JP7473376B2

JP7473376B2 - 半導体装置

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Publication number: JP7473376B2
Application number: JP2020055780A
Authority: JP
Inventors: 弘匡河野
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2020-03-26
Filing date: 2020-03-26
Publication date: 2024-04-23
Anticipated expiration: 2040-03-26
Also published as: JP2021158180A

Description

本開示は、半導体装置に関する。

上記半導体装置の一例として、基板上に実装された半導体素子と、駆動パッドと、半導体素子と駆動パッドとを接続する帯状の導電部材と、を備える半導体装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。導電部材は、半導体素子のうち基板とは反対側の素子主面にはんだによって接合されている。

特開２０１８－１２５３５４号公報

ところで、半導体素子の温度が過度に上昇することを抑制するため、半導体素子から導電部材への放熱性能の向上が望まれている。
本開示の目的は、半導体素子から導電部材への放熱性能を向上できる半導体装置を提供することにある。

上記課題を解決する半導体装置は、素子主面、および前記素子主面に形成された主面側駆動電極を有している半導体素子と、前記主面側駆動電極と対面する接続裏面を有しており、前記主面側駆動電極に接続されている板状の導電部材と、前記主面側駆動電極と前記接続裏面との間に介在しており、前記主面側駆動電極と前記導電部材とを接続する導電性接合材と、を備えており、前記接続裏面には、溝が形成されている。

この構成によれば、溝に導電性接合材が入り込むことによって、接続部材と導電性接合材との接合面積は、溝が形成されていない接続部材と導電性接合材との接合面積よりも大きくなる。これにより、半導体素子の熱から導電性接合材を介して接続部材に移動しやすくなるため、半導体素子から導電部材への放熱性能を向上できる。

上記半導体装置によれば、半導体素子から導電部材への放熱性能を向上できる。

一実施形態の半導体装置の斜視図。図１の半導体装置の内部構造を示す平面図。図１の半導体装置の裏面図。図２の４－４線の断面図。図２の半導体装置から導電部材を取り除いた状態の平面図。導電部材の斜視図。図６の導電部材を図６とは異なる方向から視た斜視図。導電部材の裏面図。図８の導電部材の一部の拡大図。図２の１０－１０線の断面図。一実施形態の半導体装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。作用を説明するための半導体装置の模式的な断面図。図１８の一部の拡大図。作用を説明するための導電部材の一部を示す模式的な斜視図。変更例の半導体装置について、導電部材を裏面側から視た斜視図。変更例の半導体装置の断面図。変更例の半導体装置について、導電部材を裏面側から視た斜視図。図２３の導電部材を半導体素子に接合した状態において図２３の２４－２４線で切った場合の半導体装置の断面図。変更例の半導体装置の断面図。変更例の半導体装置について、導電部材の裏面図であって複数の溝およびその周辺を拡大した拡大図。変更例の半導体装置について、導電部材の裏面図であって複数の溝およびその周辺を拡大した拡大図。変更例の半導体装置について、導電部材の裏面図であって複数の溝およびその周辺を拡大した拡大図。変更例の半導体装置について、導電部材の裏面図であって複数の溝およびその周辺を拡大した拡大図。変更例の半導体装置について、導電部材の裏面図であって複数の溝およびその周辺を拡大した拡大図。変更例の半導体装置について、導電部材の裏面図であって複数の溝およびその周辺を拡大した拡大図。変更例の半導体装置について、その内部構造を示す平面図。

以下、半導体装置の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

本明細書において、「部材Ａが部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂとが物理的に直接的に接続される場合、ならびに、部材Ａおよび部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。

［実施形態］
（半導体装置の構成）
図１～図１０を参照して、本実施形態の半導体装置１の構成について説明する。

図１に示すように、半導体装置１は、たとえば直方体状である。半導体装置１の平面視において、一辺に沿う方向をｘ方向とし、ｘ方向と直交する方向をｙ方向とする。ｘ方向およびｙ方向と直交する方向をｚ方向とする。本実施形態においては、半導体装置１のｘ方向のサイズは２．０ｍｍ程度であり、半導体装置１のｙ方向のサイズは２．０ｍｍ程度である。つまり、本実施形態では、ｚ方向から視た半導体装置１の形状は正方形である。なお、半導体装置１のｘ方向のサイズおよびｙ方向のサイズはそれぞれ任意に変更可能である。またｚ方向から視た半導体装置１の形状は任意に変更可能である。

半導体装置１は、導電板１０と、駆動パッド２０と、制御パッド３０と、半導体素子４０と、導電部材５０と、ワイヤＷと、封止樹脂６０と、を備えている。図１に示すとおり、本実施形態では、ｚ方向において、導電板１０と、駆動パッド２０と、制御パッド３０とは、互いに揃った位置となるように配置されている。

封止樹脂６０は、半導体装置１のパッケージを構成するものであり、導電板１０の一部と、駆動パッド２０の一部と、制御パッド３０の一部と、半導体素子４０と、導電部材５０と、ワイヤＷとを封止している。封止樹脂６０は、電気絶縁性を有する樹脂材料からなり、本実施形態では黒色のエポキシ樹脂からなる。

封止樹脂６０は、ｚ方向において互いに反対側を向く樹脂主面６０ｓおよび樹脂裏面６０ｒと、ｚ方向において樹脂主面６０ｓと樹脂裏面６０ｒとの間に設けられる樹脂側面６１～６４と、を有している。

本実施形態では、樹脂主面６０ｓおよび樹脂裏面６０ｒはそれぞれ、ｚ方向に直交する平坦面からなる。なお、以下の説明において、便宜上、樹脂裏面６０ｒから樹脂主面６０ｓに向かう方向を上方といい、樹脂主面６０ｓから樹脂裏面６０ｒに向かう方向を下方という場合がある。

樹脂側面６１および樹脂側面６２は、ｙ方向において互いに反対側を向く面である。樹脂側面６１，６２はそれぞれ、ｘ方向に沿って延びている。樹脂側面６３および樹脂側面６４は、ｘ方向において互いに反対側を向く面である。樹脂側面６３，６４はそれぞれ、ｙ方向に沿って延びている。

導電板１０は、半導体素子４０が搭載される部品であって、半導体装置１の外部の配線基板と電気的に接続される外部端子となる部品である。つまり、半導体素子４０は、導電板１０を介して配線基板と電気的に接続される。

図２に示すように、導電板１０は、ｙ方向において封止樹脂６０のうち樹脂側面６１寄りに配置されている。上方から視て、導電板１０のｙ方向のサイズは封止樹脂６０のｘ方向のサイズの１／２よりも大きく、導電板１０のｘ方向のサイズは封止樹脂６０のｙ方向のサイズと概ね等しい（より詳細には、導電板１０のｘ方向のサイズは封止樹脂６０のｙ方向のサイズよりも僅かに小さい）。このため、上方から視た導電板１０の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる略矩形状である。つまり、導電板１０は、矩形板状に形成されている。導電板１０は、導電性を有する材料からなり、たとえば金属材料からなる。本実施形態では、導電板１０は、Ｃｕ（銅）からなる。

図４に示すように、導電板１０は、ｚ方向において互いに反対側を向く導電主面１０ｓおよび導電裏面１０ｒを有している。このように、本実施形態では、ｚ方向は、導電板１０の厚さ方向であるともいえる。導電主面１０ｓは樹脂主面６０ｓと同じ側を向き、導電裏面１０ｒは樹脂裏面６０ｒと同じ側を向いている。

導電主面１０ｓには、半導体素子４０が搭載されている。より詳細には、導電主面１０ｓには、はんだやＡｇ（銀）ペースト等の導電性接合材によって半導体素子４０が実装されている。本実施形態では、半導体素子４０は、導電性接合材として、Ｓｎ（錫）系のＰｂ（鉛）を含むはんだペーストであるはんだＳＤによって導電主面１０ｓに実装されている。このはんだＳＤの一例として、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇのはんだが用いられている。また、はんだＳＤとして、Ｐｂを含まないはんだを用いてもよい。このはんだＳＤの一例として、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕのはんだが用いられている。

半導体素子４０は、たとえばスイッチング素子であり、本実施形態ではＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）が用いられている。ＭＯＳＦＥＴとしては、Ｓｉ（シリコン）やＳｉＣ（炭化シリコン）からなるもの、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなるもの等であってもよい。半導体素子４０としてＳｉＣからなるＭＯＳＦＥＴが用いられる場合、１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチング、好ましくは、１ｋＨｚ以上かつ１００ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能となる。なお、半導体素子４０は、ＭＯＳＦＥＴに代えて、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）や他のバイポーラトランジスタ等のトランジスタであってもよい。

図４および図５に示すように、半導体素子４０は、矩形平板状からなる。図４に示すように、上方から視た半導体素子４０の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。半導体素子４０は、導電主面１０ｓの大部分を覆うようなサイズとして設けられている。

本実施形態では、半導体素子４０は、導電主面１０ｓのｘ方向およびｙ方向の中央に配置されている。より詳細には、半導体素子４０のｘ方向およびｙ方向の中心位置と、導電主面１０ｓのｘ方向およびｙ方向の中心位置とが一致するように、半導体素子４０が導電主面１０ｓに配置されている。ここで、半導体素子４０のｘ方向およびｙ方向の中心位置と、導電主面１０ｓのうち後述する導電板本体部１１のｘ方向およびｙ方向の中心位置とのずれ量がたとえば半導体素子４０のｘ方向の長さまたはｙ方向の長さの５％以内であれば、半導体素子４０のｘ方向およびｙ方向の中心位置と、導電主面１０ｓのｘ方向およびｙ方向の中心位置とが一致しているといえる。

なお、導電主面１０ｓに対する半導体素子４０の配置位置は任意に変更可能である。一例では、半導体素子４０は、導電主面１０ｓのうちの樹脂側面６２寄りに配置されてもよい。これにより、ワイヤＷや導電部材５０の長さを短くできるため、ワイヤＷや導電部材５０の長さに起因するインダクタンスを低減できる。

図４に示すように、半導体素子４０は、ｚ方向において互いに反対側を向く素子主面４０ｓおよび素子裏面４０ｒを有している。このように、本実施形態では、ｚ方向は、半導体素子４０の厚さ方向であるともいえる。素子主面４０ｓは導電主面１０ｓと同じ側を向き、素子裏面４０ｒは導電裏面１０ｒと同じ側を向いている。

図５に示すように、素子主面４０ｓには、主面側駆動電極４１および制御電極４３が形成されている。
主面側駆動電極４１は、素子主面４０ｓの大部分にわたり形成されている。主面側駆動電極４１の一例は、半導体素子４０のソース電極である。主面側駆動電極４１のうち樹脂側面６２かつ樹脂側面６４の近くの部分には窪み部４１ａが形成されている。

制御電極４３は、素子主面４０ｓの四隅のうちの１つに形成されている。制御電極４３の一例は、半導体素子４０のゲート電極である。制御電極４３は、その一部が主面側駆動電極４１の窪み部４１ａに入り込むように形成されている。つまり、制御電極４３は、素子主面４０ｓの四隅のうち樹脂側面６２かつ樹脂側面６４の近くの隅に形成されている。

図４に示すように、素子裏面４０ｒは、はんだＳＤが接合される面となる。素子裏面４０ｒには、裏面側駆動電極４２が形成されている。本実施形態では、裏面側駆動電極４２は、素子裏面４０ｒの全体にわたり形成されている。裏面側駆動電極４２の一例は、半導体素子４０のドレイン電極である。

図５に示すように、導電板１０は、半導体素子４０が搭載される導電板本体部１１と、導電板本体部１１からｙ方向に突出する複数（本実施形態では４個）の突出端子１２と、導電板本体部１１からｘ方向に突出する複数（本実施形態では２個）の吊りリード部１３と、を有している。本実施形態では、導電板１０は、導電板本体部１１、複数の突出端子１２および複数の吊りリード部１３が一体に形成された単一部品である。

導電板本体部１１は、導電板１０のうち大部分を占める部分である。上方から視た導電板本体部１１の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。上方から視て、導電板本体部１１のｘ方向のサイズは、封止樹脂６０のｘ方向のサイズよりも僅かに小さい。上方から視て、導電板本体部１１のｙ方向のサイズは、封止樹脂６０のｙ方向のサイズの１／２よりも大きい。

複数の突出端子１２はそれぞれ、導電板本体部１１のｙ方向の両端部のうち樹脂側面６１に近い方の端部からｙ方向に沿って延びている。複数の突出端子１２は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。各突出端子１２の先端面は、樹脂側面６１から露出している。なお、複数の突出端子１２の個数は任意に変更可能である。また、複数の突出端子１２を省略してもよい。

複数の吊りリード部１３は、導電板本体部１１のｘ方向の両端部からｘ方向に沿って延びている。上方から視て、複数の吊りリード部１３は、導電板本体部１１のｙ方向の中央よりも樹脂側面６２寄りに配置されている。導電板本体部１１のｘ方向の両端部のうち樹脂側面６３に近い方の端部に形成された吊りリード部１３の先端面は、樹脂側面６３から露出している。導電板本体部１１のｘ方向の両端部のうち樹脂側面６４に近い方の端部に形成された吊りリード部１３の先端面は、樹脂側面６４から露出している。なお、複数の吊りリード部１３の個数は任意に変更可能である。また複数の吊りリード部１３のｙ方向の位置は任意に変更可能である。

