JPS61296539A - 半導体レ−ザ駆動方法 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動方法Info
- Publication number
- JPS61296539A JPS61296539A JP60140049A JP14004985A JPS61296539A JP S61296539 A JPS61296539 A JP S61296539A JP 60140049 A JP60140049 A JP 60140049A JP 14004985 A JP14004985 A JP 14004985A JP S61296539 A JPS61296539 A JP S61296539A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- high frequency
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光学的に情報を記録・再生・消去を行う光メモ
リンステムにおける光学ピックアップ装置等の光源手段
として利用される半導体レーザの駆動方法に関するもの
である。
リンステムにおける光学ピックアップ装置等の光源手段
として利用される半導体レーザの駆動方法に関するもの
である。
［従安坊林〒７１−そのＰ！肩頴占］
ディスク等に対して光により情報の記録・再生・消去を
行う光メモリシステムにおいて、光を照射する手段とし
て光学ピックアップ装置が用いられ、その光源として半
導体レーザか使用されるが、情報を記録・消去する場合
、高出力の発振光を必要とするので、高出力半導体レー
ザの使用が不可欠となる。ところが、一般に高出力半導
体レーザでは、素子内部の共振器を構成ずろ出力側端面
における反射率が低いため帰還光の入射に対して影響を
受け、特に低出力時においては帰還光によるノイズが大
きく現れてくる。したがって、光学ピックアップ装置に
はノイズの発生を抑制ずろ手段を具備しなければならな
くなる。
行う光メモリシステムにおいて、光を照射する手段とし
て光学ピックアップ装置が用いられ、その光源として半
導体レーザか使用されるが、情報を記録・消去する場合
、高出力の発振光を必要とするので、高出力半導体レー
ザの使用が不可欠となる。ところが、一般に高出力半導
体レーザでは、素子内部の共振器を構成ずろ出力側端面
における反射率が低いため帰還光の入射に対して影響を
受け、特に低出力時においては帰還光によるノイズが大
きく現れてくる。したがって、光学ピックアップ装置に
はノイズの発生を抑制ずろ手段を具備しなければならな
くなる。
例えば光デイスク装置における光学ピックアップ装置に
は、ｌ／４波長板や偏光プリズム等を用いて光学的にデ
ィスクからの反射光が半導体レーザへ帰還されないよう
な帰還防止機構が具備されている。しかし、高分子樹脂
により作成される光ディスクでは、それ自身に有する複
屈折性のため上記帰還防止機構は十分にその役目を果た
すことができない。
は、ｌ／４波長板や偏光プリズム等を用いて光学的にデ
ィスクからの反射光が半導体レーザへ帰還されないよう
な帰還防止機構が具備されている。しかし、高分子樹脂
により作成される光ディスクでは、それ自身に有する複
屈折性のため上記帰還防止機構は十分にその役目を果た
すことができない。
また光磁気ディスク装置では、情報再生の原理である光
磁気効果はディスクからの反射光の偏光特性を変化させ
ることを利用しているため、本質的に半導体レーザへの
帰還光を阻止することは困難である。
磁気効果はディスクからの反射光の偏光特性を変化させ
ることを利用しているため、本質的に半導体レーザへの
帰還光を阻止することは困難である。
ところで、半導体レーザの帰還光によるノイズの抑制に
は、半導体レーザを多モード発振で駆動する方法が効果
的であり、第３図に従来より提案されている半導体レー
ザ駆動方法を示している。
は、半導体レーザを多モード発振で駆動する方法が効果
的であり、第３図に従来より提案されている半導体レー
ザ駆動方法を示している。
（特公昭５９−９０８６）
直流電流源ｌからコイル２を介して発振しきい値以上の
電流により半導体レーザ３を単一モードで駆動し、さら
に高周波電流源４からコンデンサ５を介して前記単一モ
ードによるレーザ発振が高周波でオン・オフされるレベ
ルまでの高周波電流を重畳することにより多重モードの
発振が可能となる。
電流により半導体レーザ３を単一モードで駆動し、さら
に高周波電流源４からコンデンサ５を介して前記単一モ
ードによるレーザ発振が高周波でオン・オフされるレベ
ルまでの高周波電流を重畳することにより多重モードの
発振が可能となる。
第４図は、多重モード発振時における半導体レーザの電
流−光出力特性と駆動電流の関係を示している。
流−光出力特性と駆動電流の関係を示している。
上述した方法では、システム全体からながめた場合、半
導体レーザ３の発振を停止させるためには高周波電流源
４と直ゐ電流源ｌとの双方の電流を停止さける必要があ
る。例えば直流電流源１の電流のみ停止した場合、コン
デンサ５を介して高周波電流が半導体レーザ３に印加さ
