JPH07129988A - 半導体レーザー駆動回路 - Google Patents
半導体レーザー駆動回路Info
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- JPH07129988A JPH07129988A JP5277108A JP27710893A JPH07129988A JP H07129988 A JPH07129988 A JP H07129988A JP 5277108 A JP5277108 A JP 5277108A JP 27710893 A JP27710893 A JP 27710893A JP H07129988 A JPH07129988 A JP H07129988A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体レーザー１０に発振しきい値以下の定
電流ＩCCを供給する定電流源１と、半導体レーザー１０
に駆動電流ＩR を供給する再生パワー電流源２と、半導
体レーザー１０に駆動電流ＩB を供給するバイアスパワ
ー電流源３と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩI を供
給するイニシャルパワー電流源４と、半導体レーザー１
０に駆動電流ＩW を供給するライトパワー電流源５と、
駆動電流ＩB をオン／オフするカレントスイッチ回路７
と、駆動電流ＩI をオン／オフするカレントスイッチ回
路８と、駆動電流ＩW をオン／オフするカレントスイッ
チ回路９とが備えられている半導体レーザー駆動回路。 【効果】 レーザーパワーを高周波数で変調することが
できる。これにより、高密度・高品質の光変調記録が可
能になる。
電流ＩCCを供給する定電流源１と、半導体レーザー１０
に駆動電流ＩR を供給する再生パワー電流源２と、半導
体レーザー１０に駆動電流ＩB を供給するバイアスパワ
ー電流源３と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩI を供
給するイニシャルパワー電流源４と、半導体レーザー１
０に駆動電流ＩW を供給するライトパワー電流源５と、
駆動電流ＩB をオン／オフするカレントスイッチ回路７
と、駆動電流ＩI をオン／オフするカレントスイッチ回
路８と、駆動電流ＩW をオン／オフするカレントスイッ
チ回路９とが備えられている半導体レーザー駆動回路。 【効果】 レーザーパワーを高周波数で変調することが
できる。これにより、高密度・高品質の光変調記録が可
能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク等の光
記録媒体に対し情報の記録再生を行う情報記録再生装置
に備わる半導体レーザー駆動回路に関するものである。
記録媒体に対し情報の記録再生を行う情報記録再生装置
に備わる半導体レーザー駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスク装置は、垂直磁化された
磁性膜に高出力のレーザー光を照射し、磁性膜の温度を
局所的に上昇させてその温度上昇部分の保磁力を減少さ
せ、同時に外部より補助磁場を印加することで磁化の向
きを反転させて情報の記録または消去を行う。再生の際
には低出力のレーザー光を磁性膜に照射し、その反射光
から磁化の状態を検出して情報を読み出す。このため、
光磁気ディスク装置には、記録・消去または再生のそれ
ぞれのモードに応じて、所定光量のレーザー光を磁性膜
に照射する半導体レーザー駆動回路が設けられている。
磁性膜に高出力のレーザー光を照射し、磁性膜の温度を
局所的に上昇させてその温度上昇部分の保磁力を減少さ
せ、同時に外部より補助磁場を印加することで磁化の向
きを反転させて情報の記録または消去を行う。再生の際
には低出力のレーザー光を磁性膜に照射し、その反射光
から磁化の状態を検出して情報を読み出す。このため、
光磁気ディスク装置には、記録・消去または再生のそれ
ぞれのモードに応じて、所定光量のレーザー光を磁性膜
に照射する半導体レーザー駆動回路が設けられている。
【０００３】半導体レーザー駆動回路の一例を図５に示
す。
す。
【０００４】再生モードでは、定電流源１からの定電流
ＩCCと、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR とが半
導体レーザー１０に供給される。これにより、再生パワ
ーＰR のレーザー光が得られる。定電流ＩCCは、図６に
示すように、半導体レーザー１０の発振しきい値Ｉth以
下に設定された電流である。
ＩCCと、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR とが半
導体レーザー１０に供給される。これにより、再生パワ
ーＰR のレーザー光が得られる。定電流ＩCCは、図６に
示すように、半導体レーザー１０の発振しきい値Ｉth以
下に設定された電流である。
【０００５】駆動電流ＩR は、レーザー光の強度をモニ
ターする光検出器１１と、ＡＰＣ（Automatic Power Co
ntrol）回路１２とによってフィードバック制御されて
いる。これにより、温度によって発振しきい値Ｉthが変
化しても、一定の再生パワーＰR を得ることができる。
ターする光検出器１１と、ＡＰＣ（Automatic Power Co
ntrol）回路１２とによってフィードバック制御されて
いる。これにより、温度によって発振しきい値Ｉthが変
化しても、一定の再生パワーＰR を得ることができる。
【０００６】記録モードでは、定電流源１からの定電流
ＩCCと、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR と、記
録パワー電流源１３からの駆動電流ＩW とが半導体レー
ザー１０に供給される。駆動電流ＩW は、カレントスイ
ッチ回路１９によって、記録情報信号１９ａに応じてオ
ン／オフされる。これにより、レーザー光の強度が記録
情報信号１９ａに応じて記録パワーＰW と再生パワーＰ
R とに切り替わる。つまり、光変調が行われる。レーザ
ー光の強度が記録パワーＰW であるとき、光磁気ディス
クに記録マークが形成される。
ＩCCと、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR と、記
録パワー電流源１３からの駆動電流ＩW とが半導体レー
ザー１０に供給される。駆動電流ＩW は、カレントスイ
ッチ回路１９によって、記録情報信号１９ａに応じてオ
ン／オフされる。これにより、レーザー光の強度が記録
情報信号１９ａに応じて記録パワーＰW と再生パワーＰ
R とに切り替わる。つまり、光変調が行われる。レーザ
ー光の強度が記録パワーＰW であるとき、光磁気ディス
クに記録マークが形成される。
【０００７】なお、記録モードでは、ＡＰＣ回路１２の
動作は止められ、再生パワー電流源２からの駆動電流Ｉ
R は記録モードに移る直前の電流値に保持される。
動作は止められ、再生パワー電流源２からの駆動電流Ｉ
R は記録モードに移る直前の電流値に保持される。
【０００８】消去モードでは、カレントスイッチ回路９
が常にオンされる。これにより、記録パワーＰW に等し
い消去パワーのレーザー光が得られる。
が常にオンされる。これにより、記録パワーＰW に等し
い消去パワーのレーザー光が得られる。
【０００９】記録パワー電流源１３からの駆動電流ＩW
は、制御信号１３ａによって、レーザー光の照射位置に
応じて制御されている。つまり、光磁気ディスクの外周
側になるほど、駆動電流ＩW を大きくしている。これに
