JP3114387B2 - 磁気抵抗ヘッド用再生装置 - Google Patents
磁気抵抗ヘッド用再生装置Info
- Publication number
- JP3114387B2 JP3114387B2 JP04257552A JP25755292A JP3114387B2 JP 3114387 B2 JP3114387 B2 JP 3114387B2 JP 04257552 A JP04257552 A JP 04257552A JP 25755292 A JP25755292 A JP 25755292A JP 3114387 B2 JP3114387 B2 JP 3114387B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- sense current
- magnetoresistive head
- reproducing apparatus
- bias
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- Digital Magnetic Recording (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体から磁気抵抗ヘッド（ＭａｇｎｅｔｏＲｅｓｉｓｔ
ｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称する）を用いて
再生を行う再生装置に関する。
媒体から磁気抵抗ヘッド（ＭａｇｎｅｔｏＲｅｓｉｓｔ
ｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称する）を用いて
再生を行う再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッ
ドが実用化され始めている。ＭＲヘッドは、磁気媒体と
の相対速度に依存せずに大きい再生出力を得ることがで
きるので、再生ヘッドとしての多大な需要が期待されて
いる。
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッ
ドが実用化され始めている。ＭＲヘッドは、磁気媒体と
の相対速度に依存せずに大きい再生出力を得ることがで
きるので、再生ヘッドとしての多大な需要が期待されて
いる。
【０００３】ＭＲヘッドによって再生を行うためには、
センス電流を流してその端子電圧を取り出す必要がある
が、センス電流を常時流していると、消費電流が増大し
たり磁気媒体へ悪影響を与える恐れがある。このため、
一般には、データを読み出す時のみセンス電流を流すこ
とが行われている。
センス電流を流してその端子電圧を取り出す必要がある
が、センス電流を常時流していると、消費電流が増大し
たり磁気媒体へ悪影響を与える恐れがある。このため、
一般には、データを読み出す時のみセンス電流を流すこ
とが行われている。
【０００４】図５は、従来のＭＲヘッド用再生装置の一
部を概略的に示す回路図である。
部を概略的に示す回路図である。
【０００５】同図において、５０はセンス電流によって
バイアス磁界を発生させるバイアス素子を具備するＭＲ
ヘッドであり、電源及びアース間にはこのＭＲヘッド５
０と抵抗５１とスイッチングトランジスタ５２と抵抗５
３とが直列に接続されている。ＭＲヘッド５０の両端に
はＡＣカプラ５４を介してヘッドアンプ５５が接続され
ている。
バイアス磁界を発生させるバイアス素子を具備するＭＲ
ヘッドであり、電源及びアース間にはこのＭＲヘッド５
０と抵抗５１とスイッチングトランジスタ５２と抵抗５
３とが直列に接続されている。ＭＲヘッド５０の両端に
はＡＣカプラ５４を介してヘッドアンプ５５が接続され
ている。
【０００６】スイッチングトランジスタ５２のベースに
は、図６に示すごとき再生動作指示信号ＶB が印加され
る。この信号ＶB が高レベルとなるとトランジスタ５２
が導通状態となり、低レベルとなるとトランジスタ５２
が遮断状態となる。従って、図６に示すごとく、信号Ｖ
B の立ち上がりで急激に立ち上がり、信号ＶB の立ち下
がりで急激に立ち下がるセンス電流ＩS がＭＲヘッド５
０を流れることとなる。このセンス電流が流れている
間、ＭＲヘッド５０にはバイアス磁界が発生して動作点
がバイアスされると共にその両端に再生出力電圧が生じ
る。
は、図６に示すごとき再生動作指示信号ＶB が印加され
る。この信号ＶB が高レベルとなるとトランジスタ５２
が導通状態となり、低レベルとなるとトランジスタ５２
が遮断状態となる。従って、図６に示すごとく、信号Ｖ
B の立ち上がりで急激に立ち上がり、信号ＶB の立ち下
がりで急激に立ち下がるセンス電流ＩS がＭＲヘッド５
０を流れることとなる。このセンス電流が流れている
