JPH0684103A - 磁気ヘッド装置 - Google Patents
磁気ヘッド装置Info
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- JPH0684103A JPH0684103A JP25761592A JP25761592A JPH0684103A JP H0684103 A JPH0684103 A JP H0684103A JP 25761592 A JP25761592 A JP 25761592A JP 25761592 A JP25761592 A JP 25761592A JP H0684103 A JPH0684103 A JP H0684103A
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- coil
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低消費電力でありながら励磁用コイルの電流
反転速度を高速化することが可能な磁気ヘッド装置を提
供する。 【構成】 一対の補助コイルと、この補助コイルにそれ
ぞれ直列に接続された一対のスイッチ素子と、前記各補
助コイルとスイッチ素子の接続点間に接続された磁気ヘ
ッドの励磁用コイルとを有し、前記一対のスイッチ素子
を交互にオンすることにより、励磁用コイルに交番電流
を供給する磁気ヘッド装置において、前記一対の補助コ
イルをそれぞれ同一磁芯に直列に巻回された２つのコイ
ルで構成しこの各補助コイルの２つのコイルの接続点間
に励磁用コイルを接続する。
反転速度を高速化することが可能な磁気ヘッド装置を提
供する。 【構成】 一対の補助コイルと、この補助コイルにそれ
ぞれ直列に接続された一対のスイッチ素子と、前記各補
助コイルとスイッチ素子の接続点間に接続された磁気ヘ
ッドの励磁用コイルとを有し、前記一対のスイッチ素子
を交互にオンすることにより、励磁用コイルに交番電流
を供給する磁気ヘッド装置において、前記一対の補助コ
イルをそれぞれ同一磁芯に直列に巻回された２つのコイ
ルで構成しこの各補助コイルの２つのコイルの接続点間
に励磁用コイルを接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置や磁気
記録装置などに使用される信号記録用の磁気ヘッド装置
に関するものである。
記録装置などに使用される信号記録用の磁気ヘッド装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気記録装置の記録方式として
は、光変調方式や磁界変調方式などが知られているが、
その中でも旧データの上に新データを直接重ね書き（オ
ーバライト）することが可能な磁界変調方式が記録速度
などの点で優れている。図６はその磁界変調方式の記録
装置の概略構成を示した図で、１は情報記録媒体である
ところの光磁気ディスク、１ａはこのディスクに設けら
れた光磁気記録媒体である。光磁気ディスク１の上面に
は磁芯に励磁用コイルＣh が巻回された磁気ヘッド２が
配設され、下面には磁気ヘッド２と相対向して光ヘッド
４が配設されている。光ヘッド４の内部には光源として
半導体レーザが設けられており、このレーザビームが記
録層１ａ上に微小光スポットとして照射され、記録部位
の温度がキューリー温度以上に上昇される。一方、磁気
ヘッド２は駆動回路３の駆動により記録すべき情報信号
に応じて変調されたバイアス磁界を発生し、これが記録
用磁界として記録層１ａの昇温部位に印加される。これ
により、記録層１ａ上の昇温部位の磁化の方向がバイア
ス磁界の方向に配向し、記録層１ａ上に情報信号に応じ
た磁化の向きの情報ピットが記録される。
は、光変調方式や磁界変調方式などが知られているが、
その中でも旧データの上に新データを直接重ね書き（オ
ーバライト）することが可能な磁界変調方式が記録速度
などの点で優れている。図６はその磁界変調方式の記録
装置の概略構成を示した図で、１は情報記録媒体である
ところの光磁気ディスク、１ａはこのディスクに設けら
れた光磁気記録媒体である。光磁気ディスク１の上面に
は磁芯に励磁用コイルＣh が巻回された磁気ヘッド２が
配設され、下面には磁気ヘッド２と相対向して光ヘッド
４が配設されている。光ヘッド４の内部には光源として
半導体レーザが設けられており、このレーザビームが記
録層１ａ上に微小光スポットとして照射され、記録部位
の温度がキューリー温度以上に上昇される。一方、磁気
ヘッド２は駆動回路３の駆動により記録すべき情報信号
に応じて変調されたバイアス磁界を発生し、これが記録
用磁界として記録層１ａの昇温部位に印加される。これ
により、記録層１ａ上の昇温部位の磁化の方向がバイア
ス磁界の方向に配向し、記録層１ａ上に情報信号に応じ
た磁化の向きの情報ピットが記録される。
【０００３】ところで、最近においては情報をより高密
度で記録するために、情報ピットの記録方式としてピッ
トのセンターの位置に情報の意味をもたせるピット位置
記録からピットのエッジの位置に情報の意味をもたせる
ピットエッジ記録に移行しつつある。こうしたピットエ
ッジ記録にあっては、情報ピットのエッジを明瞭に記録
する必要があり、そのためには記録時の磁気ヘッドによ
るバイアス磁界の反転速度を高速化することが要求され
る。
度で記録するために、情報ピットの記録方式としてピッ
トのセンターの位置に情報の意味をもたせるピット位置
記録からピットのエッジの位置に情報の意味をもたせる
ピットエッジ記録に移行しつつある。こうしたピットエ
ッジ記録にあっては、情報ピットのエッジを明瞭に記録
する必要があり、そのためには記録時の磁気ヘッドによ
るバイアス磁界の反転速度を高速化することが要求され
る。
【０００４】このような要求を満足する磁気ヘッドの駆
動装置としては、例えば特開昭６３−９４４０６号公報
に開示されたものが知られている。図７はその駆動装置
を示した回路図で、Ｃh は磁気ヘッド２のバイアス磁界
を発生するための励磁用コイル、Ｌ１，Ｌ２は磁界を高
速で切換えるための補助コイルである。また、Ｓ１，Ｓ
２は励磁用コイルＣh の電流の向きを切換えるためのス
