JPH07210803A - 光磁気記録装置用磁界発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁界発生装置の全体を小型化でき、しかも低
電圧で動作できる光磁気記録装置用磁界発生装置を提供
するものである。 【構成】 記録ヘッドを２つの界磁コイルで構成し、両
界磁コイルの発生磁界の方向を互いに逆に設定し、両界
磁コイルへの電源供給をスイッチング素子でスイッチン
グし、両界磁コイルのそれぞれに直列にダイオードを接
続し、両界磁コイルのそれぞれにコンデンサを並列接続
することによって、並列共振回路を構成したものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に用い
られる磁界発生装置における消費電力の削減と駆動回路
の小型化に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体にオーバーライトを可能
にする装置として、レーザ光の強度を固定し、バイアス
磁界の周波数を変調して記録を行なう磁界変調方式が知
られている。このバイアス磁界の周波数を変調するとき
に、界磁コイルに流れる電流の方向を反転させるために
スイッチング素子を用いることが、特開平１−１３０３
０２号公報に記載されている。

【０００３】図７は、上記公報に記載されている回路図
である。

【０００４】この回路図において、記録ヘッドを構成す
る界磁コイルＬ１１と直流電源Ｂ１との間に、スイッチ
ング素子Ｓ１とダイオードＤ１１との直列回路が接続さ
れ、界磁コイルＬ１１とコンデンサＣ１１とによって並
列共振回路が形成され、ダイオードＤ１２とスイッチン
グ素子Ｓ２と直流電源Ｂ１ａとの直列回路が、界磁コイ
ルＬ１１と直列に接続されている。スイッチング素子Ｓ
１、Ｓ２は交互にオン、オフを繰り返し、界磁コイルＬ
１１とコンデンサＣ１１との並列共振を利用することに
よって、界磁コイルに矩形波状の電流を流すようにして
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図７に示す回路におい
ては、電源Ｂ１の電圧として１０Ｖ程度を必要とし、こ
れは、消費電力の削減と回路の小型化に支障をきたすも
のである。

【０００６】図８は、上記公報に記載されている別の回
路図である。

【０００７】図８に示す回路は、４つのスイッチング素
子Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６によってブリッジが構成さ
れ、このブリッジの間に、記録ヘッドを構成する界磁コ
イルＬ１２とコンデンサＣ１２との並列共振回路が接続
されている。また、スイッチング素子Ｓ３、Ｓ４、Ｓ
５、Ｓ６のそれぞれと直列にダイオードＤ１３、Ｄ１
４、Ｄ１５、Ｄ１６が接続されている。

【０００８】図８に示す回路において、スイッチング素
子Ｓ３とＳ６とがオンしているときに、スイッチング素
子Ｓ４、Ｓ５がオフし、界磁コイルＬ１２には正方向に
電流が流れ、一方、スイッチング素子Ｓ３、Ｓ６とがオ
フしているときに、スイッチング素子Ｓ４、Ｓ５がオン
し、界磁コイルＬ１２には負方向に電流が流れる。この
回路においては、電源Ｂ２の電圧は３Ｖ程度で充分であ
る。しかし、スイッチング素子、ダイオードをそれぞれ
４つ必要とし、部品点数の削減が課題となっている。

【０００９】また、磁界反転に要する最大許容スイッチ
ング時間よりも、共振回路の共振周期が短くなるよう
に、コンデンサＣの容量が選定され、標準ＥＦＭ信号を
記録する装置においては、５μＨのインダクタンスと１
ｎＦの容量との組合わせが最適であると記載されてい
る。

【００１０】ところで、特開平３−１４２７３７号公報
には、発生磁界の方向が互いに逆方向になる２つの巻線
を有する光磁気記録装置の磁界発生装置が示されてお
り、この装置は、光ピックアップ部のレンズ駆動用アク
チュエータから生じる洩れ磁界と逆方向の磁界が、記録
媒体上で記録および消去可能な大きさになるように、２
つの巻線の巻数比を設定したものである。

