JPH0684113A - 薄膜磁気ヘッド装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド装置Info
- Publication number
- JPH0684113A JPH0684113A JP25755392A JP25755392A JPH0684113A JP H0684113 A JPH0684113 A JP H0684113A JP 25755392 A JP25755392 A JP 25755392A JP 25755392 A JP25755392 A JP 25755392A JP H0684113 A JPH0684113 A JP H0684113A
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- JP
- Japan
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- head
- read
- write
- circuit
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/265—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0008—Magnetic conditionning of heads, e.g. biasing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生ヘッドの帯磁を防止することができる複
合型の薄膜磁気ヘッド装置を提供する。 【構成】 記録ヘッド１０の近傍に再生ヘッド１１が設
けられている複合型の薄膜磁気ヘッド装置が、記録ヘッ
ド１０による書き込み後にこの記録ヘッド１０へ消磁電
流を流す回路１２、１３、１４、１５を備えている。
合型の薄膜磁気ヘッド装置を提供する。 【構成】 記録ヘッド１０の近傍に再生ヘッド１１が設
けられている複合型の薄膜磁気ヘッド装置が、記録ヘッ
ド１０による書き込み後にこの記録ヘッド１０へ消磁電
流を流す回路１２、１３、１４、１５を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体への記録を行う記録ヘッドの近傍にその磁気媒体か
ら再生を行う再生ヘッドが設けられている複合型の薄膜
磁気ヘッド装置に関する。
媒体への記録を行う記録ヘッドの近傍にその磁気媒体か
ら再生を行う再生ヘッドが設けられている複合型の薄膜
磁気ヘッド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗
ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａ
ｄ、以下ＭＲヘッドと称する）が実用化され始めてい
る。
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗
ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａ
ｄ、以下ＭＲヘッドと称する）が実用化され始めてい
る。
【０００３】ＭＲヘッドは、磁気媒体との相対速度に依
存せず大きい再生出力を得ることができるという利点が
あるが、再生専用であるため記録／再生ヘッドとして用
いるためにはインダクティブヘッド等の記録ヘッドと組
み合わせた複合型薄膜磁気ヘッドとする必要がある。
存せず大きい再生出力を得ることができるという利点が
あるが、再生専用であるため記録／再生ヘッドとして用
いるためにはインダクティブヘッド等の記録ヘッドと組
み合わせた複合型薄膜磁気ヘッドとする必要がある。
【０００４】このような複合型薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ
ヘッドの上にインダクティブヘッドが積層された形態と
なっているので、ＭＲヘッドとインダクティブヘッドと
の間隔が非常に接近している。
ヘッドの上にインダクティブヘッドが積層された形態と
なっているので、ＭＲヘッドとインダクティブヘッドと
の間隔が非常に接近している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そのため、インダクテ
ィブヘッドの書き込み磁界によって、ＭＲヘッドのＭＲ
素子及びこのＭＲ素子にバイアス磁界を発生させるため
のバイアス素子が帯磁してしまい、ＭＲヘッドのバイア
スずれが生じてリードエラーを発生することがある。
ィブヘッドの書き込み磁界によって、ＭＲヘッドのＭＲ
素子及びこのＭＲ素子にバイアス磁界を発生させるため
のバイアス素子が帯磁してしまい、ＭＲヘッドのバイア
スずれが生じてリードエラーを発生することがある。
【０００６】従って本発明は、ＭＲヘッド等の再生ヘッ
ドの帯磁を防止することができる複合型の薄膜磁気ヘッ
ド装置を提供するものである。
ドの帯磁を防止することができる複合型の薄膜磁気ヘッ
ド装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、記録ヘ
ッドの近傍に再生ヘッドが設けられている複合型の薄膜
磁気ヘッド装置が、記録ヘッドによる書き込み後にこの
