JP2519798Y2 - デイジタル記録回路 - Google Patents
デイジタル記録回路Info
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- JP2519798Y2 JP2519798Y2 JP1991112007U JP11200791U JP2519798Y2 JP 2519798 Y2 JP2519798 Y2 JP 2519798Y2 JP 1991112007 U JP1991112007 U JP 1991112007U JP 11200791 U JP11200791 U JP 11200791U JP 2519798 Y2 JP2519798 Y2 JP 2519798Y2
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- Japan
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- magnetic head
- semiconductor switch
- power supply
- current
- digital recording
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10508—Recording by modulating only the magnetic field at the transducer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
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- Digital Magnetic Recording (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は記録媒体にディジタル信
号を磁気記録又は光磁気記録するためのディジタル記録
回路に関する。
号を磁気記録又は光磁気記録するためのディジタル記録
回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ヘッドはインダクタンスを有するの
で、磁気ヘッドによって高い周波数（短い周期）のディ
ジタル信号を記録する場合には、高インピーダンスにな
る。このため高周波の信号を磁気ヘッドで記録する場合
には高い駆動電圧が必要になる。高い電圧を得るために
ＬＣ共振回路を構成することも考えられるが、記録信号
の周波数が広い範囲で変化する場合にはＬＣ共振動作を
維持することが困難になる。
で、磁気ヘッドによって高い周波数（短い周期）のディ
ジタル信号を記録する場合には、高インピーダンスにな
る。このため高周波の信号を磁気ヘッドで記録する場合
には高い駆動電圧が必要になる。高い電圧を得るために
ＬＣ共振回路を構成することも考えられるが、記録信号
の周波数が広い範囲で変化する場合にはＬＣ共振動作を
維持することが困難になる。
【０００３】上記問題点を解決するために本件出願人
は、特願平２−７６３９７号によって図１に示すような
光磁気記録のためのディジタル記録回路装置を提案し
た。この回路装置においては、回転装置（図示せず）に
よって回転されるディスク状磁気記録媒体１に信号を光
磁気記録するために、磁気ヘッド２が対向配置されてい
ると共に、光ビーム３を投射するための対物レンズ４が
配置されている。この例では光ビーム３は無変調ビーム
である。従って、記録媒体１は磁気ヘッド２の電流に対
応するように磁化される。
は、特願平２−７６３９７号によって図１に示すような
光磁気記録のためのディジタル記録回路装置を提案し
た。この回路装置においては、回転装置（図示せず）に
よって回転されるディスク状磁気記録媒体１に信号を光
磁気記録するために、磁気ヘッド２が対向配置されてい
ると共に、光ビーム３を投射するための対物レンズ４が
配置されている。この例では光ビーム３は無変調ビーム
である。従って、記録媒体１は磁気ヘッド２の電流に対
応するように磁化される。
【０００４】直流駆動電源５の一端と磁気ヘッド２の一
端との間には、チョークコイル（リアクトル）から成る
第１のインダクタンス素子６が接続され、また駆動電源
