JP2648084B2 - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents

半導体レーザ駆動装置

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JP2648084B2
JP2648084B2 JP6007961A JP796194A JP2648084B2 JP 2648084 B2 JP2648084 B2 JP 2648084B2 JP 6007961 A JP6007961 A JP 6007961A JP 796194 A JP796194 A JP 796194A JP 2648084 B2 JP2648084 B2 JP 2648084B2
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邦男 小嶋
省三 小林
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザから出た光
を光磁気ディスクに照射することで情報の記録・再生・
消去等を実行する光メモリシステムにおいて利用される
半導体レーザ駆動装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光磁気ディスクの既に公知な構造は、ガ
ラス基板等の基体上に希土類→鉄合金の非晶質薄膜をス
パッタリングにて成膜して膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する磁性膜を被覆して構成されるものであり、こ
の光磁気ディスクに半導体レーザビームを照射するヘッ
ド等を付加することで情報の記録・再生・消去を行なう
光メモリシステムが構成される。この光メモリシステム
において情報の記録はレーザビームを約1μmφ程度に
集光したものを上記磁性膜面に照射して該磁性膜の温度
を局所的に上昇させてその温度上昇部分の保持力を減少
させ同時に外部より補助磁場を印加することで磁化の向
きを反転させて行なう(消去も同様の方法で可能であ
る。)又記録された情報の再生は記録された磁性膜面に
記録時より弱い光量の半導体レーザによる直線偏光を照
射してその反射した光の磁場の影響による偏光面の傾き
を利用して光の強弱に変え、それを光検出器で検出して
行なう。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】以上の構造から、半導
体レーザには記録時に高出力のレーザ光,再生時に低出
力のレーザ光を射出する構成が必要となり、これら2つ
のレベルの出力を速やかなる手段により切換えることが
その駆動装置に要求される。
【0004】一方、光磁気ディスクの情報再生の原理で
ある光磁気効果(カー効果)はディスクからの反射光の
偏光特性を変化させることを利用しているため本質的に
半導体レーザへの帰還光を阻止することは困難である。
したがって帰還光に対してノイズの発生が現われないよ
うに半導体レーザを使用することが必要となるが、一般
に再生信号のS/N比に対しては高出力の光による記録
を行なう方が有利であるため、高出力半導体レーザの使
用が必要となる。しかし一般に高出力半導体レーザで
は、その出力端面の反射率が低いため帰還光の入射に対
して弱く、特に低出力時において帰還光によるノイズが
大きく現われてくる。よって高出力半導体レーザの使用
に際しては、ノイズの発生を抑制する手段を具備しなけ
ればならない。
【0005】また半導体レーザは温度特性を有し、周囲
温度によりそのしきい値電流が変動するためレーザ発振
の出力光強度が変化するが、しかし記録時のレーザの高
出力発振時に出力光強度がが変動すれば記録媒体に対し
て情報の書き込み不足や過多を生じさせ、システム全体
の情報処理の誤り率が劣化した。この事は再生時のレー
ザの低出力発振時においても同様で、出力光強度が変動
すれば再生信号のS/N比の劣化として現われてくる。
【0006】以上の理由で高・低の両出力レベルにおい
てレーザ光を安定発振させることが必要不可欠であるこ
とが明白である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上述する課題を
解決するためになされたもので、光メモリシステムに組
み込まれる半導体レーザ駆動装置であって、半導体レー
ザをその発振しきい値以下で、かつ該発振しきい値付近
まで駆動せしめる第1の電流源と、該第1の電流源に対
する付加によって記録媒体から情報を再生するのに必要
なレベルまで半導体レーザを発振せしめる第2の電流源
と、上記第1の電流源及び第2の電流源に対する付加に
よって記録するのに必要なレベルまで半導体レーザを発
振せしめる第3の電流源とを具備したこと半導体レーザ
駆動装置を提供するものである。
【0008】また、本発明は、半導体レーザの出力光強
度を検出し、該検出に応じて前記第2の電流源の出力電
流値を制御せしめる制御回路を具備した半導体レーザ駆
動装置を提供するものである。
【0009】
【作用】これにより、上記のような光磁気ディスク等の
記録媒体を使用した情報再生装置への要求を解決した半
導体レーザ駆動装置を提供することが可能である。
【0010】
【実施例】上記目的を達成するために本発明は半導体レ
ーザ駆動電流を供給する3つの電流源を具備する構成と