れる。この場合、直流分バイアスがないために半導体レ
ーザ５は逆バイアスに印加される瞬間を有することにな
り、半導体レーザ５に対して重大な障害を与えることに
なる。つまり半導体レーザ５の劣化により、システムの
機能が停止するといった問題点があった。
導体レーザ３の発振を停止させるためには高周波電流源
４と直ゐ電流源ｌとの双方の電流を停止さける必要があ
る。例えば直流電流源１の電流のみ停止した場合、コン
デンサ５を介して高周波電流が半導体レーザ３に印加さ
れる。この場合、直流分バイアスがないために半導体レ
ーザ５は逆バイアスに印加される瞬間を有することにな
り、半導体レーザ５に対して重大な障害を与えることに
なる。つまり半導体レーザ５の劣化により、システムの
機能が停止するといった問題点があった。
［発明の目的］
本発明は、半導体レーザをピックアップ装置等の光源と
して使用する場合にレーザ出射光の帰゛還によるノイズ
を抑制する手段としてシステム全体から４かめた場合に
有用となる半導体レーザの駆動方法を提供することを目
的とする。
して使用する場合にレーザ出射光の帰゛還によるノイズ
を抑制する手段としてシステム全体から４かめた場合に
有用となる半導体レーザの駆動方法を提供することを目
的とする。
［発明の構成コ
この発明の半導体レーザ駆動方法は、光メモリシステム
に組み込まれる半導体レーザの駆動方法であって、半導
体レーザをその発振しきい値以下で駆動せしめる直流電
流源と、所定の光強度まで発振させる高周波電流源とに
より構成し、前記半導体レーザの出力光強度を検出し、
かつ検出信号に対応して前記高周波電流源の出力電流値
を制御することにより前記半導体レーザの出力光強度を
一定とすることを特徴とする。
に組み込まれる半導体レーザの駆動方法であって、半導
体レーザをその発振しきい値以下で駆動せしめる直流電
流源と、所定の光強度まで発振させる高周波電流源とに
より構成し、前記半導体レーザの出力光強度を検出し、
かつ検出信号に対応して前記高周波電流源の出力電流値
を制御することにより前記半導体レーザの出力光強度を
一定とすることを特徴とする。
［実施例］
本発明は半導体レーザへの高周波電流源として定電流源
からの電流を高速スイッチング動作により実現し、一方
、バイアス電流源による直流バイアスは発振しきい値以
下に抑えておくことを特徴とするものである。
からの電流を高速スイッチング動作により実現し、一方
、バイアス電流源による直流バイアスは発振しきい値以
下に抑えておくことを特徴とするものである。
以下、本発明に係る半導体レーザ駆動方法の一実施例を
図面により詳細に説明する。
図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ駆動方法
を示すブロック図であり第２図は第１図における動作説
明のための波形図である。
を示すブロック図であり第２図は第１図における動作説
明のための波形図である。
バイアス電流源６により半導体レーザ１０は発振しきい
値以下の電流■。で直流バイアスされる。
値以下の電流■。で直流バイアスされる。
高周波電流は、定電流源７からの電流１１を高周波発振
器９からの信号によりスイッチング回路８において高速
にスイッチングすることで作成し半導体レーザ１０に前
記バイアス電流Ｉ。と重畳して印加される。この高周波
電流■１は、前記バイアス電流Ｉ。がしゃ断されたとき
、この高周波電流１１により前記しきい値を超えないよ
うな値であり、かつ、この高周波電流Ｉ、により、所定
のレベルで発振するに十分な値とする。
器９からの信号によりスイッチング回路８において高速
にスイッチングすることで作成し半導体レーザ１０に前
記バイアス電流Ｉ。と重畳して印加される。この高周波
電流■１は、前記バイアス電流Ｉ。がしゃ断されたとき
、この高周波電流１１により前記しきい値を超えないよ
うな値であり、かつ、この高周波電流Ｉ、により、所定
のレベルで発振するに十分な値とする。
半導体レーザ１０により発光されたレーザ光は光検知器
２により検出され、プリアンプＸ２で増幅された後、比
較器１３にて基準電圧源１４からの信号と比較され、比
較器１５による比較信号は、ローパスフィルタ１５によ
り、その低周波成分のみパワーアンプ１６で増幅され、
この増幅された信号は前記定電流源７の制御信号として
入力され、出力電流１１が制御される。この制御により
半導体レーザ１０からの出射光強度を温度変化にかかわ
らず常に一定に保持している。
２により検出され、プリアンプＸ２で増幅された後、比
較器１３にて基準電圧源１４からの信号と比較され、比
較器１５による比較信号は、ローパスフィルタ１５によ
り、その低周波成分のみパワーアンプ１６で増幅され、
この増幅された信号は前記定電流源７の制御信号として
入力され、出力電流１１が制御される。この制御により
半導体レーザ１０からの出射光強度を温度変化にかかわ
らず常に一定に保持している。
上記の半導体レーザ駆動方式では、半導体レーザｌＯは
発振しきい値以下の電流Ｉ。でバイアスされて定電流源
７からの電流１１をしゃ断するだけで、半導体レーザｌ
Ｏの発振動作を停止させることができる。
発振しきい値以下の電流Ｉ。でバイアスされて定電流源
７からの電流１１をしゃ断するだけで、半導体レーザｌ
Ｏの発振動作を停止させることができる。
またバイアス電流源６による電流■。のみが停止した場
合でも、スイッチング動作による正極性の高周波電流の
重畳であるため半導体レーザ１０に対して逆バイアスが
印加される恐れはない。したがって半導体レーザに対す
る安全度が高い駆動方式であるため、システム全体から
ながめた場合非常に有益なものとなる。
合でも、スイッチング動作による正極性の高周波電流の
重畳であるため半導体レーザ１０に対して逆バイアスが
印加される恐れはない。したがって半導体レーザに対す
る安全度が高い駆動方式であるため、システム全体から
ながめた場合非常に有益なものとなる。
「発明の効果コ
以上説明したように、この発明は、多モード発振による
半導体レーザの駆動方法において、半導体レーザを発振
しきい値以下で直流バイアスし、これに、高速スイッチ
ングによる高周波電流を重畳するようにしたので、半導
体レーザの発振を停止させるには双方の電流を停止させ
る必要はなく、又、直流バイアス電流のみがしゃ断され
ても半導体レーザに対して逆バイアスされる恐れはなく
なり、安全性の高い駆動方式が得られる。又、高周波電
流を半導体レーザの出力に従って制御するようにしたの
で一定レベルの安定したレーザ出力が得られる。
半導体レーザの駆動方法において、半導体レーザを発振
しきい値以下で直流バイアスし、これに、高速スイッチ
ングによる高周波電流を重畳するようにしたので、半導
体レーザの発振を停止させるには双方の電流を停止させ
る必要はなく、又、直流バイアス電流のみがしゃ断され
ても半導体レーザに対して逆バイアスされる恐れはなく
なり、安全性の高い駆動方式が得られる。又、高周波電
流を半導体レーザの出力に従って制御するようにしたの
で一定レベルの安定したレーザ出力が得られる。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ駆動方法
を示すブロック図、第２図は第１図における動作説明図
、第３図は従来技術による半導体レーザ駆動方法を示す
構成図、第４図は第３図における動作説明図である。 １・・・直流電流源、２・・・コイル、３・・半導体レ
ーザ、４・・・高周波発振器、５ ・コンデンサ、６・
・・バイアス電流源、７・・・定電流源、訃・・スイッ
チング回路、９・・・高周波発振器、１０・・半導体レ
ーザ、ＩＩ・・・光検知器、１２・・・プリアンプ、１
３・・・比較器、１４・・・基準電圧源、１５・・ロー
パスフィルタ、１６・・・パワーアンプ。 区 架！！ｒ１で 派 １寸 派派 へし鈍９
を示すブロック図、第２図は第１図における動作説明図
、第３図は従来技術による半導体レーザ駆動方法を示す
構成図、第４図は第３図における動作説明図である。 １・・・直流電流源、２・・・コイル、３・・半導体レ
ーザ、４・・・高周波発振器、５ ・コンデンサ、６・
・・バイアス電流源、７・・・定電流源、訃・・スイッ
チング回路、９・・・高周波発振器、１０・・半導体レ
ーザ、ＩＩ・・・光検知器、１２・・・プリアンプ、１
３・・・比較器、１４・・・基準電圧源、１５・・ロー
パスフィルタ、１６・・・パワーアンプ。 区 架！！ｒ１で 派 １寸 派派 へし鈍９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発明の名称 半導体レーザ駆動方法 ２、特許請求の範囲 （１）光メモリシステムに組み込まれる半導体レーザの
駆動方法であって、半導体レーザをその発振しきい値以
下で駆動せしめる直流電流源と、所定の光強度まで発振
させる高周波電流源とにより構成し、前記半導体レーザ
の出力光強度を検出し、かつ検出信号に対応して前記高
周波電流源の出力電流値を制御することにより前記半導
体レーザの出力光強度を一定とすることを特徴とする半
導体レーザ駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140049A JPH0743841B2 (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザ駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140049A JPH0743841B2 (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザ駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296539A true JPS61296539A (ja) | 1986-12-27 |
| JPH0743841B2 JPH0743841B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=15259791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140049A Expired - Fee Related JPH0743841B2 (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザ駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743841B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142721U (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | ||