図３および図４に示すように、導電板１０は、導電裏面１０ｒから導電主面１０ｓに向けて窪んだハーフ絶縁部１４を有している。ハーフ絶縁部１４は、導電板本体部１１の外周部に形成されている。より詳細には、導電板本体部１１の外周部のうち樹脂側面６３の近くのハーフ絶縁部１４、および樹脂側面６４の近くのハーフ絶縁部１４はそれぞれ、導電板本体部１１のｙ方向の全体にわたり形成されている。複数の吊りリード部１３は、導電板本体部１１の外周部のうち樹脂側面６３，６４のハーフ絶縁部１４と一体に形成されている。導電板本体部１１の外周部のうち樹脂側面６２の近くのハーフ絶縁部１４は、導電板本体部１１のｘ方向の全体にわたり形成されている。導電板本体部１１の外周部のうち樹脂側面６１の近くのハーフ絶縁部１４は、複数の突出端子１２を避けるようにして、ｘ方向において離間して複数形成されている。

図４に示すように、ハーフ絶縁部１４には、封止樹脂６０が入り込んでいる。つまり、ハーフ絶縁部１４のうち導電裏面１０ｒ側に向く面である絶縁裏面１４ｒは、封止樹脂６０によって覆われている。このため、図３に示すとおり、ハーフ絶縁部１４は、下方から視て、封止樹脂６０の樹脂裏面６０ｒから露出していない。また、下方から視て、複数の吊りリード部１３は、封止樹脂６０の樹脂裏面６０ｒから露出していない。

一方、図３に示すとおり、導電板１０のうちハーフ絶縁部１４以外の部分は、封止樹脂６０の樹脂裏面６０ｒから露出している。つまり、導電板１０の導電裏面１０ｒは、樹脂裏面６０ｒから露出している。下方から視て、樹脂裏面６０ｒから露出している導電裏面１０ｒのｙ方向の両端部のうち樹脂側面６１に近い方の端部は、複数の突出端子１２が露出することによって櫛歯状に形成されている。

図２に示すように、駆動パッド２０は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１と電気的に接続される部品であって、半導体装置１の外部の配線基板と電気的に接続される外部端子となる部品である。つまり、半導体素子４０の主面側駆動電極４１は、駆動パッド２０を介して配線基板と電気的に接続される。駆動パッド２０は、導電性を有する材料からなり、たとえば金属材料からなる。本実施形態では、駆動パッド２０は、Ｃｕからなる。

駆動パッド２０は、ｙ方向において、導電板１０よりも樹脂側面６２の近くに配置されている。つまり、導電板１０および駆動パッド２０は、ｙ方向において配列されている。このため、導電板１０および駆動パッド２０の配列方向であるｙ方向は第１方向であるともいえる。そして、ｙ方向と直交するｘ方向は第２方向であるともいえる。また、駆動パッド２０は、ｘ方向において、樹脂側面６３寄りに配置されている。

駆動パッド２０のｘ方向のサイズは、封止樹脂６０のｘ方向のサイズの１／２よりも大きい。上方から視た駆動パッド２０の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる略矩形状である。

図２および図３に示すように、駆動パッド２０は、ｚ方向において互いに反対側を向く駆動パッド主面２０ｓおよび駆動パッド裏面２０ｒを有している。駆動パッド主面２０ｓは導電主面１０ｓと同じ側を向き、駆動パッド裏面２０ｒは導電裏面１０ｒと同じ側を向いている。

駆動パッド２０は、パッド本体部２１と、パッド本体部２１からｙ方向に突出する複数（本実施形態では３個）の突出端子２２と、パッド本体部２１からｘ方向に突出する吊りリード部２３と、を有している。本実施形態では、駆動パッド２０は、パッド本体部２１、複数の突出端子２２および吊りリード部２３が一体に形成された単一部品である。

パッド本体部２１は、導電部材５０が接続される部分である。上方から視たパッド本体部２１の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、パッド本体部２１のｘ方向のサイズは、導電部材５０の後述する第２接続部５２のｘ方向のサイズよりも大きい。

複数の突出端子２２はそれぞれ、パッド本体部２１のｙ方向の両端部のうち樹脂側面６２に近い方の端部からｙ方向に沿って延びている。複数の突出端子２２は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。各突出端子２２の先端面は、樹脂側面６２から露出している。なお、複数の突出端子２２の個数は任意に変更可能である。

吊りリード部２３は、パッド本体部２１のｘ方向の両端部のうち樹脂側面６３に近い方の端部からｘ方向に沿って延びている。吊りリード部２３の先端面は、樹脂側面６３から露出している。

図３に示すように、駆動パッド２０のうち複数の突出端子２２のそれぞれを含む３個の矩形状部が駆動パッド裏面２０ｒとして樹脂裏面６０ｒから露出している。これら駆動パッド裏面２０ｒは、各突出端子２２よりもｙ方向に延びている。本実施形態では、駆動パッド裏面２０ｒは、ｙ方向において、突出端子２２からパッド本体部２１のｙ方向の両端部のうち導電板１０に近い方の端部までにわたり形成されている。

また、駆動パッド２０は、駆動パッド裏面２０ｒから駆動パッド主面２０ｓに向けて窪んだハーフ絶縁部２４を有している。図４に示すように、ハーフ絶縁部２４には、封止樹脂６０が入り込んでいる。つまり、ハーフ絶縁部２４のうち導電裏面１０ｒ側に向く面である絶縁裏面２４ｒは、封止樹脂６０によって覆われている。このため、図３に示すとおり、ハーフ絶縁部２４は、下方から視て、封止樹脂６０の樹脂裏面６０ｒから露出していない。つまり、ハーフ絶縁部２４は、樹脂裏面６０ｒから露出した駆動パッド裏面２０ｒ以外の部分となる。このため、吊りリード部２３は、ハーフ絶縁部２４に含まれており、下方から視て、樹脂裏面６０ｒから露出していない。ハーフ絶縁部２４は、ｘ方向において互いに離間して形成されている第１部分と、これら第１部分をつなぐ第２部分と、を有している。第２部分は、ハーフ絶縁部２４のｙ方向の両端部のうち導電板１０に近い方の端部に形成されている。

図２に示すように、制御パッド３０は、半導体素子４０の制御電極４３と電気的に接続される部品であって、半導体装置１の外部の配線基板と電気的に接続される外部端子となる部品である。つまり、半導体素子４０の制御電極４３は、制御パッド３０を介して配線基板と電気的に接続される。制御パッド３０は、導電性を有する材料からなり、たとえば金属材料からなる。本実施形態では、制御パッド３０は、Ｃｕからなる。このように、導電板１０、駆動パッド２０および制御パッド３０は、同じ材料からなる。

制御パッド３０は、ｙ方向において、導電板１０よりも樹脂側面６２の近くに配置されている。制御パッド３０は、封止樹脂６０のｘ方向の中央よりも樹脂側面６４の近くに配置されている。つまり、制御パッド３０は、制御電極４３の近くに配置されている。これにより、ワイヤＷの長さを短くできる。

制御パッド３０は、ｙ方向において駆動パッド２０と揃った状態でｘ方向において駆動パッド２０から離間して配列されている。このように、ｚ方向から視て、制御パッド３０は、導電板１０および駆動パッド２０にそれぞれ隣り合うように配置されている。制御パッド３０のｘ方向のサイズは、駆動パッド２０のｘ方向のサイズよりも小さい。換言すると、ｘ方向において、駆動パッド２０は、制御パッド３０よりも大きい。上方から視た制御パッド３０の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる略矩形状である。

制御パッド３０は、パッド本体部３１と、パッド本体部３１からｙ方向に突出する突出端子３２と、パッド本体部３１からｘ方向に突出する吊りリード部３３と、を有している。本実施形態では、制御パッド３０は、パッド本体部３１と突出端子３２と吊りリード部３３とが一体に形成された単一部品である。

ｙ方向から視て、パッド本体部３１は、制御電極４３と重なる位置に配置されている。より詳細には、パッド本体部３１は、ｘ方向において、半導体素子４０の制御電極４３と揃った位置に配置されている。上方から視たパッド本体部３１の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。

半導体素子４０の制御電極４３とパッド本体部３１とは、ワイヤＷによって接続されている。ワイヤＷは、導電性の材料からなり、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ等からなる。本実施形態では、ワイヤＷは、ワイヤボンディングによって形成されている。このため、半導体装置１が配線基板に実装される場合、半導体素子４０の制御電極４３は、ワイヤＷおよび制御パッド３０を介して配線基板と電気的に接続される。

突出端子３２は、パッド本体部３１のｙ方向の両端部のうち樹脂側面６２に近い方の端部からｙ方向に沿って延びている。突出端子３２の先端面は、樹脂側面６２から露出している。

吊りリード部３３は、パッド本体部３１のｘ方向の両端部のうち樹脂側面６４に近い方の端部からｘ方向に沿って延びている。吊りリード部３３の先端面は、樹脂側面６４から露出している。

図３に示すように、制御パッド３０のうち突出端子３２を含む矩形状部が制御パッド裏面３０ｒとして樹脂裏面６０ｒから露出している。制御パッド裏面３０ｒは、突出端子３２よりもｙ方向に延びている。本実施形態では、制御パッド裏面３０ｒは、ｙ方向において、突出端子３２からパッド本体部３１のｙ方向の両端部のうち導電板１０に近い方の端部までにわたり形成されている。

また、制御パッド３０は、制御パッド裏面３０ｒから制御パッド主面３０ｓに向けて窪んだハーフ絶縁部３４を有している。ハーフ絶縁部３４には、封止樹脂６０が入り込んでいる。つまり、ハーフ絶縁部３４のうち導電裏面１０ｒ側に向く面である絶縁裏面３４ｒは、封止樹脂６０によって覆われている。このため、図３に示すとおり、ハーフ絶縁部３４は、下方から視て、封止樹脂６０の樹脂裏面６０ｒから露出していない。つまり、ハーフ絶縁部３４は、樹脂裏面６０ｒから露出した制御パッド裏面３０ｒ以外の部分となる。このため、吊りリード部３３は、ハーフ絶縁部３４に含まれており、樹脂裏面６０ｒから露出していない。

図３に示す樹脂裏面６０ｒには、導電板１０の導電裏面１０ｒ、駆動パッド２０の駆動パッド裏面２０ｒおよび制御パッド３０の制御パッド裏面３０ｒがそれぞれ露出しており、半導体装置１が配線基板に実装される場合に導電裏面１０ｒ、駆動パッド裏面２０ｒおよび制御パッド裏面３０ｒがそれぞれ導電性接合材によって配線基板の配線に接合される。このように、本実施形態の半導体装置１は、表面実装型のパッケージである。

図２に示すように、半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２０とは、帯状の導電部材５０によって接続されている。これにより、半導体装置１が配線基板に実装される場合、半導体素子４０の主面側駆動電極４１は、導電部材５０および駆動パッド２０を介して配線基板と電気的に接続される。

導電部材５０は、導電性の材料からなり、本実施形態ではＣｕからなる。換言すると、導電部材５０は、Ｃｕクリップからなる。導電部材５０は、たとえばＣｕからなる金属板をプレス加工することによって形成されている。図４に示すように、本実施形態では、導電部材５０の厚さＨＣは、導電板１０の厚さＨＢの厚さよりも薄く、導電板１０のうちハーフ絶縁部１４が形成された部分の厚さＨＢＨの厚さよりも厚い。

なお、導電部材５０の材料は、導電性の材料であれば、Ｃｕに限られない。一例では、導電部材５０の材料は、Ａｌ（アルミニウム）であってもよい。導電部材５０の厚さＨＣは任意に変更可能である。一例では、導電部材５０の厚さＨＣは、導電板１０の厚さＨＢと等しくてもよいし、導電板１０の厚さＨＢよりも厚くてもよいし、導電板１０のうちハーフ絶縁部１４が形成された部分の厚さＨＢＨの厚さと等しくてもよいし、厚さＨＢＨよりも薄くてもよい。

図２に示すように、上方から視て、導電部材５０は、半導体素子４０の素子主面４０ｓの大部分を覆っている。導電部材５０は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１の全体を覆っている。導電部材５０が素子主面４０ｓを覆う面積は、主面側駆動電極４１の面積よりも大きい。上方から視て、導電部材５０は、主面側駆動電極４１よりもｘ方向およびｙ方向にはみ出す領域を有している。

図２に示すとおり、上方から視て、導電部材５０の大部分は、半導体素子４０の素子主面４０ｓを覆っている。つまり、上方から視て、導電部材５０のうち素子主面４０ｓを覆う部分の面積は、導電部材５０のうち素子主面４０ｓからはみ出す部分の面積よりも大きい。このため、導電部材５０は、上方から視て、導電部材５０の重心が半導体素子４０と重なるように配置されている。本実施形態では、導電部材５０は、上方から視て、導電部材５０の重心が半導体素子４０の主面側駆動電極４１に重なるように配置されている。

