JPH0743841B2 - 半導体レ−ザ駆動方法 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動方法Info
- Publication number
- JPH0743841B2 JPH0743841B2 JP60140049A JP14004985A JPH0743841B2 JP H0743841 B2 JPH0743841 B2 JP H0743841B2 JP 60140049 A JP60140049 A JP 60140049A JP 14004985 A JP14004985 A JP 14004985A JP H0743841 B2 JPH0743841 B2 JP H0743841B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- current
- current source
- driving method
- high frequency
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光学的に情報を記録・再生・消去を行う光メモ
リシステムにおける光学ピックアップ装置等の光源手段
として利用される半導体レーザの駆動方法に関するもの
である。
リシステムにおける光学ピックアップ装置等の光源手段
として利用される半導体レーザの駆動方法に関するもの
である。
［従来技術とその問題点］ ディスク等に対して光より情報の記録・再生・消去を行
う光メモリシテムにおいて、光を照射する手段として光
学ピックアップ装置が用いられ、その光源として半導体
レーザが使用されるが、情報を記録・消去する場合、高
出力の発振光を必要とするので、高出力半導体レーザの
使用が不可欠となる。ところが、一般に高出力半導体レ
ーザでは、素子内部の発振器を構成する出力側端面にお
ける反射率が低いため帰還光の入射に対して影響を受
け、特に低出力時においては帰還光によるノイズが大き
く現れてくる。したがって、光学ピックアップ装置には
ノイズの発生を抑制する手段を具備しなければならなく
なる。
う光メモリシテムにおいて、光を照射する手段として光
学ピックアップ装置が用いられ、その光源として半導体
レーザが使用されるが、情報を記録・消去する場合、高
出力の発振光を必要とするので、高出力半導体レーザの
使用が不可欠となる。ところが、一般に高出力半導体レ
ーザでは、素子内部の発振器を構成する出力側端面にお
ける反射率が低いため帰還光の入射に対して影響を受
け、特に低出力時においては帰還光によるノイズが大き
く現れてくる。したがって、光学ピックアップ装置には
ノイズの発生を抑制する手段を具備しなければならなく
なる。
例えば光ディスク装置における光学ピックアップ装置に
は、1/4波長板や偏光プリズム等を用いて光学的にディ
スクからの反射光が半導体レーザへ帰還されないような
帰還防止機構が具備されている。しかし、高分子樹脂に
より作成される光ディスクでは、それ自身に有する複屈
折性のため上記帰還防止機構は十分にその役目を果たす
ことができない。
は、1/4波長板や偏光プリズム等を用いて光学的にディ
スクからの反射光が半導体レーザへ帰還されないような
帰還防止機構が具備されている。しかし、高分子樹脂に
より作成される光ディスクでは、それ自身に有する複屈
折性のため上記帰還防止機構は十分にその役目を果たす
ことができない。
また光磁気ディスク装置では、情報再生の原理である光
磁気効果はディスクからの反射光の偏光特性を変化させ
ることを利用しているため、本質的に半導体レーザへの
帰還光を阻止することは困難である。
磁気効果はディスクからの反射光の偏光特性を変化させ
ることを利用しているため、本質的に半導体レーザへの
帰還光を阻止することは困難である。
ところで、半導体レーザの帰還光によるノイズの抑制に
は、半導体レーザを多モード発振で駆動する方法が効果
的であり、第３図に従来より提案されている半導体レー
ザ駆動方法を示している。（特公昭59−9086） 直流電流源１からコイル２を介して発振しきい値以上の
電流により半導体レーザ３を単一モードで駆動し、さら
に高周波電流源４からコンデンサ５を介して前記単一モ
ードによるレーザ発振が高周波でオン・オフされるレベ
ルまでの高周波電流を重畳することにより多重モードの
発振が可能となる。
は、半導体レーザを多モード発振で駆動する方法が効果
的であり、第３図に従来より提案されている半導体レー
ザ駆動方法を示している。（特公昭59−9086） 直流電流源１からコイル２を介して発振しきい値以上の
電流により半導体レーザ３を単一モードで駆動し、さら
に高周波電流源４からコンデンサ５を介して前記単一モ