間、ＭＲヘッド５０にはバイアス磁界が発生して動作点
がバイアスされると共にその両端に再生出力電圧が生じ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＲヘ
ッドにおいては、センス電流がこのように急激に立ち上
がると、熱的平衡状態がくずれて再生波形に乱れが生じ
る恐れがある。さらに、センス電流の急激な立ち下がり
は、ＭＲヘッドのバイアス素子の帯磁を招き、以後、Ｍ
Ｒ素子へのバイアスずれが生じてリードエラーを発生す
る恐れがある。また、このように急激な立ち上がり及び
立ち下がりの繰り返しは、ＭＲヘッドに疲労を招き、そ
の信頼性を低下させてしまう恐れもある。
ッドにおいては、センス電流がこのように急激に立ち上
がると、熱的平衡状態がくずれて再生波形に乱れが生じ
る恐れがある。さらに、センス電流の急激な立ち下がり
は、ＭＲヘッドのバイアス素子の帯磁を招き、以後、Ｍ
Ｒ素子へのバイアスずれが生じてリードエラーを発生す
る恐れがある。また、このように急激な立ち上がり及び
立ち下がりの繰り返しは、ＭＲヘッドに疲労を招き、そ
の信頼性を低下させてしまう恐れもある。
【０００８】従って本発明は、ＭＲヘッドの熱的平衡状
態を安定化できかつＭＲヘッドのバイアス素子の帯磁を
防止することができるＭＲヘッド用再生装置を提供する
ものである。
態を安定化できかつＭＲヘッドのバイアス素子の帯磁を
防止することができるＭＲヘッド用再生装置を提供する
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＭＲヘ
ッドに再生時のみセンス電流を流してこのＭＲヘッドか
ら出力電圧を取り出すようにした再生装置が、センス電
流を徐々に立ち上げかつ徐々に立ち下げるための回路を
備えている。
ッドに再生時のみセンス電流を流してこのＭＲヘッドか
ら出力電圧を取り出すようにした再生装置が、センス電
流を徐々に立ち上げかつ徐々に立ち下げるための回路を
備えている。
【００１０】ＭＲヘッドに再生時のみセンス電流を流す
ためのスイッチングトランジスタと、このスイッチング
トランジスタのオン・オフを制御する制御信号の立ち上
がり及び立ち下がりを緩やかにするための時定数回路と
を備えたことが好ましい。
ためのスイッチングトランジスタと、このスイッチング
トランジスタのオン・オフを制御する制御信号の立ち上
がり及び立ち下がりを緩やかにするための時定数回路と
を備えたことが好ましい。
【００１１】
【作用】センス電流を徐々に立ち上げることにより、Ｍ
Ｒヘッドの熱的平衡状態を安定に保つことができ、また
センス電流を徐々に立ち下げることにより、ＭＲヘッド
のバイアス素子が帯磁するのを防止することができる。
しかも、センス電流の立ち上がり及び立ち下がりを緩や
かにすれば、ＭＲヘッドの発熱による疲労を低減化でき
その信頼性を向上することができる。
Ｒヘッドの熱的平衡状態を安定に保つことができ、また
センス電流を徐々に立ち下げることにより、ＭＲヘッド
のバイアス素子が帯磁するのを防止することができる。
しかも、センス電流の立ち上がり及び立ち下がりを緩や
かにすれば、ＭＲヘッドの発熱による疲労を低減化でき
その信頼性を向上することができる。
【００１２】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例としてのＭＲヘッ
ド用再生装置の一部を概略的に示す回路図である。
ド用再生装置の一部を概略的に示す回路図である。
【００１４】同図において、１０はセンス電流によって
バイアス磁界を発生させるためのバイアス素子を具備す
るＭＲヘッドである。バイアス素子は、軟磁性膜等によ
って構成されており、内部を流れるセンス電流によって
ＭＲヘッド１０用のバイアス磁界を発生する。電源Ｖcc
及びアース間にはこのＭＲヘッド１０と抵抗１１とスイ
ッチ回路を構成するスイッチングトランジスタ１２と抵
抗１３とが直列に接続されている。また、ＭＲヘッド１
０の両端にはＡＣカプラ１４を介してヘッドアンプ１５
が接続されている。
バイアス磁界を発生させるためのバイアス素子を具備す
るＭＲヘッドである。バイアス素子は、軟磁性膜等によ
って構成されており、内部を流れるセンス電流によって
ＭＲヘッド１０用のバイアス磁界を発生する。電源Ｖcc
及びアース間にはこのＭＲヘッド１０と抵抗１１とスイ
ッチ回路を構成するスイッチングトランジスタ１２と抵
抗１３とが直列に接続されている。また、ＭＲヘッド１
０の両端にはＡＣカプラ１４を介してヘッドアンプ１５
が接続されている。
【００１５】スイッチングトランジスタ１２のベースに
は、抵抗１６及びキャパシタ１７による時定数回路が接
続されており、この時定数回路には、図２に示すごとき
