JP3579290B2 - 磁気ヘッド駆動回路および磁気記録装置 - Google Patents
磁気ヘッド駆動回路および磁気記録装置 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気ディスクドライブ、ハードディスクドライブ等のような、磁気を用いて記録媒体に情報を記録する磁気記録装置に関し、特に、前記磁気記録装置に用いられる磁気ヘッド駆動回路に関するものである。具体的には、記録媒体に記録するための記録信号の周波数が高い領域にも適用可能な磁気ヘッド駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
前記磁気記録装置は、情報をデジタル式の電圧信号である記録信号に変換し、記録媒体を該記録信号に対応する方向に磁化して保持することにより、情報を記録媒体に記録する装置である。磁気記録装置は、記録媒体に磁界を形成する磁気ヘッドを具え、該磁気ヘッドは、電流から磁界を発生させる界磁コイルを具える。また、磁気記録装置は、前記界磁コイルに通電すると共に、前記記録信号に基づいて、界磁コイルに通電する電流の向きを切り替える磁気ヘッド駆動回路を具える。
【０００３】
図６は、一般的な磁気ヘッド駆動回路の概要を示す回路図である。磁気ヘッド駆動回路（９０）は、記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路（９１）と、該制御回路（９１）から受信した制御信号に基づいて、界磁コイル（９２）に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路（９３）を具える。スイッチ回路（９３）は、制御回路（９１）から受信した制御信号に基づいて、電流通路を入切するスイッチ素子（９４）（９５）（９６）（９７）を具える。
正電位の電源端子（９８）は、第１および第２スイッチ素子（９４）（９５）の一端に接続される。第１スイッチ素子（９４）の他端は、界磁コイル（９２）の一端と第３スイッチ素子（９６）の一端に接続され、第２スイッチ素子（９５）の他端は、界磁コイル（９２）の他端と第４スイッチ素子（９７）の一端に接続される。第３および第４スイッチ素子（９６）（９７）の他端は、接地端子（９９）に接続される。このような、四角形の各辺にスイッチ素子（９４）（９５）（９６）（９７）を配備し、一方の対角線上にある２つのノード（８０）（８１）間には電源から電力を供給し、他方の対角線上にある２つのノード（８２）（８３）間には、界磁コイル（９２）を接続する回路構成は、一般に「ブリッジ回路」と呼ばれている。
【０００４】
上記構成の磁気ヘッド駆動回路（９０）は、制御回路からの制御信号に基づいて、第１および第４スイッチ素子（９４）（９７）をオンにし、第２および第３スイッチ素子（９５）（９６）をオフにすると、界磁コイル（９２）には矢印Ａ方向に電流が流れ、第１および第４スイッチ素子（９４）（９７）をオフにし、第２および第３スイッチ素子（９５）（９６）をオンにすると、界磁コイル（９２）には矢印Ｂ方向に電流が流れる。従って、上記構成の磁気ヘッド駆動回路（９０）は、記録信号に基づいて、制御回路（９１）がスイッチ素子（９４）（９５）（９６）（９７）の入切を制御することにより、界磁コイル（９２）に流れる電流の向きを切り替えることができる。
【０００５】
磁気ヘッド駆動回路に使用されるスイッチ素子は、制御回路から制御信号を受信してから、オン状態またはオフ状態に切り替わるまでのスイッチング時間が短い素子を使用することが望ましく、このため、ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）が専ら使用されている。ＦＥＴは、ゲートおよびソース間の電圧（以下、「ゲート電圧」と称する。）が入力信号によって閾値電圧にまで充電されると、ドレインおよびソース間が導通してオン状態となり、さらにゲート電圧が上昇するに連れてドレインおよびソース間を流れる電流（以下、「ドレイン電流」と称する。）の値が上昇し、ゲート電圧が所定値まで充電されると、ドレイン電流の値が一定となる。ドレイン電流が一定値となった状態は、「飽和状態」と呼ばれ、オン状態となってから飽和状態となるまでの状態は、「不飽和状態」と呼ばれている。
【０００６】
磁気ヘッド駆動回路のスイッチ素子である入切用ＦＥＴが飽和状態であるとき、界磁コイルに流れる電流値が一定となり、記録媒体に形成される磁界の強さが一定となる。従って、従来の磁気記録装置は、入切用ＦＥＴが飽和状態であるときに、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さが規定の値となるように設定されており、従って、入切用ＦＥＴが飽和状態であるときに記録媒体に信号が安定して記録されることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
近時、記録媒体の記録密度を向上させるため、記録信号の最大周波数を上昇させることが要求されている。記録信号の最大周波数を上昇させると、磁気ヘッド駆動回路は、入切用ＦＥＴが不飽和状態から飽和状態に移行する前に、次の記録信号に対応する制御信号を受信してオフ状態に移行することが起こり得る。この場合、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達せず、記録媒体への信号の記録が不安定となる虞れがある。
【０００８】
この問題点を回避するため、入切用ＦＥＴが不飽和状態であっても、前記磁界の強さが規定値に達するように、電源端子（９８）から印加する電圧を上昇して、入切用ＦＥＴにおけるドレインおよびソース間の電圧（以下、「ドレイン電圧」と称する。）を増加することが考えられる。しかしながら、入切用ＦＥＴのドレイン電圧を増加すると、飽和状態において一定となる電流値も増加することになる。従って、周波数の低い記録信号を磁気ヘッド駆動回路が受信する場合、入切用ＦＥＴが飽和状態に達して、界磁コイルに過度の電流が流れ、その結果、磁気ヘッドは、過度の電流によるコイル導線の焼切れや、磁気ヘッドの過熱による破壊等の故障が起こる虞れがある。
【０００９】
【発明の目的】
本発明は、入切用ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達するように、界磁コイルに所定の電流値を流すことができ、且つ、入切用ＦＥＴが飽和状態に達しても、界磁コイルに過度の電流が流れることを防止できる磁気ヘッド駆動回路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、磁気を用いて記録媒体に記録するための記録信号を受信し、該記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路と、該制御回路から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッド(14)の界磁コイル(16)に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路を具え、スイッチ回路は、入切用ＦＥＴを用いて前記切替えを行なう磁気ヘッド駆動回路に関するものである。
