３０の電流Ｉｈの切り換え時
の変化の速度と同程度であった。ここで、このような補
助コイル３２ａの電流Ｉａ及び補助コイル３２ｂの電流
Ｉｂの低下に伴う電磁誘導によって、接続点Ｑａの電圧
ＶＱａ及び接続点Ｑｂの電圧ＶＱｂは一時的に増大す
る。
時にスイッチ素子３１ａ及び３１ｂをともにＯＦＦした
とすると、補助コイル３２ａの電流Ｉｓ及び補助コイル
３２ｂの電流ＩｂはともにＩｓから０まで低下する。従
来、スイッチ素子３１ａ及び３１ｂをともにＯＦＦする
際の動作については特別な配慮はなされておらず、この
電流Ｉａ及び電流Ｉｂの低下の速度は情報信号の記録中
における磁界発生用コイル３０の電流Ｉｈの切り換え時
の変化の速度と同程度であった。ここで、このような補
助コイル３２ａの電流Ｉａ及び補助コイル３２ｂの電流
Ｉｂの低下に伴う電磁誘導によって、接続点Ｑａの電圧
ＶＱａ及び接続点Ｑｂの電圧ＶＱｂは一時的に増大す
る。
【０００８】補助コイル３１ａ及び３２ａのインダクタ
ンスをＬとし、電流の変化速度をｄＩｘ／ｄｔとすると
（ただし、Ｉｘは補助コイル３２ａの電流Ｉａまたは補
助コイル３２ｂの電流Ｉｂ）、電圧ＶＱａ及びＶＱｂは
略−Ｌ・ｄＩｘ／ｄｔに一致する。例えば、Ｌを５０μ
Ｈ、｜ｄＩｘ／ｄｔ｜を最大で０．０１５Ａ／ｎｓとす
ると、電圧ＶＱａ及びＶＱｂのピーク値Ｖｐ２は略７５
０Ｖとなる。この電圧ＶＱａ及びＶＱｂはＯＦＦ状態で
あるスイッチ素子３１ａ及び３１ｂに印加されるので、
スイッチ素子３１ａ及び３１ｂの破壊を防止するために
はその耐圧Ｖｔを電圧ＶＱａ及びＶＱｂのピーク値Ｖｐ
２よりも高く、例えば８００Ｖとする必要がある。
ンスをＬとし、電流の変化速度をｄＩｘ／ｄｔとすると
（ただし、Ｉｘは補助コイル３２ａの電流Ｉａまたは補
助コイル３２ｂの電流Ｉｂ）、電圧ＶＱａ及びＶＱｂは
略−Ｌ・ｄＩｘ／ｄｔに一致する。例えば、Ｌを５０μ
Ｈ、｜ｄＩｘ／ｄｔ｜を最大で０．０１５Ａ／ｎｓとす
ると、電圧ＶＱａ及びＶＱｂのピーク値Ｖｐ２は略７５
０Ｖとなる。この電圧ＶＱａ及びＶＱｂはＯＦＦ状態で
あるスイッチ素子３１ａ及び３１ｂに印加されるので、
スイッチ素子３１ａ及び３１ｂの破壊を防止するために
はその耐圧Ｖｔを電圧ＶＱａ及びＶＱｂのピーク値Ｖｐ
２よりも高く、例えば８００Ｖとする必要がある。
【０００９】この時、例えば、スイッチ素子としてＭＯ
Ｓ ＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）を使用し
たとすると、一般的にはその構造上ドレイン、ソース間
の耐圧を高くするほどＯＮ抵抗（ＯＮ状態におけるドレ
イン、ソース間の抵抗）が増大するという特性を有して
いる。従って、上記磁気ヘッド駆動回路においてはスイ
ッチ素子の耐圧Ｖｔの下限が制約となってＯＮ抵抗を低
減することができず、その結果、消費電力が増大すると
いう問題点があった。また、記録する情報信号の周波数
を高めるには磁界発生用コイル３０の電流Ｉｈの切り換
えをより高速で行う必要があるが、それに伴って記録を
停止する際の補助コイル３２ａの電流Ｉａまたは補助コ
イル３２ｂの電流Ｉｂの低下の速度も増大し、電圧ＶＱ
ａ及びＶＱｂのピーク値Ｖｐ２も上昇する。このため、
耐圧Ｖｔがさらに高いスイッチ素子を使用する必要があ
る。ところが、実用的なＭＯＳ ＦＥＴの耐圧Ｖｔは最
も高いものでもせいぜい１０００Ｖ程度であるから、情
報信号の周波数を高め、記録速度を向上することができ
ないという問題があった。
Ｓ ＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）を使用し
たとすると、一般的にはその構造上ドレイン、ソース間
の耐圧を高くするほどＯＮ抵抗（ＯＮ状態におけるドレ
イン、ソース間の抵抗）が増大するという特性を有して
いる。従って、上記磁気ヘッド駆動回路においてはスイ
ッチ素子の耐圧Ｖｔの下限が制約となってＯＮ抵抗を低
減することができず、その結果、消費電力が増大すると
いう問題点があった。また、記録する情報信号の周波数
を高めるには磁界発生用コイル３０の電流Ｉｈの切り換
えをより高速で行う必要があるが、それに伴って記録を
停止する際の補助コイル３２ａの電流Ｉａまたは補助コ
イル３２ｂの電流Ｉｂの低下の速度も増大し、電圧ＶＱ
ａ及びＶＱｂのピーク値Ｖｐ２も上昇する。このため、
耐圧Ｖｔがさらに高いスイッチ素子を使用する必要があ
る。ところが、実用的なＭＯＳ ＦＥＴの耐圧Ｖｔは最
も高いものでもせいぜい１０００Ｖ程度であるから、情
報信号の周波数を高め、記録速度を向上することができ
ないという問題があった。
【００１０】また、スイッチ素子としてバイポーラトラ
ンジスタを使用したとすると、一般的にはその構造上コ
レクタ、エミッタ間の耐圧を高くするほど利得帯域幅積
ｆTが低下するという特性を有している。従って、上記
磁気ヘッド駆動回路においてはスイッチ素子の耐圧Ｖｔ
の下限が制約となって利得帯域幅積ｆT を高めることが
できず、記録する情報信号の周波数を高め、記録速度を
向上することができないという問題点があった。
ンジスタを使用したとすると、一般的にはその構造上コ
レクタ、エミッタ間の耐圧を高くするほど利得帯域幅積
ｆTが低下するという特性を有している。従って、上記
磁気ヘッド駆動回路においてはスイッチ素子の耐圧Ｖｔ
の下限が制約となって利得帯域幅積ｆT を高めることが
できず、記録する情報信号の周波数を高め、記録速度を
向上することができないという問題点があった。
【００１１】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、情報
信号の記録を停止する際に電磁誘導により発生する補助
コイルの電圧を低減し、消費電力の低減や記録速度を向
上することが可能な磁気ヘッド駆動回路及び光磁気記録
装置を提供することを目的とする。
信号の記録を停止する際に電磁誘導により発生する補助
コイルの電圧を低減し、消費電力の低減や記録速度を向
上することが可能な磁気ヘッド駆動回路及び光磁気記録
装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、上
記目的を達成するため、補助コイル、スイッチ素子、ス
イッチ素子を制御するスイッチ素子制御回路から成り、
情報信号を記録するための電流を磁気ヘッドの磁界発生
用コイルに供給する磁気ヘッド駆動回路であって、情報
信号の記録中はスイッチ素子制御回路はスイッチ素子の
ＯＮ／ＯＦＦ状態を記録すべき情報信号に応じて切り換
え制御し、補助コイルを経る電流の経路を記録すべき情
報信号によって切り換えることによって磁界発生用コイ
ルに供給する電流Ｉｈを切り換え、情報信号の記録を停
止する際には、スイッチ素子制御回路はスイッチ素子を
ＯＮ状態に保持し、その後、情報信号の記録中よりも緩
やかに前記スイッチ素子をＯＮ状態からＯＦＦ状態に切
り換えることによって補助コイルの電流Ｉｘを徐々に低
下させることを特徴とする。これにより、情報信号の記
録を停止する際に電磁誘導によって補助コイルが発生す
る電圧を低減でき、前述した従来技術における課題を解
決することができるのである。
記目的を達成するため、補助コイル、スイッチ素子、ス
イッチ素子を制御するスイッチ素子制御回路から成り、
情報信号を記録するための電流を磁気ヘッドの磁界発生
用コイルに供給する磁気ヘッド駆動回路であって、情報
信号の記録中はスイッチ素子制御回路はスイッチ素子の
ＯＮ／ＯＦＦ状態を記録すべき情報信号に応じて切り換
え制御し、補助コイルを経る電流の経路を記録すべき情
報信号によって切り換えることによって磁界発生用コイ
ルに供給する電流Ｉｈを切り換え、情報信号の記録を停
止する際には、スイッチ素子制御回路はスイッチ素子を
ＯＮ状態に保持し、その後、情報信号の記録中よりも緩
やかに前記スイッチ素子をＯＮ状態からＯＦＦ状態に切
り換えることによって補助コイルの電流Ｉｘを徐々に低
下させることを特徴とする。これにより、情報信号の記
録を停止する際に電磁誘導によって補助コイルが発生す
る電圧を低減でき、前述した従来技術における課題を解
決することができるのである。
【００１３】ここで、情報信号の記録を停止する際の補
助コイルの電流Ｉｘの低下の速度の最大値（絶対値）｜
ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘを、情報信号の記録中の磁界発生
用コイルの電流Ｉｈの切り換え時の変化速度の最大値
（絶対値）｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘよりも小さくすれば
効果的であり、さらに｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘ×０．５
よりも小さくするのが望ましい。
助コイルの電流Ｉｘの低下の速度の最大値（絶対値）｜
ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘを、情報信号の記録中の磁界発生
用コイルの電流Ｉｈの切り換え時の変化速度の最大値
（絶対値）｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘよりも小さくすれば
