JP3126084B2 - 磁気ヘッド駆動回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

［発明の目的］

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に対し
て消去と記録を同時に行うオーバライト（重ね書き）可
能にした光磁気記録装置に用いられる磁気ヘッド駆動回
路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、消去と記録を同時に行うオーバラ
イトを可能にした光磁気記録装置として、図７に示すよ
うな磁界変調方式のものが知られている。かかる装置で
は、垂直磁化膜７１１とディスク基板７１２から構成さ
れる光磁気ディスク７１に対向させて半導体レーザ７２
を配置し、半導体レーザ７２から照射された一定のレー
ザ光をレンズ７３を介して垂直磁化膜７１１に集光させ
て該垂直磁化膜７１１の温度を、そのキュリー温度以上
に上昇させ、一方、磁界変調回路７４により磁気ヘッド
７５に発生する磁界を記録信号に応じて変調し、光磁気
ディスク７１の磁化膜７１１に磁界の変化に応じた磁気
パターンを残すことにより情報の記録を行うようにして
いる。なお、図面中、７５１、７５２は、磁気ヘッド７
５を構成するコアおよびコイル、７６は光磁気ディスク
７１を回転させるスピンドルモータである。

【０００３】このような磁界変調方式により記録を行う
場合、光磁気ディスク７１の垂直磁化膜７１１の磁化を
反転することになるが、これに必要な磁界は、垂直磁化
膜７１２の膜特性に依存し、一般に数百Ｏｅ以上の大き
な磁界が必要である。また、高密度記録をするために
は、ヘッド発生磁界の立ち上がり時間も十分に短くする
必要がある。

【０００４】そして、この条件で磁気ヘッド７５を定電
圧駆動すると、磁気ヘッド７５のコイル７５２のインダ
クタンス分により、駆動する記録周波数に比例してイン
ピーダンスが増加するようになり、磁気ヘッドを高速に
駆動するほどに高電圧が必要となって、駆動回路の損失
が増大するという問題点があった。

【０００５】そこで、このような問題点を解決するため
に、特開昭６３−９４４０６号公報に開示される補助コ
イルの定電流効果を利用した磁気ヘッド駆動回路が考え
られている。

【０００６】図８は、かかる磁気ヘッド駆動回路を示す
もので、電源８１に補助コイル８２とスイッチ８３の直
列回路と補助コイル８４とスイッチング素子８５の直列
回路を並列接続し、補助コイル８２とスイッチング素子
８３の接続点と補助コイル８４とスイッチ８５の接続点
の間に磁気ヘッドコイル８６を接続するようにしてい
る。この場合、補助コイル８２、８４は、磁気ヘッドコ
イル８４のインダクタンスより十分大きなインダクタン
スを有していて、スイッチング素子８３、８５を記録信
号に応じてＯＮ・ＯＦＦすることにより、スイッチング
素子８３、８５がＯＮの間に補助コイル８２、８４にエ
ネルギーを蓄え、スイッチング素子８３、８５がＯＦＦ
になると、補助コイル８２、８４の定電流効果により、
磁気ヘッドコイル８６両端に逆起電圧を交互に誘起し、
記録信号に応じて高電圧を磁気ヘッドコイル８６に交互
に印加するるようになっている。

【０００７】このような磁気ヘッド駆動回路によれば、
補助コイル８２、８４に蓄えたエネルギーで磁気ヘッド
コイル８６の電流を反転できるため、電源８１の電圧が
低い場合でも、低消費電力で電流の立ち上がり時間を短
くした高密度記録が実現できることになる。

【０００８】ところが、このような補助コイル８２、８
４を用いたものでは、ＯＮ状態のスイッチング素子８
３、８５に流れている電流は、磁気ヘッドコイル８６に
流れる電流の約２倍程度となるため、ＯＮ状態での抵抗
の大きなスイッチング素子を用いた場合には、回路損失
が大きくなるという問題点があった。

【０００９】即ち、このような磁気ヘッド駆動回路にお
いては、例えば、スイッチング素子８３がＯＮ状態にあ
るとすると、このスイッチング素子８３には、磁気ヘッ
ドコイル８６に流れる電流と、電源８１よりスイッチン
グ素子８３に接続された補助コイル８２を通して流れる
電流の和の電流が流れるため、補助コイル８２のインピ
ーダンスが磁気ヘッドコイル８６のインピーダンスより
十分大きいと、磁気ヘッドコイル８６に流れる電流と補
助コイル８２を通して電源８１より流れ込む電流とほぼ
等しくなり、スイッチング素子８３には、磁気ヘッドコ
イル８６電流の約２倍の電流が流れることになる。

【００１０】このことから、例えばスイッチング素子と
して、ＯＮ状態で比較的抵抗の大きくなる高速のＭＯＳ
−ＦＥＴを使用すると、さらに回路損失が増大するとい
う問題点があった。

