JP3137501B2 - 磁界印加装置 - Google Patents
磁界印加装置Info
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- JP3137501B2 JP3137501B2 JP05127028A JP12702893A JP3137501B2 JP 3137501 B2 JP3137501 B2 JP 3137501B2 JP 05127028 A JP05127028 A JP 05127028A JP 12702893 A JP12702893 A JP 12702893A JP 3137501 B2 JP3137501 B2 JP 3137501B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置等
の光磁気記録装置に用いられる磁界印加装置に関する。
の光磁気記録装置に用いられる磁界印加装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光磁気ディスク装置等に用い
られる磁界印加装置としては、永久磁石を用いるもの
と、電磁石を用いるものとが知られている。永久磁石を
用いるものは、その極性を切り換える時間が長くかか
り、また装置も大型化するという欠点を有している。
られる磁界印加装置としては、永久磁石を用いるもの
と、電磁石を用いるものとが知られている。永久磁石を
用いるものは、その極性を切り換える時間が長くかか
り、また装置も大型化するという欠点を有している。
【０００３】そこで、電磁石を用いた磁界印加装置とし
ては、例えば、特公平４−５６３６２号公報に示される
ものがある。即ち、半導体レーザ等の光源からの光ビー
ムを光学レンズで集光してその光スポットをバイアス磁
界を印加した光磁気ディスクに投射して情報を記録ある
いは消去するようにした光学的情報記録再生装置におい
て、前記バイアス磁界印加手段が半硬質磁性材料より形
成され十分なＮ極とＳ極間の距離を有する磁芯と前記磁
極の極性を反転し得る励磁コイルおよびパルス励磁電流
電源より構成されたことを特徴とするバイアス磁界印加
装置である。
ては、例えば、特公平４−５６３６２号公報に示される
ものがある。即ち、半導体レーザ等の光源からの光ビー
ムを光学レンズで集光してその光スポットをバイアス磁
界を印加した光磁気ディスクに投射して情報を記録ある
いは消去するようにした光学的情報記録再生装置におい
て、前記バイアス磁界印加手段が半硬質磁性材料より形
成され十分なＮ極とＳ極間の距離を有する磁芯と前記磁
極の極性を反転し得る励磁コイルおよびパルス励磁電流
電源より構成されたことを特徴とするバイアス磁界印加
装置である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の磁界印加装置は、電流を加えてコイルを一旦磁化さ
せた後、電流を０にし、半硬質磁性材料による保磁力に
より光磁気ディスクに磁界を印加するので、消費電流は
小さくなるという利点はあるものの、保磁力を大きくす
るために瞬間的に大量の電流を流す必要があり、磁界印
加用電源が大型化し、部品実装上好ましくないという問
題点がある。
来の磁界印加装置は、電流を加えてコイルを一旦磁化さ
せた後、電流を０にし、半硬質磁性材料による保磁力に
より光磁気ディスクに磁界を印加するので、消費電流は
小さくなるという利点はあるものの、保磁力を大きくす
るために瞬間的に大量の電流を流す必要があり、磁界印
加用電源が大型化し、部品実装上好ましくないという問
題点がある。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、大容量の電源を必要とすることなく、磁界印加装
置の発熱量を大幅に減少することを目的とする。
あり、大容量の電源を必要とすることなく、磁界印加装
置の発熱量を大幅に減少することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するためになされたもので、光源からの光ビームを対
物レンズで集光してその光磁気記録媒体にスポットを形
成し、この光磁気記録媒体に情報を記録または消去する
ために前記光磁気記録媒体にバイアス磁界を印加するた
めの磁界印加装置において、半硬質磁性材料または軟質
磁性材料より形成される磁芯と、前記磁芯の極性を反転
し得る励磁コイルと、この励磁コイルに通常電流を供給
する通常電流供給手段と、極性反転時に前記励磁コイル
に過電流を供給する過電流供給手段とを備え、前記通常
電流供給手段が、前記過電流供給手段から過電流が供給
されることにより前記励磁コイルに発生する残留磁界に