記録ヘッドへ消磁電流を流す回路を備えている。
ッドの近傍に再生ヘッドが設けられている複合型の薄膜
磁気ヘッド装置が、記録ヘッドによる書き込み後にこの
記録ヘッドへ消磁電流を流す回路を備えている。
【０００８】記録ヘッドがインダクティブヘッドであ
り、再生ヘッドがＭＲヘッドであることが好ましい。
り、再生ヘッドがＭＲヘッドであることが好ましい。
【０００９】
【作用】記録ヘッドによる書き込み後にこの記録ヘッド
へ消磁電流を流すことにより、この記録ヘッド自体及び
再生ヘッドが帯磁した状態となるのを防止することがで
きる。特に、再生ヘッドがＭＲヘッドである場合、その
バイアス素子の帯磁によるバイアスずれを防ぐことがで
き、バイアスずれに基づくリードエラーを未然に防ぐこ
とができる。
へ消磁電流を流すことにより、この記録ヘッド自体及び
再生ヘッドが帯磁した状態となるのを防止することがで
きる。特に、再生ヘッドがＭＲヘッドである場合、その
バイアス素子の帯磁によるバイアスずれを防ぐことがで
き、バイアスずれに基づくリードエラーを未然に防ぐこ
とができる。
【００１０】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例としての薄膜磁気
ヘッド装置の一部を概略的に示す回路図である。
ヘッド装置の一部を概略的に示す回路図である。
【００１２】同図において、１０は記録ヘッドとしての
インダクティブヘッド、１１は再生ヘッドとしてのＭＲ
ヘッドである。このＭＲヘッド１１には、軟磁性膜等に
よって構成されており内部を流れるセンス電流によって
バイアス磁界を発生させるためのバイアス素子が設けら
れている。
インダクティブヘッド、１１は再生ヘッドとしてのＭＲ
ヘッドである。このＭＲヘッド１１には、軟磁性膜等に
よって構成されており内部を流れるセンス電流によって
バイアス磁界を発生させるためのバイアス素子が設けら
れている。
【００１３】インダクティブヘッド１０及びＭＲヘッド
１１は、一般的なヘッドリード／ライトＩＣ１２のヘッ
ド接続端子に接続されている。このヘッドリード／ライ
トＩＣ１２は、例えばシリコンシステムズ社（Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ．）製のＳＳＩ２０２
０Ｒが本実施例では用いられている。
１１は、一般的なヘッドリード／ライトＩＣ１２のヘッ
ド接続端子に接続されている。このヘッドリード／ライ
トＩＣ１２は、例えばシリコンシステムズ社（Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ．）製のＳＳＩ２０２
０Ｒが本実施例では用いられている。
【００１４】ヘッドリード／ライトＩＣ１２のリード／
ライト選択端子Ｒ／Ｗは、タイミング回路１３の１つの
出力端子に接続されており、ＩＣ１２の書き込み電流調
整端子ＷＣは、可変抵抗Ｒ3 、抵抗Ｒ2 及びキャパシタ
Ｃ2 からなる時定数回路１４を介してタイミング回路１
３の他の出力端子に接続されている。さらにＩＣ１２の
ライトデータ端子ＷＤＩは、データマルチプレクサ１５
の出力端子に接続されている。
ライト選択端子Ｒ／Ｗは、タイミング回路１３の１つの
出力端子に接続されており、ＩＣ１２の書き込み電流調
整端子ＷＣは、可変抵抗Ｒ3 、抵抗Ｒ2 及びキャパシタ
Ｃ2 からなる時定数回路１４を介してタイミング回路１
３の他の出力端子に接続されている。さらにＩＣ１２の
ライトデータ端子ＷＤＩは、データマルチプレクサ１５
の出力端子に接続されている。
【００１５】タイミング回路１３は、出力パルス幅の設
定が可能な単安定マルチバイブレータ回路を備えたＩＣ
（本実施例においてはテキサス・インスツルメンツ社の
７４ＬＳ１２３）と簡単な論理回路とから構成されてい
る。出力パルス幅を所望の値に設定するために、タイミ
ング抵抗Ｒ1 及びタイミングキャパシタＣ1 が外部接続
されている。このタイミング回路１３の入力端子には、
リード／ライト選択信号が印加されるように構成されて
いる。
定が可能な単安定マルチバイブレータ回路を備えたＩＣ
（本実施例においてはテキサス・インスツルメンツ社の
７４ＬＳ１２３）と簡単な論理回路とから構成されてい
る。出力パルス幅を所望の値に設定するために、タイミ
ング抵抗Ｒ1 及びタイミングキャパシタＣ1 が外部接続
されている。このタイミング回路１３の入力端子には、
リード／ライト選択信号が印加されるように構成されて
いる。
【００１６】データマルチプレクサ１５は、その制御端
子に印加される信号に応じて２つの入力の内の一方を出
力するものであり、その２つの入力端子にはライトデー
タと消磁用データとがそれぞれ印加されるように構成さ
れている。
子に印加される信号に応じて２つの入力の内の一方を出
力するものであり、その２つの入力端子にはライトデー
タと消磁用データとがそれぞれ印加されるように構成さ
れている。
【００１７】図２は図１の回路の各部の信号波形図であ
り、以下同図をも合わせ用いて本実施例の動作を説明す
る。
り、以下同図をも合わせ用いて本実施例の動作を説明す
る。
【００１８】図２（Ａ）に示すごときリード／ライト選
択信号がタイミング回路１３の入力端子に印加される