【００１１】このような問題点を解決するために、実開
平５−１５１０２号明細書に開示されるように磁気ヘッ
ドに２つのコイルをバイファイラに巻いて、補助コイル
を１つにした回路構成により、スイッチング素子に流れ
る電流を減らした磁気ヘッド駆動回路も考えられてい
る。

【００１２】図９は、このようなバイファイラ巻の磁気
ヘッドコイルを用いた磁気ヘッド駆動回路の一例を示す
もので、電源９１に補助コイル９２と抵抗９３の並列回
路を直列に接続するとともに、この並列回路と電源９１
の間に、バイファイラに巻かれた磁気ヘッド９０の２つ
のコイル９４、９５にそれぞれスイッチング素子９６、
９７を直列接続した回路を挿入するようにしている。

【００１３】このような磁気ヘッド駆動回路によれば、
上述した図８に示す磁気ヘッド駆動回路では、一対のス
イッチング素子をＯＮ、ＯＦＦすることで磁気ヘッドコ
イルに流れる電流の向きを切り換えヘッド発生磁界を反
転するのに対して、バイファイラ巻きされた２つのコイ
ルを用いることにより、スイッチング素子９６、９７の
交互のＯＮ、ＯＦＦにより２つのコイル９４、９５のう
ちの１方にのみに電流を流すことにより磁界の反転を行
うようになる。

【００１４】なお、図９に示す回路例において、補助コ
イル９２に並列に接続される抵抗９３は、ダンピング抵
抗でヘッドコイル電流の過度電流を抑制するものであ
る。しかして、バイファイラ巻きの磁気ヘッド９０を用
いた回路では、スイッチング素子９６または９７に流れ
る電流は、全て磁気ヘッド９０に流れる電流であり、こ
れは磁気ヘッド９０のコイル電流と等しい電流がスイッ
チング素子９６または９７に流れることになるので、図
８で述べた回路に比較して、スイッチング素子に流れる
電流を半減できることになる。このことから、例えばス
イッチング素子として、ＯＮ状態で抵抗の大きくなる高
速のＭＯＳ−ＦＥＴを用いた場合においても、回路損失
を低減することができる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなバイファイラ・コイルを用いた磁気ヘッド駆動回路
では、バイファイラ巻きとなっている２つのコイルは磁
気ヘッドコアで磁気的に結合しているため、記録周波数
を上げていくと、ＯＦＦしているスイッチング素子の端
子間容量によるスイッチのリーク電流等の影響により、
ヘッドコイル間で干渉が起きたりして、ヘッドコイル反
転後のヘッドコイル電流が一定にならないため、磁気ヘ
ッドで発生する磁界も反転後に一定とならずに、安定し
た磁界変調記録ができないという問題点があった。

【００１６】図１０は、このような問題点を説明するた
めのもので、ここでは図９と同一部分には、同符号を付
している。この場合、図示のようにスイッチング素子９
６がＯＦＦ、スイッチング素子９７がＯＮになった瞬間
を考えると、補助コイル９２を通してヘッドコイル９４
に一定に流れていた電流は、スイッチ切り換えにより、
ヘッドコイル９５に流れるため、スイッチ切り替わりの
瞬間は、補助コイル９２とヘッドコイル９４、９５の接
続点の電位は補助コイルの逆起電圧ｅ3 により、電源電
圧Ｖ0 の数倍の高い電圧が発生する。

【００１７】この時、同様にヘッドコイル９４にも逆起
電圧ｅ1 が発生するが、スイッチング素子９６の端子間
静電容量Ｃ1 とヘッドコイル９４のインダクタンスＬ1
との相互作用により、ヘッドコイル９４には、リンギン
グを伴う振動電流ｉが流れる。ここで、ヘッドコイル９
４と９５は、磁気ヘッド９０のコアにより磁気的に結合
しているため、ヘッドコイル９４で発生した振動電流ｉ
はヘッドコア内で磁束変化となって、ヘッドコイル９５
に電圧を誘起する。

【００１８】従って、ヘッドコイル９５にはヘッドコイ
ル９４の干渉により、スイッチ切り換え直後にリンギン
グを伴う電流が重畳され、磁気ヘッドコアより発生する
記録媒体上に印加される磁界は、図１１（ｆ）に示すよ
うに磁界反転時直後に変動することになる。

【００１９】また、スイッチング素子９６の端子間静電
容量Ｃ1 の相互作用により、リンギング電流ｉが発生す
ると、ヘッドコイル９４とヘッドコイル９５の接続点の
電圧Ｖ1 は、ヘッドコイル９４と補助コイル９２の逆起
電圧が降下した後も一定とならずに０Ｖ近傍で振動す
る。このため、ヘッドコイル９４、９５に流れる励磁電
流Ｉ1 またはＩ2 も、反転後に一定とならずに図１１
（ｄ）、（ｅ）に示すように徐々に低下する。この結
果、磁気ヘッド９０の発生磁界の極性反転後に磁界を一
定に維持することができない。