本発明の磁気ヘッド駆動回路は、入切用ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッド(14)が記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達するような電圧が、入切用ＦＥＴのドレインおよびソース間に供給されており、且つスイッチ回路が、界磁コイル(16)に通電する電流の大きさを入切用ＦＥＴの飽和状態における電流値よりも小さな電流値に制限する電流制限手段を具え、該電流制限手段は界磁コイル(16)に流れる電流を遮断しない。
【００１１】
例えば、電流制限手段は、界磁コイルに流れる電流の大きさを検出する検出手段と、該検出手段からの電流値に基づいて、界磁コイルに流れる電流を入切する電流制限用入切手段を具える。該入切手段は、界磁コイルに流れる電流値が所定値を超えると、該入切手段が電流をオフにする。これにより、界磁コイルに流れる電流の大きさを所定値に制限できる。（以下、この所定値を「制限値」と称する。）
【００１２】
他の例としては、電流制限手段は、界磁コイルに流れる電流値を検出する検出手段と、該検出手段からの電流値に基づいて、入切用ＦＥＴにおけるゲート電圧を制限するゲート電圧制限手段を具える。該ゲート電圧制御手段は、オン−オフ状態が正反対である少なくとも２つの入切用ＦＥＴに配備される。ゲート電圧制御手段は、界磁コイルに流れる電流値が所定値を超えないように、ゲート電圧を制限する。入切用ＦＥＴは、ドレイン電流がゲート電圧に依存するから、ゲート電圧を制限することによりドレイン電流が制限される。
【００１３】
【作用及び効果】
本発明の磁気ヘッド駆動回路は、入切用ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達するような電圧が入切用ＦＥＴのドレインおよびソース間に供給されているが、スイッチ回路が、界磁コイルに通電する電流の大きさを制限する電流制限手段を具えるから、入切用ＦＥＴが飽和状態であっても、界磁コイルに過度の電流が流れることを防止できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の磁気ヘッド駆動回路が使用される光磁気ディスクドライブの要部を示している。光磁気ディスクドライブ（１０）は、記録媒体として、保磁力の強い磁性体を記録層に配備したディスク（光磁気ディスク）（１１）を使用し、該光磁気ディスク（１１）に対し、レーザ光および外部磁界を用いて信号の書込みを行ない、レーザ光を用いて信号の読出しを行なうディスク記録再生装置である。光磁気ディスクドライブ（１０）は、光磁気ディスク（１１）を回転させるディスクモータ（１２）と、光磁気ディスク（１１）のトラック上にレーザ光を照射すると共に、その反射光を検出する光ピックアップ（１３）と、光磁気ディスク（１１）のトラックに磁界を形成する磁気ヘッド（１４）を具える。磁気ヘッド（１４）は、電流から磁界を発生させる界磁コイル（１６）を具える（図２、図４および図５を参照）。また、光磁気ディスクドライブ（１０）は、磁気ヘッド（１４）の前記界磁コイル（１６）に通電すると共に、光磁気ディスク（１１）に記録するための記録信号を本体から受信し、該記録信号に基づいて界磁コイルに通電する電流の向きを切り替える磁気ヘッド駆動回路（１５）を具える。
【００１５】
実施形態１
図２は、本発明の一実施形態である磁気ヘッド駆動回路を示している。
磁気ヘッド駆動回路（２０）は、前記記録信号を本体から受信し、該記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路（２１）と、該制御回路（２１）から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッド（１４）の界磁コイル（１６）に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路（２３）を具える。
【００１６】
記録信号は、Ｈ（高）レベルの電圧とＬ（低）レベルの電圧からなる電圧信号である（図３を参照）。制御回路（２１）は、制御信号として、該記録信号を後記するスイッチ回路（２３）の第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）のゲート（Ｇ）に送信し、インバータ（２４）により記録信号を反転した信号を、後記するスイッチ回路（２３）の第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）のゲートに送信する。
【００１７】
本実施形態では、スイッチ回路（２３）は、スイッチ素子として、４個のＮチャネルＦＥＴ（２５）（２６）（２７）（２８）を用いたブリッジ回路である。正電位（Ｖｄ［Ｖ（ボルト）］）の電源端子（２９）は、第１ＦＥＴ（２５）および第２ＦＥＴ（２６）のドレイン（Ｄ）に接続される。第１ＦＥＴ（２５）は、ゲートが記録信号を受信し、ソース（Ｓ）が界磁コイル（１６）の一端と第３ＦＥＴ（２７）のドレインに接続される。第３ＦＥＴ（２７）は、ゲートが記録信号の反転信号を受信し、ソースがトランジスタ（３０）のコレクタ（Ｃ）に接続される。一方、第２ＦＥＴ（２６）は、ゲートが記録信号の反転信号を受信し、ソースが界磁コイル（１６）の他端と第４ＦＥＴ（２８）のドレインに接続される。第４ＦＥＴ（２８）は、ゲートが記録信号を受信し、ソースがトランジスタ（３０）のコレクタに接続される。
【００１８】
トランジスタ（３０）は、ベース（Ｂ）が差動アンプ（３１）の出力端子に接続され、エミッタ（Ｅ）が第１抵抗器（３２）（抵抗値Ｒ１［Ω（オーム）］）の一端に接続される。第１抵抗器（３２）の他端は、接地端子（３３）に接続される。差動アンプ（３１）の一方の入力端子は、第２抵抗器（３４）（抵抗値Ｒ２［Ω］）および第３抵抗器（３５）（抵抗値Ｒ３［Ω］）の一端に接続され、他方の入力端子は、第１抵抗器（３２）の一端に接続される。第２抵抗器（３４）の他端は、前記電源端子（２９）に接続され、第３抵抗器（３５）の他端は、前記接地端子（３３）に接続される。
各抵抗器（３２）（３４）（３５）の抵抗値Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、
Ｒ３×Ｖｄ／（Ｒ２＋Ｒ３）＝Ｉｌｉｍ×Ｒ１ （式１）
が成立するように設定される。ここで、Ｉｌｉｍ［Ａ（アンペア）］は、界磁コイル（１６）に通電する電流の制限値である。
【００１９】
上記構成の磁気ヘッド駆動回路（２０）において、制御回路（２１）がＨレベルの記録信号を受信すると、制御回路（２１）は、第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）の各ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）の各ゲートにＬレベルの電圧を印加する。これにより、第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）がオン状態となり、第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）がオフ状態となる。従って、電源端子（２９）から第１ＦＥＴ（２６）、界磁コイル（１６）、第４ＦＥＴ（２８）、トランジスタ（３０）および第１抵抗器（３２）を介して接地端子（３３）に電流を流すことができ、界磁コイル（１６）には、矢印Ａ方向に電流が流れることになる。
