JP2022143168A - 半導体装置 - Google Patents

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die pad
semiconductor device
semiconductor element
main surface
lead
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龍太 木村
Ryuta Kimura
羊水 二村
Yosui FUTAMURA
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Abstract

【課題】同じリード上に並んで搭載された電子部品同士の接触を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置Ａ１０において、第１リード３と、第１リード３に搭載された第１半導体素子１１と、第１半導体素子１１を覆う封止樹脂７と、第１リード３に配置された伝熱部材５とを備えた。第１リード３は、ｚ方向において互いに反対側を向く主面３１１および裏面３１２を有する第１ダイパッド３１と、ｘ方向において第１ダイパッド３１と並んで配置されており、かつ、ｚ方向において第１ダイパッド３１に対して主面３１１側に位置する第２ダイパッド３２と、第１ダイパッド３１と第２ダイパッド３２とにつながる連結部３３とを備える。第２ダイパッド３２は、ｚ方向において、第１主面３１１と同じ側を向く第２主面３２１と、第１裏面３１２と同じ側を向く第２裏面３２２とを備える。伝熱部材５は、第２裏面３２２に配置され封止樹脂７から露出している。【選択図】図１９

Description

本開示は、半導体装置に関する。
種々の電子装置の一つとして、リードフレームを用いた半導体装置がある。半導体装置には、同じリードに複数の半導体素子が並んで搭載されたマルチチップデバイスがある。特許文献１には、従来のマルチチップデバイスである半導体装置の一例が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置は、複数の半導体チップ、リードフレーム、および樹脂を備えている。複数の半導体チップは、リードフレームのアイランドに並んで搭載されている。半導体チップの各パッドおよびリードフレームの各リード端子は、ワイヤで電気的に接続されている。複数の半導体チップは、樹脂によって封止されている。当該半導体装置においては、複数の半導体チップが同じアイランドに並んで搭載されるので、半導体チップ同士が接触した状態で製造される可能性がある。また、半導体チップに限られず、複数の電子部品（半導体チップも含まれる）が同じリード上に並んで搭載される場合にも、電子部品同士が接触する可能性がある。
特開２０１７－２６４６３号公報
本発明は上述の事情に鑑み、同じリード上に並んで搭載された電子部品同士の接触を抑制できる半導体装置を提供することをその課題とする。
本開示によって提供される半導体装置は、第１リードと、前記第１リードに搭載された第１半導体素子と、前記第１半導体素子を覆う封止樹脂と、前記第１リードに配置された伝熱部材とを備え、前記第１リードは、厚さ方向において互いに反対側を向く第１主面および第１裏面を有する第１ダイパッドと、前記厚さ方向に直交する第１方向において前記第１ダイパッドと並んで配置されており、かつ、前記厚さ方向において前記第１ダイパッドに対して前記第１主面側に位置する第２ダイパッドと、前記第１ダイパッドと前記第２ダイパッドとにつながる連結部とを備え、前記第２ダイパッドは、前記厚さ方向において、前記第１主面と同じ側を向く第２主面と、前記第１裏面と同じ側を向く第２裏面とを備え、前記伝熱部材は、前記第２裏面に配置され、かつ、前記封止樹脂から露出している。
本開示によると、第１リードの第１ダイパッドに搭載された電子部品と、第２ダイパッドに搭載された電子部品とが接触することを抑制できる。
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図２は、図１の半導体装置を示す斜視図であり、封止樹脂を透過し、各第２リードの一部を省略した図である。 図３は、図１の半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。 図４は、図１の半導体装置を示す底面図である。 図５は、図１の半導体装置を示す正面図である。 図６は、図１の半導体装置を示す右側面図である。 図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。 図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、図１１の部分拡大図である。 図１３は、本開示の第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す断面図である。 図１４は、図１３の部分拡大図である。 図１５は、本開示の第２実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す断面図である。 図１６は、図１５の部分拡大図である。 図１７は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図１８は、図１７の半導体装置を示す断面図である。 図１９は、図１７の半導体装置を示す断面図である。 図２０は、本開示の第３実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す断面図である。 図２１は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。 図２２は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
＜第１実施形態＞
図１～図９は、本開示に係る半導体装置の一例を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１０は、第１半導体素子１１、第２半導体素子１２、導電支持部材２、ワイヤ６１，６２，６３、金属層６５，６６、接合層６８,６９、および封止樹脂７を備えている。導電支持部材２は、第１リード３および複数の第２リード４を含んでいる。半導体装置Ａ１０の用途および機能は限定されない。本実施形態では、半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＳＯＰ（Small Outline Package）である。ただし、半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＳＯＰに限定されない。
図１は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図２においては、理解の便宜上、封止樹脂７を透過して、封止樹脂７の外形を想像線（二点鎖線）で示している。また、図２においては、理解の便宜上、各第２リード４の一部を省略している。図３は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図３においては、理解の便宜上、封止樹脂７を透過して、封止樹脂７の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図４は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図５は、半導体装置Ａ１０を示す正面図である。図６は、半導体装置Ａ１０を示す右側面図である。図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。
半導体装置Ａ１０は、厚さ方向視(平面視)の形状が長矩形状である。説明の便宜上、半導体装置Ａ１０の厚さ方向（平面視方向）をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体装置Ａ１０の長辺に沿う方向（図３および図４における上下方向）をｘ方向とし、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図３および図４における左右方向）をｙ方向とする。また、ｚ方向の一方側（図５～図６における下側）をｚ１側とし、他方側（図５～図６における上側）をｚ２側とする。ｘ方向の一方側（図３における下側）をｘ１側とし、他方側（図３における上側）をｘ２側とする。ｙ方向の一方側（図３および図４における左側）をｙ１側とし、他方側（図３および図４における右側）をｙ２側とする。ｚ方向が本開示の「厚さ方向」に相当し、ｘ方向が本開示の「第１方向」に相当する。なお、半導体装置Ａ１０の形状および各寸法は限定されない。