【００２０】このように、ヘッドコイル９４、９５に対
して、これらに対応するスイッチング素子９６、９７の
端子間静電容量との相互作用があると、磁気ヘッド９０
から発生する磁界も、極性反転後に一定とならないた
め、十分に大きな磁界振幅を与えないと、記録媒体を磁
化するのに必要な磁界Ｈw を図１１（ｆ）に示すように
下回ることが発生して、記録媒体に十分な磁界変調記録
ができないという問題点があった。

【００２１】そこで、磁気ヘッド９０で極性反転後に変
動する分も含めた記録に十分な磁界を与えようとする
と、ヘッド駆動回路の損失が大きくなる問題が生じる。
一方、前記リンギング電流ｉを抑制するには、補助コイ
ル９２に並列にダンピング抵抗９３を接続するのも有効
と考えられているが、抑制効果を上げるためにダンピン
グ抵抗９３の抵抗値Ｒを小さくすると、補助コイル９２
による逆起電圧ｅ3 が低下して、ヘッドコイル９４、９
５に流れる電流の変化速度が小さくなるため、図１１
（ｇ）に示すように、ヘッド発生磁界の反転速度が遅く
なって、高密度記録時の媒体の磁化パターンエッジが不
鮮明になる問題があった。また、ダンピング抵抗９３の
抵抗値の低下は、補助コイル９０の定電流効果の低減を
意味するので、ヘッドコイル９４、９５に流れる電流
も、一定にならずに、図１１（ｇ）に示すように、磁界
反転後の磁界が変動する。

【００２２】従って、この場合もヘッドより媒体に十分
な記録磁界を与えようとすると、磁界の変動分を含めた
記録磁界が必要となり、ヘッド駆動回路の損失が増大す
る問題があった。

【００２３】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、磁気ヘッドより記録媒体に印加される磁界の極性を
高速で反転でき、反転後も一定にすることが可能な低損
失の磁気ヘッド駆動回路を提供することを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明は、直流電源と、
光磁気記録媒体に記録磁界を与える少なくとも２つのコ
イルを有する磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドのコイルと
前記直流電源の間に接続される補助コイルと、前記磁気
ヘッドのコイルと前記直流電源の間に２つ接続されると
ともにそれぞれの交互のオン・オフ動作により前記磁気
ヘッドの少なくとも２つのコイルに記録信号より変調さ
れた互いに反対極性の記録磁界を発生させるスイッチン
グ素子と、前記２つのスイッチング素子にそれぞれ並列
接続されるコンデンサと、前記２つのスイッチング素子
より前記磁気ヘッドの少なくとも２つのコイルに流れる
電流を阻止する電流阻止手段により構成されている。

【００２５】また、本発明は、直流電源と、光磁気記録
媒体に記録磁界を与える少なくとも２つのコイルを有す
る磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドのコイルと前記直流電
源の間に接続される補助コイルと、前記磁気ヘッドのコ
イルと前記直流電源の間に２つ接続されるとともにそれ
ぞれの交互のオン・オフ動作により前記磁気ヘッドの少
なくとも２つのコイルに記録信号より変調された互いに
反対極性の記録磁界を発生させる端子間静電容量を有す
るスイッチング素子と、前記２つのスイッチング素子よ
り前記磁気ヘッドの少なくとも２つのコイルに流れる電
流を阻止する電流阻止手段により構成されている。

【００２６】

【作用】この結果、本発明によれば、スイッチング素子
に並列に接続されたコンデンサの充電電荷または端子間
静電容量の働きにより、電流阻止手段によりスイッチン
グ素子より磁気ヘッドのコイルに流れる電流を阻止する
ことができ、オフとなっているスイッチング素子の端子
間静電容量とヘッドコイルの相互作用をほぼ完全に抑制
でき、磁気ヘッドのコイル間の干渉を減らすことができ
るようになる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。 （第１実施例）図１は、第１実施例の概略構成を示して
いる。図において、１０１は直流電源で、この直流電源
１０１の正極端子を補助コイル１０２の一方端子に接続
し、この補助コイル１０２の他方端子をバイファイラ巻
きされた磁気ヘッド１０３の２つのヘッドコイル１０３
ａ、１０３ｂのそれぞれの一方端子に接続している。こ
の磁気ヘッド１０３は、図示しない光磁気記録媒体に記
録磁界を印加するためのヘッドコア１０３ｃに電流方向
に対して互いに逆向きで、巻き数の相等しい２つのヘッ
ドコイル１０３ａ、１０３ｂを巻装するようにしてい
る。

【００２８】磁気ヘッド１０３のヘッドコイル１０３ａ
の他方端子を図示極性のダイオード１０４を介してトラ
ンジスタ１０５のコレクタに接続し、コイル１０３ｂの
他方端子を図示極性のダイオード１０６を介してトラン
ジスタ１０７のコレクタに接続している。

【００２９】トランジスタ１０５は、エミッタを直流電
源１０１の負極端子に接続し、ベースを抵抗１０８を介
してデータ入力端子１０９に接続し、また、トランジス
タ１０７は、エミッタを直流電源１０１の負極端子に接
続し、ベースを抵抗１１０、インバータ１１１を介して
データ入力端子１０９に接続している。

