JPH07169009A - 磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生回路 - Google Patents

磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生回路

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JPH07169009A
JPH07169009A JP5313447A JP31344793A JPH07169009A JP H07169009 A JPH07169009 A JP H07169009A JP 5313447 A JP5313447 A JP 5313447A JP 31344793 A JP31344793 A JP 31344793A JP H07169009 A JPH07169009 A JP H07169009A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、ＭＲヘッドを用いた磁気記録再生
装置における信号再生回路に関し、ライト状態からリー
ド状態に遷移するアイドル期間を短縮することで不要な
オフセット成分が再生信号に重畳するのを抑制し、ひい
てはデータ容量の損失を最小限にすることを目的とす
る。 【構成】 ＭＲヘッド１にセンス電流Ｉｓを供給するた
めの定電流源４と再生用増幅器７，８にそれぞれ所定の
電流Ｉｂを供給するための定電流源１０，１１のオン／
オフのタイミングを制御する回路１２，１３，１４を具
備し、リード状態からライト状態に遷移する時に電流Ｉ
ｂをオフにしてから電流Ｉｓをオフにするように制御
し、ライト状態からリード状態に遷移する時に電流Ｉｓ
をオンにしてから電流Ｉｂをオンにするように制御する
ように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置にお
ける信号再生回路に係り、特に、磁気抵抗効果（Magnet
o-Resistive effect）を利用する素子を用いた再生用ヘ
ッド（以下、ＭＲヘッドと称する）により磁気記録媒体
上のデータを再生する際に、そのＭＲヘッドの端子間電
圧に起因してライト状態からリード状態への遷移時に発
生する過渡現象を速やかに回復（リカバリー）させるた
めの技術に関する。
【０００２】近年、磁気ディスク装置等の磁気記録再生
装置の高速化及び大容量化が進み、それに伴い磁気ヘッ
ドも、より高記録密度化を可能とするために、通常のイ
ンダクティブ薄膜磁気ヘッドから、データの再生専用に
ＭＲヘッドが使用されるようになってきた。これは、デ
ータの再生用にＭＲヘッドを使用すると、ＭＲヘッドと
磁気記録媒体との相対速度に依存しない信号磁界の検出
が可能なため、磁気記録媒体の走行速度を低くして記録
密度を高めることができるからである。しかしその反
面、ＭＲヘッドは、後述するように、その端子間電圧に
起因してライト状態からリード状態への遷移時に好まし
くない過渡現象が発生する。そこで、係る過渡現象を解
消する技術が要望されている。
【０００３】
【従来の技術】図１４には従来形の一例としてのＭＲヘ
ッド用信号再生回路の回路構成が示される。同図におい
て、ＭＲヘッド１の一方の端子は、抵抗器２を介して高
電位の電源ラインＶ1(例えば５Ｖ）に接続されると共
に、初段の再生用増幅器（リード・アンプ）を構成する
ＮＰＮトランジスタ７のベースに接続されており、ＭＲ
ヘッド１の他方の端子は、抵抗器３及び定電流源４を介
して低電位の電源ラインＶ2(例えば０Ｖ）に接続される
と共に、初段リード・アンプを構成するＮＰＮトランジ
スタ８のベースに接続されている。トランジスタ７のコ
レクタは、出力端子ＲＸに接続されると共に、抵抗器５
を介して電源ラインＶ1 に接続されており、トランジス
タ８のコレクタは、出力端子ＲＹに接続されると共に、
抵抗器６を介して電源ラインＶ1 に接続されている。ま
た、トランジスタ７のエミッタは、キャパシタ９の一方
の端子ＣＸに接続されると共に、定電流源１０を介して
電源ラインＶ2 に接続されており、トランジスタ８のエ
ミッタは、キャパシタ９の他方の端子ＣＹに接続される
と共に、定電流源１１を介して電源ラインＶ2 に接続さ
れている。また、出力端子ＲＸ及びＲＹは復調系（図示
せず）に接続されている。
【０００４】なお、定電流源４，１０及び１１はそれぞ
れリード／ライト（Ｒ／Ｗ）制御信号に応答してオン／
オフする。図示の例では、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｈ”レベ
ルの時にリード状態となり、各定電流源４，１０及び１
１はオンとなってそれぞれ定電流Ｉｓ，Ｉｂ及びＩｂを
供給し、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｌ”レベルの時にライト状
態となり、各定電流源４，１０及び１１はオフとなって
それぞれ定電流の供給を遮断する。
【０００５】従って、リード時において電源ラインＶ1
から供給される電流は、抵抗器２、ＭＲヘッド１、抵抗
器３及び定電流源４を介して電源ラインＶ2 に流れ、ま
た、抵抗器５、トランジスタ７及び定電流源１０を介し
て電源ラインＶ2 に流れると共に、抵抗器６、トランジ
スタ８及び定電流源１１を介して電源ラインＶ2 に流れ
る。
【０００６】ＭＲヘッド１を通して電流Ｉｓ（これは磁
