JP2023015224A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
102 半導体装置
200 半導体素子
201 表面
202 裏面
211 第一表面電極
212 第二表面電極
220 裏面電極
231 半導体層
232 共晶層
300 主リード
310 主リード主面
311 主表面めっき層
320 主リード裏面
330 主全厚部
340 主ひさし部
341 主前方部
342 主側方部
343 主後方部
351 主側方連結部
352 主後方連結部
400 第一副リード
410 第一副リード主面
411 第一副表面めっき層
420 第一副リード裏面
430 第一副全厚部
440 第一副ひさし部
441 第一副前方部
442 第一副内方部
460 第一副延出部
461 第一副後方部
462 第一副側方部
481 第一副リード端面
482 第一副リード側面
500 第二副リード
510 第二副リード主面
511 第二副表面めっき層
520 第二副リード裏面
530 第二副全厚部
540 第二副ひさし部
541 第二副前方部
542 第二副内方部
560 第二副延出部
561 第二副後方部
562 第二副側方部
581 第二副リード端面
582 第二副リード側面
600 第一ワイヤ
610 ファーストボンディング部
620 セカンドボンディング部
630 第一バンプ
700 第二ワイヤ
710 ファーストボンディング部
720 セカンドボンディング部
730 第二バンプ
800 樹脂パッケージ
801 樹脂主面
802 樹脂裏面
803 第一樹脂側面
804 第二樹脂側面
805 第一樹脂端面
806 第二樹脂端面
901 テープ
Ct1 線
Ct2 線
x 方向
y 方向
z 厚さ方向
101,102 半導体装置
200 半導体素子
201 表面
202 裏面
211 第1表面電極
212 第2表面電極
213 電極層
214 除去領域
216 アクティブ領域
217 MOSFET
218 単位セル
220 裏面電極(金属単体層)
231 半導体層
232 共晶層
300 主リード
310 ダイパッド部
311 主表面めっき層
320 主裏面端子部
321 主裏面めっき層
330 主全厚部
340 主ひさし部
341 主前方部
342 主側方部
343 主後方部
351 主側方連結部
352 主後方連結部
400 第1副リード
410 第1ワイヤボンディング部
411 第1副表面めっき層
420 第1副裏面端子部
421 第1副裏面めっき層
430 第1副全厚部
440 第1副ひさし部
441 第1副前方部
442 第1副側方部
443 第1副後方部
451 第1副側方連結部
452 第1副後方連結部
500 第2副リード
510 第2ワイヤボンディング部
511 第2副表面めっき層
520 第2副裏面端子部
521 第2副裏面めっき層
530 第2副全厚部
540 第2副ひさし部
541 第2副前方部
542 第2副側方部
543 第2副後方部
551 第2副側方連結部
552 第2副後方連結部
600 第1ワイヤ
610 ファーストボンディング部
620 セカンドボンディング部
630 第1バンプ
700 第2ワイヤ
710 ファーストボンディング部
720 セカンドボンディング部
730 第2バンプ
800 樹脂パッケージ
Cp キャピラリ
601 ワイヤ
Claims (32)
- 第1電極および第2電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子が配置された主リードと、
前記主リードに対向する第1副リードと、
第1端および第2端を有し、前記第1端が前記第1電極に接続され、かつ前記第2端が前記第1副リードに接続された第1ワイヤと、
第1端および第2端を有し、前記第1端が前記第2電極に接続された第2ワイヤであって、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記第1ワイヤに沿い前記第1電極から前記第1副リードに向かう場合に、前記第1ワイヤの左側にある第2ワイヤと、
前記半導体素子、前記主リード、前記第1副リード、前記第1ワイヤおよび前記第2ワイヤを覆う樹脂パッケージであって、前記半導体素子の厚さ方向視において矩形状の樹脂パッケージと、を備え、
前記樹脂パッケージは、前記半導体素子の厚さ方向に平行な法線方向を有する第1面と、前記厚さ方向に直交する法線方向を有する第2面を有しており、
前記主リードおよび前記第1副リードは、前記樹脂パッケージの前記第1面から露出しており、
前記主リードおよび前記第1副リードは、それぞれ、前記樹脂パッケージの前記第2面から露出する第1部分および第2部分を有しており、
前記厚さ方向に見た場合、前記樹脂パッケージの前記第2面に平行な第1方向において、前記第2ワイヤの前記第1端は、前記第1ワイヤの前記第1端に対し、前記第1副リード側にオフセットされている、半導体装置。 - 前記主リードは、前記厚さ方向に見た場合、前記第1方向に直交する第2方向において互いに反対側に延びる第1側方突出部および第2側方突出部を有しており、
前記第1ワイヤの前記第1端は、前記第2方向に沿って、前記第1側方突出部および前記第2側方突出部と整列配置されている、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記主リードは、前記厚さ方向に見た場合、前記第1副リードとは反対側の位置において互いに前記第1方向に直交する第2方向に離間配置された第1後方突出部および第2後方突出部を有しており、
前記第1ワイヤの前記第1端および前記第2ワイヤの前記第1端は各々、前記第2方向において、前記第1後方突出部および前記第2後方突出部の間に位置している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は、前記厚さ方向視において、前記主リードに重ならない部分を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記主リードは、主リード主面および主リード裏面を有し、
前記主リード主面には、前記半導体素子が配置されており、前記主リード裏面は、前記樹脂パッケージの前記第1面から露出している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記主リードは、主全厚部および主ひさし部を含み、