導電支持部材２は、半導体装置Ａ１０において、第１半導体素子１１および第２半導体素子１２と、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板との導通経路を構成する部材である。導電支持部材２は、たとえばＣｕを組成に含む合金からなる。なお、導電支持部材２の材料は限定されず、Ｃｕ、Ｎｉなど、または、これらを組成に含む合金であってもよい。導電支持部材２は、後述するリードフレームから形成される。導電支持部材２は、第１半導体素子１１および第２半導体素子１２を搭載する。図３に示すように、導電支持部材２は、第１リード３および複数の第２リード４を含んでいる。
第１リード３は、半導体装置Ａ１０においてｙ方向における中央に配置されている。また、第１リード３は、半導体装置Ａ１０のｘ方向における全体に広がっている。第１リード３は、第１半導体素子１１および第２半導体素子１２が搭載されている。第１リード３は、第１ダイパッド３１、第２ダイパッド３２、連結部３３、および固定部３４，３５を備えている。
第１ダイパッド３１は、第１リード３において、ｘ方向の中央よりｘ方向ｘ１側寄りに配置されている。第１ダイパッド３１は、ｚ方向視形状が矩形状である。第１ダイパッド３１は、主面３１１および裏面３１２を備えている。主面３１１および裏面３１２は、図７および図９に示すように、ｚ方向において離間する。主面３１１はｚ２側を向き、裏面３１２はｚ１側を向く。主面３１１および裏面３１２はそれぞれ、略平坦である。主面３１１には、第１半導体素子１１が搭載されている。裏面３１２は、封止樹脂７から露出して裏面端子になっており、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板に接合される。
図３に示すように、主面３１１には、金属層６５が配置されている。金属層６５は、第１半導体素子１１が搭載される部分を覆っている。本実施形態においては、金属層６５は、ｚ方向視において矩形状であり、主面３１１の中央に位置する。金属層６５は、ｚ方向視において主面３１１に内包されている。つまり、金属層６５は、主面３１１の各端縁まで広がっていない。金属層６５は、たとえばめっき処理により形成される。金属層６５は、たとえばＡｇを含んでいる。金属層６５は、第１ダイパッド３１の材料よりはんだ濡れ性が良い材料で形成されていればよい。金属層６５の材料としては、Ａｇの他に、たとえばＮｉなどが考えらえる。本実施形態では、第１ダイパッド３１の材料がＣｕの合金なので、金属層６５は、これよりはんだ濡れ性が良いＣｕであってもよい。また、金属層６５は、単一の層からなるものに限定されず、複数の金属層が積層されたものであってもよい。たとえば、金属層６５は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕがこの順で積層されてもよい。
第２ダイパッド３２は、第１リード３において、ｘ方向の中央よりｘ方向ｘ２側寄りに配置されている。第２ダイパッド３２は、ｘ方向において第１ダイパッド３１と並んで配置されている。また、第２ダイパッド３２は、ｚ方向において、第１ダイパッド３１とは異なる位置に配置されている。具体的には、第２ダイパッド３２は、ｚ方向において、第１ダイパッド３１に対して、主面３１１側（ｚ方向ｚ２側）に配置されている。第２ダイパッド３２は、ｚ方向視形状が矩形状である。第２ダイパッド３２は、主面３２１および裏面３２２を備えている。主面３２１および裏面３２２は、図８および図９に示すように、ｚ方向において離間する。主面３２１はｚ２側を向き、裏面３２２はｚ１側を向く。主面３２１および裏面３２２はそれぞれ、略平坦である。主面３２１には、第２半導体素子１２が搭載されている。裏面３２２は、封止樹脂７から露出していない。第２ダイパッド３２は、全体が封止樹脂７によって覆われている。本実施形態では、ｚ方向視において、第１ダイパッド３１と第２ダイパッド３２とは同程度の大きさであり、主面３１１の面積と主面３２１の面積とは同程度である。
図３に示すように、主面３２１には、金属層６６が配置されている。金属層６６は、第２半導体素子１２が搭載される部分を覆っている。本実施形態においては、金属層６６は、ｚ方向視において矩形状であり、主面３２１の中央に位置する。金属層６６は、ｚ方向視において主面３２１に内包されている。つまり、金属層６６は、主面３２１の各端縁まで広がっていない。金属層６６は、たとえばめっき処理により形成される。金属層６６の材料は、金属層６５と同様である。
連結部３３は、ｘ方向において、第１ダイパッド３１と第２ダイパッド３２との間に配置され、第１ダイパッド３１と第２ダイパッド３２とにつながっている。連結部３３は、第１ダイパッド３１および第２ダイパッド３２に対して傾斜している。連結部３３は、ｚ方向視形状が矩形状である。連結部３３は、主面３３１および裏面３３２を備えている。主面３３１および裏面３３２は、図９に示すように、互いに反対側を向いている。主面３３１および裏面３３２はそれぞれ、略平坦である。主面３３１は、第１ダイパッド３１の主面３１１および第２ダイパッド３２の主面３２１につながっている。裏面３３２は、第１ダイパッド３１の裏面３１２および第２ダイパッド３２の裏面３２２につながっている。連結部３３は、全体が封止樹脂７によって覆われている。第１ダイパッド３１、第２ダイパッド３２、および連結部３３は、全体としてｚ方向視において長矩形状であり、リードフレームの長矩形状の部分を加工することで形成されている。
固定部３４，３５は、第１リード３をリードフレームに固定するための部位である。固定部３４は、図３に示すように、ｚ方向視長矩形状であり、ｘ方向に延びている。固定部３４のｘ方向ｘ２側の端部は、第１ダイパッド３１のｘ方向ｘ１側の端部につながっている。固定部３４のｘ方向ｘ１側の端部は、封止樹脂７から露出している。固定部３４は、図１、図２、図５および図９に示すように、端面３４１を備えている。端面３４１は、ｘ方向ｘ１側を向く面であり、封止樹脂７から露出する面である。端面３４１は、製造工程におけるダイシングによって、リードフレームから第１リード３を分離した際にできる面である。また、本実施形態では、固定部３４は、図９に示すように、平行部３４２および傾斜部３４３を備えている。平行部３４２は、端面３４１を有し、第１ダイパッド３１に対して平行に延びている。平行部３４２は、第１ダイパッド３１よりｚ方向ｚ２側に配置されている。傾斜部３４３は、平行部３４２および第１ダイパッド３１につながり、平行部３４２および第１ダイパッド３１に対して傾斜して延びている。
固定部３５は、図３に示すように、ｚ方向視長矩形状であり、ｘ方向に延びている。固定部３５のｘ方向ｘ１側の端部は、第２ダイパッド３２のｘ方向ｘ２側の端部につながっている。固定部３５のｘ方向ｘ２側の端部は、封止樹脂７から露出している。固定部３５は、図９に示すように、端面３５１を備えている。端面３５１は、ｘ方向ｘ２側を向く面であり、封止樹脂７から露出する面である。端面３５１は、製造工程におけるダイシングによって、リードフレームから第１リード３を分離した際にできる面である。また、本実施形態では、固定部３５は、図９に示すように、平行部３５２および傾斜部３５３を備えている。平行部３５２は、端面３５１を有し、第２ダイパッド３２に対して平行に延びている。平行部３５２は、第２ダイパッド３２よりｚ方向ｚ２側に配置されている。傾斜部３５３は、平行部３５２および第２ダイパッド３２につながり、平行部３５２および第２ダイパッド３２に対して傾斜して延びている。