効果的であり、さらに｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘ×０．５
よりも小さくするのが望ましい。
【００１４】さらに、補助コイルのインダクタンスを
Ｌ、磁界発生用コイルのインダクタンスをｋ・Ｌ（ただ
し０＜ｋ＜１）としたとき、情報信号の記録を停止する
際の補助コイルの電流Ｉｘの低下の速度の最大値（絶対
値）｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘ及び、情報信号の記録中の
磁界発生用コイルの電流Ｉｈの切り換え時の変化速度の
最大値（絶対値）｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘは、 ｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘ≦ｋ｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘ で表わされる関係を満足するようにすれば、情報信号の
記録停止の際に電磁誘導によって補助コイルが発生する
電圧のピーク値Ｖｐ２は、情報信号の記録中の磁界発生
用コイルの電流の切り換え時に電磁誘導によって補助コ
イルが発生する電圧のピーク値Ｖｐ１以下となるので最
も望ましい。
Ｌ、磁界発生用コイルのインダクタンスをｋ・Ｌ（ただ
し０＜ｋ＜１）としたとき、情報信号の記録を停止する
際の補助コイルの電流Ｉｘの低下の速度の最大値（絶対
値）｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘ及び、情報信号の記録中の
磁界発生用コイルの電流Ｉｈの切り換え時の変化速度の
最大値（絶対値）｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘは、 ｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘ≦ｋ｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘ で表わされる関係を満足するようにすれば、情報信号の
記録停止の際に電磁誘導によって補助コイルが発生する
電圧のピーク値Ｖｐ２は、情報信号の記録中の磁界発生
用コイルの電流の切り換え時に電磁誘導によって補助コ
イルが発生する電圧のピーク値Ｖｐ１以下となるので最
も望ましい。
【００１５】また、このような磁気ヘッド駆動回路はＭ
ＯＳ ＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）をスイ
ッチ素子とし、スイッチ素子制御回路はその出力電圧を
スイッチ素子のゲートに印加することによってスイッチ
素子のＯＮ／ＯＦＦ状態を切り換え制御するように構成
することができる。この場合、情報信号の記録中はスイ
ッチ素子制御回路の出力電圧を記録すべき信号に応じて
切り換えてスイッチ素子のＯＮ／ＯＦＦ状態を切り換え
制御し、情報信号の記録を停止する際にはその出力電圧
を緩やかに切り換えることによって情報信号の記録中よ
りも緩やかにスイッチ素子をＯＮ状態からＯＦＦ状態に
切り換えて補助コイルの電流Ｉｘを徐々に低下させれば
よい。
ＯＳ ＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）をスイ
ッチ素子とし、スイッチ素子制御回路はその出力電圧を
スイッチ素子のゲートに印加することによってスイッチ
素子のＯＮ／ＯＦＦ状態を切り換え制御するように構成
することができる。この場合、情報信号の記録中はスイ
ッチ素子制御回路の出力電圧を記録すべき信号に応じて
切り換えてスイッチ素子のＯＮ／ＯＦＦ状態を切り換え
制御し、情報信号の記録を停止する際にはその出力電圧
を緩やかに切り換えることによって情報信号の記録中よ
りも緩やかにスイッチ素子をＯＮ状態からＯＦＦ状態に
切り換えて補助コイルの電流Ｉｘを徐々に低下させれば
よい。
【００１６】さらに、スイッチ素子制御回路は、スイッ
チ素子のゲートに印加する電圧を出力し、その出力イン
ピーダンスの高低の切り換えが可能なゲート駆動回路を
含んで構成することができる。この場合、ゲート駆動回
路は、情報信号の記録中はその出力インピーダンスを低
く保持し、出力電圧を記録すべき情報信号に応じて切り
換えてスイッチ素子のゲートに印加することによりスイ
ッチ素子のＯＮ／ＯＦＦ状態を切り換え制御し、情報信
号の記録を停止する際にはまずその出力インピーダンス
を低く保持したままスイッチ素子のゲートに出力電圧を
印加することによりスイッチ素子がＯＮ状態となるよう
に制御し、その後、出力インピーダンスを高く切り換え
て情報信号の記録中よりも緩やかにスイッチ素子をＯＮ
状態からＯＦＦ状態に切り換えることによって補助コイ
ルの電流Ｉｘを徐々に低下させることができる。
チ素子のゲートに印加する電圧を出力し、その出力イン
ピーダンスの高低の切り換えが可能なゲート駆動回路を
含んで構成することができる。この場合、ゲート駆動回
路は、情報信号の記録中はその出力インピーダンスを低
く保持し、出力電圧を記録すべき情報信号に応じて切り
換えてスイッチ素子のゲートに印加することによりスイ
ッチ素子のＯＮ／ＯＦＦ状態を切り換え制御し、情報信
号の記録を停止する際にはまずその出力インピーダンス
を低く保持したままスイッチ素子のゲートに出力電圧を
印加することによりスイッチ素子がＯＮ状態となるよう
に制御し、その後、出力インピーダンスを高く切り換え
て情報信号の記録中よりも緩やかにスイッチ素子をＯＮ
状態からＯＦＦ状態に切り換えることによって補助コイ
ルの電流Ｉｘを徐々に低下させることができる。
【００１７】ここで、スイッチ素子制御回路は、さらに
スイッチ素子に蓄積された電荷を放電させるための抵抗
素子を備えていてもよい。この場合、ゲート駆動回路の
出力インピーダンスの低い状態の値をＲＬ、高い状態の
値をＲＨとすると、この抵抗素子の抵抗値ＲはＲＬより
も大きく、かつ、ＲＨよりも小さくするのが効果的であ
る。
スイッチ素子に蓄積された電荷を放電させるための抵抗
素子を備えていてもよい。この場合、ゲート駆動回路の
出力インピーダンスの低い状態の値をＲＬ、高い状態の
値をＲＨとすると、この抵抗素子の抵抗値ＲはＲＬより
も大きく、かつ、ＲＨよりも小さくするのが効果的であ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の光磁
気記録装置の一実施形態の構成を示すブロック図であ
る。ここで１は情報信号が記録される光磁気記録媒体と
しての光磁気ディスクであり、スピンドルモータ２に取
付けられている。光磁気ディスク１の上面側には磁気ヘ
ッド３が、下面側には磁気ヘッド３と対向して光ヘッド
４が配置されている。磁気ヘッド３は軟磁性材料からな
るコア１１及びコア１１の周囲に巻き付けられた磁界発
生用コイル１２から構成されている。磁気ヘッド３の磁
界発生用コイル１２には磁気ヘッド駆動回路５が、磁気
ヘッド駆動回路５には記録信号生成回路６及びＣＰＵ
（Central Processing Unit ）７が接続されている。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の光磁
気記録装置の一実施形態の構成を示すブロック図であ
る。ここで１は情報信号が記録される光磁気記録媒体と
しての光磁気ディスクであり、スピンドルモータ２に取
付けられている。光磁気ディスク１の上面側には磁気ヘ
ッド３が、下面側には磁気ヘッド３と対向して光ヘッド
４が配置されている。磁気ヘッド３は軟磁性材料からな
るコア１１及びコア１１の周囲に巻き付けられた磁界発
生用コイル１２から構成されている。磁気ヘッド３の磁
界発生用コイル１２には磁気ヘッド駆動回路５が、磁気
ヘッド駆動回路５には記録信号生成回路６及びＣＰＵ
（Central Processing Unit ）７が接続されている。
【００１９】光ヘッド４は、図示しないレーザ光源、光
センサ、光学系等より構成されている。レーザ光源には
レーザ駆動回路８が、光センサには増幅回路９、情報信
号再生回路１０が接続されている。光磁気ディスク１に
情報信号を記録する場合は、まず、スピンドルモータ２
により光磁気ディスク１を回転させる。次に、記録信号
生成回路６は入力端子Ｔ１から入力された情報信号に符
号化等の処理を行って磁気ヘッド駆動回路５に送出す
る。磁気ヘッド駆動回路５は情報信号に応じて方向や大
きさが切り換えられる電流を磁気ヘッド３の磁界発生用
コイル１２に供給する。これにより、磁気ヘッド３は情
報信号に応じて方向や強度が切り換えられる磁界を発生
し、光磁気ディスク１に対して垂直に印加する。
センサ、光学系等より構成されている。レーザ光源には
レーザ駆動回路８が、光センサには増幅回路９、情報信
号再生回路１０が接続されている。光磁気ディスク１に
情報信号を記録する場合は、まず、スピンドルモータ２
により光磁気ディスク１を回転させる。次に、記録信号
生成回路６は入力端子Ｔ１から入力された情報信号に符