ードによるレーザ発振が高周波でオン・オフされるレベ
ルまでの高周波電流を重畳することにより多重モードの
発振が可能となる。
第４図は、多重モード発振時における半導体レーザの電
流−光出力特性と駆動電流の関係を示している。
流−光出力特性と駆動電流の関係を示している。
上述した方法では、システム全体からながめた場合、半
導体レーザ３の発振を停止させるためには高周波電流源
４と直流電流源１との双方の電流を停止させる必要があ
る。直流電流源１よりの直流バイアス電流のみをしゃ断
した場合、コンデンサ５を介して高周波電流のみが半導
体レーザ３に印加される。この場合、直流分バイアスが
ないため、高周波電流が負となる半周期には半導体レー
ザ３が逆バイアスされて劣化する。一方、高周波電流の
みをしゃ断した場合、直流電流源１により発振しきい値
以上とした直流バイアス電流で常時駆動されることにな
る。
導体レーザ３の発振を停止させるためには高周波電流源
４と直流電流源１との双方の電流を停止させる必要があ
る。直流電流源１よりの直流バイアス電流のみをしゃ断
した場合、コンデンサ５を介して高周波電流のみが半導
体レーザ３に印加される。この場合、直流分バイアスが
ないため、高周波電流が負となる半周期には半導体レー
ザ３が逆バイアスされて劣化する。一方、高周波電流の
みをしゃ断した場合、直流電流源１により発振しきい値
以上とした直流バイアス電流で常時駆動されることにな
る。
それ故、半導体レーザ３の発振を停止させるには直流バ
イアス電流と高周波電流の双方をしゃ断しなくてはなら
ないし、なんらかの故障で直流バイアス電流が遮しゃ断
されると上述したような不都合が起こるため、システム
の運用上、好ましい駆動方法ではなかった。
イアス電流と高周波電流の双方をしゃ断しなくてはなら
ないし、なんらかの故障で直流バイアス電流が遮しゃ断
されると上述したような不都合が起こるため、システム
の運用上、好ましい駆動方法ではなかった。
［発明の目的］ 本発明は、半導体レーザをピックアップ装置等の光源と
して使用する場合にレーザ出射光の帰還によるノイズを
抑制する手段としてシステム全体からながめた場合に有
用となる半導体レーザの駆動方法を提供することを目的
とする。
して使用する場合にレーザ出射光の帰還によるノイズを
抑制する手段としてシステム全体からながめた場合に有
用となる半導体レーザの駆動方法を提供することを目的
とする。
［発明の構成］ この発明は、光メモリシステムに組み込まれる半導体レ
ーザの駆動方法であって、半導体レーザに、その発振し
きい値以下とした直流バイアス電流を供給すると共に、
定電流源よりの直流電流を高速スイッチングすることに
より得た単極性のパルス性高周波電流を重畳して供給
し、かつ、前記半導体レーザの出力光強度を検出し、そ
の検出強度に対応して前記定電流源の直流出力電流値を
制御することにより前記半導体レーザの出力光強度を一
定とすることを特徴とする。
ーザの駆動方法であって、半導体レーザに、その発振し
きい値以下とした直流バイアス電流を供給すると共に、
定電流源よりの直流電流を高速スイッチングすることに
より得た単極性のパルス性高周波電流を重畳して供給
し、かつ、前記半導体レーザの出力光強度を検出し、そ
の検出強度に対応して前記定電流源の直流出力電流値を
制御することにより前記半導体レーザの出力光強度を一
定とすることを特徴とする。
［実施例］ 本発明は半導体レーザへの高周波電流源として定電流源
からの電流を高速スイッチング動作により実現し、一
方、バイアス電流源による直流バイアスは発振しきい値
以下に抑えておくことを特徴とするものである。
からの電流を高速スイッチング動作により実現し、一
方、バイアス電流源による直流バイアスは発振しきい値
以下に抑えておくことを特徴とするものである。
以下、本発明に係る半導体レーザ駆動方法の一実施例を
図面により詳細に説明する。
図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ駆動方法
を示すブロック図であり第２図は第１図における動作説
明のための波形図である。
を示すブロック図であり第２図は第１図における動作説
明のための波形図である。
バイアス電流源６により半導体レーザ10は発振しきい値
以下の電流I0で直流バイアスされる。高周波電流は、定
電流源７からの電流I1を高周波発振器９からの信号によ
りスイッチング回路８において高速にスイッチングする
ことで作成し半導体レーザ10に前記バイアス電流I0と重
畳して印加される。この高周波電流I1は、前記バイアス
電流I0がしゃ断されたとき、この高周波電流I1により前
記しきい値を超えないような値であり、かつ、前記バイ
アス電流I0の印加時には、この高周波電流I1により、所