再生動作指示信号ＶB が印加される。従って、この信号
ＶB が高レベルに立ち上がった場合、トランジスタ１２
はこの時定数回路の時定数（τ＝ＲＣ）に応じた時間を
経て過渡的に導通状態となり、信号ＶB が低レベルに立
ち下がるとトランジスタ１２は同様に過渡的に遮断状態
となる。
は、抵抗１６及びキャパシタ１７による時定数回路が接
続されており、この時定数回路には、図２に示すごとき
再生動作指示信号ＶB が印加される。従って、この信号
ＶB が高レベルに立ち上がった場合、トランジスタ１２
はこの時定数回路の時定数（τ＝ＲＣ）に応じた時間を
経て過渡的に導通状態となり、信号ＶB が低レベルに立
ち下がるとトランジスタ１２は同様に過渡的に遮断状態
となる。
【００１６】その結果、ＭＲヘッド１０を流れるセンス
電流ＩS は、図２に示すごとく、信号ＶB の立ち上がり
時点から徐々に立ち上がり、信号ＶB の立ち下がり時点
から徐々に立ち下がることとなる。このセンス電流が流
れている間、ＭＲヘッド１０にはバイアス磁界が発生し
て動作点がバイアスされると共にその両端に再生出力電
圧が生じる。
電流ＩS は、図２に示すごとく、信号ＶB の立ち上がり
時点から徐々に立ち上がり、信号ＶB の立ち下がり時点
から徐々に立ち下がることとなる。このセンス電流が流
れている間、ＭＲヘッド１０にはバイアス磁界が発生し
て動作点がバイアスされると共にその両端に再生出力電
圧が生じる。
【００１７】このように、センス電流ＩS が徐々に立ち
上がるので、ＭＲヘッド１０の熱的平衡状態を安定に保
つことができ、出力電圧波形に乱れが生じなくなる。ま
たセンス電流が徐々に立ち下がるので、ＭＲヘッド１０
のバイアス素子が帯磁するのを防止することができる。
しかも、センス電流の立ち上がり及び立ち下がりを緩や
かにすれば、ＭＲヘッド１０の発熱による疲労を低減化
できその信頼性を向上することができる。
上がるので、ＭＲヘッド１０の熱的平衡状態を安定に保
つことができ、出力電圧波形に乱れが生じなくなる。ま
たセンス電流が徐々に立ち下がるので、ＭＲヘッド１０
のバイアス素子が帯磁するのを防止することができる。
しかも、センス電流の立ち上がり及び立ち下がりを緩や
かにすれば、ＭＲヘッド１０の発熱による疲労を低減化
できその信頼性を向上することができる。
【００１８】センス電流ＩS 立ち上がり時のデッドタイ
ムＴD （図２参照）は、数μｓｅｃ〜数十μｓｅｃであ
り、磁気ディスク上では平均シーク時間や平均回転待ち
時間（数ｍｓｅｃ）よりはるかに小さいので、実際の駆
動上は全く問題ない。
ムＴD （図２参照）は、数μｓｅｃ〜数十μｓｅｃであ
り、磁気ディスク上では平均シーク時間や平均回転待ち
時間（数ｍｓｅｃ）よりはるかに小さいので、実際の駆
動上は全く問題ない。
【００１９】図３及び図４は本発明の他の実施例におけ
るセンス電流ＩS の波形図をそれぞれ示している。
るセンス電流ＩS の波形図をそれぞれ示している。
【００２０】センス電流ＩS は、これらの図からも明ら
かのように、信号ＶB の立ち上がり時点から徐々に立ち
上がり、信号ＶB の立ち下がり時点から徐々に立ち下が
るものであればどのような波形であってもよい。また、
そのようなセンス電流を発生する回路については、当業
者であれば容易に構成することができる。
かのように、信号ＶB の立ち上がり時点から徐々に立ち
上がり、信号ＶB の立ち下がり時点から徐々に立ち下が
るものであればどのような波形であってもよい。また、
そのようなセンス電流を発生する回路については、当業
者であれば容易に構成することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ＭＲヘッドに再生時のみセンス電流を流してこのＭ
Ｒヘッドから出力電圧を取り出すようにした再生装置
が、センス電流を徐々に立ち上げかつ徐々に立ち下げる
ための回路を備えているため、ＭＲヘッドの熱的平衡状
態を安定化でき出力電圧波形に乱れが生じなくなる。ま
たセンス電流が徐々に立ち下がるので、ＭＲヘッドのバ
イアス素子が帯磁するのを防止することができ、その結
果、ＭＲヘッドのバイアスずれによるリードエラーを防
ぐことができる。しかも、センス電流の立ち上がり及び
立ち下がりを緩やかにしているので、ＭＲヘッドの発熱
による疲労を低減化できその信頼性を向上することがで
きる。
ば、ＭＲヘッドに再生時のみセンス電流を流してこのＭ
Ｒヘッドから出力電圧を取り出すようにした再生装置
が、センス電流を徐々に立ち上げかつ徐々に立ち下げる
ための回路を備えているため、ＭＲヘッドの熱的平衡状
態を安定化でき出力電圧波形に乱れが生じなくなる。ま
たセンス電流が徐々に立ち下がるので、ＭＲヘッドのバ
イアス素子が帯磁するのを防止することができ、その結
果、ＭＲヘッドのバイアスずれによるリードエラーを防