イッチ素子、Ｒ１，Ｒ２は電流制限用の抵抗器である。
スイッチ素子Ｓ１，Ｓ２としては電界効果トランジスタ
が使用され、また補助コイルＬ１，Ｌ２のインダクタン
スは励磁用コイルＣh のそれよりも十分に大きな値に設
定されている。この駆動装置においてはスイッチ素子Ｓ
１，Ｓ２を交互にオンするように制御し、励磁用コイル
Ｃh の電流の向きを切換えることによって、発生磁界の
極性が記録情報に応じて切換えられる。具体的には、ス
イッチ素子Ｓ１がオン、Ｓ２がオフの状態では電流経路
ＣＨ１，ＣＨ４が導通し、他の破線で示すＣＨ２，ＣＨ
３は遮断状態となる。このとき、電流経路ＣＨ１の導通
によって励磁用コイルＣh に電流が供給されるために、
このコイルＣh によりその電流の向きに対応した磁界が
発生する。一方、スイッチ素子Ｓ１がオフし、Ｓ２がオ
ンすると、電流経路ＣＨ２，ＣＨ３が導通してＣＨ１，
ＣＨ４が遮断状態となる。この結果、電流経路ＣＨ２の
導通により励磁用コイルＣh に前記とは逆方向の電流が
供給され、極性の反転した磁界を発生する。ここで、補
助コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンスは、励磁用コイル
Ｃh のそれよりも十分に大きいため、スイッチ素子Ｓ
１，Ｓ２の開閉の前後で電流経路がＣＨ１からＣＨ３
へ、またＣＨ４からＣＨ２へと変化するものの、補助コ
イルＬ１，Ｌ２に流れる電流はほぼ等しくなるように動
作する。
動装置としては、例えば特開昭６３−９４４０６号公報
に開示されたものが知られている。図７はその駆動装置
を示した回路図で、Ｃh は磁気ヘッド２のバイアス磁界
を発生するための励磁用コイル、Ｌ１，Ｌ２は磁界を高
速で切換えるための補助コイルである。また、Ｓ１，Ｓ
２は励磁用コイルＣh の電流の向きを切換えるためのス
イッチ素子、Ｒ１，Ｒ２は電流制限用の抵抗器である。
スイッチ素子Ｓ１，Ｓ２としては電界効果トランジスタ
が使用され、また補助コイルＬ１，Ｌ２のインダクタン
スは励磁用コイルＣh のそれよりも十分に大きな値に設
定されている。この駆動装置においてはスイッチ素子Ｓ
１，Ｓ２を交互にオンするように制御し、励磁用コイル
Ｃh の電流の向きを切換えることによって、発生磁界の
極性が記録情報に応じて切換えられる。具体的には、ス
イッチ素子Ｓ１がオン、Ｓ２がオフの状態では電流経路
ＣＨ１，ＣＨ４が導通し、他の破線で示すＣＨ２，ＣＨ
３は遮断状態となる。このとき、電流経路ＣＨ１の導通
によって励磁用コイルＣh に電流が供給されるために、
このコイルＣh によりその電流の向きに対応した磁界が
発生する。一方、スイッチ素子Ｓ１がオフし、Ｓ２がオ
ンすると、電流経路ＣＨ２，ＣＨ３が導通してＣＨ１，
ＣＨ４が遮断状態となる。この結果、電流経路ＣＨ２の
導通により励磁用コイルＣh に前記とは逆方向の電流が
供給され、極性の反転した磁界を発生する。ここで、補
助コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンスは、励磁用コイル
Ｃh のそれよりも十分に大きいため、スイッチ素子Ｓ
１，Ｓ２の開閉の前後で電流経路がＣＨ１からＣＨ３
へ、またＣＨ４からＣＨ２へと変化するものの、補助コ
イルＬ１，Ｌ２に流れる電流はほぼ等しくなるように動
作する。
【０００５】これについて詳述する。まず、スイッチ素
子Ｓ１がオン、Ｓ２がオフであるときに電流経路ＣＨ
１，ＣＨ４に流れる電流、即ち補助コイルＬ１，Ｌ２に
流れる電流をそれぞれＩ1 ，Ｉ2 とする。次に、スイッ
チ素子Ｓ１がオフ、Ｓ２がオンすると、電流経路ＣＨ
２，ＣＨ３がそれぞれ導通し、この電流経路ＣＨ２，Ｃ
Ｈ３に流れる電流、即ち補助コイルＬ１，Ｌ２に流れる
電流は、抵抗器Ｒ１とＲ２の抵抗値が等しいとすると、
回路の対称性から電流経路ＣＨ１，ＣＨ４を流れていた
電流と同じＩ1 ，Ｉ2 となる。この場合、補助コイルＬ
１，Ｌ２のインダクタンスが十分に大きく、それに蓄え
られている電磁エネルギーは、励磁用コイルＣh の電磁
エネルギーやスイッチ素子の切り換え前後で各回路素子
で損失するエネルギーに比べて十分に大きいために、ス
イッチ素子の切り換え前後に補助コイルＬ１，Ｌ２に補
助コイルＬ１，Ｌ２に蓄えられる電磁エネルギーは各々
等しいとみなすことができる。このときの関係を補助コ
イルＬ１，Ｌ２のインダクタンスをともにＬとして表わ
すと、１／２ＬＩ1 2 ＝１／２ＬＩ2 2 となる。従って
電磁エネルギーは等しいためにＩ1 ＝Ｉ2 となり、スイ
ッチ素子Ｓ１，Ｓ２の切り換え前後に補助コイルＬ1 ，
Ｌ2 に流れる電流は各々等しくなる。
子Ｓ１がオン、Ｓ２がオフであるときに電流経路ＣＨ
１，ＣＨ４に流れる電流、即ち補助コイルＬ１，Ｌ２に
流れる電流をそれぞれＩ1 ，Ｉ2 とする。次に、スイッ
チ素子Ｓ１がオフ、Ｓ２がオンすると、電流経路ＣＨ
２，ＣＨ３がそれぞれ導通し、この電流経路ＣＨ２，Ｃ
Ｈ３に流れる電流、即ち補助コイルＬ１，Ｌ２に流れる
電流は、抵抗器Ｒ１とＲ２の抵抗値が等しいとすると、
回路の対称性から電流経路ＣＨ１，ＣＨ４を流れていた
電流と同じＩ1 ，Ｉ2 となる。この場合、補助コイルＬ
１，Ｌ２のインダクタンスが十分に大きく、それに蓄え
られている電磁エネルギーは、励磁用コイルＣh の電磁
エネルギーやスイッチ素子の切り換え前後で各回路素子
で損失するエネルギーに比べて十分に大きいために、ス
イッチ素子の切り換え前後に補助コイルＬ１，Ｌ２に補
助コイルＬ１，Ｌ２に蓄えられる電磁エネルギーは各々
等しいとみなすことができる。このときの関係を補助コ
イルＬ１，Ｌ２のインダクタンスをともにＬとして表わ
すと、１／２ＬＩ1 2 ＝１／２ＬＩ2 2 となる。従って
電磁エネルギーは等しいためにＩ1 ＝Ｉ2 となり、スイ
ッチ素子Ｓ１，Ｓ２の切り換え前後に補助コイルＬ1 ，
Ｌ2 に流れる電流は各々等しくなる。
【０００６】また、励磁用コイルＣh に流れる電流はス
イッチＳ１，Ｓ２の切り換え前後で等しく、方向のみ反
転する。ここで、スイッチ素子Ｓ１，Ｓ２のオン，オフ
のスイッチング時間を十分に短くすれば、直流電源の電
圧を高くしなくてもバイアス磁界の反転速度を速めるこ
とができる。ところが、実際にはスイッチ素子がオフし
た状態であっても、スイッチ素子が例えば電界効果トラ
ンジスタである場合、ドレイン−ソース間に浮遊容量が
存在するために、この浮遊容量成分と励磁用コイルＣh
のインダクタンス成分とで振動現象が生じ、その振動の
周期によって励磁用コイルＣh の電流反転時間が決定す
る。こうした電流の振動現象は、振動の過程でエネルギ
ーが消費され、徐々に減衰していくのであるが、電流振
動をより速やかに減衰させるために、図７に示すように
励磁用コイルＣh と並列にダンピング用抵抗器Ｒd を接
続するのが一般的である。
イッチＳ１，Ｓ２の切り換え前後で等しく、方向のみ反
転する。ここで、スイッチ素子Ｓ１，Ｓ２のオン，オフ
のスイッチング時間を十分に短くすれば、直流電源の電
圧を高くしなくてもバイアス磁界の反転速度を速めるこ
とができる。ところが、実際にはスイッチ素子がオフし
た状態であっても、スイッチ素子が例えば電界効果トラ
ンジスタである場合、ドレイン−ソース間に浮遊容量が
存在するために、この浮遊容量成分と励磁用コイルＣh
のインダクタンス成分とで振動現象が生じ、その振動の
周期によって励磁用コイルＣh の電流反転時間が決定す
る。こうした電流の振動現象は、振動の過程でエネルギ
ーが消費され、徐々に減衰していくのであるが、電流振
動をより速やかに減衰させるために、図７に示すように
励磁用コイルＣh と並列にダンピング用抵抗器Ｒd を接
続するのが一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来の磁気ヘッド駆動装置では、補助コイルに電磁エ
ネルギーを蓄えておくことにより、励磁用コイルの電流
を高速で反転させるために、補助コイルには常時電流を
供給しなければならず、そのためには励磁用コイルへの
電流供給路以外の電流経路ＣＨ３，ＣＨ４を必要とす
る。しかも、この電流経路の電流は励磁用コイルの電流
と等しいために、直流電源からの供給電流は実際の磁界
の発生に要する励磁用コイルの電流の２倍となり、消費
電力が大きくなるという問題があった。また、補助コイ
ルの電流は励磁用コイルの電流と共にスイッチ素子に流
れるために、スイッチ素子の電流の総和も励磁用コイル
の電流の２倍となり、その分許容値の大きなスイッチ素
子を使用しなければならない。例えば、スイッチ素子と
して電界効果トランジスタを使用した場合は、許容電流
が大きくなるほどドレイン−ソース間容量が大きくなる
という特性がある。しかし、励磁用コイルの電流の反転
時間は前述のように容量によって決定するために、許容
電流の大きなものを使用することはコイル電流の反転時
間を遅くすることになり、磁界の高速反転を阻む結果と
なっていた。
記従来の磁気ヘッド駆動装置では、補助コイルに電磁エ
ネルギーを蓄えておくことにより、励磁用コイルの電流
を高速で反転させるために、補助コイルには常時電流を
供給しなければならず、そのためには励磁用コイルへの
電流供給路以外の電流経路ＣＨ３，ＣＨ４を必要とす
る。しかも、この電流経路の電流は励磁用コイルの電流
と等しいために、直流電源からの供給電流は実際の磁界
の発生に要する励磁用コイルの電流の２倍となり、消費
電力が大きくなるという問題があった。また、補助コイ
ルの電流は励磁用コイルの電流と共にスイッチ素子に流
れるために、スイッチ素子の電流の総和も励磁用コイル
の電流の２倍となり、その分許容値の大きなスイッチ素
子を使用しなければならない。例えば、スイッチ素子と
して電界効果トランジスタを使用した場合は、許容電流
が大きくなるほどドレイン−ソース間容量が大きくなる
という特性がある。しかし、励磁用コイルの電流の反転
時間は前述のように容量によって決定するために、許容
電流の大きなものを使用することはコイル電流の反転時
間を遅くすることになり、磁界の高速反転を阻む結果と
なっていた。
【０００８】更に、特開昭６３−９４４０６号公報には
前述した消費電力の増大を解決するために、図８に示す
ように４つのスイッチ素子Ｓ１〜Ｓ４を用いたブリッジ
型の駆動回路も提案されている。詳しい説明は省略する
が、スイッチ素子Ｓ１とＳ４及びスイッチ素子Ｓ２とＳ
３が交互にオンすることにより、励磁用コイルＣh の電
流が交互に反転し、発生磁界の極性も交互に反転する。
補助コイルＬ３は前述の例と同様に励磁用コイルＣh の
電流の反転時間を高速化するように作用するものであ
る。ここで、スイッチ素子としてＮ型ＭＯＳＦＥＴを使
用したとすると、スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ４が交互にオン
した場合、励磁用コイルＣh に発生する誘導電圧により
スイッチ素子Ｓ３，Ｓ４のソース電位が瞬時的に高い電
圧となる。しかし、スイッチ素子Ｓ３，Ｓ４のソース電
位が高い間は逆バイアス状態にあるため、その間はオン
させることは困難である。そのため、スイッチ素子Ｓ１
とＳ４あるいはスイッチ素子Ｓ２とＳ３がオンするとき
は、スイッチ素子Ｓ４はＳ１に対して、スイッチ素子Ｓ
３はＳ２に対してそれぞれオンのタイミングが遅れてし
まう。このように実際にはスイッチ素子の切り換えのタ
イミングはずれを生じスイッチ素子による電流切換動作
が理想的に行われないために、消費電力は低減できるも
のの、励磁用コイルの電流の高速反転は困難であった。
前述した消費電力の増大を解決するために、図８に示す
ように４つのスイッチ素子Ｓ１〜Ｓ４を用いたブリッジ
型の駆動回路も提案されている。詳しい説明は省略する
が、スイッチ素子Ｓ１とＳ４及びスイッチ素子Ｓ２とＳ
３が交互にオンすることにより、励磁用コイルＣh の電
流が交互に反転し、発生磁界の極性も交互に反転する。
補助コイルＬ３は前述の例と同様に励磁用コイルＣh の
電流の反転時間を高速化するように作用するものであ
る。ここで、スイッチ素子としてＮ型ＭＯＳＦＥＴを使
用したとすると、スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ４が交互にオン
した場合、励磁用コイルＣh に発生する誘導電圧により
スイッチ素子Ｓ３，Ｓ４のソース電位が瞬時的に高い電
圧となる。しかし、スイッチ素子Ｓ３，Ｓ４のソース電