【００３０】そして、トランジスタ１０５のエミッタ、
コレクタ間にコンデンサ１１２を接続し、トランジスタ
１０７のエミッタ、コレクタ間にコンデンサ１１３を接
続している。

【００３１】次に、以上のように構成した実施例の動作
を図２に示すタイムチャートを用いて説明する。いま、
図２（ａ）に示すような記録信号が与えられたとする
と、２つのトランジスタ１０５、１０７は、同図
（ｂ）、（ｃ）のように記録信号に応じてオンオフす
る。この時、図示していないスイッチング制御回路によ
り、トランジスタ１０５は記録信号が１の時オン、０の
時オフし、トランジスタ１０７は記録信号が１の時オ
フ、０の時オンとなるように動作する。即ち、２つの２
つのトランジスタ１０５、１０７は、記録信号に応じて
交互にオンオフする。

【００３２】この時、トランジスタ１０５のオンの時の
み、磁気ヘッド１０３のヘッドコイル１０３ａには、直
流電源１０１より補助コイル１０２を介して電流が流
れ、トランジスタ１０７がオンの時のみ磁気ヘッド１０
３のヘッドコイル１０３ｂには、直流電源１０１より補
助コイル１０２を介して電流が流れる。

【００３３】ここでヘッドコイル１０３ａ、１０３ｂ
は、電流方向に対して互いに反対向きに巻かれ、巻き数
は各々等しく設定されているので、これらヘッドコイル
１０３ａまたは１０３ｂに同じ大きさの電流を流すと、
ヘッドコア１０３ｃに発生する磁界は、振幅が等しく互
いに反対極性となる。

【００３４】これにより、記録信号に応じてトランジス
タ１０５、１０７が交互にオンオフすると、磁気ヘッド
１０３のコア１０３ｃからは、記録信号に応じて極性の
変化する磁界が記録媒体に印加されることになる。

【００３５】ここで、補助コイル１０２は、インダクタ
ンスをヘッドコイル１０３ａ、１０３ｂよりも数倍〜数
十倍と十分に大きくすることにより、高周波信号で定電
流素子として動作するため、トランジスタ１０５、１０
７のオンオフによらず補助コイル１０２には直流電源１
０１よりほぼ一定の電流が流れる。

【００３６】従って、トランジスタ１０５がオン、トラ
ンジスタ１０７がオフする瞬間または、トランジスタ１
０５がオフ、トランジスタ１０７がオンする瞬間、即ち
補助コイル１０２を流れる電流がヘッドコイル１０３ａ
から１０３ｂまたはヘッドコイル１０３ｂから１０３ａ
に切り替わる瞬間に、これらヘッドコイル１０３ａおよ
び１０３ｂの接続点の電圧Ｖ1 は、補助コイル１０２の
発生する逆起電圧ｅ1により、電源１０２の電圧Ｖ0 の
数倍の電圧Ｖｐ1 となり、図２（ｄ）に示すような変化
をする。

【００３７】ここで、トランジスタ１０５がオフ、トラ
ンジスタ１０７がオンになった瞬間を考えると、オフと
なっているトランジスタ１０５に接続されているヘッド
コイル１０３ａも、電流が遮断されるので、電源電圧よ
りも高い逆起電圧ｅ2 が発生し、この電圧ｅ2 と補助コ
イル１０２で発生する逆起電圧ｅ1 と電源１０１の電圧
Ｖ0 との和のｅ1 ＋ｅ2 ＋Ｖ0 からなる高い電圧がダイ
オード１０４を介してコンデンサ１１２に印加されるこ
とになる。

【００３８】これで、コンデンサ１１２には電荷がチャ
ージされ、これにともない電圧は降下するが、コンデン
サ１１２にチャージされた電荷は、ダイオード１０４を
逆バイアスにするので、トランジスタ１０５がオンとな
るまで放電されず、コンデンサ１１２の両端電圧Ｖ2 は
ほぼ一定の電圧に維持され、図２（ｅ）のように変化す
る。

【００３９】一方、トランジスタ１０５がオン、トラン
ジスタ１０７がオフの場合も同様の動作をするので、コ
ンデンサ１１３の端子電圧Ｖ3 も同様に図２（ｆ）のよ
うに変化する。

【００４０】このようにして、トランジスタ１０５、１
０７に並列に接続されたコンデンサ１１２、１１３の働
きにより、ダイオード１０４、１０６の逆バイアス状態
は、これらダイオード１０４、１０６に接続したトラン
ジスタ１０５、１０７がオフしている間は維持されるこ
とになる。

【００４１】従って、オフとなっているトランジスタ１
０５、１０７の端子間静電容量とヘッドコイル１０３
ａ、１０３ｂとの相互作用は、ダイオード１０４、１０
６９およびコンデンサ１１２、１１３によりほぼ完全に
阻止される。