より、光磁気ディスクを角速度一定で回転させても、レ
ーザー光が照射されている光磁気ディスク上の半径位置
に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを一定にする
ことができる。
は、制御信号１３ａによって、レーザー光の照射位置に
応じて制御されている。つまり、光磁気ディスクの外周
側になるほど、駆動電流ＩW を大きくしている。これに
より、光磁気ディスクを角速度一定で回転させても、レ
ーザー光が照射されている光磁気ディスク上の半径位置
に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを一定にする
ことができる。
【００１０】光変調によるオーバーライト（重ね書き）
を行う場合、消去モードは不要になる。この場合、記録
モードでは、図７に示すように、レーザー光の強度は記
録パワーＰW とイニシャルパワーＰI とに変調される。
イニシャルパワーＰI は再生パワーＰR よりも大きく記
録パワーＰW よりも小さい値に設定されている。
を行う場合、消去モードは不要になる。この場合、記録
モードでは、図７に示すように、レーザー光の強度は記
録パワーＰW とイニシャルパワーＰI とに変調される。
イニシャルパワーＰI は再生パワーＰR よりも大きく記
録パワーＰW よりも小さい値に設定されている。
【００１１】同図（ａ）では、光磁気ディスクに記録さ
れる情報マーク（磁化の向き）が“１”・“０”で示さ
れている。レーザー光が記録パワーＰW のとき、同図
（ｂ）に示すように、記録マーク“１”が記録され、イ
ニシャルパワーＰI のとき記録マーク“０”が記録され
る。
れる情報マーク（磁化の向き）が“１”・“０”で示さ
れている。レーザー光が記録パワーＰW のとき、同図
（ｂ）に示すように、記録マーク“１”が記録され、イ
ニシャルパワーＰI のとき記録マーク“０”が記録され
る。
【００１２】より高密度・高品質の光変調オーバーライ
トを行うためには、電子情報通信学会技報ＭＲ９２ ６
２（１９９２）Ｐ．１３〜１８や、１９９２年電子情報
通信学会秋季大会予稿集Ｃ−３４２に記載されているよ
うに、レーザー光がマルチパルス構成にされる。
トを行うためには、電子情報通信学会技報ＭＲ９２ ６
２（１９９２）Ｐ．１３〜１８や、１９９２年電子情報
通信学会秋季大会予稿集Ｃ−３４２に記載されているよ
うに、レーザー光がマルチパルス構成にされる。
【００１３】すなわち、記録マーク“１”（あるいは、
記録マーク“０”）を記録するときのレーザー光の強度
を、一定の記録パワーＰW （あるいは、イニシャルパワ
ーＰI ）にするのではなく、記録パワーＰW （あるい
は、イニシャルパワーＰI ）と補助パワーＰB とに変調
する。
記録マーク“０”）を記録するときのレーザー光の強度
を、一定の記録パワーＰW （あるいは、イニシャルパワ
ーＰI ）にするのではなく、記録パワーＰW （あるい
は、イニシャルパワーＰI ）と補助パワーＰB とに変調
する。
【００１４】これにより、記録マークを形成する部分の
磁性膜の温度分布が均一になるので、記録マークが涙形
状にならず、正確な記録マーク形状が得られる。
磁性膜の温度分布が均一になるので、記録マークが涙形
状にならず、正確な記録マーク形状が得られる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
半導体レーザー駆動回路では、高密度記録を行うため
に、半導体レーザー１０の駆動電流を数ＭＨｚの高周波
数で変調することは困難であるという問題点を有してい
る。
半導体レーザー駆動回路では、高密度記録を行うため
に、半導体レーザー１０の駆動電流を数ＭＨｚの高周波
数で変調することは困難であるという問題点を有してい
る。
【００１６】特に、パルスの立ち上がり／立ち下がり時
間が１０ nsec 以下になるマルチパルス構成の光変調オ
ーバーライトを実施することは非常に困難であるという
問題点を有している。
間が１０ nsec 以下になるマルチパルス構成の光変調オ
ーバーライトを実施することは非常に困難であるという
問題点を有している。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る半
導体レーザー駆動回路は、上記の課題を解決するため
に、半導体レーザーに発振しきい値以下の定電流を供給
する定電流源と、半導体レーザーに第１駆動電流を供給
する再生パワー電流源と、半導体レーザーに第２駆動電
流を供給するバイアスパワー電流源と、半導体レーザー
に第３駆動電流を供給するイニシャルパワー電流源と、
半導体レーザーに第４駆動電流を供給するライトパワー
電流源と、第２駆動電流をオン／オフする第２カレント
スイッチ回路と、第３駆動電流をオン／オフする第３カ
レントスイッチ回路と、第４駆動電流をオン／オフする
第４カレントスイッチ回路とが備えられていることを特
徴としている。
導体レーザー駆動回路は、上記の課題を解決するため
に、半導体レーザーに発振しきい値以下の定電流を供給
する定電流源と、半導体レーザーに第１駆動電流を供給
する再生パワー電流源と、半導体レーザーに第２駆動電
流を供給するバイアスパワー電流源と、半導体レーザー
に第３駆動電流を供給するイニシャルパワー電流源と、
半導体レーザーに第４駆動電流を供給するライトパワー
電流源と、第２駆動電流をオン／オフする第２カレント
スイッチ回路と、第３駆動電流をオン／オフする第３カ
レントスイッチ回路と、第４駆動電流をオン／オフする
第４カレントスイッチ回路とが備えられていることを特
徴としている。
【００１８】請求項２の発明に係る半導体レーザー駆動
回路は、上記の課題を解決するために、請求項１の半導
体レーザー駆動回路であって、第１駆動電流をオン／オ
フする第１カレントスイッチ回路が設けられていること
を特徴としている。
回路は、上記の課題を解決するために、請求項１の半導
体レーザー駆動回路であって、第１駆動電流をオン／オ
フする第１カレントスイッチ回路が設けられていること
を特徴としている。
【００１９】
【作用】請求項１の構成によれば、第２〜第４カレント
スイッチ回路をすべてオフにすることにより、定電流と
第１駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２カ
レントスイッチ回路をオンにし、第３、第４カレントス
イッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動
電流と第２駆動電流とが半導体レーザーに供給される。
第２、第３カレントスイッチ回路をオンにし、第４カレ
ントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第
１駆動電流と第２駆動電流と第３駆動電流とが半導体レ
ーザーに供給される。第２、第４カレントスイッチ回路
をオンにし、第３カレントスイッチ回路をオフにするこ
とにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流と第４
駆動電流とが半導体レーザーに供給される。したがっ
て、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン／オフする
ことにより、レーザーパワーの異なる４種のレーザー光
が得られる。これにより、マルチパルス構成の光変調オ
ーバーライトを実施できる。しかも、バイアスパワー電
流源、イニシャルパワー電流源および記録パワー電流源
を、それぞれ、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン
／オフすることにより、レーザーパワーを切り替える構
成であるので、レーザーパワーを高速に切り替えること
ができる。これにより、高密度・高品質の光変調記録が
可能になる。
スイッチ回路をすべてオフにすることにより、定電流と
第１駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２カ
レントスイッチ回路をオンにし、第３、第４カレントス
イッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動
電流と第２駆動電流とが半導体レーザーに供給される。
第２、第３カレントスイッチ回路をオンにし、第４カレ
ントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第
１駆動電流と第２駆動電流と第３駆動電流とが半導体レ
ーザーに供給される。第２、第４カレントスイッチ回路
をオンにし、第３カレントスイッチ回路をオフにするこ
とにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流と第４
駆動電流とが半導体レーザーに供給される。したがっ
て、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン／オフする
ことにより、レーザーパワーの異なる４種のレーザー光
が得られる。これにより、マルチパルス構成の光変調オ
ーバーライトを実施できる。しかも、バイアスパワー電
流源、イニシャルパワー電流源および記録パワー電流源
を、それぞれ、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン
／オフすることにより、レーザーパワーを切り替える構
成であるので、レーザーパワーを高速に切り替えること
ができる。これにより、高密度・高品質の光変調記録が
可能になる。
【００２０】請求項２の構成によれば、請求項１の作用
に加え、第１〜第４カレントスイッチ回路をすべてオフ
にすることにより、ゼロパワーのレーザー光が得られ
る。これにより、さらに高密度・高品質の光変調記録が
可能になる。
に加え、第１〜第４カレントスイッチ回路をすべてオフ
にすることにより、ゼロパワーのレーザー光が得られ
る。これにより、さらに高密度・高品質の光変調記録が
可能になる。
【００２１】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２２】本実施例の半導体レーザー駆動回路は、図
１に示すように、半導体レーザー１０に定電流ＩCCを供
給する定電流源１と、半導体レーザー１０に駆動電流Ｉ
R （第１駆動電流）を供給する再生パワー電流源２と、
半導体レーザー１０に駆動電流ＩB （第２駆動電流）を
供給するバイアスパワー電流源３と、半導体レーザー１
０に駆動電流ＩI （第３駆動電流）を供給するイニシャ
ルパワー電流源４と、半導体レーザー１０に駆動電流Ｉ
W （第４駆動電流）を供給するライトパワー電流源５と
を備えている。
１に示すように、半導体レーザー１０に定電流ＩCCを供
給する定電流源１と、半導体レーザー１０に駆動電流Ｉ
R （第１駆動電流）を供給する再生パワー電流源２と、
半導体レーザー１０に駆動電流ＩB （第２駆動電流）を
供給するバイアスパワー電流源３と、半導体レーザー１
０に駆動電流ＩI （第３駆動電流）を供給するイニシャ
ルパワー電流源４と、半導体レーザー１０に駆動電流Ｉ
W （第４駆動電流）を供給するライトパワー電流源５と
を備えている。
【００２３】定電流ＩCCは、半導体レーザー１０の発振
しきい値以下の電流に設定されている。駆動電流Ｉ
R は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ）を供給した
ときに再生パワーＰR のレーザー光が得られる電流であ
る。駆動電流ＩB は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋Ｉ
R ＋ＩB ）を供給したときにバイアスパワーＰB のレー
ザー光が得られる電流である。駆動電流ＩI は、半導体
レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）を供給した
ときにイニシャルパワーＰI のレーザー光が得られる電
流である。駆動電流ＩW は、半導体レーザー１０に（Ｉ
CC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩW ）を供給したときに記録パワーＰ
W のレーザー光が得られる電流である。ここで、各パワ
ーは、ＰR ＜ＰB ＜ＰI ＜ＰW に設定されている。
しきい値以下の電流に設定されている。駆動電流Ｉ
R は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ）を供給した
ときに再生パワーＰR のレーザー光が得られる電流であ
る。駆動電流ＩB は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋Ｉ
R ＋ＩB ）を供給したときにバイアスパワーＰB のレー
ザー光が得られる電流である。駆動電流ＩI は、半導体
レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）を供給した
ときにイニシャルパワーＰI のレーザー光が得られる電
流である。駆動電流ＩW は、半導体レーザー１０に（Ｉ
CC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩW ）を供給したときに記録パワーＰ
W のレーザー光が得られる電流である。ここで、各パワ
ーは、ＰR ＜ＰB ＜ＰI ＜ＰW に設定されている。
【００２４】上記のバイアスパワーＰB とは、マルチパ
ルス構成のレーザー光により記録マーク内の温度分布を
均一にするために必要なローレベルのパワーである。こ
のローレベルのバイアスパワーＰB と、ハイレベルの記
録パワーＰW あるいはイニシャルパワーＰI とによっ
て、記録マーク内の温度分布が最適になるように制御で
きる。なお、バイアスパワーＰB は、補助パワーとも呼
ばれる。
ルス構成のレーザー光により記録マーク内の温度分布を
均一にするために必要なローレベルのパワーである。こ
のローレベルのバイアスパワーＰB と、ハイレベルの記
録パワーＰW あるいはイニシャルパワーＰI とによっ
て、記録マーク内の温度分布が最適になるように制御で
きる。なお、バイアスパワーＰB は、補助パワーとも呼
ばれる。
【００２５】上記のイニシャルパワーＰI とは、単一ビ
ーム、単一磁場により光変調オーバーライトを行うため
に必要なパワーである。イニシャルパワーＰI のレーザ
ー光を照射したときと、記録パワーＰW のレーザー光を
照射したときとでは、磁化の向きは逆になる。なお、イ
ニシャルパワーＰI は、消去パワーとも呼ばれる。
ーム、単一磁場により光変調オーバーライトを行うため
に必要なパワーである。イニシャルパワーＰI のレーザ
ー光を照射したときと、記録パワーＰW のレーザー光を
照射したときとでは、磁化の向きは逆になる。なお、イ
ニシャルパワーＰI は、消去パワーとも呼ばれる。
【００２６】駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW は、それぞれ制
御信号ｅ〜ｇによりレーザー光の照射位置に応じて制御
される。これにより、光磁気ディスクを角速度一定で回
転させても、レーザー光を照射する半径位置に依らず、
磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にすることがで
きるようになっている。
御信号ｅ〜ｇによりレーザー光の照射位置に応じて制御
される。これにより、光磁気ディスクを角速度一定で回
転させても、レーザー光を照射する半径位置に依らず、
磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にすることがで
きるようになっている。
【００２７】さらに、半導体レーザー駆動回路は、制御
信号ａ〜ｄに応じて駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩI 、ＩW を
それぞれオン／オフするカレントスイッチ回路６〜９
（第１〜第４カレントスイッチ回路）と、半導体レーザ
ー１０からのレーザー光の強度をモニターする光検出器
１１と、光検出器１１からの信号に応じて駆動電流ＩR
を制御するＡＰＣ回路１２とを備えている。
信号ａ〜ｄに応じて駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩI 、ＩW を
それぞれオン／オフするカレントスイッチ回路６〜９
（第１〜第４カレントスイッチ回路）と、半導体レーザ
ー１０からのレーザー光の強度をモニターする光検出器
１１と、光検出器１１からの信号に応じて駆動電流ＩR
を制御するＡＰＣ回路１２とを備えている。
【００２８】上記の構成において、再生モードでは、カ
レントスイッチ回路６はオンにされ、カレントスイッチ
回路７〜９はオフにされる。このため、定電流ＩCCと、
駆動電流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。こ
れにより、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。
レントスイッチ回路６はオンにされ、カレントスイッチ
回路７〜９はオフにされる。このため、定電流ＩCCと、
駆動電流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。こ
れにより、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。
【００２９】記録モードでは、カレントスイッチ回路６
〜９が、信号生成回路（図示されていない）からの制御
信号ａ〜ｄによりそれぞれ制御される。
〜９が、信号生成回路（図示されていない）からの制御
信号ａ〜ｄによりそれぞれ制御される。
【００３０】例えば、図２（ａ）に示す記録情報信号を
オーバーライトする場合、カレントスイッチ回路６〜９
は、それぞれ、同図（ｂ）〜（ｅ）に示す制御信号ａ〜
ｄによりそれぞれ制御される。これにより、強度が同図
（ｆ）に示すように変化するマルチパルス構成のレーザ
ー光が得られる。
オーバーライトする場合、カレントスイッチ回路６〜９
は、それぞれ、同図（ｂ）〜（ｅ）に示す制御信号ａ〜
ｄによりそれぞれ制御される。これにより、強度が同図
（ｆ）に示すように変化するマルチパルス構成のレーザ
ー光が得られる。
【００３１】すなわち、記録情報信号が“１”である場
合、すなわち、記録マーク“１”を記録する場合、カレ
ントスイッチ回路６・７がオンにされ、カレントスイッ
チ回路８がオフにされ、カレントスイッチ９がオン／オ
フされる。これによって、記録パワーＰW （∝ＩCC＋Ｉ
R ＋ＩB ＋ＩW ）とバイアスパワーＰB （∝ＩCC＋ＩR
＋ＩB ）とに変調されたレーザー光が得られる。
合、すなわち、記録マーク“１”を記録する場合、カレ
ントスイッチ回路６・７がオンにされ、カレントスイッ
チ回路８がオフにされ、カレントスイッチ９がオン／オ
フされる。これによって、記録パワーＰW （∝ＩCC＋Ｉ
R ＋ＩB ＋ＩW ）とバイアスパワーＰB （∝ＩCC＋ＩR
＋ＩB ）とに変調されたレーザー光が得られる。
【００３２】以上のように、本実施例では、駆動電流Ｉ
W をカレントスイッチ回路９によりオン／オフする構成
であるので、容易にマルチパルス構成のレーザー光を得
ることができる。しかも、カレントスイッチ回路９を安
価なシリコントランジスターで構成しても、パルスの立
ち上がり／立ち下がり時間を数 nsec にすることができ
る。
W をカレントスイッチ回路９によりオン／オフする構成
であるので、容易にマルチパルス構成のレーザー光を得
ることができる。しかも、カレントスイッチ回路９を安
価なシリコントランジスターで構成しても、パルスの立
ち上がり／立ち下がり時間を数 nsec にすることができ
る。
【００３３】記録情報信号が“１”から“０”に変化す
る時からしばらくの期間、カレントスイッチ回路６〜９
はすべてオフにされる。このため、半導体レーザー１０
には定電流ＩCCだけが供給される。定電流ＩCCは半導体
レーザー１０の発振しきい値以下の電流値に設定されて
いるので、本実施例の構成によれば、レーザー光の強度
を容易にゼロにすることができる。
る時からしばらくの期間、カレントスイッチ回路６〜９
はすべてオフにされる。このため、半導体レーザー１０
には定電流ＩCCだけが供給される。定電流ＩCCは半導体
レーザー１０の発振しきい値以下の電流値に設定されて
いるので、本実施例の構成によれば、レーザー光の強度
を容易にゼロにすることができる。
【００３４】記録情報信号が“０”である場合、すなわ
ち、記録マーク“０”を記録する場合、カレントスイッ
チ回路６・７がオンにされ、カレントスイッチ回路８が
オン／オフされ、カレントスイッチ回路９がオフにされ
る。これによって、イニシャルパワーＰI （∝ＩCC＋Ｉ
R ＋ＩB ＋ＩI ）とバイアスパワーＰB （∝ＩCC＋ＩR
＋ＩB ）とに変調されたレーザー光が得られる。
ち、記録マーク“０”を記録する場合、カレントスイッ
チ回路６・７がオンにされ、カレントスイッチ回路８が
オン／オフされ、カレントスイッチ回路９がオフにされ
る。これによって、イニシャルパワーＰI （∝ＩCC＋Ｉ
R ＋ＩB ＋ＩI ）とバイアスパワーＰB （∝ＩCC＋ＩR
＋ＩB ）とに変調されたレーザー光が得られる。
【００３５】以上のように、本実施例の半導体レーザー
駆動回路によれば、光変調オーバーライトに必要な記録
パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイアスパワーＰ
B 、およびゼロパワーのレーザー光を容易に得ることが
でき、しかも、それらを高速に切り替えることができ
る。これにより、高密度で高品質の情報記録を実施でき
る。
駆動回路によれば、光変調オーバーライトに必要な記録
パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイアスパワーＰ
B 、およびゼロパワーのレーザー光を容易に得ることが
でき、しかも、それらを高速に切り替えることができ
る。これにより、高密度で高品質の情報記録を実施でき
る。
【００３６】上記の半導体レーザー駆動回路の具体的回
路例を図３に示す。
路例を図３に示す。
【００３７】定電流源１は、主として、オペアンプ１０
１と、トランジスター１０２と、定電流ＩCCの電流値を
設定するためのボリュームＶＲと、抵抗Ｒ1 とで構成さ
れ得る。
１と、トランジスター１０２と、定電流ＩCCの電流値を
設定するためのボリュームＶＲと、抵抗Ｒ1 とで構成さ
れ得る。
【００３８】オペアンプ１０１は非反転入力の電位ｅ1
と反転入力の電位が等しくなるように動作するので、抵
抗Ｒ1 の両端の電圧は（ＶDD−ｅ1 ）になる。ここで、
ＶDDは電源電圧である。したがって、定電流ＩCCは、ほ