号化等の処理を行って磁気ヘッド駆動回路５に送出す
る。磁気ヘッド駆動回路５は情報信号に応じて方向や大
きさが切り換えられる電流を磁気ヘッド３の磁界発生用
コイル１２に供給する。これにより、磁気ヘッド３は情
報信号に応じて方向や強度が切り換えられる磁界を発生
し、光磁気ディスク１に対して垂直に印加する。
【００２０】また、磁気ヘッド３による磁界の印加と同
時にレーザ駆動回路８は光ヘッド４のレーザ光源に電流
を供給し、レーザ光源は記録用光ビームであるレーザ光
を発生する。この記録用光ビームはパルス状に変調され
るか、または略一定強度に保たれる。さらに、光学系は
記録用光ビームを光磁気ディスク１の磁界の印加領域に
微小な光スポットに収束するようにして照射する。その
結果、光磁気ディスク１には印加された磁界の方向や強
度の変化に対応して、磁化の方向や大きさが変化する磁
化領域が形成され、情報信号が記録される。
時にレーザ駆動回路８は光ヘッド４のレーザ光源に電流
を供給し、レーザ光源は記録用光ビームであるレーザ光
を発生する。この記録用光ビームはパルス状に変調され
るか、または略一定強度に保たれる。さらに、光学系は
記録用光ビームを光磁気ディスク１の磁界の印加領域に
微小な光スポットに収束するようにして照射する。その
結果、光磁気ディスク１には印加された磁界の方向や強
度の変化に対応して、磁化の方向や大きさが変化する磁
化領域が形成され、情報信号が記録される。
【００２１】また、このようにして記録された情報信号
を再生する場合には、スピンドルモータ２により光磁気
ディスク１を回転させながら、光ヘッド４により記録時
よりも低パワーの再生用光ビームであるレーザ光を光磁
気ディスク１に微小な光スポットに収束するようにして
照射する。再生用光ビームの光磁気ディスク１からの反
射光の偏光面は、形成された磁化領域の磁化の方向や大
きさに対応して回転するので、これを光ヘッド４の光セ
ンサによって検出し、その検出信号を増幅回路９によっ
て増幅する。さらに、情報信号再生回路１０によって増
幅された検出信号を用いて所定の信号処理を行うことに
より情報信号を再生し、出力端子Ｔ２より出力する。
を再生する場合には、スピンドルモータ２により光磁気
ディスク１を回転させながら、光ヘッド４により記録時
よりも低パワーの再生用光ビームであるレーザ光を光磁
気ディスク１に微小な光スポットに収束するようにして
照射する。再生用光ビームの光磁気ディスク１からの反
射光の偏光面は、形成された磁化領域の磁化の方向や大
きさに対応して回転するので、これを光ヘッド４の光セ
ンサによって検出し、その検出信号を増幅回路９によっ
て増幅する。さらに、情報信号再生回路１０によって増
幅された検出信号を用いて所定の信号処理を行うことに
より情報信号を再生し、出力端子Ｔ２より出力する。
【００２２】図２は磁気ヘッド駆動回路５の構成を示す
回路図である。磁気ヘッド駆動回路５は、スイッチ素子
１３ａ，１３ｂ、ダイオード１４ａ，１４ｂ、補助コイ
ル１５ａ，１５ｂ、抵抗素子１６、直流電流源１７、及
びスイッチ素子制御回路１８から成っている。直流電流
源１７は補助コイル１５ａ，１５ｂに、磁気ヘッド３の
磁界発生用コイル１２は補助コイル１５ａとダイオード
１４ｂの接続点、及び補助コイル１５ｂとダイオード１
４ａの接続点の間に接続されている。なお、本実施形態
においてはスイッチ素子１３ａ，１３ｂはＮチャネルの
ＭＯＳ ＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）を用
いているが、ＭＯＳ ＦＥＴの代わりにバイポーラトラ
ンジスタ等の素子を使用することもできる。補助コイル
１３ａ，１３ｂはインダクタンス素子であり、磁界発生
用コイル１２よりもそのインダクタンスが大きい。
回路図である。磁気ヘッド駆動回路５は、スイッチ素子
１３ａ，１３ｂ、ダイオード１４ａ，１４ｂ、補助コイ
ル１５ａ，１５ｂ、抵抗素子１６、直流電流源１７、及
びスイッチ素子制御回路１８から成っている。直流電流
源１７は補助コイル１５ａ，１５ｂに、磁気ヘッド３の
磁界発生用コイル１２は補助コイル１５ａとダイオード
１４ｂの接続点、及び補助コイル１５ｂとダイオード１
４ａの接続点の間に接続されている。なお、本実施形態
においてはスイッチ素子１３ａ，１３ｂはＮチャネルの
ＭＯＳ ＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）を用
いているが、ＭＯＳ ＦＥＴの代わりにバイポーラトラ
ンジスタ等の素子を使用することもできる。補助コイル
１３ａ，１３ｂはインダクタンス素子であり、磁界発生
用コイル１２よりもそのインダクタンスが大きい。
【００２３】スイッチ素子制御回路１８はゲート駆動回
路１９ａ，１９ｂ、ゲート駆動信号発生回路２０、切り
換え信号発生回路２１、及び抵抗素子２２ａ，２２ｂか
ら成っている。ゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力
はそれぞれスイッチ素子１３ａ及び１３ｂの制御端子で
あるゲートに接続されている。切り換え信号発生回路２
１にはＣＰＵ７が、ゲート駆動信号発生回路にはＣＰＵ
７及び記録信号生成回路６が接続されている。
路１９ａ，１９ｂ、ゲート駆動信号発生回路２０、切り
換え信号発生回路２１、及び抵抗素子２２ａ，２２ｂか
ら成っている。ゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力
はそれぞれスイッチ素子１３ａ及び１３ｂの制御端子で
あるゲートに接続されている。切り換え信号発生回路２
１にはＣＰＵ７が、ゲート駆動信号発生回路にはＣＰＵ
７及び記録信号生成回路６が接続されている。
【００２４】次に、情報信号の記録中及び記録を停止す
る際の磁気ヘッド駆動回路５の動作について説明する。
図３は磁気ヘッド駆動回路５の各部の信号波形を示す図
である。なお、時点ｔ０は情報信号の記録を停止する時
点である。情報信号の記録中（時点ｔ０よりも前）にお
いては、記録信号生成回路６は記録すべき情報信号に基
づいて図３（ａ）に示すような記録信号ＲＳを生成し、
ゲート駆動信号発生回路２０に対して出力する。ここ
で、記録信号ＲＳは２値、即ちハイレベル（Ｈ）及びロ
ーレベル（Ｌ）の間で変化する信号である。一方、ＣＰ
Ｕ７は図３（ｂ）に示すような動作モード信号Ｍを発生
し、ゲート駆動信号発生回路２０及び切り換え信号発生
回路２１に対して出力する。この動作モード信号Ｍは記
録モード（情報信号の記録中）においてはハイレベルで
あり、時点ｔ０において記録を停止し非記録モードに移
行すると同時にローレベルに切り換わる。
る際の磁気ヘッド駆動回路５の動作について説明する。
図３は磁気ヘッド駆動回路５の各部の信号波形を示す図
である。なお、時点ｔ０は情報信号の記録を停止する時
点である。情報信号の記録中（時点ｔ０よりも前）にお
いては、記録信号生成回路６は記録すべき情報信号に基
づいて図３（ａ）に示すような記録信号ＲＳを生成し、
ゲート駆動信号発生回路２０に対して出力する。ここ
で、記録信号ＲＳは２値、即ちハイレベル（Ｈ）及びロ
ーレベル（Ｌ）の間で変化する信号である。一方、ＣＰ
Ｕ７は図３（ｂ）に示すような動作モード信号Ｍを発生
し、ゲート駆動信号発生回路２０及び切り換え信号発生
回路２１に対して出力する。この動作モード信号Ｍは記
録モード（情報信号の記録中）においてはハイレベルで
あり、時点ｔ０において記録を停止し非記録モードに移
行すると同時にローレベルに切り換わる。
【００２５】ゲート駆動信号発生回路２０は、図３
（ｃ）及び（ｄ）に示すように情報信号の記録中（時点
ｔ０よりも前）は入力される記録信号ＲＳのレベルに対
応した２つのゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂを生成
し、それぞれゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂに出力す
る。ここで、記録信号ＲＳがハイレベルであるときには
ゲート駆動信号ＧＤａはハイレベル、ゲート駆動信号Ｇ
Ｄｂはローレベルであり、記録信号ＲＳがローレベルで
あるときにはゲート駆動信号ＧＤａはローレベル、ゲー
ト駆動信号ＧＤｂはハイレベルである。さらに、時点ｔ
０において記録を停止して動作モード信号Ｍがローレベ
ルに切り換わると、ゲート駆動信号発生回路２０は出力
するゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂをともにハイレベ
ルに保持し、所定の期間Ｔの後にローレベルに切り換え
る。ここでは、このゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂの
ローレベルへの切り換えのタイミングは時点ｔ０におけ
る動作モード信号Ｍのローレベルへの切り換わりを基に
してゲート駆動信号発生回路２０が内部で生成するもの
とするが、外部からタイミング信号を入力するようにし
てもよい。
（ｃ）及び（ｄ）に示すように情報信号の記録中（時点
ｔ０よりも前）は入力される記録信号ＲＳのレベルに対