気記録媒体に加わる磁界を検出するためのセンス電流で
ある）が流れると、その内部抵抗によりＭＲヘッド１の
両端に電位差が生じ、それに応じてトランジスタ７のベ
ースとトランジスタ８のベース間にオフセット電圧が発
生する。このため、トランジスタ７を流れる電流はトラ
ンジスタ８を流れる電流よりも多くなり、出力端子ＲＸ
と出力端子ＲＹの間にも上記オフセット電圧に応じた電
位差が発生する。
【０００７】キャパシタ９は、この電位差すなわちオフ
セット電圧を無くすように適宜電荷を充電し又は放電す
る。キャパシタ９の端子間電圧ＶＣはトランジスタ７及
び８の各エミッタ電圧をバランスさせるため、トランジ
スタ７と８にはそれぞれＩｂの電流が流れる。従って、
出力端子ＲＸとＲＹの間（出力信号ＶＲ）には、磁界の
変化によってＭＲヘッド１の内部抵抗が変化することに
よる電圧の変化、すなわち、磁界の変化に対応して振幅
が変化する信号（つまり再生信号）が出力されることに
なり、理想的には不要なオフセット電圧は送出されな
い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１５には図１４の回
路の動作タイミング波形の一例が示される。同図におい
て、ＲＧ及びＷＧはそれぞれリードゲート信号及びライ
トゲート信号を示す。リードゲート信号ＲＧは、磁気記
録媒体からデータを正常に読み出せる期間を設定するた
めの信号であり、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｌ”レベルに変化
した時点で立ち下がり、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｈ”レベル
に変化した時に所定のアイドル期間経過後に立ち上が
る。一方、ライトゲート信号ＷＧは、磁気記録媒体へデ
ータを正常に書き込める期間を設定するための信号であ
り、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｌ”レベルに変化した時に所定
のアイドル期間経過後に立ち上がり、Ｒ／Ｗ制御信号が
“Ｈ”レベルに変化した時点で立ち下がる。つまり、ア
イドル期間は、Ｒ／Ｗ制御信号がレベル変化した時点か
らリードゲート信号ＲＧ又はライトゲート信号ＷＧが立
ち上がるまでの期間によって規定される。
【０００９】上述したようにＭＲヘッド１では、リード
状態の時に、バイアス磁界をかけてセンス電流Ｉｓを流
す必要があり、そのためにＭＲヘッド１の両端にオフセ
ット電圧が発生する。このため、初段リード・アンプ
（トランジスタ７，８）ではオフセット電圧の増幅を防
ぐために、定電流源１０及び１１により電流Ｉｂを流す
ことで、キャパシタ９の端子ＣＸ−ＣＹ間にオフセット
電圧相当の電位差Ｖ0 を与えている。つまり、ＭＲヘッ
ド１の両端に現れるオフセット電圧をキャパシタ９によ
って打ち消している。この結果、出力端子ＲＸ−ＲＹ間
に現れる出力信号ＶＲは０（つまりオフセット電圧が
０）となり、問題は生じない。
【００１０】一方、ライト状態の時は、ＭＲ素子の劣化
を防ぐためにセンス電流Ｉｓを遮断する必要がある。こ
の時、ＭＲヘッド１の両端にオフセット電圧は発生しな
いので、キャパシタ９の端子間電圧ＶＣも０となる。そ
のため、出力端子ＲＸ−ＲＹ間に現れる出力信号ＶＲも
０（つまりオフセット電圧が０）となり、問題は生じな
い。
【００１１】しかしながら、ライト状態からリード状態
に遷移する時（図１５においてアイドル期間と称する過
渡的な期間中）に問題が生じる。つまり、この遷移期間
中、キャパシタ９に上記オフセット電圧相当の電位差Ｖ
0 に応じた電荷が蓄積されることになるが、このアイド
ル期間は、時定数に応じて大体２，３μｓの時間を必要
とする。この間、ＭＲヘッド１のオフセット電圧はキャ
パシタ９によって完全に打ち消されないため、出力信号
ＶＲにはオフセット電圧に応じた過渡的な影響（電圧ａ
Ｖ0 ）が現れてしまう。これは信号の再生に支障をきた
すため、係る過渡的なアイドル期間は極力短い方が好ま
しい。
【００１２】このように従来のＭＲヘッド用信号再生回
路においては、ライト状態からリード状態に遷移するア
イドル期間中に不要なオフセット電圧が再生信号に重畳
し、そのために正確な復調が行えないといった問題点が
あった。また、オフセット電圧が現れているアイドル期
間（つまり過渡現象の期間中）は磁気記録媒体からデー
タを読み出すことができないため、データブロックとデ
ータブロックの間にはアイドル期間に相当する長さのギ
ャップ部（無データ部）が形成され、その分、磁気ディ
スク装置の記憶容量を小さくしなければならず、結果的
にデータ容量の損失を招くといった不都合があった。
【００１３】本発明は、かかる従来技術における課題に
鑑み創作されたもので、ＭＲヘッドを用いた磁気記録再
生装置において、ライト状態からリード状態に遷移する
アイドル期間を短縮することで不要なオフセット成分が
再生信号に重畳するのを抑制し、ひいてはデータ容量の
損失を最小限にすることができる信号再生回路を提供す
ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、ライト状態からリード状態に遷移する
時に、ＭＲヘッドに流すセンス電流と初段リード・アン
プに流す電流のオン／オフのタイミング又は電流量を適
宜制御するようにしている。従って、本発明の第１の形
態によれば、電圧の異なる第１及び第２の電源ライン