５の一端と磁気ヘッド２の他端との間には第２のインダ
クタンス素子７が接続されている。磁気ヘッド２の一端
即ち第１のインダクタンス素子６の下端と駆動電源５の
他端即ちグランド（共通ライン）との間にはサブストレ
ートがソースに接続された絶縁ゲート型（ＭＯＳ型）電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）から成る第１の半導体ス
イッチ８が接続され、また磁気ヘッド２の他端即ち第２
のインダクタンス素子７の下端とグランドとの間にはＦ
ＥＴから成る第２の半導体スイッチ９が接続されてい
る。第１及び第２の半導体スイッチ８、９を交互にオン
・オフするための制御回路としてパルス発生回路１０と
ＮＯＴ回路（インバータ）１１とが設けられている。パ
ルス発生回路１０はライン１２のディジタル記録信号に
対応したパルス列を第１の電圧レベル（低レベル）と第
２の電圧レベル（高レベル）とを交互に有するように発
生する。ＮＯＴ回路１１はパルス発生回路１０の出力を
反転して第１の半導体スイッチ８を制御する。第２の半
導体スイッチ９にはパルス発生回路１０の非反転出力が
与えられる。
端との間には、チョークコイル（リアクトル）から成る
第１のインダクタンス素子６が接続され、また駆動電源
５の一端と磁気ヘッド２の他端との間には第２のインダ
クタンス素子７が接続されている。磁気ヘッド２の一端
即ち第１のインダクタンス素子６の下端と駆動電源５の
他端即ちグランド（共通ライン）との間にはサブストレ
ートがソースに接続された絶縁ゲート型（ＭＯＳ型）電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）から成る第１の半導体ス
イッチ８が接続され、また磁気ヘッド２の他端即ち第２
のインダクタンス素子７の下端とグランドとの間にはＦ
ＥＴから成る第２の半導体スイッチ９が接続されてい
る。第１及び第２の半導体スイッチ８、９を交互にオン
・オフするための制御回路としてパルス発生回路１０と
ＮＯＴ回路（インバータ）１１とが設けられている。パ
ルス発生回路１０はライン１２のディジタル記録信号に
対応したパルス列を第１の電圧レベル（低レベル）と第
２の電圧レベル（高レベル）とを交互に有するように発
生する。ＮＯＴ回路１１はパルス発生回路１０の出力を
反転して第１の半導体スイッチ８を制御する。第２の半
導体スイッチ９にはパルス発生回路１０の非反転出力が
与えられる。
【０００５】この記録回路において、パルス発生回路１
０の出力が低レベルの期間には、第１の半導体スイッチ
８がオンに制御され、第２の半導体スイッチ９がオフに
制御される。これにより、電源５と第１のインダクタン
ス素子６と第１の半導体スイッチ８とから成る閉回路が
形成され、第１のインダクタンス素子６に電流が流れ、
ここにエネルギーが蓄積される。次に、パルス発生回路
１０の出力が高レベルになると、第１の半導体スイッチ
８がオフに制御され、第２の半導体スイッチ９がオンに
制御される。この結果、電源５と第１のインダクタンス
素子６と磁気ヘッド２と第２の半導体スイッチ９とから
成る閉回路が形成され、電源５の電圧と第１のインダク
タンス素子６の誘起電圧との和が磁気ヘッド２に印加さ
れ、大きな記録電流が流れる。要するに、電源５のエネ
ルギーと第１のインダクタンス素子６の蓄積エネルギー
との両方で磁気ヘッド２が駆動され、磁気ヘッド２に第
１の方向の電流が流れる。この期間には同時に電源５と
第２のインダクタンス素子７と第２の半導体スイッチ９
とから成る閉回路も形成されるので、第２のインダクタ
ンス素子７にエネルギーが蓄積される。次に、再び第１
の半導体スイッチ８がオンになり、第２の半導体スイッ
チ９がオフになると、電源５と第２のインダクタンス素
子７と磁気ヘッド２と第１の半導体スイッチ８とから成
る閉回路が形成され、電源５のエネルギーと第２のイン
ダクタンス素子７のエネルギーとに基づいて磁気ヘッド
２に第２の方向の電流が流れる。これと同時に第１のイ
ンダクタンス素子６にも電流が流れ、ここにエネルギー
が蓄積される。このように第１の方向の電流と第２の方
向の電流とが交互に流れることによって記録媒体１上に
パルス列に対応した配置のＮ極磁化領域とＳ極磁化領域
が生じる。
０の出力が低レベルの期間には、第１の半導体スイッチ