ぼ（ＶDD−ｅ1 ）／Ｒ1 となる。このため、ボリューム
ＶＲで電位ｅ1 を調整すれば、定電流ＩCCの電流値を設
定できる。
と反転入力の電位が等しくなるように動作するので、抵
抗Ｒ1 の両端の電圧は（ＶDD−ｅ1 ）になる。ここで、
ＶDDは電源電圧である。したがって、定電流ＩCCは、ほ
ぼ（ＶDD−ｅ1 ）／Ｒ1 となる。このため、ボリューム
ＶＲで電位ｅ1 を調整すれば、定電流ＩCCの電流値を設
定できる。
【００３９】再生パワー電流源２の構成は、オペアンプ
２０１の非反転入力にＡＰＣ回路１２からの信号が入力
され、ＡＰＣ回路１２からの信号に応じた駆動電流ＩR
を半導体レーザー１０に供給する点を除いて、定電流源
１の構成と同じである。
２０１の非反転入力にＡＰＣ回路１２からの信号が入力
され、ＡＰＣ回路１２からの信号に応じた駆動電流ＩR
を半導体レーザー１０に供給する点を除いて、定電流源
１の構成と同じである。
【００４０】バイアスパワー電流源３、イニシャルパワ
ー電流源４、ライトパワー電流源５の構成は、それぞ
れ、オペアンプの非反転入力に制御信号ｅ〜ｇが入力さ
れ、制御信号ｅ〜ｇに応じた駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW
を半導体レーザー１０に供給する点を除いて、定電流源
１の構成と同じである。
ー電流源４、ライトパワー電流源５の構成は、それぞ
れ、オペアンプの非反転入力に制御信号ｅ〜ｇが入力さ
れ、制御信号ｅ〜ｇに応じた駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW
を半導体レーザー１０に供給する点を除いて、定電流源
１の構成と同じである。
【００４１】光検出器１１には、フォトダイオードを使
用することができる。
用することができる。
【００４２】ＡＰＣ回路１２は、主として、オペアンプ
からなる電流電圧変換回路１２１と、オペアンプからな
る電圧比較回路１２３と、可変電圧源１２４と、ホール
ド回路１２２とで構成され得る。
からなる電流電圧変換回路１２１と、オペアンプからな
る電圧比較回路１２３と、可変電圧源１２４と、ホール
ド回路１２２とで構成され得る。
【００４３】半導体レーザー１０のレーザー光量はフォ
トダイオードで検出され、光量に比例した電流ｉP に変
換される。電流ｉP は電流電圧変換回路１２１で電圧ｅ
2 に変換される。電圧比較回路１２３では、電圧ｅ
2 と、可変電圧源１２４からのリファレンス電圧Ｖref
とが比較され、その電圧差に応じた電圧ｅ3 が出力され
る。ここで、リファレンス電圧Ｖref は、再生パワーＰ
R に対応して設定された電圧値である。
トダイオードで検出され、光量に比例した電流ｉP に変
換される。電流ｉP は電流電圧変換回路１２１で電圧ｅ
2 に変換される。電圧比較回路１２３では、電圧ｅ
2 と、可変電圧源１２４からのリファレンス電圧Ｖref
とが比較され、その電圧差に応じた電圧ｅ3 が出力され
る。ここで、リファレンス電圧Ｖref は、再生パワーＰ
R に対応して設定された電圧値である。
【００４４】電圧ｅ3 は、ホールド回路１２２を経て、
ＡＰＣ回路１２から出力され、再生パワー電流源２に入
力される。再生パワー電流源２は、電圧ｅ3 に応じて、
駆動電流ＩR を半導体レーザー１０に供給する。これに
より、再生パワーＰR はリファレンス電圧Ｖref により
定まる値になるようにフィードバック制御される。記録
モードでは、ホールド回路１２２は再生モードでの電圧
ｅ3 を保持するようになっている。
ＡＰＣ回路１２から出力され、再生パワー電流源２に入
力される。再生パワー電流源２は、電圧ｅ3 に応じて、
駆動電流ＩR を半導体レーザー１０に供給する。これに
より、再生パワーＰR はリファレンス電圧Ｖref により
定まる値になるようにフィードバック制御される。記録
モードでは、ホールド回路１２２は再生モードでの電圧
ｅ3 を保持するようになっている。
【００４５】カレントスイッチ回路７は、トランジスタ
ーＴr1・Ｔr2、抵抗Ｒ2 〜Ｒ5 、差動型ドライバー７１
とで構成され得る。
ーＴr1・Ｔr2、抵抗Ｒ2 〜Ｒ5 、差動型ドライバー７１
とで構成され得る。
【００４６】バイアスパワー電流源３からの駆動電流Ｉ
B は、トランジスターＴr1・Ｔr2のエミッターに入力さ
れる。トランジスターＴr1のベースは、抵抗Ｒ5 で電源
電圧ＶDDにプルアップされており、抵抗Ｒ2 を介して差
動型ドライバー７１の非反転出力に接続されている。ト
ランジスターＴr1のコレクターはＧＮＤ（グラウンド）
に接続されている。トランジスターＴr2のベースは抵抗
Ｒ4 で電源電圧ＶDDにプルアップされており、抵抗Ｒ3
を介して差動型ドライバー７１の反転出力に接続されて
いる。トランジスターＴr2のコレクターは半導体レーザ
ー１０に接続されている。
B は、トランジスターＴr1・Ｔr2のエミッターに入力さ
れる。トランジスターＴr1のベースは、抵抗Ｒ5 で電源
電圧ＶDDにプルアップされており、抵抗Ｒ2 を介して差
動型ドライバー７１の非反転出力に接続されている。ト
ランジスターＴr1のコレクターはＧＮＤ（グラウンド）
に接続されている。トランジスターＴr2のベースは抵抗
Ｒ4 で電源電圧ＶDDにプルアップされており、抵抗Ｒ3
を介して差動型ドライバー７１の反転出力に接続されて
いる。トランジスターＴr2のコレクターは半導体レーザ
ー１０に接続されている。
【００４７】制御信号ｂがローレベルのとき、差動型ド
ライバー７１の非反転出力信号はローレベルになり、反
転出力信号はハイレベルになる。このため、トランジス
ターＴr1のベース電圧はトランジスターＴr2のベース電
圧に比べて低くなる。その結果、トランジスターＴr1は
オンになり、トランジスターＴr2はオフになる。つま
り、駆動電流ＩB は半導体レーザー１０に供給されな
い。
ライバー７１の非反転出力信号はローレベルになり、反
転出力信号はハイレベルになる。このため、トランジス
ターＴr1のベース電圧はトランジスターＴr2のベース電
圧に比べて低くなる。その結果、トランジスターＴr1は
オンになり、トランジスターＴr2はオフになる。つま
り、駆動電流ＩB は半導体レーザー１０に供給されな
い。
【００４８】制御信号ｂがハイレベルのとき、差動型ド
ライバー７１の非反転出力信号はハイレベルになり、反
転出力信号はローレベルになる。このため、トランジス
ターＴr2のベース電圧はトランジスターＴr1のベース電
圧に比べて低くなる。その結果、トランジスターＴr2は
オンになり、トランジスターＴr1はオフになる。つま
り、駆動電流ＩB が半導体レーザー１０に供給される。
ライバー７１の非反転出力信号はハイレベルになり、反
転出力信号はローレベルになる。このため、トランジス
ターＴr2のベース電圧はトランジスターＴr1のベース電
圧に比べて低くなる。その結果、トランジスターＴr2は
オンになり、トランジスターＴr1はオフになる。つま
り、駆動電流ＩB が半導体レーザー１０に供給される。
【００４９】カレントスイッチ回路６、８、９の構成
は、それぞれ、制御信号ａ、ｃ、ｄが差動型ドライバー
７１に入力され、制御信号ａ、ｃ、ｄに応じて駆動電流
ＩR 、ＩI 、ＩW がオン／オフされる点を除いて、カレ
ントスイッチ回路７の構成と同じである。
は、それぞれ、制御信号ａ、ｃ、ｄが差動型ドライバー
７１に入力され、制御信号ａ、ｃ、ｄに応じて駆動電流
ＩR 、ＩI 、ＩW がオン／オフされる点を除いて、カレ
ントスイッチ回路７の構成と同じである。
【００５０】以上の実施例では、レーザー光が照射され
る光磁気ディスク上の半径位置に依らず、磁性膜に与え