基づいて前記通常電流を供給すること特徴とする磁界印
加装置である。また、前記過電流供給手段は、前記磁芯
の磁気飽和電流値より小さい過電流を励磁コイルに供給
する。そして、光磁気記録媒体の近傍に配置される磁気
センサーと、この磁気センサーからの出力信号に基づい
て前記励磁コイルに流す電流を制御する制御回路を有す
る。
成するためになされたもので、光源からの光ビームを対
物レンズで集光してその光磁気記録媒体にスポットを形
成し、この光磁気記録媒体に情報を記録または消去する
ために前記光磁気記録媒体にバイアス磁界を印加するた
めの磁界印加装置において、半硬質磁性材料または軟質
磁性材料より形成される磁芯と、前記磁芯の極性を反転
し得る励磁コイルと、この励磁コイルに通常電流を供給
する通常電流供給手段と、極性反転時に前記励磁コイル
に過電流を供給する過電流供給手段とを備え、前記通常
電流供給手段が、前記過電流供給手段から過電流が供給
されることにより前記励磁コイルに発生する残留磁界に
基づいて前記通常電流を供給すること特徴とする磁界印
加装置である。また、前記過電流供給手段は、前記磁芯
の磁気飽和電流値より小さい過電流を励磁コイルに供給
する。そして、光磁気記録媒体の近傍に配置される磁気
センサーと、この磁気センサーからの出力信号に基づい
て前記励磁コイルに流す電流を制御する制御回路を有す
る。
【０００７】
【作用】本発明によれば、極性反転時、励磁コイルに瞬
間的に通電時より大きい電流、すなわち過電流を流すこ
とにより残留磁界が発生し、所定の磁界を得るのに必要
な通電時の電流値を低下することが可能となる。また、
励磁コイルに飽和電流値より小さい過電流を供給するこ
とにより、電源の負荷は低減される。さらに、磁気セン
サーにより磁芯の残留磁界が検出され、この検出された
信号に基づいて励磁コイルに流す電流量が精度よく制御
される。
間的に通電時より大きい電流、すなわち過電流を流すこ
とにより残留磁界が発生し、所定の磁界を得るのに必要
な通電時の電流値を低下することが可能となる。また、
励磁コイルに飽和電流値より小さい過電流を供給するこ
とにより、電源の負荷は低減される。さらに、磁気セン
サーにより磁芯の残留磁界が検出され、この検出された
信号に基づいて励磁コイルに流す電流量が精度よく制御
される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て具体的に説明する。図中１は、断面Ｈ字状（横向き）
のボビンで、このボビン１の中央部１ａには励磁コイル
２が巻かれており、またボビン１の中央部１ａには穴部
が形成されている。この穴部には磁芯３が挿入されてお
り、前記ボビン１の外周を覆うカバー４が前記磁芯３と
連続して形成されている。これらより構成される磁界発
生手段Ａは、メディア５の上方に所定の間隔をおいて配
置されている。
て具体的に説明する。図中１は、断面Ｈ字状（横向き）
のボビンで、このボビン１の中央部１ａには励磁コイル
２が巻かれており、またボビン１の中央部１ａには穴部
が形成されている。この穴部には磁芯３が挿入されてお
り、前記ボビン１の外周を覆うカバー４が前記磁芯３と
連続して形成されている。これらより構成される磁界発
生手段Ａは、メディア５の上方に所定の間隔をおいて配
置されている。
【０００９】ここで、前記磁芯３の材質としては、保磁
力Ｈｃが１〜１０［Ｏｅ］くらいの軟質磁性材料（例え
ば、純鉄、軟鋼、鋳鉄、けい素鋼等）か、あるいは半硬
質材料（Ｈｃが１０〜１００［Ｏｅ］程度）がよい。も
し、硬質材料にすると保磁力Ｈｃは大きくなるが、透磁
率が小さいため、所定の磁界を得るために必要な電流を
非常に大きくする必要があり、また、ヒステリシスルー
プの面積が大きいため、磁極の反転時のエネルギー損失
も大となるからである。
力Ｈｃが１〜１０［Ｏｅ］くらいの軟質磁性材料（例え
ば、純鉄、軟鋼、鋳鉄、けい素鋼等）か、あるいは半硬
質材料（Ｈｃが１０〜１００［Ｏｅ］程度）がよい。も
し、硬質材料にすると保磁力Ｈｃは大きくなるが、透磁
率が小さいため、所定の磁界を得るために必要な電流を
非常に大きくする必要があり、また、ヒステリシスルー
プの面積が大きいため、磁極の反転時のエネルギー損失
も大となるからである。
【００１０】前記磁界発生手段Ａには、磁芯３を磁化さ
せておくために励磁コイル２に電流を供給する磁界発生
手段駆動回路８が接続されている。ここで、励磁コイル
２に発生する磁界を図２及び図３に基づいて説明する。
図２はコイルに流れる電流と時間との関係を示す図で、
図中ａは通常電流ＩＡを流す時の特性を示す曲線であ
り、ｂは本発明でいう過電流ＩＢを流す時の特性を示す
曲線である。図３は、コイル磁界（Ｈ）と磁束密度