８がオンに制御され、第２の半導体スイッチ９がオフに
制御される。これにより、電源５と第１のインダクタン
ス素子６と第１の半導体スイッチ８とから成る閉回路が
形成され、第１のインダクタンス素子６に電流が流れ、
ここにエネルギーが蓄積される。次に、パルス発生回路
１０の出力が高レベルになると、第１の半導体スイッチ
８がオフに制御され、第２の半導体スイッチ９がオンに
制御される。この結果、電源５と第１のインダクタンス
素子６と磁気ヘッド２と第２の半導体スイッチ９とから
成る閉回路が形成され、電源５の電圧と第１のインダク
タンス素子６の誘起電圧との和が磁気ヘッド２に印加さ
れ、大きな記録電流が流れる。要するに、電源５のエネ
ルギーと第１のインダクタンス素子６の蓄積エネルギー
との両方で磁気ヘッド２が駆動され、磁気ヘッド２に第
１の方向の電流が流れる。この期間には同時に電源５と
第２のインダクタンス素子７と第２の半導体スイッチ９
とから成る閉回路も形成されるので、第２のインダクタ
ンス素子７にエネルギーが蓄積される。次に、再び第１
の半導体スイッチ８がオンになり、第２の半導体スイッ
チ９がオフになると、電源５と第２のインダクタンス素
子７と磁気ヘッド２と第１の半導体スイッチ８とから成
る閉回路が形成され、電源５のエネルギーと第２のイン
ダクタンス素子７のエネルギーとに基づいて磁気ヘッド
２に第２の方向の電流が流れる。これと同時に第１のイ
ンダクタンス素子６にも電流が流れ、ここにエネルギー
が蓄積される。このように第１の方向の電流と第２の方
向の電流とが交互に流れることによって記録媒体１上に
パルス列に対応した配置のＮ極磁化領域とＳ極磁化領域
が生じる。
【０００６】図１の回路において、第１及び第２のイン
ダクタンス素子６、７のインダクタンス値Ｌ1 、Ｌ2 は
例えば６８０μＨであり、磁気ヘッド２のインダクタン
ス値Ｌ3 （例えば１０μＨ）よりも十分に大きく設定さ
れている。このため、第１及び第２のインダクタンス素
子６、７による昇圧作用及び定電流化作用が生じ、駆動
電源５の電圧が低い場合であっても磁気ヘッド２に大き
な電流を流すことができる。
ダクタンス素子６、７のインダクタンス値Ｌ1 、Ｌ2 は
例えば６８０μＨであり、磁気ヘッド２のインダクタン
ス値Ｌ3 （例えば１０μＨ）よりも十分に大きく設定さ
れている。このため、第１及び第２のインダクタンス素
子６、７による昇圧作用及び定電流化作用が生じ、駆動
電源５の電圧が低い場合であっても磁気ヘッド２に大き
な電流を流すことができる。
【０００７】
【考案が解決しようとする課題】ところで、サブストレ
ートをソースに接続した構造の絶縁ゲート型ＦＥＴから
成る半導体スイッチ８、９は図２に示すように、スイッ
チ部ＳＷと、ダイオードＤと、ドレイン・ソース間容量
Ｃ1 と、ソース・ゲート間容量Ｃ2 と、ドレイン・ソー
ス間容量Ｃ3 とで等価的に表わすことができる。従っ
て、スイッチ部ＳＷがオフの期間でもダイオードＤ又は
コンデンサＣ1 〜Ｃ3 を通って電流が流れる。このた
め、磁気ヘッド２に流れる電流Ｉh は定電流にならずに
図３に示すように変動する。図３のｔ0 〜ｔ1 に示す第
２の半導体スイッチ９がオンの期間に第１のインダクタ
ンス素子６を介してヘッド２に流れる電流Ｉ1 は図３に
示すようにほぼ平坦な波形で示すことができる。一方、
ヘッド２とこの半導体スイッチ９と第１の半導体スイッ
チ８とから成る閉回路にヘッド２のインダクタンスの蓄
積エネルギーに基づいて流れる電流Ｉ2 は時間と共に変
化する波形になる。ヘッド電流Ｉh はＩ1 とＩ2 の合成
であるので、電流Ｉ2 の変動を伴っている。第１及び第
２の半導体スイッチ８、９の制御パルスの幅が変化する
と、ヘッド電流Ｉhの最小値が変化する。即ち、ヘッド
電流Ｉh の変動はパルス幅の変化に拘らず同様に発生す
るので、図３で例えばパルス幅がｔ0 〜ｔa の時とｔ0
〜ｔb の時ではヘッド電流Ｉh の最小値に変化が生じ
る。要求される最小磁界を確保するために要求される最
小電流以上の電流を流すことが必要になる。今、図３の
ｔb におけるヘッド電流Ｉh の値が要求される最小電流
値であるとすれば、ｔ0 〜ｔb よりもパルス幅が狭いｔ
0 〜ｔa の時には、必要以上に大きい電流を流している
ことになり、損失が大きくなる。