る照射エネルギーを最適値にするため、駆動電流ＩB 、
ＩI、IW を、それぞれ制御信号ｅ〜ｇにより制御した
が、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にするた
め、駆動電流ＩB だけを制御信号ｅにより制御すること
もできる。
る光磁気ディスク上の半径位置に依らず、磁性膜に与え
る照射エネルギーを最適値にするため、駆動電流ＩB 、
ＩI、IW を、それぞれ制御信号ｅ〜ｇにより制御した
が、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にするた
め、駆動電流ＩB だけを制御信号ｅにより制御すること
もできる。
【００５１】つまり、記録モードでは、レーザー光の強
度は、記録パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイア
スパワーＰB とに変調される。ＰW ∝（ＩCC＋ＩR ＋Ｉ
B ＋ＩW ）、ＰI ∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）、ＰB
∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）であるから、駆動電流ＩB だけ
を制御しても、記録パワーＰW 、イニシャルパワー
ＰI 、バイアスパワーＰB を制御することができる。
度は、記録パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイア
スパワーＰB とに変調される。ＰW ∝（ＩCC＋ＩR ＋Ｉ
B ＋ＩW ）、ＰI ∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）、ＰB
∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）であるから、駆動電流ＩB だけ
を制御しても、記録パワーＰW 、イニシャルパワー
ＰI 、バイアスパワーＰB を制御することができる。
【００５２】これによれば、駆動電流ＩI およびＩW の
制御を省略できるので、半導体レーザー駆動回路の構成
が簡素化する。
制御を省略できるので、半導体レーザー駆動回路の構成
が簡素化する。
【００５３】さらに、以上の実施例では、記録情報信号
が“１”から“０”に変化する時からしばらくの期間、
レーザー光の強度をゼロにしたが、図４に示すように、
この期間、レーザー光の強度を再生パワーＰR にしても
良い。
が“１”から“０”に変化する時からしばらくの期間、
レーザー光の強度をゼロにしたが、図４に示すように、
この期間、レーザー光の強度を再生パワーＰR にしても
良い。
【００５４】この場合、駆動電流ＩR は常に供給される
ので、カレントスイッチ回路６を省略できる。したがっ
て、半導体レーザー駆動回路の構成がより簡素化する。
ので、カレントスイッチ回路６を省略できる。したがっ
て、半導体レーザー駆動回路の構成がより簡素化する。
【００５５】なお、以上の実施例では、再生パワーＰR
を一定にするために、ＡＰＣ回路１２を用いたが、ペル
チェ素子等の電流−熱変換素子を用いても良い。電流−
熱変換素子によれば、半導体レーザー１０の温度が一定
になるように制御できるので、再生パワーＰR を所定値
に保つことができる。
を一定にするために、ＡＰＣ回路１２を用いたが、ペル
チェ素子等の電流−熱変換素子を用いても良い。電流−
熱変換素子によれば、半導体レーザー１０の温度が一定
になるように制御できるので、再生パワーＰR を所定値
に保つことができる。
【００５６】さらに、本実施例の半導体レーザー駆動回
路は、光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カードを
用いる光磁気記録再生装置に採用され得るだけではな
く、穴明け型の光記録媒体や相変化形の光記録媒体等を
用いる光記録再生装置にも採用され得る。
路は、光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カードを
用いる光磁気記録再生装置に採用され得るだけではな
く、穴明け型の光記録媒体や相変化形の光記録媒体等を
用いる光記録再生装置にも採用され得る。
【００５７】請求項１の発明に対応する半導体レーザー
駆動回路は、半導体レーザー１０に発振しきい値以下の
定電流ＩCCを供給する定電流源１と、半導体レーザー１
０に駆動電流ＩR を供給する再生パワー電流源２と、半
導体レーザー１０に駆動電流ＩB を供給するバイアスパ
ワー電流源３と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩIを
供給するイニシャルパワー電流源４と、半導体レーザー
１０に駆動電流ＩW を供給するライトパワー電流源５
と、駆動電流ＩB をオン／オフするカレントスイッチ回
路７と、駆動電流ＩI をオン／オフするカレントスイッ
チ回路８と、駆動電流ＩW をオン／オフするカレントス
イッチ回路９とが備えられている構成である。
駆動回路は、半導体レーザー１０に発振しきい値以下の
定電流ＩCCを供給する定電流源１と、半導体レーザー１
０に駆動電流ＩR を供給する再生パワー電流源２と、半
導体レーザー１０に駆動電流ＩB を供給するバイアスパ
ワー電流源３と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩIを
供給するイニシャルパワー電流源４と、半導体レーザー
１０に駆動電流ＩW を供給するライトパワー電流源５
と、駆動電流ＩB をオン／オフするカレントスイッチ回
路７と、駆動電流ＩI をオン／オフするカレントスイッ
チ回路８と、駆動電流ＩW をオン／オフするカレントス
イッチ回路９とが備えられている構成である。
【００５８】これによれば、カレントスイッチ回路７〜
９をすべてオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電
流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。したがっ
て、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。カレント
スイッチ回路７をオンにし、カレントスイッチ回路８、
９をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流
ＩR 、ＩB とが半導体レーザー１０に供給される。これ
により、バイアスパワーＰB のレーザー光が得られる。
カレントスイッチ回路７、８をオンにし、カレントスイ
ッチ回路９をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動
電流ＩR 、ＩB 、ＩI とが半導体レーザー１０に供給さ
れる。これにより、イニシャルパワーＰI のレーザー光
が得られる。カレントスイッチ回路７、９をオンにし、
カレントスイッチ回路８をオフにすることにより、定電
流ＩCCと駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩW とが半導体レーザー
１０に供給される。これにより、記録パワーＰW のレー
ザー光が得られる。以上のように、カレントスイッチ回
路７〜９をオン／オフすることにより、再生パワー
ＰR 、バイアスパワーＰB 、イニシャルパワーＰI 、記
録パワーＰW のレーザー光が得られる。これにより、マ
ルチパルス構成の光変調オーバーライトを実施できる。
しかも、カレントスイッチ回路７〜９をオン／オフする