【００２０】
次に、制御回路（２１）がＬレベルの記録信号を受信すると、制御回路（２１）は、第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）の各ゲートにＬレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）の各ゲートにＨレベルの電圧を印加する。これにより第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）がオフ状態となり、第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）がオン状態となる。従って、電源端子（２９）から第２ＦＥＴ（２６）、界磁コイル（１６）、第３ＦＥＴ（２７）、トランジスタ（３０）および第１抵抗器（３２）を介して接地端子（３３）に電流を流すことができ、界磁コイル（１６）には、矢印Ｂ方向に電流が流れることになる。
従って、上記構成の磁気ヘッド駆動回路（２０）は、記録信号の電圧レベルに応じて、界磁コイル（１６）に流れる電流の向きを切り替えることができる。
【００２１】
このとき、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍに達すると、第１抵抗器（３２）に流れる電流値もＩｌｉｍとなるから、上記（式１）より差動アンプ（３１）における入力端子間の電圧がゼロとなって、トランジスタ（３０）のコレクタおよびエミッタ間がオフ状態となる。従って、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍを超えることは無い。
【００２２】
図３は、界磁コイルに流れる電流値の時間変化を示すグラフである。上のグラフは、磁気ヘッド駆動回路が受信する記録信号を示しており、中央および下のグラフは、それぞれ、従来および本実施形態の磁気ヘッド駆動回路が該記録信号に基づいて界磁コイルに流す電流値を示している。ここで、従来の磁気ヘッド駆動回路は、図２に示す本実施形態の磁気ヘッド駆動回路（２０）から、電流制御手段を構成するトランジスタ（３０）、差動アンプ（３１）、第１抵抗器（３２）、第２抵抗器（３４）および第３抵抗器（３５）を省略したものである。
【００２３】
図３では、記録密度を上昇させるため、記録信号は、記録信号の最短周期（最大周波数）においてＦＥＴ（２５）（２６）（２７）（２８）が飽和状態に到達し得ない程度の記録レートが設定されている。このため、従来および本実施形態の磁気ヘッド駆動回路は、図示のように、電源端子（２９）の正電位を上昇して、ドレイン電圧を上昇させており、これにより、磁気ヘッドが記録媒体に規定の磁界強さを形成するために必要な界磁コイルの所望電流値Ｉ０に、前記最短周期の期間Ｔ１内で到達させている。
【００２４】
しかしながら、ＦＥＴ（２５）（２６）（２７）（２８）のドレイン電圧を上昇させることにより、ＦＥＴが飽和状態で一定となる飽和電流値Ｉｓも上昇することになる。従って、従来の磁気ヘッド駆動回路では、図３に示すように、ＨレベルおよびＬレベルの何れかの記録信号が継続する期間Ｔ２内に、前記所望電流値Ｉ０よりも高い飽和電流値Ｉｓが界磁コイルに流れることになり、磁気ヘッドが故障する虞れがある。
一方、本実施形態の磁気ヘッド駆動回路（２０）では、電流制御手段により界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍに制限されるから、電流制限値Ｉｌｉｍを前記所望電流値Ｉ０より稍高い値に設定することにより、図３に示すように、前記期間Ｔ２内であっても、界磁コイルに流れる電流を飽和電流値Ｉｓよりも低く制限できる。その結果、界磁コイルに過度の電流が流れることによる磁気ヘッドの故障を防止できる。
【００２５】
なお、本実施形態では、ＮチャネルのＦＥＴ（２５）（２６）（２７）（２８）を使用しているが、ＰチャネルＦＥＴを使用してもよい。この場合、ドレインとソースの接続位置を入れ替え、ゲートにＮチャネルとは反転した信号を受信するように配備される。例えば、電源端子（２９）に接続する第１ＦＥＴおよび第２ＦＥＴにＰチャネルＦＥＴを使用する場合には、図４に示すように、第１ＦＥＴ（３７）のゲートに記録信号の反転信号を受信し、第２ＦＥＴ（３８）のゲートに記録信号を受信するように変更すればよい。
また、本実施形態では、電流制御手段を構成するトランジスタ（３０）、差動アンプ（３１）、第１抵抗器（３２）、第２抵抗器（３４）および第３抵抗器（３５）は、第３ＦＥＴ（２７）および第４ＦＥＴ（２８）のノード（６１）と接地端子（３３）の間に配備しているが、電源端子（２９）と、第１ＦＥＴ（２５）および第２ＦＥＴ（２６）のノード（６０）の間に配備してもよい。
【００２６】
実施形態２
図５は、第２実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示している。磁気ヘッド駆動回路（４０）は、記録信号を本体から受信した記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路（４１）と、該制御回路（４１）から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッド（１４）の界磁コイル（１６）に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路（４３）を具える。記録信号および制御回路（４１）の構成は第１実施形態（図２）と同様であるから、その説明を省略する。
【００２７】
本実施形態では、スイッチ回路（４３）は、４個のＮチャネルＦＥＴ（４５）（４６）（４７）（４８）を用いたブリッジ回路である。正電位（Ｖｄ［Ｖ］）の電源端子（４９）は、第１ＦＥＴ（４５）および第２ＦＥＴ（４６）のドレインに接続される。第１ＦＥＴ（４５）は、ゲートが記録信号を受信し、ソースが界磁コイル（１６）の一端と第３ＦＥＴ（４７）のドレインに接続される。第２ＦＥＴ（４６）は、ゲートが記録信号の反転信号を受信し、ソースが界磁コイル（１６）の他端と第４ＦＥＴ（４８）のドレインに接続される。第３および第４ＦＥＴ（４７）（４８）は、ゲートがそれぞれ第１および第２差動アンプ（５０）（５１）の出力端子に接続され、ソースが第１抵抗器（５２）（抵抗値Ｒ４［Ω］）の一端に接続される。第１抵抗器（５２）の他端は、接地端子（５３）に接続される。
【００２８】