ートをソースに接続した構造の絶縁ゲート型ＦＥＴから
成る半導体スイッチ８、９は図２に示すように、スイッ
チ部ＳＷと、ダイオードＤと、ドレイン・ソース間容量
Ｃ1 と、ソース・ゲート間容量Ｃ2 と、ドレイン・ソー
ス間容量Ｃ3 とで等価的に表わすことができる。従っ
て、スイッチ部ＳＷがオフの期間でもダイオードＤ又は
コンデンサＣ1 〜Ｃ3 を通って電流が流れる。このた
め、磁気ヘッド２に流れる電流Ｉh は定電流にならずに
図３に示すように変動する。図３のｔ0 〜ｔ1 に示す第
２の半導体スイッチ９がオンの期間に第１のインダクタ
ンス素子６を介してヘッド２に流れる電流Ｉ1 は図３に
示すようにほぼ平坦な波形で示すことができる。一方、
ヘッド２とこの半導体スイッチ９と第１の半導体スイッ
チ８とから成る閉回路にヘッド２のインダクタンスの蓄
積エネルギーに基づいて流れる電流Ｉ2 は時間と共に変
化する波形になる。ヘッド電流Ｉh はＩ1 とＩ2 の合成
であるので、電流Ｉ2 の変動を伴っている。第１及び第
２の半導体スイッチ８、９の制御パルスの幅が変化する
と、ヘッド電流Ｉhの最小値が変化する。即ち、ヘッド
電流Ｉh の変動はパルス幅の変化に拘らず同様に発生す
るので、図３で例えばパルス幅がｔ0 〜ｔa の時とｔ0
〜ｔb の時ではヘッド電流Ｉh の最小値に変化が生じ
る。要求される最小磁界を確保するために要求される最
小電流以上の電流を流すことが必要になる。今、図３の
ｔb におけるヘッド電流Ｉh の値が要求される最小電流
値であるとすれば、ｔ0 〜ｔb よりもパルス幅が狭いｔ
0 〜ｔa の時には、必要以上に大きい電流を流している
ことになり、損失が大きくなる。
【０００８】そこで本考案の目的は磁気ヘッドを低電圧
駆動することができ且つ磁気ヘッドの電流の平坦性を良
くすることができるディジタル記録回路を提供すること
にある。
駆動することができ且つ磁気ヘッドの電流の平坦性を良
くすることができるディジタル記録回路を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本考案は、駆動電源と、磁気ヘッドと、前記駆動電源
の一端と前記磁気ヘッドの一端との間に接続された第１
のインダクタンス素子と、前記駆動電源の一端と前記磁
気ヘッドの他端との間に接続された第２のインダクタン
ス素子と、前記磁気ヘッドの一端と前記駆動電源の他端
との間に接続された第１の半導体スイッチと、前記磁気
ヘッドの他端と前記駆動電源の他端との間に接続された
第２の半導体スイッチと、ディジタル記録信号に対応し
て第１の電圧レベルと第２の電圧レベルとを交互に有す
るパルス列を発生し、前記第１の電圧レベルの期間に前
記第１の半導体スイッチをオン状態にし、前記第２の電
圧レベルの期間に前記第２の半導体スイッチをオン状態
にするスイッチ制御回路とから成るディジタル記録回路
において、前記第１及び第２の半導体スイッチに直列に
第１及び第２の逆流阻止用ダイオードが接続されている
ことを特徴とするディジタル記録回路に係わるものであ
る。なお、逆流阻止用ダイオードを接続すると、リンギ
ングが生じるので、これを防ぐために請求項２に示すよ
うにリンギング防止用インダクタンス素子を接続するこ
と及び請求項３に示すように抵抗を接続することが望ま
しい。
の本考案は、駆動電源と、磁気ヘッドと、前記駆動電源
の一端と前記磁気ヘッドの一端との間に接続された第１
のインダクタンス素子と、前記駆動電源の一端と前記磁
気ヘッドの他端との間に接続された第２のインダクタン
ス素子と、前記磁気ヘッドの一端と前記駆動電源の他端
との間に接続された第１の半導体スイッチと、前記磁気
ヘッドの他端と前記駆動電源の他端との間に接続された
第２の半導体スイッチと、ディジタル記録信号に対応し
て第１の電圧レベルと第２の電圧レベルとを交互に有す
るパルス列を発生し、前記第１の電圧レベルの期間に前
記第１の半導体スイッチをオン状態にし、前記第２の電
圧レベルの期間に前記第２の半導体スイッチをオン状態
にするスイッチ制御回路とから成るディジタル記録回路
において、前記第１及び第２の半導体スイッチに直列に
第１及び第２の逆流阻止用ダイオードが接続されている
ことを特徴とするディジタル記録回路に係わるものであ
る。なお、逆流阻止用ダイオードを接続すると、リンギ