と、該第１の電源ラインに抵抗器を介して一端が接続さ
れ、リード時に磁気記録媒体から信号を再生する磁気抵
抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの他端との
間に抵抗器を介して接続されると共に該抵抗器と前記第
２の電源ラインの間に接続され、リード時に前記磁気抵
抗効果型ヘッドにセンス電流を供給する第１の定電流源
と、前記第１の電源ラインにそれぞれ抵抗器を介してそ
れぞれのコレクタが接続され、前記磁気抵抗効果型ヘッ
ドの一端及び他端から得られた電圧信号にそれぞれ応答
する第１及び第２のトランジスタと、該第１及び第２の
トランジスタの各エミッタと前記第２の電源ラインの間
にそれぞれ接続され、リード時に該第１及び第２のトラ
ンジスタに所定の定電流をそれぞれ供給する第２及び第
３の定電流源と、前記第１のトランジスタのエミッタと
前記第２のトランジスタのエミッタの間に接続されたキ
ャパシタと、リード／ライト制御信号に応答して前記第
１，第２および第３の定電流源のオン／オフのタイミン
グをそれぞれ制御する回路とを具備し、リード状態から
ライト状態に遷移する時に前記第２及び第３の定電流源
をオフにしてから前記第１の定電流源をオフにするよう
に制御し、ライト状態からリード状態に遷移する時に前
記第１の定電流源をオンにしてから前記第２及び第３の
定電流源をオンにするように制御することを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生回路が提供される。
【００１５】また、本発明の第２の形態によれば、電圧
の異なる第１及び第２の電源ラインと、該第１の電源ラ
インに抵抗器を介して一端が接続され、リード時に磁気
記録媒体から信号を再生する磁気抵抗効果型ヘッドと、
該磁気抵抗効果型ヘッドの他端との間に抵抗器を介して
接続されると共に該抵抗器と前記第２の電源ラインの間
に接続され、リード時に前記磁気抵抗効果型ヘッドにセ
ンス電流を供給する第１の定電流源と、前記第１の電源
ラインにそれぞれ抵抗器を介してそれぞれのコレクタが
接続され、前記磁気抵抗効果型ヘッドの一端及び他端か
ら得られた電圧信号にそれぞれ応答する第１及び第２の
トランジスタと、該第１及び第２のトランジスタの各エ
ミッタと前記第２の電源ラインの間にそれぞれ接続さ
れ、リード時に該第１及び第２のトランジスタに所定の
定電流をそれぞれ供給する第２及び第３の定電流源と、
前記第１のトランジスタのエミッタと前記第２のトラン
ジスタのエミッタの間に接続されたキャパシタと、リー
ド／ライト制御信号に応答して前記第１及び第２のトラ
ンジスタのエミッタ電流をそれぞれ制御する回路とを具
備し、ライト状態からリード状態に遷移する時に所定時
間だけ前記第１及び第２のトランジスタのエミッタ電流
を前記所定の定電流よりも増加させるように制御するこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生回路が
提供される。
【００１６】さらに、本発明の第３の形態によれば、複
数の磁気記録媒体のそれぞれに対応して設けられた複数
の信号再生回路を具備し、各信号再生回路は、電圧の異
なる第１及び第２の電源ラインと、 該第１の電源ライ
ンに抵抗器を介して一端が接続され、リード時に対応す
る磁気記録媒体から信号を再生する磁気抵抗効果型ヘッ
ドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの他端との間に抵抗器を
介して接続されると共に該抵抗器と前記第２の電源ライ
ンの間に接続され、リード時に前記磁気抵抗効果型ヘッ
ドにセンス電流を供給する第１の定電流源と、前記第１
の電源ラインにそれぞれ抵抗器を介してそれぞれのコレ
クタが接続され、前記磁気抵抗効果型ヘッドの一端及び
他端から得られた電圧信号にそれぞれ応答する第１及び
第２のトランジスタと、該第１及び第２のトランジスタ
の各エミッタと前記第２の電源ラインの間にそれぞれ接
続され、リード時に該第１及び第２のトランジスタに所
定の定電流をそれぞれ供給する第２及び第３の定電流源
とを有し、更に前記各信号再生回路に共用される形で前
記第１及び第２のトランジスタの各エミッタ間に接続さ
れたキャパシタを具備し、リード／ライト制御信号及び
ヘッド選択信号により前記各信号再生回路における第
１，第２及び第３の定電流源のオン／オフを制御し、選
択したヘッドに対応する信号再生回路がライト状態の時
に非選択状態のヘッドに対応する信号再生回路をリード
状態に制御することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド
用信号再生回路が提供される。
【００１７】
【作用】上述した本発明の第１の形態に基づく構成によ
れば、リード状態からライト状態に遷移する時に、第２
及び第３の定電流源をオフ（つまり第１及び第２のトラ
ンジスタに流れる電流をオフ）にしてから第１の定電流
源をオフ（つまり磁気抵抗効果型ヘッドのセンス電流を
オフ）にするように制御しているので、キャパシタに充
電された電荷はリークによってしか流出せず、キャパシ
タの端子間電圧の降下量を抑制することができる。
【００１８】また、ライト状態からリード状態に遷移す
る時に、第１の定電流源をオンにしてから第２及び第３
の定電流源をオンにするように制御しているので、キャ
パシタの端子間電圧をそれほど低下させずに充電するこ
とができる。これによって、キャパシタの充電時間が相
対的に短縮され、結果的にライト状態からリード状態に
遷移するアイドル期間が短くなるので、従来形に見られ
たような不要なオフセット電圧が再生信号に重畳するの
を抑制することができる。また、アイドル期間が短くな
った分、磁気記録媒体からデータを読み出せる期間が長
くなり、これによってデータ容量の損失を最小限にする
ことができる。
【００１９】また、本発明の第２の形態に基づく構成に
よれば、ライト状態からリード状態に遷移する時に、所
定時間だけ第１及び第２のトランジスタのエミッタ電流
を所定の定電流よりも増加させるように制御しているの
で、キャパシタを所定の電位まで速やかに充電すること
ができる。つまり、キャパシタの充電時間が相対的に短
縮されるので、本発明の第１の形態と同様の効果を奏す
ることができる。
【００２０】また、本発明の第３の形態に基づく構成に
よれば、各信号再生回路に共用される形でキャパシタが
第１及び第２のトランジスタの各エミッタ間に接続され
ているので、いずれかのヘッド（チャネルＡとする）に
対応する信号再生回路がライト状態の時でも、非選択状
態にある他のヘッドに対応する信号再生回路をリード状
態にしておくことで、キャパシタの端子間電圧をほとん
ど変動させずに維持することができる。従って、チャネ
ルＡがライト状態からリード状態に遷移する時にキャパ
シタを充電する必要が無くなる。つまり、充電時間が無
い分だけアイドル期間を短縮することができ、これによ
ってデータ容量の損失を最小限にすることができる。
【００２１】なお、本発明の他の構成上の特徴及び作用
の詳細については、添付図面を参照しつつ以下に記述さ
れる実施例を用いて説明する。
【００２２】
【実施例】図１には本発明に係るＭＲヘッド用信号再生
回路の第１実施例の回路構成が示される。同図におい
て、図１４の従来構成において用いられた参照符号と同
じ参照符号は同じ構成要素を表しており、その説明につ
いては省略する。
【００２３】本実施例に係る信号再生回路は、図１４の
構成に加えて、Ｒ／Ｗ制御信号を所定時間だけ遅延させ
る遅延回路１２と、Ｒ／Ｗ制御信号に基づき該Ｒ／Ｗ制
御信号又は遅延回路１２の出力信号（遅延Ｒ／Ｗ制御信
号）を選択的に出力し、その選択出力により定電流源４
（これはＭＲヘッド１にセンス電流Ｉｓを供給する）を
制御するセレクタ１３と、同じくＲ／Ｗ制御信号に基づ
き遅延回路１２の出力信号又はＲ／Ｗ制御信号を選択的
に出力し、その選択出力により定電流源１０及び１１
（それぞれトランジスタ７及び８に定電流Ｉｂを供給す
る）を制御するセレクタ１４とを設けたことを特徴とす
る。
【００２４】本実施例では、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｈ”レ
ベルの時（つまりリード時）、セレクタ１３はＲ／Ｗ制
御信号を選択出力し、セレクタ１４は遅延Ｒ／Ｗ制御信
号を選択出力する。一方、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｌ”レベ
ルの時（つまりライト時）、セレクタ１３は遅延Ｒ／Ｗ
制御信号を選択出力し、セレクタ１４はＲ／Ｗ制御信号
を選択出力する。定電流源４，１０及び１１は、対応す
るセレクタ１３，１４の選択出力が“Ｈ”レベルの時に
オンとなってそれぞれ定電流Ｉｓ，Ｉｂ及びＩｂを供給
し、当該選択出力が“Ｌ”レベルの時にオフとなってそ
れぞれ定電流の供給を遮断する。
【００２５】図２には図１の回路の動作タイミング波形
が示される。Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｈ”レベルから“Ｌ”
レベルに変化すると（リード状態からライト状態への遷
移時）、先ずセレクタ１４が“Ｌ”レベルのＲ／Ｗ制御
信号を出力し、次いでセレクタ１３が“Ｌ”レベルの遅
延したＲ／Ｗ制御信号を出力する。これによって、Ｒ／
Ｗ制御信号が“Ｌ”レベルに変化した時点で電流Ｉｂが
オフとなり、次いで所定の遅延時間経過後にセンス電流
Ｉｓがオフとなる。
【００２６】一方、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｌ”レベルから
“Ｈ”レベルに変化すると（ライト状態からリード状態
への遷移時）、先ずセレクタ１３が“Ｈ”レベルのＲ／
Ｗ制御信号を出力し、次いでセレクタ１４が“Ｈ”レベ
ルの遅延したＲ／Ｗ制御信号を出力する。これによっ
て、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｈ”レベルに変化した時点でセ
ンス電流Ｉｓがオンとなり、次いで所定の遅延時間経過
後に電流Ｉｂがオンとなる。
【００２７】第１実施例の構成によれば、図２の動作タ
イミング図に示されるように、リード状態からライト状
態に遷移する時に、トランジスタ７及び８に流れる電流
ＩｂをオフにしてからＭＲヘッド１のセンス電流Ｉｓを
オフにするように制御しているので、キャパシタ９に充
電された電荷はリークによってしか流出せず、キャパシ
タ９の端子間電圧ＶＣはそれほど低下しない。なお、破
線で示す波形は従来例の場合を示している。また、ライ
ト状態からリード状態に遷移する時に、ＭＲヘッド１の
センス電流Ｉｓをオンにしてからトランジスタ７及び８
に流れる電流Ｉｂをオンにするように制御しているの
で、キャパシタ９の端子間電圧ＶＣをそれほど低下させ
