JP3187617B2

JP3187617B2 - 磁気ヘッド駆動装置及び光磁気記録装置

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Publication number: JP3187617B2
Application number: JP23581893A
Authority: JP
Inventors: 和慶石井
Original assignee: Canon Inc
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Priority date: 1993-08-27
Filing date: 1993-08-27
Publication date: 2001-07-11
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Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドの磁界を情
報信号に応じて変調する磁気ヘッド駆動装置及びその磁
気ヘッド駆動装置を使用した光磁気記録装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光磁気記録装置の記録方式として
は、光変調方式や磁界変調方式などが知られているが、
特に磁界変調方式は旧データの上に新データを直接重ね
書き（オーバライト）することができるので、記録速度
などの点で優れている。図１０はその磁界変調方式の光
磁気記録装置の概略構成を示した図で、１は情報記録媒
体であるところの光磁気ディスク、２はこのディスクに
設けられた光磁気記録層である。光磁気ディスク１の上
面には、磁芯に主コイルＬ_H が巻回された磁気ヘッド３
が配設され、下面には磁気ヘッド３と相対向して光ヘッ
ド４が配設されている。

【０００３】情報を記録する場合、光ヘッド４からその
内部に設けられた半導体レーザのレーザビームが記録層
２上に微小光スポットとして照射され、記録部位の温度
をキューリー温度以上に上昇させる。一方、磁気ヘッド
３は駆動回路５の駆動により記録情報に応じて変調され
たバイアス磁界を発生し、記録層２の昇温部位に印加す
る。これにより、記録層２上の昇温部位の磁化はバイア
ス磁界の方向に配向し光磁気ディスク１の回転に伴ない
昇温部位が冷却されると、磁化方向が固定されて記録層
２上に情報信号に対応した磁化方向の情報ピットが記録
される。

【０００４】ところで、最近では情報をより高密度で記
録するために、情報ピットの記録方式としてピットのセ
ンターの位置に情報の意味をもたせるピット位置記録か
ら、ピットのエッジの位置に情報の意味をもたせるピッ
トエッジ記録に移行しつつある。こうしたピットエッジ
記録では、情報ピットのエッジを明瞭に記録する必要が
あり、そのためには記録時の磁気ヘッドによるバイアス
磁界の反転速度を高速化することが要求される。

【０００５】このような要求を満足する磁気ヘッドの駆
動装置としては、例えば特開昭６３−９４４０６号公報
に開示されたものが知られている。図１１はその駆動装
置を示した回路図で、Ｖは直流電源、Ｌ_H は磁気ヘッド
３のバイアス磁界を発生するための主コイル、Ｌ１、Ｌ
２は磁界を高速で切換えるための補助コイルである。ま
た、ＳＷ１とＳＷ２は主コイルＬ_H の電流の向きを切換
えるためのスイッチ素子、Ｒ１、Ｒ２は電流制限用の抵
抗器である。補助コイルＬ１、Ｌ２のインダクタンスは
主コイルＬ_H のそれよりも十分に大きな値に設定されて
いる。この駆動装置においては、スイッチ素子ＳＷ１、
ＳＷ２が交互にオンするように制御され主コイルＬ_H の
電流の向きを切換えることによって、発生磁界の極性が
記録情報に応じて切換えられる。