複数の第２リード４は、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板に接合されることで、半導体装置Ａ１０と当該配線基板との導通経路を構成する部材である。各第２リード４は、第１半導体素子１１または第２半導体素子１２に適宜導通している。本実施形態では、半導体装置Ａ１０は、８個の第２リード４を備えている。図３および図４に示すように、４個の第２リード４は、第１リード３に対してｙ方向ｙ１側に配置されている。当該４個の第２リード４は、互いに離間しつつ、ｘ方向に沿って等間隔で配列されている。また、当該４個の第２リード４は、封止樹脂７（後述の側面７３）からｙ方向ｙ１側に突出している。また、図３および図４に示すように、他の４個の第２リード４は、第１リード３に対してｙ方向ｙ２側に配置されている。当該４個の第２リード４は、互いに離間しつつ、ｘ方向に沿って等間隔で配列されている。また、当該４個の第２リード４は、封止樹脂７（後述の側面７４）からｙ方向ｙ２側に突出している。なお、第２リード４の数は限定されない。また、一部の第２リード４は、第１リード３に導通してもよい。また、導電支持部材２は、いずれにも導通しない第２リード４を含んでもよい。
各第２リード４は、パッド部４１および端子部４２を備えている。端子部４２は、ｙ方向に沿って延びたｚ方向視長矩形状であり、封止樹脂７から突出した部分と封止樹脂７に覆われた部分とを含む。図７および図８に示すように、端子部４２のうち封止樹脂７から突出した部分は、ガルウィング状に曲げ加工が施されている。また、端子部４２のうち封止樹脂７から突出した部分には、めっき処理が施されていてもよい。当該めっき処理により形成されるめっき層は、たとえばはんだなどのＳｎを含む合金からなり、封止樹脂７から突出した部分を覆う。当該めっき層は、はんだ接合によって半導体装置Ａ１０を配線基板に表面実装させる際に、当該突出した部分へのはんだの付着を良好なものにしつつ、はんだ接合に起因した当該突出した部分の浸食を防止する。
パッド部４１は、それぞれ端子部４２の封止樹脂７に覆われた部分につながっている。パッド部４１のｚ方向視形状は限定されないが、本実施形態では、ｘ方向に長い長矩形状である。パッド部４１の上面（ｚ２側を向く面）は、略平坦であり、ワイヤ６２またはワイヤ６３が接合されている。パッド部４１の上面には、めっき処理が施されていてもよい。当該めっき処理により形成されるめっき層は、たとえばＡｇを含む金属からなり、パッド部４１の上面を覆う。当該めっき層は、ワイヤ６２，６３の接合強度を高めつつ、ワイヤ６２，６３のワイヤボンディング時の衝撃からリードフレームを保護する。パッド部４１は、全体が封止樹脂７に覆われている。パッド部４１は、図２に示すように、ｚ方向において、第１リード３の固定部３４の平行部３４２および固定部３５の平行部３５２と同じ位置にあり、第１ダイパッド３１および第２ダイパッド３２に対してｚ方向ｚ２側に位置する。
第１半導体素子１１および第２半導体素子１２は、半導体装置Ａ１０の機能中枢となる素子である。
第１半導体素子１１は、スイッチング素子であり、本実施形態では、パワーＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）である。なお、第１半導体素子１１は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）や、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）などの他のトランジスタであってもよく、種類および内部構造は限定されない。
第１半導体素子１１は、図７および図９に示すように、素子主面１１１および素子裏面１１２を備えている。素子主面１１１および素子裏面１１２は、ｚ方向において離間する。素子主面１１１はｚ２側を向き、素子裏面１１２はｚ１側を向く。素子主面１１１には、図示しないソース電極およびゲート電極が配置されている。素子裏面１１２には、図示しないドレイン電極が配置されている。
第１半導体素子１１は、図３、図７および図９に示すように、接合層６８を介して、第１ダイパッド３１の主面３１１の中央に搭載されている。つまり、接合層６８は、主面３１１と第１半導体素子１１との間に介在する。本実施形態では、接合層６８は、導電性を有し、たとえばはんだである。なお、接合層６８は、銀ペーストなどの金属ペーストを固化したもの、または、焼結銀などの焼結金属などであってもよい。第１半導体素子１１の素子裏面１１２は、接合層６８によって、主面３１１に配置された金属層６５に接合されている。第１半導体素子１１のドレイン電極は、接合層６８および金属層６５を介して、第１ダイパッド３１に導通接続されている。これにより、第１ダイパッド３１（第１リード３）は、第１半導体素子１１のドレイン電極に導通して、ドレイン端子として機能する。
第１半導体素子１１の図示しないソース電極は、図３に示すように、ワイヤ６２を介して、第２リード４に導通接続されている。これにより、ソース電極に導通する第２リード４は、ソース端子またはセンスソース端子として機能する。センスソース端子は、ソース電極の電位を検出するための端子である。また、第１半導体素子１１の図示しないゲート電極は、図３に示すように、ワイヤ６１を介して、第２半導体素子１２に導通接続されている。ゲート電極には、ワイヤ６１を介して第２半導体素子１２から駆動信号が入力される。
第２半導体素子１２は、第１半導体素子１１を駆動させるための駆動素子である。第２半導体素子１２は、外部から入力される制御信号に基づいて駆動信号を生成して、第１半導体素子１１に出力する。
第２半導体素子１２は、図８および図９に示すように、素子主面１２１および素子裏面１２２を備えている。素子主面１２１および素子裏面１２２は、ｚ方向において離間する。素子主面１２１はｚ２側を向き、素子裏面１２２はｚ１側を向く。素子主面１２１には、図示しない複数の電極が配置されている。複数の電極には、たとえば、電圧が供給される電源電極、グランド電極、制御信号を入力される入力電極、および、生成した駆動信号を出力する出力電極などが含まれている。素子裏面１２２には、電極が配置されていない。
第２半導体素子１２は、図３、図８および図９に示すように、接合層６９を介して、第２ダイパッド３２の主面３２１の中央に搭載されている。つまり、接合層６９は、主面３２１と第２半導体素子１２との間に介在する。本実施形態では、接合層６９は、たとえばはんだである。なお、接合層６９は、金属ペーストを固化したもの、または、焼結金属などであってもよいし、絶縁性の接合層であってもよい。第２半導体素子１２の素子裏面１２２は、接合層６９によって、主面３２１に配置された金属層６６に接合されている。第２半導体素子１２の図示しない各電極は、図３に示すように、ワイヤ６３を介して、第２リード４に導通接続されている。電源電極に導通する第２リード４は電源端子として機能し、グランド電極に導通する第２リード４はグランド端子として機能し、入力電極に導通する第２リード４は入力端子として機能する。また、第２半導体素子１２の図示しない電極のうち出力電極は、図３に示すように、ワイヤ６１を介して、第１半導体素子１１の図示しないゲート電極に導通接続されている。第２半導体素子１２は、生成した駆動信号を出力電極から出力し、ワイヤ６１を介して、第１半導体素子１１のゲート電極に入力する。
ワイヤ６１～６３は、図３に示すように、導電支持部材２とともに、第１半導体素子１１および第２半導体素子１２が所定の機能を果たすための導通経路を構成している。ワイヤ６１～６３の各々の材料は、たとえばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、またはＡｌを含む金属である。なお、ワイヤ６１～６３の材料は限定されない。また、ワイヤ６１～６３に代えて、金属板または金属リボンが用いられてもよい。
ワイヤ６１は、第１半導体素子１１のゲート電極と第２半導体素子１２の出力電極とに接合され、第２半導体素子１２の出力電極から出力された駆動信号を、第１半導体素子１１のゲート電極に入力するための導通経路を構成する。なお、ワイヤ６１の数は限定されない。複数のワイヤ６２は、第１半導体素子１１と、複数の第２リード４との導通経路を構成する。複数のワイヤ６２の各々は、第１半導体素子１１のいずれかの電極と、いずれかの第２リード４のパッド部４１とに接合されている。なお、各電極と各第２リード４とを接続するワイヤ６２の数は限定されない。複数のワイヤ６３は、第２半導体素子１２と、複数の第２リード４との導通経路を構成する。複数のワイヤ６３の各々は、第２半導体素子１２のいずれかの電極と、いずれかの第２リード４のパッド部４１とに接合されている。なお、各電極と各第２リード４とを接続するワイヤ６３の数は限定されない。