前記主全厚部は、前記主リード主面から前記主リード裏面にわたっている部分であり、
前記主ひさし部は、前記厚さ方向に対して交差するように、前記主全厚部から突出している、請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第1電極は、前記厚さ方向視において、前記主全厚部および前記主ひさし部の双方に重なっている、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、全体にわたって、前記厚さ方向視において、前記主全厚部に重なっている、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記主ひさし部は、前記主全厚部から前記第1副リードに向かって突出する主前方部を有する、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記主全厚部は、全体にわたって、前記厚さ方向視において、前記主ひさし部に囲まれている、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記主ひさし部は、全体にわたって、前記厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっている、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子および前記主リードの間に介在している主表面めっき層を更に備える、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記主表面めっき層は、前記主ひさし部の全体に重なる、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記第1副リードは、第1副リード主面および第1副リード裏面を有し、前記第1副リード裏面は、前記樹脂パッケージの前記第1面から露出しており、
前記第1副リードは、第1副全厚部および第1副ひさし部を含み、前記第1副全厚部は、前記第1副リード主面から前記第1副リード裏面にわたる部位であり、前記第1副ひさし部は、前記厚さ方向に対して直交するように、前記第1副全厚部から突出しており、且つ、前記第1副リード主面の一部を構成している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1副ひさし部は、前記第1副全厚部から前記主リードに向かって突出している第1副前方部を有する、請求項14に記載の半導体装置。
- 前記第1副リードは、第1副延出部を含み、この第1副延出部は、前記厚さ方向に対して直交するように、前記第1副全厚部から延出し、且つ、前記第1副リード裏面を構成しており、
前記第1副延出部は、前記厚さ方向に平行な端面であって、前記樹脂パッケージから露出する端面を有している、請求項14に記載の半導体装置。 - 前記第1副リードは、第1副リード主面および第1副リード裏面を有し、前記第1副リード裏面は、前記樹脂パッケージの前記第1面から露出している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1副リード裏面は、前記樹脂パッケージの前記第1面と面一となっている、請求項17に記載の半導体装置。
- 前記第1副リードは、前記第1副リード裏面につながる第1副リード端面を有し、前記第1副リード端面は、前記主リードとは反対側を向いている、請求項17に記載の半導体装置。
- 前記第1副リード端面は、前記樹脂パッケージから露出している、請求項19に記載の半導体装置。
- 前記樹脂パッケージは、前記第1副リード端面と面一の樹脂端面を有している、請求項19に記載の半導体装置。
- 前記第1副リードの前記第2部分は、前記第1副リード裏面につながる第1副リード側面を有し、前記第1副リード側面は、前記第1副リード端面の向く方向と前記厚さ方向とのいずれに対しても直角である方向を向いている、請求項19に記載の半導体装置。
- 前記第1副リード側面は、前記樹脂パッケージから露出している、請求項22に記載の半導体装置。
- 前記樹脂パッケージは、前記第1副リード側面と面一の樹脂側面を有している、請求項22に記載の半導体装置。
- 前記第1副リードおよび前記第1ワイヤの間に介在する第1副めっき層を更に備える、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2ワイヤを介して前記半導体素子に導通し且つ前記樹脂パッケージに覆われた第2副リードを更に備えており、
前記第2副リードは、前記主リードおよび前記第1副リードから離間しており、且つ、前記樹脂パッケージから露出する部分を有している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2副リードおよび前記第2ワイヤの間に介在する第2副めっき層を更に備える、請求項26に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、半導体層、半導体と金属との共晶層、および金属単体層を有しており、前記金属単体層は前記主リードに直接接合されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記共晶層は、SiとAuとからなる、請求項28に記載の半導体装置。
- 前記金属単体層は、前記共晶層よりも薄い、請求項29に記載の半導体装置。
- 前記主リードは、前記第1面から露出する第3部分を有し、前記第1副リードは、前記第1面から露出する第4部分を有し、
前記第3部分は、前記第1面の中心線に対し第1側にあり、前記第4部分は、前記第1面の前記中心線に対し第2側にあり、
前記第3部分および前記第4部分は、前記第1面における面積が互いに異なっている、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1部分および前記第2部分は、それぞれ、前記厚さ方向に直交する第1縁部および第2縁部を有し、前記第1縁部および前記第2縁部は、同一線上にある、請求項1に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013085388 | 2013-04-16 | ||
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