第１差動アンプ（５０）の一方の入力端子は、第２抵抗器（５４）（抵抗値Ｒ５［Ω］）および第３抵抗器（５５）（抵抗値Ｒ６［Ω］）の一端に接続され、他方の入力端子は、第１抵抗器（５２）の一端に接続される。第２抵抗器（５４）の他端は、制御回路（４１）のインバータ（４４）に接続され、第３抵抗器（５５）の他端は、前記接地端子（５３）に接続される。同様に、第２差動アンプ（５１）の一方の入力端子は、第４抵抗器（５６）（抵抗値Ｒ７［Ω］）および第５抵抗器（５７）（抵抗値Ｒ８［Ω］）の一端に接続され、他方の入力端子は、第１抵抗器（５２）の一端に接続される。第４抵抗器（５６）の他端は、制御回路（４１）に接続され、第５抵抗器（５７）の他端は、前記接地端子（５３）に接続される。
【００２９】
各抵抗器（５２）（５４）〜（５７）の抵抗値Ｒ４〜Ｒ８は、
Ｒ６×Ｖｄ／（Ｒ５＋Ｒ６）＝Ｉｌｉｍ×Ｒ４ （式２）
、および
Ｒ８×Ｖｄ／（Ｒ７＋Ｒ８）＝Ｉｌｉｍ×Ｒ４ （式３）
が成立するように設定される。
【００３０】
上記構成のヘッド駆動回路（４０）において、制御回路（４１）がＨレベルの記録信号を受信すると、制御回路（４１）は、第１ＦＥＴ（４５）および第４ＦＥＴ（４８）の各ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ（４６）および第３ＦＥＴ（４７）の各ゲートにＬレベルの電圧を印加する。これにより第１ＦＥＴ（４５）および第４ＦＥＴ（４８）がオン状態となり、第２ＦＥＴ（４６）および第３ＦＥＴ（４７）がオフ状態となる。従って、電源端子（４９）から第１ＦＥＴ（４６）、界磁コイル（１６）、第４ＦＥＴ（４８）および第１抵抗器（５２）を介して接地端子（５３）に電流を流すことができ、界磁コイル（１６）には、矢印Ａ方向に電流が流れることになる。
【００３１】
このとき、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍに達すると、第１抵抗器（５２）に流れる電流値もＩｌｉｍとなるから、上記（式３）より第２差動アンプ（５１）における入力端子間の電圧がゼロとなって、第４ＦＥＴ（４８）がオフ状態となる。従って、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍを超えることは無い。
【００３２】
次に、制御回路（４１）がＬレベルの記録信号を受信すると、制御回路（４１）は、第１ＦＥＴ（４５）および第４ＦＥＴ（４８）の各ゲートにＬレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ（４６）および第３ＦＥＴ（４７）の各ゲートにＨレベルの電圧を印加する。これにより第１ＦＥＴ（４５）および第４ＦＥＴ（４８）がオフ状態となり、第２ＦＥＴ（４６）および第３ＦＥＴ（４７）がオン状態となる。従って、電源端子（４９）から第２ＦＥＴ（４６）、界磁コイル（１６）、第３ＦＥＴ（４７）および第１抵抗器（５２）を介して接地端子（５３）に電流を流すことができ、界磁コイル（１６）には、矢印Ｂ方向に電流が流れることになる。
従って、上記構成のヘッド駆動回路（４０）は、記録信号の電圧レベルに応じて、界磁コイル（１６）を流れる電流の向きを切り替えることができる。
【００３３】
このとき、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍに達すると、上述と同様に、上記（式２）より第１差動アンプ（５０）における入力端子間の電圧がゼロとなって、第３ＦＥＴ（４７）がオフ状態となる。従って、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍを超えることは無い。
従って、本実施形態の磁気ヘッド駆動回路（４０）は、第１実施形態の磁気ヘッド駆動回路（２０）と同様に、界磁コイル（１６）に流れる電流を制限値Ｉｌｉｍに制限でき、その結果、界磁コイルに過度の電流が流れることによる磁気ヘッドの故障を防止できる。
【００３４】
なお、本実施形態では、ＮチャネルのＦＥＴ（４５）（４６）（４７）（４８）を使用しているが、上述のようにして、ＰチャネルＦＥＴを使用することもできる。
また、本実施形態において、第３ＦＥＴ（４７）のゲートと制御回路（４１）の間に配備した第１差動アンプ（５０）、第２抵抗器（５４）および第３抵抗器（５５）を、第２ＦＥＴ（４６）のゲートと制御回路（４１）の間に配備し、第４ＦＥＴ（４８）のゲートと制御回路（４１）の間に配備した第２差動アンプ（５１）、第４抵抗器（５６）および第５抵抗器（５７）を、第１ＦＥＴ（４５）のゲートと制御回路（４１）の間に配備してもよい。
【００３５】
上記実施形態の説明は、本発明を説明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは勿論である。
例えば、上記実施形態では、光磁気ディスクドライブについて説明しているが、ハードディスクドライブ等のような、磁気ヘッドにより情報を記録媒体に高速に記録するその他の磁気記録装置にも本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光磁気ディスクドライブの要部を示す模式図である。
【図２】第１実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示す回路図である。
【図３】磁気ヘッドの界磁コイルに流れる電流値の時間変化を示すグラフである。
【図４】図２にＰチャネルＦＥＴを用いた場合の磁気ヘッド駆動回路を示す回路図である。
【図５】第２実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示す回路図である。
【図６】一般的な磁気ヘッド駆動回路を示す回路図である。
【符号の説明】
（１０） 光磁気ディスクドライブ
（１４） 磁気ヘッド
（１６） 界磁コイル
（２０） 磁気ヘッド駆動回路
（２１） 制御回路
（２３） スイッチ回路
（２５）（２６）（２７）（２８） ＦＥＴ
（２９） 電源端子
（３０） トランジスタ
（３１） 差動アンプ
（３２）（３４）（３５） 抵抗器
（３３） 接地端子
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気ディスクドライブ、ハードディスクドライブ等のような、磁気を用いて記録媒体に情報を記録する磁気記録装置に関し、特に、前記磁気記録装置に用いられる磁気ヘッド駆動回路に関するものである。具体的には、記録媒体に記録するための記録信号の周波数が高い領域にも適用可能な磁気ヘッド駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
前記磁気記録装置は、情報をデジタル式の電圧信号である記録信号に変換し、記録媒体を該記録信号に対応する方向に磁化して保持することにより、情報を記録媒体に記録する装置である。磁気記録装置は、記録媒体に磁界を形成する磁気ヘッドを具え、該磁気ヘッドは、電流から磁界を発生させる界磁コイルを具える。また、磁気記録装置は、前記界磁コイルに通電すると共に、前記記録信号に基づいて、界磁コイルに通電する電流の向きを切り替える磁気ヘッド駆動回路を具える。
【０００３】