【００４２】ここで、コンデンサ１１２および１１３の
静電容量Ｃ1 、Ｃ2 は、大きくする程、図２（ｅ）、
（ｆ）に示す一定部分の電圧Ｖｃ1 、Ｖｃ2 が高くなっ
て、ダイオードの逆バイアス電圧を高くしてダイオード
の電流阻止効果を大きくできるが、静電容量が大き過ぎ
ると、補助コイル１０２およびヘッドコイル１０３ａ、
１０３ｂの発生する逆起電圧を電荷として吸収する作用
も大きくなり、トランジスタ１０５、１０７の切り替わ
り時にヘッドコイル１０３ａ、１０３ｂに印加される電
圧が低下して、これらヘッドコイル１０３ａ、１０３ｂ
に流れる電流立ち上がり速度が低下してしまうおそれが
あるため、記録周波数帯域に応じて最適な値に設定する
必要がある。

【００４３】例えば、記録周波数が５〜１０ＭＨｚ程度
であるとすれば、コンデンサ１１２および１１３の最適
なＣ1 、Ｃ2 の値は、１００ｐＦ前後となる。従って、
このようにすれば、信号記録時において、オフとなって
いるトランジスタ１０５、１０７の端子間静電容量と、
磁気ヘッド１０３のヘッドコイル１０３ａ、１０３ｂの
インダクタンスとの相互作用によるリンギング電流の発
生を阻止できることになり、２つのヘッドコイル１０３
ａ、１０３ｂ間の電気的な干渉を無くすことができる。

【００４４】また、これらヘッドコイル１０３ａ、１０
３ｂとトランジスタ１０５、１０７との相互作用が無く
なることにより、ヘッドコイル１０３ａ、１０３ｂと補
助コイル１０２の接続点Ｖ1 の電位も図２（ｄ）に示す
ようにトランジスタ１０５、１０７の切り替わり後は安
定となるので、２つのヘッドコイル１０３ａ、１０３ｂ
に流れる電流も各々図２（ｇ）、（ｈ）に示すようにト
ランジスタ１０５、１０７の切り替わり後は速やかに一
定にすることができる。

【００４５】従って、磁気ヘッド１０３から媒体上に印
加される記録磁界Ｈは、図２（ｉ）のように極性反転後
に一定となり、安定した磁界変調記録が可能となる。な
お、トランジスタ１０５、１０７の端子間静電容量以外
に回路の補助コイル１０２などの回路中に寄生容量が存
在すると、トランジスタ１０５、１０７の切り替わり時
には、この寄生容量とインダクタやヘッドコイルによる
相互作用による小さなリンギング電流が発生する場合が
ある。

【００４６】このような場合は、従来と同様に補助コイ
ル１０２に並列にダンピング抵抗１１４を接続すると、
リンギング電流抑制効果が得られるが、本第１実施例の
場合には、ダイオード１０４、１０６とコンデンサ１１
２、１１３の作用により、すでに主なリンギング電流発
生源対策をしているので、回路中の寄生容量とヘッドコ
イルとのリンギング電流は従来回路より周波数帯域が高
く、振幅も小さいため、ダンピング抵抗１１４の抵抗値
Ｒは従来回路より一桁以上大きい値にできる。これによ
り、補助コイル１０２の逆起電圧が低下してヘッドコイ
ル１０３ａ、１０３ｂの電流変化速度が低下することは
無く、ヘッド磁界の反転速度が低下することはない。ま
た、ダンピング抵抗値を記録周波数により調整する必要
もなくなる。

【００４７】以上述べたように第１実施例によれば、磁
気ヘッドより記録媒体に印加する磁界の反転速度を落と
さずに、磁界の反転直後の振動を抑制することができる
ため、高密度記録においても、記録媒体に記録パターン
エッジの鋭い安定した記録が可能となる。また、反転後
の磁界が速やかに一定となるため、記録媒体には最低必
要な磁界振幅を与えれば良く、磁界の不安定部分による
磁界の不足部分を補うために余分な磁界振幅を与える必
要もないため、従来回路よりも駆動回路の損失を減らす
ことができる。

【００４８】（第２実施例）図３は、本発明の第２実施
例の概略構成を示すもので、上述の図１と同一部分には
同符号を付している。

【００４９】この場合、トランジスタ１０５、１０７に
代えて、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１５、１１６を接続してい
る。そして、この時の記録周波数が５〜１０ＭＨｚ程度
であるとすると、最適なコンデンサ容量Ｃ1 、Ｃ2 の値
は、１００ｐＦ前後となることから、ＭＯＳ−ＦＥＴ１
１５、１１６のソース・ドレイン間の静電容量を利用し
て、コンデンサ１１２、１１３に置き換えている。ま
た、ダイオード１０４、１０６に代えて高速応答の良い
ファースト・リカバリのダイオード１１７、１１８を接
続している。