【００１１】また、特開平４−０６９８０２号公報に
は、２つの磁気変調コイルが設けられ、これら２つの磁
気変調コイルに交互に電流を流す磁気変調コイル駆動回
路が記載されており、この回路は、光磁気ディスクの試
し書き領域で磁気変調コイルに供給されている電流を検
出し、この検出電流が所定の電流値となるようにスイッ
チング素子のバイアス電圧を設定し、磁気変調コイルの
温度変動によって磁界変動が生じないように、常に一定
の電流を供給することによって、過熱、焼損を防止し、
磁界変転時の立ち上がりを改善するものである。

【００１２】しかし、上記２つの公報に記載の従来技術
を適用しても、磁界発生装置の全体を小型化し、しかも
光磁気記録装置用磁界発生装置を低電圧で動作できるよ
うにするという要請に応じることはできない。

【００１３】本発明は、磁界発生装置の全体を小型化で
き、しかも低電圧で動作できる光磁気記録装置用磁界発
生装置を提供するものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、記録ヘッドを
２つの界磁コイルで構成し、両界磁コイルの発生磁界の
方向を互いに逆に設定し、両界磁コイルへの電源供給を
スイッチング素子でスイッチングし、両界磁コイルのそ
れぞれに直列にダイオードを接続し、両界磁コイルのそ
れぞれにコンデンサを並列接続することによって、並列
共振回路を構成したものである。

【００１５】

【作用】本発明は、コアが共通である２つの界磁コイル
によって記録ヘッドを構成し、両界磁コイルの発生磁界
を互いに逆に設定し、スイッチング素子を用いて両界磁
コイルを駆動し、両界磁コイルのそれぞれにダイオード
を直列に設けることによって、界磁コイルと界磁コイル
の線間容量との間に共振現象を発生させる。この共振回
路の共振周期の半分がヘッド電流の反転時間となる。こ
のことから、界磁コイルと並列にキャパシタンスを設け
ることによって、ヘッド電流の許容反転時間に合わせて
共振周期を設定し、動作電圧と消費電力とを極力低減で
きる。この結果、図７に示した回路よりも低電圧で界磁
コイルを動作させることができ、図８に示した回路より
も少ない部品点数で界磁コイルを動作させることがで
き、したがって、光磁気記録装置用磁界発生装置の全体
を低電圧で動作させることができ、しかも小型化するこ
とができる。

【００１６】

【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す回路図であ
る。

【００１７】この実施例において、第１の界磁コイルＬ
１と第２の界磁コイルＬ２とは光磁気記録ヘッドを構成
し、共通のコアを有し、コイルの巻き方向が第１の界磁
コイルＬ１と第２の界磁コイルＬ２とが同一であり、第
１の界磁コイルＬ１によって発生する磁界の方向と、第
２の界磁コイルＬ２によって発生する磁界の方向とが互
いに逆になっている。また、第１の界磁コイルＬ１と第
１のコンデンサＣ１とによって並列共振回路が構成さ
れ、第２の界磁コイルＬ２と第２のコンデンサＣ２とに
よって並列共振回路が構成されている。

【００１８】第１の界磁コイルＬ１と直列に接続されて
いるＭＯＳＦＥＴ Ｑ１は、第１の界磁コイルＬ１に流
れる電流を制御するものであり、第２の界磁コイルＬ２
と直列に接続されているＭＯＳＦＥＴ Ｑ２は、第２の
界磁コイルＬ２に流れる電流を制御するものである。ま
た、第１のダイオードＤ１は、第１の界磁コイルＬ１に
発生する逆起電力によって第１の界磁コイルＬ１に流れ
る電流が電源Ｂ３に逆流することを阻止するショットキ
ーバリアダイオードであり、第２のダイオードＤ２は、
第２の界磁コイルＬ２に発生する逆起電力によって第２
の界磁コイルＬ２に流れる電流が電源Ｂ３に逆流するこ
とを阻止するショットキーバリアダイオードである。

【００１９】ツェナーダイオードＤ３は、界磁コイルＬ
１とコンデンサＣ１とによって構成される並列共振回路
による起電力をクランプするものであり、ツェナーダイ
オードＤ４は、界磁コイルＬ２とコンデンサＣ２とによ
って構成される並列共振回路による起電力をクランプす
るものである。すなわち、上記実施例は、第１のスイッ
チング素子Ｑ１と並列に第１のツェナーダイオードＤ３
が接続され、第２のスイッチング素子Ｑ２と並列に第２
のツェナーダイオードＤ４が接続され、第１、第２のツ
ェナーダイオードＤ３、Ｄ４は、並列共振によって発生
する起電力をクランプするものである。