図６は、一般的な磁気ヘッド駆動回路の概要を示す回路図である。磁気ヘッド駆動回路（９０）は、記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路（９１）と、該制御回路（９１）から受信した制御信号に基づいて、界磁コイル（９２）に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路（９３）を具える。スイッチ回路（９３）は、制御回路（９１）から受信した制御信号に基づいて、電流通路を入切するスイッチ素子（９４）（９５）（９６）（９７）を具える。
正電位の電源端子（９８）は、第１および第２スイッチ素子（９４）（９５）の一端に接続される。第１スイッチ素子（９４）の他端は、界磁コイル（９２）の一端と第３スイッチ素子（９６）の一端に接続され、第２スイッチ素子（９５）の他端は、界磁コイル（９２）の他端と第４スイッチ素子（９７）の一端に接続される。第３および第４スイッチ素子（９６）（９７）の他端は、接地端子（９９）に接続される。このような、四角形の各辺にスイッチ素子（９４）（９５）（９６）（９７）を配備し、一方の対角線上にある２つのノード（８０）（８１）間には電源から電力を供給し、他方の対角線上にある２つのノード（８２）（８３）間には、界磁コイル（９２）を接続する回路構成は、一般に「ブリッジ回路」と呼ばれている。
【０００４】
上記構成の磁気ヘッド駆動回路（９０）は、制御回路からの制御信号に基づいて、第１および第４スイッチ素子（９４）（９７）をオンにし、第２および第３スイッチ素子（９５）（９６）をオフにすると、界磁コイル（９２）には矢印Ａ方向に電流が流れ、第１および第４スイッチ素子（９４）（９７）をオフにし、第２および第３スイッチ素子（９５）（９６）をオンにすると、界磁コイル（９２）には矢印Ｂ方向に電流が流れる。従って、上記構成の磁気ヘッド駆動回路（９０）は、記録信号に基づいて、制御回路（９１）がスイッチ素子（９４）（９５）（９６）（９７）の入切を制御することにより、界磁コイル（９２）に流れる電流の向きを切り替えることができる。
【０００５】
磁気ヘッド駆動回路に使用されるスイッチ素子は、制御回路から制御信号を受信してから、オン状態またはオフ状態に切り替わるまでのスイッチング時間が短い素子を使用することが望ましく、このため、ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）が専ら使用されている。ＦＥＴは、ゲートおよびソース間の電圧（以下、「ゲート電圧」と称する。）が入力信号によって閾値電圧にまで充電されると、ドレインおよびソース間が導通してオン状態となり、さらにゲート電圧が上昇するに連れてドレインおよびソース間を流れる電流（以下、「ドレイン電流」と称する。）の値が上昇し、ゲート電圧が所定値まで充電されると、ドレイン電流の値が一定となる。ドレイン電流が一定値となった状態は、「飽和状態」と呼ばれ、オン状態となってから飽和状態となるまでの状態は、「不飽和状態」と呼ばれている。
【０００６】
磁気ヘッド駆動回路のスイッチ素子である入切用ＦＥＴが飽和状態であるとき、界磁コイルに流れる電流値が一定となり、記録媒体に形成される磁界の強さが一定となる。従って、従来の磁気記録装置は、入切用ＦＥＴが飽和状態であるときに、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さが規定の値となるように設定されており、従って、入切用ＦＥＴが飽和状態であるときに記録媒体に信号が安定して記録されることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
近時、記録媒体の記録密度を向上させるため、記録信号の最大周波数を上昇させることが要求されている。記録信号の最大周波数を上昇させると、磁気ヘッド駆動回路は、入切用ＦＥＴが不飽和状態から飽和状態に移行する前に、次の記録信号に対応する制御信号を受信してオフ状態に移行することが起こり得る。この場合、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達せず、記録媒体への信号の記録が不安定となる虞れがある。
【０００８】
この問題点を回避するため、入切用ＦＥＴが不飽和状態であっても、前記磁界の強さが規定値に達するように、電源端子（９８）から印加する電圧を上昇して、入切用ＦＥＴにおけるドレインおよびソース間の電圧（以下、「ドレイン電圧」と称する。）を増加することが考えられる。しかしながら、入切用ＦＥＴのドレイン電圧を増加すると、飽和状態において一定となる電流値も増加することになる。従って、周波数の低い記録信号を磁気ヘッド駆動回路が受信する場合、入切用ＦＥＴが飽和状態に達して、界磁コイルに過度の電流が流れ、その結果、磁気ヘッドは、過度の電流によるコイル導線の焼切れや、磁気ヘッドの過熱による破壊等の故障が起こる虞れがある。
【０００９】
【発明の目的】
本発明は、入切用ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達するように、界磁コイルに所定の電流値を流すことができ、且つ、入切用ＦＥＴが飽和状態に達しても、界磁コイルに過度の電流が流れることを防止できる磁気ヘッド駆動回路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、磁気を用いて記録媒体に記録するための記録信号を受信し、該記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路と、該制御回路から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッド(14)の界磁コイル(16)に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路を具え、スイッチ回路は、入切用ＦＥＴを用いて前記切替えを行なう磁気ヘッド駆動回路に関するものである。
本発明の磁気ヘッド駆動回路は、入切用ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッド(14)が記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達するような電圧が、入切用ＦＥＴのドレインおよびソース間に供給されており、且つスイッチ回路が、界磁コイル(16)に通電する電流の大きさを入切用ＦＥＴの飽和状態における電流値よりも小さな電流値に制限する電流制限手段を具え、該電流制限手段は界磁コイル(16)に流れる電流を遮断しない。
【００１１】
例えば、電流制限手段は、界磁コイルに流れる電流の大きさを検出する検出手段と、該検出手段からの電流値に基づいて、界磁コイルに流れる電流を入切する電流制限用入切手段を具える。該入切手段は、界磁コイルに流れる電流値が所定値を超えると、該入切手段が電流をオフにする。これにより、界磁コイルに流れる電流の大きさを所定値に制限できる。（以下、この所定値を「制限値」と称する。）
【００１２】
他の例としては、電流制限手段は、界磁コイルに流れる電流値を検出する検出手段と、該検出手段からの電流値に基づいて、入切用ＦＥＴにおけるゲート電圧を制限するゲート電圧制限手段を具える。該ゲート電圧制御手段は、オン−オフ状態が正反対である少なくとも２つの入切用ＦＥＴに配備される。ゲート電圧制御手段は、界磁コイルに流れる電流値が所定値を超えないように、ゲート電圧を制限する。入切用ＦＥＴは、ドレイン電流がゲート電圧に依存するから、ゲート電圧を制限することによりドレイン電流が制限される。