ずに充電することができる。
【００２８】従って、キャパシタ９の充電時間を従来例
（破線表示）に比べて短縮することができ、結果的にラ
イト状態からリード状態への遷移期間（アイドル期間）
が短くなるので、当該遷移時における過渡現象（不要な
オフセット電圧）の発生を大いに抑制することができ
る。また、アイドル期間が短くなった分、磁気記録媒体
からデータを読み出せる期間が長くなるので、データ容
量の損失を最小限にすることができる。
【００２９】なお、図３には遅延回路１２の一構成例が
示され、図４にはその動作タイミング波形が示される。
また、図５にはセレクタ回路（１３，１４）の一構成例
が示され、図６にはその動作タイミング波形が示され
る。先ず、図３及び図４を参照すると、入力されたＲ／
Ｗ制御信号は、バッファ２１を通り、更に抵抗器２２及
びキャパシタ２３により定義されるＣＲ時定数に応じて
過渡応答特性を示す信号（ノードＮの信号）となる。こ
の場合、バッファ２１は、ＣＲ時定数がＲ／Ｗ制御信号
出力に影響を及ぼさないように設けられている。また、
バッファ２４はノードＮの信号が“Ｈ”レベルか“Ｌ”
レベルかを検出するためのスレッショルドレベルをもっ
ており、上記過渡応答特性を示す信号（ノードＮの信
号）が入力されると、その電圧値が当該スレッショルド
レベルを超えるまでの時間が遅くなる（つまり遅延す
る）。
【００３０】従って、バッファ２４の出力が“Ｈ”レベ
ルから“Ｌ”レベルに遷移するタイミング及び“Ｌ”レ
ベルから“Ｈ”レベルに遷移するタイミングは、それぞ
れＲ／Ｗ制御信号が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷
移するタイミング及び“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに
遷移するタイミングに比べて遅くなる。なお、図示の例
ではＣＲ時定数を利用して入力Ｒ／Ｗ制御信号のレベル
変化のタイミングを遅延させるようにしたが、必要に応
じて他の遅延手段も使用可能であることは当業者にとっ
て明らかであろう。
【００３１】次に、図５及び図６を参照すると、Ｒ／Ｗ
制御信号及び遅延回路１２を通して得られた遅延Ｒ／Ｗ
制御信号は、アンドゲート３１及びオアゲート３２に入
力されることにより、それぞれ定電流源１０，１１を制
御する信号（Ｉｂ制御信号）及び定電流源４を制御する
信号（Ｉｓ制御信号）として出力される。なお、図示の
例ではアンドゲート３１及びオアゲート３２を用いてセ
レクタ回路（１３，１４）を構成したが、必要に応じて
他のセレクト手段も使用可能であることは当業者にとっ
て明らかであろう。
【００３２】図７には本発明に係るＭＲヘッド用信号再
生回路の第２実施例の回路構成が示される。同図におい
て、図１４の従来構成において用いられた参照符号と同
じ参照符号は同じ構成要素を表しており、その説明につ
いては省略する。本実施例に係る信号再生回路は、図１
４の構成に加えて、トランジスタ７のエミッタと低電位
の電源ラインＶ2 の間に接続され、該トランジスタ７に
所定の定電流Ｉαを供給するための定電流源１５と、同
様にトランジスタ８のエミッタと電源ラインＶ2 の間に
接続され、該トランジスタ８に所定の定電流Ｉαを供給
するための定電流源１６と、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｌ”レ
ベルから“Ｈ”レベルに変化した時（つまりライト状態
からリード状態への遷移時）に起動し、設定された所定
時間の間、定電流源１５及び１６をオン状態に制御する
タイマ回路１７とを設けたことを特徴とする。
【００３３】図８には図７の回路の動作タイミング波形
が示される。Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｈ”レベルの時（リー
ド状態）、Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レ
ベルに変化した時（リード状態からライト状態への遷移
時）及びＲ／Ｗ制御信号が“Ｌ”レベルの時（ライト状
態）の動作波形については、従来例（図１４，図１５参
照）と同様である。
【００３４】Ｒ／Ｗ制御信号が“Ｌ”レベルから“Ｈ”
レベルに変化した時（ライト状態からリード状態への遷
移時）、定電流源４，１０及び１１がオンとなってそれ
ぞれ定電流Ｉｓ，Ｉｂ及びＩｂがＭＲヘッド１、トラン
ジスタ７及び８にそれぞれ供給されると共に、タイマ回
路１７の起動により定電流源１５及び１６が所定時間だ
けオンとなり、トランジスタ７及び８にそれぞれ定電流
Ｉαが供給される。つまり、ライト状態からリード状態
に遷移して所定時間の間、トランジスタ７及び８の各エ
ミッタ電流Ｉｅは、本来のリード状態の時に流れる定電
流ＩｂよりもＩαだけ増大された電流値となる（Ｉｅ＝
Ｉｂ＋Ｉα）。
【００３５】このように第２実施例の構成によれば、ラ
イト状態からリード状態に遷移する時に、所定時間だけ
トランジスタ７及び８の各エミッタ電流Ｉｅを所定の定
電流Ｉｂよりも増加させるように制御しているので、キ
ャパシタ９を所定の電位Ｖ0まで速やかに充電すること
ができる。なお、破線で示す波形は従来例の場合を示し
ている。従って、キャパシタ９の充電時間が相対的に短
縮されるので、結果的にアイドル期間が短くなり、当該
期間における過渡現象の影響を抑制することができる。
また、アイドル期間が短縮されることにより、データ容