定のレベルで発振するに十分な値とする。
以下の電流I0で直流バイアスされる。高周波電流は、定
電流源７からの電流I1を高周波発振器９からの信号によ
りスイッチング回路８において高速にスイッチングする
ことで作成し半導体レーザ10に前記バイアス電流I0と重
畳して印加される。この高周波電流I1は、前記バイアス
電流I0がしゃ断されたとき、この高周波電流I1により前
記しきい値を超えないような値であり、かつ、前記バイ
アス電流I0の印加時には、この高周波電流I1により、所
定のレベルで発振するに十分な値とする。
半導体レーザ10により発光されたレーザ光は光検知器11
により検出され、プリアンプ12で増幅された後、比較器
13にて基準電圧源14からの信号と比較され、比較器15に
よる比較信号は、ローパスフィルタ15により、その低周
波成分のみパワーアンプ16で増幅され、この増幅された
信号は前記定電流源７の制御信号として入力され、出力
電流I1が制御される。この制御により半導体レーザ10か
らの出射光強度を温度変化にかかわらず常に一定に保持
している。
により検出され、プリアンプ12で増幅された後、比較器
13にて基準電圧源14からの信号と比較され、比較器15に
よる比較信号は、ローパスフィルタ15により、その低周
波成分のみパワーアンプ16で増幅され、この増幅された
信号は前記定電流源７の制御信号として入力され、出力
電流I1が制御される。この制御により半導体レーザ10か
らの出射光強度を温度変化にかかわらず常に一定に保持
している。
上記の半導体レーザ駆動方式では、半導体レーザ10は発
振しきい値以下の電流I0でバイアスされて定電流源７か
らの電流I1をしゃ断するだけで、半導体レーザ10の発振
動作を停止させることができる。
振しきい値以下の電流I0でバイアスされて定電流源７か
らの電流I1をしゃ断するだけで、半導体レーザ10の発振
動作を停止させることができる。
またバイアス電流源６による電流I0のみが停止した場合
でも、スイッチング動作による正極性の高周波電流の重
畳であるため半導体レーザ10に対して逆バイアスが印加
される恐れはない。したがって半導体レーザに対する安
全度が高い駆動方式であるため、システム全体からなが
めた場合非常に有益なものとなる。
でも、スイッチング動作による正極性の高周波電流の重
畳であるため半導体レーザ10に対して逆バイアスが印加
される恐れはない。したがって半導体レーザに対する安
全度が高い駆動方式であるため、システム全体からなが
めた場合非常に有益なものとなる。
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明は、多モード発振による
半導体レーザの駆動方法において、半導体レーザを発振
しきい値以下で直流バイアスし、これに、高速スイッチ
ングにより得た単極性のパルス性高周波電流を重畳する
ようにしたので、半導体レーザの発振を停止させるには
双方の電流を停止させる必要はなく、又、直流バイアス
電流のみがしゃ断されても半導体レーザに対して逆バイ
アスされる恐れはなくなり、安全性の高い駆動方式が得
られる。又、高周波電流を半導体レーザの出力に従って
制御するようにしたので一定レベルの安定したレーザ出
力が得られる。
半導体レーザの駆動方法において、半導体レーザを発振
しきい値以下で直流バイアスし、これに、高速スイッチ
ングにより得た単極性のパルス性高周波電流を重畳する
ようにしたので、半導体レーザの発振を停止させるには
双方の電流を停止させる必要はなく、又、直流バイアス
電流のみがしゃ断されても半導体レーザに対して逆バイ
アスされる恐れはなくなり、安全性の高い駆動方式が得
られる。又、高周波電流を半導体レーザの出力に従って
制御するようにしたので一定レベルの安定したレーザ出
力が得られる。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ駆動方法
を示すブロック図、第２図は第１図における動作説明
図、第３図は従来技術による半導体レーザ駆動方法を示
す構成図、第４図は第３図における動作説明図である。 １……直流電流源、２……コイル、３……半導体レー
ザ、４……高周波発振器、５……コンデンサ、６……バ
イアス電流源、７……定電流源、８……スイッチング回
路、９……高周波発振器、10……半導体レーザ、11……
光検知器、12……プリアンプ、13……比較器、14……基
準電圧源、15……ローパスフイルタ、16……パワーアン
プ。
を示すブロック図、第２図は第１図における動作説明
図、第３図は従来技術による半導体レーザ駆動方法を示
す構成図、第４図は第３図における動作説明図である。 １……直流電流源、２……コイル、３……半導体レー
ザ、４……高周波発振器、５……コンデンサ、６……バ