【００１３】
【作用及び効果】
本発明の磁気ヘッド駆動回路は、入切用ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達するような電圧が入切用ＦＥＴのドレインおよびソース間に供給されているが、スイッチ回路が、界磁コイルに通電する電流の大きさを制限する電流制限手段を具えるから、入切用ＦＥＴが飽和状態であっても、界磁コイルに過度の電流が流れることを防止できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の磁気ヘッド駆動回路が使用される光磁気ディスクドライブの要部を示している。光磁気ディスクドライブ（１０）は、記録媒体として、保磁力の強い磁性体を記録層に配備したディスク（光磁気ディスク）（１１）を使用し、該光磁気ディスク（１１）に対し、レーザ光および外部磁界を用いて信号の書込みを行ない、レーザ光を用いて信号の読出しを行なうディスク記録再生装置である。光磁気ディスクドライブ（１０）は、光磁気ディスク（１１）を回転させるディスクモータ（１２）と、光磁気ディスク（１１）のトラック上にレーザ光を照射すると共に、その反射光を検出する光ピックアップ（１３）と、光磁気ディスク（１１）のトラックに磁界を形成する磁気ヘッド（１４）を具える。磁気ヘッド（１４）は、電流から磁界を発生させる界磁コイル（１６）を具える（図２、図４および図５を参照）。また、光磁気ディスクドライブ（１０）は、磁気ヘッド（１４）の前記界磁コイル（１６）に通電すると共に、光磁気ディスク（１１）に記録するための記録信号を本体から受信し、該記録信号に基づいて界磁コイルに通電する電流の向きを切り替える磁気ヘッド駆動回路（１５）を具える。
【００１５】
実施形態１
図２は、本発明の一実施形態である磁気ヘッド駆動回路を示している。
磁気ヘッド駆動回路（２０）は、前記記録信号を本体から受信し、該記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路（２１）と、該制御回路（２１）から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッド（１４）の界磁コイル（１６）に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路（２３）を具える。
【００１６】
記録信号は、Ｈ（高）レベルの電圧とＬ（低）レベルの電圧からなる電圧信号である（図３を参照）。制御回路（２１）は、制御信号として、該記録信号を後記するスイッチ回路（２３）の第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）のゲート（Ｇ）に送信し、インバータ（２４）により記録信号を反転した信号を、後記するスイッチ回路（２３）の第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）のゲートに送信する。
【００１７】
本実施形態では、スイッチ回路（２３）は、スイッチ素子として、４個のＮチャネルＦＥＴ（２５）（２６）（２７）（２８）を用いたブリッジ回路である。正電位（Ｖｄ［Ｖ（ボルト）］）の電源端子（２９）は、第１ＦＥＴ（２５）および第２ＦＥＴ（２６）のドレイン（Ｄ）に接続される。第１ＦＥＴ（２５）は、ゲートが記録信号を受信し、ソース（Ｓ）が界磁コイル（１６）の一端と第３ＦＥＴ（２７）のドレインに接続される。第３ＦＥＴ（２７）は、ゲートが記録信号の反転信号を受信し、ソースがトランジスタ（３０）のコレクタ（Ｃ）に接続される。一方、第２ＦＥＴ（２６）は、ゲートが記録信号の反転信号を受信し、ソースが界磁コイル（１６）の他端と第４ＦＥＴ（２８）のドレインに接続される。第４ＦＥＴ（２８）は、ゲートが記録信号を受信し、ソースがトランジスタ（３０）のコレクタに接続される。
【００１８】
トランジスタ（３０）は、ベース（Ｂ）が差動アンプ（３１）の出力端子に接続され、エミッタ（Ｅ）が第１抵抗器（３２）（抵抗値Ｒ１［Ω（オーム）］）の一端に接続される。第１抵抗器（３２）の他端は、接地端子（３３）に接続される。差動アンプ（３１）の一方の入力端子は、第２抵抗器（３４）（抵抗値Ｒ２［Ω］）および第３抵抗器（３５）（抵抗値Ｒ３［Ω］）の一端に接続され、他方の入力端子は、第１抵抗器（３２）の一端に接続される。第２抵抗器（３４）の他端は、前記電源端子（２９）に接続され、第３抵抗器（３５）の他端は、前記接地端子（３３）に接続される。
各抵抗器（３２）（３４）（３５）の抵抗値Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、
Ｒ３×Ｖｄ／（Ｒ２＋Ｒ３）＝Ｉｌｉｍ×Ｒ１ （式１）
が成立するように設定される。ここで、Ｉｌｉｍ［Ａ（アンペア）］は、界磁コイル（１６）に通電する電流の制限値である。
【００１９】
上記構成の磁気ヘッド駆動回路（２０）において、制御回路（２１）がＨレベルの記録信号を受信すると、制御回路（２１）は、第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）の各ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）の各ゲートにＬレベルの電圧を印加する。これにより、第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）がオン状態となり、第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）がオフ状態となる。従って、電源端子（２９）から第１ＦＥＴ（２６）、界磁コイル（１６）、第４ＦＥＴ（２８）、トランジスタ（３０）および第１抵抗器（３２）を介して接地端子（３３）に電流を流すことができ、界磁コイル（１６）には、矢印Ａ方向に電流が流れることになる。
【００２０】
次に、制御回路（２１）がＬレベルの記録信号を受信すると、制御回路（２１）は、第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）の各ゲートにＬレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）の各ゲートにＨレベルの電圧を印加する。これにより第１ＦＥＴ（２５）および第４ＦＥＴ（２８）がオフ状態となり、第２ＦＥＴ（２６）および第３ＦＥＴ（２７）がオン状態となる。従って、電源端子（２９）から第２ＦＥＴ（２６）、界磁コイル（１６）、第３ＦＥＴ（２７）、トランジスタ（３０）および第１抵抗器（３２）を介して接地端子（３３）に電流を流すことができ、界磁コイル（１６）には、矢印Ｂ方向に電流が流れることになる。
従って、上記構成の磁気ヘッド駆動回路（２０）は、記録信号の電圧レベルに応じて、界磁コイル（１６）に流れる電流の向きを切り替えることができる。
【００２１】