と、タイミング回路１３の前述のＩＣの出力端子には、
図２（Ｃ）に示すごとき信号が現れる。この信号は、リ
ード／ライト選択信号の立ち下がりでトリガされ、タイ
ミング抵抗Ｒ1 及びタイミングキャパシタＣ1 に応じた
パルス幅を有するものである。このパルス幅が、記録モ
ードを遅延させるための書き込み遅延時間Ｔに相当する
こととなる。タイミング回路１３から出力されるこの信
号は、時定数回路１４に印加されて図２（Ｄ）に示すご
とき過渡的に減衰する信号となってヘッドリード／ライ
トＩＣ１２の書き込み電流調整端子ＷＣに印加される。
時定数回路１４の時定数τ＝Ｒ2 Ｃ2 は、その出力信号
が書き込み遅延時間Ｔ内に充分減衰するように選ばれ
る。
択信号がタイミング回路１３の入力端子に印加される
と、タイミング回路１３の前述のＩＣの出力端子には、
図２（Ｃ）に示すごとき信号が現れる。この信号は、リ
ード／ライト選択信号の立ち下がりでトリガされ、タイ
ミング抵抗Ｒ1 及びタイミングキャパシタＣ1 に応じた
パルス幅を有するものである。このパルス幅が、記録モ
ードを遅延させるための書き込み遅延時間Ｔに相当する
こととなる。タイミング回路１３から出力されるこの信
号は、時定数回路１４に印加されて図２（Ｄ）に示すご
とき過渡的に減衰する信号となってヘッドリード／ライ
トＩＣ１２の書き込み電流調整端子ＷＣに印加される。
時定数回路１４の時定数τ＝Ｒ2 Ｃ2 は、その出力信号
が書き込み遅延時間Ｔ内に充分減衰するように選ばれ
る。
【００１９】タイミング回路１３では、さらに、図２
（Ｃ）の信号と図２（Ａ）のリード／ライト選択信号と
から図２（Ｂ）に示す信号がその論理回路によって形成
され、ヘッドリード／ライトＩＣ１２のリード／ライト
選択端子Ｒ／Ｗに印加される。これにより、ＩＣ１２
は、この時間Ｔだけ遅延された期間、記録モードとして
動作する。即ち、データマルチプレクサ１５からライト
データ端子ＷＤに印加されたデータを、書き込み電流調
整端子ＷＣに印加された信号（図２（Ｄ））に応じた値
の電流で記録すべく、図２（Ｅ）に示すごときヘッド書
き込み電流をインダクティブヘッド１０へ送る。
（Ｃ）の信号と図２（Ａ）のリード／ライト選択信号と
から図２（Ｂ）に示す信号がその論理回路によって形成
され、ヘッドリード／ライトＩＣ１２のリード／ライト
選択端子Ｒ／Ｗに印加される。これにより、ＩＣ１２
は、この時間Ｔだけ遅延された期間、記録モードとして
動作する。即ち、データマルチプレクサ１５からライト
データ端子ＷＤに印加されたデータを、書き込み電流調
整端子ＷＣに印加された信号（図２（Ｄ））に応じた値
の電流で記録すべく、図２（Ｅ）に示すごときヘッド書
き込み電流をインダクティブヘッド１０へ送る。
【００２０】データマルチプレクサ１５は、その制御端
子に印加される図２（Ｃ）の信号がＨレベルの間は本来
のライトデータを選択し、Ｌレベルの間は消磁用データ
を選択してＩＣ１２のライトデータ端子ＷＤへ送る。消
磁用データは、図２（Ｆ）に示すごとくＨレベル一定で
あってもよいし、これとは逆にＬレベル一定であっても
よい。このような消磁用データの場合、本来のライトデ
ータによる書き込みが終了した後の時間Ｔの間、図２
（Ｅ）の２０の部分に示すように、徐々に減衰する直流
の消磁電流がインダクティブヘッド１０へ印加される。
子に印加される図２（Ｃ）の信号がＨレベルの間は本来
のライトデータを選択し、Ｌレベルの間は消磁用データ
を選択してＩＣ１２のライトデータ端子ＷＤへ送る。消
磁用データは、図２（Ｆ）に示すごとくＨレベル一定で
あってもよいし、これとは逆にＬレベル一定であっても
よい。このような消磁用データの場合、本来のライトデ
ータによる書き込みが終了した後の時間Ｔの間、図２
（Ｅ）の２０の部分に示すように、徐々に減衰する直流
の消磁電流がインダクティブヘッド１０へ印加される。
【００２１】このように、インダクティブヘッド１０に
は、各記録モードの終了直後に消磁電流が流れることと
なり、このインダクティブヘッド１０自体はもちろんの
こと、ＭＲヘッド１１のＭＲ素子及びそのバイアス素子
が消磁されることとなる。その結果、ＭＲ素子及びバイ
アス素子が帯磁した状態で再生動作が行われることがな
くなり、バイアスずれによるリードエラーの発生を効果
的に防止することができる。
は、各記録モードの終了直後に消磁電流が流れることと
なり、このインダクティブヘッド１０自体はもちろんの
こと、ＭＲヘッド１１のＭＲ素子及びそのバイアス素子
が消磁されることとなる。その結果、ＭＲ素子及びバイ
アス素子が帯磁した状態で再生動作が行われることがな
くなり、バイアスずれによるリードエラーの発生を効果
的に防止することができる。
【００２２】上述の実施例では、消磁データがＨレベル
又はＬレベル一定であり、従って消磁電流は徐々に減衰
する直流電流であるが、図２（Ｇ）に示すごとくＨレベ
ル及びＬレベル間で振動する消磁データを用いれば交流
消磁を行うことができる。
又はＬレベル一定であり、従って消磁電流は徐々に減衰
する直流電流であるが、図２（Ｇ）に示すごとくＨレベ
ル及びＬレベル間で振動する消磁データを用いれば交流
消磁を行うことができる。
【００２３】上述の書き込み遅延時間Ｔは、数μｓｅｃ
〜数十μｓｅｃであり、書き込み後、データが読み込ま
れるまでの時間、即ちポストリカバリー時間内であるた
め、実際の駆動上の再生動作では全く問題が生じない。
〜数十μｓｅｃであり、書き込み後、データが読み込ま
れるまでの時間、即ちポストリカバリー時間内であるた
め、実際の駆動上の再生動作では全く問題が生じない。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、記録ヘッドの近傍に再生ヘッドが設けられている複
合型の薄膜磁気ヘッド装置が、記録ヘッドによる書き込
み後にこの記録ヘッドへ消磁電流を流す回路を備えてい
るため、再生ヘッドが帯磁した状態となるのを防止する
ことができる。特に、再生ヘッドがＭＲヘッドである場
合、そのバイアス素子の帯磁によるバイアスずれを防ぐ
ことができ、バイアスずれに基づくリードエラーを未然
に防ぐことができる。
ば、記録ヘッドの近傍に再生ヘッドが設けられている複
合型の薄膜磁気ヘッド装置が、記録ヘッドによる書き込
み後にこの記録ヘッドへ消磁電流を流す回路を備えてい
るため、再生ヘッドが帯磁した状態となるのを防止する
ことができる。特に、再生ヘッドがＭＲヘッドである場
合、そのバイアス素子の帯磁によるバイアスずれを防ぐ
ことができ、バイアスずれに基づくリードエラーを未然
に防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施例としての薄膜磁気装置の一部
を概略的に示す回路図である。
を概略的に示す回路図である。
【図２】図１の回路の各部の信号波形図である。
１０ インダクティブヘッド １１ ＭＲヘッド １２ ヘッドリードライトＩＣ １３ タイミング回路 １４ 時定数回路 １５ データマルチプレクサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 一正 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 岩井 譲 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 記録ヘッドの近傍に再生ヘッドが設けら
れている複合型の薄膜磁気ヘッド装置であって、前記記
録ヘッドによる書き込み後に該記録ヘッドへ消磁電流を
流す回路を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド装
置。 - 【請求項２】 前記記録ヘッドがインダクティブヘッド
であり、前記再生ヘッドが磁気抵抗ヘッドであることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25755392A JPH0684113A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 薄膜磁気ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25755392A JPH0684113A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 薄膜磁気ヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684113A true JPH0684113A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17307884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25755392A Pending JPH0684113A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 薄膜磁気ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684113A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100377213C (zh) * | 2004-12-28 | 2008-03-26 | 株式会社东芝 | 具有消除记录磁头的剩磁的功能的磁头放大器电路 |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP25755392A patent/JPH0684113A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100377213C (zh) * | 2004-12-28 | 2008-03-26 | 株式会社东芝 | 具有消除记录磁头的剩磁的功能的磁头放大器电路 |
| US7460324B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Head amplifier circuit with function for degaussing residual magnetism of recording head |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001024 |