ぐことができる。しかも、センス電流の立ち上がり及び
立ち下がりを緩やかにしているので、ＭＲヘッドの発熱
による疲労を低減化できその信頼性を向上することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例としてのＭＲヘッド用再生装
置の一部を概略的に示す回路図である。
置の一部を概略的に示す回路図である。
【図２】図１のＭＲヘッド用再生装置における波形図で
ある。
ある。
【図３】本発明の他の実施例におけるセンス電流の波形
図である。
図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例におけるセンス電流
の波形図である。
の波形図である。
【図５】従来のＭＲヘッド用再生装置の一部を概略的に
示す回路図である。
示す回路図である。
【図６】図５のＭＲヘッド用再生装置における波形図で
ある。
ある。
１０ ＭＲヘッド １１、１３、１６ 抵抗 １２ スイッチングトランジスタ １４ ＡＣカプラ １５ ヘッドアンプ １７ キャパシタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 一正 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 岩井 譲 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティ ーディーケイ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/09,5/02,5/39
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗ヘッドに再生時のみセンス電流
を流して該磁気抵抗ヘッドから出力電圧を取り出すよう
にした再生装置であって、前記センス電流を徐々に立ち
上げかつ徐々に立ち下げるための回路を備えたことを特
徴とする磁気抵抗ヘッド用再生装置。 - 【請求項２】 磁気抵抗ヘッドに再生時のみセンス電流
を流すためのスイッチングトランジスタと、該スイッチ
ングトランジスタのオン・オフを制御する制御信号の立
ち上がり及び立ち下がりを緩やかにするための時定数回
路とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵
抗ヘッド用再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04257552A JP3114387B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 磁気抵抗ヘッド用再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04257552A JP3114387B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 磁気抵抗ヘッド用再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684117A JPH0684117A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3114387B2 true JP3114387B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=17307870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04257552A Expired - Lifetime JP3114387B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 磁気抵抗ヘッド用再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3114387B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP04257552A patent/JP3114387B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684117A (ja) | 1994-03-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000829 |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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