【０００６】具体的には、スイッチ素子ＳＷ１がオン、
ＳＷ２がオフの状態では電流経路ＣＨ１とＣＨ４が導通
し、他の破線で示すＣＨ２、ＣＨ３は遮断状態となる。
このとき電流経路ＣＨ１の導通によって主コイルＬ_H に
電流が供給されるため、このコイルＬ_H によりその電流
の向きに対応した磁界が発生する。一方、スイッチ素子
ＳＷ１がオフし、ＳＷ２がオンすると、電流経路ＣＨ
２、ＣＨ３が導通し、ＣＨ１とＣＨ４は遮断状態とな
る。この結果、電流経路ＣＨ２の導通により主コイルＬ
_H に前記とは逆方向の電流が供給され、極性の反転した
磁界を発生する。ここで、補助コイルＬ１、Ｌ２のイン
ダクタンスは、主コイルＬ_H のそれよりも十分に大きい
ため、補助コイルＬ１、Ｌ２に流れる電流は電流経路の
遮断や導通状態にかかわらず略一定となる。そのため、
スイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２のオン、オフの時間を十分
に短く、すなわち高速でスイッチングすれば、極めて短
時間で主コイルＬ_H に流れる電流の方向を反転させるこ
とができる。その結果、磁気ヘッドのバイアス磁界を高
速で反転させることが可能となり、ピットエッジ記録に
おいて良好に情報を記録することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとしている課題】ところで、スイッ
チ素子としては例えばＭＯＳ型ＦＥＴ（電界効果トラン
ジスタ）が使用されるのであるが、こうしたスイッチ素
子で実際にインダクタンス負荷の電流をスイッチングし
た場合、スイッチ素子はオフの状態で端子間容量を有す
るので、この容量と主コイルのインダクタンスで電流の
振動現象が発生する。端子間容量としては、ＭＯＳ型Ｆ
ＥＴであればドレイン−ソース間容量やドレイン−ゲー
ト間容量などがこれに相当する。そのため、スイッチ素
子で高速スイッチングしても電流の振動によって電流反
転時間が遅くなったり、電流波形が歪んだりするなどの
悪影響を与えてしまう。また、ＭＯＳ型ＦＥＴは高速の
スイッチング特性を備えた点ではスイッチ素子として適
しているが、一方では素子内の寄生ダイオードのため、
電流の逆流が発生し、電流の振動を増長してしまう。

【０００８】こうした電流の振動は、良好な信号の記録
を行う上で悪影響を与えるだけであるため、振動振幅は
小さく、また早く整定することが望ましい。このこと
は、記録を高速化するために、記録信号の周波数を高く
した場合は、より一層重要である。そこで、電流振動を
抑制するために、容量の小さいスイッチ素子を使用した
り、主コイルの巻数を減らしてインダクタンスを小さく
したり、あるいは主コイルと並列にダンピング用の抵抗
器を接続するなどの対策が考えられている。しかし、こ
うした方法では容量やイダクタンスを小さくするには限
度があり、またダンピング用の抵抗器による振動抑制効
果にも限度があるので、十分に電流振動を抑制すること
は困難であった。

【０００９】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、その目的は補助コイルと磁気ヘッドの各接
続点と各スイッチ素子の間にダイオードを設けることに
より磁気ヘッドの電流振動を効果的に抑制して駆動電流
が反転時により早く適正値に整定できるようにし、これ
によって高速記録にも対処できるようにした磁気ヘッド
駆動装置及び光磁気記録装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、一対の
補助コイルと、この一対の補助コイルにそれぞれ直列に
接続された一対のスイッチ素子とを有し、この一対のス
イッチ素子を情報信号に応じて交互にオン／オフ駆動す
ることにより、前記一対の補助コイルと一対のスイッチ
素子の各接続点間に設けられた磁気ヘッドの駆動電流の
方向を切り換える磁気ヘッド駆動装置において、前記補
助コイルと磁気ヘッドの各接続点と各スイッチ素子の間
に、それぞれ前記磁気ヘッドの駆動電流の電流振動を抑
制するためのダイオードを設け、更に前記スイッチ素子
がオフである間に前記スイッチ素子の端子間に蓄積され
た電荷を放電させるための素子を設けたことを特徴とす
る磁気ヘッド駆動装置によって達成される。