【００５０】ここで、ダイオードとしては高速応答の良
いファースト・リカバリのダイオード１１７、１１８を
用いることにより、これらダイオード１１７、１１８の
逆バイアス時の等価静電容量は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１
５、１１６のドレイン・ソース間静電容量より小さく、
しかもダイオード等価静電容量は、逆バイアス電圧が大
きい程、小さくなるので、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１５、１１
６のドレイン・ソース間静電容量より一桁ほど小さくす
ることが可能になる。

【００５１】しかして、このように構成すると、ＭＯＳ
−ＦＥＴ１１５、１１６のスイッチングにより数ＭＨｚ
以上の記録周波数帯域の高周波信号に対しても動作可能
となり、しかも、オフとなっているＭＯＳ−ＦＥＴ１１
５、１１６は、そのソース・ドレイン間の静電容量でダ
イオード１１７、１１８により電気的にヘッドコイル１
０３ａ、１０３ｂを含む回路から切り離されることにな
り、これらヘッドコイル１０３ａ、１０３ｂとＭＯＳ−
ＦＥＴ１１５、１１６との相互作用を無くすことができ
るようになる。これにより、上述した図２（ｄ）に示す
ようにヘッドコイル１０３ａ、１０３ｂと補助コイル１
０２の接続点Ｖ1 の電位をＭＯＳ−ＦＥＴ１１５、１１
６の切り替わり後に安定なものにでき、２つのヘッドコ
イル１０３ａ、１０３ｂに流れる電流も各々図２
（ｇ）、（ｈ）に示すようにＭＯＳ−ＦＥＴ１１５、１
１６切り替わり後に速やかに一定にすることができ、磁
気ヘッド１０３から媒体上に印加される記録磁界Ｈも図
２（ｉ）のように極性反転後に一定となり、安定した磁
界変調記録が可能となる。

【００５２】（第３実施例）図４は、本発明の第３実施
例の概略構成を示すもので、上述の図１と同一部分には
同符号を付している。

【００５３】この場合、磁気ヘッド１０３に代え、磁気
ヘッド１１９として巻かれた２つのヘッドコイル１１９
ａ、１１９ｂの巻き数が異なるものを接続し、また、ト
ランジスタ１０５、１０７に代えて、ＭＯＳ−ＦＥＴ１
２０、１２１を接続し、これにＭＯＳ−ＦＥＴ１２０、
１２１に並列に接続されるコンデンサ１２２、１２３に
静電容量が異なるものを接続している。

【００５４】すなわち、第３実施例では、２つのヘッド
コイル１１９ａ、１１９ｂの巻き数を変えることによ
り、磁気ヘッド１１９より発生する変調磁界に一定のバ
イアス磁界を重畳するようにしている。

【００５５】図４において、磁気ヘッド１１９に巻かれ
たコイル１１９ａおよび１１９ｂの巻き数を、各々Ｎ1
、Ｎ2 とすると、ヘッドコイル１１９ａにより媒体上
に印加される磁界の大きさをＨ1 、ヘッドコイル１１９
ｂより媒体上に印加される磁界の大きさをＨ2 は、Ｈ1
∞Ｎ1 ・Ｉ1 、Ｈ2 ∞Ｎ2 ・Ｉ2 の関係が成り立つ。

【００５６】ここで、補助コイル１０２のインダクタン
スが磁気ヘッド１１９のコイル１１９ａおよび１１９ｂ
のインダクタンスより十分に大きい場合には、インダク
タンスのの定電流作用により、補助コイル１０２は、ヘ
ッドコイル１１９ａおよび１１９ｂの巻き数の差異によ
るインダクタンスの差異によらず、一定の電流を流し込
もうとする。

【００５７】この結果、ヘッドコイル１１９ａおよび１
１９ｂに流れる電流Ｉ1 、Ｉ2 は、図５（ａ）、（ｂ）
に示すようにほぼ等しくなり、磁気ヘッド１１９より媒
体上に印加される磁界Ｈ1 、Ｈ2 の大きさは、巻き数の
差の分大きさが異なり、図５（ｃ）で、示すように一定
のバイアス磁界Ｈｂが重畳された変調磁界となる。

【００５８】一方、記録媒体上には、光ピックアップの
集光レンズを駆動するアクチュエータ等の周辺電磁部品
からの漏洩磁界が印加されているので、この漏洩磁界を
打ち消すようにバイアス磁界Ｈｂの方向と大きさを設定
すれば、記録媒体上の磁界は、図５（ｄ）のようにな
り、変調磁界の消去方向または書き込み方向の磁界が等
しくなるので、漏洩磁界により、記録に必要な磁界強度
を下回ることもなく、安定な磁界変調記録ができる。

【００５９】特に、第３実施例を用いると、ヘッドコイ
ル１１９ａおよび１１９ｂの巻き数をアンバランスにし
た場合にも、各コイル１１９ａおよび１１９ｂで発生す
る逆起電圧の大きさに応じて、ＭＯＳ−ＦＥＴ１２０、
１２１に並列に接続されるコンデンサ１２２、１２３の
静電容量Ｃ1 、Ｃ2 の値を各々最適に設定することによ
り、各々のヘッドコイル１１９ａおよび１１９ｂで発生
する逆起電圧を個別に制御することが可能となるので、
ヘッドコイル１１９ａおよび１１９ｂとＭＯＳ−ＦＥＴ
１２０、１２１の端子間静電容量との相互作用によるリ
ンギング電流の発生を抑制する効果を高めることができ
る。

【００６０】また、２つのヘッドコイル１１９ａおよび
１１９ｂの巻き数が異なる場合も、磁界反転後の磁界が
速やかに一定になるので、一定バイアスの重畳も必要最
小量で最適に印加できる。

【００６１】なお、第３実施例においては、２つのコン
デンサ１２２、１２３が用いられているが、先に述べた
ように、記録周波数によっては、ＭＯＳ−ＦＥＴ１２
０、１２１の端子間静電容量と置き換えることができる
ので、ヘッドコイル１１９ａ、１１９ｂの巻き数の差異
に相当する静電容量の差の容量を有するコンデンサ１個
を、ＭＯＳ−ＦＥＴ１２０、１２１のいずれか一方に付
加するだけでも良い。

【００６２】（第４実施例）図６は、本発明の第４実施
例の概略構成を示すもので、上述の図１と同一部分には
同符号を付している。

【００６３】この場合、第４実施例では、基本的な回路
構成は、第１実施例と同じであるが、補助コイルが、磁
気ヘッドコアに巻かれている点が異なる。図において、
１３０は補助コイルで、磁気ヘッド１３１のコア１３１
ｃに巻かれている。ここで、ヘッドコイル１３１ａ、１
３１ｂの回りに形成される磁気回路を通る変調された磁
束φ1 は、補助コイル１３０と鎖交しないようにし、反
対に補助コイル１３０により形成される磁気回路を流れ
る磁束φ2 は、ヘッドコイル１３１ａ、１３１ｂと鎖交
するようにコア形状およびびコイル位置などを工夫す
る。

【００６４】例えば、磁気ヘッド１３１のコア１３１ｃ
形状を図６に示すようなにすれば、コイル１３１ａ、１
３１ｂを補助コイル１３０よりも小さく形成することに
より実現する。

【００６５】また、補助コイル１３０の巻き数をヘッド
コイル１３１ａ、１３１ｂの巻き数より増やして、磁気
コア１３１ｃの補助コイル１３０の巻かれている部分の
断面積をヘッドコイル１３１ａ、１３１ｂが巻かれてい
る部分の断面積よりも大きくすることにより、補助コイ
ル１３０のインダクタンスは、ヘッドコイル１３１ａ、
１３１ｂのインダクタンスの数倍〜数十倍にすることが
できる。

【００６６】このように、補助コイル１３０を磁気ヘッ
ド１３１のコア１３１ｃ上に形成することにより、補助
コイル１３０に流れる一定電流により発生する一定磁界
Ｈbをバイアス磁界として、ヘッドコイル１３１ａ、１
３１ｂより発生する変調磁界Ｈ1 、Ｈ2 に重畳すること
ができる。

【００６７】これにより、補助コイル１３０より発生す
る磁界を、記録媒体上に印加される光ピックアップ等か
らの漏洩磁界と、極性を反対にして同程度の磁界強度と
することにより、漏洩磁界の影響を補正することができ
る。

【００６８】また、補助コイル１３０と磁気ヘッド１３
１のコア１３１ｃを共通化することにより、駆動回路の
簡素化が図れる上、補助コイル１３０とヘッドコイル１
３１ａ、１３１ｂを近接することにより、回路線上に発
生する寄生インダクタンスの影響を減らして、回路の高
周波化が容易になる。

【００６９】また、磁気ヘッド１３０のコア１３１ｃの
形状や補助コイル１３０の巻き数および位置を調整する
ことにより、バイアス磁界の大きさを自由に設定できる
ため、第３実施例のような２つのヘッドコイルの巻き数
を変えることによるバイアス印加方法に比べ、ヘッドコ
イルのインダクタンスによる制限がなく、比較的大きな
漏洩磁界も打ち消すことができる。

【００７０】また、補助コイル１３０をヘッドコイル１
３１ａ、１３１ｂとを同じ磁気コア１３１ｃ上に巻いた
場合には、補助コイル１３０に、ほぼ一定の電流が流れ
るので、一定バイアス磁界を発生させることができるも
のの、トランジスタ１０５、１０７の切り替わり時に、
補助コイル１３０に僅かな電流の変化が発生するため、
この電流変動によりコア１３１ｃ内に発生した磁束変化
がヘッドコイル１３１ａ、１３１ｂにも誘起されて、ヘ
ッドコイル１３１ａ、１３１ｂとトランジスタ１０５、
１０７の端子間容量と相互作用によるリンギング電流の
発生を助長して大きなリンギング電流を引き起こすこと
が考えられるが、ここでも、ダイオード１０４、１０６
と、トランジスタ１０５、１０７に並列に接続されたコ
ンデンサ１１２、１１３の働きにより、トランジスタ１
０５、１０７の端子間容量をヘッドコイル１３１ａ、１
３１ｂから電気的に切り離すので、補助コイル１３０を
ヘッドコイル１３１ａ、１３１ｂと同一の磁気コア１３
１ｃに巻いても、補助コイル１３０の磁束変化がヘッド
コイル１３１ａ、１３１ｂに及ぼす影響を小さくして、
バイアス磁界を重畳しても、安定した変調磁界を記録媒
体に印加できるようになる。なお、本発明は上記実施例
にのみ限定されず、要旨を変更しない範囲で適宜変形し
て実施できる。