（Ｂ）との関係を示す図で、前記通常電流ＩＡを励磁コ
イル２に流すことによりコイル磁界ＨＡが発生し、それ
により磁束密度ＢＡが生じる。また、前記過電流ＩＢを
励磁コイル２に流すことによりコイル磁界ＨＢが発生
し、それにより磁束密度ＢＢが生じる。
せておくために励磁コイル２に電流を供給する磁界発生
手段駆動回路８が接続されている。ここで、励磁コイル
２に発生する磁界を図２及び図３に基づいて説明する。
図２はコイルに流れる電流と時間との関係を示す図で、
図中ａは通常電流ＩＡを流す時の特性を示す曲線であ
り、ｂは本発明でいう過電流ＩＢを流す時の特性を示す
曲線である。図３は、コイル磁界（Ｈ）と磁束密度
（Ｂ）との関係を示す図で、前記通常電流ＩＡを励磁コ
イル２に流すことによりコイル磁界ＨＡが発生し、それ
により磁束密度ＢＡが生じる。また、前記過電流ＩＢを
励磁コイル２に流すことによりコイル磁界ＨＢが発生
し、それにより磁束密度ＢＢが生じる。
【００１１】従って、その磁界の向きを反転させる瞬間
あるいは磁界を立ち上げる瞬間に、図２に示すｂのよう
に、一時的に過電流ＩＢを流すようにすれば、図３に示
すように、残留磁気（ＢＡ’−ＢＡ）の分だけ磁芯３に
発生する磁界を強くすることができる。つまり所定の磁
界を得るために必要な電流を図２に示すａのような立上
り方をした場合に比べて、結局小さくすることができ
る。なお、図２のｃに示すような過電流を励磁コイル２
に流せば、ｂに比べて静定時間が長くなり、より好まし
い。
あるいは磁界を立ち上げる瞬間に、図２に示すｂのよう
に、一時的に過電流ＩＢを流すようにすれば、図３に示
すように、残留磁気（ＢＡ’−ＢＡ）の分だけ磁芯３に
発生する磁界を強くすることができる。つまり所定の磁
界を得るために必要な電流を図２に示すａのような立上
り方をした場合に比べて、結局小さくすることができ
る。なお、図２のｃに示すような過電流を励磁コイル２
に流せば、ｂに比べて静定時間が長くなり、より好まし
い。
【００１２】前記磁界発生手段駆動回路８は、例えば図
４に示すような既知の電流制御回路を用いることがで
き、後述する演算処理装置１２より磁界発生手段駆動回
路８へステップ入力を入れることにより、励磁コイル２
に、図２に示すｂのような過電流ＩＢを流すことができ
る。
４に示すような既知の電流制御回路を用いることがで
き、後述する演算処理装置１２より磁界発生手段駆動回
路８へステップ入力を入れることにより、励磁コイル２
に、図２に示すｂのような過電流ＩＢを流すことができ
る。
【００１３】ところで、一般に磁性材料は無限に磁化で
きるものではなく、ある点で飽和が起こる。従って、残
留磁気を大きくしようとしてたくさんの電流を流して
も、ある限度以上には残留磁気を大きくすることはでき
ない。また、過電流を多く流し過ぎると、電流が定常値
に戻るまでの時間が長くなり、その間、情報をメディア
５に書き込むタイミングを半導体レーザ駆動回路１１に
よって遅らせなければならないので、ドライブ装置とし
ての性能上好ましくない。
きるものではなく、ある点で飽和が起こる。従って、残
留磁気を大きくしようとしてたくさんの電流を流して
も、ある限度以上には残留磁気を大きくすることはでき
ない。また、過電流を多く流し過ぎると、電流が定常値
に戻るまでの時間が長くなり、その間、情報をメディア
５に書き込むタイミングを半導体レーザ駆動回路１１に
よって遅らせなければならないので、ドライブ装置とし
ての性能上好ましくない。
【００１４】そこで、図５に示すように、先に図４で示
した磁界発生手段駆動回路８における抵抗Ｒ１、Ｒ２に
ボリューム等の調整手段８ａ，８ｂを設けた駆動回路を
用いることにより、励磁コイル２に流す電流は、磁芯３
が飽和するのに必要な電流値より小さくするように、回
路の定数を調整することが可能となる。
した磁界発生手段駆動回路８における抵抗Ｒ１、Ｒ２に
ボリューム等の調整手段８ａ，８ｂを設けた駆動回路を
用いることにより、励磁コイル２に流す電流は、磁芯３
が飽和するのに必要な電流値より小さくするように、回
路の定数を調整することが可能となる。
【００１５】一方、メディア５の下方には、前記磁界発
生手段Ａに対向して、対物レンズ６等を搭載したキャリ
ッジ７が配置されている。このキャリッジ７には、対物
レンズ位置検出手段９が接続されており、また対物レン
ズ６を移動させるための駆動回路１０に接続されてい
る。そして、半導体レーザ駆動回路１１と、上述した磁
界発生手段駆動回路８、対物レンズ位置検出手段９、駆
動回路１０はそれぞれ演算処理装置１２に接続されてお
り、これら各回路等はこの演算処理装置１２により制御
される。
生手段Ａに対向して、対物レンズ６等を搭載したキャリ