図６に示すように、導電部材５０は、半導体素子４０（図２参照）と接続する電極側導電部の一例である第１接続部５１と、駆動パッド２０（図２参照）と接続するパッド側導電部の一例である第２接続部５２と、第１接続部５１および第２接続部５２を連結する連結部５３と、を有している。本実施形態では、導電部材５０は、第１接続部５１、第２接続部５２および連結部５３が一体に形成された単一部品である。図２に示すように、導電部材５０には、半導体素子４０の制御電極４３が露出するように切欠部５４が設けられている。切欠部５４は、第１接続部５１および連結部５３にわたり形成されている。このため、上方から視た導電部材５０の形状は、略Ｌ字状である。第１接続部５１のｘ方向の大きさは、第２接続部５２のｘ方向の大きさおよび連結部５３のｘ方向の大きさよりも大きい。

図４に示すように、導電部材５０は、半導体素子４０を覆う部分において素子主面４０ｓと同じ方向を向く表面５０ｓと、素子裏面４０ｒと同じ側を向く裏面５０ｒと、を有している。

導電部材５０の裏面５０ｒのうち半導体素子４０の主面側駆動電極４１と対面する部分である接続裏面５０ｒａと半導体素子４０の素子主面４０ｓとの間には、はんだやＡｇペースト等の導電性接合材が介在している。つまり、導電部材５０と半導体素子４０とは、導電性接合材によって接合されている。本実施形態では、導電性接合材として、はんだＳＤが用いられている。はんだＳＤは、導電部材５０と半導体素子４０の主面側駆動電極４１とを接続している。

図６に示すように、第１接続部５１は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１（図５参照）と接続する部分であり、上方から主面側駆動電極４１の全体を覆うように設けられている。第１接続部５１は、表面５０ｓから下方に向けて、すなわち表面５０ｓから素子主面４０ｓに向けて凹む凹部５５が形成されている。本実施形態では、図２に示すとおり、上方から視た凹部５５の形状は、上方から視た主面側駆動電極４１の形状と概ね相似状となる。上方から視て、凹部５５は、導電部材５０の切欠部５４に対応した窪み部５５ａが形成されている。図４に示すように、凹部５５には、封止樹脂６０が入り込んでいる。

図２に示すように、連結部５３は、第１接続部５１のｙ方向の両端部のうち樹脂側面６２に近い方の端部から樹脂側面６２に向けて延びている部分である。上方から視て、連結部５３は、半導体素子４０の素子主面４０ｓのｘ方向の両端部のうち樹脂側面６２に近い方の端部を覆っている。上方から視て、連結部５３は、半導体素子４０よりも樹脂側面６２に向けて延びている。

図１および図４に示すように、第２接続部５２は、連結部５３のｙ方向の両端部のうち樹脂側面６２に近い方の端部から下方に向けて屈曲し、駆動パッド２０に向けて延びている部分である。第２接続部５２は、樹脂側面６２に向かうにつれて下方に向かって斜めに延びている。図４に示すように、第２接続部５２の先端部は、はんだやＡｇペースト等のペースト状の導電性接合材によって駆動パッド２０に接合されている。本実施形態では、導電性接合材として、はんだＳＤが用いられている。これにより、導電部材５０と駆動パッド２０とが電気的に接続されている。

次に、第１接続部５１の裏面５０ｒ側の構成について説明する。
図７に示すように、第１接続部５１は、凹部５５（図６参照）と対応する部分には、裏面５０ｒから突出する突出部５６が設けられている。下方から視た突出部５６の外郭形状は、上方から視た凹部５５の外郭形状と同じである。突出部５６のうち主面側駆動電極４１（図５参照）と対面する面は、接続裏面５０ｒａを構成している。

図７および図８に示すように、突出部５６には、複数（本実施形態では９個）の溝５７が形成されている。換言すると、接続裏面５０ｒａには、複数の溝５７が形成されている。複数の溝５７はそれぞれ、半導体素子４０と駆動パッド２０との配列方向であるｙ方向に延びている。複数の溝５７は、ｚ方向から視て、半導体素子４０と駆動パッド２０との配列方向と直交する方向であるｘ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、ｚ方向から視て、複数の溝５７が形成される領域は、突出部５６と等しい。つまり、複数の溝５７は、ｙ方向において突出部５６の全体にわたり形成されている。このため、本実施形態では、各溝５７のｙ方向の両端部５７ｄ，５７ｅはそれぞれ、ｙ方向に向けて開口している。ここで、両端部５７ｄ，５７ｅは、第１端部５７ｄおよび第２端部５７ｅとも称する。第１端部５７ｄは、ｙ方向において各溝５７のうち第２接続部５２に近い方の端部である。第２端部５７ｅは、ｙ方向において各溝５７のうち第１端部５７ｄとは反対側の端部である。

複数の溝５７は、ｚ方向に向けて開口している。図４に示すように、導電部材５０が半導体素子４０の主面側駆動電極４１に接続されている状態では、複数の溝５７のそれぞれは、下方に向けて開口している。換言すると、複数の溝５７のそれぞれは、主面側駆動電極４１に向けて開口している。

図７および図８に示すように、凹部５５および突出部５６は、プレス加工によって形成されている。複数の溝５７は、エッチングやプレス加工によって形成されている。一例では、複数の溝５７をエッチングによって形成した後、プレス加工によって凹部５５および突出部５６を形成する。また一例では、プレス加工によって凹部５５および突出部５６を形成した後、プレス加工によって複数の溝５７を形成する。また一例では、プレス加工によって凹部５５、突出部５６および複数の溝５７を同時に形成する。

図９に示すように、各溝５７は、ｙ方向の一方から他方に向かうにつれて溝５７の幅Ｗｄが大きくなる。ここで、溝５７の幅Ｗｄは、ｚ方向から視て溝５７が延びる方向であるｙ方向と直交するｘ方向の溝５７の大きさである。一例では、各溝５７は、第２端部５７ｅから第１端部５７ｄに向かうにつれて溝５７の幅Ｗｄが徐々に大きくなる。より詳細には、各溝５７は、ｙ方向の一方の端縁から他方の端縁に向かうにつれて溝５７の幅Ｗｄが徐々に大きくなる。つまり、各溝５７は、ｙ方向の全体にわたり溝５７の幅Ｗｄが徐々に変化するように形成されている。本実施形態では、各溝５７は、溝５７のｙ方向の両端縁のうち樹脂側面６３（図２参照）の近くの端縁から樹脂側面６４（図２参照）の近くの端面に向かうにつれて溝５７の幅Ｗｄが徐々に大きくなる。つまり、各溝５７は、ｘ方向のうち主面側駆動電極４１から駆動パッド２０に向かうにつれて、溝５７の幅Ｗｄが徐々に大きくなる。

本実施形態では、ｚ方向から視て、突出部５６は、突出部５６のｘ方向の大きさが突出部５６のｙ方向の大きさよりも大きくなるように形成されている。換言すると、本実施形態では、ｚ方向から視て、複数の溝５７が形成される領域は、その領域のｘ方向の大きさが同領域のｙ方向の大きさよりも大きくなるように形成されている。

突出部５６は、ｙ方向のサイズが大きい第１突出領域５６Ａと、ｙ方向のサイズが小さい第２突出領域５６Ｂとに区分できる。本実施形態では、第１突出領域５６Ａには６個の溝５７が形成されており、第２突出領域５６Ｂには３個の溝５７が形成されている。

本実施形態では、ｘ方向の両端の溝５７を除く７個の溝５７において、溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１は、互いに等しい。ここで、上記７個の溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１のずれ量が所定の溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１の１０％以内であれば、上記７個の溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１が互いに等しいといえる。

上記７個の溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１は、たとえば０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲である。好ましくは、上記７個の溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１は、０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下の範囲である。

第１突出領域５６Ａの６個の溝５７のうち第２突出領域５６Ｂと隣り合う溝５７以外の５個の溝５７において、溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２は、互いに等しい。ここで、上記５個の溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２のずれ量が所定の溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２の１０％以内であれば、上記５個の溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２が互いに等しいといえる。

上記５個の溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２は、たとえば０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲である。好ましくは、上記５個の溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２は、０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。

第１突出領域５６Ａの６個の溝５７のうち第２突出領域５６Ｂと隣り合う溝５７は、第１突出領域５６Ａのうち第２突出領域５６Ｂの近くの端縁を含むため、その溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２は、第１突出領域５６Ａの他の溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２よりも小さくなる。

第２突出領域５６Ｂの３個の溝５７のｘ方向の長さは、第１突出領域５６Ａの６個の溝５７のｘ方向の長さよりも短い。このため、第２突出領域５６Ｂの各溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２は、第１突出領域５６Ａの各溝５７における溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２よりも小さくなる。

本実施形態では、ｚ方向から視た突出部５６のサイズは、ｚ方向から視た半導体素子４０の主面側駆動電極４１のサイズ（図９の二点鎖線）を一回り小さくしたサイズとなる。このため、本実施形態では、各溝５７が延びる方向である各溝５７のｙ方向の長さは、主面側駆動電極４１のｙ方向の長さよりも短くなる。

図９から分かるとおり、ｚ方向から視て、突出部５６は、主面側駆動電極４１の内側に配置されている。つまり、ｚ方向から視て、各溝５７は、主面側駆動電極４１からｙ方向にはみ出さず、主面側駆動電極４１内に形成されている。このため、各溝５７の両端部５７ｄ，５７ｅはそれぞれ、主面側駆動電極４１に向けて開口している。本実施形態では、各溝５７の両端部５７ｄ，５７ｅはそれぞれ、ｙ方向に開口するとともに主面側駆動電極４１に向けて開口している。

図１０に示すように、溝５７は、ｚ方向において主面側駆動電極４１から遠い端面となる底面５７ｂと、底面５７ｂから接続裏面５０ｒａに向けてｚ方向に延びている側面５７ｃと、を有している。本実施形態では、溝５７の底面５７ｂは、導電部材５０の裏面５０ｒよりも主面側駆動電極４１の近くに位置している。また図９に示すように、本実施形態では、各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度は、互いに等しい。

突出部５６には、ｚ方向において半導体素子４０の主面側駆動電極４１に近い端面となり、ｘ方向において隣り合う溝５７の間の面である対向面５７ａが形成されている。対向面５７ａは、突出部５６のうち主面側駆動電極４１と対面する面としての接続裏面５０ｒａを構成している。つまり、各溝５７は、接続裏面５０ｒａ（対向面５７ａ）から導電部材５０の表面５０ｓに向けて凹んでいる。

図１０に示すとおり、溝５７の深さは、突出部５６のｚ方向のサイズよりも浅い（小さい）。一例では、溝５７の深さは、突出部５６のｚ方向のサイズの１／２よりも浅い。また一例では、溝５７の深さは、第１接続部５１のうち突出部５６以外の部分のｚ方向のサイズの１／２よりも浅い。なお、溝５７の深さは、突出部５６のｚ方向のサイズの約１／２であってもよいし、突出部５６のｚ方向のサイズの１／２よりも深くてもよい。溝５７の深さは、第１接続部５１のうち突出部５６以外の部分のｚ方向のサイズの約１／２であってもよいし、第１接続部５１のうち突出部５６以外の部分のｚ方向のサイズの１／２よりも深くてもよい。

このように、溝５７の深さは任意に変更可能である。つまり、ｚ方向において、溝５７の底面５７ｂが導電部材５０の裏面５０ｒと同じ位置であってもよいし、溝５７の底面５７ｂが導電部材５０の裏面５０ｒよりも表面５０ｓの近くに位置していてもよい。ここで、溝５７の深さは、対向面５７ａから底面５７ｂまでのｚ方向のサイズである。突出部５６のｚ方向のサイズは、導電部材５０の接続裏面５０ｒａ（対向面５７ａ）から裏面５０ｒまでのｚ方向のサイズである。

導電部材５０と半導体素子４０との間に介在するはんだＳＤは、各溝５７に入り込んでいる。このため、はんだＳＤは、突出部５６の接続裏面５０ｒａ（対向面５７ａ）、各溝５７の底面５７ｂおよび側面５７ｃにそれぞれ接触している。

（半導体装置の製造方法）
図１１～図１７を参照して、本実施形態の半導体装置１の製造方法について説明する。
図１１に示すように、半導体装置１の製造方法は、金属板からなる基材８００を用意する工程を備えている。基材８００は、図１の導電板１０、駆動パッド２０および制御パッド３０を構成する部材である。本実施形態では、基材８００は、Ｃｕからなる。

基材８００には、たとえばプレス加工によって基板部８１０、駆動パッド部８２０および制御パッド部８３０がそれぞれ形成されている。基板部８１０、駆動パッド部８２０および制御パッド部８３０はそれぞれ、吊りリード８１３，８２３，８３３および突出端子８１２，８２２，８３２によって基材８００の枠８０１に繋がっている。

基板部８１０は、導電板１０を構成する部分である。基板部８１０を枠８０１に繋ぐ突出端子８１２および吊りリード８１３はそれぞれ、図２の突出端子１２および吊りリード部１３を構成する部分である。駆動パッド部８２０は、駆動パッド２０を構成する部分である。駆動パッド部８２０を枠８０１に繋ぐ突出端子８２２および吊りリード８２３はそれぞれ、図２の突出端子２２および吊りリード部２３を構成する部分である。制御パッド部８３０は、制御パッド３０を構成する部分である。制御パッド部８３０を枠８０１に繋ぐ突出端子８３２および吊りリード８３３はそれぞれ、図２の突出端子３２および吊りリード部３３を構成する部分である。