【００２０】次に、上記実施例の動作について説明す
る。

【００２１】まず、ＦＥＴ Ｑ１、Ｑ２は交互にオンす
る。ＦＥＴ Ｑ１がオンすると、電源Ｂ３から、界磁コ
イルＬ１、ダイオードＤ１、ＦＥＴ Ｑ１を介して電流
が流れ、このときに、ＦＥＴ Ｑ２がオフしているの
で、電源Ｂ３から界磁コイルＬ２には電流が流れない。
つまり、ＦＥＴ Ｑ１、Ｑ２は交互にオンすると、界磁
コイルＬ１、Ｌ２に交互に電流が流れる。

【００２２】図２は、上記実施例において、界磁コイル
Ｌ１に流れる電流の波形と、界磁コイルＬ１の両端電圧
の波形とを示す図である。

【００２３】図２に示すｔの期間において、（ＣＶ² ）
／２＋（ＬＩ² ）／２の値は常に一定となるように動作
している（なお、Ｃは、コンデンサＣ１の容量値、Ｌ
は、界磁コイルＬ１のインダクタンス値、Ｖは、ＬＣ並
列共振によって発生する起電力の値、Ｉは、ヘッド電流
の振幅値である）。

【００２４】つまり、Ｖ＝０のときに、コンデンサＣ１
に蓄えられたエネルギーが、全てヘッド電流の振幅値Ｉ
として界磁コイルＬ１に流れ、Ｉ＝０のときに、界磁コ
イルＬ１に電流が流れることによって蓄えられたエネル
ギーが、全てコンデンサＣ１に蓄えられ、電圧Ｖとなっ
て現れる。

【００２５】図２に示すように、上記実施例において
は、界磁コイルＬ１に流れる電流の波形の立ち上がりが
急峻であり、所定の電流値に達する迄の時間を短縮でき
る。ところで、所定の電流値に達する迄の期間では光磁
気記録媒体に記録することができず、この期間において
電力消費が生じる。しかし、上記実施例は、所定の電流
値に達する迄の時間が非常に短いので、無駄な電力消費
が非常に少ない。

【００２６】なお、界磁コイルＬ２に流れる電流の波
形、界磁コイルＬ２の両端電圧の波形も、界磁コイルＬ
１に流れる電流の波形、界磁コイルＬ１の両端電圧の波
形と同様であり、無駄な電力消費が非常に少ない点も界
磁コイルＬ１の場合と同じである。

【００２７】図３（１）は、上記実施例において、ダイ
オードＤ１を短絡した場合における界磁コイルＬ１に流
れる電流の波形を示す図であり、図３（２）は、上記実
施例において、ダイオードＤ１を短絡した場合における
界磁コイルＬ１の両端電圧の波形を示す図である。

【００２８】つまり、図３（１）、（２）に示すよう
に、ダイオードＤ１を接続しない場合には、界磁コイル
Ｌ１に流れる電流は、時間に比例して増加し、所定の電
流値に達する迄の時間が、図１に示す実施例の場合より
も長くなり、所定の電流値に達する迄の期間では光磁気
記録媒体に記録することができず、この所定の電流値に
達する迄の期間では無駄な電力消費が生じ、上記のよう
に所定の電流値に達する迄の時間が長いので、無駄な電
力消費が多くなる。ところが、上記実施例のように、ダ
イオードＤ１を挿入することによって、所定の電流値に
達する迄の時間が非常に短くなり、界磁コイルＬ１に流
れる電流が記録可能な値まで短時間で到達するので、無
駄な電力の発生を極力阻止することができる。

【００２９】また、上記実施例では、界磁コイルＬ１と
コンデンサＣ１とによって並列共振回路が形成されてい
るが、この並列共振回路によって、電流経路のインピー
ダンスが低くなり、コイル電流が流れ易くなっている。