量の損失を最小限にすることができる。
【００３６】なお、図９にはタイマ回路１７の一構成例
が示され、図１０にはその動作タイミング波形が示され
る。図９及び図１０を参照すると、入力されたＲ／Ｗ制
御信号は、遅延回路（一点鎖線で示される部分）とアン
ドゲート４０の一方の入力端に入力される。遅延回路で
は、入力Ｒ／Ｗ制御信号をインバータ４１により反転さ
せた後、その反転Ｒ／Ｗ制御信号を、抵抗器４２とキャ
パシタ４３により構成されるＣＲ回路及びバッファ４４
により遅延させ、反転遅延Ｒ／Ｗ制御信号としてアンド
ゲート４０の他方の入力端に入力する。アンドゲート４
０では、入力されたＲ／Ｗ制御信号と遅延回路からの反
転遅延Ｒ／Ｗ制御信号のアンド論理をとり、その結果
を、定電流源１５，１６を制御する信号（Ｉα制御信
号）として出力する。この場合、出力されるＩα制御信
号のパルス幅は、遅延回路におけるＣＲ時定数を適宜変
更することにより、調整することができる。
【００３７】なお、図示の例ではＣＲ時定数を利用して
時間調整を行うようにしたが、時間調整を行う全ての手
段をタイマ回路として適宜使用可能であることは当業者
にとって明らかであろう。図１１には本発明に係るＭＲ
ヘッド用信号再生回路の第３実施例の回路構成が示され
る。
【００３８】同図において、Ａ，Ｂで示される部分は、
複数の磁気記録媒体（例えば磁気ディスク）の各個（各
チャネル）に対応して設けられるＭＲヘッド用信号再生
回路を示し、本実施例では説明の簡単化のため、２つの
チャネルＡ，Ｂのみが示される。各チャネルＡ，Ｂの信
号再生回路は、基本的には図１４の従来構成と同じであ
る。なお、図１１の例示では、各チャネルに対応して各
構成要素にＡ又はＢの参照符号が付加されている。
【００３９】本実施例に係る信号再生回路の特徴は、
各チャネルＡ，Ｂに共用される形でトランジスタ７
（Ａ，Ｂ）のエミッタとトランジスタ８（Ａ，Ｂ）のエ
ミッタ間にキャパシタ９を接続したこと、Ｒ／Ｗ制御
信号Ｒ／Ｗとヘッド選択信号ＨＳに応答するセレクタ１
８を用いて、各チャネルＡ，Ｂにおける定電流源４
（Ａ，Ｂ），１０（Ａ，Ｂ）及び１１（Ａ，Ｂ）のオン
／オフを制御するようにしたこと、選択したチャネル
がライト状態の時に非選択状態のチャネルをリード状態
に制御するようにしたこと、である。
【００４０】従って、第３実施例の構成によれば、ヘッ
ド選択信号ＨＳにより例えばチャネルＡを選択した場
合、当該チャネルＡはＲ／Ｗ制御信号Ｒ／Ｗによりリー
ド／ライト動作を行う。その際、チャネルＢにはチャネ
ルＡと逆タイミングの信号を入力することで、チャネル
Ａがライト状態（又はリード状態）の時にチャネルＢを
リード状態（又はライト状態）に設定することができ
る。従って、例えばチャネルＡがライト状態の時（つま
り、定電流源４Ａ，１０Ａ及び１１Ａがオフの時）に、
非選択状態のヘッドチャネルＢに対して各定電流源４
Ｂ，１０Ｂ及び１１Ｂを作動させることで、キャパシタ
９の端子間電圧をほとんど変動させずに維持することが
できる。
【００４１】これによって、チャネルＡがライト状態か
らリード状態に遷移する時に、キャパシタ９を充電する
必要が無いので、チャネルＡを迅速にリード状態に復帰
させることができる。つまり、キャパシタ９の充電時間
が不要となる分だけアイドル期間を短縮することがで
き、ひいてはデータ容量の損失を最小限にすることがで
きる。なお、図１２に本発明の各実施例に用いられるＭ
Ｒヘッドの構成が示される。図中、（ａ）はＭＲヘッド
を含む記録再生用ヘッド全体の構造を斜視的に示したも
のであり、（ｂ）は（ａ）におけるＰの部分を拡大して
一部切欠状態で示したものである。
【００４２】図１２（ａ）において、２１は記録再生用
ヘッドのスライダを示し、その端面には、真空薄膜形成
技術等を用いて記録再生用磁気ヘッド（Ｐで示す部分）
が形成されている。この薄膜磁気ヘッドは、図１２
（ｂ）に示すように、シールド部材３１上に薄膜状に形
成された再生用ヘッドとしてのＭＲ素子１（１Ａ，１
Ｂ）と、更にこの上にシールド用薄膜３３を介して薄膜
状に積層された記録電流供給用コイル３５及び記録用ヘ
ッドとしてのインダクティブヘッド３７とを有してい
る。なお、３９はＭＲ素子１（１Ａ，１Ｂ）にセンス電
流を供給するためのリード、４１はデータが記録されて
いるトラックを示す。また、図１２（ａ）において、２
３Ａ及び２３Ｂはそれぞれコイル３５の端子に接続され
るパッドを示し、同様に２５Ａ及び２５ＢはそれぞれＭ
Ｒ素子のリード３９（実際には２つある）に接続される
パッドを示す。
【００４３】また、図１３には本発明の各実施例が適用
される磁気ディスク装置の構造が示される。図中、
（ａ）は平面的に見た構造、（ｂ）は横断面的に見た構
造を示している。図１３を参照すると、磁気ディスク５
０はディスクエンクロージャ１００の内部に配置され、
図示の例では６枚の磁気ディスク５０（同図（ｂ）参
照）がディスク回転ユニット５２によって回転可能に設
けられている。記録再生用ヘッドのスライダ２１は、ヘ
ッドアクチュエータ５４のアーム５６の先端に取り付け
られており、シャフト５８を中心としてボイスコイルモ
ータ（ＶＣＭ）６０により駆動される。また、磁気ディ
スク５０の表面にはデータを記録するための複数（例え
ば１０００〜１５００）のトラック６２が同心円状に形
成されている。これらトラックの一部分（例えば外周部
分）は、サーボデータを記録するために利用され、これ
は測定用シリンダ６４として例示されている。
【００４４】なお、本発明は前述した第１，第２及び第
３の実施例を用いて説明したが、本発明はこれらの実施
例に限定されない。例えば、各実施例の特徴事項を適宜
組み合わせることも可能であり、係る組合せは、図示は
しないが、当業者にとって容易に想到されるであろう。
また、第３の実施例（図１１参照）では２チャネルの場
合を例にとって説明したが、２チャネル以外の多チャネ
ルの場合でも同様に適用可能である。つまり、ヘッド選
択されたチャネル以外の少なくとも１チャネルに逆タイ
ミングの信号を入力することで、キャパシタ９の端子間
電圧をほとんど一定に維持することができる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ラ
イト状態からリード状態に遷移する時に、初段リード・
アンプに設けられたキャパシタの充電時間を短縮するこ
とでアイドル時間を短くし、それによって不要な過渡現
象の出現を抑制し、ひいてはデータ容量の損失を最小限
にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＭＲヘッド用信号再生回路の第１
実施例の回路構成図である。
【図２】図１の回路の動作タイミング図である。
【図３】図１における遅延回路の一構成例を示す図であ
る。
【図４】図３の回路の動作タイミング図である。
【図５】図１におけるセレクタ回路の一構成例を示す図
である。
【図６】図５の回路の動作タイミング図である。
【図７】本発明に係るＭＲヘッド用信号再生回路の第２
実施例の回路構成図である。
【図８】図７の回路の動作タイミング図である。
【図９】図７におけるタイマ回路の一構成例を示す図で
ある。
【図１０】図９の回路の動作タイミング図である。
【図１１】本発明に係るＭＲヘッド用信号再生回路の第
３実施例の回路構成図である。
【図１２】本発明の各実施例に用いられるＭＲヘッドを
説明するための図で、（ａ）は記録再生用ヘッド全体の
構造を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるＰの部分の
一部切欠拡大図である。
【図１３】本発明の各実施例が適用される磁気ディスク
装置の構造を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は横断
面図である。
【図１４】従来形の一例としてのＭＲヘッド用信号再生
回路の回路構成図である。
【図１５】図１４の回路の動作タイミング図である。
【符号の説明】
１（Ａ，Ｂ）…ＭＲ（磁気抵抗効果型）ヘッド ２（Ａ，Ｂ），３（Ａ，Ｂ），５（Ａ，Ｂ），６（Ａ，
Ｂ）…抵抗器 ４（Ａ，Ｂ），１０（Ａ，Ｂ），１１（Ａ，Ｂ），１
５，１６…定電流源 ７（Ａ，Ｂ），８（Ａ，Ｂ）…ＮＰＮトランジスタ ９…キャパシタ １２…遅延回路 １３，１４…セレクタ １７…タイマ回路 １８…セレクタ Ｉｓ…ＭＲヘッドに流すセンス電流 Ｉｂ，Ｉα…リード・アンプ用トランジスタに流す定電
流 Ｒ／Ｗ…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）制御信号 ＨＳ…ヘッド選択信号 Ｖ1,Ｖ2 …電源ライン（電源電圧）

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電圧の異なる第１及び第２の電源ライン
    （Ｖ1,Ｖ2 ）と、 該第１の電源ラインに抵抗器（２）を介して一端が接続
    され、リード時に磁気記録媒体から信号を再生する磁気
    抵抗効果型ヘッド（１）と、 該磁気抵抗効果型ヘッドの他端との間に抵抗器（３）を
    介して接続されると共に該抵抗器と前記第２の電源ライ
    ンの間に接続され、リード時に前記磁気抵抗効果型ヘッ
    ドにセンス電流（Ｉｓ）を供給する第１の定電流源
    （４）と、 前記第１の電源ラインにそれぞれ抵抗器（５，６）を介
    してそれぞれのコレクタが接続され、前記磁気抵抗効果
    型ヘッドの一端及び他端から得られた電圧信号にそれぞ
    れ応答する第１及び第２のトランジスタ（７，８）と、 該第１及び第２のトランジスタの各エミッタと前記第２
    の電源ラインの間にそれぞれ接続され、リード時に該第
    １及び第２のトランジスタに所定の定電流（Ｉｂ）をそ
    れぞれ供給する第２及び第３の定電流源（１０，１１）
    と、 前記第１のトランジスタのエミッタと前記第２のトラン
    ジスタのエミッタの間に接続されたキャパシタ（９）
    と、 リード／ライト制御信号（Ｒ／Ｗ）に応答して前記第
    １，第２及び第３の定電流源のオン／オフのタイミング
    をそれぞれ制御する回路（１２，１３，１４）とを具備
    し、 リード状態からライト状態に遷移する時に前記第２及び
    第３の定電流源をオフにしてから前記第１の定電流源を
    オフにするように制御し、ライト状態からリード状態に
    遷移する時に前記第１の定電流源をオンにしてから前記
    第２及び第３の定電流源をオンにするように制御するこ
    とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生回路。
  2. 【請求項２】 前記定電流源のオン／オフのタイミング
    を制御する回路は、前記リード／ライト制御信号を所定
    時間だけ遅延させる遅延回路（１２）と、前記リード／