このとき、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍに達すると、第１抵抗器（３２）に流れる電流値もＩｌｉｍとなるから、上記（式１）より差動アンプ（３１）における入力端子間の電圧がゼロとなって、トランジスタ（３０）のコレクタおよびエミッタ間がオフ状態となる。従って、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍを超えることは無い。
【００２２】
図３は、界磁コイルに流れる電流値の時間変化を示すグラフである。上のグラフは、磁気ヘッド駆動回路が受信する記録信号を示しており、中央および下のグラフは、それぞれ、従来および本実施形態の磁気ヘッド駆動回路が該記録信号に基づいて界磁コイルに流す電流値を示している。ここで、従来の磁気ヘッド駆動回路は、図２に示す本実施形態の磁気ヘッド駆動回路（２０）から、電流制御手段を構成するトランジスタ（３０）、差動アンプ（３１）、第１抵抗器（３２）、第２抵抗器（３４）および第３抵抗器（３５）を省略したものである。
【００２３】
図３では、記録密度を上昇させるため、記録信号は、記録信号の最短周期（最大周波数）においてＦＥＴ（２５）（２６）（２７）（２８）が飽和状態に到達し得ない程度の記録レートが設定されている。このため、従来および本実施形態の磁気ヘッド駆動回路は、図示のように、電源端子（２９）の正電位を上昇して、ドレイン電圧を上昇させており、これにより、磁気ヘッドが記録媒体に規定の磁界強さを形成するために必要な界磁コイルの所望電流値Ｉ０に、前記最短周期の期間Ｔ１内で到達させている。
【００２４】
しかしながら、ＦＥＴ（２５）（２６）（２７）（２８）のドレイン電圧を上昇させることにより、ＦＥＴが飽和状態で一定となる飽和電流値Ｉｓも上昇することになる。従って、従来の磁気ヘッド駆動回路では、図３に示すように、ＨレベルおよびＬレベルの何れかの記録信号が継続する期間Ｔ２内に、前記所望電流値Ｉ０よりも高い飽和電流値Ｉｓが界磁コイルに流れることになり、磁気ヘッドが故障する虞れがある。
一方、本実施形態の磁気ヘッド駆動回路（２０）では、電流制御手段により界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍに制限されるから、電流制限値Ｉｌｉｍを前記所望電流値Ｉ０より稍高い値に設定することにより、図３に示すように、前記期間Ｔ２内であっても、界磁コイルに流れる電流を飽和電流値Ｉｓよりも低く制限できる。その結果、界磁コイルに過度の電流が流れることによる磁気ヘッドの故障を防止できる。
【００２５】
なお、本実施形態では、ＮチャネルのＦＥＴ（２５）（２６）（２７）（２８）を使用しているが、ＰチャネルＦＥＴを使用してもよい。この場合、ドレインとソースの接続位置を入れ替え、ゲートにＮチャネルとは反転した信号を受信するように配備される。例えば、電源端子（２９）に接続する第１ＦＥＴおよび第２ＦＥＴにＰチャネルＦＥＴを使用する場合には、図４に示すように、第１ＦＥＴ（３７）のゲートに記録信号の反転信号を受信し、第２ＦＥＴ（３８）のゲートに記録信号を受信するように変更すればよい。
また、本実施形態では、電流制御手段を構成するトランジスタ（３０）、差動アンプ（３１）、第１抵抗器（３２）、第２抵抗器（３４）および第３抵抗器（３５）は、第３ＦＥＴ（２７）および第４ＦＥＴ（２８）のノード（６１）と接地端子（３３）の間に配備しているが、電源端子（２９）と、第１ＦＥＴ（２５）および第２ＦＥＴ（２６）のノード（６０）の間に配備してもよい。
【００２６】
実施形態２
図５は、第２実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示している。磁気ヘッド駆動回路（４０）は、記録信号を本体から受信した記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路（４１）と、該制御回路（４１）から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッド（１４）の界磁コイル（１６）に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路（４３）を具える。記録信号および制御回路（４１）の構成は第１実施形態（図２）と同様であるから、その説明を省略する。
【００２７】
本実施形態では、スイッチ回路（４３）は、４個のＮチャネルＦＥＴ（４５）（４６）（４７）（４８）を用いたブリッジ回路である。正電位（Ｖｄ［Ｖ］）の電源端子（４９）は、第１ＦＥＴ（４５）および第２ＦＥＴ（４６）のドレインに接続される。第１ＦＥＴ（４５）は、ゲートが記録信号を受信し、ソースが界磁コイル（１６）の一端と第３ＦＥＴ（４７）のドレインに接続される。第２ＦＥＴ（４６）は、ゲートが記録信号の反転信号を受信し、ソースが界磁コイル（１６）の他端と第４ＦＥＴ（４８）のドレインに接続される。第３および第４ＦＥＴ（４７）（４８）は、ゲートがそれぞれ第１および第２差動アンプ（５０）（５１）の出力端子に接続され、ソースが第１抵抗器（５２）（抵抗値Ｒ４［Ω］）の一端に接続される。第１抵抗器（５２）の他端は、接地端子（５３）に接続される。
【００２８】
第１差動アンプ（５０）の一方の入力端子は、第２抵抗器（５４）（抵抗値Ｒ５［Ω］）および第３抵抗器（５５）（抵抗値Ｒ６［Ω］）の一端に接続され、他方の入力端子は、第１抵抗器（５２）の一端に接続される。第２抵抗器（５４）の他端は、制御回路（４１）のインバータ（４４）に接続され、第３抵抗器（５５）の他端は、前記接地端子（５３）に接続される。同様に、第２差動アンプ（５１）の一方の入力端子は、第４抵抗器（５６）（抵抗値Ｒ７［Ω］）および第５抵抗器（５７）（抵抗値Ｒ８［Ω］）の一端に接続され、他方の入力端子は、第１抵抗器（５２）の一端に接続される。第４抵抗器（５６）の他端は、制御回路（４１）に接続され、第５抵抗器（５７）の他端は、前記接地端子（５３）に接続される。
【００２９】
各抵抗器（５２）（５４）〜（５７）の抵抗値Ｒ４〜Ｒ８は、
Ｒ６×Ｖｄ／（Ｒ５＋Ｒ６）＝Ｉｌｉｍ×Ｒ４ （式２）
、および
Ｒ８×Ｖｄ／（Ｒ７＋Ｒ８）＝Ｉｌｉｍ×Ｒ４ （式３）
が成立するように設定される。
【００３０】
上記構成のヘッド駆動回路（４０）において、制御回路（４１）がＨレベルの記録信号を受信すると、制御回路（４１）は、第１ＦＥＴ（４５）および第４ＦＥＴ（４８）の各ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ（４６）および第３ＦＥＴ（４７）の各ゲートにＬレベルの電圧を印加する。これにより第１ＦＥＴ（４５）および第４ＦＥＴ（４８）がオン状態となり、第２ＦＥＴ（４６）および第３ＦＥＴ（４７）がオフ状態となる。従って、電源端子（４９）から第１ＦＥＴ（４６）、界磁コイル（１６）、第４ＦＥＴ（４８）および第１抵抗器（５２）を介して接地端子（５３）に電流を流すことができ、界磁コイル（１６）には、矢印Ａ方向に電流が流れることになる。
【００３１】