位が高い間は逆バイアス状態にあるため、その間はオン
させることは困難である。そのため、スイッチ素子Ｓ１
とＳ４あるいはスイッチ素子Ｓ２とＳ３がオンするとき
は、スイッチ素子Ｓ４はＳ１に対して、スイッチ素子Ｓ
３はＳ２に対してそれぞれオンのタイミングが遅れてし
まう。このように実際にはスイッチ素子の切り換えのタ
イミングはずれを生じスイッチ素子による電流切換動作
が理想的に行われないために、消費電力は低減できるも
のの、励磁用コイルの電流の高速反転は困難であった。
【０００９】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、その目的は低消費電力でありなが
ら励磁用コイルの電流反転速度も高速化することができ
る磁気ヘッド装置を提供することにある。
めになされたもので、その目的は低消費電力でありなが
ら励磁用コイルの電流反転速度も高速化することができ
る磁気ヘッド装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、一対の
補助コイルと、この補助コイルにそれぞれ直列に接続さ
れた一対のスイッチ素子と、前記各補助コイルとスイッ
チ素子の接続点間に接続された磁気ヘッドの励磁用コイ
ルとを有し、前記一対のスイッチ素子を交互にオンする
ことにより、励磁用コイルに交番電流を供給する磁気ヘ
ッド装置において、前記一対の補助コイルをそれぞれ同
一磁芯に直列に巻回された２つのコイルで構成し、この
各補助コイルの２つのコイルの接続点間に励磁用コイル
を接続したことを特徴とする磁気ヘッド装置によって達
成される。
補助コイルと、この補助コイルにそれぞれ直列に接続さ
れた一対のスイッチ素子と、前記各補助コイルとスイッ
チ素子の接続点間に接続された磁気ヘッドの励磁用コイ
ルとを有し、前記一対のスイッチ素子を交互にオンする
ことにより、励磁用コイルに交番電流を供給する磁気ヘ
ッド装置において、前記一対の補助コイルをそれぞれ同
一磁芯に直列に巻回された２つのコイルで構成し、この
各補助コイルの２つのコイルの接続点間に励磁用コイル
を接続したことを特徴とする磁気ヘッド装置によって達
成される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の磁気ヘッド装置の
一実施例を示した回路図である。なお、図１では図７に
示した従来装置と同一機能を有するものについては同一
符号を付している。図１において、１０及び１１はそれ
ぞれ同一磁芯に２つのコイルが巻回された補助コイルで
ある。補助コイル１０は同一磁芯に直列に巻回されたコ
イルＬ11とＬ12、補助コイル１１は同様に同一磁芯に直
列に巻回されたコイルＬ21とＬ22から構成され、そのコ
イルＬ11とＬ12の接続点とコイルＬ21とＬ22の接続点の
間に励磁用コイルＣh が接続されている。各コイルの自
己インダクタンスは励磁用コイルのそれよりも十分に大
きく設定されている。Ｓ１及びＳ２はスイッチ素子であ
り、ここでは電界効果トランジスタが使用されている。
Ｒd はダンピング抵抗器で、励磁用コイルＣh の電流反
転時の電流振動を効果的に整定するためには、励磁用コ
イルＣh と並列にダンピング抵抗器Ｒd を設けるのが望
ましい。
して詳細に説明する。図１は本発明の磁気ヘッド装置の
一実施例を示した回路図である。なお、図１では図７に
示した従来装置と同一機能を有するものについては同一
符号を付している。図１において、１０及び１１はそれ
ぞれ同一磁芯に２つのコイルが巻回された補助コイルで
ある。補助コイル１０は同一磁芯に直列に巻回されたコ
イルＬ11とＬ12、補助コイル１１は同様に同一磁芯に直
列に巻回されたコイルＬ21とＬ22から構成され、そのコ
イルＬ11とＬ12の接続点とコイルＬ21とＬ22の接続点の
間に励磁用コイルＣh が接続されている。各コイルの自
己インダクタンスは励磁用コイルのそれよりも十分に大
きく設定されている。Ｓ１及びＳ２はスイッチ素子であ
り、ここでは電界効果トランジスタが使用されている。
Ｒd はダンピング抵抗器で、励磁用コイルＣh の電流反
転時の電流振動を効果的に整定するためには、励磁用コ
イルＣh と並列にダンピング抵抗器Ｒd を設けるのが望
ましい。
【００１２】また、この実施例では補助コイルに対して
定電流回路によって電流を供給する定電流駆動方式が採
られている。定電流回路の構成は次の通りである。ま
ず、Ｑは電流制御用のトランジスタ、Ｒは電流検出用の
抵抗器、１２はその抵抗器Ｒの電圧を増幅するための差
動増幅器である。また、１３はトランジスタＱの電流を
制御するための電流制御回路、１４は基準電圧を発生す
るための基準電圧発生回路である。この定電流回路で
は、電源から磁気ヘッド駆動部に供給される電流は抵抗
器Ｒによりその両端の電位差として検出される。得られ
た検出電圧は差動増幅器１２で増幅された後、電流制御
回路１３に送られ、基準電圧発生回路１４の基準電圧と
比較される。この基準電圧は定電流回路の設定電流に対
応した値に決められており、電流制御回路１３では検出
電流と設定電流の差に応じた制御信号をトランジスタＱ
のベースに供給することで、トランジスタＱのコレクタ
電流を一定に制御する。一般に、磁気ヘッド装置は周波
数特性を有するために、定電圧源によって駆動した場
合、記録周波数が高くなると、励磁用コイルの電流が減
少して磁界が不足するという事態が生じる。従って、本
実施例では、定電流回路によって駆動することにより、
記録周波数に関係なく一定電流を励磁用コイルに供給で
きるために、磁界不足による記録エラーの発生を未然に
防止することができる。
定電流回路によって電流を供給する定電流駆動方式が採
られている。定電流回路の構成は次の通りである。ま
ず、Ｑは電流制御用のトランジスタ、Ｒは電流検出用の
抵抗器、１２はその抵抗器Ｒの電圧を増幅するための差
動増幅器である。また、１３はトランジスタＱの電流を
制御するための電流制御回路、１４は基準電圧を発生す
るための基準電圧発生回路である。この定電流回路で
は、電源から磁気ヘッド駆動部に供給される電流は抵抗
器Ｒによりその両端の電位差として検出される。得られ
た検出電圧は差動増幅器１２で増幅された後、電流制御
回路１３に送られ、基準電圧発生回路１４の基準電圧と
比較される。この基準電圧は定電流回路の設定電流に対
応した値に決められており、電流制御回路１３では検出
電流と設定電流の差に応じた制御信号をトランジスタＱ
のベースに供給することで、トランジスタＱのコレクタ
電流を一定に制御する。一般に、磁気ヘッド装置は周波
数特性を有するために、定電圧源によって駆動した場
合、記録周波数が高くなると、励磁用コイルの電流が減
少して磁界が不足するという事態が生じる。従って、本
実施例では、定電流回路によって駆動することにより、
記録周波数に関係なく一定電流を励磁用コイルに供給で
きるために、磁界不足による記録エラーの発生を未然に
防止することができる。
【００１３】図２は上記補助コイルの具体的構成を示し
た図で、１５は磁性材料から作製された棒状の磁芯であ
る。なお、ここでは補助コイル１０を示しているが、他
方側の補助コイル１１の構成も全く同じである。磁芯１
５の外周にはコイルＬ12が巻回され、更にこのコイルＬ
12と一定間隔ｄを置いて直列にコイルＬ11が巻回されて
いる。コイルＬ11とＬ12の接続点から各々のコイルを見
た場合、巻回方向は互いに逆方向である。なお、直列に
みると同じ方向に巻回されている。コイルＬ11とＬ12は
一定間隔ｄを置いて巻回されているが、これは次の理由
による。即ち、コイルＬ11とＬ12を極めて近接あるいは
密着して巻回したとすると、両コイルの間には大きな浮
遊容量が生じる。そのため、スイッチ素子による電流の
切り換え時に両コイル間での電磁エネルギーの移動が高
速で行われなくなり、結果的に励磁用コイルの電流の反
転時間を遅くする。従って、両コイルは浮遊容量を小さ
くするためにはある程度距離を置いて巻回するのが望ま
しいが、距離が大きすぎると両コイル間の漏れインダク
タンスが大きなって損失の原因となるので、間隔ｄとし
ては浮遊容量や漏れインダクタンスを考慮して適切な値
に設定するのが好ましい。本願発明者の実験によれば、
直径３ｍｍの磁芯にコイルを巻回した場合、その間隔ｄ
は１〜２ｍｍにするのが最も適切であった。
た図で、１５は磁性材料から作製された棒状の磁芯であ
る。なお、ここでは補助コイル１０を示しているが、他
方側の補助コイル１１の構成も全く同じである。磁芯１
５の外周にはコイルＬ12が巻回され、更にこのコイルＬ
12と一定間隔ｄを置いて直列にコイルＬ11が巻回されて
いる。コイルＬ11とＬ12の接続点から各々のコイルを見
た場合、巻回方向は互いに逆方向である。なお、直列に
みると同じ方向に巻回されている。コイルＬ11とＬ12は
一定間隔ｄを置いて巻回されているが、これは次の理由
による。即ち、コイルＬ11とＬ12を極めて近接あるいは
密着して巻回したとすると、両コイルの間には大きな浮
遊容量が生じる。そのため、スイッチ素子による電流の
切り換え時に両コイル間での電磁エネルギーの移動が高
速で行われなくなり、結果的に励磁用コイルの電流の反
転時間を遅くする。従って、両コイルは浮遊容量を小さ
くするためにはある程度距離を置いて巻回するのが望ま
しいが、距離が大きすぎると両コイル間の漏れインダク
タンスが大きなって損失の原因となるので、間隔ｄとし
ては浮遊容量や漏れインダクタンスを考慮して適切な値
に設定するのが好ましい。本願発明者の実験によれば、
直径３ｍｍの磁芯にコイルを巻回した場合、その間隔ｄ
は１〜２ｍｍにするのが最も適切であった。
【００１４】次に、本実施例の動作について説明する。
まず、スイッチ素子Ｓ１がオン、スイッチ素子Ｓ２がオ
フの状態では、破線で示す電流経路ＣＨ２，ＣＨ３は遮
断、実線で示す電流経路ＣＨ１，ＣＨ４は導通し、励磁
用コイルＣh には電流経路ＣＨ１から電流が供給された
状態にある。この状態からスイッチ素子Ｓ１がオフ、ス
イッチ素子Ｓ２がオンすると、電流経路ＣＨ１，ＣＨ４
が遮断、電流経路ＣＨ２，ＣＨ３が導通し、その結果励
磁用コイルＣh には電流経路ＣＨ２から電流が供給さ
れ、前記とは逆方向に電流が供給される。このようにス
イッチ素子Ｓ１，Ｓ２のスイッチング動作を記録すべき
情報信号に応じて制御することにより、励磁用コイルＣ
h には交番電流が供給され、情報信号に応じて変調され
たバイアス磁界を発生する。
まず、スイッチ素子Ｓ１がオン、スイッチ素子Ｓ２がオ
フの状態では、破線で示す電流経路ＣＨ２，ＣＨ３は遮
断、実線で示す電流経路ＣＨ１，ＣＨ４は導通し、励磁
用コイルＣh には電流経路ＣＨ１から電流が供給された
状態にある。この状態からスイッチ素子Ｓ１がオフ、ス
イッチ素子Ｓ２がオンすると、電流経路ＣＨ１，ＣＨ４
が遮断、電流経路ＣＨ２，ＣＨ３が導通し、その結果励
磁用コイルＣh には電流経路ＣＨ２から電流が供給さ
れ、前記とは逆方向に電流が供給される。このようにス
イッチ素子Ｓ１，Ｓ２のスイッチング動作を記録すべき
情報信号に応じて制御することにより、励磁用コイルＣ
h には交番電流が供給され、情報信号に応じて変調され
たバイアス磁界を発生する。
【００１５】ここで、電流経路ＣＨ１，ＣＨ２を流れる
電流は回路の対称性から等しく、この経路の電流をＩ1
とする。また、電流経路ＣＨ３，ＣＨ４を流れる電流も
等しく、これをＩ2 とする。更に、コイルＬ11とＬ21の
自己インダクタンスは等しくこれをＬA とし、コイルＬ
12とＬ22の自己インダクタンスも等しくこれをＬB とす
る。なお、コイルＬ11とＬ21、コイルＬ21とＬ22の間で
漏れインダクタンスはないものとする。各コイルの自己
インダクタンスＬA ，ＬB は十分に大きいために、コイ
ルＬ11とＬ21に蓄積される電磁エネルギーの総和及びコ
イルＬ12とＬ22に蓄積される電磁エネルギーの総和は、
励磁用コイルＣh に蓄積される電磁エネルギーやスイッ
チ素子の切り換え前後でスイッチ素子や補助コイルなど
の各回路素子で損失するエネルギーに比べて十分に大き
い。従って、これらの励磁用コイルや回路素子のエネル
ギーは補助コイル１０，１１の各２つのコイルのエネル
ギーに比べて無視することができ、スイッチ素子の切り
換えにより補助コイル１０及び１１のそれぞれの２つの
コイルに磁気エネルギーの総和が保存される。
電流は回路の対称性から等しく、この経路の電流をＩ1
とする。また、電流経路ＣＨ３，ＣＨ４を流れる電流も
等しく、これをＩ2 とする。更に、コイルＬ11とＬ21の
自己インダクタンスは等しくこれをＬA とし、コイルＬ
12とＬ22の自己インダクタンスも等しくこれをＬB とす
る。なお、コイルＬ11とＬ21、コイルＬ21とＬ22の間で
漏れインダクタンスはないものとする。各コイルの自己
インダクタンスＬA ，ＬB は十分に大きいために、コイ
ルＬ11とＬ21に蓄積される電磁エネルギーの総和及びコ
イルＬ12とＬ22に蓄積される電磁エネルギーの総和は、
励磁用コイルＣh に蓄積される電磁エネルギーやスイッ
チ素子の切り換え前後でスイッチ素子や補助コイルなど
の各回路素子で損失するエネルギーに比べて十分に大き
い。従って、これらの励磁用コイルや回路素子のエネル
ギーは補助コイル１０，１１の各２つのコイルのエネル
ギーに比べて無視することができ、スイッチ素子の切り
換えにより補助コイル１０及び１１のそれぞれの２つの
コイルに磁気エネルギーの総和が保存される。
【００１６】図１に示した電流経路ＣＨ１，ＣＨ４が導
通した状態から電流経路ＣＨ２，ＣＨ３が導通した場
合、補助コイル１０，１１の電磁エネルギーの関係は次
式で表わすことができる。
通した状態から電流経路ＣＨ２，ＣＨ３が導通した場
合、補助コイル１０，１１の電磁エネルギーの関係は次
式で表わすことができる。
【００１７】
【数１】 １／２ＬB Ｉ1 2 ＝１／２ＬB Ｉ2 2 ＋１／２ＬA （Ｉ1 ＋Ｉ2 ）2 ＋√ＬA ・ √ＬB ×Ｉ2 （Ｉ1 ＋Ｉ2 ） …（１） （１）式を電流Ｉ2 について解くと、
【００１８】
【数２】 Ｉ2 ＝（√ＬB −√ＬA ／√ＬB ＋√ＬA ）・Ｉ1 …（２） となる。但し、前述のようにＬA はコイルＬ11とＬ21の
インダクタンス、ＬB はコイルＬ12とＬ22のインダクタ
ンスである。特に、補助コイル１０のコイルＬ11とＬ12
及び補助コイル１１のコイルＬ21とＬ22が巻回された磁
芯の断面積が一様である場合は、コイルＬ11とＬ21の巻
数をＮA 、コイルＬ12とＬ22の巻数をＮBとすると、
（２）式は次の式で表わすことができる。図２に示した
補助コイルは棒状の磁芯であるので、断面積は一様であ
る。
インダクタンス、ＬB はコイルＬ12とＬ22のインダクタ
ンスである。特に、補助コイル１０のコイルＬ11とＬ12
及び補助コイル１１のコイルＬ21とＬ22が巻回された磁
芯の断面積が一様である場合は、コイルＬ11とＬ21の巻
数をＮA 、コイルＬ12とＬ22の巻数をＮBとすると、
（２）式は次の式で表わすことができる。図２に示した
補助コイルは棒状の磁芯であるので、断面積は一様であ
る。
【００１９】
【数３】 Ｉ2 ＝（ＮB −ＮA ／ＮB ＋ＮA ）・Ｉ1 …（３） 以上の（２）式及び（３）式から明らかなように、励磁
用コイルＣh を通らない電流経路ＣＨ３，ＣＨ４に流れ
る電流Ｉ2 は、各コイルのインダクタンスまたは巻数に
よって任意に変えることができる。即ち、コイルのイン
ダクタンスや巻数を適宜選択することにより、Ｉ2 を任
意に決定でき、これによって磁気ヘッド装置の消費電力
を低減することが可能である。以下、具体的な例をあげ
て消費電力の低減効果について説明する。 （１）√ＬB ：√ＬA ＝２：１（またはＮB ：ＮA ＝
２：１）とした場合。このときはＩ2 ＝１／３Ｉ1 とな
るため、定電流回路から供給する電流は４／３Ｉ1 とな
る。従って、励磁用コイルの電流反転速度は従来と同じ
のままで、装置の消費電力を従来の２／３に低減するこ
とができる。 （２）√ＬB ：√ＬA ＝１：１（またはＮB ：ＮA ＝
１：１）とした場合。このときはＩ2 ＝０となる。つま
り、直接励磁用コイルＣh に供給されない電流は０であ
るから、定電流回路から供給する電流は励磁用コイルＣ
h に供給される電流に等しくＩ1 である。従って、装置
の消費電力を従来の１／２に低減することができる。し
かも、スイッチ素子Ｓ１，Ｓ２に流れる電流は従来の半
分になるため、その分許容電流の小さい素子を使用する
ことができる。このことは、例えばスイッチ素子として
電界効果トランジスタを使用した場合、ドレイン−ソー
ス間容量が小さくなるので、励磁用コイルＣh の電流反
転速度を速めるという効果をもたらす。 （３）√ＬB ：√ＬA ＝１：２（またはＮB ：ＮA ＝
１：２）とした場合。このときはＩ2 ＝−１／３Ｉ1 と
なる。つまり、電流経路ＣＨ３，ＣＨ４を流れる電流は
図面に示した矢印とは逆方向に流れ、供給すべき電流は
２／３Ｉ1 となり、励磁用コイルＣh に供給される電流
Ｉ1 よりも小さくなる。消費電力は従来の１／３と大幅
に低減することができる。また、スイッチ素子に流れる
電流は２／３Ｉ1 と小さいので、更にドレイン−ソース
間容量の小さい素子を選択可能であるが、その反面補助
コイル１０，１１の各２つのコイル間の漏れインダクタ
ンスの影響などによって励磁用コイルの電流反転時間を
遅くしやすくなる。
用コイルＣh を通らない電流経路ＣＨ３，ＣＨ４に流れ
る電流Ｉ2 は、各コイルのインダクタンスまたは巻数に
よって任意に変えることができる。即ち、コイルのイン
ダクタンスや巻数を適宜選択することにより、Ｉ2 を任
意に決定でき、これによって磁気ヘッド装置の消費電力
を低減することが可能である。以下、具体的な例をあげ
て消費電力の低減効果について説明する。 （１）√ＬB ：√ＬA ＝２：１（またはＮB ：ＮA ＝
２：１）とした場合。このときはＩ2 ＝１／３Ｉ1 とな
るため、定電流回路から供給する電流は４／３Ｉ1 とな
る。従って、励磁用コイルの電流反転速度は従来と同じ
のままで、装置の消費電力を従来の２／３に低減するこ
とができる。 （２）√ＬB ：√ＬA ＝１：１（またはＮB ：ＮA ＝
１：１）とした場合。このときはＩ2 ＝０となる。つま
り、直接励磁用コイルＣh に供給されない電流は０であ
るから、定電流回路から供給する電流は励磁用コイルＣ
h に供給される電流に等しくＩ1 である。従って、装置
の消費電力を従来の１／２に低減することができる。し