ッジ７が配置されている。このキャリッジ７には、対物
レンズ位置検出手段９が接続されており、また対物レン
ズ６を移動させるための駆動回路１０に接続されてい
る。そして、半導体レーザ駆動回路１１と、上述した磁
界発生手段駆動回路８、対物レンズ位置検出手段９、駆
動回路１０はそれぞれ演算処理装置１２に接続されてお
り、これら各回路等はこの演算処理装置１２により制御
される。
【００１６】次に、本実施例にかかる装置の実施例につ
いて説明する。メディア５に情報を書き込む場合には、
指定された目標トラック情報を演算処理装置１２が受け
取ると、演算処理装置１２は駆動回路１０に駆動信号を
与える。それにより、該駆動回路１０はキャリッジ７を
目標トラックへ移動させる。そして、目標トラックに到
達したことを対物レンズ位置検出手段９によって検出す
ると、その検出信号が演算処理装置１２に伝えられる。
この演算処理装置１２より磁界発生手段駆動回路８へ駆
動命令が送られる。すると、磁界発生手段駆動回路８は
励磁コイル２に、上述した図２に示すｂのような過電流
ＩＢを供給し、この過電流によってメディア５にかかる
磁界Ｂは、図３に示すようにＢＢからＢＡ’へ変動す
る。このタイミングを見計らって演算処理装置１２は半
導体レーザ駆動回路１１へ点灯命令を送り、情報がメデ
ィア５に記録されることになる。
いて説明する。メディア５に情報を書き込む場合には、
指定された目標トラック情報を演算処理装置１２が受け
取ると、演算処理装置１２は駆動回路１０に駆動信号を
与える。それにより、該駆動回路１０はキャリッジ７を
目標トラックへ移動させる。そして、目標トラックに到
達したことを対物レンズ位置検出手段９によって検出す
ると、その検出信号が演算処理装置１２に伝えられる。
この演算処理装置１２より磁界発生手段駆動回路８へ駆
動命令が送られる。すると、磁界発生手段駆動回路８は
励磁コイル２に、上述した図２に示すｂのような過電流
ＩＢを供給し、この過電流によってメディア５にかかる
磁界Ｂは、図３に示すようにＢＢからＢＡ’へ変動す
る。このタイミングを見計らって演算処理装置１２は半
導体レーザ駆動回路１１へ点灯命令を送り、情報がメデ
ィア５に記録されることになる。
【００１７】次に、図６に基づいて他の実施例を説明す
る。図６に示す実施例は、前述した図１に示す実施例と
同一の部分については同一の番号が付してある。先の実
施例と異なるところは、メディア５の近傍に磁気を検知
するためのホール素子等からなる磁気センサー１３が配
置されていることと、この磁気センサー１３から得られ
る信号が入力されるゲイン可変アンプ１４が演算処理装
置１２と磁界発生手段駆動回路８との間に介在されてい
ることである。
る。図６に示す実施例は、前述した図１に示す実施例と
同一の部分については同一の番号が付してある。先の実
施例と異なるところは、メディア５の近傍に磁気を検知
するためのホール素子等からなる磁気センサー１３が配
置されていることと、この磁気センサー１３から得られ
る信号が入力されるゲイン可変アンプ１４が演算処理装
置１２と磁界発生手段駆動回路８との間に介在されてい
ることである。
【００１８】従って、前記磁気センサー１３からの出力
は、ゲイン可変アンプ１４を介して磁界発生手段駆動回
路８へ送られる。前記ゲイン可変アンプ１４は、磁気セ
ンサー１３の出力に基づいて、磁界発生手段駆動回路８
へ入力するゲインを変え、そのゲインによって励磁コイ
ル２に流れる電流の波形を変える。このような構成にす
ることにより、磁芯３の残留磁界を磁気センサー１３で
検知して常に最適な電流波形を作りだすことができる。
は、ゲイン可変アンプ１４を介して磁界発生手段駆動回
路８へ送られる。前記ゲイン可変アンプ１４は、磁気セ
ンサー１３の出力に基づいて、磁界発生手段駆動回路８
へ入力するゲインを変え、そのゲインによって励磁コイ
ル２に流れる電流の波形を変える。このような構成にす
ることにより、磁芯３の残留磁界を磁気センサー１３で
検知して常に最適な電流波形を作りだすことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
極性反転時に瞬間的に通電時よりも多くの電流を流して
いるので、所定の磁界を作るのに必要な通電時の電流値
が残留磁気の分だけ少なくて済む。従って、消費電流が
少なくなり、また装置内の発熱を押さえることができ
る。また、残留磁気を発生させるための最低限の電流し
か流さないので、電源を小型化、低コスト化できる。さ
らに、磁芯に残っている残留磁気の量を検知して励磁コ
イルに流す電流量を制御するので、電流設定値の精度が
向上する。
極性反転時に瞬間的に通電時よりも多くの電流を流して