【００７１】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
スイッチング素子に並列に接続されたコンデンサの充電
電荷または端子間静電容量の働きにより、電流阻止手段
によりスイッチング素子より磁気ヘッドのコイルに流れ
る電流を阻止することができ、オフとなっているスイッ
チング素子の端子間静電容量とヘッドコイルの相互作用
をほぼ完全に抑制でき、磁気ヘッドのコイル間の干渉を
減らすことができるので、磁気ヘッドコイルに変化速度
の大きな励磁電流を流して、高磁気記録媒体を高速に磁
化反転できるとともに、励磁電流の変化直後に安定した
一定電流を流して、磁化反転後の磁界を速やかに一定に
することができ、信号再生時のノイズやジッタを小さく
した磁界変調記録が低損失で可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の概略構成を示す図。

【図２】第１実施例の動作を説明するためのタイムチャ
ート。

【図３】本発明の第２実施例の概略構成を示す図。

【図４】本発明の第３実施例の概略構成を示す図。

【図５】第３実施例の動作を説明するためのタイムチャ
ート。

【図６】本発明の第４実施例の概略構成を示す図。

【図７】オーバライトを可能にした光磁気記録装置の一
例を示す図。

【図８】従来の磁気ヘッド駆動回路の一例を示す図。

【図９】従来の磁気ヘッド駆動回路の他の例を示す図。

【図１０】図９に示す磁気ヘッド駆動回路の問題点を説
明するための図。

【図１１】図９に示す磁気ヘッド駆動回路の動作を説明
するためのタイムチャート。

【符号の説明】

１０１…直流電源、１０２…補助コイル、１０３…磁気
ヘッド、１０３ａ、１０３ｂ…ヘッドコイル、１０３ｃ
…ヘッドコア、１０４、１０６…ダイオード、１０５、
１０７…トランジスタ、１０８、１１１…抵抗、１０９
…データ入力端子、１１２、１１３…コンデンサ、１１
４…ダンピング抵抗、１１５、１１６…ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ、１１７、１１８…ダイオード、１１９…磁気ヘッ
ド、１１９ａ、１１９ｂ…ヘッドコイル、１２０、１２
１…ＭＯＳ−ＦＥＴ、１２２、１２３…コンデンサ、１
３０…補助コイル、１３１…磁気ヘッド、１３１ａ、１
３１ｂ…ヘッドコイル、１３１ｃ…コア。

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 直流電源と、 光磁気記録媒体に記録磁界を与える少なくとも２つのコ
   イルを有する磁気ヘッドと、 前記磁気ヘッドのコイルと前記直流電源の間に接続され
   る補助コイルと、 前記磁気ヘッドのコイルと前記直流電源の間に２つ接続
   されるとともにそれぞれの交互のオン・オフ動作により
   前記磁気ヘッドの少なくとも２つのコイルに記録信号よ
   り変調された互いに反対極性の記録磁界を発生させるス
   イッチング素子と、 前記２つのスイッチング素子にそれぞれ並列接続される
   コンデンサと、 前記２つのスイッチング素子より前記磁気ヘッドの少な
   くとも２つのコイルに流れる電流を阻止する電流阻止手
   段とを具備したことを特徴とする磁気ヘッド駆動回路。
2. 【請求項２】 直流電源と、 光磁気記録媒体に記録磁界を与える少なくとも２つのコ
   イルを有する磁気ヘッドと、 前記磁気ヘッドのコイルと前記直流電源の間に接続され
   る補助コイルと、 前記磁気ヘッドのコイルと前記直流電源の間に２つ接続
   されるとともにそれぞれの交互のオン・オフ動作により
   前記磁気ヘッドの少なくとも２つのコイルに記録信号よ
   り変調された互いに反対極性の記録磁界を発生させる端
   子間静電容量を有するスイッチング素子と、 前記２つのスイッチング素子側より前記磁気ヘッドの少
   なくとも２つのコイルに流れる電流を阻止する電流阻止
   手段とを具備したことを特徴とする磁気ヘッド駆動回
   路。
3. 【請求項３】 前記２つのスイッチング素子にそれぞれ
   コンデンサを並列接続したことを特徴とする請求項２記
   載の磁気ヘッド駆動回路。