ングが生じるので、これを防ぐために請求項２に示すよ
うにリンギング防止用インダクタンス素子を接続するこ
と及び請求項３に示すように抵抗を接続することが望ま
しい。
【００１０】
【作用及び効果】本考案に従う第１及び第２の逆流阻止
用ダイオードは第１及び第２の半導体スイッチの寄生容
量又は寄生ダイオードを通って流れようとする電流を阻
止する。このため、図３で示した電流Ｉ2 が阻止され、
ヘッド電流の平坦性が良くなる。請求項２及び３によれ
ばリンギングを防止することができる。
用ダイオードは第１及び第２の半導体スイッチの寄生容
量又は寄生ダイオードを通って流れようとする電流を阻
止する。このため、図３で示した電流Ｉ2 が阻止され、
ヘッド電流の平坦性が良くなる。請求項２及び３によれ
ばリンギングを防止することができる。
【００１１】
【実施例】次に、図４を参照して本考案の実施例に係わ
る光磁気記録のためのディジタル記録回路を説明する。
但し、図４において符号１〜１２で示すものは図１で同
一の符号で示すものと同一であるので、その説明を省略
する。
る光磁気記録のためのディジタル記録回路を説明する。
但し、図４において符号１〜１２で示すものは図１で同
一の符号で示すものと同一であるので、その説明を省略
する。
【００１２】図４の回路は、図１の回路に第１及び第２
の逆流阻止用ダイオード１３、１４と、第１及び第２の
リンギング防止用インダクタンス素子１５、１６と、第
１及び第２のリンギング防止用抵抗１７、１８とを付加
することによって構成されている。第１及び第２の逆流
阻止用ダイオードはファーストリカバリーダイオード
（逆回復時間の短いダイオード）であって、第１及び第
２の半導体スイッチ８、９に夫々直列接続されている。
即ち、第１及び第２の接続分岐点１９、２０と第１及び
第２の半導体スイッチ８、９との間に接続されている。
の逆流阻止用ダイオード１３、１４と、第１及び第２の
リンギング防止用インダクタンス素子１５、１６と、第
１及び第２のリンギング防止用抵抗１７、１８とを付加
することによって構成されている。第１及び第２の逆流
阻止用ダイオードはファーストリカバリーダイオード
（逆回復時間の短いダイオード）であって、第１及び第
２の半導体スイッチ８、９に夫々直列接続されている。
即ち、第１及び第２の接続分岐点１９、２０と第１及び
第２の半導体スイッチ８、９との間に接続されている。
【００１３】リンギング防止用インダクタンス素子１
５、１６は円筒形磁性体コアとしてのフェライトビーズ
に導線を貫通させた１ターン構成のインダクタンス素子
であり、第１及び第２の接続分岐点１９、２０と第１及
び第２の逆流阻止用ダイオード１３、１４との間に接続
されている。
５、１６は円筒形磁性体コアとしてのフェライトビーズ
に導線を貫通させた１ターン構成のインダクタンス素子
であり、第１及び第２の接続分岐点１９、２０と第１及
び第２の逆流阻止用ダイオード１３、１４との間に接続
されている。
【００１４】リンギング防止用抵抗１７、１８は第１及
び第２のリンギング防止用インダクタンス素子１５、１
６を介してヘッド２に並列接続されている。なお、２つ
の抵抗１７、１８の接続中点はグランドに接続されてい
る。
び第２のリンギング防止用インダクタンス素子１５、１
６を介してヘッド２に並列接続されている。なお、２つ
の抵抗１７、１８の接続中点はグランドに接続されてい
る。
【００１５】各部を更に具体的に説明すると、第１及び
第２のインダクタンス素子６、７の値は夫々約６８０μ
Ｈであり、磁気ヘッド２のインダクタンス値は約１０μ
Ｈであり、フェライトビーズは（株）村田製作所のＢＬ
ＯＩＲＮＩ−６２Ａであり、抵抗１７、１８は夫々５０
０Ωであり、半導体スイッチ８、９はＦＥＴの２ＳＫ７
６２である。また、駆動電源５は１０００ｐＦのコンデ
ンサを一対の電源ライン間に有する。
第２のインダクタンス素子６、７の値は夫々約６８０μ
Ｈであり、磁気ヘッド２のインダクタンス値は約１０μ
Ｈであり、フェライトビーズは（株）村田製作所のＢＬ
ＯＩＲＮＩ−６２Ａであり、抵抗１７、１８は夫々５０
０Ωであり、半導体スイッチ８、９はＦＥＴの２ＳＫ７
６２である。また、駆動電源５は１０００ｐＦのコンデ
ンサを一対の電源ライン間に有する。
【００１６】図４の回路の逆流阻止用ダイオード１３、
１４は図３の電流Ｉ2 が流れることを阻止する。この結
果、ヘッド２の電流Ｉh を図５に示すように平坦にする
ことができる。これにより、パルス幅の変化に無関係に
一定の最小電流を流すことができる。また、逆流阻止用
ダイオード１３、１４を付加したのみでは高い周波数の
リンギングが生じることがあるが、リンギング防止用イ
ンダクタンス素子１５、１６及び抵抗１７、１８を付加
することによってこれを除去することができる。
１４は図３の電流Ｉ2 が流れることを阻止する。この結
果、ヘッド２の電流Ｉh を図５に示すように平坦にする
ことができる。これにより、パルス幅の変化に無関係に
一定の最小電流を流すことができる。また、逆流阻止用
ダイオード１３、１４を付加したのみでは高い周波数の
リンギングが生じることがあるが、リンギング防止用イ
ンダクタンス素子１５、１６及び抵抗１７、１８を付加
することによってこれを除去することができる。
【００１７】本考案は上述の実施例に限定されるもので
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図６に示すようにヘッド２に並列に１つの抵抗
１９を接続し、中間点をグランドに接続しない構成にす
ることができる。 （２） 図６に示すようにリンギング防止用インダクタ
ンス素子１５、１６を省いた構成にすることができる。
また、図４及び図６において抵抗１７、１８、１９を省
くこともできる。 （３） 第１及び第２の逆流阻止用ダイオード１３、１
４を第１及び第２の半導体スイッチ８、９のソース側に
移すことができる。また、このダイオード１３、１４を
ショットキバリアダイオードにすることができる。 （４） 光ビーム３を伴わないで磁気ヘッド２のみで磁
気記録する場合にも本考案を適用することができる。
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図６に示すようにヘッド２に並列に１つの抵抗
１９を接続し、中間点をグランドに接続しない構成にす
ることができる。 （２） 図６に示すようにリンギング防止用インダクタ
ンス素子１５、１６を省いた構成にすることができる。
また、図４及び図６において抵抗１７、１８、１９を省
くこともできる。 （３） 第１及び第２の逆流阻止用ダイオード１３、１
４を第１及び第２の半導体スイッチ８、９のソース側に
移すことができる。また、このダイオード１３、１４を
ショットキバリアダイオードにすることができる。 （４） 光ビーム３を伴わないで磁気ヘッド２のみで磁
気記録する場合にも本考案を適用することができる。
【図１】従来のディジタル記録回路を示す回路図であ
る。
る。
【図２】絶縁ゲート型ＦＥＴの等価回路図である。
【図３】図１の各部の電流を示す波形図である。
【図４】本考案の実施例に係わるディジタル記録回路を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図５】図４のヘッド電流を示す波形図である。
【図６】変形例のディジタル記録回路を示す回路図であ
る。
る。
２ 磁気ヘッド ６、７ インダクタンス素子 ８、９ スイッチ １３、１４ 逆流阻止用ダイオード
Claims (3)
- 【請求項１】 駆動電源と、 磁気ヘッドと、 前記駆動電源の一端と前記磁気ヘッドの一端との間に接
続された第１のインダクタンス素子と、 前記駆動電源の一端と前記磁気ヘッドの他端との間に接
続された第２のインダクタンス素子と、 前記磁気ヘッドの一端と前記駆動電源の他端との間に接
続された第１の半導体スイッチと、 前記磁気ヘッドの他端と前記駆動電源の他端との間に接
続された第２の半導体スイッチと、 ディジタル記録信号に対応して第１の電圧レベルと第２
の電圧レベルとを交互に有するパルス列を発生し、前記
第１の電圧レベルの期間に前記第１の半導体スイッチを
オン状態にし、前記第２の電圧レベルの期間に前記第２
の半導体スイッチをオン状態にするスイッチ制御回路と
から成るディジタル記録回路において、 前記第１及び第２の半導体スイッチに直列に第１及び第
２の逆流阻止用ダイオードが接続されていることを特徴
とするディジタル記録回路。 - 【請求項２】 更に、前記第１及び第２の半導体スイッ
チに直列に第１及び第２のリンギング防止用インダクタ
ンス素子が接続されていることを特徴とする請求項１記
載のディジタル記録回路。 - 【請求項３】 更に、前記磁気ヘッドに並列にリンギン
グ防止用抵抗が接続されていることを特徴とする請求項
１又は２記載のディジタル記録回路。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP1991112007U JP2519798Y2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | デイジタル記録回路 |
| US07/992,451 US5331477A (en) | 1991-12-24 | 1992-12-17 | Low voltage, constant current magnetic transducer drive system for digital recording |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991112007U JP2519798Y2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | デイジタル記録回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555302U JPH0555302U (ja) | 1993-07-23 |
| JP2519798Y2 true JP2519798Y2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=14575633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991112007U Expired - Lifetime JP2519798Y2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | デイジタル記録回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5331477A (ja) |
| JP (1) | JP2519798Y2 (ja) |
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| JP6047907B2 (ja) * | 2012-04-04 | 2016-12-21 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 通信装置及び通信システム |
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| US3763383A (en) * | 1972-08-21 | 1973-10-02 | Ibm | Drive circuit for inductive device |
| US4466027A (en) * | 1981-12-22 | 1984-08-14 | Archive Corporation | Digital tape erasure conditioning system |
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-
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- 1991-12-24 JP JP1991112007U patent/JP2519798Y2/ja not_active Expired - Lifetime
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1992
- 1992-12-17 US US07/992,451 patent/US5331477A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5331477A (en) | 1994-07-19 |
| JPH0555302U (ja) | 1993-07-23 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |