JP2919246B2 - バイアス磁界印加回路 - Google Patents

バイアス磁界印加回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置に
おいて、情報の記録および消去のときに記録媒体に対し
て必要な磁界を印加するためのバイアス磁界印加回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】光磁気ディスク装置は、半導体レーザ光
源から出射したレーザ光を記録媒体に対して正確に集光
する対物レンズ駆動装置と、記録媒体を挟んで対物レン
ズ駆動装置と対向した位置に設けられ、情報の記録およ
び消去のときに記録媒体に対して必要な磁界を印加する
ため、記録媒体の半径方向の記録範囲に対応する長さを
有するバイアス磁界印加回路とを備えている。バイアス
磁界印加回路の発生する磁界は、情報の記録のときと消
去のときとでは、その極性が異っている。従来のバイア
ス磁界印加回路は、電圧の極性を切替えることによって
極性の異なる磁界を記録媒体の記録面に対して垂直に発
生し、レーザ光を記録媒体の記録面(記録膜)に対して
集光することによって情報の記録または消去を行ってい
る。
【0003】図は上述のような従来のバイアス磁界印
加回路の一例を示すブロック図、図は図の例の詳細
を示す回路図である。
【0004】図および図に示すように、バイアス磁
界印加回路34は、記録媒体25の半径方向の記録範囲
に対応する長さを有する中心ヨーク21と、中心ヨーク
21に巻回されたコイル22と、中心ヨーク21に結合
されたホルダ23と、コイル22に対して極性を切替え
て電流を供給する電源部27とを備えている。
【0005】スイッチ30を作動させることによって電
源部27からコイル22に流れる方向が異なる電流(I
1 )33aまたは電流(I2 )33bが供給されると、
記録媒体25の記録膜24に対して垂直な極性の異なる
磁界が発生する。この極性の異なる磁界の強度は同じ強
度であるが、バイアス磁界印加回路34に対向して配設
してある対物レンズ駆動装置26のマグネットが、記録
膜24に対して垂直な方向に一定の極性の漏れ磁界を発
生しているため、記録膜24上の記録部分における磁界
強度は、情報の記録のときと消去のときとでは、コイル
22による磁界と漏れ磁界とが打消し合ったり強め合っ
たりして、小さな値となったり大きな値となったりす
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のバイアス磁界印加回路は、情報の記録のときと消去の
ときとでは、対物レンズ駆動装置のマグネットからの漏
れ磁界の影響のため、同じ値にならないという欠点を有
している。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のバイアス磁界印
加回路は、記録媒体の半径方向の記録範囲に対応する長
さを有し前記記録媒体の表面に対して垂直な磁界を発生
する中心ヨークと、前記中心ヨークに巻回されたコイル
と、前記中心ヨークに結合されたホルダと、前記コイル
に対して極性を切替えて電流を供給する電源部とを備え
るバイアス磁界印加回路において、前記電源部からの電
流の極性に対応して電流値を変化させる回路部を設け、
前記回路部は、第一の抵抗と第一のダイオードとを直列
に接続した第一の直列回路と第二の抵抗と第二のダイオ
ードとを直列に接続した第二の直列回路と用い、前記第
一および第二の抵抗の抵抗値を異なった値とし、前記第
一および第二のダイオードが互いに反対方向を向くよう
に並列に接続したことを特徴とする。 前記回路部は、抵
抗と第一のダイオードとを直列に接続した直列回路と、
前記直列回路に並列に接続した第二のダイオードとを設
け、前記第一および第二のダイオードが互いに反対方向
を向くように接続したことを特徴とする。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0009】図1は本発明の一実施例を示すブロック
図、図2は図1の実施例の詳細を示す回路図である。
【0010】図1および図2において、対物レンズ駆動
装置6は、半導体レーザ光源から出射したレーザ光を記
録媒体5に対して正確に集光する。バイアス磁界印加回
路14は、記録媒体5を挟んで対物レンズ駆動装置6と
対向した位置に設けられており、情報の記録および消去
のとき、記録媒体5に対して必要な磁界を印加する。バ
イアス磁界印加回路14は、記録媒体5の半径方向の記
録範囲に対応する長さを有する中心ヨーク1と、中心ヨ
ーク1に巻回されたコイル2と、中心ヨーク1に結合さ
れたホルダ3と、情報の記録のときと消去のときとでコ
イル2に対して極性を切替えて電流を供給する電源部7
と、電源部7からコイル2に対して供給される電流の極
性が切替わったとき、供給電流の電流値を変えるための
回路部8aとを備えている。スイッチ10を作動させる
ことによって電源部7からコイル2に対して流れる方向
が異なる電流(I1 )13aまたは電流(I2 )13b
が供給されると、記録媒体5の記録膜4に対して垂直な
極性の異なる磁界が発生する。このとき、対物レンズ駆
動装置6からレーザ光を記録膜4に対して集光すること
により、情報の記録または消去を行う。
【0011】このとき、対物レンズ駆動装置6のマグネ
ットが、記録膜4に対して垂直な方向に一定の極性の漏
れ磁界を発生しているため、記録膜4上の記録部分にお
ける磁界強度は、情報の記録のときと消去のときとで
は、コイル2による磁界と漏れ磁界とが打消し合ったり
強め合ったりする。この影響を除去するため、本実施例
では、回路部8aを介して電源部7からコイル2に対し
て電流を供給している。
【0012】回路部8aは、図2に示すように、抵抗
(R1 )11aとダイオード(D1 )12aとを直列に
接続した直列回路と、抵抗(R2 )11bとダイオード
(D2)12bとを直列に接続した直列回路との二つの
直列回路を用い、これらの二つの直列回路は、ダイオー
ド(D1 )12aと(D2 )12bとが互いに反対方向
を向くように並列に接続てある。抵抗(R1 )11aと
抵抗(R2 )11bとは、異った抵抗値を有しており、
コイル2による磁界と漏れ磁界とが強め合うとき、この
回路部8aを流れる電流の電流値が、漏れ磁界の強さの
2倍に相当する大きさだけ小さくなるように設定してあ
る。
【0013】このように構成した回路部8aを付加する
ことにより、電流(I1 )13aと電流(I2 )13b
の値を変えることができるため、情報の記録のときと消
去のときとにおいて、記録媒体5に対して印加する磁界
強度を同じ大きさとすることが可能となる。
【0014】図3は本発明の第二の実施例を示す回路図
である。
【0015】図3の実施例は、図1の実施例の回路部の
構成を変えたものである。
【0016】
【0017】
【0018】図4は本発明の第の実施例を示す回路図
である。
【0019】図4の実施例、図1の実施例の回路部の
構成を変えたものである。
【0020】回路部8cは、抵抗(R5 )11eおよび
ダイオード(D5 )12eを直列に接続した直列回路
と、ダイオード(D6 )12fとを並列に接続した回路
である。二つのダイオード(D5 )12eおよび
(D6 )12fは、互いに反対方向を向くように接続さ
れている。抵抗(R5 )11eは、コイル2による磁界
と漏れ磁界とが強め合うとき、この回路部8cを流れる
電流の電流値が、漏れ磁界の強さの2倍に相当する大き
さだけ小さくなるように設定してある。
【0021】このように構成した回路部8cの作用も、
図1の実施例の場合と同じである。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のバイアス
磁界印加回路は、電源部からコイルに対して供給される
電流の極性が切替わったときに供給電流の電流値を変え
るための回路部を設けることにより、対物レンズ駆動装
置のマグネットからの漏れ磁界の影響を排除し、情報の
記録のときと消去のときとにおいて、記録媒体に対して
印加する磁界強度を同じ大きさとすることが可能となる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図である。
【図2】図1の実施例の詳細を示す回路図である。
【図3】本発明の第二の実施例を示す回路図である。
【図4】従来のバイアス磁界印加回路の一例を示すブロ
ック図である。
【図5】図の例の詳細を示す回路図である。
【符号の説明】
1、21 中心ヨーク 2、22 コイル 3、23 ホルダ 4、24 記録膜 5、25 記録媒体 6、26 対物レンズ駆動装置 7、27 電源部 8a、8c 回路部 10、30 スイッチ 11a、11b、11e 抵抗 12a、12b、12e、12f ダイオード 13a、13b、33a、33b 電流 14、34 バイアス磁界印加回路

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記録媒体の半径方向の記録範囲に対応す
    る長さを有し前記記録媒体の表面に対して垂直な磁界を
    発生する中心ヨークと、前記中心ヨークに巻回されたコ
    イルと、前記中心ヨークに結合されたホルダと、前記コ
    イルに対して極性を切替えて電流を供給する電源部とを
    備えるバイアス磁界印加回路において、前記電源部から
    の電流の極性に対応して電流値を変化させる回路部を設
    け、前記回路部は、第一の抵抗と第一のダイオードとを
    直列に接続した第一の直列回路と第二の抵抗と第二のダ
    イオードとを直列に接続した第二の直列回路とを用い、
    前記第一および第二の抵抗の抵抗値を異なった値とし、
    前記第一および第二のダイオードが互いに反対方向を向
    くように並列に接続したことを特徴とするバイアス磁界
    印加回路。
  2. 【請求項2】 前記回路部は、抵抗と第一のダイオード
    とを直列に接続した直列回路と、前記直列回路に並列に
    接続した第二のダイオードとを有し、前記第一および第
    二のダイオードが互いに反対方向を向くように接続し
    とを特徴とする請求項1記載のバイアス磁界印加回
    路。
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