    ライト制御信号に応答して該リード／ライト制御信号又
    は前記遅延回路の出力信号を選択的に出力し、その選択
    出力により前記第１の定電流源をオン／オフさせる第１
    のセレクタ（１３）と、前記リード／ライト制御信号に
    応答して該リード／ライト制御信号又は前記遅延回路の
    出力信号を選択的に出力し、その選択出力により前記第
    ２及び第３の定電流源をオン／オフさせる第２のセレク
    タ（１４）とを具備し、前記第１及び第２のセレクタは
    互いに異なる信号を選択出力することを特徴とする請求
    項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生回路。
  3. 【請求項３】 電圧の異なる第１及び第２の電源ライン
    （Ｖ1,Ｖ2 ）と、 該第１の電源ラインに抵抗器（２）を介して一端が接続
    され、リード時に磁気記録媒体から信号を再生する磁気
    抵抗効果型ヘッド（１）と、 該磁気抵抗効果型ヘッドの他端との間に抵抗器（３）を
    介して接続されると共に該抵抗器と前記第２の電源ライ
    ンの間に接続され、リード時に前記磁気抵抗効果型ヘッ
    ドにセンス電流（Ｉｓ）を供給する第１の定電流源
    （４）と、 前記第１の電源ラインにそれぞれ抵抗器（５，６）を介
    してそれぞれのコレクタが接続され、前記磁気抵抗効果
    型ヘッドの一端及び他端から得られた電圧信号にそれぞ
    れ応答する第１及び第２のトランジスタ（７，８）と、 該第１及び第２のトランジスタの各エミッタと前記第２
    の電源ラインの間にそれぞれ接続され、リード時に該第
    １及び第２のトランジスタに所定の定電流（Ｉｂ）をそ
    れぞれ供給する第２及び第３の定電流源（１０，１１）
    と、 前記第１のトランジスタのエミッタと前記第２のトラン
    ジスタのエミッタの間に接続されたキャパシタ（９）
    と、 リード／ライト制御信号（Ｒ／Ｗ）に応答して前記第１
    及び第２のトランジスタのエミッタ電流（Ｉｅ）をそれ
    ぞれ制御する回路（１５，１６，１７）とを具備し、 ライト状態からリード状態に遷移する時に所定時間だけ
    前記第１及び第２のトランジスタのエミッタ電流を前記
    所定の定電流よりも増加（Ｉα）させるように制御する
    ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生回
    路。
  4. 【請求項４】 前記第１及び第２のトランジスタのエミ
    ッタ電流を制御する回路は、該第１及び第２のトランジ
    スタの各エミッタと前記第２の電源ラインの間にそれぞ
    れ接続され、該第１及び第２のトランジスタに所定の定
    電流（Ｉα）をそれぞれ供給する第４及び第５の定電流
    源（１５，１６）と、前記リード／ライト信号がライト
    状態からリード状態への遷移を指示するレベル変化をし
    た時に起動し、設定された所定時間の間、前記第４及び
    第５の定電流源をオン状態に制御するタイマ回路（１
    ７）とを具備することを特徴とする請求項３に記載の磁
    気抵抗効果型ヘッド用信号再生回路。
  5. 【請求項５】 複数の磁気記録媒体のそれぞれに対応し
    て設けられた複数の信号再生回路（Ａ，Ｂ）を具備し、
    各信号再生回路は、 電圧の異なる第１及び第２の電源ライン（Ｖ1,Ｖ2 ）
    と、 該第１の電源ラインに抵抗器（２Ａ，２Ｂ）を介して一
    端が接続され、リード時に対応する磁気記録媒体から信
    号を再生する磁気抵抗効果型ヘッド（１Ａ，１Ｂ）と、 該磁気抵抗効果型ヘッドの他端との間に抵抗器（３Ａ，
    ３Ｂ）を介して接続されると共に該抵抗器と前記第２の
    電源ラインの間に接続され、リード時に前記磁気抵抗効
    果型ヘッドにセンス電流（Ｉｓ）を供給する第１の定電
    流源（４Ａ，４Ｂ）と、 前記第１の電源ラインにそれぞれ抵抗器（５Ａ，６Ａ；
    ５Ｂ，６Ｂ）を介してそれぞれのコレクタが接続され、
    前記磁気抵抗効果型ヘッドの一端及び他端から得られた
    電圧信号にそれぞれ応答する第１及び第２のトランジス
    タ（７Ａ，８Ａ；７Ｂ，８Ｂ）と、 該第１及び第２のトランジスタの各エミッタと前記第２
    の電源ラインの間にそれぞれ接続され、リード時に該第
    １及び第２のトランジスタに所定の定電流（Ｉｂ）をそ
    れぞれ供給する第２及び第３の定電流源（１０Ａ，１１
    Ａ；１０Ｂ，１１Ｂ）とを有し、 更に前記各信号再生回路に共用される形で前記第１及び
    第２のトランジスタの各エミッタ間に接続されたキャパ
    シタ（９）を具備し、 リード／ライト制御信号（Ｒ／Ｗ）及びヘッド選択信号
    （ＨＳ）により前記各信号再生回路における第１，第２
    及び第３の定電流源のオン／オフを制御し、選択したヘ
    ッドに対応する信号再生回路がライト状態の時に非選択
    状態のヘッドに対応する信号再生回路をリード状態に制
    御することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用信号再
    生回路。
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