【００１１】また、本発明の目的は、光磁気記録媒体に
光ビームを照射する光ヘッドと、前記記録媒体の表面近
傍に設けられた磁気ヘッドと、この磁気ヘッドを駆動し
て該磁気ヘッドの磁界を情報信号に応じて変調する磁気
ヘッド駆動回路とを有し、前記記録媒体に前記光ヘッド
から光ビームを照射しながら前記磁気ヘッドから変調磁
界を印加することにより情報の記録を行う光磁気記録装
置において、前記磁気ヘッド駆動回路は、一対の補助コ
イルと、この一対の補助コイルにそれぞれ直列に接続さ
れた一対のスイッチ素子からなり、このスイッチ素子を
情報信号に応じて交互にオン／オフ駆動することによ
り、前記一対の補助コイルと一対のスイッチ素子の各接
続点間に設けられた磁気ヘッドの駆動電流の方向を切り
換えると共に、前記補助コイルと磁気ヘッドの各接続点
と各スイッチ素子の間には、それぞれ前記磁気ヘッドの
駆動電流の電流振動を抑制するためのダイオードを設
け、更に前記スイッチ素子がオフである間に前記スイッ
チ素子の端子間に蓄積された電荷を放電させるための素
子を設けたことを特徴とする光磁気記録装置によって達
成される。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１は本発明の磁気ヘッド駆動装置
の一実施例を示した回路図である。なお、図１では図１
１に示した従来装置と同一部分は同一符号を付してあ
る。図１において、Ｌ_H は図１０に示したように磁心の
外周に巻回された主コイルである。磁心及びこれに巻回
された主コイルＬ_H は、磁気ヘッド３として光磁気ディ
スク１の表面近傍に配設されている。Ｖは直流電源、Ｒ
１、Ｒ２は電流制限用の抵抗器、Ｌ１、Ｌ２は補助コイ
ルである。また、ＳＷ１、ＳＷ２は補助コイルＬ１、Ｌ
２にそれぞれ直列に接続されたスイッチ素子である。本
実施例では、スイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２としてはバイ
ポーラのトランジスタが使用されている。

【００１３】Ｒ_d は主コイルＬ_H に並列に接続されたダ
ンピング用抵抗器である。スイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２
を交互にオンし、主コイルＬ_H の駆動電流の方向を切り
換えて磁気ヘッドの磁界を変調する場合、前述のように
主コイルＬ_H のインダクタンスとスイッチ素子の端子間
容量で電流振動が生じるのであるが、ダンピング用抵抗
器Ｒ_d はこの振動エネルギーを吸収して電流振動を減衰
させるためのものである。Ｄ１は補助コイルＬ１と主コ
イルＬ_H の接続点とスイッチ素子ＳＷ１との間に設けら
れたダイオード、Ｄ２は補助コイルＬ２と主コイルＬ_H
の接続点とスイッチ素子ＳＷ２との間に設けられたダイ
オードである。

【００１４】これらのダイオードＤ１とＤ２は詳しくは
後述するが、主コイルＬ_H のインダクタンスとスイッチ
素子の容量で発生する電流振動を抑制して電流振動をよ
り早く減衰させるように作用するものである。また、ス
イッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２としては、前述のようにトラ
ンジスタが使用されており、図中に示すＣ１及びＣ２は
そのスイッチ素子ＳＷ１とＳＷ２の端子間にそれぞれ存
在する端子間容量である。以上の図１に示した磁気ヘッ
ド駆動装置は図１０に示した光磁気記録装置に搭載さ
れ、光磁気ディスク１の表面近傍に配設された磁気ヘッ
ド３を駆動することによって情報の記録が行われる。以
下に説明する実施例の磁気ヘッド駆動装置も同様に図１
０の光磁気記録装置に搭載される。

【００１５】次に、上記実施例の動作について説明す
る。始めに、ダイオードＤ１、Ｄ２がない場合の動作を
図２に基づいて説明する。図２（ａ）は主コイルＬ_H の
駆動電流、図２（ｂ）は図１に示したダイオードＤ１と
スイッチ素子ＳＷ１の接続点であるＡ点の電圧である。
また、図２（ｃ）はスイッチ素子ＳＷ１の動作状態を示
した図で、ハイレベルのときはオン、ローレベルのとき
はオフである。図２（ｄ）も同様にスイッチ素子ＳＷ２
の動作状態を示した図で、ハイレベルのときはオン、ロ
ーレベルのときはオフである。