かも、スイッチ素子Ｓ１，Ｓ２に流れる電流は従来の半
分になるため、その分許容電流の小さい素子を使用する
ことができる。このことは、例えばスイッチ素子として
電界効果トランジスタを使用した場合、ドレイン−ソー
ス間容量が小さくなるので、励磁用コイルＣh の電流反
転速度を速めるという効果をもたらす。 （３）√ＬB ：√ＬA ＝１：２（またはＮB ：ＮA ＝
１：２）とした場合。このときはＩ2 ＝−１／３Ｉ1 と
なる。つまり、電流経路ＣＨ３，ＣＨ４を流れる電流は
図面に示した矢印とは逆方向に流れ、供給すべき電流は
２／３Ｉ1 となり、励磁用コイルＣh に供給される電流
Ｉ1 よりも小さくなる。消費電力は従来の１／３と大幅
に低減することができる。また、スイッチ素子に流れる
電流は２／３Ｉ1 と小さいので、更にドレイン−ソース
間容量の小さい素子を選択可能であるが、その反面補助
コイル１０，１１の各２つのコイル間の漏れインダクタ
ンスの影響などによって励磁用コイルの電流反転時間を
遅くしやすくなる。
【００２０】なお、ＬA ＝０またはＮA ＝０とした場
合、Ｉ1 ＝Ｉ2 となり、装置に供給すべき電流はＩ1 ＋
Ｉ2 となる。つまり、励磁用コイルに供給する電流の２
倍となり、このときはコイルＬ11，Ｌ21が存在しない従
来装置に相当する。
合、Ｉ1 ＝Ｉ2 となり、装置に供給すべき電流はＩ1 ＋
Ｉ2 となる。つまり、励磁用コイルに供給する電流の２
倍となり、このときはコイルＬ11，Ｌ21が存在しない従
来装置に相当する。
【００２１】このように本実施例にあっては、同一磁芯
上に巻回された補助コイルの２つのコイルのインダクタ
ンス比または巻数比を適宜選択することにより、補助コ
イルの電流Ｉ2 を任意に変えることが可能となる。従っ
て、装置の消費電力を低減できるばかりでなく、励磁用
コイルの電流反転速度も高速化することができ、特にピ
ットエッジ記録方式の光磁気記録装置に好適に用いるこ
とができる。なお、前述したように補助コイルのインダ
クタンスや巻数の条件によって、消費電力の低減効果や
励磁用コイルの電流反転速度の高速化効果は異なるの
で、記録装置の仕様などに応じて適宜決定すればよい。
本願発明者が実験を行ったところ、上記（２）項で説明
したようにインダクタンスや巻数比が１対１のときに、
消費電力及び電流反転時間を総合的に評価した場合、最
も効果的であった。
上に巻回された補助コイルの２つのコイルのインダクタ
ンス比または巻数比を適宜選択することにより、補助コ
イルの電流Ｉ2 を任意に変えることが可能となる。従っ
て、装置の消費電力を低減できるばかりでなく、励磁用
コイルの電流反転速度も高速化することができ、特にピ
ットエッジ記録方式の光磁気記録装置に好適に用いるこ
とができる。なお、前述したように補助コイルのインダ
クタンスや巻数の条件によって、消費電力の低減効果や
励磁用コイルの電流反転速度の高速化効果は異なるの
で、記録装置の仕様などに応じて適宜決定すればよい。
本願発明者が実験を行ったところ、上記（２）項で説明
したようにインダクタンスや巻数比が１対１のときに、
消費電力及び電流反転時間を総合的に評価した場合、最
も効果的であった。
【００２２】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。図３は本発明の第２実施例を示した図である。この
実施例は、励磁用コイルＣh と並列に加速用コイルＬa
を設けて励磁用コイルＣh の電流反転速度を高速化する
例である。Ｒa は加速用コイルＬa の電流制限用の抵抗
器である。図４は本発明の第３実施例を示した図であ
る。この実施例では、ダンピング用抵抗器Ｒd とは別に
励磁用コイルＣh の両端と直流電源Ｖd の間にダンピン
グ用抵抗器Ｒd2，Ｒd3をそれぞれダイオードＤ1及びＤ
2 を介して接続することにより、スイッチ素子Ｓ１，Ｓ
２の切り換え時の電流振動をより効果的に整定し、電流
波形を整えるものである。図５は本発明の第４実施例を
示した図である。この実施例では、スイッチ素子Ｓ１，
Ｓ２にそれぞれダイオードＤ3 ，Ｄ4 を直列に接続する
ことによって、スイッチ素子Ｓ１，Ｓ２の切り換え時に
発生する電流振動によりスイッチ素子Ｓ１，Ｓ２を電流
が逆流することを阻止し、電流波形を整えるものであ
る。
る。図３は本発明の第２実施例を示した図である。この
実施例は、励磁用コイルＣh と並列に加速用コイルＬa
を設けて励磁用コイルＣh の電流反転速度を高速化する
例である。Ｒa は加速用コイルＬa の電流制限用の抵抗
器である。図４は本発明の第３実施例を示した図であ
る。この実施例では、ダンピング用抵抗器Ｒd とは別に
励磁用コイルＣh の両端と直流電源Ｖd の間にダンピン
グ用抵抗器Ｒd2，Ｒd3をそれぞれダイオードＤ1及びＤ
2 を介して接続することにより、スイッチ素子Ｓ１，Ｓ
２の切り換え時の電流振動をより効果的に整定し、電流
波形を整えるものである。図５は本発明の第４実施例を
示した図である。この実施例では、スイッチ素子Ｓ１，
Ｓ２にそれぞれダイオードＤ3 ，Ｄ4 を直列に接続する
ことによって、スイッチ素子Ｓ１，Ｓ２の切り換え時に
発生する電流振動によりスイッチ素子Ｓ１，Ｓ２を電流
が逆流することを阻止し、電流波形を整えるものであ
る。
【００２３】なお、本発明の磁気ヘッド装置は、磁界変
調方式の光磁気記録装置に限らず、その他の磁気記録装
置にも使用することができる。
調方式の光磁気記録装置に限らず、その他の磁気記録装
置にも使用することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、補助コイ
ルを同一磁芯上に巻回された２つのコイルで構成し、こ
の２つのコイルの接続点間に磁気ヘッドの励磁用コイル
を設けたことにより、装置に供給する電流を低減でき、
これによって消費電力を低減することができる。また、
電流容量の小さなスイッチ素子を使用できることから、
励磁用コイルの電流反転速度を高速化することができ、
低消費電力でありながらも高速の磁気ヘッド装置を提供
することができる。
ルを同一磁芯上に巻回された２つのコイルで構成し、こ
の２つのコイルの接続点間に磁気ヘッドの励磁用コイル