したものである。
【0011】以下、本発明に係る一実施例を図面に基づ
き詳細に説明する。図1は本発明に係る一実施例による
半導体レーザ駆動装置を示すブロック図であり、図2は
図1の装置の動作説明のための波形図である。
【0012】図1において3つの電流源は半導体レーザ
を発振しきい値付近まで駆動する第1電流源(以下バイ
アス電流源1と呼ぶ。)、情報再生のための光強度まで
発振させる第2電流源(以下低出力分電流源2と呼
ぶ。)、さらに記録時の高出力発振を可能にする第3電
流源(以下高出力分電流源3と呼ぶ。)である。
【0013】情報記録時、半導体レーザはバイアス電流
源1、低出力分電流源2、高出力分電流源3の3つの電
流源により駆動される。また情報の再生時はバイアス電
流源1低出力分電流源2の2つの電流源で駆動されるこ
とになる。
【0014】低出力時の帰還光による半導体レーザのノ
イズの発生は、図1に示す様に高周波発振器6からの信
号によりスイッチング回路4において低出力分電流源2
からの電流I1を高速にスイッチングすることで抑制し
ている。スイッチングのデューティー比を50%と設定
すると再生時の光強度の平均値は、バイアス電流源1に
よる電流I0と電流I1とによる光強度P1の50%つま
りP1/2となる。
【0015】高出力時はこの低出力分電流源2に対する
高周波スイッチング動作を停止し、記録情報信号7に応
じてスイッチング回路4,5が駆動させられるので、低
出力分電流源2からの電流I1に加えて高出力分電流源
3からの電流I2がさらに付加されるため、出力光強度
は図2に示す様にP2となる。
【0016】ここで、情報再生時即ち低出力時は出力光
強度を光検知器9により検出しプリアンプ10を通して
この信号の値と基準電圧源12からの値とを比較器12
において比較し、この比較信号をローパスフィルター1
3に通過させ、その低周波成分によりパワーアップ14
を介して低出力分電流源2の出力電流値I1を制御す
る。この制御により低出力光強度P1/2は温度変化に
かかわらず常に一定に保持されることになる。一般に半
導体レーザは温度によりしきい値電流のみが変動するた
めしきい値からの線型部分の傾きは変化しない。したが
って高出力分電流源3の電流値I2は一定であるため、
低出力光強度P1/2が一定であれば高出力強度P2もま
た一定の光出力強度となる。
【0017】以上、半導体レーザの駆動電流源を3つの
独立した電流源により構成することで、自動出力光強度
制御(以下APCと呼ぶ)に関しても低出力発振時に電
流値I1を制御することで高・低両発振時における制御
が実現される。そしてAPC回路のダイナミック・レン
ジを大きくとる必要はないためAPC回路設計において
非常に有利である。
【0018】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば半導体レー
ザを発振しきい値付近まで駆動するバイアス電流源・情
報再生のための低出力分電流源・情報記録時の高出力分
電流源の3つの電流源により駆動することで、光磁気デ
ィスク等を記録媒体として使用した情報記録再生装置に
おける良好な半導体レーザ駆動装置を得ることができ
る。また3つの電流源の構成により駆動回路の設計が非
常に容易となり低コスト化が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による半導体レーザ駆動装置
を示すブロック図である。
【図2】図1の装置の動作を説明するための波形図であ
る。
【符号の説明】
1 バイアス電流源 2 低出力分電流源 3 高出力分電流源 4,5 スイッチング回路 6 高周波発振器 7 記録情報 8 半導体レーザ 9 光検知器 10 プリアンプ 11 比較器 12 基準電圧源 13 ローパスフィルター 14 パワーアンプ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光メモリシステムに組み込まれる半導体
    レーザ駆動装置であって、 半導体レーザをその発振しきい値以下で、かつ該発振し
    きい値付近まで駆動せしめる第1の電流源と、該第1の
    電流源に対する付加によって記録媒体から情報を再生す
    るのに必要なレベルまで半導体レーザを発振せしめる第
    2の電流源と、上記第1の電流源及び第2の電流源に対
    する付加によって記録するのに必要なレベルまで半導体
    レーザを発振せしめる第3の電流源とを具備したことを
    特徴とする半導体レーザ駆動装置。
  2. 【請求項2】 半導体レーザの出力光強度を検出し、該
    検出に応じて前記第2の電流源の出力電流値を制御せし
    める制御回路を具備したことを特徴とする請求項1に記
    載の半導体レーザ駆動装置。
JP6007961A 1994-01-28 1994-01-28 半導体レーザ駆動装置 Expired - Lifetime JP2648084B2 (ja)

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JPH0626275B2 (ja) * 1984-08-02 1994-04-06 松下電器産業株式会社 半導体レ−ザ駆動回路

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