封止樹脂７は、第１半導体素子１１、第２半導体素子１２、およびワイヤ６１～６３と、第１リード３および複数の第２リード４の各々の一部とを覆っている。封止樹脂７は、電気絶縁性を有する。封止樹脂７は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂７は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。封止樹脂７は、頂面７１、底面７２、および側面７３～７６を備えている。
頂面７１および底面７２は、ｚ方向において互いに離れて位置する。頂面７１および底面７２は、ｚ方向において互いに反対側を向く。頂面７１は、ｚ方向ｚ２側に位置し、第１ダイパッド３１の主面３１１と同じく、ｚ方向ｚ２側を向く。底面７２はｚ方向ｚ１側に位置し、第１ダイパッド３１の裏面３１２と同じく、ｚ方向ｚ１側を向く。頂面７１および底面７２の各々は、略平坦である。図４に示すように、底面７２から、第１リード３の第１ダイパッド３１の裏面３１２が露出している。底面７２と裏面３１２とは、面一になっている。
側面７３～７６の各々は、頂面７１および底面７２につながるとともに、ｚ方向において頂面７１と底面７２とに挟まれている。側面７３および側面７４は、ｙ方向において互いに離れて位置する。側面７３および側面７４は、ｙ方向において互いに反対側を向く。側面７３はｙ方向のｙ１側に位置し、側面７４はｙ方向のｙ２側に位置する。側面７５および側面７６は、ｘ方向において互いに離れて位置し、かつ、側面７３および側面７４につながっている。側面７５および側面７６は、ｘ方向において互いに反対側を向く。側面７５はｘ方向のｘ１側に位置し、側面７６はｘ方向のｘ２側に位置する。側面７３から、複数の第２リード４の端子部４２の一部が突出している。また、側面７４から、複数の第２リード４の端子部４２の一部が突出している。また、図１および図９に示すように、側面７５から、第１リード３の固定部３４の端面３４１が露出している。また、図９に示すように、側面７６から、第１リード３の固定部３５の端面３５１が露出している。
次に、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について説明する。
まず、リードフレームを準備する。リードフレームは、板状の材料である。本実施形態においては、リードフレームの母材は、Ｃｕの合金からなる。リードフレームは、金属板にエッチング処理等を施すことにより形成される。なお、リードフレームは、金属板に打ち抜き加工を施すことにより形成されてもよい。リードフレームは、導電支持部材２（第１リード３および複数の第２リード４）になる部分に加えて、枠状のフレーム、および、導電支持部材２とフレームとにつながる複数のタイバーを備えている。フレームおよびタイバーは、半導体装置Ａ１０を構成しない。リードフレームは、第１リード３の第１ダイパッド３１、第２ダイパッド３２、および連結部３３になる長矩形状の部分（以下では、「長矩形状部分」と記載する）を備えている。
次いで、リードフレームにディプレス加工を行う。本実施形態では、２回のディプレス加工を行う。１回目のディプレス加工により、長矩形状部分がフレームよりｚ方向ｚ１側に位置するように、リードフレームを変形させる。このとき、長矩形状部分とフレームとにつながる部分が変形して、固定部３５が形成される。次に、２回目のディプレス加工により、長矩形状部分を変形させ、第２ダイパッド３２と、第２ダイパッド３２に対してｚ方向ｚ１側に位置する第１ダイパッド３１と、第１ダイパッド３１および第２ダイパッド３２につながる連結部３３とを形成する。このとき、第１ダイパッド３１とフレームとにつながる部分が変形して、固定部３４が形成される。なお、１回のディプレス加工により、長矩形状部分を、第１ダイパッド３１、第２ダイパッド３２、および連結部３３に変形させてもよい。
次いで、第１ダイパッド３１の主面３１１に、たとえばめっき処理により金属層６５を形成する。また、第２ダイパッド３２の主面３２１に、たとえばめっき処理により金属層６６を形成する。
次いで、第１半導体素子１１を第１ダイパッド３１の主面３１１に形成された金属層６５に接合層６８を介して接合し、第２半導体素子１２を第２ダイパッド３２の主面３２１に形成された金属層６６に接合層６９を介して接合する。この接合工程では、まず、接合層６８，６９になるはんだペーストを金属層６５,６６のそれぞれ中央に塗布する。次に、塗布されたはんだペーストの上に、第１半導体素子１１および第２半導体素子１２を載置する。次に、リフロー処理を行って、はんだペーストを溶融させた後に固化させる。金属層６５,６６はリードフレームよりはんだ濡れ性が良いので、溶融されたはんだペーストが金属層６５,６６とリードフレームとの境界を越えて流れることが抑制される。
次いでワイヤ６１～６３の各々をワイヤボンディングにより形成する。次いで、封止樹脂７を形成する。封止樹脂７は、たとえばトランスファモールド成形により形成される。次いで、ダイシングを行い、個片化することで、フレームおよび複数のタイバーによって互いにつながっていた第１リード３および複数の第２リード４が、適宜分離される。次いで、複数の第２リード４のうち封止樹脂７から突出する部分に曲げ加工を行う。以上に示した工程を経ることで、半導体装置Ａ１０が製造される。
次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
本実施形態によると、第１リード３は、第１ダイパッド３１および第２ダイパッド３２を備えている。第２ダイパッド３２は、ｘ方向において第１ダイパッド３１と並んで配置されているが、ｚ方向において第１ダイパッド３１とは異なる位置に配置されている。第１半導体素子１１は第１ダイパッド３１の主面３１１に搭載され、第２半導体素子１２は第２ダイパッド３２の主面３２１に搭載されている。したがって、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２とは、共通の第１リード３にｘ方向に並んで搭載されるが、ｚ方向において異なる位置に配置される。これにより、半導体装置Ａ１０は、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２とがｚ方向において同じ位置に配置される場合と比較して、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２とが接触した状態で搭載されることを抑制できる。また、第１半導体素子１１は接合層６８を介して第１ダイパッド３１の主面３１１に搭載され、第２半導体素子１２は接合層６９を介して第２ダイパッド３２の主面３２１に搭載されている。半導体装置Ａ１０は、第１ダイパッド３１と第２ダイパッド３２とがｚ方向において互いに異なる位置に配置されることで、ｚ方向において同じ位置に配置される場合と比較して、接合層６８と接合層６９とが接触することも抑制できる。
また、本実施形態によると、第１ダイパッド３１の裏面３１２は、封止樹脂７の底面７２から露出している。裏面３１２は、半導体装置Ａ１０が配線基板に実装される際に、配線基板に接合される。したがって、第１半導体素子１１が発する熱は、裏面３１２から配線基板に放出される。これにより、半導体装置Ａ１０は、第１半導体素子１１の熱を適切に放熱できる。
また、本実施形態によると、第２ダイパッド３２の主面３２１と、第２半導体素子１２との間には、金属層６６が介在する。金属層６６は、第２ダイパッド３２の材料よりはんだ濡れ性が良い材料で形成されている。したがって、製造時に溶融されたはんだペーストが金属層６６と主面３２１との境界を越えて流れることが抑制される。これにより、半導体装置Ａ１０は、溶融されたはんだペーストが連結部３３の主面３３１を流れることを抑制できる。また、本実施形態によると、第１ダイパッド３１の主面３１１と、第１半導体素子１１との間には、金属層６５が介在する。金属層６５は、第１ダイパッド３１の材料よりはんだ濡れ性が良い材料で形成されている。したがって、半導体装置Ａ１０は、製造時に溶融されたはんだペーストが金属層６５と主面３１１との境界を越えて流れることを抑制できる。
なお、本実施形態では、金属層６５が主面３１１の中央で、ｚ方向視において主面３１１に内包されるように配置されている場合について説明したが、これに限られない。金属層６５の形状は限定されないし、主面３１１に内包されていなくてもよい。たとえば、金属層６５は、主面３１１全体を覆っていてもよい。また、金属層６５は配置されていなくてもよい。また、本実施形態では、金属層６６が主面３２１の中央で、ｚ方向視において主面３２１に内包されるように配置されている場合について説明したが、これに限られない。金属層６６の形状は限定されないし、主面３２１に内包されていなくてもよい。たとえば、金属層６６は、主面３２１全体を覆っていてもよい。また、金属層６６は配置されていなくてもよい。
また、本実施形態では、第１ダイパッド３１の裏面３１２が封止樹脂７の底面７２から露出している場合について説明したが、これに限られない。裏面３１２は、封止樹脂７の底面７２から露出していなくてもよい。
また、本実施形態では、半導体装置Ａ１０のパッケージ形式がＳＯＰ（Small Outline Package）である場合について説明したが、これに限られない。半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＳＯＰに限定されない。
また、本実施形態では、第１半導体素子１１がスイッチング素子であり、第２半導体素子１２が駆動素子である場合について説明したが、これに限られない。第２半導体素子１２がスイッチング素子であり、第１半導体素子１１が駆動素子であってもよい。また、第１半導体素子１１および第２半導体素子１２は、他の半導体素子であってもよく、また、半導体素子以外の電子部品であってもよい。
また、本実施形態では、第１ダイパッド３１には第１半導体素子１１のみが搭載され、第２ダイパッド３２には第２半導体素子１２のみが搭載されている場合について説明したが、これに限られない。第１ダイパッド３１は、他の半導体素子または電子部品が搭載されてもよいし、第１半導体素子１１が搭載されなくてもよい。また、第２ダイパッド３２は、他の半導体素子または電子部品が搭載されてもよいし、第２半導体素子１２が搭載されなくてもよい。
図１０～図２２は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
＜第２実施形態＞
図１０～図１２は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置Ａ２０を説明するための図である。図１０は、半導体装置Ａ２０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１０においては、理解の便宜上、封止樹脂７を透過して、封止樹脂７の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図であり、図９に対応する図である。図１２は、図１１の部分拡大図である。本実施形態の半導体装置Ａ２０は、連結部３３が溝部を備えている点で、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態では、連結部３３は、溝部３３３を備えている。図１０においては、理解の便宜上、溝部３３３にハッチングを付している。溝部３３３は、連結部３３の主面３３１のｘ方向における中央付近に配置されている。溝部３３３は、連結部３３の主面３３１から裏面３３２側に凹み、ｙ方向に沿って延びている。本実施形態では、溝部３３３は、主面３３１のｙ方向の両端縁まで延びている。図１２に示すように、溝部３３３のｙ方向視形状は略矩形状である。なお、溝部３３３のｙ方向視形状は限定されず、たとえば半円形状であってもよい。溝部３３３は、リードフレームを作成する際に、たとえばハーフエッチングによって形成される。なお、溝部３３３の形成方法は限定されない。溝部３３３は、たとえばスタンピングによって、主面３３１から凹ませるように形成されてもよい。
溝部３３３は、製造工程におけるリフロー処理時に、溶融されたはんだペーストの流動を阻害するために設けられている。第２半導体素子１２をリードフレームに接合するためのはんだペーストは、リフロー処理により溶融される。このとき、溶融されたはんだペーストが金属層６６とリードフレームとの境界を越えて流れ、第２ダイパッド３２の主面３２１から連結部３３の主面３３１に流れ出す可能性がある。溝部３３３は、連結部３３の主面３３１に流れ出た溶融されたはんだペーストが、第１ダイパッド３１の主面３１１まで流れることを阻害するように設けられている。
溝部３３３の深さ寸法（主面３３１に直交する方向の寸法）Ｔ２は、連結部３３の厚さ寸法（主面３３１に直交する方向の寸法）Ｔ１の１/３程度である。寸法Ｔ２が大きすぎると、連結部３３の強度が弱くなる。一方、寸法Ｔ２が小さすぎると、溶融されたはんだペーストの流動阻害機能が低下する。寸法Ｔ２は、寸法Ｔ１の１/４以上１/２以下が望ましい。なお、寸法Ｔ２は、限定されない。寸法Ｔ２は、連結部３３の寸法Ｔ１、連結部３３の強度、第２ダイパッド３２における第２半導体素子１２の配置位置、および、塗布されるはんだペーストの量などに応じて、適宜決定すればよい。
溝部３３３は、溶融されたはんだペーストの流動を阻害できればよい。溝部３３３は、主面３３１のｙ方向の両端縁まで延びていなくてもよい。また、溝部３３３は、ｙ方向に延びる溝が複数ｙ方向に配列された破線状の溝であってもよい。また、溝部３３３は、直線状に延びずに、たとえば曲線状であってもよい。また、溝部３３３の配置位置は、主面３３１のｘ方向における中央付近に限定されない。また、複数の溝部３３３が、ｘ方向に並んで配置されてもよい。
本実施形態においても、第２ダイパッド３２がｚ方向において第１ダイパッド３１とは異なる位置に配置されているので、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２とは、ｚ方向において異なる位置に配置される。これにより、半導体装置Ａ２０は、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２とが接触した状態で搭載されることを抑制できる。また、半導体装置Ａ２０は、接合層６８と接合層６９とが接触することも抑制できる。また、本実施形態においても、第１ダイパッド３１の裏面３１２が封止樹脂７の底面７２から露出しているので、半導体装置Ａ２０は、第１半導体素子１１の熱を適切に放熱できる。また、本実施形態においても、第２ダイパッド３２の主面３２１と第２半導体素子１２との間に金属層６６が介在する。したがって、半導体装置Ａ２０は、製造時に溶融されたはんだペーストが金属層６６と主面３２１との境界を越えて、連結部３３の主面３３１を流れることを抑制できる。
さらに、本実施形態によると、連結部３３は、溝部３３３を備えている。溝部３３３は、製造時に溶融されたはんだペーストが、第２ダイパッド３２の主面３２１から連結部３３の主面３３１に流れ出た場合でも、第１ダイパッド３１の主面３１１まで流れることを阻害できる。したがって、第２半導体素子１２を接合するためのはんだペーストの一部が加わって、第１半導体素子１１を接合するためのはんだペーストが増加することが抑制される。これにより、半導体装置Ａ２０は、増加したはんだペーストによって第１半導体素子１１が移動し、位置ずれが発生することを抑制できる。
なお、本実施形態では、接合層６９がはんだである場合について説明したが、これに限られない。接合層６９は、銀ペーストなどの金属ペーストを固化したもの、焼結銀などの焼結金属、または、絶縁性の接合層などであってもよい。これらの場合でも、接合層６９を形成するためのリフロー処理で、接合層６９の材料に含まれている一部の成分が流れ出す場合がある。溝部３３３は、この流動物が連結部３３の主面３３１を流動することを阻害できる。
＜第１変形例＞
図１３および図１４は、第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置Ａ２１を説明するための図である。図１３は、半導体装置Ａ２１を示す断面図であり、図１１に対応する図である。図１４は、図１３の部分拡大図である。本変形例の半導体装置Ａ２１は、連結部３３が溝部３３３の代わりに金属層を備えている点で、半導体装置Ａ２０と異なっている。
本変形例では、連結部３３は、溝部３３３の代わりに、金属層３３４を備えている。金属層３３４は、連結部３３の主面３３１のｘ方向における中央付近に配置されている。金属層３３４は、連結部３３の主面３３１から突出し、ｙ方向に沿って延びている。本実施形態では、金属層３３４は、主面３３１のｙ方向の両端縁まで延びている。図１４に示すように、金属層３３４のｙ方向視形状は略矩形状である。なお、金属層３３４のｙ方向視形状は限定されない。