ことにより、駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW を、それぞれ、
切り替える構成であるので、再生パワーＰR 、バイアス
パワーＰB 、イニシャルパワーＰI 、記録パワーＰW を
高速に切り替えることができる。これにより、高密度・
高品質の光変調記録が可能になる。
９をすべてオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電
流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。したがっ
て、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。カレント
スイッチ回路７をオンにし、カレントスイッチ回路８、
９をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流
ＩR 、ＩB とが半導体レーザー１０に供給される。これ
により、バイアスパワーＰB のレーザー光が得られる。
カレントスイッチ回路７、８をオンにし、カレントスイ
ッチ回路９をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動
電流ＩR 、ＩB 、ＩI とが半導体レーザー１０に供給さ
れる。これにより、イニシャルパワーＰI のレーザー光
が得られる。カレントスイッチ回路７、９をオンにし、
カレントスイッチ回路８をオフにすることにより、定電
流ＩCCと駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩW とが半導体レーザー
１０に供給される。これにより、記録パワーＰW のレー
ザー光が得られる。以上のように、カレントスイッチ回
路７〜９をオン／オフすることにより、再生パワー
ＰR 、バイアスパワーＰB 、イニシャルパワーＰI 、記
録パワーＰW のレーザー光が得られる。これにより、マ
ルチパルス構成の光変調オーバーライトを実施できる。
しかも、カレントスイッチ回路７〜９をオン／オフする
ことにより、駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW を、それぞれ、
切り替える構成であるので、再生パワーＰR 、バイアス
パワーＰB 、イニシャルパワーＰI 、記録パワーＰW を
高速に切り替えることができる。これにより、高密度・
高品質の光変調記録が可能になる。
【００５９】請求項２の発明に対応する半導体レーザー
駆動回路は、請求項１の半導体レーザー駆動回路であっ
て、駆動電流ＩR をオン／オフするカレントスイッチ回
路６が設けられている構成である。
駆動回路は、請求項１の半導体レーザー駆動回路であっ
て、駆動電流ＩR をオン／オフするカレントスイッチ回
路６が設けられている構成である。
【００６０】これによれば、請求項１の作用効果に加
え、カレントスイッチ回路６〜９をすべてオフにするこ
とにより、ゼロパワーのレーザー光が得られる。これに
より、さらに高密度・高品質の光変調記録が可能にな
る。
え、カレントスイッチ回路６〜９をすべてオフにするこ
とにより、ゼロパワーのレーザー光が得られる。これに
より、さらに高密度・高品質の光変調記録が可能にな
る。
【００６１】
【発明の効果】請求項１の発明に係る半導体レーザー駆
動回路は、以上のように、半導体レーザーに発振しきい
値以下の定電流を供給する定電流源と、半導体レーザー
に第１駆動電流を供給する再生パワー電流源と、半導体
レーザーに第２駆動電流を供給するバイアスパワー電流
源と、半導体レーザーに第３駆動電流を供給するイニシ
ャルパワー電流源と、半導体レーザーに第４駆動電流を
供給するライトパワー電流源と、第２駆動電流をオン／
オフする第２カレントスイッチ回路と、第３駆動電流を
オン／オフする第３カレントスイッチ回路と、第４駆動
電流をオン／オフする第４カレントスイッチ回路とが備
えられているので、第２〜第４カレントスイッチ回路を
すべてオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と
が半導体レーザーに供給される。第２カレントスイッチ
回路をオンにし、第３、第４カレントスイッチ回路をオ
フにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動
電流とが半導体レーザーに供給される。第２、第３カレ
ントスイッチ回路をオンにし、第４カレントスイッチ回
路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第
２駆動電流と第３駆動電流とが半導体レーザーに供給さ
れる。第２、第４カレントスイッチ回路をオンにし、第
３カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電
流と第１駆動電流と第２駆動電流と第４駆動電流とが半
導体レーザーに供給される。したがって、第２〜第４カ
レントスイッチ回路をオン／オフすることにより、レー
ザーパワーの異なる４種のレーザー光が得られる。これ
により、マルチパルス構成の光変調オーバーライトを実
施できる。しかも、第２〜第４カレントスイッチ回路を
オン／オフすることにより、第２〜第４駆動電流を、そ
れぞれ、切り替える構成であるので、レーザーパワーを
高速に切り替えることができる。これにより、高密度・
高品質の光変調記録が可能になるという効果を奏する。
動回路は、以上のように、半導体レーザーに発振しきい
値以下の定電流を供給する定電流源と、半導体レーザー
に第１駆動電流を供給する再生パワー電流源と、半導体
レーザーに第２駆動電流を供給するバイアスパワー電流
源と、半導体レーザーに第３駆動電流を供給するイニシ
ャルパワー電流源と、半導体レーザーに第４駆動電流を
供給するライトパワー電流源と、第２駆動電流をオン／
オフする第２カレントスイッチ回路と、第３駆動電流を
オン／オフする第３カレントスイッチ回路と、第４駆動
電流をオン／オフする第４カレントスイッチ回路とが備
えられているので、第２〜第４カレントスイッチ回路を
すべてオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と
が半導体レーザーに供給される。第２カレントスイッチ
回路をオンにし、第３、第４カレントスイッチ回路をオ
フにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動
電流とが半導体レーザーに供給される。第２、第３カレ
ントスイッチ回路をオンにし、第４カレントスイッチ回
路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第
２駆動電流と第３駆動電流とが半導体レーザーに供給さ
れる。第２、第４カレントスイッチ回路をオンにし、第
３カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電
流と第１駆動電流と第２駆動電流と第４駆動電流とが半
導体レーザーに供給される。したがって、第２〜第４カ
レントスイッチ回路をオン／オフすることにより、レー
ザーパワーの異なる４種のレーザー光が得られる。これ
により、マルチパルス構成の光変調オーバーライトを実
施できる。しかも、第２〜第４カレントスイッチ回路を
オン／オフすることにより、第２〜第４駆動電流を、そ
れぞれ、切り替える構成であるので、レーザーパワーを
高速に切り替えることができる。これにより、高密度・
高品質の光変調記録が可能になるという効果を奏する。