いるので、所定の磁界を作るのに必要な通電時の電流値
が残留磁気の分だけ少なくて済む。従って、消費電流が
少なくなり、また装置内の発熱を押さえることができ
る。また、残留磁気を発生させるための最低限の電流し
か流さないので、電源を小型化、低コスト化できる。さ
らに、磁芯に残っている残留磁気の量を検知して励磁コ
イルに流す電流量を制御するので、電流設定値の精度が
向上する。
【図１】本発明の１実施例を示す装置説明図である。
【図２】励磁コイルに流れる電流の特性を示す説明図で
ある。
ある。
【図３】コイル磁界と磁束密度との関係を示す説明図で
ある。
ある。
【図４】磁界発生手段駆動回路を示す説明図である。
【図５】他の磁界発生手段駆動回路を示す説明図であ
る。
る。
【図６】他の実施例を示す装置説明図である。
１ ボビン ２ 励磁コイル ３ 磁芯 ４ カバー ５ メディア ６ 対物レンズ ７ キャリッジ ８ 磁界発生手段駆動回路 ８ａ，８ｂ 調整手段 ９ 対物レンズ位置検出手段 １０ 駆動回路 １１ 半導体レーザ駆動回路 １２ 演算処理装置 １３ 磁界センサー １４ ゲイン可変アンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/02 G11B 11/10
Claims (3)
- 【請求項１】光源からの光ビームを対物レンズで集光し
てその光磁気記録媒体にスポットを形成し、この光磁気
記録媒体に情報を記録または消去するために前記光磁気
記録媒体にバイアス磁界を印加するための磁界印加装置
において、半硬質磁性材料または軟質磁性材料より形成
される磁芯と、前記磁芯の極性を反転し得る励磁コイル
と、この励磁コイルに通常電流を供給する通常電流供給
手段と、極性反転時に前記励磁コイルに過電流を供給す
る過電流供給手段とを備え、 前記通常電流供給手段が、前記過電流供給手段から過電
流が供給されることにより前記励磁コイルに発生する残
留磁界に基づいて前記通常電流を供給すること 特徴とす
る磁界印加装置。 - 【請求項２】前記過電流供給手段は、前記磁芯の磁気飽
和電流値より小さい過電流を励磁コイルに供給すること
を特徴とする請求項１記載の磁界印加装置。 - 【請求項３】光磁気記録媒体の近傍に配置される磁気セ
ンサーと、この磁気センサーからの出力信号に基づいて
前記励磁コイルに流す電流を制御する制御回路を有する
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の磁界印
加装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05127028A JP3137501B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 磁界印加装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05127028A JP3137501B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 磁界印加装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338003A JPH06338003A (ja) | 1994-12-06 |
| JP3137501B2 true JP3137501B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=14949891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05127028A Expired - Fee Related JP3137501B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 磁界印加装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137501B2 (ja) |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP05127028A patent/JP3137501B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06338003A (ja) | 1994-12-06 |
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Legal Events
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