【００１６】ここで、スイッチ素子ＳＷ１がオンしてい
るときは、図２（ｂ）のようにＡ点の電圧はほぼ０であ
るが、スイッチ素子ＳＷ１がオンからオフに転じると、
Ａ点電圧は図２（ｂ）のように振動を開始し、それから
振動を繰り返しながら徐々に減衰していく。こうした電
圧の振動現象は主コイルＬ_H のインダクタンスとスイッ
チ素子ＳＷ１の端子間容量Ｃ１によって発生し、これに
起因して前述のように主コイルＬ_H の駆動電流にも電流
の振動現象が生じる。即ち、スイッチ素子ＳＷ１がオン
からオフに転じると、図２（ａ）のように電流の振動を
開始し、それから振動しながら減衰していって図中にＣ
で示す適正な電流値に整定する。一方、スイッチ素子Ｓ
Ｗ２側のＢ点の電圧も図面では示していないが、スイッ
チ素子ＳＷ２がオフすると、図２（ｂ）と同じように振
動し、また主コイルＬ_H の駆動電流も図２（ａ）のよう
に振動する。こうした振動はダンビング用抵抗器Ｒ_d に
よってある程度は抑制されるのであるが、図２（ａ）、
（ｂ）のように十分ではなく依然として振動現象は残る
ので、駆動電流が適正電流に整定するのに時間を要す
る。

【００１７】次に、上記実施例のダイオードＤ１とＤ２
を設けた場合の動作を図３に基づいて説明する。図３
（ａ）は主コイルＬ_H の駆動電流、図３（ｂ）はＡ点電
圧、図３（ｃ）、（ｄ）はスイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２
の動作状態を示した図である。スイッチ素子ＳＷ１がオ
ンからオフに転じた場合、Ａ点の電圧は図３（ｂ）のよ
うにわずかに振動し、このときの振動振幅は図２（ｂ）
に比べて大幅に小さく、また最初のピークを経た後は速
やかに減衰してある一定電圧に落ち着く。これは次のよ
うなダイオードＤ１の働きによる。即ち、スイッチ素子
ＳＷ１のオフと同時にダイオードＤ１を通してスイッチ
素子ＳＷ１の容量Ｃ１が充電され、Ａ点電圧は図３
（ｂ）のように上昇していく。

【００１８】このとき、容量Ｃ１に蓄積された電荷はダ
イオードＤ１で阻止され、逆流できないために、Ａ点電
圧は高電圧に保持される。しかし、実際にはダイオード
Ｄ１の逆回復特性によってわずかに電荷が逆流するの
で、Ａ点電圧は図３（ｂ）のようにそれに応じてわずか
に振動する。従って、ダイオードＤ１が理想的な素子で
あれば、振動は全く生じない。一方、ダイオードＤ１の
アノードの電圧は図２（ｂ）に示したように主コイルＬ
_H のインダクタンスと容量Ｃ１で振動しており、やがて
ダイオードＤ１のアノードの電圧が低下すると、ダイオ
ードＤ１は逆バイアス状態となる。

【００１９】ダイオードＤ１が逆バイアスされた場合、
ダイオードＤ１の接合容量をＣ_d とすると、図４に示す
ように等価的にダイオードＤ１の接合容量Ｃ_d と、スイ
ッチ素子ＳＷ１の端子間容量Ｃ１が直列に接続された形
となる。従って、容量Ｃ１とＣ_d の合成値Ｃは、Ｃ＝Ｃ_d ・Ｃ１／（Ｃ_d ＋Ｃ１）であるので、接合容量Ｃ_d がＣ１よりも十分に小さいダ
イオードを使用すれば、前述のダイオードによる電荷の
逆流阻止効果に加えて電圧振動の原因となる容量を更に
小さくすることが可能となる。よって、最初のピークの
後は電圧振動は速やかに減衰し、またスイッチ素子ＳＷ
１がオフしたときに発生する主コイルＬ_Hの駆動電流の
振動も図３（ａ）のように振幅は小さくなり、速やかに
減衰して適正電流Ｃに早く整定する。一方、Ｂ点におい
てもダイオードＤ２の働きによって電圧振動は速やかに
減衰し、またスイッチ素子ＳＷ２がオフしたときの駆動
電流の振動も図３（ａ）のように速やかに減衰する。