応した２つのゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂを生成
し、それぞれゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂに出力す
る。ここで、記録信号ＲＳがハイレベルであるときには
ゲート駆動信号ＧＤａはハイレベル、ゲート駆動信号Ｇ
Ｄｂはローレベルであり、記録信号ＲＳがローレベルで
あるときにはゲート駆動信号ＧＤａはローレベル、ゲー
ト駆動信号ＧＤｂはハイレベルである。さらに、時点ｔ
０において記録を停止して動作モード信号Ｍがローレベ
ルに切り換わると、ゲート駆動信号発生回路２０は出力
するゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂをともにハイレベ
ルに保持し、所定の期間Ｔの後にローレベルに切り換え
る。ここでは、このゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂの
ローレベルへの切り換えのタイミングは時点ｔ０におけ
る動作モード信号Ｍのローレベルへの切り換わりを基に
してゲート駆動信号発生回路２０が内部で生成するもの
とするが、外部からタイミング信号を入力するようにし
てもよい。
【００２６】切り換え信号発生回路２１は、図３（ｅ）
に示すような出力インピーダンス切り換え信号ＯＣを生
成し、ゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力制御端子
に対して出力する。出力インピーダンス切り換え信号Ｏ
Ｃは情報信号の記録中（時点ｔ０よりも前）はハイレベ
ルであり、記録を停止した後もΔＴの期間はハイレベル
を保持し、時点ｔ１においてローレベルに切り換わる。
ここではこの出力インピーダンス切り換え信号ＯＣのロ
ーレベルへの切り換えのタイミングは時点ｔ０における
動作モード信号Ｍのローレベルへの切り換わりを基にし
て切り換え信号発生回路２１が内部で生成するものとす
るが、外部からタイミング信号を入力するようにしても
よい。
に示すような出力インピーダンス切り換え信号ＯＣを生
成し、ゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力制御端子
に対して出力する。出力インピーダンス切り換え信号Ｏ
Ｃは情報信号の記録中（時点ｔ０よりも前）はハイレベ
ルであり、記録を停止した後もΔＴの期間はハイレベル
を保持し、時点ｔ１においてローレベルに切り換わる。
ここではこの出力インピーダンス切り換え信号ＯＣのロ
ーレベルへの切り換えのタイミングは時点ｔ０における
動作モード信号Ｍのローレベルへの切り換わりを基にし
て切り換え信号発生回路２１が内部で生成するものとす
るが、外部からタイミング信号を入力するようにしても
よい。
【００２７】また、ゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂが
ローレベルに切り換わる時点は出力インピーダンス切り
換え信号ＯＣがローレベルに切り換わる時点ｔ１以降、
即ち０≦ΔＴ≦Ｔであるものとする。ここでノイズ等の
影響によってこれらの信号の切り換わりに多少の時間的
な変動が生じた場合であっても上記信号の切り換わりの
前後関係が逆転することを防止するためには、期間Ｔ及
びΔＴは余裕をもった十分な長さ、例えば期間Ｔは少な
くとも記録信号ＲＳの基本クロックの周期のｎ倍（ｎは
２以上の整数）、ΔＴは記録信号ＲＳの基本クロックの
周期のｍ倍（ｍは１以上でｎより小さい整数）と設定す
るのが望ましい。
ローレベルに切り換わる時点は出力インピーダンス切り
換え信号ＯＣがローレベルに切り換わる時点ｔ１以降、
即ち０≦ΔＴ≦Ｔであるものとする。ここでノイズ等の
影響によってこれらの信号の切り換わりに多少の時間的
な変動が生じた場合であっても上記信号の切り換わりの
前後関係が逆転することを防止するためには、期間Ｔ及
びΔＴは余裕をもった十分な長さ、例えば期間Ｔは少な
くとも記録信号ＲＳの基本クロックの周期のｎ倍（ｎは
２以上の整数）、ΔＴは記録信号ＲＳの基本クロックの
周期のｍ倍（ｍは１以上でｎより小さい整数）と設定す
るのが望ましい。
【００２８】ゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂはその出
力インピーダンスの高低が出力制御端子に入力される出
力インピーダンス切り換え信号ＯＣによって切り換えら
れるバッファ回路である。即ち、出力インピーダンス切
り換え信号ＯＣがハイレベルである時には、ゲート駆動
回路１９ａ及び１９ｂはゲート駆動信号発生回路２０よ
り入力されるゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂと同等の
電圧ＶＧａ及びＶＧｂを出力し、この時の出力インピー
ダンスＲＬは十分に低く、望ましくは１ｋΩ以下であ
る。また、出力切り換え信号ＯＣがローレベルである時
にはゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力は入力され
るゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂにはよらず、この時
の出力インピーダンスＲＨは十分に高く、望ましくは１
００ｋΩ以上である。
力インピーダンスの高低が出力制御端子に入力される出
力インピーダンス切り換え信号ＯＣによって切り換えら
れるバッファ回路である。即ち、出力インピーダンス切
り換え信号ＯＣがハイレベルである時には、ゲート駆動
回路１９ａ及び１９ｂはゲート駆動信号発生回路２０よ
り入力されるゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂと同等の
電圧ＶＧａ及びＶＧｂを出力し、この時の出力インピー
ダンスＲＬは十分に低く、望ましくは１ｋΩ以下であ
る。また、出力切り換え信号ＯＣがローレベルである時
にはゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力は入力され
るゲート駆動信号ＧＤａ及びＧＤｂにはよらず、この時
の出力インピーダンスＲＨは十分に高く、望ましくは１
００ｋΩ以上である。
【００２９】このようにゲート駆動回路１９ａ及び１９
ｂの出力が制御される結果、情報信号の記録中はゲート
駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力インピーダンスは低い
状態に保持され、出力する電圧ＶＧａ及びＶＧｂは図３
（ｆ）及び（ｇ）に示すようにゲート駆動信号ＧＤａ及
びＧＤｂと略同一で、記録信号ＲＳに応じてハイレベル
及びローレベルが交互に切り換わる。また、記録を停止
する時点ｔ０から時点ｔ１までのΔＴの間もゲート駆動
回路１９ａ及び１９ｂの出力インピーダンスはそのまま
低い状態に保持されるが、出力する電圧ＶＧａ及びＶＧ
ｂはともにハイレベルとなる。
ｂの出力が制御される結果、情報信号の記録中はゲート
駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力インピーダンスは低い
状態に保持され、出力する電圧ＶＧａ及びＶＧｂは図３
（ｆ）及び（ｇ）に示すようにゲート駆動信号ＧＤａ及
びＧＤｂと略同一で、記録信号ＲＳに応じてハイレベル
及びローレベルが交互に切り換わる。また、記録を停止
する時点ｔ０から時点ｔ１までのΔＴの間もゲート駆動
回路１９ａ及び１９ｂの出力インピーダンスはそのまま
低い状態に保持されるが、出力する電圧ＶＧａ及びＶＧ
ｂはともにハイレベルとなる。
【００３０】更に、この状態から時点ｔ１において出力
インピーダンス切り換え信号ＯＣがローレベルに切り換
わると同時に、ゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力
インピーダンスは高い状態に切り換わる。すると、スイ
ッチ素子１３ａ及び１３ｂのゲートに蓄積されていた電
荷が抵抗素子２２ａ及び２２ｂを通して放電し、それに
伴って電圧ＶＧａ及びＶＧｂはハイレベルからローレベ
ルへ徐々に低下する。この電圧ＶＧａ及びＶＧｂの低下
の速度はスイッチ素子１３ａ及び１３ｂのゲートの入力
容量をＣ、抵抗素子２２ａ及び２２ｂの抵抗値をＲとす
ると、Ｃ及びＲに逆比例するので、Ｃ及びＲの設定によ
って電圧ＶＧａ及びＶＧｂの低下の速度を情報信号の記
録中のハイレベル／ローレベル間の変化の速度よりも十
分に小さくなるようにすることができる。
インピーダンス切り換え信号ＯＣがローレベルに切り換
わると同時に、ゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出力
インピーダンスは高い状態に切り換わる。すると、スイ
ッチ素子１３ａ及び１３ｂのゲートに蓄積されていた電
荷が抵抗素子２２ａ及び２２ｂを通して放電し、それに
伴って電圧ＶＧａ及びＶＧｂはハイレベルからローレベ
ルへ徐々に低下する。この電圧ＶＧａ及びＶＧｂの低下
の速度はスイッチ素子１３ａ及び１３ｂのゲートの入力
容量をＣ、抵抗素子２２ａ及び２２ｂの抵抗値をＲとす
ると、Ｃ及びＲに逆比例するので、Ｃ及びＲの設定によ
って電圧ＶＧａ及びＶＧｂの低下の速度を情報信号の記
録中のハイレベル／ローレベル間の変化の速度よりも十
分に小さくなるようにすることができる。
【００３１】ここで、抵抗素子２２ａ及び２２ｂは、情
報信号の記録中にゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出
力電圧ＶＧａ及びＶＧｂを低下させる等の悪影響を生じ
ることがなく、情報信号の記録を停止する際には電圧Ｖ
Ｇａ及びＶＧｂの低下が緩やかになるように効果的に作
用するために、その抵抗値Ｒをゲート駆動回路１９ａ，
１９ｂの出力インピーダンスの低い状態の値ＲＬよりも
大きく、高い状態の値ＲＨよりも小さくするのが望まし
い。
報信号の記録中にゲート駆動回路１９ａ及び１９ｂの出
力電圧ＶＧａ及びＶＧｂを低下させる等の悪影響を生じ
ることがなく、情報信号の記録を停止する際には電圧Ｖ
Ｇａ及びＶＧｂの低下が緩やかになるように効果的に作
用するために、その抵抗値Ｒをゲート駆動回路１９ａ，
１９ｂの出力インピーダンスの低い状態の値ＲＬよりも
大きく、高い状態の値ＲＨよりも小さくするのが望まし
い。
【００３２】このようにしてゲート駆動回路１９ａ及び
１９ｂが出力する電圧ＶＧａ及びＶＧｂはそれぞれスイ
ッチ素子１３ａ及び１３ｂのゲートに印加され、そのＯ
Ｎ／ＯＦＦが制御される。即ち、電圧ＶＧａまたはＶＧ
ｂがハイレベルである時にはスイッチ素子１３ａまたは
１３ｂはＯＮ、電圧ＶＧａまたはＶＧｂがローレベルで
ある時にはスイッチ素子１３ａまたは１３ｂはＯＦＦで
ある。その結果、情報信号の記録中はスイッチ素子１３
ａ及び１３ｂは記録信号ＲＳに応じて交互にＯＮ／ＯＦ
Ｆする。
１９ｂが出力する電圧ＶＧａ及びＶＧｂはそれぞれスイ
ッチ素子１３ａ及び１３ｂのゲートに印加され、そのＯ
Ｎ／ＯＦＦが制御される。即ち、電圧ＶＧａまたはＶＧ
ｂがハイレベルである時にはスイッチ素子１３ａまたは
１３ｂはＯＮ、電圧ＶＧａまたはＶＧｂがローレベルで
ある時にはスイッチ素子１３ａまたは１３ｂはＯＦＦで
ある。その結果、情報信号の記録中はスイッチ素子１３
ａ及び１３ｂは記録信号ＲＳに応じて交互にＯＮ／ＯＦ
Ｆする。
【００３３】スイッチ素子１３ａがＯＮでスイッチ素子
１３ｂがＯＦＦである時には直流電流源１７から補助コ
イル１５ａを経て磁界発生用コイル１２、ダイオード１
４ａ、スイッチ素子１３ａに電流が供給される。この電
流経路をＰ１とする。同時に直流電流源１７から補助コ
イル１５ｂを経てダイオード１４ａ、スイッチ素子１３
ａに電流が供給される。この電流経路をＰ２′とする。
また、スイッチ素子１３ａがＯＦＦ、スイッチ素子１３
ｂがＯＮである時には直流電流源１７から補助コイル１
５ｂを経て磁界発生用コイル１２、ダイオード１４ｂ、
スイッチ素子１３ｂに電流が供給される。この電流経路
をＰ２とする。同時に直流電流源１７から補助コイル１
５ａを経てダイオード１４ｂ、スイッチ素子１３ｂに電
流が供給される。この電流経路をＰ１′とする。
１３ｂがＯＦＦである時には直流電流源１７から補助コ
イル１５ａを経て磁界発生用コイル１２、ダイオード１
４ａ、スイッチ素子１３ａに電流が供給される。この電
流経路をＰ１とする。同時に直流電流源１７から補助コ
イル１５ｂを経てダイオード１４ａ、スイッチ素子１３
ａに電流が供給される。この電流経路をＰ２′とする。
また、スイッチ素子１３ａがＯＦＦ、スイッチ素子１３
ｂがＯＮである時には直流電流源１７から補助コイル１
５ｂを経て磁界発生用コイル１２、ダイオード１４ｂ、
スイッチ素子１３ｂに電流が供給される。この電流経路
をＰ２とする。同時に直流電流源１７から補助コイル１
５ａを経てダイオード１４ｂ、スイッチ素子１３ｂに電
流が供給される。この電流経路をＰ１′とする。
【００３４】補助コイル１５ａの電流Ｉａ及び補助コイ
ル１５ｂの電流Ｉｂは、図３（ｈ）及び（ｉ）に示すよ
うに情報信号の記録中は略一定値Ｉｓに保持される。例
えばこの一定値Ｉｓは０．１５Ａ程度である。ただし、
スイッチ素子１３ｂがＯＮからＯＦＦに切り換わり、電
流経路がＰ１′からＰ１へ切り換わる時点で補助コイル
１５ａの電流ＩａはＩｓからΔＩほど低下し、スイッチ
素子１３ａがＯＮからＯＦＦへ切り換わり、電流経路が
Ｐ２′からＰ２へ切り換わる時点で補助コイル１５ｂの
電流ＩｂはＩｓからΔＩほど低下する。ΔＩはＩｓに比
較して十分に小さく、少なくともＩｓの１０％以下であ
る。電流Ｉａ及びＩｂは一時的に低下した後は徐々に上
昇して略一定値Ｉｓに戻る。
ル１５ｂの電流Ｉｂは、図３（ｈ）及び（ｉ）に示すよ
うに情報信号の記録中は略一定値Ｉｓに保持される。例
えばこの一定値Ｉｓは０．１５Ａ程度である。ただし、
スイッチ素子１３ｂがＯＮからＯＦＦに切り換わり、電
流経路がＰ１′からＰ１へ切り換わる時点で補助コイル
１５ａの電流ＩａはＩｓからΔＩほど低下し、スイッチ
素子１３ａがＯＮからＯＦＦへ切り換わり、電流経路が
Ｐ２′からＰ２へ切り換わる時点で補助コイル１５ｂの
電流ＩｂはＩｓからΔＩほど低下する。ΔＩはＩｓに比
較して十分に小さく、少なくともＩｓの１０％以下であ
る。電流Ｉａ及びＩｂは一時的に低下した後は徐々に上
昇して略一定値Ｉｓに戻る。
【００３５】また、情報信号の記録中は磁界発生用コイ
ル１２に供給される電流Ｉｈは、図３（ｊ）に示すよう
に記録信号ＲＳがハイレベルである時には電流経路Ｐ１
の電流、即ち補助コイル１５ａを経る電流Ｉａであり、
記録信号ＲＳがローレベルである時には電流経路Ｐ２の
電流、即ち補助コイル１５ｂを経る電流Ｉｂである。こ
れにより、磁界発生用コイル１２に供給される電流Ｉｈ
は、記録信号ＲＳによってその供給方向が交互に切り換
えられ、振幅は略±Ｉｓである。なお、抵抗素子１６は
磁界発生用コイル１２の電流Ｉｈがその方向の切り換え
後に振動するのを防止するために、ダイオード１４ａ及
び１４ｂはスイッチ素子１３ａ及び１３ｂを電流が逆流
するのを防止するために設けられている。
ル１２に供給される電流Ｉｈは、図３（ｊ）に示すよう
に記録信号ＲＳがハイレベルである時には電流経路Ｐ１
の電流、即ち補助コイル１５ａを経る電流Ｉａであり、
記録信号ＲＳがローレベルである時には電流経路Ｐ２の
電流、即ち補助コイル１５ｂを経る電流Ｉｂである。こ
れにより、磁界発生用コイル１２に供給される電流Ｉｈ
は、記録信号ＲＳによってその供給方向が交互に切り換
えられ、振幅は略±Ｉｓである。なお、抵抗素子１６は
磁界発生用コイル１２の電流Ｉｈがその方向の切り換え
後に振動するのを防止するために、ダイオード１４ａ及
び１４ｂはスイッチ素子１３ａ及び１３ｂを電流が逆流
するのを防止するために設けられている。
【００３６】ここで、補助コイル１５ａ及び１５ｂは磁
界発生用コイル１２よりもそのインダクタンスが十分に
大きい。従って、補助コイル１５ｂとダイオード１４ａ
の接続点Ｑａの電圧ＶＱａ及び補助コイル１５ａとダイ
オード１４ｂの接続点Ｑｂの電圧ＶＱｂは、図３（ｋ）
及び（ｌ）に示すように記録信号ＲＳの切り換えの時点
における補助コイル１５ｂの電流Ｉｂ及び補助コイル１
５ａの電流ＩａのΔＩほどの低下に伴う電磁誘導によっ
てパルス状に変化する。磁界発生用コイル１２の電流Ｉ
ｈの切り換え時の変化の速度が最大で０．０３Ａ／ｎｓ
（前述した従来技術の２倍）となるようにした場合に
は、このパルス状の電圧のピーク値Ｖｐ１は３０Ｖ程度
である。
界発生用コイル１２よりもそのインダクタンスが十分に
大きい。従って、補助コイル１５ｂとダイオード１４ａ
の接続点Ｑａの電圧ＶＱａ及び補助コイル１５ａとダイ
オード１４ｂの接続点Ｑｂの電圧ＶＱｂは、図３（ｋ）
及び（ｌ）に示すように記録信号ＲＳの切り換えの時点
における補助コイル１５ｂの電流Ｉｂ及び補助コイル１
５ａの電流ＩａのΔＩほどの低下に伴う電磁誘導によっ
てパルス状に変化する。磁界発生用コイル１２の電流Ｉ
ｈの切り換え時の変化の速度が最大で０．０３Ａ／ｎｓ
（前述した従来技術の２倍）となるようにした場合に
は、このパルス状の電圧のピーク値Ｖｐ１は３０Ｖ程度
である。
【００３７】次に、情報信号の記録を停止する時点ｔ０
から時点ｔ１のΔＴの間はスイッチ素子１３ａのゲート
に印加される電圧ＶＧａ及びスイッチ素子１３ｂのゲー
トに印加される電圧ＶＧｂはともにハイレベルであるか
らスイッチ素子１３ａ及び１３ｂはともにＯＮ状態に保
持される。この間は直流電流源１７から補助コイル１５
ａを経てダイオード１４ｂ、スイッチ素子１３ｂに電流
が供給され（電流経路Ｐ１′）、同時に直流電流源１７
から補助コイル１５ｂを経てダイオード１４ａ、スイッ
チ素子１３ａに電流が供給される（電流経路Ｐ２′）。
その結果、この間も情報信号の記録中と同様に補助コイ
ル１５ａの電流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉｂは
略一定値Ｉｓに保持される。ただし時点ｔ０以降は図３
（ｊ）に示すように磁界発生用コイル１２には電流は供
給されない。
から時点ｔ１のΔＴの間はスイッチ素子１３ａのゲート
に印加される電圧ＶＧａ及びスイッチ素子１３ｂのゲー
トに印加される電圧ＶＧｂはともにハイレベルであるか
らスイッチ素子１３ａ及び１３ｂはともにＯＮ状態に保
持される。この間は直流電流源１７から補助コイル１５
ａを経てダイオード１４ｂ、スイッチ素子１３ｂに電流
が供給され（電流経路Ｐ１′）、同時に直流電流源１７
から補助コイル１５ｂを経てダイオード１４ａ、スイッ
チ素子１３ａに電流が供給される（電流経路Ｐ２′）。
その結果、この間も情報信号の記録中と同様に補助コイ
ル１５ａの電流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉｂは
略一定値Ｉｓに保持される。ただし時点ｔ０以降は図３
（ｊ）に示すように磁界発生用コイル１２には電流は供
給されない。
【００３８】次に、時点ｔ１以降は電圧ＶＧａ及びＶＧ
ｂは、図３（ｆ）及び（ｇ）に示すようにハイレベルか
らローレベルへ徐々に低下し、それに伴ってスイッチ素
子１３ａ及び１３ｂのドレインとソースの間の抵抗が十
分に低い状態（ＯＮ状態）から十分に高い状態（ＯＦＦ
状態）へ徐々に切り換えられる。このスイッチ素子１３
ａ及び１３ｂのＯＮからＯＦＦへの切り換わりは、少な
くとも情報信号の記録中におけるＯＮ／ＯＦＦの切り換
わりよりも緩やかである。例えば、情報信号の記録中に
おけるＯＮ／ＯＦＦの切り換わりの時間が１０ｎｓであ
るのに対して、記録を停止する際のＯＮからＯＦＦへの
切り換わりの時間は３００ｎｓである。その結果、補助
コイル１５ａの電流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉ
ｂもスイッチ素子１３ａ及び１３ｂの切り換えと同様に
緩やかに低下する。例えば、電流Ｉａ及びＩｂの値がＩ
ｓからスイッチ素子１３ａ及び１３ｂが完全にＯＦＦし
て０となるまでの時間は３００ｎｓである。
ｂは、図３（ｆ）及び（ｇ）に示すようにハイレベルか
らローレベルへ徐々に低下し、それに伴ってスイッチ素
子１３ａ及び１３ｂのドレインとソースの間の抵抗が十
分に低い状態（ＯＮ状態）から十分に高い状態（ＯＦＦ
状態）へ徐々に切り換えられる。このスイッチ素子１３
ａ及び１３ｂのＯＮからＯＦＦへの切り換わりは、少な
くとも情報信号の記録中におけるＯＮ／ＯＦＦの切り換
わりよりも緩やかである。例えば、情報信号の記録中に
おけるＯＮ／ＯＦＦの切り換わりの時間が１０ｎｓであ
るのに対して、記録を停止する際のＯＮからＯＦＦへの
切り換わりの時間は３００ｎｓである。その結果、補助
コイル１５ａの電流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉ
ｂもスイッチ素子１３ａ及び１３ｂの切り換えと同様に
緩やかに低下する。例えば、電流Ｉａ及びＩｂの値がＩ
ｓからスイッチ素子１３ａ及び１３ｂが完全にＯＦＦし
て０となるまでの時間は３００ｎｓである。
【００３９】また、接続点Ｑａの電圧ＶＱａ及び接続点
Ｑｂの電圧ＶＱｂは時点ｔ１以降、図３（ｋ）及び
（ｌ）に示すように補助コイル１５ｂの電流Ｉｂ及び補
助コイル１５ａの電流Ｉａの低下に伴う電磁誘導により
一時的に増大し、ピーク値Ｖｐ２に達した後は低下す
る。この時、補助コイル１５ｂ及び１５ａのインダクタ
ンスをＬ、電流の変化速度をｄＩｘ／ｄｔとすると（た
だしＩｘは補助コイル１５ａの電流Ｉａまたは補助コイ
ル１５ｂの電流Ｉｂ）、電圧ＶＱａ及びＶＱｂは、略−
Ｌ・ｄＩｘ／ｄｔに一致する。ここで、スイッチ素子１
３ａ及び１３ｂを十分に緩やかにＯＮからＯＦＦへ切り
換えることによって、補助コイル１５ａの電流Ｉａ及び
補助コイル１５ｂの電流Ｉｂの低下の速度の大きさ｜ｄ
Ｉｘ／ｄｔ｜を小さくすることができるので、電磁誘導
による発生電圧のピーク値Ｖｐ２を低減することができ
る。
Ｑｂの電圧ＶＱｂは時点ｔ１以降、図３（ｋ）及び
（ｌ）に示すように補助コイル１５ｂの電流Ｉｂ及び補
助コイル１５ａの電流Ｉａの低下に伴う電磁誘導により
一時的に増大し、ピーク値Ｖｐ２に達した後は低下す
る。この時、補助コイル１５ｂ及び１５ａのインダクタ
ンスをＬ、電流の変化速度をｄＩｘ／ｄｔとすると（た
だしＩｘは補助コイル１５ａの電流Ｉａまたは補助コイ
ル１５ｂの電流Ｉｂ）、電圧ＶＱａ及びＶＱｂは、略−
Ｌ・ｄＩｘ／ｄｔに一致する。ここで、スイッチ素子１
３ａ及び１３ｂを十分に緩やかにＯＮからＯＦＦへ切り
換えることによって、補助コイル１５ａの電流Ｉａ及び
補助コイル１５ｂの電流Ｉｂの低下の速度の大きさ｜ｄ
Ｉｘ／ｄｔ｜を小さくすることができるので、電磁誘導
による発生電圧のピーク値Ｖｐ２を低減することができ
る。
【００４０】ここで、情報信号の記録中における磁界発
生用コイル１２への供給電流Ｉｈの変化速度をｄＩｈ／
ｄｔとすると、時点ｔ１以降の補助コイル１５ａの電流
Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉｂの変化速度の最大
値（絶対値）｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘを、少なくとも磁
界発生用コイル１２の供給電流Ｉｈの方向切り換え時の
変化速度の最大値（絶対値）｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘよ
りも小さくすれば電圧ＶＱａ及びＶＱｂのピーク値Ｖｐ
２を従来に比較して低減する効果があり、また｜ｄＩｈ
／ｄｔ｜ｍａｘ×０．５よりも小さくすれば一層望まし
い。さらに、磁界発生用コイル１２のインダクタンスを
ｋ・Ｌ（ただし０＜ｋ＜１）とすると、｜ｄＩｘ／ｄｔ
｜ｍａｘ及び｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘが次の式（１）で
表わされる関係を満足すれば最も望ましい。
生用コイル１２への供給電流Ｉｈの変化速度をｄＩｈ／
ｄｔとすると、時点ｔ１以降の補助コイル１５ａの電流
Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉｂの変化速度の最大
値（絶対値）｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘを、少なくとも磁
界発生用コイル１２の供給電流Ｉｈの方向切り換え時の
変化速度の最大値（絶対値）｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘよ
りも小さくすれば電圧ＶＱａ及びＶＱｂのピーク値Ｖｐ
２を従来に比較して低減する効果があり、また｜ｄＩｈ
／ｄｔ｜ｍａｘ×０．５よりも小さくすれば一層望まし
い。さらに、磁界発生用コイル１２のインダクタンスを
ｋ・Ｌ（ただし０＜ｋ＜１）とすると、｜ｄＩｘ／ｄｔ
｜ｍａｘ及び｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘが次の式（１）で
表わされる関係を満足すれば最も望ましい。
【００４１】 ｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘ≦ｋ｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘ …（１） 例えば、補助コイル１５ａ及び１５ｂのインダクタンス
Ｌを５０μＨ、磁界発生用コイル１２のインダクタンス
ｋ・Ｌを１μＨ（ｋ＝０．０２）、磁界発生用コイル１
２の電流Ｉｈの切り換え時の変化速度の最大値｜ｄＩｈ
／ｄｔ｜ｍａｘを０．０３Ａ／ｎｓとすると、補助コイ
ル１５ａの電流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉｂの
変化速度の最大値｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘは６×１０-4
Ａ／ｎｓ以下とすればよい。例えば｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍ
ａｘを５×１０-4Ａ／ｎｓとすると、電圧ＶＱａ及びＶ
Ｑｂの情報信号の記録中のピーク値Ｖｐ１は３０Ｖ、記
録の停止（時点ｔ０）後のピーク値Ｖｐ２は略２５Ｖと
なる。
Ｌを５０μＨ、磁界発生用コイル１２のインダクタンス
ｋ・Ｌを１μＨ（ｋ＝０．０２）、磁界発生用コイル１
２の電流Ｉｈの切り換え時の変化速度の最大値｜ｄＩｈ
／ｄｔ｜ｍａｘを０．０３Ａ／ｎｓとすると、補助コイ
ル１５ａの電流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉｂの
変化速度の最大値｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘは６×１０-4
Ａ／ｎｓ以下とすればよい。例えば｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍ
ａｘを５×１０-4Ａ／ｎｓとすると、電圧ＶＱａ及びＶ
Ｑｂの情報信号の記録中のピーク値Ｖｐ１は３０Ｖ、記
録の停止（時点ｔ０）後のピーク値Ｖｐ２は略２５Ｖと
なる。
【００４２】このように上記式（１）で表わされる関係
が成立する場合にはＶｐ２≦Ｖｐ１となるので、情報信
号の記録中における電圧ＶＱａ及びＶＱｂのピーク値Ｖ
ｐ１のみを考慮し、耐圧ＶｔがＶｐ１よりも高いスイッ
チ素子１３ａ及び１３ｂを使用すれば、情報信号の記録
中及び停止の際にも耐圧Ｖｔを越える電圧がスイッチ素
子１３ａ及び１３ｂに印加されてスイッチ素子を破壊す
ることはない。例えば、上記実施形態においてはスイッ
チ素子１３ａ及び１３ｂとしてドレイン、ソース間の耐
圧が４０ＶであるＭＯＳ ＦＥＴやコレクタ、エミッタ
間の耐圧が４０Ｖであるバイポーラトランジスタを使用
することができる。
が成立する場合にはＶｐ２≦Ｖｐ１となるので、情報信
号の記録中における電圧ＶＱａ及びＶＱｂのピーク値Ｖ
ｐ１のみを考慮し、耐圧ＶｔがＶｐ１よりも高いスイッ
チ素子１３ａ及び１３ｂを使用すれば、情報信号の記録
中及び停止の際にも耐圧Ｖｔを越える電圧がスイッチ素
子１３ａ及び１３ｂに印加されてスイッチ素子を破壊す
ることはない。例えば、上記実施形態においてはスイッ
チ素子１３ａ及び１３ｂとしてドレイン、ソース間の耐
圧が４０ＶであるＭＯＳ ＦＥＴやコレクタ、エミッタ
間の耐圧が４０Ｖであるバイポーラトランジスタを使用
することができる。
【００４３】以上説明したように本実施形態において
は、前述の従来技術と比較して耐圧Ｖｔが大幅に低いス
イッチ素子であっても十分に使用することができる。ま
た、磁界発生用コイルの電流の切り換えを従来よりも高
速にした場合であっても、実用的なスイッチ素子（例え
ば耐圧Ｖｔが１０００Ｖ以下のＭＯＳ ＦＥＴ）を使用
することができる。
は、前述の従来技術と比較して耐圧Ｖｔが大幅に低いス
イッチ素子であっても十分に使用することができる。ま
た、磁界発生用コイルの電流の切り換えを従来よりも高
速にした場合であっても、実用的なスイッチ素子（例え
ば耐圧Ｖｔが１０００Ｖ以下のＭＯＳ ＦＥＴ）を使用
することができる。
【００４４】なお、以上の実施形態においては情報信号
の記録の停止の際に、スイッチ素子１３ａ及び１３ｂを
ともに、まず、ＯＮ状態に保持し、その後、記録中より
も緩やかにＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えるものと
したが、スイッチ素子１３ａまたは１３ｂの少なくとも
一方をＯＮ状態に保持し、その後、記録中よりも緩やか
にＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えることによっても
補助コイル１５ａの電流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電
流Ｉｂは徐々に低下し、本発明の目的を達成することが
できる。
の記録の停止の際に、スイッチ素子１３ａ及び１３ｂを
ともに、まず、ＯＮ状態に保持し、その後、記録中より
も緩やかにＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えるものと
したが、スイッチ素子１３ａまたは１３ｂの少なくとも
一方をＯＮ状態に保持し、その後、記録中よりも緩やか
にＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えることによっても
補助コイル１５ａの電流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電
流Ｉｂは徐々に低下し、本発明の目的を達成することが
できる。
【００４５】例えば、情報信号の記録を停止する時点ｔ
０から時点ｔ１の間、スイッチ素子１３ａのみをＯＮ状
態に保持し、スイッチ素子１３ｂはＯＦＦ状態であるも
のとする。この間、直流電流源１７から補助コイル１５
ａを経て磁界発生用コイル１２、ダイオード１４ａ、ス
イッチ素子１３ａに電流が供給され（電流経路Ｐ１）、
同時に直流電源１７から補助コイル１５ｂを経てダイオ
ード１４ａ、スイッチ素子１３ａに電流が供給される
（電流経路Ｐ２′）。その結果、補助コイル１５ａの電
流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉｂはともに略一定
値Ｉｓが保持される。次に、時点ｔ１以降はスイッチ素
子１３ａをＯＮ状態からＯＦＦ状態へ徐々に切り換え
る。それに伴って補助コイル１５ａの電流Ｉａ及び補助
コイル１５ｂの電流Ｉｂも徐々に低下する。
０から時点ｔ１の間、スイッチ素子１３ａのみをＯＮ状
態に保持し、スイッチ素子１３ｂはＯＦＦ状態であるも
のとする。この間、直流電流源１７から補助コイル１５
ａを経て磁界発生用コイル１２、ダイオード１４ａ、ス
イッチ素子１３ａに電流が供給され（電流経路Ｐ１）、
同時に直流電源１７から補助コイル１５ｂを経てダイオ
ード１４ａ、スイッチ素子１３ａに電流が供給される
（電流経路Ｐ２′）。その結果、補助コイル１５ａの電
流Ｉａ及び補助コイル１５ｂの電流Ｉｂはともに略一定
値Ｉｓが保持される。次に、時点ｔ１以降はスイッチ素
子１３ａをＯＮ状態からＯＦＦ状態へ徐々に切り換え
る。それに伴って補助コイル１５ａの電流Ｉａ及び補助
コイル１５ｂの電流Ｉｂも徐々に低下する。
【００４６】また、本実施形態においてはスイッチ素子
１３ａ及び１３ｂはＭＯＳ ＦＥＴとしたが、バイポー
ラトランジスタとした場合にはスイッチ素子制御回路１
８はスイッチ素子１３ａ及び１３ｂのベースに電流を供
給することによってそのＯＮ／ＯＦＦを制御する。この
場合も同様にして情報信号の記録中は記録すべき情報信
号に応じてベースへの供給電流の切り換えを行ってスイ
ッチ素子１３ａ及び１３ｂのＯＮ／ＯＦＦを制御し、情
報信号の記録を停止する際には、まず、スイッチ素子１
３ａ及び１３ｂの両方または一方のベースに電流を供給
することによってスイッチ素子１３ａ，１３ｂの少なく
とも一方をＯＮ状態に保持し、その後、ベースに供給す
る電流を徐々に低下させることによってスイッチ素子１
３ａ及び１３ｂをＯＮ状態からＯＦＦ状態へ徐々に切り
換えればよい。
１３ａ及び１３ｂはＭＯＳ ＦＥＴとしたが、バイポー
ラトランジスタとした場合にはスイッチ素子制御回路１
８はスイッチ素子１３ａ及び１３ｂのベースに電流を供
給することによってそのＯＮ／ＯＦＦを制御する。この
場合も同様にして情報信号の記録中は記録すべき情報信
号に応じてベースへの供給電流の切り換えを行ってスイ
ッチ素子１３ａ及び１３ｂのＯＮ／ＯＦＦを制御し、情
報信号の記録を停止する際には、まず、スイッチ素子１
３ａ及び１３ｂの両方または一方のベースに電流を供給
することによってスイッチ素子１３ａ，１３ｂの少なく
とも一方をＯＮ状態に保持し、その後、ベースに供給す
る電流を徐々に低下させることによってスイッチ素子１
３ａ及び１３ｂをＯＮ状態からＯＦＦ状態へ徐々に切り
換えればよい。
【００４７】なお、本発明は連続した情報信号を記録す
る場合にはすべての情報信号の記録を終了する際に適用
できるのみでなく、光磁気記録媒体に設けられた複数の
記録領域（セクタ）に情報信号を分割して記録する場合
など情報信号の記録を時間的に分割して行う場合には、
記録を一時的に中断する度に適用できることは言うまで
もない。
る場合にはすべての情報信号の記録を終了する際に適用
できるのみでなく、光磁気記録媒体に設けられた複数の
記録領域（セクタ）に情報信号を分割して記録する場合
など情報信号の記録を時間的に分割して行う場合には、
記録を一時的に中断する度に適用できることは言うまで
もない。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、情
報信号の記録を停止する際にスイッチ素子を緩やかにＯ
ＮからＯＦＦへ切り換えるようにしたので、補助コイル
の電流の低下の速度が小さくなり、電磁誘導により補助
コイルが発生する電圧のピーク値Ｖｐ２を低減すること
ができる。その結果、スイッチ素子としてドレイン、ソ
ース間の耐圧が従来よりも低いＭＯＳ ＦＥＴを使用す
ることができ、それに伴いＯＮ抵抗（ＯＮ状態における
ドレイン、ソース間の抵抗）も減少するので、消費電力
を低減することができる。
報信号の記録を停止する際にスイッチ素子を緩やかにＯ
ＮからＯＦＦへ切り換えるようにしたので、補助コイル
の電流の低下の速度が小さくなり、電磁誘導により補助
コイルが発生する電圧のピーク値Ｖｐ２を低減すること
ができる。その結果、スイッチ素子としてドレイン、ソ
ース間の耐圧が従来よりも低いＭＯＳ ＦＥＴを使用す
ることができ、それに伴いＯＮ抵抗（ＯＮ状態における
ドレイン、ソース間の抵抗）も減少するので、消費電力
を低減することができる。
【００４９】また、磁界発生コイルの電流の切り換えを
高速にした場合であっても、実用的な耐圧Ｖｔが１００
０Ｖ以下のＭＯＳ ＦＥＴを使用することができる。従
って記録する情報信号の最高周波数を高めることによっ
て記録速度を向上することができる。更に、スイッチ素
子としてコレクタ、エミッタ間の耐圧が従来よりも低い
バイポーラトランジスタを使用することもでき、それに
伴い利得帯域幅積ｆTが増大するので、記録する情報信
号の最高周波数を高めることによって、記録速度を向上
することができる。
高速にした場合であっても、実用的な耐圧Ｖｔが１００
０Ｖ以下のＭＯＳ ＦＥＴを使用することができる。従
って記録する情報信号の最高周波数を高めることによっ
て記録速度を向上することができる。更に、スイッチ素
子としてコレクタ、エミッタ間の耐圧が従来よりも低い
バイポーラトランジスタを使用することもでき、それに
伴い利得帯域幅積ｆTが増大するので、記録する情報信
号の最高周波数を高めることによって、記録速度を向上
することができる。
【図１】本発明による光磁気記録装置の一実施形態の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】本発明による磁気ヘッド駆動回路の一実施形態
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図３】図２の磁気ヘッド駆動回路の各部の信号波形を
示す図である。
示す図である。
【図４】従来の磁気ヘッド駆動回路の構成を示す図であ
る。
る。
１ 光磁気ディスク ２ スピンドルモータ ３ 磁気ヘッド ４ 光ヘッド ５ 磁気ヘッド駆動回路 ６ 記録信号生成回路 ７ ＣＰＵ ８ レーザ駆動回路 ９ 増幅回路 １０ 情報信号再生回路 １１ コア １２ 磁界発生用コイル １３ａ，１３ｂ スイッチ素子 １４ａ，１４ｂ ダイオード １５ａ，１５ｂ 補助コイル １６ 抵抗 １７ 直流電流源 １８ スイッチ素子制御回路 １９ａ，１９ｂ ゲート駆動回路 ２０ ゲート駆動信号発生回路 ２１ 切り換え信号発生回路 ２２ａ，２２ｂ 抵抗
Claims (8)
- 【請求項１】 補助コイル、スイッチ素子、及び前記ス
イッチ素子を制御するスイッチ素子制御回路から成り、
情報信号を記録するための電流を磁気ヘッドの磁界発生
用コイルに供給する磁気ヘッド駆動回路において、情報
信号の記録中は前記スイッチ素子制御回路は、前記スイ
ッチ素子のＯＮ／ＯＦＦ状態を記録すべき情報信号に応
じて切り換え制御し、前記補助コイルを経る電流の経路
を記録すべき情報信号によって切り換えることによって
前記磁界発生用コイルに供給する電流Ｉｈを切り換え、
情報信号の記録を停止する際には、前記スイッチ素子制
御回路は前記スイッチ素子をＯＮ状態に保持し、その
後、情報信号の記録中よりも緩やかに前記スイッチ素子
をＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えることによって前
記補助コイルの電流Ｉｘを徐々に低下させることを特徴
とする磁気ヘッド駆動回路。 - 【請求項２】 情報信号の記録を停止する際の前記補助
コイルの電流Ｉｘの低下の速度の最大値（絶対値）｜ｄ
Ｉｘ／ｄｔ｜ｍａｘは、情報信号の記録中の前記磁界発
生用コイルの電流Ｉｈの切り換え時の変化速度の最大値
（絶対値）｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘよりも小さいことを
特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド駆動回路。 - 【請求項３】 情報信号の記録を停止する際の前記補助
コイルの電流Ｉｘの低下の速度の最大値（絶対値）｜ｄ
Ｉｘ／ｄｔ｜ｍａｘは、情報信号の記録中の前記磁界発
生用コイルの電流Ｉｈの切り換え時の変化速度の最大値
（絶対値）｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘ×０．５よりも小さ
いことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド駆動回
路。 - 【請求項４】 前記補助コイルのインダクタンスをＬ、
前記磁界発生用コイルのインダクタンスをｋ・Ｌ（ただ
し０＜ｋ＜１）としたとき、情報信号の記録を停止する
際の前記補助コイルの電流Ｉｘの低下の速度の最大値
（絶対値）｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘ及び情報信号の記録
中の前記磁界発生用コイルの電流Ｉｈの切り換え時の変
化速度の最大値（絶対値）｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘは、 ｜ｄＩｘ／ｄｔ｜ｍａｘ≦ｋ｜ｄＩｈ／ｄｔ｜ｍａｘ で表わされる関係を満足することを特徴とする請求項２
または３に記載の磁気ヘッド駆動回路。 - 【請求項５】 前記スイッチ素子はＭＯＳ ＦＥＴ（Ｍ
ＯＳ型電界効果トランジスタ）であり、前記スイッチ素
子制御回路はその出力電圧を前記スイッチ素子のゲート
に印加することによって前記スイッチ素子のＯＮ／ＯＦ
Ｆ状態を切り換え制御するように構成され、情報信号の
記録中はその出力電圧を記録すべき信号に応じて切り換
えて前記スイッチ素子のＯＮ／ＯＦＦ状態を切り換え制
御し、情報信号の記録を停止する際にはその出力電圧を
緩やかに切り換えることによって情報信号の記録中より
も緩やかに前記スイッチ素子をＯＮ状態からＯＦＦ状態
に切り換えて前記補助コイルの電流を徐々に低下させる
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド駆動回
路。 - 【請求項６】 前記スイッチ素子制御回路は、前記スイ
ッチ素子のゲートに印加する電圧を出力し、その出力イ
ンピーダンスの高低の切り換えが可能なゲート駆動回路
より構成され、前記ゲート駆動回路は、情報信号の記録
中はその出力インピーダンスを低く保持し、出力電圧を
記録すべき情報信号に応じて切り換えて前記スイッチ素
子のゲートに印加することにより前記スイッチ素子のＯ
Ｎ／ＯＦＦ状態を切り換え制御し、情報信号の記録を停
止する際にはその出力インピーダンスを低く保持したま
ま前記スイッチ素子のゲートに出力電圧を印加すること
により前記スイッチ素子がＯＮ状態となるように制御
し、その後出力インピーダンスを高く切り換えて情報信
号の記録中よりも緩やかに前記スイッチ素子をＯＮ状態
からＯＦＦ状態に切り換えることによって前記補助コイ
ルの電流を徐々に低下させることを特徴とする請求項５
に記載の磁気ヘッド駆動回路。 - 【請求項７】 前記スイッチ素子制御回路は、さらに前
記スイッチ素子に蓄積された電荷を放電させるための抵
抗素子を備え、前記ゲート駆動回路の出力インピーダン
スの低い状態の値をＲＬ、高い状態の値をＲＨとした
時、前記抵抗素子の抵抗値ＲをＲＬよりも大きく、かつ
ＲＨよりも小さくしたことを特徴とする請求項６に記載
の磁気ヘッド駆動回路。 - 【請求項８】 磁界発生用コイルを備えた磁気ヘッド、
磁気ヘッド駆動回路及び光ヘッドを備え、前記磁気ヘッ
ド駆動回路より前記磁界発生用コイルに記録すべき情報
信号に応じて切り換えられる電流を供給することによっ
て前記磁気ヘッドが発生する磁界を光磁気記録媒体に印
加し、同時に光ヘッドにより前記磁界の印加部位に集束
する光ビームを照射することによって前記光磁気記録媒
体に情報信号の記録を行う光磁気記録装置において、前
記磁気ヘッド駆動回路は、請求項１から７のいずれか１
項に記載の磁気ヘッド駆動回路であることを特徴とする
光磁気記録装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP35763599A JP2001176142A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 磁気ヘッド駆動回路及び光磁気記録装置 |
| US09/736,243 US6477119B2 (en) | 1999-12-16 | 2000-12-15 | Magnetic head drive circuit including paired auxiliary coils, paired switching elements, and switch element control circuit, and magneto-optical recording device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35763599A JP2001176142A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 磁気ヘッド駆動回路及び光磁気記録装置 |
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|---|---|
| JP2001176142A true JP2001176142A (ja) | 2001-06-29 |
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ID=18455134
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP35763599A Pending JP2001176142A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 磁気ヘッド駆動回路及び光磁気記録装置 |
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