【００３０】一方、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２がオンすると、
電源Ｂ３から、界磁コイルＬ２、ダイオードＤ２、ＭＯ
ＳＦＥＴ Ｑ２を介して電流が流れ、このときに、ＭＯ
ＳＦＥＴ Ｑ１がオフしているので、電源Ｂ３から界磁
コイルＬ１には電流が流れない。ただし、ＭＯＳＦＥＴ
Ｑ１がオフになった直後に、界磁コイルＬ１には共振
現象による起電力が発生し、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１の内蔵
ダイオードを介して、ダイオードＤ１の逆回復時間（５
０〜１００ｎｓ）の間のみ、上記起電力による電流が界
磁コイルＬ２に流れる。

【００３１】なお、ダイオードＤ２を接続した場合の動
作は、ダイオードＤ１を接続した場合における上記動作
と同様であり、また、界磁コイルＬ２とコンデンサＣ２
とによって並列共振回路が形成され、この並列共振回路
によって、電流経路のインピーダンスが低くなり、コイ
ル電流が流れ易くなる点も、上記と同様である。

【００３２】上記実施例においては、ダイオードＤ１、
Ｄ２によって、立ち上がりが急峻な電流（矩形波状の電
流波形）を、界磁コイルＬ１、Ｌ２に流すことができ、
この矩形波の全ての期間において、ヘッド電流が有効に
作用するので、ヘッド電流の効率アップにつながる。

【００３３】なお、上記実施例において、界磁コイルＬ
１、Ｌ２（ヘッド）とＭＤとのスペーシングを２００μ
ｍに設定してあり、盤面上で発生する磁界は１５０エル
ステッドであり、ヘッド電流の許容反転時間を２００ｎ
ｓに設定してある。このときに、共振周波数として、ｆ
＝１／（２００ｎｓ×２）＝２．５ＭＨｚを設定してあ
る。

【００３４】図４は、上記実施例において、ヘッド駆動
周波数を１９６ｋＨｚにしたときに、ツェナーダイオー
ドＤ３を設けた場合における界磁コイルＬ１に流れる電
流の波形を実線で示し、一方、ツェナーダイオードＤ３
を削除した場合における界磁コイルＬ１に流れる電流の
波形を破線で示した図である。

【００３５】図４に示すように、ツェナーダイオードＤ
３を削除すると、図４に破線で示すように、界磁コイル
Ｌ１を流れる電流の振幅値は大きくなるが、ＦＥＴ Ｑ
１にツェナーダイオードＤ３を並列に接続すると、図４
に実線で示すように、界磁コイルＬ１を流れる電流の振
幅値は小さくなる。したがって、ツェナーダイオードＤ
３が設けられていない場合における消費電力よりも、ツ
ェナーダイオードＤ３が設けられている上記実施例にお
ける消費電力は少なくなる。

【００３６】この理由は次の通りである。ＬＣ並列共振
による発生電圧の値Ｖと界磁コイルＬ１を流れる電流の
振幅値Ｉとは、比例関係にある。上記のように、ＬＣ並
列共振回路においては、（ＣＶ² ）／２＋（ＬＩ² ）／
２の値が常に一定になるように動作しており、Ｖ＝０で
ある場合と、Ｉ＝０である場合とにおいて、ＬＣ並列共
振回路に蓄えられるエネルギーは一定であり、つまり、
（ＣＶ² ）／２＝（ＬＩ² ）／２の関係が成立する。ま
た、図１に示す回路において、ツェナーダイオードＤ
３、Ｄ４が削除されている場合には、ヘッド駆動周波数
が低い程、共振回路に蓄積されるエネルギーが大きくな
り、ＬＣ並列共振による発生電圧Ｖが高くなる。そし
て、ＶとＩとが比例関係にあることから、界磁コイルＬ
１を流れる電流の振幅値Ｉも大きくなる。ここで、図１
に示す回路のように、ツェナーダイオードＤ３、Ｄ４を
接続すれば、Ｖの値はツェナーダイオードＤ３、Ｄ４の
ツェナー電圧以上にはならないので、界磁コイルＬ１を
流れる電流振幅値Ｉは周波数に依存せず、一定になる。

【００３７】上記実施例においては、第１の界磁コイル
Ｌ１の巻き方向と第２の界磁コイルＬ２の巻き方向とが
互いに同一であり、しかも、第１の界磁コイルＬ１に流
れる電流の方向と第２の界磁コイルＬ２に流れる電流の
方向とが互いに逆であるが、次のようにしてもよい。つ
まり、第１の界磁コイルＬ１の巻き方向と第２の界磁コ
イルＬ２の巻き方向とを互いに逆にし、しかも、第１の
界磁コイルＬ１に流れる電流の方向と第２の界磁コイル
Ｌ２に流れる電流の方向とを互いに同じにしてもよい。