| WO1990001206A1 (en) * | 1988-07-18 | 1990-02-08 | Sony Corporation | Laser diode driving apparatus |
| JPH02260247A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ駆動回路 |
| JPH0317839A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動方法 |
| EP0469929A2 (en) * | 1990-08-02 | 1992-02-05 | Fujitsu Limited | Controlling currents in laser diodes |
| FR2683401A1 (fr) * | 1991-10-31 | 1993-05-07 | Alcatel Nv | Generateur optique, notamment pour le transport d'un signal hyperfrequence. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153239A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Nec Corp | 光ピツクアツプ装置 |
| JPS59171037A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体レーザの駆動方法及び駆動装置 |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP60140049A patent/JPH0743841B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153239A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Nec Corp | 光ピツクアツプ装置 |
| JPS59171037A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体レーザの駆動方法及び駆動装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO1990001206A1 (en) * | 1988-07-18 | 1990-02-08 | Sony Corporation | Laser diode driving apparatus |
| US5835476A (en) * | 1988-07-18 | 1998-11-10 | Sony Corporation | Laser diode driving apparatus |
| JPH02260247A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ駆動回路 |
| JPH0317839A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動方法 |
| EP0469929A2 (en) * | 1990-08-02 | 1992-02-05 | Fujitsu Limited | Controlling currents in laser diodes |
| US5197059A (en) * | 1990-08-02 | 1993-03-23 | Fujitsu Limited | Laser diode current supply including a threshold current component subject to automatic power control |
| FR2683401A1 (fr) * | 1991-10-31 | 1993-05-07 | Alcatel Nv | Generateur optique, notamment pour le transport d'un signal hyperfrequence. |
| US5311531A (en) * | 1991-10-31 | 1994-05-10 | Alcatel N.V. | Light generator, in particular for conveying a microwave signal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0743841B2 (ja) | 1995-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |