JPH08306011A - ディスク記録再生装置及びその磁気ヘッド制御装置 - Google Patents
ディスク記録再生装置及びその磁気ヘッド制御装置Info
- Publication number
- JPH08306011A JPH08306011A JP10581295A JP10581295A JPH08306011A JP H08306011 A JPH08306011 A JP H08306011A JP 10581295 A JP10581295 A JP 10581295A JP 10581295 A JP10581295 A JP 10581295A JP H08306011 A JPH08306011 A JP H08306011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- bias
- magnetic head
- magnetoresistive element
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＭＲヘッドを使用したディスク記録再生装置に
おいて、非動作時に電流供給制御に伴うＭＲヘッドの性
能上の問題点を解消し、常に確実なデータ再生動作を実
現することにある。 【構成】リード動作時には、コントロール部７は電流制
御回路８を制御して、所定の電流値のセンス電流をＭＲ
ヘッド４のＭＲ膜４０に供給し、バイアス電流をバイア
ス膜４１に供給する。非リード動作には、コントロール
部７は電流制御回路８を制御して、センス電流とバイア
ス電流の電流値を減少させる制御を実行する。また、コ
ントロール部７はスイッチ回路９を制御して、バイアス
電流の極性を切換えて、リード動作時に対して逆方向の
バイアス電流をバイアス膜４１に供給するように制御す
る。
おいて、非動作時に電流供給制御に伴うＭＲヘッドの性
能上の問題点を解消し、常に確実なデータ再生動作を実
現することにある。 【構成】リード動作時には、コントロール部７は電流制
御回路８を制御して、所定の電流値のセンス電流をＭＲ
ヘッド４のＭＲ膜４０に供給し、バイアス電流をバイア
ス膜４１に供給する。非リード動作には、コントロール
部７は電流制御回路８を制御して、センス電流とバイア
ス電流の電流値を減少させる制御を実行する。また、コ
ントロール部７はスイッチ回路９を制御して、バイアス
電流の極性を切換えて、リード動作時に対して逆方向の
バイアス電流をバイアス膜４１に供給するように制御す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
装置等のディスク記録再生装置において、リード動作専
用であって磁気抵抗効果型の磁気ヘッドを使用したディ
スク記録再生装置に関する。
装置等のディスク記録再生装置において、リード動作専
用であって磁気抵抗効果型の磁気ヘッドを使用したディ
スク記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばハードディスク装置（ＨＤ
Ｄ）等のデータ記録再生装置では、記録媒体であるディ
スクにデータを記録再生するための磁気ヘッド（以下単
にヘッドと称する）が設けられている。ヘッドは、薄膜
ヘッド等の誘導型ヘッドとＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓ
ｉｓｔｉｖｅ）ヘッド等の磁束応答型ヘッドに大別され
る。
Ｄ）等のデータ記録再生装置では、記録媒体であるディ
スクにデータを記録再生するための磁気ヘッド（以下単
にヘッドと称する）が設けられている。ヘッドは、薄膜
ヘッド等の誘導型ヘッドとＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓ
ｉｓｔｉｖｅ）ヘッド等の磁束応答型ヘッドに大別され
る。
【０００３】特にＭＲヘッドは、高感度かつ再生出力が
ディスクの走行速度（周速度）に依存しない（相対的に
高い再生出力を得られる）等の利点を有するため、高記
録密度のデータを再生する場合のリード専用ヘッドとし
て注目されている。
ディスクの走行速度（周速度）に依存しない（相対的に
高い再生出力を得られる）等の利点を有するため、高記
録密度のデータを再生する場合のリード専用ヘッドとし
て注目されている。
【０００４】ＭＲヘッドは、磁気抵抗素子の磁気抵抗効
果を利用して、ディスクの表面に発生する記録磁界を抵
抗値の変化として検出する磁気抵抗効果型のヘッドであ
る。ＨＤＤのようなデータ記録再生装置では、リード専
用ヘッドのＭＲヘッドとライト（書込み動作）用ヘッド
として薄膜ヘッドとを組合わせた複合ヘッド構造のヘッ
ドが使用される。
果を利用して、ディスクの表面に発生する記録磁界を抵
抗値の変化として検出する磁気抵抗効果型のヘッドであ
る。ＨＤＤのようなデータ記録再生装置では、リード専
用ヘッドのＭＲヘッドとライト（書込み動作）用ヘッド
として薄膜ヘッドとを組合わせた複合ヘッド構造のヘッ
ドが使用される。
【０００５】ところで、ＭＲヘッドはその動作原理上、
線形領域でのリード動作を可能にするためバイアス磁界
を必要とする。シャントバイアス方式と称するＭＲヘッ
ドでは、バイアス磁界を発生させるための要素として磁
気抵抗素子に隣接したバイアス膜が設けられている。こ
のバイアス膜にバイアス電流を流すことにより、磁気抵
抗素子にバイアス磁界を発生させる。
線形領域でのリード動作を可能にするためバイアス磁界
を必要とする。シャントバイアス方式と称するＭＲヘッ
ドでは、バイアス磁界を発生させるための要素として磁
気抵抗素子に隣接したバイアス膜が設けられている。こ
のバイアス膜にバイアス電流を流すことにより、磁気抵
抗素子にバイアス磁界を発生させる。
【０００６】また、ディスク上の記録磁界（記録デー
タ）をリード信号として取出す場合に、記録磁界による
抵抗変化を電圧変化として検出する必要があるため、磁
気抵抗素子にはセンス電流と称する駆動電流を流す。通
常では、バイアス電流とセンス電流は同一の電流源から
供給される。
タ）をリード信号として取出す場合に、記録磁界による
抵抗変化を電圧変化として検出する必要があるため、磁
気抵抗素子にはセンス電流と称する駆動電流を流す。通
常では、バイアス電流とセンス電流は同一の電流源から
供給される。
【０００７】この方式以外に、バイアス膜にはバイアス
電流を流さないソフトウェア膜バイアス方式と称するＭ
Ｒヘッドがある。この方式のＭＲヘッドでは、磁気抵抗
素子に流すセンス電流（即ち、バイアス電流）に伴うバ
イアス膜との磁気的相互作用により、磁気抵抗素子にバ
イアス磁界を発生させる。また、両者の方式を組合わせ
た方式のＭＲヘッドも開発されている。
電流を流さないソフトウェア膜バイアス方式と称するＭ
Ｒヘッドがある。この方式のＭＲヘッドでは、磁気抵抗
素子に流すセンス電流（即ち、バイアス電流）に伴うバ
イアス膜との磁気的相互作用により、磁気抵抗素子にバ
イアス磁界を発生させる。また、両者の方式を組合わせ
た方式のＭＲヘッドも開発されている。
【０００８】以上のいずれの方式においても、磁気抵抗
素子に流すセンス電流はバイアス電流でもあり、動作
（リード動作）には必要不可欠な要素である。しかしな
がら、非リード動作にも、定常的にセンス電流（バイア
ス電流）を流していると、磁気抵抗素子の性能が劣化す
ることが知られている。一方、非リード動作時に、セン
ス電流の供給を停止すると、磁気抵抗素子の磁区構造が
不安定のまま固定化し、次のリード動作時にリード信号
波形に歪みが生ずる事態を招くことがある。
素子に流すセンス電流はバイアス電流でもあり、動作
（リード動作）には必要不可欠な要素である。しかしな
がら、非リード動作にも、定常的にセンス電流（バイア
ス電流）を流していると、磁気抵抗素子の性能が劣化す
ることが知られている。一方、非リード動作時に、セン
ス電流の供給を停止すると、磁気抵抗素子の磁区構造が
不安定のまま固定化し、次のリード動作時にリード信号
波形に歪みが生ずる事態を招くことがある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ＭＲヘッドは動作原理
上、リード動作時にセンス電流（バイアス電流）を磁気
抵抗素子に流す必要がある。しかし、非リード動作時に
も定常的に流し続けると、ヘッド性能の劣化を招く。一
方、センス電流の供給を停止すると、リード動作の再開
時にリード信号波形に歪みが生ずる事態を招く。
上、リード動作時にセンス電流（バイアス電流）を磁気
抵抗素子に流す必要がある。しかし、非リード動作時に
も定常的に流し続けると、ヘッド性能の劣化を招く。一
方、センス電流の供給を停止すると、リード動作の再開
時にリード信号波形に歪みが生ずる事態を招く。
【００１０】本発明の目的は、ＭＲヘッドを使用したデ
ィスク記録再生装置において、非動作時に電流供給制御
に伴う前記のＭＲヘッドの性能上の問題点を解消し、常
に確実なデータ再生動作を実現することにある。
ィスク記録再生装置において、非動作時に電流供給制御
に伴う前記のＭＲヘッドの性能上の問題点を解消し、常
に確実なデータ再生動作を実現することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＭＲヘッドを
リード専用ヘッドとして使用したディスク記録再生装置
において、リード動作時に、所定の電流値の駆動電流を
磁気抵抗素子とバイアス膜に供給するための電流供給手
段および非リード動作時に駆動電流の電流値を減少させ
るか、または駆動電流の極性を切換える電流制御手段を
備えた装置である。
リード専用ヘッドとして使用したディスク記録再生装置
において、リード動作時に、所定の電流値の駆動電流を
磁気抵抗素子とバイアス膜に供給するための電流供給手
段および非リード動作時に駆動電流の電流値を減少させ
るか、または駆動電流の極性を切換える電流制御手段を
備えた装置である。
【００１２】
【作用】本発明では、リード動作時には、電流供給手段
は所定の電流値のセンス電流をＭＲヘッドの磁気抵抗素
子に供給し、バイアス電流をバイアス膜に供給する。非
リード動作には、電流制御手段はセンス電流とバイアス
電流の電流値を減少させる制御を実行する。また、電流
制御手段はセンス電流とバイアス電流の極性を切換え
て、リード動作時に対して逆方向のセンス電流とバイア
ス電流を磁気抵抗素子気抵抗素子とバイアス膜に供給す
るように制御する。
は所定の電流値のセンス電流をＭＲヘッドの磁気抵抗素
子に供給し、バイアス電流をバイアス膜に供給する。非
リード動作には、電流制御手段はセンス電流とバイアス
電流の電流値を減少させる制御を実行する。また、電流
制御手段はセンス電流とバイアス電流の極性を切換え
て、リード動作時に対して逆方向のセンス電流とバイア
ス電流を磁気抵抗素子気抵抗素子とバイアス膜に供給す
るように制御する。
【００１３】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１は第１の実施例に係わるハードディスク装置
（ＨＤＤ）の要部を示すブロック図、図２は第１の実施
例に係わるシャントバイアス方式のＭＲヘッドの構造を
説明するための図、図３はソフトバイアス方式のＭＲヘ
ッドの構造を説明するための図、図４は両方式を適用し
たＭＲヘッドの構造を説明するための図、図５は整流素
子と整合素子を備えたＭＲヘッドの構造を説明するため
の図、図６は第１の実施例の動作を説明するためのフロ
ーチャート、図７は第１の実施例の変形例を説明するた
めのフローチャートである。 （ＨＤＤの構成）本実施例のＨＤＤは、図１に示すよう
に、データの記録媒体であるディスク１およびデータの
リード／ライトを行なう複合型ヘッド２を有する。この
複合型ヘッド２は、ライト用ヘッドである薄膜ヘッド３
とリード専用ヘッドであるＭＲヘッド４からなる。ＭＲ
ヘッド４は後述するように各種の方式のものがある（図
２乃至図５を参照）。
る。図１は第１の実施例に係わるハードディスク装置
（ＨＤＤ）の要部を示すブロック図、図２は第１の実施
例に係わるシャントバイアス方式のＭＲヘッドの構造を
説明するための図、図３はソフトバイアス方式のＭＲヘ
ッドの構造を説明するための図、図４は両方式を適用し
たＭＲヘッドの構造を説明するための図、図５は整流素
子と整合素子を備えたＭＲヘッドの構造を説明するため
の図、図６は第１の実施例の動作を説明するためのフロ
ーチャート、図７は第１の実施例の変形例を説明するた
めのフローチャートである。 （ＨＤＤの構成）本実施例のＨＤＤは、図１に示すよう
に、データの記録媒体であるディスク１およびデータの
リード／ライトを行なう複合型ヘッド２を有する。この
複合型ヘッド２は、ライト用ヘッドである薄膜ヘッド３
とリード専用ヘッドであるＭＲヘッド４からなる。ＭＲ
ヘッド４は後述するように各種の方式のものがある（図
２乃至図５を参照）。
【００１４】さらに、ＨＤＤは、ヘッドアンプ５、信号
処理部６、コントロール部７、電流制御回路８、スイッ
チ回路９および電流源１０を備えている。ヘッドアンプ
５は、リード動作時にＭＲヘッド４から出力されたリー
ド信号（読出し電圧信号）を増幅し、またライト動作時
にライト信号を薄膜ヘッド３に出力する。信号処理部６
は、リード／ライト信号を処理するためのリード／ライ
ト回路を有し、リード動作にリード信号からデータを再
生する。
処理部６、コントロール部７、電流制御回路８、スイッ
チ回路９および電流源１０を備えている。ヘッドアンプ
５は、リード動作時にＭＲヘッド４から出力されたリー
ド信号（読出し電圧信号）を増幅し、またライト動作時
にライト信号を薄膜ヘッド３に出力する。信号処理部６
は、リード／ライト信号を処理するためのリード／ライ
ト回路を有し、リード動作にリード信号からデータを再
生する。
【００１５】コントロール部７は、ＨＤＤのリード／ラ
イト動作を制御するためのコントローラと、ホストコン
ピュータとのインターフェースを有する。コントロール
部７は、信号処理部６により再生された再生データをイ
ンターフェースを介してホストコンピュータに転送し、
またホストコンピュータから転送されたライトデータを
信号処理部６に出力する。
イト動作を制御するためのコントローラと、ホストコン
ピュータとのインターフェースを有する。コントロール
部７は、信号処理部６により再生された再生データをイ
ンターフェースを介してホストコンピュータに転送し、
またホストコンピュータから転送されたライトデータを
信号処理部６に出力する。
【００１６】さらに、コントロール部７は、電流制御回
路８とスイッチ回路９を制御して、本発明に係わるＭＲ
ヘッド４のセンス電流（バイアス電流）の電流制御処理
を実行する。電流制御回路８は、コントロール部７の制
御に応じて電流源１０の出力電流値を制御する。スイッ
チ回路９は、コントロール部７の制御に応じてスイッチ
９ａ，９ｂを動作し、センス電流（バイアス電流）の方
向を切換える。 （通常のリード動作）次に、第１の実施例の動作を図６
のフローチャートを参照して説明する。まず、リード動
作時には、電流制御回路８はコントロール部７の制御に
応じて、電流源１０の出力電流値を所定の電流値（基準
のセンス電流値又はバイアス電流値）に設定する（ステ
ップＳ１のＹＥＳ，Ｓ２）。
路８とスイッチ回路９を制御して、本発明に係わるＭＲ
ヘッド４のセンス電流（バイアス電流）の電流制御処理
を実行する。電流制御回路８は、コントロール部７の制
御に応じて電流源１０の出力電流値を制御する。スイッ
チ回路９は、コントロール部７の制御に応じてスイッチ
９ａ，９ｂを動作し、センス電流（バイアス電流）の方
向を切換える。 （通常のリード動作）次に、第１の実施例の動作を図６
のフローチャートを参照して説明する。まず、リード動
作時には、電流制御回路８はコントロール部７の制御に
応じて、電流源１０の出力電流値を所定の電流値（基準
のセンス電流値又はバイアス電流値）に設定する（ステ
ップＳ１のＹＥＳ，Ｓ２）。
【００１７】コントロール部７は、ホストコンピュータ
からのリードアクセスのコマンドに従って、リード動作
モードであることを指示する制御信号をスイッチ回路９
に出力する。スイッチ回路９は、スイッチ９ａ，９ｂを
例えばａ接点側に切換えて、ＭＲヘッド４に電流源１０
からの出力電流を、所定の方向（リード動作に従った基
準の方向）に流す（ステップＳ３）。
からのリードアクセスのコマンドに従って、リード動作
モードであることを指示する制御信号をスイッチ回路９
に出力する。スイッチ回路９は、スイッチ９ａ，９ｂを
例えばａ接点側に切換えて、ＭＲヘッド４に電流源１０
からの出力電流を、所定の方向（リード動作に従った基
準の方向）に流す（ステップＳ３）。
【００１８】ＭＲヘッド４は、基準の電流値のセンス電
流（バイアス電流）を供給されるとリード動作可能の状
態となり、ディスク１上の指定されたトラックからデー
タを読出す。即ち、ＭＲヘッド４は、ディスク１上のデ
ータに対応する記録磁界をリード信号に変換して、ヘッ
ドアンプ５に出力する（ステップＳ４）。信号処理部６
は、ヘッドアンプ５により増幅されたリード信号からデ
ータを再生し（ＮＲＺデータ等に復号化）、コントロー
ル部７に出力する（ステップＳ５）。コントロール部７
は、信号処理部６からの再生データをバッファし、ホス
トコンピュータに転送する（ステップＳ６）。 （ＭＲヘッド４の構造と動作）シャントバイアス方式の
ＭＲヘッド４は、図２（Ａ）に示すように、磁気抵抗素
子（ＭＲ膜）４０およびシャントバイアス膜４１と称す
るバイアス膜（バイアス・ストリップ）を有する。電流
源１０から駆動電流（基準の方向を＋とする）ＤＩが供
給されると、ＭＲ膜４０にはセンス電流が流れて、シャ
ントバイアス膜４１にはバイアス電流が流れる。
流（バイアス電流）を供給されるとリード動作可能の状
態となり、ディスク１上の指定されたトラックからデー
タを読出す。即ち、ＭＲヘッド４は、ディスク１上のデ
ータに対応する記録磁界をリード信号に変換して、ヘッ
ドアンプ５に出力する（ステップＳ４）。信号処理部６
は、ヘッドアンプ５により増幅されたリード信号からデ
ータを再生し（ＮＲＺデータ等に復号化）、コントロー
ル部７に出力する（ステップＳ５）。コントロール部７
は、信号処理部６からの再生データをバッファし、ホス
トコンピュータに転送する（ステップＳ６）。 （ＭＲヘッド４の構造と動作）シャントバイアス方式の
ＭＲヘッド４は、図２（Ａ）に示すように、磁気抵抗素
子（ＭＲ膜）４０およびシャントバイアス膜４１と称す
るバイアス膜（バイアス・ストリップ）を有する。電流
源１０から駆動電流（基準の方向を＋とする）ＤＩが供
給されると、ＭＲ膜４０にはセンス電流が流れて、シャ
ントバイアス膜４１にはバイアス電流が流れる。
【００１９】シャントバイアス膜４１にバイアス電流が
流れると、バイアス磁界Ｂが発生し、ＭＲ膜４０を通過
して方向ｂの磁界として作用する。一方、ＭＲ膜４０は
センス電流と平行ａに磁化されており、全体として磁化
方向ｃとなる。この磁化方向ａ，ｃのなす角θにより、
ＭＲ膜４０の抵抗値が変化する。ディスク１からの記録
磁界Ｍが作用すると、ＭＲ膜４０では方向ｂの磁界の大
きさが変調されて、結果的に角θが変化するので、ＭＲ
膜４０の抵抗値の変化として取り出すことができる。
流れると、バイアス磁界Ｂが発生し、ＭＲ膜４０を通過
して方向ｂの磁界として作用する。一方、ＭＲ膜４０は
センス電流と平行ａに磁化されており、全体として磁化
方向ｃとなる。この磁化方向ａ，ｃのなす角θにより、
ＭＲ膜４０の抵抗値が変化する。ディスク１からの記録
磁界Ｍが作用すると、ＭＲ膜４０では方向ｂの磁界の大
きさが変調されて、結果的に角θが変化するので、ＭＲ
膜４０の抵抗値の変化として取り出すことができる。
【００２０】ソフトバイアス方式のＭＲヘッド４は、シ
ャントバイアス膜４１の代わりにソフトバイアス膜４２
を使用したもので、基本的動作はシャントバイアス方式
と同様であるが、バイアス磁界の発生原理が異なる。即
ち、ソフトバイアス方式では、ＭＲ膜４０に流れるセン
ス電流（駆動電流ＤＩ）により発生した磁界が、軟磁性
のソフトバイアス膜４２を通過することで、ＭＲ膜４０
に磁気的相互作用することを利用してバイアス磁界Ｂを
発生させる。したがって、ソフトバイアス方式では、Ｍ
Ｒ膜４０に流れるセンス電流がバイアス電流となる。
ャントバイアス膜４１の代わりにソフトバイアス膜４２
を使用したもので、基本的動作はシャントバイアス方式
と同様であるが、バイアス磁界の発生原理が異なる。即
ち、ソフトバイアス方式では、ＭＲ膜４０に流れるセン
ス電流（駆動電流ＤＩ）により発生した磁界が、軟磁性
のソフトバイアス膜４２を通過することで、ＭＲ膜４０
に磁気的相互作用することを利用してバイアス磁界Ｂを
発生させる。したがって、ソフトバイアス方式では、Ｍ
Ｒ膜４０に流れるセンス電流がバイアス電流となる。
【００２１】なお、シャントバイアス方式とソフトバイ
アス方式とを併用した方式のＭＲヘッド４は、図４
（Ａ）に示すように、ＭＲ膜４０と平行に設けられたソ
フトバイアス膜４２にバイアス電流を供給する。この方
式でも、基本的動作は前記の２方式の場合と同様であ
る。 （非リード動作モード）以上のような構造において、Ｍ
Ｒヘッド４が安定したリード動作を行なうためには、Ｍ
Ｒ膜４０の磁化ａが安定していることが必要である。仮
に、定常的にバイアス電流（即ち、センス電流も同様
に）が供給されると、定常的にバイアス磁界ｂが作用す
ることになり、磁化ａが方向ｃに向けて回転したまま固
定化してしまうことがある。このため、全体として磁化
方向ｃがさらに回転し、角θの絶対値がさらに大きくな
り、感度（ｂの変化に対するθの変化の割合）や線形性
（θ＝４５度付近が最良）が悪化してしまう。ＭＲ膜４
０にはセンス電流に平行な方向に磁気異方性があるた
め、前記のような現象は起きにくいが、起きる可能性は
ある。
アス方式とを併用した方式のＭＲヘッド４は、図４
（Ａ）に示すように、ＭＲ膜４０と平行に設けられたソ
フトバイアス膜４２にバイアス電流を供給する。この方
式でも、基本的動作は前記の２方式の場合と同様であ
る。 （非リード動作モード）以上のような構造において、Ｍ
Ｒヘッド４が安定したリード動作を行なうためには、Ｍ
Ｒ膜４０の磁化ａが安定していることが必要である。仮
に、定常的にバイアス電流（即ち、センス電流も同様
に）が供給されると、定常的にバイアス磁界ｂが作用す
ることになり、磁化ａが方向ｃに向けて回転したまま固
定化してしまうことがある。このため、全体として磁化
方向ｃがさらに回転し、角θの絶対値がさらに大きくな
り、感度（ｂの変化に対するθの変化の割合）や線形性
（θ＝４５度付近が最良）が悪化してしまう。ＭＲ膜４
０にはセンス電流に平行な方向に磁気異方性があるた
め、前記のような現象は起きにくいが、起きる可能性は
ある。
【００２２】さらに、バイアス電流が定常的に供給され
ると、発熱による熱雑音の発生が増加する問題がある。
この場合、非リード動作にバイアス電流の供給を停止す
ることが考えられる。しかし、バイアス電流の供給が停
止されると、ＭＲ膜４０を通過するバイアス磁界Ｂがな
くなり、ＭＲ膜４０には磁化ａのみが残ることになる。
この状態では、ＭＲ膜４０は全体としてはａの方向に磁
化されているが、内部の磁区ごとには必ずしも均一の方
向に磁化されておらず、ヘッドとしては不安定な状態で
ある。
ると、発熱による熱雑音の発生が増加する問題がある。
この場合、非リード動作にバイアス電流の供給を停止す
ることが考えられる。しかし、バイアス電流の供給が停
止されると、ＭＲ膜４０を通過するバイアス磁界Ｂがな
くなり、ＭＲ膜４０には磁化ａのみが残ることになる。
この状態では、ＭＲ膜４０は全体としてはａの方向に磁
化されているが、内部の磁区ごとには必ずしも均一の方
向に磁化されておらず、ヘッドとしては不安定な状態で
ある。
【００２３】この状態では、再びバイアス電流を投入し
た場合に、バルクハウゼンノイズを発生させる要因とな
ったり、一部の磁区が非可逆的な状態で固定化すること
により、リード動作時にリード信号波形に歪みが発生す
る要因になる。
た場合に、バルクハウゼンノイズを発生させる要因とな
ったり、一部の磁区が非可逆的な状態で固定化すること
により、リード動作時にリード信号波形に歪みが発生す
る要因になる。
【００２４】そこで、本発明は、非リード動作時に、バ
イアス電流を基準の電流値より所定の電流値まで減少さ
せる（ステップＳ７）。これにより、バイアス磁界を完
全になくすことなく弱めて、ＭＲ膜４０の磁化ａの固定
化を防止し、磁区構造の不安定化を防止できる。さら
に、電流値を減少させることにより、発熱量も最小限に
抑制することが可能となる。
イアス電流を基準の電流値より所定の電流値まで減少さ
せる（ステップＳ７）。これにより、バイアス磁界を完
全になくすことなく弱めて、ＭＲ膜４０の磁化ａの固定
化を防止し、磁区構造の不安定化を防止できる。さら
に、電流値を減少させることにより、発熱量も最小限に
抑制することが可能となる。
【００２５】具体的な動作としては、コントロール部７
は非リード動作に移行すると、非リード動作モードであ
ることを指示する制御信号を電流制御回路８に出力す
る。電流制御回路８は、電流源１０の出力電流値を基準
の電流値より所定の電流値まで低下させる。これによ
り、スイッチ回路９を介して、ＭＲヘッド４にはリード
動作時より電流値が減少したバイアス電流（センス電
流）が供給されることになる。
は非リード動作に移行すると、非リード動作モードであ
ることを指示する制御信号を電流制御回路８に出力す
る。電流制御回路８は、電流源１０の出力電流値を基準
の電流値より所定の電流値まで低下させる。これによ
り、スイッチ回路９を介して、ＭＲヘッド４にはリード
動作時より電流値が減少したバイアス電流（センス電
流）が供給されることになる。
【００２６】また、本発明は、非リード動作時に、バイ
アス電流の方向を基準の方向から切換えて、バイアス電
流の極性を逆に変える（ステップＳ８）。これにより、
バイアス磁界の方向が変わるため、バイアス磁界を完全
になくすことなく、かつ定常的に一方向のみにバイアス
磁界が作用することを防止することができる（図２
（Ｂ）、図３（Ｂ）、図４（Ｂ）を参照）。したがっ
て、ＭＲ膜４０の磁区構造がリード動作時のバイアス状
態に固定化することなく、しかもバイアス磁界をなくさ
ないため磁区構造の不安定化を防止することができる。
アス電流の方向を基準の方向から切換えて、バイアス電
流の極性を逆に変える（ステップＳ８）。これにより、
バイアス磁界の方向が変わるため、バイアス磁界を完全
になくすことなく、かつ定常的に一方向のみにバイアス
磁界が作用することを防止することができる（図２
（Ｂ）、図３（Ｂ）、図４（Ｂ）を参照）。したがっ
て、ＭＲ膜４０の磁区構造がリード動作時のバイアス状
態に固定化することなく、しかもバイアス磁界をなくさ
ないため磁区構造の不安定化を防止することができる。
【００２７】具体的な動作としては、コントロール部７
は非リード動作に移行すると、非リード動作モードであ
ることを指示する制御信号をスイッチ回路９に出力す
る。スイッチ回路９は、スイッチ９ａ，９ｂをｂ接点側
に切換えて、ＭＲヘッド４に電流源１０からの出力電流
を、リード動作時の基準の方向を切換えて逆方向に流
す。
は非リード動作に移行すると、非リード動作モードであ
ることを指示する制御信号をスイッチ回路９に出力す
る。スイッチ回路９は、スイッチ９ａ，９ｂをｂ接点側
に切換えて、ＭＲヘッド４に電流源１０からの出力電流
を、リード動作時の基準の方向を切換えて逆方向に流
す。
【００２８】ここで、本実施例では、バイアス電流の極
性を逆に変える制御処理（ステップＳ８）とバイアス電
流を減少させる制御処理（ステップＳ７）とを併用する
ことにより、ＭＲ膜４０の磁区構造の不安定化の防止と
共に、発熱電流量の減少を図ることができる。換言すれ
ば、一方の制御処理により、一部の磁区が非可逆的な状
態で固定化するようなＭＲ膜４０の磁区構造の不安定化
の防止して、リード動作時にリード信号波形に歪みが発
生するような事態を防止することができる。さらに、ス
テップＳ７のバイアス電流を減少させる制御処理によ
り、発熱電流量の減少を図ることが可能となる。 （エラー動作モード）次に、第１の実施例の変形例とし
て、リード動作中にリードエラーが発生した場合につい
て、図７のフローチャートを参照して説明する。
性を逆に変える制御処理（ステップＳ８）とバイアス電
流を減少させる制御処理（ステップＳ７）とを併用する
ことにより、ＭＲ膜４０の磁区構造の不安定化の防止と
共に、発熱電流量の減少を図ることができる。換言すれ
ば、一方の制御処理により、一部の磁区が非可逆的な状
態で固定化するようなＭＲ膜４０の磁区構造の不安定化
の防止して、リード動作時にリード信号波形に歪みが発
生するような事態を防止することができる。さらに、ス
テップＳ７のバイアス電流を減少させる制御処理によ
り、発熱電流量の減少を図ることが可能となる。 （エラー動作モード）次に、第１の実施例の変形例とし
て、リード動作中にリードエラーが発生した場合につい
て、図７のフローチャートを参照して説明する。
【００２９】コントロール部７は、ＭＲヘッド４を駆動
してリード動作を実行しているときに、通常ではリード
エラーチェックを実行している。このリードエラーチェ
ックにより、リードエラーを検出すると、一度リード動
作を中止する（ステップＳ２０，Ｓ２１）。
してリード動作を実行しているときに、通常ではリード
エラーチェックを実行している。このリードエラーチェ
ックにより、リードエラーを検出すると、一度リード動
作を中止する（ステップＳ２０，Ｓ２１）。
【００３０】この後に、コントロール部７は、バイアス
電流を減少させる制御処理（ステップＳ２３）またはバ
イアス電流の極性を逆に変える制御処理（ステップＳ２
４）の一方の処理を選択して実行する（ステップＳ２
２）。
電流を減少させる制御処理（ステップＳ２３）またはバ
イアス電流の極性を逆に変える制御処理（ステップＳ２
４）の一方の処理を選択して実行する（ステップＳ２
２）。
【００３１】電流制御回路８は、コントロール部７の指
示に応じて電流源１０の出力電流値を基準の電流値より
所定の電流値まで低下させる（ステップＳ２３）。これ
により、ＭＲヘッド４には、リード動作時より電流値が
減少したバイアス電流（センス電流）が供給されること
になる。コントロール部７は、所定時間の経過後に電流
制御回路８を制御して、バイアス電流値を元の基準の電
流値に戻す（ステップＳ２６）。これにより、ＭＲヘッ
ド４を駆動して、リード動作を再開させる（ステップＳ
２７）。
示に応じて電流源１０の出力電流値を基準の電流値より
所定の電流値まで低下させる（ステップＳ２３）。これ
により、ＭＲヘッド４には、リード動作時より電流値が
減少したバイアス電流（センス電流）が供給されること
になる。コントロール部７は、所定時間の経過後に電流
制御回路８を制御して、バイアス電流値を元の基準の電
流値に戻す（ステップＳ２６）。これにより、ＭＲヘッ
ド４を駆動して、リード動作を再開させる（ステップＳ
２７）。
【００３２】一方、スイッチ回路９は、コントロール部
７の指示に応じてスイッチ９ａ，９ｂをｂ接点側に切換
えて、ＭＲヘッド４に電流源１０からの出力電流を、リ
ード動作時の基準の方向を切換えて逆方向に流す（ステ
ップＳ２４）。後の処理は、前記と同様である。
７の指示に応じてスイッチ９ａ，９ｂをｂ接点側に切換
えて、ＭＲヘッド４に電流源１０からの出力電流を、リ
ード動作時の基準の方向を切換えて逆方向に流す（ステ
ップＳ２４）。後の処理は、前記と同様である。
【００３３】このようなバイアス電流を減少させる制御
処理またはバイアス電流の極性を逆に変える制御処理の
一方を行なうことにより、ＭＲヘッド４のバイアス状態
を変化させることになる。このため、前述したようなＭ
Ｒヘッド４の磁区構造の不安定化を要因としてリードエ
ラーが発生している場合に、その要因を解消してＭＲヘ
ッド４を正常な状態に復帰させることが可能となる。 （第２の実施例）図５、図８及び図９は本発明の第２の
実施例に係わる図である。第２の実施例は、図８に示す
ように、ＭＲヘッド４のＭＲ膜４０にセンス電流を供給
するための電流源２０と電流制御回路１８を、バイアス
膜４１（又はソフトバイアス膜４２）のための電流源１
０と電流制御回路８とは独立に設けた構成のＨＤＤであ
る。
処理またはバイアス電流の極性を逆に変える制御処理の
一方を行なうことにより、ＭＲヘッド４のバイアス状態
を変化させることになる。このため、前述したようなＭ
Ｒヘッド４の磁区構造の不安定化を要因としてリードエ
ラーが発生している場合に、その要因を解消してＭＲヘ
ッド４を正常な状態に復帰させることが可能となる。 （第２の実施例）図５、図８及び図９は本発明の第２の
実施例に係わる図である。第２の実施例は、図８に示す
ように、ＭＲヘッド４のＭＲ膜４０にセンス電流を供給
するための電流源２０と電流制御回路１８を、バイアス
膜４１（又はソフトバイアス膜４２）のための電流源１
０と電流制御回路８とは独立に設けた構成のＨＤＤであ
る。
【００３４】本実施例のＭＲヘッド４は、図５（Ａ）に
示すように、ＭＲ膜４０に整流素子４３を直列に接続し
た構造である。この整流素子４３は、バイアス膜４１に
流すバイアス電流の極性を逆にしたときに、ＭＲ膜４０
にバイアス電流が流れないように阻止するための構成要
素である。
示すように、ＭＲ膜４０に整流素子４３を直列に接続し
た構造である。この整流素子４３は、バイアス膜４１に
流すバイアス電流の極性を逆にしたときに、ＭＲ膜４０
にバイアス電流が流れないように阻止するための構成要
素である。
【００３５】また、本実施例のＭＲヘッド４は、図５
（Ｂ）に示すように、ＭＲ膜４０に接続された整流素子
４３と共に、バイアス膜４１には整合素子４４を接続し
た構造でもよい。この整合素子４４は、整流素子４３に
よる電圧降下分を補償するための整合抵抗素子である。
整流素子４３による電圧降下が、回路の動作上それほど
問題にならなければ、図５（Ａ）に示す構造でよい。
（Ｂ）に示すように、ＭＲ膜４０に接続された整流素子
４３と共に、バイアス膜４１には整合素子４４を接続し
た構造でもよい。この整合素子４４は、整流素子４３に
よる電圧降下分を補償するための整合抵抗素子である。
整流素子４３による電圧降下が、回路の動作上それほど
問題にならなければ、図５（Ａ）に示す構造でよい。
【００３６】第２の実施例においても、リード動作及び
非リード動作における基本的動作は、前述した第１の実
施例（図１、図６、図７を参照）の場合と同様である。
本実施例では、リード動作時には、ＭＲヘッド４は、Ｍ
Ｒ膜４０には電流源２０からセンス電流が供給される。
電流源２０は、コントロール部７の制御により、電流制
御回路１８を介して基準の電流値のセンス電流を出力す
るように動作する。一方、バイアス膜４１には、第１の
実施例の場合と同様に、電流源１０から基準の電流値の
バイアス電流がスイッチ回路９を介して供給される（図
９（Ａ）を参照）。これにより、ＭＲヘッド４は、所定
のバイアス磁界Ｂが作用しているＭＲ膜４０の抵抗変化
に基づいて、ディスク１からの記録磁界をリード信号に
変換するリード動作を実行する。
非リード動作における基本的動作は、前述した第１の実
施例（図１、図６、図７を参照）の場合と同様である。
本実施例では、リード動作時には、ＭＲヘッド４は、Ｍ
Ｒ膜４０には電流源２０からセンス電流が供給される。
電流源２０は、コントロール部７の制御により、電流制
御回路１８を介して基準の電流値のセンス電流を出力す
るように動作する。一方、バイアス膜４１には、第１の
実施例の場合と同様に、電流源１０から基準の電流値の
バイアス電流がスイッチ回路９を介して供給される（図
９（Ａ）を参照）。これにより、ＭＲヘッド４は、所定
のバイアス磁界Ｂが作用しているＭＲ膜４０の抵抗変化
に基づいて、ディスク１からの記録磁界をリード信号に
変換するリード動作を実行する。
【００３７】一方、非リード動作時に移行すると、電流
制御回路１８はコントロール部７の指示に従って、電流
源２０の出力電流値を基準の電流値より所定の電流値ま
で低下させる。これにより、ＭＲヘッド４のＭＲ膜４０
には、リード動作時より電流値が減少したセンス電流が
供給されることになる。
制御回路１８はコントロール部７の指示に従って、電流
源２０の出力電流値を基準の電流値より所定の電流値ま
で低下させる。これにより、ＭＲヘッド４のＭＲ膜４０
には、リード動作時より電流値が減少したセンス電流が
供給されることになる。
【００３８】また、スイッチ回路９はコントロール部７
の指示に従って、電流源１０からの出力電流の方向を切
換えて、リード動作時の基準の方向とは逆方向にバイア
ス電流を供給する（図９（Ｂ）を参照）。
の指示に従って、電流源１０からの出力電流の方向を切
換えて、リード動作時の基準の方向とは逆方向にバイア
ス電流を供給する（図９（Ｂ）を参照）。
【００３９】なお、第１の実施例の場合と同様に、セン
ス電流の制御とバイアス電流の制御とを併用して行なう
必要はなく、いずれか一方でもよい。即ち、第２の実施
例の場合でも、ＭＲヘッド４のＭＲ膜４０のセンス電流
を減少させることにより、バイアス磁界をなくすことな
く、ＭＲ膜４０の磁化ａの固定化を防止し、磁区構造の
不安定化を防止できる。さらに、センス電流値を減少さ
せることにより、発熱量も最小限に抑制することが可能
となる。
ス電流の制御とバイアス電流の制御とを併用して行なう
必要はなく、いずれか一方でもよい。即ち、第２の実施
例の場合でも、ＭＲヘッド４のＭＲ膜４０のセンス電流
を減少させることにより、バイアス磁界をなくすことな
く、ＭＲ膜４０の磁化ａの固定化を防止し、磁区構造の
不安定化を防止できる。さらに、センス電流値を減少さ
せることにより、発熱量も最小限に抑制することが可能
となる。
【００４０】また、ＭＲヘッド４のバイアス膜４１のバ
イアス電流を切換えることにより、バイアス磁界の方向
が変わるため、バイアス磁界を完全になくすことなく、
かつ定常的に一方向のみにバイアス磁界が作用すること
を防止することができる。したがって、ＭＲ膜４０の磁
区構造がリード動作時のバイアス状態に固定化すること
なく、しかもバイアス磁界をなくさないため磁区構造の
不安定化を防止することができる。
イアス電流を切換えることにより、バイアス磁界の方向
が変わるため、バイアス磁界を完全になくすことなく、
かつ定常的に一方向のみにバイアス磁界が作用すること
を防止することができる。したがって、ＭＲ膜４０の磁
区構造がリード動作時のバイアス状態に固定化すること
なく、しかもバイアス磁界をなくさないため磁区構造の
不安定化を防止することができる。
【００４１】さらに、第２の実施例の変形例として、図
７のフローチャートに示すリードエラー動作時のエラー
処理も適用することができる。即ち、リード動作中にリ
ードエラーが発生したときに、電流制御回路１８により
ＭＲ膜４０のセンス電流を減少させる制御処理またはス
イッチ回路９によりバイアス電流の極性を逆に変える制
御処理の一方を行なう。これにより、ＭＲヘッド４の磁
区構造の不安定化を要因としてリードエラーが発生して
いる場合に、その要因を解消してＭＲヘッド４を正常な
状態に復帰させることが可能となる。
７のフローチャートに示すリードエラー動作時のエラー
処理も適用することができる。即ち、リード動作中にリ
ードエラーが発生したときに、電流制御回路１８により
ＭＲ膜４０のセンス電流を減少させる制御処理またはス
イッチ回路９によりバイアス電流の極性を逆に変える制
御処理の一方を行なう。これにより、ＭＲヘッド４の磁
区構造の不安定化を要因としてリードエラーが発生して
いる場合に、その要因を解消してＭＲヘッド４を正常な
状態に復帰させることが可能となる。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ｍ
Ｒヘッドを使用したディスク記録再生装置において、非
リード動作時に、ＭＲヘッドの磁区構造の不安定化や発
熱量の増大化を防止することにより、ヘッド性能の劣
化、リード動作時のリード信号波形に歪みの発生、また
は発熱によるノイズの増大を防止することが可能とな
る。したがって、リード動作時のエラーレートを減少さ
せ、確実なデータ再生動作を実現することができる。ま
た、結果的にリードエラーの発生回数を減少化できるた
め、リード動作の再実行回数を減少させて、アクセス速
度の向上を図ることができる。
Ｒヘッドを使用したディスク記録再生装置において、非
リード動作時に、ＭＲヘッドの磁区構造の不安定化や発
熱量の増大化を防止することにより、ヘッド性能の劣
化、リード動作時のリード信号波形に歪みの発生、また
は発熱によるノイズの増大を防止することが可能とな
る。したがって、リード動作時のエラーレートを減少さ
せ、確実なデータ再生動作を実現することができる。ま
た、結果的にリードエラーの発生回数を減少化できるた
め、リード動作の再実行回数を減少させて、アクセス速
度の向上を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係わるハードディスク
装置（ＨＤＤ）の要部を示すブロック図。
装置（ＨＤＤ）の要部を示すブロック図。
【図２】第１の実施例に係わるシャントバイアス方式の
ＭＲヘッドの構造を説明するための図。
ＭＲヘッドの構造を説明するための図。
【図３】第１の実施例に係わるソフトバイアス方式のＭ
Ｒヘッドの構造を説明するための図。
Ｒヘッドの構造を説明するための図。
【図４】第１の実施例に係わる両方式を適用したＭＲヘ
ッドの構造を説明するための図。
ッドの構造を説明するための図。
【図５】第２の実施例に係わる整流素子と整合素子を備
えたＭＲヘッドの構造を説明するための図。
えたＭＲヘッドの構造を説明するための図。
【図６】第１の実施例の動作を説明するためのフローチ
ャート。
ャート。
【図７】第１の実施例の変形例を説明するためのフロー
チャート。
チャート。
【図８】本発明の第２の実施例に係わるハードディスク
装置（ＨＤＤ）の要部を示すブロック図。
装置（ＨＤＤ）の要部を示すブロック図。
【図９】第２の実施例に係わるＭＲヘッドの構造を説明
するための図。
するための図。
１…ディスク、２…ヘッド、３…薄膜ヘッド、４…ＭＲ
ヘッド、５…ヘッドアンプ、６…信号処理部、７…コン
トロール部、８，１８…電流制御回路、９…スイッチ回
路、１０，２０…電流源、４０…ＭＲ膜、４１…シャン
トバイアス膜、４２…ソフトバイアス膜。
ヘッド、５…ヘッドアンプ、６…信号処理部、７…コン
トロール部、８，１８…電流制御回路、９…スイッチ回
路、１０，２０…電流源、４０…ＭＲ膜、４１…シャン
トバイアス膜、４２…ソフトバイアス膜。
Claims (10)
- 【請求項１】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生す
るバイアス手段を有するリード専用の磁気ヘッドを駆動
制御するための磁気ヘッド制御装置であって、 前記磁気ヘッドのリード動作時に所定の電流値の駆動電
流を前記磁気抵抗素子と前記バイアス手段に供給し、か
つ非リード動作時には前記所定の電流値よりも減少させ
た低電流値の前記駆動電流を前記磁気抵抗素子と前記バ
イアス手段に供給するように制御する電流制御手段を具
備したことを特徴とする磁気ヘッド制御装置。 - 【請求項２】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生す
るバイアス手段を有するリード専用の磁気ヘッドを駆動
制御するための磁気ヘッド制御装置であって、 前記磁気ヘッドのリード動作時に所定の電流値の駆動電
流を前記磁気抵抗素子と前記バイアス手段に供給し、か
つ非リード動作時には前記駆動電流の極性を逆転させて
前記磁気抵抗素子と前記バイアス手段に供給するように
制御する電流制御手段を具備したことを特徴とする磁気
ヘッド制御装置。 - 【請求項３】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生す
るバイアス手段を有し、前記磁気抵抗素子に供給された
センス電流に伴う磁気的相互作用により前記バイアス磁
界を発生するリード専用の磁気ヘッドを駆動制御するた
めの磁気ヘッド制御装置であって、 前記磁気ヘッドのリード動作時には所定の電流値の前記
センス電流を前記磁気抵抗素子に供給し、かつ非リード
動作時には前記所定の電流値よりも減少させた低電流値
のセンス電流を前記磁気抵抗素子に供給するように制御
する電流制御手段を具備したことを特徴とする磁気ヘッ
ド制御装置。 - 【請求項４】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生す
るバイアス手段を有し、前記磁気抵抗素子に供給された
センス電流に伴う磁気的相互作用により前記バイアス磁
界を発生するリード専用の磁気ヘッドを駆動制御するた
めの磁気ヘッド制御装置であって、 前記磁気ヘッドのリード動作時には所定の電流値の前記
センス電流を前記磁気抵抗素子に供給し、かつ非リード
動作時には前記センス電流の極性を逆転させて前記磁気
抵抗素子に供給するように制御する電流制御手段を具備
したことを特徴とする磁気ヘッド制御装置。 - 【請求項５】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生す
るバイアス手段を有するリード専用の磁気ヘッドを備え
たディスク記録再生装置において、 データを記録するためのディスクと、 前記磁気ヘッドにより前記ディスクから出力されたリー
ド信号をデータに再生するデータ再生手段と、 リード動作時に、所定の電流値の駆動電流を前記磁気ヘ
ッドの前記磁気抵抗素子と前記バイアス手段に供給する
ための電流供給手段と、 非リード動作時に、前記駆動電流の電流値を前記所定の
電流値より減少させた低電流値に切換えるように制御す
る電流制御手段とを具備したことを特徴とするデータ記
録再生装置。 - 【請求項６】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生す
るバイアス手段を有するリード専用の磁気ヘッドを備え
たディスク記録再生装置において、 データを記録するためのディスクと、 前記磁気ヘッドにより前記ディスクから出力されたリー
ド信号をデータに再生するデータ再生手段と、 リード動作時に、所定の電流値の駆動電流を前記磁気ヘ
ッドの前記磁気抵抗素子と前記バイアス手段に供給する
ための電流供給手段と、 非リード動作時に、前記駆動電流の極性を逆転させるよ
うに制御する電流制御手段とを具備したことを特徴とす
るデータ記録再生装置。 - 【請求項７】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生す
るバイアス手段を有し、前記磁気抵抗素子に供給された
センス電流に伴う磁気的相互作用により前記バイアス磁
界を発生するリード専用の磁気ヘッドを備えたディスク
記録再生装置において、 データを記録するためのディスクと、 前記磁気ヘッドにより前記ディスクから出力されたリー
ド信号をデータに再生するデータ再生手段と、 リード動作時に所定の電流値の前記センス電流を前記磁
気抵抗素子に供給するための電流供給手段と、 非リード動作時に、前記センス電流の電流値を前記所定
の電流値より減少させた低電流値に切換えるように制御
する電流制御手段とを具備したことを特徴とするデータ
記録再生装置。 - 【請求項８】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生す
るバイアス手段を有し、前記磁気抵抗素子に供給された
センス電流に伴う磁気的相互作用により前記バイアス磁
界を発生するリード専用の磁気ヘッドを備えたディスク
記録再生装置において、 データを記録するためのディスクと、 前記磁気ヘッドにより前記ディスクから出力されたリー
ド信号をデータに再生するデータ再生手段と、 リード動作時に所定の電流値の前記センス電流を前記磁
気抵抗素子に供給するための電流供給手段と、 非リード動作時に、前記センス電流の極性を逆転させる
ように制御する電流制御手段とを具備したことを特徴と
するデータ記録再生装置。 - 【請求項９】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生す
るバイアス手段を有するリード専用の磁気ヘッドを備え
たディスク記録再生装置において、 データを記録するためのディスクと、 前記磁気ヘッドにより前記ディスクから出力されたリー
ド信号をデータに再生するデータ再生手段と、 リード動作時に、所定の電流値の駆動電流を前記磁気ヘ
ッドに供給するための電流供給手段と、 前記データ再生手段により再生されたデータのエラーを
検出するためのエラー検出手段と、 このエラー検出手段によるエラー検出時に、前記リード
動作を一時的に中止して前記磁気抵抗素子に供給する前
記駆動電流の電流値を減少させる制御および前記バイア
ス手段に供給する前記駆動電流の極性を逆転させる制御
の一方を選択的に実行するエラー処理手段とを具備した
ことを特徴とするディスク記録再生装置。 - 【請求項１０】 磁気抵抗素子及びバイアス磁界を発生
するバイアス手段を有するリード専用の磁気ヘッドを備
えたディスク記録再生装置において、 データを記録するためのディスクと、 前記磁気ヘッドにより前記ディスクから出力されたリー
ド信号をデータに再生するデータ再生手段と、 リード動作時に、所定の電流値の駆動電流を前記磁気ヘ
ッドに供給するための電流供給手段と、 非リード動作時に、前記駆動電流の電流値を前記所定の
電流値より減少させた低電流値に切換え、かつ前記駆動
電流の極性を逆転させるように制御する電流制御手段と
を具備したことを特徴とするデータ記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10581295A JPH08306011A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | ディスク記録再生装置及びその磁気ヘッド制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10581295A JPH08306011A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | ディスク記録再生装置及びその磁気ヘッド制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306011A true JPH08306011A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14417514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10581295A Pending JPH08306011A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | ディスク記録再生装置及びその磁気ヘッド制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306011A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6714389B1 (en) * | 2000-11-01 | 2004-03-30 | Seagate Technology Llc | Digital magnetoresistive sensor with bias |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP10581295A patent/JPH08306011A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6714389B1 (en) * | 2000-11-01 | 2004-03-30 | Seagate Technology Llc | Digital magnetoresistive sensor with bias |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3648496B2 (ja) | ディスク記憶装置及び同装置における記録電流制御方法 | |
| US6970312B2 (en) | Full amplitude time-based servopositioning signals | |
| JP2766151B2 (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JP2002298307A (ja) | データ記憶装置、書き込み電流制御回路および書き込み電流の制御方法 | |
| JPH07169009A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生回路 | |
| US5754354A (en) | Magnetic disk drive unit with complex magnetic head of variable reading width | |
| JPH11353830A (ja) | 記憶ディスク装置のアクチュエータ駆動方法及びその装置 | |
| JP3039855B2 (ja) | ディスクドライブ装置及びディスクドライブ装置の書き込み制御方法 | |
| JPH10269504A (ja) | Ｍｒヘッドを備えた磁気再生装置 | |
| KR100594308B1 (ko) | 자기 디스크의 서보 패턴 기록 방법 및 이를 이용한디스크 드라이브와 자기 디스크 | |
| US5969896A (en) | Magnetic recording/reproducing device with a function of correcting waveform of magnetoresistive-effect head | |
| JPH08306011A (ja) | ディスク記録再生装置及びその磁気ヘッド制御装置 | |
| JP4519579B2 (ja) | ディスク記憶装置 | |
| US7038870B2 (en) | Data storage device, data write method, and program | |
| US6873484B2 (en) | Disk drive including perpendicular magnetic recording system with write compensation | |
| JP2002150510A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JPH06267001A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JPH08190703A (ja) | 磁気ディスク装置および制御方法 | |
| JPH09102103A (ja) | 記録電流制御機能を有する磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置のサーボデータ記録方法 | |
| JP2872207B1 (ja) | 磁気記録方法及び磁気記録再生装置 | |
| JPH087203A (ja) | Ｍｒヘッドの駆動方法及びハードディスクシステム | |
| JP2002251703A (ja) | 磁気記録装置 | |
| JP2005310359A (ja) | 垂直磁気記録システムの回復時間の短縮 | |
| JPH10134531A (ja) | 磁気ディスク装置及び同装置に適用するヘッド位置決め制御装置 | |
| JPH0684113A (ja) | 薄膜磁気ヘッド装置 |