このとき、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍに達すると、第１抵抗器（５２）に流れる電流値もＩｌｉｍとなるから、上記（式３）より第２差動アンプ（５１）における入力端子間の電圧がゼロとなって、第４ＦＥＴ（４８）がオフ状態となる。従って、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍを超えることは無い。
【００３２】
次に、制御回路（４１）がＬレベルの記録信号を受信すると、制御回路（４１）は、第１ＦＥＴ（４５）および第４ＦＥＴ（４８）の各ゲートにＬレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ（４６）および第３ＦＥＴ（４７）の各ゲートにＨレベルの電圧を印加する。これにより第１ＦＥＴ（４５）および第４ＦＥＴ（４８）がオフ状態となり、第２ＦＥＴ（４６）および第３ＦＥＴ（４７）がオン状態となる。従って、電源端子（４９）から第２ＦＥＴ（４６）、界磁コイル（１６）、第３ＦＥＴ（４７）および第１抵抗器（５２）を介して接地端子（５３）に電流を流すことができ、界磁コイル（１６）には、矢印Ｂ方向に電流が流れることになる。
従って、上記構成のヘッド駆動回路（４０）は、記録信号の電圧レベルに応じて、界磁コイル（１６）を流れる電流の向きを切り替えることができる。
【００３３】
このとき、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍに達すると、上述と同様に、上記（式２）より第１差動アンプ（５０）における入力端子間の電圧がゼロとなって、第３ＦＥＴ（４７）がオフ状態となる。従って、界磁コイル（１６）に流れる電流が制限値Ｉｌｉｍを超えることは無い。
従って、本実施形態の磁気ヘッド駆動回路（４０）は、第１実施形態の磁気ヘッド駆動回路（２０）と同様に、界磁コイル（１６）に流れる電流を制限値Ｉｌｉｍに制限でき、その結果、界磁コイルに過度の電流が流れることによる磁気ヘッドの故障を防止できる。
【００３４】
なお、本実施形態では、ＮチャネルのＦＥＴ（４５）（４６）（４７）（４８）を使用しているが、上述のようにして、ＰチャネルＦＥＴを使用することもできる。
また、本実施形態において、第３ＦＥＴ（４７）のゲートと制御回路（４１）の間に配備した第１差動アンプ（５０）、第２抵抗器（５４）および第３抵抗器（５５）を、第２ＦＥＴ（４６）のゲートと制御回路（４１）の間に配備し、第４ＦＥＴ（４８）のゲートと制御回路（４１）の間に配備した第２差動アンプ（５１）、第４抵抗器（５６）および第５抵抗器（５７）を、第１ＦＥＴ（４５）のゲートと制御回路（４１）の間に配備してもよい。
【００３５】
上記実施形態の説明は、本発明を説明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは勿論である。
例えば、上記実施形態では、光磁気ディスクドライブについて説明しているが、ハードディスクドライブ等のような、磁気ヘッドにより情報を記録媒体に高速に記録するその他の磁気記録装置にも本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光磁気ディスクドライブの要部を示す模式図である。
【図２】第１実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示す回路図である。
【図３】磁気ヘッドの界磁コイルに流れる電流値の時間変化を示すグラフである。
【図４】図２にＰチャネルＦＥＴを用いた場合の磁気ヘッド駆動回路を示す回路図である。
【図５】第２実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示す回路図である。
【図６】一般的な磁気ヘッド駆動回路を示す回路図である。
【符号の説明】
（１０） 光磁気ディスクドライブ
（１４） 磁気ヘッド
（１６） 界磁コイル
（２０） 磁気ヘッド駆動回路
（２１） 制御回路
（２３） スイッチ回路
（２５）（２６）（２７）（２８） ＦＥＴ
（２９） 電源端子
（３０） トランジスタ
（３１） 差動アンプ
（３２）（３４）（３５） 抵抗器
（３３） 接地端子
Claims (5)
- 磁気を用いて記録媒体に記録するための記録信号を受信し、該記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路と、該制御回路から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッド(14)の界磁コイル(16)に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路を具え、スイッチ回路は、入切用ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を用いて前記切替えを行なう磁気ヘッド駆動回路に於いて、
入切用ＦＥＴにおけるドレインおよびソース間には、該ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッド(14)が記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達するような電圧が供給されており、
スイッチ回路は、界磁コイル(16)に通電する電流の大きさを、入切用ＦＥＴの飽和状態における電流値よりも小さな電流値に制限する電流制限手段を具え、該電流制限手段は界磁コイル(16)に流れる電流を遮断しないことを特徴とする磁気ヘッド駆動回路。 - スイッチ回路は、各ブリッジ辺に入切用ＦＥＴを具えるブリッジ回路を有し、ブリッジ回路は、一方の対角線上にある２つのノード間には電源から電力が供給され、他方の対角線上にある２つのノード間には、界磁コイル(16)が接続される請求項１に記載の磁気ヘッド駆動回路。
- 電流制限手段は、界磁コイル(16)に流れる電流の大きさを検出する検出手段と、該検出手段からの電流値に基づいて、界磁コイルに流れる電流を入切する電流制限用入切手段を具える、請求項１又は請求項２に記載の磁気ヘッド駆動回路。
- 電流制限手段は、界磁コイル(16)に流れる電流の大きさを検出する検出手段と、該検出手段からの電流値に基づいて、入切用ＦＥＴにおけるゲートおよびソース間の電圧を制限するゲート電圧制限手段を具え、該ゲート電圧制御手段は、オン−オフ状態が正反対である少なくとも２つの入切用ＦＥＴに配備される、請求項１又は請求項２に記載の磁気ヘッド駆動回路。
- 請求項１乃至請求項４の何れかに記載の磁気ヘッド駆動回路と、磁気ヘッド駆動回路の入切用ＦＥＴにおけるドレインおよびソース間の電圧として、該ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッド(14)が記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達するような電圧を供給する電源を具えた磁気記録装置。
Priority Applications (1)
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