【００３８】図５は、本発明の他の実施例を示す回路図
である。

【００３９】図５に示す実施例は、４つのＭＯＳＦＥＴ
Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６によってブリッジが構成さ
れ、このブリッジの間に、界磁コイルＬ３とコンデンサ
Ｃ３との並列共振回路が接続されている。この場合、界
磁コイルＬ３は記録ヘッドを構成しており、記録ヘッド
は１つの界磁コイルのみで構成されている。また、界磁
コイルＬ３に発生した逆起電力による電流が界磁コイル
Ｌ３に流れることを阻止する第１のダイオードＤ７と第
２のダイオードＤ８とが設けられ、さらに、ＭＯＳＦＥ
Ｔ Ｑ５と並列にツェナーダイオードＤ５が接続され、
ＭＯＳＦＥＴ Ｑ６と並列にツェナーダイオードＤ６が
接続されている。

【００４０】次に、図５に示す実施例の動作について説
明する。

【００４１】図６は、図５に示す実施例において、界磁
コイルＬ３に流れる電流の波形と、界磁コイルＬ３の両
端電圧の波形とを示す図である。

【００４２】図５に示す実施例において、ＭＯＳＦＥＴ
Ｑ３とＱ６とがオンしているときに、ＭＯＳＦＥＴ
Ｑ４とＱ５とがオフし、界磁コイルＬ３には正方向に電
流が流れ、一方、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ３とＱ６とがオフし
ているときに、ＭＯＳＦＥＴＱ４とＱ５とがオンし、界
磁コイルＬ３には負方向に電流が流れる。

【００４３】また、ＦＥＴ Ｑ５、Ｑ６にそれぞれツェ
ナーダイオードＤ５、Ｄ６が並列に接続されているの
で、図６に実線で示すように、界磁コイルＬ３を流れる
電流の振幅値は小さくなる。なお、ツェナーダイオード
Ｄ５、Ｄ６削除されている場合には、図６に破線で示す
ように、界磁コイルＬ３を流れる電流の振幅値は大きく
なる。したがって、ツェナーダイオードＤ５、Ｄ６が設
けられていない場合における消費電力よりも、図５に示
す実施例のようにツェナーダイオードＤ５、Ｄ６が設け
られている場合における消費電力は少なくなる。

【００４４】この理由は図４における説明と同様であ
り、（ＣＶ² ）／２＝（ＬＩ² ）／２であり（Ｃは、共
振コンデンサＣ３の値、Ｌは、共振インダクタＬ３の
値、Ｖは、ＬＣ並列共振による発生電圧の値、Ｉは、界
磁コイルＬ３を流れる電流の振幅値）、共振コンデンサ
の値Ｃと共振インダクタの値Ｌとは固定であり、したが
って、ＬＣ並列共振による発生電圧の値Ｖと界磁コイル
Ｌ３を流れる電流の振幅値Ｉとは比例関係にある。ま
た、ヘッド駆動周波数が低くなる程、共振回路に蓄積さ
れるエネルギーが大きくなり、ＬＣ並列共振による発生
電圧の値Ｖは高くなり、界磁コイルＬ３を流れる電流の
振幅値Ｉも大きくなる。ところが、図５に示す実施例の
ように、共振回路中にツェナーダイオードＤ５、Ｄ６が
設けられていると、誘導起電圧の値Ｖはツェナーダイオ
ードＤ５、Ｄ６のツェナー電圧よりも高くはならず、し
たがって、界磁コイルＬ３を流れる電流の値Ｉも一定以
上は大きくならない。

【００４５】つまり、図５に示す実施例は、ブリッジを
構成する４つのスイッチング素子と、このブリッジの間
に接続されている界磁コイルと、界磁コイルとともに並
列共振回路を構成するコンデンサと、４つのスイッチン
グ素子のうちの少なくとも２つについて、それぞれ並列
に接続されているツェナーダイオードとを有し、上記ツ
ェナーダイオードは、並列共振によって発生する起電力
をクランプするものである。