【００２０】このように本実施例では、各補助コイルと
主コイルの接続点と各スイッチ素子の間にそれぞれダイ
オードを設けたことにより、スイッチ素子の端子間容量
の蓄積電荷の逆流を阻止し、またスイッチ素子の有する
容量を見かけ上小さくできるために、スイッチ素子の容
量と主コイルのインダクタンスで発生する電圧や電流の
振動を効果的に抑制することができる。従って、主コイ
ルの駆動電流が反転したときに駆動電流がより早く適正
値に整定されるため、記録信号の周波数を高めた場合に
おいても十分に対処でき、高速記録に好適な磁気ヘッド
駆動装置として提供することができる。また、スイッチ
素子としてＭＯＳ型ＦＥＴを使用した場合は、前述のよ
うに素子内の寄生ダイオードのために、電流振動が増長
されるのであるが、後述するようにＭＯＳ型ＦＥＴを使
用しても電流振動が増長されることはなく、主コイルの
電流振動を効果的に抑制することができる。

【００２１】図５は本発明の他の実施例を示した回路図
である。この実施例は、ダイオードＤ１、Ｄ２に加えて
スイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２と並列にそれぞれ抵抗器Ｒ
３、Ｒ４を設けた例である。その他の構成は図１と同じ
である。図１の実施例では、前述のようにスイッチ素子
ＳＷ１がオフに転じた場合、ダイオードＤ１を通してス
イッチ素子ＳＷ１の端子間容量Ｃ１に電荷が流入して端
子間容量Ｃ１に蓄積され、ダイオードＤ１は逆バイアス
された状態となる。そして、スイッチ素子ＳＷ１が再び
オンすると、前記の蓄積電荷はスイッチ素子ＳＷ１を通
して放電され、Ａ点の電圧が低下することによってダイ
オードＤ１の逆バイアスは解除される。こうしてダイオ
ードＤ１の逆バイアスが解除されると、ようやく主コイ
ルＬ_H の駆動電流がダイオードＤ１を介してスイッチ素
子ＳＷ１に流れるようになる。

【００２２】このようにスイッチ素子ＳＷ１がオンした
場合、主コイルＬ_H の駆動電流がスイッチＳＷ１に流れ
るまでに時間遅れが生じ、駆動電流の反転時間が長くな
ってしまう。この様子を図３（ａ）に示しており、前述
のような駆動電流の遅れは破線で囲んだＤ部の電流反転
開始直後に電流の変化速度が緩やかになるといった現象
で現われる。こうした現象は他方のスイッチ素子ＳＷ２
がオンした場合にも発生する。

【００２３】そこで、本実施例の動作について説明す
る。図６は本実施例の各部の信号を示した図で、図６
（ａ）は主コイルＬ_H の駆動電流、図６（ｂ）はＡ点の
電圧、図６（ａ）、（ｄ）はスイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ
２の動作状態を示した図である。本実施例では、スイッ
チ素子ＳＷ１がオフしたときにスイッチ素子ＳＷ１の端
子間容量Ｃ１に電荷が流入するため、図６（ｂ）のよう
にＡ点の電圧は急上昇し、また一方で抵抗器Ｒ３を通し
て放電されるので、電圧のピークを経た後は徐々に低下
していく。そして、再びスイッチ素子ＳＷ１がオンした
時点では蓄積電荷は十分に放電し、Ａ点の電圧は図６
（ｂ）のように十分に低下する。また、他方のＢ点の電
圧も全く同様にスイッチ素子ＳＷ２がオンしたときは十
分に低下する。従って、スイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２が
オンしたときにＡ、Ｂ点の電圧は十分に低いので、図６
（ａ）にＤで示すように電流反転開始直後の電流の変化
は急峻となり、駆動電流の反転時間を早めることができ
る。

【００２４】なお、抵抗器Ｒ３、Ｒ４の抵抗値として
は、スイッチ素子ＳＷ１、ＳＷ２の直流抵抗分に比べて
十分に大きな値（例えば、１００倍以上）とし、また電
流反転の周期（記録信号の周期）に応じて蓄積電荷の放
電時定数が適切になるように設定すればよい。更に、抵
抗器以外の同等の機能を有する素子を用いて蓄積電荷を
放電するようにしてもよい。

【００２５】図７は本発明の更に他の実施例を示した回
路図である。この実施例は、スイッチ素子としてＭＯＳ
型ＦＥＴを使用した例である。図７において、Ｔ１及び
Ｔ２はスイッチ素子としてのＭＯＳ型ＦＥＴである。こ
うしたＭＯＳ型ＦＥＴは前述のように電流を高速でスイ
ッチングする点で磁気ヘッドの駆動に適しているが、そ
の構造上ドレイン−ソース間にダイオードが寄生するた
め、主コイルＬ_H の駆動電流の整定性を悪化させる原因
となっている。Ｄ３及びＤ４はそのＭＯＳ型ＦＥＴＴ１
及びＴ２に寄生するダイオード、Ｃ１及びＣ２は端子間
容量である。また、Ｄ１及びＤ２は図１の実施例で説明
したように主コイルＬ_H の駆動電流の振動を抑制するた
めのダイオード、Ｒ３及びＲ４は図５の実施例で説明し
たように蓄積電荷を放電するための抵抗器である。

【００２６】次に、本実施例の動作を説明する。始め
に、ダイオードＤ１及びＤ２、抵抗器Ｒ３及びＲ４がな
い場合の動作を図８に基づいて説明する。図８（ａ）は
主コイルＬ_H の駆動電流、図８（ｂ）はＡ点の電圧、図
８（ｃ）、（ｄ）はＭＯＳ型ＦＥＴＴ１、Ｔ２の動作状
態を示した図である。ダイオードＤ１、Ｄ２と抵抗器Ｒ
３、Ｒ４がない場合、Ａ点の電圧はＦＥＴＴ１がオンし
ている間は図８（ｂ）のようにほぼ０であるが、オフに
転じると振動を開始する。この振動は前述のように主コ
イルＬ_H のインダクタンスとＦＥＴＴ１の容量Ｃ１によ
って発生する。

【００２７】振動を開始すると、Ａ点の電圧は容量Ｃ１
へ電荷が流入するために、図８（ｂ）のように上昇して
ピークへ達し、ピークへ達した後は容量Ｃ１の蓄積電荷
は主コイルＬ_H とダンピング用抵抗器Ｒ_d 側へ放電され
るので、Ａ点の電圧は図８（ｂ）のように下降してい
く。この間、寄生ダイオードＤ３は逆バイアス状態であ
るが、Ａ点の電圧が十分に低下すると、今度は寄生ダイ
オードＤ３は順バイアスされ、直流電源Ｖのグランドか
ら電流が逆流するために、図８（ｂ）のようにＡ点の電
圧は寄生ダイオードＤ３の順方向降下分だけ負電圧とな
る。また、この寄生ダイオードＤ３に逆流する電流は主
コイルＬ_H を通って他方のＦＥＴＴ２に流れるので、主
コイルＬ_H の駆動電流は図８（ａ）のように反転後に一
時的に過大となり、適正な電流に整定するまでかなりの
時間を要することになる。

【００２８】次に、ダイオードＤ１とＤ２及び抵抗器Ｒ
３とＲ４を設けた場合の動作を図９に基づいて説明す
る。図９（ａ）は主コイルＬ_H の駆動電流、図９（ｂ）
はＡ点の電圧、図９（ｃ）、（ｄ）はＦＥＴＴ１、Ｔ２
の動作状態を示した図である。ダイオードＤ１、Ｄ２及
び抵抗器Ｒ３、Ｒ４を設けた場合も、Ａ点の電圧は同様
にＦＥＴＴ１がオフしたときに図９（ｂ）のように容量
Ｃ１に電荷が流入するため急激に上昇する。ピークを経
た後は、ここではダイオードＤ１を設けているために、
主コイルＬ_H 側へ電流が逆流することはなく、ダイオー
ドＤ１は逆バイアス状態となる。このとき、端子間容量
Ｃ１は前述のようにダイオードＤ１の接合容量Ｃ_d との
合成値になるので、容量Ｃ１は実質的に小さくなってＡ
点の電圧の振動は図９（ｂ）のように速やかに減衰す
る。また、寄生ダイオードＤ３にもＡ点の電圧が印加さ
れるので、寄生ダイオードＤ３が順バイアスされること
はなく電流が寄生ダイオードＤ３を通じて逆流すること
はない。

【００２９】一方、ＦＥＴＴ１の容量Ｃ１の蓄積電荷は
抵抗器Ｒ３を通じて放電されるために、Ａ点の電圧は図
９（ｂ）のように徐々に低下し、再びＦＥＴＴ１がオン
したときは十分に低くなる。この結果、図９（ａ）のよ
うに主コイルＬ_H の駆動電流の電流反転直後の電流振動
振幅は小さくなり、また速やかに減衰して適正電流に早
く整定する。更に、抵抗器Ｒ３による放電効果のため
に、主コイルＬ_H の駆動電流の反転開始時の電流変化も
図９（ａ）のように急峻となって電流反転時間を早くす
ることができる。なお、他方のＦＥＴＴ２側においても
ダイオードＤ２と抵抗器Ｒ４を設けたことによって駆動
電流の振動は速やかに減衰し、また電流反転時間も早く
なる。

【００３０】このように本実施例では、スイッチ素子と
してＭＯＳ型ＦＥＴを使用しても、ダイオードＤ１とＤ
２を設けたことにより、寄生ダイオードの影響によって
主コイルの駆動電流の整定性が悪化することを防止で
き、また抵抗器Ｒ３、Ｒ４を設けたことによって駆動電
流の電流反転時間を早くすることができる。従って、Ｍ
ＯＳ型ＦＥＴの高速スイッチング特性を活かしたピット
エッジ記録に好適な磁気ヘッド駆動装置として提供で
き、加えて前述のように電流振動を速やかに減衰して適
正電流に早く整定するために、更に高速記録の磁気ヘッ
ド駆動装置として提供することができる。

【００３１】なお、以上の実施例で説明したダイオード
Ｄ１、Ｄ２としては、接合容量が小さく、逆回復時間が
早く、更には順方向降下電圧の小さい特性を有するもの
が望ましく、こうした要求に応えるものとしては、ショ
ットキーバリアダイオードが最も適している。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、補助コイ
ルと磁気ヘッドの各接続点と各スイッチ素子の間にそれ
ぞれダイオードを設けたことにより、主コイルの駆動電
流の電流振動を効果的に抑制でき、これによって駆動電
流を適正電流により早く整定することができる。更に前
記スイッチ素子がオフである間にスイッチ素子の端子間
に蓄積された電荷を放電させるための素子を設けたこと
により、駆動電流の反転時間を早めることができる。従
って、記録信号の周波数を高くした場合においても十分
に対処でき、情報の高速記録に大きく寄与することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッド駆動装置の一実施例を示し
た回路図である。

【図２】図１の実施例でダイオードＤ１、Ｄ２がないと
仮定した場合の各部の信号を示したタイムチャートであ
る。

【図３】図１の実施例の各部の信号を示したタイムチャ
ートである。

【図４】図１の実施例のダイオードＤ１を等価的にその
接合容量で置き換えて示した回路図である。

【図５】本発明の他の実施例を示した回路図である。

【図６】図５の実施例の各部の信号を示したタイムチャ
ートである。

【図７】本発明の更に他の実施例を示した回路図であ
る。

【図８】図７の実施例でダイオードＤ１、Ｄ２及び抵抗
器Ｒ３、Ｒ４がないと仮定した場合の各部の信号を示し
たタイムチャートである。

【図９】図７の実施例の各部の信号を示したタイムチャ
ートである。

【図１０】磁界変調方式の光磁気記録装置の概略構成を
示した構成図である。

【図１１】従来例の磁気ヘッド駆動装置を示した回路図
である。

【符号の説明】

１光磁気ディスク３磁気ヘッド４光ヘッドＬ１、Ｌ２補助コイルＬ_H 主コイルＲ１〜Ｒ４抵抗器Ｒ_d ダンビング用抵抗器Ｄ１、Ｄ２ダイオードＤ３、Ｄ４寄生ダイオードＴ１、Ｔ２ＭＯＳ型ＦＥＴＣ１、Ｃ２端子間容量

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/02 G11B 11/10

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の補助コイルと、この一対の補助コ
イルにそれぞれ直列に接続された一対のスイッチ素子と
を有し、この一対のスイッチ素子を情報信号に応じて交
互にオン／オフ駆動することにより、前記一対の補助コ
イルと一対のスイッチ素子の各接続点間に設けられた磁
気ヘッドの駆動電流の方向を切り換える磁気ヘッド駆動
装置において、前記補助コイルと磁気ヘッドの各接続点
と各スイッチ素子の間に、それぞれ前記磁気ヘッドの駆
動電流の電流振動を抑制するためのダイオードを設け、
更に前記スイッチ素子がオフである間に前記スイッチ素
子の端子間に蓄積された電荷を放電させるための素子を
設けたことを特徴とする磁気ヘッド駆動装置。
【請求項２】前記スイッチ素子の端子間に蓄積された
電荷を放電させるための素子は、前記スイッチ素子と前
記ダイオードの間に接続した抵抗であることを特徴とす
る請求項１の磁気ヘッド駆動装置。
【請求項３】光磁気記録媒体に光ビームを照射する光
ヘッドと、前記記録媒体の表面近傍に設けられた磁気ヘ
ッドと、この磁気ヘッドを駆動して該磁気ヘッドの磁界
を情報信号に応じて変調する磁気ヘッド駆動回路とを有
し、前記記録媒体に前記光ヘッドから光ビームを照射し
ながら前記磁気ヘッドから変調磁界を印加することによ
り情報の記録を行う光磁気記録装置において、前記磁気
ヘッド駆動回路は、一対の補助コイルと、この一対の補
助コイルにそれぞれ直列に接続された一対のスイッチ素
子からなり、このスイッチ素子を情報信号に応じて交互
にオン／オフ駆動することにより、前記一対の補助コイ
ルと一対のスイッチ素子の各接続点間に設けられた磁気
ヘッドの駆動電流の方向を切り換えると共に、前記補助
コイルと磁気ヘッドの各接続点と各スイッチ素子の間に
は、それぞれ前記磁気ヘッドの駆動電流の電流振動を抑
制するためのダイオードを設け、更に前記スイッチ素子
がオフである間に前記スイッチ素子の端子間に蓄積され
た電荷を放電させるための素子を設けたことを特徴とす
る光磁気記録装置。
【請求項４】前記スイッチ素子の端子間に蓄積された
電荷を放電させるための素子は、前記スイッチ素子と前
記ダイオードの間に接続した抵抗であることを特徴とす
る請求項３の光磁気記録装置。