金属層３３４は、たとえばめっき処理によって形成されためっき層である。なお、金属層３３４は、その他の方法で形成されてもよい。金属層３３４の材料は、連結部３３の材料よりはんだ濡れ性が悪い材料が用いられる。金属層３３４の材料としては、たとえばＡｌ（アルミニウム）などが挙げられる。また、たとえば、第１ダイパッド３１の材料がＣｕであった場合には、金属層３３４は、これよりはんだ濡れ性が悪いＣｕ合金であってもよい。また、金属層３３４は、単一の層からなるものに限定されず、複数の金属層が積層されたものであってもよい。金属層３３４は、溝部３３３と同様、製造工程におけるリフロー処理時に、溶融されたはんだペーストの流動を阻害するために設けられている。金属層３３４が連結部３３の材料よりはんだ濡れ性が悪い材料で形成されることで、溶融されたはんだペーストの流動を阻害できる。なお、金属層３３４の高さ寸法（主面３３１に直交する方向の寸法）が十分高く形成でき、その高さにより流動を阻害できるのであれば、金属層３３４の材料は限定されない。
金属層３３４は、溶融されたはんだペーストの流動を阻害できればよい。金属層３３４は、主面３３１のｙ方向の両端縁まで延びていなくてもよい。また、金属層３３４は、ｙ方向に延びる複数のめっき層がｙ方向に配列された破線状のめっき層であってもよい。また、金属層３３４は、直線状に延びずに、例えば曲線状であってもよい。また、金属層３３４の配置位置は、主面３３１のｘ方向における中央付近に限定されない。また、複数の金属層３３４が、ｘ方向に並んで配置されてもよい。
半導体装置Ａ２１においても、半導体装置Ａ２０と同様の効果を奏することができる。
＜第２変形例＞
図１５および図１６は、第２実施形態の第２変形例に係る半導体装置Ａ２２を説明するための図である。図１５は、半導体装置Ａ２２を示す断面図であり、図１１に対応する図である。図１６は、図１５の部分拡大図である。本変形例の半導体装置Ａ２２は、連結部３３が溝部３３３の代わりにペースト層を備えている点で、半導体装置Ａ２０と異なっている。
本変形例では、連結部３３は、溝部３３３の代わりに、ペースト層３３５を備えている。ペースト層３３５は、連結部３３の主面３３１のｘ方向における中央付近に配置されている。ペースト層３３５は、連結部３３の主面３３１から突出し、ｙ方向に沿って延びている。本実施形態では、ペースト層３３５は、主面３３１のｙ方向の両端縁まで延びている。図１６に示すように、ペースト層３３５のｙ方向視形状は略矩形状である。なお、ペースト層３３５のｙ方向視形状は限定されない。ペースト層３３５の高さ寸法（主面３３１に直交する方向の寸法）Ｔ３は、２０μｍ以上であることが望ましい。なお、寸法Ｔ３は限定されない。
ペースト層３３５は、たとえば絶縁ペーストを連結部３３の主面３３１に塗布して固化させることで形成される。なお、ペースト層３３５は、導電ペーストを連結部３３の主面３３１に塗布して固化させることで形成されてもよい。また、ペースト層３３５は、その他の方法で形成されてもよい。たとえば、ペースト層３３５は、ダイアタッチフィルムを主面３３１に貼り付けることで形成されてもよい。ペースト層３３５の材料は、リフロー処理の熱に耐えられるものであればよい。ペースト層３３５は、溝部３３３と同様、製造工程におけるリフロー処理時に、溶融されたはんだペーストの流動を阻害するために設けられている。
ペースト層３３５は、溶融されたはんだペーストの流動を阻害できればよい。ペースト層３３５は、主面３３１のｙ方向の両端縁まで延びていなくてもよい。また、ペースト層３３５は、ｙ方向に延びる層が複数ｙ方向に配列された破線状のものであってもよい。また、ペースト層３３５は、直線状に延びずに、例えば曲線状であってもよい。また、ペースト層３３５の配置位置は、主面３３１のｘ方向における中央付近に限定されない。また、複数のペースト層３３５が、ｘ方向に並んで配置されてもよい。
半導体装置Ａ２２においても、半導体装置Ａ２０と同様の効果を奏することができる。
＜第３実施形態＞
図１７～図１９は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置Ａ３０を説明するための図である。図１７は、半導体装置Ａ３０を示す底面図であり、図４に対応する図である。図１８は、半導体装置Ａ３０を示す断面図であり、図８に対応する図である。図１９は、半導体装置Ａ３０を示す断面図であり、図９に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ３０は、伝熱部材をさらに備えている点で、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１および第２実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態では、第２半導体素子１２がスイッチング素子であり、第２半導体素子１２が第２半導体素子１２を駆動させる駆動素子である。また、第２半導体素子１２は、厚さ寸法（ｚ方向の寸法）の小さいものが採用されており、図１９に示すように、第１半導体素子１１より厚さ寸法が小さい。
また、本実施形態では、半導体装置Ａ３０は、伝熱部材５をさらに備えている。伝熱部材５は、導電体であり、たとえばＣｕからなる。なお、伝熱部材５の材料は限定されず、熱伝導率が高い材料であればよい。伝熱部材５は、略直方体形状であり、第２ダイパッド３２の裏面３２２に配置されている。伝熱部材５は、主面５１および裏面５２を備えている。主面５１および裏面５２は、図１８および図１９に示すように、ｚ方向において離間する。主面５１はｚ２側を向き、裏面５２はｚ１側を向く。主面５１および裏面５２はそれぞれ、略平坦である。主面５１は、第２ダイパッド３２の裏面３２２に接している。なお、伝熱部材５の主面５１と第２ダイパッド３２の裏面３２２との間には、熱伝導性が高いシートなどが配置されてもよい。裏面５２は、図１７に示すように、封止樹脂７の底面７２から露出して裏面端子になっており、半導体装置Ａ３０が実装される配線基板に接合される。
また、伝熱部材５は、２個の係合部５３を備えている。各係合部５３は、主面５１のｙ方向両端部からそれぞれｚ２方向に突出して、第２ダイパッド３２に係合している。伝熱部材５は、かしめ処理によって、第２ダイパッド３２に取り付けられる。具体的には、第２ダイパッド３２の裏面３２２側から伝熱部材５の各係合部５３を第２ダイパッド３２のｙ方向両端部に係合させる。そして、熱を加えて、主面５１が第２ダイパッド３２の裏面３２２に密着するように圧着することで取り付けられる。なお、係合部５３の配置位置、形状、および個数は限定されない。また、伝熱部材５の取り付け方法は限定されない。たとえば、第２ダイパッド３２に貫通孔を設け、係合部５３を当該貫通孔に通してから先端部分をつぶすことで、伝熱部材５を第２ダイパッド３２に取り付けてもよい。伝熱部材５は、第２ダイパッド３２から熱が適切に伝えらえるように取り付けられていればよい。
本実施形態においても、第２ダイパッド３２がｚ方向において第１ダイパッド３１とは異なる位置に配置されているので、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２とは、ｚ方向において異なる位置に配置される。これにより、半導体装置Ａ３０は、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２とが接触した状態で搭載されることを抑制できる。また、半導体装置Ａ３０は、接合層６８と接合層６９とが接触することも抑制できる。また、本実施形態においても、第１ダイパッド３１の裏面３１２が封止樹脂７の底面７２から露出しているので、半導体装置Ａ３０は、第１半導体素子１１の熱を適切に放熱できる。また、本実施形態においても、第２ダイパッド３２の主面３２１と第２半導体素子１２との間に金属層６６が介在する。したがって、半導体装置Ａ３０は、製造時に溶融されたはんだペーストが金属層６６と主面３２１との境界を越えて、連結部３３の主面３３１を流れることを抑制できる。
さらに、本実施形態によると、半導体装置Ａ３０は、伝熱部材５を備えている。伝熱部材５は、熱伝導率が高い材料からなり、主面５１が第２ダイパッド３２の裏面３２２に接し、かつ、裏面５２が封止樹脂７から露出している。裏面５２は、半導体装置Ａ３０が配線基板に実装される際に、配線基板に接合される。したがって、第２半導体素子１２が発する熱は、第２ダイパッド３２を介して、伝熱部材５の裏面５２から配線基板に放出される。これにより、半導体装置Ａ３０は、第２半導体素子１２の熱を適切に放熱できる。