【００４６】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、スイッ
チング素子、ダイオードの数をできるだけ少なくするこ
とができ、これによって、光磁気記録装置用磁界発生装
置の全体を小型化でき、しかも低電圧で動作することが
できるという効果を奏する。

【００４７】請求項４に記載の発明によれば、消費電力
を少なくすることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す回路図である。

【図２】上記実施例において、界磁コイルＬ１に流れる
電流の波形と、界磁コイルＬ１の両端電圧の波形とを示
す図である。

【図３】上記実施例において、ダイオードＤ１を短絡し
た場合における界磁コイルＬ１に流れる電流の波形と、
その両端電圧の波形とを示す図である。

【図４】上記実施例において、ヘッド駆動周波数を１９
６ｋＨｚにしたときに、ツェナーダイオードＤ３を設け
た場合における界磁コイルＬ１に流れる電流の波形を実
線で示し、ツェナーダイオードＤ３を削除した場合を破
線で示す図である。

【図５】本発明の他の実施例を示す回路図である。

【図６】図５に示す実施例において、界磁コイルＬ３に
流れる電流の波形と、界磁コイルＬ３の両端電圧の波形
とを示す図である。

【図７】従来技術の一例を示す回路図である。

【図８】従来技術の他の例を示す回路図である。

【符号の説明】

Ｌ１…第１の界磁コイル、 Ｌ２…第２の界磁コイル、 Ｌ３…界磁コイル、 Ｑ１…第１のスイッチング素子としてのＭＯＳＦＥＴ、 Ｑ２…第２のスイッチング素子としてのＭＯＳＦＥＴ、 Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６…スイッチング素子としてのＭ
ＯＳＦＥＴ、 Ｃ１…第１のコンデンサ、 Ｃ２…第２のコンデンサ、 Ｃ３…共振コンデンサ、 Ｄ１、Ｄ７…第１のダイオード、 Ｄ２、Ｄ８…第２のダイオード、 Ｄ３、Ｄ５…第１のツェナーダイオード、 Ｄ４、Ｄ６…第２のツェナーダイオード、 Ｂ３、Ｂ４…電源。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の界磁コイルと；発生磁界の方向が
   前記第１の界磁コイルと逆になるように設定された第２
   の界磁コイルと；前記第１の界磁コイルと直列に接続さ
   れ、前記第１の界磁コイルに流れる電流を制御する第１
   のスイッチング素子と；前記第２の界磁コイルと直列に
   接続され、前記第２の界磁コイルに流れる電流を制御す
   る第２のスイッチング素子と；前記第１の界磁コイルに
   発生した逆起電力によって前記第１の界磁コイルに電流
   が流れることを阻止する第１のダイオードと；前記第２
   の界磁コイルに発生した逆起電力によって前記第２の界
   磁コイルに電流が流れることを阻止する第２のダイオー
   ドと；を有することを特徴とする光磁気記録装置用磁界
   発生装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記第１の界磁コイルとともに並列共振回路を構成する
   第１のコンデンサと、前記第２の界磁コイルとともに並
   列共振回路を構成する第２のコンデンサとを有すること
   を特徴とする光磁気記録装置用磁界発生装置。
3. 【請求項３】 請求項２において、 前記第１のスイッチング素子と並列に第１のツェナーダ
   イオードが接続され、前記第２のスイッチング素子と並
   列に第２のツェナーダイオードが接続され、前記第１、
   第２のツェナーダイオードは、前記並列共振によって発
   生する起電力をクランプするものであることを特徴とす
   る光磁気記録装置用磁界発生装置。
4. 【請求項４】 ブリッジを構成する４つのスイッチング
   素子と；前記ブリッジの間に接続されている界磁コイル
   と；前記界磁コイルとともに並列共振回路を構成するコ
   ンデンサと；前記界磁コイルに発生した逆起電力による
   電流が前記界磁コイルに流れることを阻止する第１のダ
   イオードおよび第２のダイオードと；前記４つのスイッ
   チング素子のうちの少なくとも２つについて、それぞれ
   並列に接続されているツェナーダイオードと；を有し、
   前記ツェナーダイオードは、並列共振によって発生する
   起電力をクランプするものであることを特徴とする光磁
   気記録装置用磁界発生装置。