【００６２】請求項２の発明に係る半導体レーザー駆動
回路は、以上のように、請求項１の半導体レーザー駆動
回路であって、第１駆動電流をオン／オフする第１カレ
ントスイッチ回路が設けられているので、請求項１の効
果に加え、第１〜第４カレントスイッチ回路をすべてオ
フにすることにより、ゼロパワーのレーザー光が得られ
る。これにより、さらに高密度・高品質の光変調記録が
可能になる。
回路は、以上のように、請求項１の半導体レーザー駆動
回路であって、第１駆動電流をオン／オフする第１カレ
ントスイッチ回路が設けられているので、請求項１の効
果に加え、第１〜第４カレントスイッチ回路をすべてオ
フにすることにより、ゼロパワーのレーザー光が得られ
る。これにより、さらに高密度・高品質の光変調記録が
可能になる。
【図１】本発明の半導体レーザー駆動回路の概略の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図２】図１の半導体レーザー駆動回路により光変調オ
ーバーライトを行うときの波形図である。
ーバーライトを行うときの波形図である。
【図３】図１の半導体レーザー駆動回路の具体例を示す
回路図である。
回路図である。
【図４】図１の半導体レーザー駆動回路により他の光変
調オーバーライトを行うときの波形図である。
調オーバーライトを行うときの波形図である。
【図５】従来例の半導体レーザー駆動回路の概略の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図６】図５の半導体レーザー駆動回路の動作説明図で
ある。
ある。
【図７】図５の半導体レーザー駆動回路により光変調オ
ーバーライトを行うときの波形図である。
ーバーライトを行うときの波形図である。
１ 定電流源 ２ 再生パワー電流源 ３ バイアスパワー電流源 ４ イニシャルパワー電流源 ５ ライトパワー電流源 ６ カレントスイッチ回路（第１カレントスイッチ回
路） ７ カレントスイッチ回路（第２カレントスイッチ回
路） ８ カレントスイッチ回路（第３カレントスイッチ回
路） ９ カレントスイッチ回路（第４カレントスイッチ回
路） １０ 半導体レーザー ＩCC 定電流 ＩR 駆動電流（第１駆動電流） ＩB 駆動電流（第２駆動電流） ＩI 駆動電流（第３駆動電流） ＩW 駆動電流（第４駆動電流）
路） ７ カレントスイッチ回路（第２カレントスイッチ回
路） ８ カレントスイッチ回路（第３カレントスイッチ回
路） ９ カレントスイッチ回路（第４カレントスイッチ回
路） １０ 半導体レーザー ＩCC 定電流 ＩR 駆動電流（第１駆動電流） ＩB 駆動電流（第２駆動電流） ＩI 駆動電流（第３駆動電流） ＩW 駆動電流（第４駆動電流）
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レーザーに発振しきい値以下の定電
流を供給する定電流源と、半導体レーザーに第１駆動電
流を供給する再生パワー電流源と、半導体レーザーに第
２駆動電流を供給するバイアスパワー電流源と、半導体
レーザーに第３駆動電流を供給するイニシャルパワー電
流源と、半導体レーザーに第４駆動電流を供給するライ
トパワー電流源と、第２駆動電流をオン／オフする第２
カレントスイッチ回路と、第３駆動電流をオン／オフす
る第３カレントスイッチ回路と、第４駆動電流をオン／
オフする第４カレントスイッチ回路とが備えられている
ことを特徴とする半導体レーザー駆動回路。 - 【請求項２】第１駆動電流をオン／オフする第１カレン
トスイッチ回路が設けられていることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザー駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5277108A JPH07129988A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体レーザー駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5277108A JPH07129988A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体レーザー駆動回路 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005063164A Division JP3898209B2 (ja) | 2005-03-07 | 2005-03-07 | 光情報記録方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07129988A true JPH07129988A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17578898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5277108A Pending JPH07129988A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体レーザー駆動回路 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07129988A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034410A1 (fr) * | 2001-10-17 | 2003-04-24 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique et procede pour enregistrer des informations sur un support d'enregistrement optique |
| JP2011258308A (ja) * | 2005-03-31 | 2011-12-22 | Panasonic Corp | 光ディスク記録装置、光ディスクへのデータ記録方法、半導体集積回路、及び光ディスク |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP5277108A patent/JPH07129988A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034410A1 (fr) * | 2001-10-17 | 2003-04-24 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique et procede pour enregistrer des informations sur un support d'enregistrement optique |
| US7738335B2 (en) | 2001-10-17 | 2010-06-15 | Tdk Corporation | Method and apparatus for recording information on an optical recording medium |
| JP2011258308A (ja) * | 2005-03-31 | 2011-12-22 | Panasonic Corp | 光ディスク記録装置、光ディスクへのデータ記録方法、半導体集積回路、及び光ディスク |
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