また、本実施形態によると、第２半導体素子１２は、第１半導体素子１１より圧さ寸法が小さい。したがって、圧さ寸法が同じである場合と比較して、第１リード３に搭載された状態において、第１半導体素子１１の素子主面１１１と第２半導体素子１２の素子主面１２１とのｚ方向における位置が近くなる。これにより、ワイヤ６１の形成が容易になって、ワイヤ６１の不良の発生が抑制される。
なお、本実施形態においては、第１ダイパッド３１の裏面３１２が封止樹脂７の底面７２から露出している場合について説明したが、これに限られない。本実施形態では、伝熱部材５を介して放熱および導通が可能なので、第１ダイパッド３１の裏面３１２は、封止樹脂７から露出しなくてもよい。
＜第１変形例＞
図２０は、第３実施形態の第１変形例に係る半導体装置Ａ３１を説明するための図である。図２０は、半導体装置Ａ３１を示す断面図であり、図１８に対応する図である。本変形例の半導体装置Ａ３１は、伝熱部材５の取り付け方法が半導体装置Ａ３０と異なっている。
本変形例では、伝熱部材５は、係合部５３を備えておらず、図示しない導電性接合材を介して、主面５１が第２ダイパッド３２の裏面３２２に接合されている。なお、伝熱部材５と第２ダイパッド３２とを接合する接合材は、絶縁性接合材であってもよい。当該接合材は、熱伝導率が高いものであればよい。また、伝熱部材５を第２ダイパッド３２の裏面３２２に接合する方法は、超音波接合またはスポット溶接などであってもよい。半導体装置Ａ３１においても、半導体装置Ａ３０と同様の効果を奏することができる。
第３実施形態では、伝熱部材５が導電体である場合について説明したが、これに限られない。伝熱部材５は、たとえば酸化アルミニウム（アルミナ）などの絶縁体であってもよい。また、伝熱部材５は、熱伝導率が高い樹脂材料で形成されてもよい。伝熱部材５の材料は限定されず、熱伝導率が高い材料であればよい。また、伝熱部材５は、従来知られている技術を利用して、第２ダイパッド３２からの熱が適切に伝えらえるように取り付けられればよい。
＜第４実施形態＞
図２１は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置Ａ４０を説明するための図である。図２１は、半導体装置Ａ４０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２１においては、理解の便宜上、封止樹脂７を透過して、封止樹脂７の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態の半導体装置Ａ４０は、第２半導体素子１２を備えていない点で、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態では、半導体装置Ａ４０は、第２半導体素子１２を備えておらず、第１半導体素子１１だけが搭載されている。第１半導体素子１１は、ＨＥＭＴである。また、第２ダイパッド３２のｚ方向視の大きさは、半導体装置Ａ１０の第２ダイパッド３２と比較して小さい。第２ダイパッド３２の主面３２１の面積は、第１ダイパッド３１の主面３１１の面積の半分以下である。また、第２リード４の数が、半導体装置Ａ１０と比較して少なく、６個である。
本実施形態に係る第１半導体素子１１は、素子主面１１１に図示しないソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極が配置されており、素子裏面１１２には電極が配置されていない。第１半導体素子１１は、絶縁性の接合層である接合層６８を介して、第１ダイパッド３１の主面３１１に搭載されている。第１半導体素子１１のソース電極およびゲート電極は、ワイヤ６２を介して、第２リード４に導通接続されている。第１半導体素子１１のドレイン電極は、複数のワイヤ６４を介して、第２ダイパッド３２に導通接続されている。各ワイヤ６４は、第１半導体素子１１のドレイン電極と、第２ダイパッド３２の主面３２１に配置された金属層６６とに接合されている。これにより、第２ダイパッド３２（第１リード３）は、第１半導体素子１１のドレイン電極に導通して、ドレイン端子として機能する。なお、ワイヤ６４の数は限定されない。
本実施形態においても、第２ダイパッド３２がｚ方向において第１ダイパッド３１とは異なる位置に配置されている。したがって、半導体装置Ａ４０は、第２ダイパッド３２に電子部品が搭載された場合でも、当該電子部品と第１半導体素子１１とが接触した状態で搭載されることを抑制できる。また、半導体装置Ａ４０は、当該電子部品を接合する接合層と接合層６８とが接触することも抑制できる。また、第２ダイパッド３２の主面３２１に金属層６６が配置されているので、半導体装置Ａ４０は、当該電子部品を金属層６６に接合するためのはんだペーストが製造時に溶融されても、金属層６６と主面３２１との境界を越えて、連結部３３の主面３３１を流れることを抑制できる。また、本実施形態においても、第１ダイパッド３１の裏面３１２が封止樹脂７の底面７２から露出しているので、半導体装置Ａ４０は、第１半導体素子１１の熱を適切に放熱できる。
さらに、本実施形態によると、各ワイヤ６４は、金属層６６を介して第２ダイパッド３２の主面３２１に接合されている。第２ダイパッド３２の主面３２１は、第１ダイパッド３１の主面３１１よりｚ方向ｚ２側に位置している。また、主面３１１には第１半導体素子１１が搭載されているので、ワイヤ６４を接合するための領域が狭い。したがって、半導体装置Ａ４０は、ワイヤ６４を主面３１１に接合する場合と比較して、ワイヤ６４の形成が容易であり、ワイヤ６４の不良の発生が抑制される。
なお、本実施形態では、第２ダイパッド３２の主面３２１の面積が第１ダイパッド３１の主面３１１の面積の半分以下である場合について説明したが、これに限られない。第２ダイパッド３２の主面３２１の面積を第１ダイパッド３１の主面３１１の面積と同程度とすれば、半導体装置Ａ４０と半導体装置Ａ１０とは、第１リード３を共通化できる。
＜第５実施形態＞
図２２は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置Ａ５０を説明するための図である。図２２は、半導体装置Ａ５０を示す断面図であり、図９に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ５０は、第２および第３実施形態の各特徴を合わせて備えている点で、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。
本実施形態では、連結部３３は、第２実施形態と同様に、溝部３３３を備えている。溝部３３３の構成は、第２実施形態と同様である。なお、溝部３３３は、第２実施形態に記載したさまざまなバリエーションが採用可能である。また、連結部３３は、溝部３３３の代わりに、第１変形例に記載のように金属層３３４を備えてもよいし、第２変形例に記載のようにペースト層３３５を備えてもよい。
また、本実施形態では、半導体装置Ａ５０は、第３実施形態と同様に、伝熱部材５を備えている。伝熱部材５の構成は、第３実施形態と同様である。なお、伝熱部材５は、第３実施形態に記載したさまざまなバリエーションが採用可能である。また、伝熱部材５は、第１変形例に記載のように取り付けられてもよい。なお、第１実施形態のように、第１半導体素子１１がスイッチング素子であり、第２半導体素子１２が駆動素子であってもよいし、第３実施形態のように、第２半導体素子１２がスイッチング素子であり、第１半導体素子１１が駆動素子であってもよい。
本実施形態によると、第１～第３実施形態で記載した各効果を奏することができる。
なお、第１～第５実施形態においては、第１ダイパッド３１および第２ダイパッド３２に、第１半導体素子１１または第２半導体素子１２が搭載される場合について説明したが、これに限られない。第１ダイパッド３１または第２ダイパッド３２には、他の電子部品（半導体素子を含む）がさらに搭載されてもよいし、第１半導体素子１１または第２半導体素子１２が搭載されなくてもよい。
本開示に係る半導体装置は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
〔付記１、第３実施形態、図１７～図２０〕
第１リード（３）と、
前記第１リード（３）に搭載された第１半導体素子（１１）と、
前記第１半導体素子（１１）を覆う封止樹脂（７）と、
前記第１リード（３）に配置された伝熱部材（５）と、
を備え、
前記第１リード（３）は、
厚さ方向において互いに反対側を向く第１主面（３１１）および第１裏面（３１２）を有する第１ダイパッド（３１）と、
前記厚さ方向に直交する第１方向において前記第１ダイパッド（３１）と並んで配置されており、かつ、前記厚さ方向において前記第１ダイパッド（３１）に対して前記第１主面（３１１）側に位置する第２ダイパッド（３２）と、
前記第１ダイパッド（３１）と前記第２ダイパッド（３２）とにつながる連結部（３３）と、
を備え、
前記第２ダイパッド（３２）は、前記厚さ方向において、前記第１主面（３１１）と同じ側を向く第２主面（３２１）と、前記第１裏面（３１２）と同じ側を向く第２裏面（３２２）と、を備え、
前記伝熱部材（５）は、前記第２裏面（３２２）に配置され、かつ、前記封止樹脂（７）から露出している、
半導体装置。
〔付記２、第３実施形態、図１７～図１９〕
前記伝熱部材（５）は、前記第２ダイパッド（３２）に係合している、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３、第３実施形態第１変形例、図２０〕
前記伝熱部材（５）は、前記第２裏面（３２２）に接合されている、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記伝熱部材（５）は、導電体である、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記伝熱部材（５）は、Ｃｕを含んでいる、
付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記伝熱部材（５）は、絶縁体である、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記伝熱部材（５）は、酸化アルミニウムを含んでいる、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記第１半導体素子（１１）は、前記第１主面（３１１）に搭載されている、
付記１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記９〕
第２半導体素子（１２）をさらに備え、
前記第２半導体素子（１２）は、前記第２主面（３２１）に搭載されている、
付記８に記載の半導体装置。
〔付記１０、第３実施形態、図１７～図２０〕
前記第２半導体素子（１２）は、スイッチング素子であり、
前記第１半導体素子（１１）は、前記第２半導体素子（１２）を駆動させる駆動素子である、
付記９に記載の半導体装置。
〔付記１１、第３実施形態、図１７～図２０〕
前記第２半導体素子（１２）は、前記第１半導体素子（１１）より、前記厚さ方向の寸法が小さい、
付記９または１０に記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記第１半導体素子（１１）と前記第２半導体素子（１２）とに接続された接続部材（６１）をさらに備えている、
付記９ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記第１裏面（３１２）は、前記封止樹脂（７）から露出している、
付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記封止樹脂（７）から突出する端子部（４２）を有する複数の第２リード（４）をさらに備え、
前記各端子部（４２）は、前記第１方向に沿って配列されている、
付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
Ａ１０，Ａ２０，Ａ２１，Ａ２２，Ａ３０，Ａ３１，Ａ４０，Ａ５０：半導体装置
１１ ：第１半導体素子
１１１ ：素子主面
１１２ ：素子裏面
１２ ：第２半導体素子
１２１ ：素子主面
１２２ ：素子裏面
２ ：導電支持部材
３ ：第１リード
３１ ：第１ダイパッド
３１１ ：主面
３１２ ：裏面
３２ ：第２ダイパッド
３２１ ：主面
３２２ ：裏面
３３ ：連結部
３３１ ：主面
３３２ ：裏面
３３３ ：溝部
３３４ ：金属層
３３５ ：ペースト層
３４ ：固定部
３４１ ：端面
３４２ ：平行部
３４３ ：傾斜部
３５ ：固定部
３５１ ：端面
３５２ ：平行部
３５３ ：傾斜部
４ ：第２リード
４１ ：パッド部
４２ ：端子部
５ ：伝熱部材
５１ ：主面
５２ ：裏面
５３ ：係合部
６１，６２，６３，６４：ワイヤ
６５，６６：金属層
６８，６９：接合層
７ ：封止樹脂
７１ ：頂面
７２ ：底面
７３，７４，７５，７６：側面

Claims (14)

  1. 第１リードと、
    前記第１リードに搭載された第１半導体素子と、
    前記第１半導体素子を覆う封止樹脂と、
    前記第１リードに配置された伝熱部材と、
    を備え、
    前記第１リードは、
    厚さ方向において互いに反対側を向く第１主面および第１裏面を有する第１ダイパッドと、
    前記厚さ方向に直交する第１方向において前記第１ダイパッドと並んで配置されており、かつ、前記厚さ方向において前記第１ダイパッドに対して前記第１主面側に位置する第２ダイパッドと、
    前記第１ダイパッドと前記第２ダイパッドとにつながる連結部と、
    を備え、
    前記第２ダイパッドは、前記厚さ方向において、前記第１主面と同じ側を向く第２主面と、前記第１裏面と同じ側を向く第２裏面と、を備え、
    前記伝熱部材は、前記第２裏面に配置され、かつ、前記封止樹脂から露出している、
    半導体装置。
  2. 前記伝熱部材は、前記第２ダイパッドに係合している、
    請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記伝熱部材は、前記第２裏面に接合されている、
    請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記伝熱部材は、導電体である、
    請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 前記伝熱部材は、Ｃｕを含んでいる、
    請求項４に記載の半導体装置。
  6. 前記伝熱部材は、絶縁体である、
    請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 前記伝熱部材は、酸化アルミニウムを含んでいる、
    請求項６に記載の半導体装置。
  8. 前記第１半導体素子は、前記第１主面に搭載されている、
    請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 第２半導体素子をさらに備え、
    前記第２半導体素子は、前記第２主面に搭載されている、
    請求項８に記載の半導体装置。
  10. 前記第２半導体素子は、スイッチング素子であり、
    前記第１半導体素子は、前記第２半導体素子を駆動させる駆動素子である、
    請求項９に記載の半導体装置。
  11. 前記第２半導体素子は、前記第１半導体素子より、前記厚さ方向の寸法が小さい、
    請求項９または１０に記載の半導体装置。
  12. 前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とに接続された接続部材をさらに備えている、
    請求項９ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
  13. 前記第１裏面は、前記封止樹脂から露出している、
    請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
  14. 前記封止樹脂から突出する端子部を有する複数の第２リードをさらに備え、
    前記各端子部は、前記第１方向に沿って配列されている、
    請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
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