を設けたことにより、装置に供給する電流を低減でき、
これによって消費電力を低減することができる。また、
電流容量の小さなスイッチ素子を使用できることから、
励磁用コイルの電流反転速度を高速化することができ、
低消費電力でありながらも高速の磁気ヘッド装置を提供
することができる。
【図１】本発明の磁気ヘッド装置の第１実施例を示した
回路図である。
回路図である。
【図２】図１の実施例の補助コイルを具体的に示した図
である。
である。
【図３】本発明の第２実施例を示した回路図である。
【図４】本発明の第３実施例を示した回路図である。
【図５】本発明の第４実施例を示した回路図である。
【図６】磁界変調方式の記録装置の概略構成を示した図
である。
である。
【図７】従来例の磁気ヘッド駆動装置を示した回路図で
ある。
ある。
【図８】他の従来例の磁気ヘッド駆動装置を示した回路
図である。
図である。
１０，１１ 補助コイル １２ 差動増幅器 １３ 電流制御回路 １４ 基準電圧発生回路 Ｓ１，Ｓ２ スイッチ素子 Ｃh 励磁用コイル Ｌ11，Ｌ12 補助コイル１０のコイル Ｌ21，Ｌ22 補助コイル１１のコイル Ｑ トランジスタ Ｒ 電流検出用抵抗器 Ｒd ダンピング用抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 11/10 Ｚ 9075−5Ｄ
Claims (5)
- 【請求項１】 一対の補助コイルと、この補助コイルに
それぞれ直列に接続された一対のスイッチ素子と、前記
各補助コイルとスイッチ素子の接続点間に接続された磁
気ヘッドの励磁用コイルとを有し、前記一対のスイッチ
素子を交互にオンすることにより、励磁用コイルに交番
電流を供給する磁気ヘッド装置において、前記一対の補
助コイルをそれぞれ同一磁芯に直列に巻回された２つの
コイルで構成し、この各補助コイルの２つのコイルの接
続点間に励磁用コイルを接続したことを特徴とする磁気
ヘッド装置。 - 【請求項２】 前記補助コイルの２つのコイルは、磁芯
上に所定の間隔を置いて巻回されていることを特徴とす
る請求項１の磁気ヘッド装置 - 【請求項３】 前記補助コイルの２つのコイルのインダ
クタンスは、略同じに設定されていることを特徴とする
請求項１の磁気ヘッド装置。 - 【請求項４】 前記補助コイルの２つのコイルのインダ
クタンスは、前記励磁用コイルのインダクタンスよりも
大きく設定されていることを特徴とする請求項１の磁気
ヘッド装置。 - 【請求項５】 前記補助コイル側への電流は、所定の一
定電流を供給する定電流回路から供給されることを特徴
とする請求項１の磁気ヘッド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25761592A JPH0684103A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 磁気ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25761592A JPH0684103A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 磁気ヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684103A true JPH0684103A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17308726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25761592A Pending JPH0684103A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 磁気ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684103A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8411390B2 (en) | 2009-10-16 | 2013-04-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Integrated half coil structure for write assist of high coercivity media |
| US8638527B2 (en) | 2009-10-16 | 2014-01-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Signaling method and apparatus for write assist of high coercivity media using integrated half coil |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP25761592A patent/JPH0684103A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8411390B2 (en) | 2009-10-16 | 2013-04-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Integrated half coil structure for write assist of high coercivity media |
| US8638527B2 (en) | 2009-10-16 | 2014-01-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Signaling method and apparatus for write assist of high coercivity media using integrated half coil |
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