図１２は、基材８００の裏面を示している。図１２に示すように、基材８００を用意する工程では、基材８００の裏面には、ハーフ絶縁部８１４，８２４，８３４が形成される。ハーフ絶縁部８１４は基板部８１０に形成されており、ハーフ絶縁部８２４は駆動パッド部８２０に形成されており、ハーフ絶縁部８３４は制御パッド部８３０に形成されている。つまり、ハーフ絶縁部８１４は導電板１０のハーフ絶縁部１４を構成する部分であり、ハーフ絶縁部８２４は駆動パッド２０のハーフ絶縁部２４を構成する部分であり、ハーフ絶縁部８３４は制御パッド３０のハーフ絶縁部３４を構成する部分である。

図１３に示すように、半導体装置１の製造方法は、半導体素子４０を実装する工程を備えている。半導体素子４０の実装は、フリップチップボンディング（ＦＣＢ：Flip Chip Bonding）によって行う。一例では、まず、基板部８１０における半導体素子４０が実装される部分にはんだＳＤが塗布される。次に、たとえばフリップチップボンダを用いて半導体素子４０を基板部８１０のはんだＳＤ上に載置する。この場合、半導体素子４０の裏面側駆動電極４２（図１０参照）がはんだＳＤに接触するように、半導体素子４０をはんだＳＤ上に載置する。これにより、半導体素子４０ははんだＳＤに仮付けされる。

図１４に示すように、半導体装置１の製造方法は、導電部材５０を半導体素子４０および駆動パッド部８２０に実装する工程を備えている。導電部材５０の実装は、フリップチップボンディングによって行う。一例では、まず、半導体素子４０の主面側駆動電極４１および駆動パッド部８２０における導電部材５０が載置される部分のそれぞれにはんだＳＤが塗布される。次に、たとえばフリップチップボンダを用いて導電部材５０を主面側駆動電極４１のはんだＳＤ上および駆動パッド部８２０のはんだＳＤ上に載置する。これにより、導電部材５０は、半導体素子４０および駆動パッド部８２０に仮付けされる。

次に、リフロー処理によって、各はんだＳＤをそれぞれ液相状態とした後、冷却によって各はんだＳＤを固化する。これにより、半導体素子４０と基板部８１０とが接続され、導電部材５０と半導体素子４０および駆動パッド部８２０とが接続される。

図１５に示すように、半導体装置１の製造方法は、ワイヤＷを形成する工程を備えている。ワイヤＷは、導電性を有する材料からなり、たとえばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌなどからなる。ワイヤＷは、たとえばワイヤボンディングによって形成される。ワイヤボンディング装置を用いて、たとえば半導体素子４０の制御電極４３にまずワイヤＷの第１端部を接続し、次に制御パッド部８３０にワイヤＷの第２端部を接続する。

図１６に示すように、半導体装置１の製造方法は、樹脂層８６０を形成する工程を備えている。樹脂層８６０は、図１に示す封止樹脂６０となる部材である。樹脂層８６０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。たとえば、トランスファ成型によって樹脂層８６０を形成する。

図１７に示すように、半導体装置１の製造方法は、基板部８１０、駆動パッド部８２０、制御パッド部８３０および樹脂層８６０を切断する工程を備えている。一例では、樹脂層８６０にダイシングテープ（図示略）を貼付し、図１７に示す切断線ＣＬに沿ってたとえばダイシングブレードによって基板部８１０、駆動パッド部８２０、制御パッド部８３０および樹脂層８６０を切断する。これにより、導電板１０、駆動パッド２０、制御パッド３０および封止樹脂６０が形成される。この場合、導電板１０の突出端子１２の先端面が樹脂側面６１から露出し、吊りリード部１３の先端面が樹脂側面６３，６４から露出する。駆動パッド２０の突出端子２２の先端面が樹脂側面６２から露出し、吊りリード部２３の先端面が樹脂側面６３から露出する。制御パッド３０の突出端子３２の先端面が樹脂側面６２から露出し、吊りリード部３３の先端面が樹脂側面６４から露出する。以上の工程を経て、半導体装置１が製造される。

（作用）
図１８～図２０を参照して、本実施形態の半導体装置１の作用について説明する。
図１８に示すように、半導体装置１の製造方法のうち導電部材５０を半導体素子４０の主面側駆動電極４１および駆動パッド部８２０に接続する工程において、はんだＳＤによって導電部材５０を駆動パッド２０および主面側駆動電極４１に仮付けする場合、導電部材５０の自重によって第２接続部５２とはんだＳＤ（または駆動パッド２０）との接触点を支点として第１接続部５１が下方に移動するように傾く。より詳細には、導電部材５０の重心が主面側駆動電極４１と重なる位置となるため、導電部材５０の自重に起因して第１接続部５１が下方、すなわち第１接続部５１のｙ方向の先端部が主面側駆動電極４１に向かうようなモーメントが生じる。

そして導電部材５０の第１接続部５１がはんだＳＤを介して半導体素子４０のｙ方向の両端部のうち樹脂側面６１に近い方の端部を下方に押すため、半導体素子４０のｙ方向の両端部のうち樹脂側面６１に近い方の端部が導電板１０に向けて移動する。つまり、半導体素子４０は、樹脂側面６２から樹脂側面６１に向かうにつれて導電板１０に近づくように傾いて配置される。

また図１８に示すように、本実施形態では、導電部材５０の傾きが半導体素子４０の傾きよりも大きいため、導電部材５０と半導体素子４０とのｚ方向の間の距離は、樹脂側面６１から樹脂側面６２に向かうにつれて大きくなる。

一方、図１９に示すように、リフロー処理によって、はんだＳＤには気泡Ｓｂｖが発生することがある。この気泡Ｓｂｖは、ボイドの原因となるため、はんだＳＤから外部に放出させる必要がある。このため、はんだＳＤに気泡Ｓｂｖが発生した場合、気泡ＳｂｖははんだＳＤのうち樹脂側面６２の近くの端部から放出されることが好ましい。また、気泡Ｓｂｖは、浮力によってはんだＳＤ内において上方に移動することが知られている。

このような点に鑑みて、本実施形態では、導電部材５０の接続裏面５０ｒａには、ｙ方向に延びる複数の溝５７が形成されている。各溝５７の幅Ｗｄは、ｙ方向において第１接続部５１のうち駆動パッド２０とは反対側の部分から駆動パッド２０に向かうにつれて大きくなる。これにより、図２０に示すように、気泡Ｓｂｖが浮力によって上方に向かう場合に、矢印Ｙ１で示すように、各溝５７によって溝５７の幅Ｗｄが広くなる方に向けて気泡Ｓｂｖを移動させる。つまり、気泡Ｓｂｖの浮力を各溝５７によって溝５７の幅Ｗｄが広くなる方（溝５７が延びる方向）に向けて移動する力に変換する。これにより、気泡Ｓｂｖは溝５７の第１端部５７ｄ（図１９参照）に向けて移動する。溝５７の第１端部５７ｄは、ｙ方向に開口しているため、図１９に示すように、気泡Ｓｂｖは、溝５７の第１端部５７ｄのｙ方向の端縁から駆動パッド２０に向けて放出される。これにより、主面側駆動電極４１と導電部材５０との間のボイドの発生を抑制できる。

（効果）
本実施形態の半導体装置１によれば、以下の効果が得られる。
（１）半導体装置１は、半導体素子４０の素子主面４０ｓに形成された主面側駆動電極４１に、はんだＳＤによって接続された帯状の導電部材５０を備えている。導電部材５０は、主面側駆動電極４１と対面する接続裏面５０ｒａを有している。接続裏面５０ｒａには、複数の溝５７が形成されている。この構成によれば、複数の溝５７にはんだＳＤが入り込むことによって、導電部材５０とはんだＳＤとの接合面積が複数の溝５７が形成されていない導電部材とはんだＳＤとの接合面積よりも大きくなる。これにより、半導体素子４０の熱からはんだＳＤを介して導電部材５０に移動しやすくなるため、半導体素子４０から導電部材５０への放熱性能を向上できる。

（２）複数の溝５７は、ｘ方向において互いに離間して配列されており、ｙ方向に沿って延びている。各溝５７の両端部５７ｄ，５７ｅはｙ方向において開口している。この構成によれば、はんだＳＤに発生した気泡Ｓｂｖが複数の溝５７によってｙ方向に向けて移動し、開口している両端部５７ｄ，５７ｅから放出される。これにより、はんだＳＤのうち主面側駆動電極４１と導電部材５０との間のボイドの発生を抑制できるため、半導体素子４０から導電部材５０への放熱性能の低下および半導体素子４０と導電部材５０との接合強度の低下をそれぞれ抑制できる。

（３）複数の溝５７の幅Ｗｄは、溝５７の延びる方向である溝５７の長さ方向の一方（溝５７の第２端部５７ｅ側）から他方（溝５７の第１端部５７ｄ側）に向かうにつれて大きくなる。この構成によれば、はんだＳＤに発生した気泡Ｓｂｖを溝５７の長さ方向の一方（溝５７の第２端部５７ｅ側）から他方（溝５７の第１端部５７ｄ側）に向けて移動させることができる。したがって、気泡Ｓｂｖを特定方向に案内することができる。

（４）複数の溝５７の幅Ｗｄは、溝５７の長さ方向の一方（溝５７の第２端部５７ｅ側）の端縁から他方（溝５７の第１端部５７ｄ側）の端縁に向かうにつれて徐々に大きくなる。この構成によれば、はんだＳＤに発生した気泡Ｓｂｖが溝５７の長さ方向のどの位置に位置していても、その気泡Ｓｂｖを溝５７の長さ方向の他方（溝５７の第１端部５７ｄ側）の端縁に移動させることができる。

（５）上方から視て、導電部材５０は、導電部材５０の重心が半導体素子４０の主面側駆動電極４１と重なるように設けられている。この構成によれば、上記作用において説明したとおり、導電部材５０の第１接続部５１が下方に向けて傾くため、導電部材５０と主面側駆動電極４１とのｚ方向の間の距離が樹脂側面６２に向けて大きくなる。このため、導電部材５０を半導体素子４０および駆動パッド部８２０に実装する工程において、導電部材５０と主面側駆動電極４１との間のはんだＳＤに発生する気泡Ｓｂｖは、はんだＳＤのうち駆動パッド部８２０に向けて移動しやすくなる。そして、各溝５７は、気泡ＳｂｖをはんだＳＤのうち駆動パッド部８２０の近くに移動させるように構成されているため、開口している第１端部５７ｄから気泡Ｓｂｖを効率よく放出できる。

加えて、たとえば溝５７の幅Ｗｄよりも小さい気泡Ｓｂｖが溝５７に入り込んだとしても、溝５７の底面５７ｂに接触した気泡Ｓｂｖの浮力が底面５７ｂの延びる方向のうち駆動パッド部８２０に向けて移動する力に変換されるため、気泡Ｓｂｖを駆動パッド部８２０の近くに移動しやすくなる。

（６）複数の溝５７の幅Ｗｄは、ｙ方向において樹脂側面６１から樹脂側面６２に向かうにつれて大きくなる。つまり、複数の溝５７の幅Ｗｄは、ｙ方向において溝５７の第２端部５７ｅ側から第１端部５７ｄ側に向かうにつれて大きくなる。この構成によれば、導電部材５０を半導体素子４０および駆動パッド部８２０に実装する工程において、はんだＳＤに発生した気泡Ｓｂｖは、溝５７の第２端部５７ｅ側から第１端部５７ｄ側（駆動パッド部８２０側）に向けて移動する。そして、第１端部５７ｄに移動した気泡Ｓｂｖは、第１端部５７ｄがｙ方向に開口しているため、第１端部５７ｄから駆動パッド部８２０に向けて放出されやすくなる。したがって、はんだＳＤのうち接続裏面５０ｒａと主面側駆動電極４１との間のボイドの発生を抑制できる。

（７）複数の溝５７の幅Ｗｄは、複数の溝５７のｙ方向の両端縁のうち樹脂側面６１に近い方の端縁から樹脂側面６２に近い方の端縁に向かうにつれて大きくなる。つまり、複数の溝５７の幅Ｗｄは、ｙ方向において溝５７の第２端部５７ｅの端縁から第１端部５７ｄの端縁に向かうにつれて徐々に大きくなる。この構成によれば、導電部材５０を半導体素子４０および駆動パッド部８２０に実装する工程において、溝５７のうちｙ方向のどの位置に気泡Ｓｂｖが位置していても、その気泡Ｓｂｖは溝５７の第２端部５７ｅ側から第１端部５７ｄ側（駆動パッド部８２０側）に向けて移動する。そして、第１端部５７ｄの端縁に移動した気泡Ｓｂｖは、第１端部５７ｄがｙ方向に開口しているため、第１端部５７ｄから駆動パッド部８２０に向けて放出される。したがって、はんだＳＤのうち接続裏面５０ｒａと主面側駆動電極４１との間のボイドの発生を抑制できる。

（８）複数の溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１の範囲は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であり、複数の溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２の範囲は、０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。この構成によれば、はんだＳＤに発生した気泡Ｓｂｖを溝５７の第１端部５７ｄ側（駆動パッド部８２０側）に移動させやすくなる。そして各溝５７の第１端部５７ｄがｙ方向に開口していることによって、気泡Ｓｂｖが第１端部５７ｄから駆動パッド部８２０に向けて放出される。したがって、はんだＳＤのうち接続裏面５０ｒａと主面側駆動電極４１との間のボイドの発生を抑制できる。

（９）複数の溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１の範囲は、０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であり、複数の溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２の範囲は、０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。この構成によれば、はんだＳＤに発生した気泡Ｓｂｖを溝５７の第１端部５７ｄ側（駆動パッド部８２０側）に一層移動させやすくなる。そして各溝５７の第１端部５７ｄがｙ方向に開口していることによって、気泡Ｓｂｖが第１端部５７ｄから駆動パッド部８２０に向けて放出される。したがって、はんだＳＤのうち接続裏面５０ｒａと主面側駆動電極４１との間のボイドの発生を抑制できる。

（１０）突出部５６の接続裏面５０ｒａ（対向面５７ａ）は、導電部材５０の裏面５０ｒよりも半導体素子４０の主面側駆動電極４１の近くに位置している。この構成によれば、各溝５７と主面側駆動電極４１とが近接した場合でも各溝５７のｙ方向の端縁がｙ方向に開口する。このため、はんだＳＤに発生した気泡Ｓｂｖが溝５７によって樹脂側面６２に向けて移動した場合に各溝５７の端縁において気泡Ｓｂｖの移動が妨げられることを抑制でき、各溝５７の端縁から樹脂側面６２に向けて放出される。したがって、導電部材５０を半導体素子４０および駆動パッド部８２０に実装する工程において、はんだＳＤのうち接続裏面５０ｒａと主面側駆動電極４１との間のボイドの発生を抑制できる。

（１１）各溝５７の底面５７ｂは、導電部材５０の裏面５０ｒよりも半導体素子４０の主面側駆動電極４１の近くに位置している。この構成によれば、各溝５７と主面側駆動電極４１とが近接した場合でも各溝５７のｙ方向の端縁がｚ方向の全体にわたりｙ方向に開口する。このため、導電部材５０を半導体素子４０および駆動パッド部８２０に実装する工程において、はんだＳＤに発生した気泡Ｓｂｖが溝５７によって駆動パッド部８２０に向けて移動した場合に各溝５７の端縁において気泡Ｓｂｖの移動が妨げられることを一層抑制でき、各溝５７の端縁から駆動パッド部８２０に向けて放出される。したがって、導電部材５０を半導体素子４０および駆動パッド部８２０に実装する工程において、はんだＳＤのうち接続裏面５０ｒａと主面側駆動電極４１との間のボイドの発生を抑制できる。

（１２）導電部材５０は、導電部材５０の表面５０ｓから半導体素子４０の主面側駆動電極４１に向けて凹む凹部５５を有している。この構成によれば、凹部５５を有していない導電部材と比較して、導電部材５０と封止樹脂６０との接合面積が増加するため、導電部材５０と封止樹脂６０とが剥離しにくくなる。

（１３）各溝５７のｙ方向の長さは、半導体素子４０の主面側駆動電極４１のｙ方向の長さよりも短い。この構成によれば、はんだＳＤの体積が小さくなるため、気泡Ｓｂｖの発生を抑制できる、または気泡Ｓｂｖの数を低減できる。

（１４）導電部材５０の第１接続部５１のｘ方向の大きさは、第２接続部５２および連結部５３のｘ方向の大きさよりも大きい。この構成によれば、第１接続部５１は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる主面側駆動電極４１の全体を覆うことができる。このため、第１接続部５１の接続裏面５０ｒａがはんだＳＤによって主面側駆動電極４１の大部分と接合できる。したがって、半導体素子４０から導電部材５０への放熱性能を向上できる。

（１５）駆動パッド２０のｘ方向の大きさは、制御パッド３０のｘ方向の大きさよりも大きい。この構成によれば、導電部材５０の第２接続部５２のｘ方向の大きさを大きくすることができる。したがって、半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２０との間の導電経路のインダクタンスを低減できる。

（１６）導電部材５０は、Ｃｕからなる。この構成によれば、導電部材５０をＡｌから構成される場合や金属粉を混合した樹脂材料から構成される場合と比較して、導電部材５０自体の熱伝導率が高くなる。したがって、半導体素子４０から導電部材５０への放熱性能を向上できる。

（１７）導電板１０は、Ｃｕからなる。この構成によれば、導電板１０をＡｌから構成される場合や金属粉を混合した樹脂材料から構成される場合と比較して、導電板１０自体の熱伝導率が高くなる。したがって、半導体素子４０から導電板１０への放熱性能を向上できる。

（１８）はんだＳＤは、製造においてはんだペーストが使用されることが多く、線はんだと比較して、リフロー処理時において気泡Ｓｂｖが発生しやすい。このような状況において、本実施形態の導電部材５０を用いることによって、気泡Ｓｂｖを溝５７の第１端部５７ｄから効率的に放出できるため、はんだＳＤとしてはんだペーストを用いたとしても、半導体素子４０から導電部材５０への放熱性能の低下を抑制できる。

（１９）複数の溝５７が形成される領域は、複数の溝５７の配列方向であるｘ方向の大きさが溝５７の長さ方向であるｙ方向の大きさよりも大きくなるように形成されている。この構成によれば、溝５７の数を多くすることができるため、気泡Ｓｂｖが溝５７によって第１端部５７ｄから放出する可能性が高くなる。

（２０）導電板１０の導電裏面１０ｒは、封止樹脂６０の樹脂裏面６０ｒから露出している。この構成によれば、半導体素子４０の熱が導電板１０を介して半導体装置１の外部に放出しやすくなる。したがって、半導体素子４０の温度が過度に高くなることを抑制できる。

［変更例］
上記実施形態は本開示に関する半導体装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置は、上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。また、以下の各変更例は、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わせることができる。以下の各変更例において、上記実施形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付して、その説明を省略する場合がある。

・複数の溝５７のｙ方向の長さ、つまり各溝５７が延びる方向における各溝５７の長さは任意に変更可能である。要するに、はんだＳＤに発生した気泡ＳｂｖがはんだＳＤの外側に向けて移動するように各溝５７の長さが設定されていればよい。一例では、図２１に示すように、第１突出領域５６Ａの各溝５７は、連結部５３のｙ方向の両端部のうち第２接続部５２に近い方の端部まで延びていてもよい。これにより、図２２に示すように、各溝５７のｙ方向の長さは、半導体素子４０の主面側駆動電極４１のｙ方向の長さよりも長くなる。図示された例においては、各溝５７の第２端部５７ｅは、主面側駆動電極４１のｙ方向の両端部のうち連結部５３から遠い方の端部よりもｙ方向において連結部５３の近くに位置している。各溝５７の第１端部５７ｄは、主面側駆動電極４１のｙ方向の両端部のうち連結部５３に近い方の端部よりもｙ方向において連結部５３の近くに位置している。このため、はんだＳＤのｙ方向の両端部のうち連結部５３に近い方の端部は、主面側駆動電極４１から各溝５７に向かうにつれて広がるように形成されている。

この構成によれば、はんだＳＤによる主面側駆動電極４１と各溝５７との接合面積が増加するため、主面側駆動電極４１と導電部材５０との接合強度と、主面側駆動電極４１から導電部材５０への放熱性能とを向上させることができる。

なお、第２突出領域５６Ｂの各溝５７の長さについても任意に変更可能である。一例では、第２突出領域５６Ｂの各溝５７の第１端部５７ｄは、主面側駆動電極４１のｙ方向の両端部のうち連結部５３に近い方の端部よりもｙ方向において連結部５３の近くに位置してもよい。この構成によれば、はんだＳＤによる主面側駆動電極４１と第２突出領域５６Ｂの各溝５７との接合面積がさらに増加するため、主面側駆動電極４１と導電部材５０との接合強度と、主面側駆動電極４１から導電部材５０への放熱性能とを一層向上させることができる。

また、第２突出領域５６Ｂの各溝５７は、第１接続部５１のｙ方向の両端縁のうち連結部５３に近い方の端縁まで延びていてもよい。この構成によれば、はんだＳＤによる主面側駆動電極４１と第２突出領域５６Ｂの各溝５７との接合面積がさらに増加するため、主面側駆動電極４１と導電部材５０との接合強度と、主面側駆動電極４１から導電部材５０への放熱性能とを一層向上させることができる。

また、各溝５７の第２端部５７ｅは、主面側駆動電極４１のｙ方向の両端部のうち連結部５３から遠い方の端部よりもｙ方向において連結部５３から遠くに位置してもよい。この構成によれば、はんだＳＤによる主面側駆動電極４１と第１突出領域５６Ａおよび第２突出領域５６Ｂの各溝５７との接合面積がさらに増加するため、主面側駆動電極４１と導電部材５０との接合強度と、主面側駆動電極４１から導電部材５０への放熱性能とを一層向上させることができる。

また、各溝５７は、導電部材５０の第１接続部５１のｙ方向の両端縁のうち連結部５３とは反対側の端縁まで形成されていてもよい。すなわち、第１突出領域５６Ａの各溝５７は、導電部材５０の第１接続部５１のｙ方向の両端縁のうち連結部５３とは反対側の端縁から連結部５３のｙ方向の両端部のうち第２接続部５２に近い方の端部まで形成されていてもよい。また第２突出領域５６Ｂの各溝５７は、第１接続部５１のｙ方向の両端縁のうち連結部５３に近い方の端縁まで形成されていてもよい。すなわち、第２突出領域５６Ｂの各溝５７は、導電部材５０の第１接続部５１のｙ方向の両端縁のうち連結部５３とは反対側の端縁から第１接続部５１のｙ方向の両端縁のうち連結部５３に近い方の端縁まで形成されていてもよい。

・第２突出領域５６Ｂの複数の溝５７のうち少なくとも１つの溝５７を省略してもよい。第２突出領域５６Ｂの全ての溝５７を省略した場合、突出部５６のうち第２突出領域５６Ｂに対応する部分を省略してもよい。

・各溝５７の幅Ｗｄは、ｙ方向の両端部のうち連結部５３に近い方の端部に向かうにつれて大きくなっていたが、これに限られず、任意に変更可能である。一例では、各溝５７の幅Ｗｄは、ｙ方向の両端部のうち連結部５３に近い方の端部から連結部５３から遠い方の端部に向かうにつれて大きくなってもよい。また別例では、各溝５７の幅Ｗｄは、各溝５７が延びる方向（ｙ方向）において一定である。

・上記実施形態では、ｚ方向において、複数の溝５７の底面５７ｂは、導電部材５０の裏面５０ｒよりも半導体素子４０の近くに位置していたが、これに限られない。複数の溝５７の底面５７ｂのｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、図２３および図２４に示すように、複数の溝５７は、導電部材５０の裏面５０ｒから導電部材５０の表面５０ｓに向けて凹むように形成されていてもよい。この場合、突出部５６は省略されている。このため、図２４に示すように、導電部材５０の裏面５０ｒは、実施形態の導電部材５０の裏面５０ｒよりも半導体素子４０の主面側駆動電極４１に近くなる。また各溝５７には、はんだＳＤが入り込んでいる。図２３に示すように、各溝５７の幅Ｗｄは、第２端部５７ｅから第１端部５７ｄに向けて大きくなる。各溝５７の両端部５７ｄ，５７ｅはそれぞれ、ｙ方向に開口していない。一方、各溝５７の両端部５７ｄ，５７ｅはそれぞれ、ｚ方向に開口している。

図２５に示すように、導電部材５０が半導体素子４０の主面側駆動電極４１に接続された状態では、各溝５７の両端部５７ｄ，５７ｅが主面側駆動電極４１（素子主面４０ｓ）に向けて開口している。各溝５７の第１端部５７ｄは、主面側駆動電極４１よりもｙ方向において第２接続部５２の近くまで延びている。つまり、第１端部５７ｄは、主面側駆動電極４１よりも外方において素子主面４０ｓに向けて開口している。このため、はんだＳＤは、主面側駆動電極４１のｙ方向の両端縁のうち樹脂側面６２に近い方の端縁よりも樹脂側面６２の近くにはみ出している。

この構成によれば、はんだＳＤに含まれる気泡Ｓｂｖ（図示略）は、各溝５７によって溝５７の第１端部５７ｄに向けて移動する。第１端部５７ｄは主面側駆動電極４１よりもｙ方向において第２接続部５２の近くまで延びているため、溝５７によってｙ方向に移動する気泡Ｓｂｖは、主面側駆動電極４１のｙ方向の両端縁のうち連結部５３に近い方の端縁からｙ方向において連結部５３に近い方まで移動する。そして第１端部５７ｄの端縁まで移動した気泡Ｓｂｖは、第１端部５７ｄの端縁から放出される。このため、各溝５７が主面側駆動電極４１の内側に形成される構成と比較して、はんだＳＤに含まれる気泡Ｓｂｖが主面側駆動電極４１の外部に放出されやすい。

なお、図２３～図２５の変更例において、各溝５７の幅Ｗｄは、各溝５７の第１端部５７ｄから第２端部５７ｅに向かうにつれて大きくなってもよい。この場合、各溝５７の第２端部５７ｅが主面側駆動電極４１よりも連結部５３から遠くとなるように各溝５７が形成されることが好ましい。一例では、各溝５７の第２端部５７ｅが第１接続部５１のｙ方向の両端縁のうち連結部５３から遠い方の端縁まで形成されてもよい。また、図２３～図２５の変更例において、各溝５７の幅Ｗｄは、溝５７の延びる方向（ｙ方向）において一定であってもよい。

・導電部材５０は、導電部材５０の厚さ方向（ｚ方向）において導電部材５０を貫通する貫通孔５８を有していてもよい。一例では、図２６に示すように、貫通孔５８は、複数の溝５７の配列方向であるｘ方向において、複数の溝５７に跨って形成されている。図２６では、上記実施形態の導電部材５０に貫通孔５８が追加された導電部材５０を示している。図示された例においては、貫通孔５８は、第１突出領域５６Ａのｙ方向の中央に設けられている。

第１突出領域５６Ａの複数の溝５７のうち第２端部５７ｅを含む部分は、ｚ方向から視て、貫通孔５８に向けて開口する第３端部５７ｆを有している。第３端部５７ｆは、ｙ方向に向けて開口している。また図示していないが、導電部材５０が半導体素子４０の主面側駆動電極４１（ともに図４参照）に接続された状態では、第３端部５７ｆは、主面側駆動電極４１に向けて開口している。

第１突出領域５６Ａの複数の溝５７のうち第１端部５７ｄを含む部分は、ｚ方向から視て、貫通孔５８に向けて開口する第４端部５７ｇを有している。第４端部５７ｇは、ｙ方向に向けて開口している。また図示していないが、導電部材５０が半導体素子４０の主面側駆動電極４１に接続された状態では、第４端部５７ｇは、主面側駆動電極４１に向けて開口している。

この構成によれば、第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域の各溝５７によって、はんだＳＤに含まれる気泡Ｓｂｖ（図２６では図示略）を第３端部５７ｆ（貫通孔５８）に向けて移動させる。この各溝５７の第３端部５７ｆは、ｙ方向に開口しているため、第３端部５７ｆに移動した気泡Ｓｂｖは貫通孔５８に移動しやすい。これにより、気泡Ｓｂｖは、貫通孔５８を介して外部に放出される。また、第１突出領域５６Ａのうち第１端部５７ｄから第４端部５７ｇまでの領域では、その領域に設けられた各溝５７によって、はんだＳＤに含まれる気泡Ｓｂｖを第１端部５７ｄに向けて移動させる。この各溝５７の第１端部５７ｄは、ｙ方向に開口しているため、第１端部５７ｄに移動した気泡Ｓｂｖは連結部５３に移動しやすい。これにより、気泡Ｓｂｖは、連結部５３に向けて移動して外部に放出される。

また別例では、図２７に示すように、第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域における各溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１が、第１突出領域５６Ａのうち第１端部５７ｄから第４端部５７ｇまでの領域における各溝５７の幅Ｗｄの最大値Ｗｄ２よりも小さくてもよい。一例では、第１突出領域５６Ａのうち第１端部５７ｄから第４端部５７ｇまでの領域における各溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１は、第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域における各溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１と等しい。

なお、第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域における各溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１は、任意に変更可能である。第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域における各溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１は、第１突出領域５６Ａのうち第１端部５７ｄから第４端部５７ｇまでの領域における各溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１と異なってもよい。つまり、第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域における各溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１は、第１突出領域５６Ａのうち第１端部５７ｄから第４端部５７ｇまでの領域における各溝５７の幅Ｗｄの最小値Ｗｄ１よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。

また別例では、図２８に示すように、第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域における各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度と、第１突出領域５６Ａのうち第１端部５７ｄから第４端部５７ｇまでの領域における各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度とを互いに異ならせてもよい。一例では、第１突出領域５６Ａのうち第１端部５７ｄから第４端部５７ｇまでの領域における各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度は、第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域における各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度よりも大きい。

・図２６～図２８の変更例において、貫通孔５８のｙ方向の位置は任意に変更可能である。貫通孔５８は、第１突出領域５６Ａのｙ方向の中央よりも溝５７の第１端部５７ｄに近い領域に設けられてもよいし、第１突出領域５６Ａのｙ方向の中央よりも溝５７の第２端部５７ｅに近い領域に設けられてもよい。

・図２６～図２８の変更例において、貫通孔５８のｘ方向の長さは任意に変更可能である。たとえば貫通孔５８のｘ方向の長さが溝５７のｙ方向の中央における幅Ｗｄと等しくてもよい。この場合、複数の溝５７のそれぞれに貫通孔５８が設けられる。このように、導電部材５０は、複数の貫通孔５８を有してもよい。

・上記実施形態では、全ての溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度は互いに等しくなるように各溝５７が形成されていたが、これに限られない。各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度は個別に変更可能である。一例では、第１突出領域５６Ａの各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度が、第２突出領域５６Ｂの各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度と異なる。たとえば、図示していないが、第２突出領域５６Ｂの各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度は、第１突出領域５６Ａの各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度よりも大きくてもよい。

またたとえば、図２６～図２８の変更例において、図２９に示すように、第１突出領域５６Ａの各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度が、第２突出領域５６Ｂの各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度よりも大きくてもよい。図示された例においては、第１突出領域５６Ａのうち貫通孔５８よりも連結部５３から遠い方の領域における各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度と、貫通孔５８よりも連結部５３に近い方の領域における各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度とは互いに等しい。なお、第１突出領域５６Ａのうち貫通孔５８よりも連結部５３から遠い方の領域における各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度と、貫通孔５８よりも連結部５３に近い方の領域における各溝５７の一対の側面５７ｃのテーパ角度とは互いに異なってもよい。

・溝５７の個数は、任意に変更可能である。一例では、溝５７は、１つであってもよい。
・ｚ方向から視た複数の溝５７が形成される領域の形状は、任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視た複数の溝５７が形成される領域の形状は、その領域のｙ方向の大きさがｘ方向の大きさと等しくてもよいし、ｘ方向の大きさよりも大きくてもよい。

・上記実施形態では、複数の溝５７が形成される領域は、突出部５６と等しかったが、これに限られない。たとえば、ｚ方向から視て、突出部５６の一部に複数の溝５７が形成されてもよい。換言すると、ｚ方向から視て、複数の溝５７が形成される領域は、突出部５６の一部であってもよい。

・ｚ方向から視た導電部材５０の突出部５６の形状は任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た突出部５６の形状は、上方から視た半導体素子４０の主面側駆動電極４１の形状に応じて変更してもよい。

・上記実施形態では、上方から視た導電部材５０の凹部５５の形状は、上方から視た半導体素子４０の主面側駆動電極４１の形状と略相似形状であったが、これに限られない。上方から視た導電部材５０の凹部５５の形状は、上方から視た半導体素子４０の主面側駆動電極４１の形状とは異なる形状、たとえばｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状であってもよい。

・導電部材５０から凹部５５を省略してもよい。この場合、導電部材５０は突出部５６を有していてもよい。突出部５６は、たとえば導電部材５０の裏面５０ｒをエッチングすることによって形成される。

・図２６～図２８に示す変更例において、第１突出領域５６Ａにおける複数の溝５７のｘ方向の位置を、第１突出領域５６Ａのうち第１端部５７ｄから第４端部５７ｇまでの領域と、第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域とで変更してもよい。

・複数の溝５７の幅Ｗｄは、複数の溝５７のｙ方向の一部において一定となる領域を有していてもよい。一例では、図３０に示すように、ｙ方向において第１突出領域５６Ａの各溝５７を、連結部５３の近くの領域ＲＡと、連結部５３から遠い領域ＲＢとに区分すると、各溝５７の領域ＲＢの幅Ｗｄをｙ方向において一定とする。各溝５７の領域ＲＡの幅Ｗｄは、連結部５３に向かうにつれて大きくなる。なお、領域ＲＡは、第１突出領域５６Ａの各溝５７のうち第１端部５７ｄを含む領域である。図示された例においては、領域ＲＡは、第１突出領域５６Ａの各溝５７のうち第１端部５７ｄから各溝５７のｙ方向の中央までの領域である。また、領域ＲＢは、第１突出領域５６Ａの各溝５７のうち第２端部５７ｅを含む領域である。図示された例においては、領域ＲＢは、第１突出領域５６Ａの各溝５７のうち第２端部５７ｅから各溝５７のｙ方向の中央までの領域である。

また、図２６～図２９に示す変更例において、第１突出領域５６Ａのうち第２端部５７ｅから第３端部５７ｆまでの領域の各溝５７の幅Ｗｄをｙ方向において一定としてもよい。また、第１突出領域５６Ａのうち第１端部５７ｄから第４端部５７ｇまでの領域の各溝５７の幅Ｗｄをｙ方向において一定としてもよい。

・上記実施形態では、複数の溝５７の幅Ｗｄは、溝５７の延びる方向である溝５７の長さ方向（ｙ方向）の一方から他方に向かうにつれて大きくなっていたがこれに限られない。たとえば、複数の溝５７の幅Ｗｄは、溝５７の長さ方向において一定であってもよい。

・複数の溝５７の延びる方向および配列方向は任意に変更可能である。一例では、ｘ方向に延びる複数の溝５７がｙ方向において互いに離間して配列されていてもよい。また、複数の溝５７は、ｘ方向またはｙ方向に沿って延びるものではなく、ｚ方向から視て、ｘ方向およびｙ方向の両方に交差する方向に延びていてもよい。

・複数の溝５７は直線状に延びなくてもよい。一例では、図３１に示すように、ｙ方向において第１突出領域５６Ａの各溝５７を、連結部５３の近くの領域ＲＡと、連結部５３から遠い領域ＲＢとに区分すると、各溝５７の領域ＲＡを連結部５３に向かうにつれてｘ方向の外方に傾斜するように形成してもよい。

・複数の溝５７の第２端部５７ｅは、ｙ方向に開口していなくてもよい。また、複数の溝５７の第１端部５７ｄは、ｙ方向に開口していなくてもよい。要するに、複数の溝５７のｙ方向（半導体素子４０と駆動パッド２０との配列方向）の両端部のうち少なくとも一方が開口していればよい。つまり、複数の溝５７が延びる方向において、複数の溝５７の両端部の少なくとも一方が開口していればよい。

・上方から視た導電部材５０の形状は任意に変更可能である。一例では、第１接続部５１のｘ方向の大きさが第２接続部５２および連結部５３のｘ方向の大きさ以下であってもよい。第２接続部５２のｘ方向の大きさが連結部５３のｘ方向の大きさ以上であってもよい。

・上方から視て、半導体素子４０のｘ方向およびｙ方向のサイズはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、上方から視て、半導体素子４０は、導電板本体部１１のうちハーフ絶縁部１４よりも内側に収まるようなサイズであってもよい。また別例では、上方から視て、半導体素子４０のｘ方向およびｙ方向の一方のみがハーフ絶縁部１４よりも内側に収まるようなサイズであってもよい。換言すると、上方から視て、半導体素子４０のｘ方向およびｙ方向のいずれかがハーフ絶縁部１４と重なるようなサイズであってもよい。

・導電板１０の構成は任意に変更可能である。一例では、導電板１０からハーフ絶縁部１４を省略してもよい。また、導電板１０から突出端子１２を省略してもよい。
・上方から視た半導体素子４０の形状は任意に変更可能である。一例では、上方から視た半導体素子４０の形状は正方形である。

・上方から視た半導体素子４０の主面側駆動電極４１の形状は任意に変更可能である。一例では、上方から視た主面側駆動電極４１は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。

・駆動パッド２０の構成は任意に変更可能である。一例では、駆動パッド２０からハーフ絶縁部２４を省略してもよい。また、駆動パッド２０から突出端子２２を省略してもよい。

・制御パッド３０の構成は任意に変更可能である。一例では、制御パッド３０からハーフ絶縁部３４を省略してもよい。また、制御パッド３０から突出端子３２を省略してもよい。

・半導体素子４０と導電板１０とは、共晶接合によって接続されてもよい。一例では、半導体素子４０の素子裏面４０ｒと導電板１０の導電主面１０ｓとの間に共晶接合層が形成されている。共晶接合層は、たとえばＡｕＳｎ共晶を含む。すなわち、ＡｕＳｎ共晶によって半導体素子４０の素子裏面４０ｒと導電板１０の導電主面１０ｓとが接続されている。半導体素子４０の素子裏面４０ｒにＡｕめっき層が施されており、導電板１０の導電主面１０ｓにＳｎめっき層が施されてもよい。そして半導体素子４０の素子裏面４０ｒと導電主面１０ｓとを接触させた状態で加熱およびｚ方向に加圧することによって半導体素子４０と導電板１０とを接合する。

・上記実施形態では、導電板１０の導電裏面１０ｒが封止樹脂６０の樹脂裏面６０ｒから露出していたが、これに限られない。たとえば導電裏面１０ｒが樹脂裏面６０ｒから露出しなくてもよい。つまり、導電板１０の全てが封止樹脂６０に封止されていてもよい。

・半導体装置１は、封止樹脂６０の樹脂裏面６０ｒに導電裏面１０ｒ、駆動パッド裏面２０ｒおよび制御パッド裏面３０ｒが露出する表面実装型のパッケージ構造であったが、これに限られず、たとえば封止樹脂６０の樹脂側面６１～６４のいずれかからリードが突出するＳＯ（Small Outline）やＴＯ（Transistor Outline）であってもよい。また、半導体装置１は、表面実装型のパッケージ構造に限られず、ＤＩＰ（Dual Inline Package）といった挿入実装型のパッケージ構造であってもよい。

半導体装置１のパッケージ構造がＳＯやＴＯの場合、駆動パッド２０および制御パッド３０のｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、駆動パッド２０および制御パッド３０は、ｚ方向において導電板１０よりも上方に位置していてもよい。

・半導体素子４０として、スイッチング素子に代えて、たとえばダイオードが用いられる場合、半導体装置１から制御パッド３０を省略してもよい。この場合、たとえば半導体素子４０の素子主面４０ｓから制御電極４３が省略され、制御電極４３に接続されたワイヤＷが省略される。

・上記実施形態では、半導体装置１は１つの半導体素子４０を備えるディスクリート型の半導体装置であったが、半導体装置１の構成はこれに限られない。たとえば半導体装置１は複数の半導体素子４０を備えていてもよい。

一例では、図３２に示すように、変更例の半導体装置１は、上記実施形態の半導体装置１と比較して、導電板１０の構成が主に異なる。より詳細には、変更例の半導体装置１の基板７０は、導電板１０の一例であり、たとえばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板と呼ばれる構造体である。なお、基板７０として、ＤＢＣに代えて、ＤＢＡ（Direct Bonded Aluminum）基板と呼ばれる構造体を用いてもよい。基板７０は、絶縁基板７１、主面金属層７２および裏面金属層（図示略）を有している。

絶縁基板７１は、電気絶縁性を有している。絶縁基板７１の構成材料は、たとえばセラミックスである。なお、絶縁基板７１は、絶縁樹脂シートが用いられてもよい。絶縁基板７１は、ｚ方向において互いに反対側を向く基板主面７１ｓおよび基板裏面（図示略）を有している。ｚ方向から視た絶縁基板７１の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。

基板主面７１ｓには主面金属層７２が形成されており、基板裏面には裏面金属層が形成されている。主面金属層７２および裏面金属層の構成材料はたとえばＣｕであり、たとえばエッチングによってパターニングされている。

主面金属層７２は、複数のパターン電極７２Ａ～７２Ｅを有している。
パターン電極７２Ａ～７２Ｃは、複数の半導体素子４０の駆動電流が流れる大電流用の電極を構成している。パターン電極７２Ａおよびパターン電極７２Ｂはそれぞれ、複数（図示された例においては３個）の半導体素子４０が搭載される電極である。つまり、半導体素子４０は、基板７０の基板主面７１ｓに実装されているともいえる。パターン電極７２Ｂおよびパターン電極７２Ｃはそれぞれ、各半導体素子４０に接続された導電部材５０が接続される電極である。つまり、パターン電極７２Ｂおよびパターン電極７２Ｃはそれぞれ、駆動パッドに相当する。

パターン電極７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃは、ｙ方向において互いに離間して配列されている。
上方から視たパターン電極７２Ａの形状は、Ｌ字状である。パターン電極７２Ａには、複数の半導体素子４０がはんだＳＤによって接続されている。複数の半導体素子４０は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。各半導体素子４０は、裏面側駆動電極４２（図３２では図示略）がはんだＳＤに接続されるようにパターン電極７２Ａに搭載されている。つまり、パターン電極７２Ａに搭載された複数の半導体素子４０は互いに並列接続されている。複数の半導体素子４０の主面側駆動電極４１（図３２では図示略）には、導電部材５０が個別に接続されている。導電部材５０の第２接続部５２は、パターン電極７２Ｂに接続されている。パターン電極７２Ａには、Ｐ端子（図示略）が接続されている。Ｐ端子の一部は、封止樹脂６０（図３２では図示略）から露出している。

上記から視たパターン電極７２Ｂの形状は、Ｌ字状である。パターン電極７２Ｂは、ｙ方向においてパターン電極７２Ａとパターン電極７２Ｃとの間に配置されている。パターン電極７２Ｂには、複数の半導体素子４０がはんだＳＤによって接続されている。複数の半導体素子４０は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。複数の半導体素子４０はそれぞれ、ｙ方向においてパターン電極７２Ｂのうちパターン電極７２Ｃの近くの部分に配置されている。各半導体素子４０は、裏面側駆動電極４２がはんだＳＤによって接続されるようにパターン電極７２Ｂに搭載されている。つまり、パターン電極７２Ｂに搭載された複数の半導体素子４０は互いに並列接続されている。このように、パターン電極７２Ａに搭載された複数の半導体素子４０とパターン電極７２Ｂに搭載された複数の半導体素子４０とは直列接続されている。パターン電極７２Ｂに搭載された複数の半導体素子４０の主面側駆動電極４１には、導電部材５０が個別に接続されている。導電部材５０の第２接続部５２は、パターン電極７２Ｃに接続されている。

パターン電極７２Ｂに搭載された複数の半導体素子４０の上方から視た配置方向はそれぞれ、上記実施形態の半導体素子４０の上方から視た配置方向と同じである。このため、パターン電極７２Ｂに搭載された各半導体素子４０に接続された導電部材５０の上方から視た形状は、上記実施形態の導電部材５０の上方から視た形状と同じである。

一方、図３２に示すとおり、パターン電極７２Ａに搭載された複数の半導体素子４０の上方から視た配置方向はそれぞれ、上記実施形態の半導体素子４０の上方から視た配置方向と異なる。このため、パターン電極７２Ａに搭載された各半導体素子４０に接続された導電部材５０の上方から視た形状は、上記実施形態の導電部材５０の上方から視た形状と異なる。具体的には、上方から視た第１接続部５１の形状が上記実施形態の導電部材５０の第１接続部５１の上方から視た形状と異なる。変更例の導電部材５０の第１接続部５１の切欠部５４は、第１接続部５１のｙ方向の両端部のうち連結部５３から遠い方の端部に形成されている。これにともない、上方から視た凹部５５の形状も上記実施形態の凹部５５の形状と異なる。また図示していないが、下方から視た突出部５６の形状も上記実施形態の突出部５６の下方から視た形状と異なる。なお、突出部５６に形成された複数の溝５７（図３２では図示略）は、上記実施形態の複数の溝５７と同じ構成である。

上方から視たパターン電極７２Ｃの形状は、略Ｔ字状である。パターン電極７２Ｃには、Ｎ端子（図示略）が接続されている。Ｎ端子の一部は、封止樹脂６０から露出している。

パターン電極７２Ｄおよびパターン電極７２Ｅは、複数の半導体素子４０の制御電流が流れる小電流用の電極を構成している。パターン電極７２Ｄは、ワイヤＷ１を介して複数の半導体素子４０の主面側駆動電極４１に接続されており、主面側駆動電極４１に流れる電流を検出するための電極である。パターン電極７２Ｅは、ワイヤＷ２を介して複数の半導体素子４０の制御電極４３に電気的に接続されており、制御電極４３に制御電圧を供給するための電極である。

パターン電極７２Ｄ，７２Ｅは、絶縁基板７１のｙ方向の両端部に配置されている。
パターン電極７２Ａとｙ方向に隣り合うパターン電極７２Ｄ，７２Ｅは、パターン電極７２Ａに搭載された複数の半導体素子４０の主面側駆動電極４１および制御電極４３と電気的に接続されている。

パターン電極７２Ｃとｙ方向に隣り合うパターン電極７２Ｄ，７２Ｅは、パターン電極７２Ｂに搭載された複数の半導体素子４０の主面側駆動電極４１および制御電極４３と電気的に接続されている。

図３２では図示していないが、封止樹脂６０は、複数の半導体素子４０、複数の導電部材５０、複数のワイヤＷ１および複数のワイヤＷ２をそれぞれ封止している。封止樹脂６０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。この構成によれば、上記実施形態の（１）～（１４）および（１６）～（１９）と同様の効果を得ることができる。

［付記］
上記実施形態および上記各変更例から把握できる技術的思想について、以下に記載する。

（付記１）素子主面に形成された主面側駆動電極を有する半導体素子の前記主面側駆動電極に導電性接合材を介して接続される板状の導電部材であって、前記導電部材は、前記主面側駆動電極と対面する接続裏面を有しており、前記接続裏面には、溝が形成されている、導電部材。

（付記２）前記導電部材は、前記主面側駆動電極に向けて突出する突出部を有しており、前記突出部において前記主面側駆動電極と対面する部分が前記接続裏面を構成している、付記１に記載の導電部材。

（付記３）前記導電部材は、前記基板主面と同じ方向を向く表面と、前記表面から前記主面側駆動電極に向けて凹む凹部と、を有している、付記１または２に記載の導電部材。
（付記４）前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とし、前記基板の厚さ方向から視て、前記溝の長さ方向と直交する方向の前記溝の大きさを溝の幅の大きさとすると、前記溝の長さ方向の一方から他方に向かうにつれて、前記溝の幅が大きくなる、付記１～３のいずれか１つに記載の導電部材。

（付記５）前記溝の長さ方向において、前記溝の一方の端縁から他方の端縁に向かうにつれて、前記溝の幅が徐々に大きくなる、付記４に記載の導電部材。
（付記６）前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とすると、前記溝の長さ方向における前記溝の両端部はそれぞれ、前記溝の長さ方向に開口している、付記１～５のいずれか１つに記載の導電部材。

（付記７）前記溝は、前記基板の厚さ方向において前記主面側駆動電極から遠い端面となる底面と、前記接続裏面と前記底面とを接続する側面と、を有しており、前記接続裏面は、前記導電部材の裏面よりも前記主面側駆動電極の近くに位置している、付記２に記載の導電部材。

（付記８）前記底面は、前記導電部材の裏面よりも前記主面側駆動電極の近くに位置している、付記７に記載の導電部材。
（付記９）前記溝は、複数設けられており、前記導電部材は、前記導電部材の厚さ方向において前記導電部材を貫通する貫通孔を有しており、前記貫通孔は、前記複数の溝の配列方向において、前記複数の溝に跨って形成されている、付記１～８のいずれか１つに記載の導電部材。

（付記１０）前記導電部材は、Ｃｕからなる、付記１～９のいずれか１つに記載の導電部材。
（付記Ａ１）
素子主面、および前記素子主面に形成された主面側駆動電極を有している半導体素子と、
前記主面側駆動電極と対面する接続裏面を有しており、前記主面側駆動電極に接続されている板状の導電部材と、
前記主面側駆動電極と前記接続裏面との間に介在しており、前記主面側駆動電極と前記導電部材とを接続する導電性接合材と、
を備えており、
前記接続裏面には、溝が形成されている
半導体装置。
（付記Ａ２）
前記半導体装置は、駆動パッドを備えており、
前記導電部材は、前記駆動パッドに接続されたパッド側導電部を有しており、
前記溝は、複数設けられており、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子と前記駆動パッドとの配列方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記複数の溝は、前記第２方向に配列された状態で前記第１方向に向けて延びており、
前記複数の溝の前記第１方向の両端部は開口している
付記Ａ１に記載の半導体装置。
（付記Ａ３）
前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とし、前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記溝の長さ方向と直交する方向の前記溝の大きさを溝の幅とすると、
前記溝の長さ方向の一方から他方に向かうにつれて、前記溝の幅が大きくなる
付記Ａ１またはＡ２に記載の半導体装置。
（付記Ａ４）
前記溝の長さ方向において、前記溝の一方の端縁から他方の端縁に向かうにつれて、前記溝の幅が徐々に大きくなる
付記Ａ３に記載の半導体装置。
（付記Ａ５）
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記導電部材は、前記導電部材の重心が前記駆動電極と重なるように設けられている
付記Ａ２に記載の半導体装置。
（付記Ａ６）
前記半導体素子の厚さ方向における前記導電部材の前記接続裏面と前記半導体素子の前記素子主面との間の距離は、前記主面側駆動電極から前記駆動パッドに向かうにつれて大きくなるように、前記導電部材が前記半導体素子に対して傾いて配置されている
付記Ａ５に記載の半導体装置。
（付記Ａ７）
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記第２方向の前記溝の大きさを溝の幅とすると、
前記溝は、前記第１方向のうち前記主面側駆動電極から前記駆動パッドに向かうにつれて前記溝の幅が大きくなる
付記Ａ５またはＡ６に記載の半導体装置。
（付記Ａ８）
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記第２方向の前記溝の大きさを溝の幅とすると、
前記第１方向における前記溝の両端縁のうち前記第１方向のうち前記主面側駆動電極に近い方の端縁から前記駆動パッドに近い方の端縁に向かうにつれて前記溝の幅が徐々に大きくなる
付記Ａ７に記載の半導体装置。
（付記Ａ９）
前記半導体装置の前記第１方向および前記第２方向の大きさがそれぞれ２ｍｍであり、
前記溝の幅の最小値の範囲は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であり、
前記溝の幅の最大値の範囲は、０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である
付記Ａ７またはＡ８に記載の半導体装置。
（付記Ａ１０）
前記半導体装置の前記第１方向および前記第２方向の大きさがそれぞれ２ｍｍであり、
前記溝の幅の最小値の範囲は、０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であり、
前記溝の幅の最大値の範囲は、０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である
付記Ａ７またはＡ８に記載の半導体装置。
（付記Ａ１１）
前記導電部材は、前記主面側駆動電極に向けて突出する突出部を有しており、
前記突出部において前記主面側駆動電極と対面する部分が前記接続裏面を構成している
付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ１２）
前記溝は、前記接続裏面から凹むように形成されており、かつ、
前記半導体素子の厚さ方向において前記主面側駆動電極から遠い端面となる底面と、
前記接続裏面と前記底面とを接続する側面と、
を有しており、
前記接続裏面は、前記導電部材において前記半導体素子と前記半導体素子の厚さ方向に対面する領域のうち前記接続裏面以外の面である裏面よりも前記主面側駆動電極の近くに位置している
付記Ａ１～Ａ１１のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ１３）
前記導電部材は、前記素子主面と同じ方向を向く表面と、前記表面から前記主面側駆動電極に向けて凹む凹部と、を有している
付記Ａ１～Ａ１２のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ１４）
前記溝は、前記接続裏面から凹むように形成されており、かつ、
前記半導体素子の厚さ方向において前記主面側駆動電極から遠い端面となる底面と、
前記接続裏面と前記底面とを接続する側面と、
を有しており、
前記底面は、前記導電部材において前記半導体素子と前記半導体素子の厚さ方向に対面する領域のうち前記接続裏面以外の面である裏面よりも前記主面側駆動電極の近くに位置している
付記Ａ１～Ａ１３のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ１５）
前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とすると、
前記溝の長さ方向において、前記溝は、前記主面側駆動電極よりも短い
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ１６）
前記溝の長さ方向における前記溝の両端部は、前記溝の長さ方向に開口している
付記Ａ１５に記載の半導体装置。
（付記Ａ１７）
前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とすると、
前記溝の長さ方向において、前記溝は、前記主面側駆動電極よりも長い
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ１８）
前記溝の長さ方向における前記溝の両端部は、前記主面側駆動電極に向けて開口している
付記Ａ１７に記載の半導体装置。
（付記Ａ１９）
前記導電部材は、前記導電部材の厚さ方向において前記導電部材を貫通する貫通孔を有しており、
前記貫通孔は、前記複数の溝の配列方向において、前記複数の溝に跨って形成されている
付記Ａ１～Ａ１８のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ２０）
前記溝は、複数設けられており、
前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とし、前記溝の長さ方向と直交し、複数の前記溝が配列する方向を溝の配列方向とすると、
前記溝が形成される領域における前記溝の配列方向の大きさは、前記溝が形成される領域における前記溝の長さ方向の大きさよりも大きい
付記Ａ１～Ａ１９のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ２１）
前記半導体装置は、駆動パッドを備えており、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記導電部材は、
前記半導体素子と接続する電極側導電部と、
前記駆動パッドと接続するパッド側導電部と、
前記電極側導電部と前記パッド側導電部とを連結する連結部と、
を備えており、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子と前記駆動パッドとの配列方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第２方向における前記電極側導電部の大きさは、前記パッド側導電部および前記連結部の大きさよりも大きい
付記Ａ１～Ａ２０のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ２２）
前記半導体素子は、前記素子主面に形成された制御電極を有しており、
前記半導体装置は、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子および前記駆動パッドにそれぞれ隣り合うように配置された制御パッドと、
前記制御電極と前記制御パッドとを接続するワイヤと、
を有しており、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記制御電極は、前記連結部と隣り合うように配置されている
付記Ａ２１に記載の半導体装置。
（付記Ａ２３）
前記第２方向において、前記駆動パッドは、前記制御パッドよりも大きい
付記Ａ２２に記載の半導体装置。
（付記Ａ２４）
前記半導体素子は、前記半導体素子の厚さ方向において前記素子主面とは反対側を向く素子裏面、および前記素子裏面に形成された裏面側駆動電極を有しており、
前記半導体装置は、前記半導体素子が搭載される導電板を備えており、
前記導電板は、前記半導体素子の厚さ方向において前記裏面側駆動電極と対面しており、前記裏面側駆動電極と接続された導電主面を有している
付記Ａ１～Ａ２３のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ２５）
前記半導体素子および前記導電板を封止する封止樹脂を備えており、
前記導電板は、前記半導体素子の厚さ方向において前記導電主面とは反対側を向く導電裏面を有しており、
前記導電裏面は、前記封止樹脂から露出している
付記Ａ２４に記載の半導体装置。
（付記Ａ２６）
前記導電部材は、Ｃｕからなる
付記Ａ１～Ａ２５のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記Ａ２７）
前記半導体装置は、前記半導体素子が搭載された導電板を備えており、
前記導電板は、Ｃｕからなる
付記Ａ２６に記載の半導体装置。
（付記Ａ２８）
前記導電性接合材は、はんだまたはＡｇペーストからなる
付記Ａ１～Ａ２７のいずれか１つに記載の半導体装置。

１…半導体装置
１０…導電板
１０ｓ…導電主面
１０ｒ…導電裏面
２０…駆動パッド
３０…制御パッド
４０…半導体素子
４０ｓ…素子主面
４０ｒ…素子裏面
４１…主面側駆動電極
４２…裏面側駆動電極
４３…制御電極
５０…導電部材
５１…第１接続部（電極側導電部）
５２…第２接続部（パッド側導電部）
５３…連結部
５０ｓ…表面
５０ｒ…裏面
５０ｒａ…接続裏面
５５…凹部
５６…突出部
５７…溝
５７ｂ…底面
５７ｃ…側面
５７ｄ…第１端部
５７ｅ…第２端部
５８…貫通孔
６０…封止樹脂
７０…基板（導電板）
７２Ｂ，７２Ｃ…パターン電極（駆動パッド）
Ｗ…ワイヤ
ＳＤ…はんだ（導電性接合材）
Ｗｄ…溝の幅
Ｗｄ１…溝の幅の最小値
Ｗｄ２…溝の幅の最大値

Claims

素子主面、および前記素子主面に形成された主面側駆動電極を有している半導体素子と、
前記主面側駆動電極と対面する接続裏面を有しており、前記主面側駆動電極に接続されている板状の導電部材と、
前記主面側駆動電極と前記接続裏面との間に介在しており、前記主面側駆動電極と前記導電部材とを接続する導電性接合材と、
を備えており、
前記接続裏面には、複数の溝が形成されており、
前記導電部材は、前記導電部材の厚さ方向において前記導電部材を貫通する貫通孔を有しており、
前記貫通孔は、前記複数の溝の配列方向において、前記複数の溝に跨って形成されている
半導体装置。
前記半導体装置は、駆動パッドを備えており、
前記導電部材は、前記駆動パッドに接続されたパッド側導電部を有しており、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子と前記駆動パッドとの配列方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記複数の溝は、前記第２方向に配列された状態で前記第１方向に向けて延びており、
前記複数の溝の前記第１方向の両端部は開口している
請求項１に記載の半導体装置。
前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とし、前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記溝の長さ方向と直交する方向の前記溝の大きさを溝の幅とすると、
前記溝の長さ方向の一方から他方に向かうにつれて、前記溝の幅が大きくなる
請求項１または２に記載の半導体装置。
前記溝の長さ方向において、前記溝の一方の端縁から他方の端縁に向かうにつれて、前記溝の幅が徐々に大きくなる
請求項３に記載の半導体装置。
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記導電部材は、前記導電部材の重心が前記駆動電極と重なるように設けられている
請求項２に記載の半導体装置。
前記半導体素子の厚さ方向における前記導電部材の前記接続裏面と前記半導体素子の前記素子主面との間の距離は、前記主面側駆動電極から前記駆動パッドに向かうにつれて大きくなるように、前記導電部材が前記半導体素子に対して傾いて配置されている
請求項５に記載の半導体装置。
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記第２方向の前記溝の大きさを溝の幅とすると、
前記溝は、前記第１方向のうち前記主面側駆動電極から前記駆動パッドに向かうにつれて前記溝の幅が大きくなる
請求項５または６に記載の半導体装置。
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記第２方向の前記溝の大きさを溝の幅とすると、
前記第１方向における前記溝の両端縁のうち前記第１方向のうち前記主面側駆動電極に近い方の端縁から前記駆動パッドに近い方の端縁に向かうにつれて前記溝の幅が徐々に大きくなる
請求項７に記載の半導体装置。
前記半導体装置の前記第１方向および前記第２方向の大きさがそれぞれ２ｍｍであり、
前記溝の幅の最小値の範囲は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であり、
前記溝の幅の最大値の範囲は、０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である
請求項７または８に記載の半導体装置。
前記半導体装置の前記第１方向および前記第２方向の大きさがそれぞれ２ｍｍであり、
前記溝の幅の最小値の範囲は、０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であり、
前記溝の幅の最大値の範囲は、０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である
請求項７または８に記載の半導体装置。
前記導電部材は、前記主面側駆動電極に向けて突出する突出部を有しており、
前記突出部において前記主面側駆動電極と対面する部分が前記接続裏面を構成している
請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記溝は、前記接続裏面から凹むように形成されており、かつ、
前記半導体素子の厚さ方向において前記主面側駆動電極から遠い端面となる底面と、
前記接続裏面と前記底面とを接続する側面と、
を有しており、
前記接続裏面は、前記導電部材において前記半導体素子と前記半導体素子の厚さ方向に対面する領域のうち前記接続裏面以外の面である裏面よりも前記主面側駆動電極の近くに位置している
請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記導電部材は、前記素子主面と同じ方向を向く表面と、前記表面から前記主面側駆動電極に向けて凹む凹部と、を有している
請求項１～１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記溝は、前記接続裏面から凹むように形成されており、かつ、
前記半導体素子の厚さ方向において前記主面側駆動電極から遠い端面となる底面と、
前記接続裏面と前記底面とを接続する側面と、
を有しており、
前記底面は、前記導電部材において前記半導体素子と前記半導体素子の厚さ方向に対面する領域のうち前記接続裏面以外の面である裏面よりも前記主面側駆動電極の近くに位置している
請求項１～１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とすると、
前記溝の長さ方向において、前記溝は、前記主面側駆動電極よりも短い
請求項１～１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記溝の長さ方向における前記溝の両端部は、前記溝の長さ方向に開口している
請求項１５に記載の半導体装置。
前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とすると、
前記溝の長さ方向において、前記溝は、前記主面側駆動電極よりも長い
請求項１～１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記溝の長さ方向における前記溝の両端部は、前記主面側駆動電極に向けて開口している
請求項１７に記載の半導体装置。
前記溝の延びる方向を溝の長さ方向とし、前記溝の長さ方向と直交し、複数の前記溝が配列する方向を溝の配列方向とすると、
前記溝が形成される領域における前記溝の配列方向の大きさは、前記溝が形成される領域における前記溝の長さ方向の大きさよりも大きい
請求項１～１８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体装置は、駆動パッドを備えており、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記導電部材は、
前記半導体素子と接続する電極側導電部と、
前記駆動パッドと接続するパッド側導電部と、
前記電極側導電部と前記パッド側導電部とを連結する連結部と、
を備えており、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子と前記駆動パッドとの配列方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第２方向における前記電極側導電部の大きさは、前記パッド側導電部および前記連結部の大きさよりも大きい
請求項１～１９のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、前記素子主面に形成された制御電極を有しており、
前記半導体装置は、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子および前記駆動パッドにそれぞれ隣り合うように配置された制御パッドと、
前記制御電極と前記制御パッドとを接続するワイヤと、
を有しており、
前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記制御電極は、前記連結部と隣り合うように配置されている
請求項２０に記載の半導体装置。
前記第２方向において、前記駆動パッドは、前記制御パッドよりも大きい
請求項２１に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、前記半導体素子の厚さ方向において前記素子主面とは反対側を向く素子裏面、および前記素子裏面に形成された裏面側駆動電極を有しており、
前記半導体装置は、前記半導体素子が搭載される導電板を備えており、
前記導電板は、前記半導体素子の厚さ方向において前記裏面側駆動電極と対面しており、前記裏面側駆動電極と接続された導電主面を有している
請求項１～２２のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子および前記導電板を封止する封止樹脂を備えており、
前記導電板は、前記半導体素子の厚さ方向において前記導電主面とは反対側を向く導電裏面を有しており、
前記導電裏面は、前記封止樹脂から露出している
請求項２３に記載の半導体装置。
前記導電部材は、Ｃｕからなる
請求項１～２４のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体装置は、前記半導体素子が搭載された導電板を備えており、
前記導電板は、Ｃｕからなる
請求項２５に記載の半導体装置。
前記導電性接合材は、はんだまたはＡｇペーストからなる
請求項１～２６のいずれか一項に記載の半導体装置。