イアス電流源、７……定電流源、８……スイッチング回
路、９……高周波発振器、10……半導体レーザ、11……
光検知器、12……プリアンプ、13……比較器、14……基
準電圧源、15……ローパスフイルタ、16……パワーアン
プ。
Claims (1)
- 【請求項１】光メモリシステムに組み込まれる半導体レ
ーザの駆動方法であって、半導体レーザに、その発振し
きい値以下とした直流バイアス電流を供給すると共に、
定電流源よりの直流電流を高速スイッチングすることに
より得た単極性の高周波電流を重畳して供給し、かつ、
前記半導体レーザの出力光強度を検出し、その検出強度
に対応して前記定電流源の直流出力電流値を制御するこ
とにより前記半導体レーザの出力光強度を一定とするこ
とを特徴とする半導体レーザ駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140049A JPH0743841B2 (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザ駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140049A JPH0743841B2 (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザ駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296539A JPS61296539A (ja) | 1986-12-27 |
| JPH0743841B2 true JPH0743841B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=15259791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140049A Expired - Fee Related JPH0743841B2 (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザ駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743841B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526596Y2 (ja) * | 1986-03-04 | 1997-02-19 | パイオニア株式会社 | 光学式情報記録再生装置 |
| JPH0227533A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Sony Corp | レーザダイオード駆動装置 |
| JP2756820B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1998-05-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ駆動回路 |
| JPH0317839A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動方法 |
| JP2525943B2 (ja) * | 1990-08-02 | 1996-08-21 | 富士通株式会社 | 光学記録再生装置のレ―ザダイオ―ド制御方式 |
| FR2683401B1 (fr) * | 1991-10-31 | 1993-12-31 | Alcatel Nv | Generateur optique, notamment pour le transport d'un signal hyperfrequence. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153239A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Nec Corp | 光ピツクアツプ装置 |
| JPS59171037A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体レーザの駆動方法及び駆動装置 |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP60140049A patent/JPH0743841B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61296539A (ja) | 1986-12-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |