JP2023002653A - 基板処理装置および基板処理システム - Google Patents

基板処理装置および基板処理システム Download PDF

Info

Publication number
JP2023002653A
JP2023002653A JP2022165943A JP2022165943A JP2023002653A JP 2023002653 A JP2023002653 A JP 2023002653A JP 2022165943 A JP2022165943 A JP 2022165943A JP 2022165943 A JP2022165943 A JP 2022165943A JP 2023002653 A JP2023002653 A JP 2023002653A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
unit
substrate
recipe
units
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022165943A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7444947B2 (ja
Inventor
光治 橋本
Mitsuharu Hashimoto
進二 清水
Shinji Shimizu
博司 堀口
Hiroshi Horiguchi
真弘 山本
Shinko Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2022165943A priority Critical patent/JP7444947B2/ja
Publication of JP2023002653A publication Critical patent/JP2023002653A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7444947B2 publication Critical patent/JP7444947B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Abstract

【課題】基板処理装置および基板処理システムの各処理ユニットにおける処理の精度を向上させる。【解決手段】基板処理装置は、複数の処理ユニット、搬送ユニット、複数のセンサ部、記憶部および１つ以上の制御ユニットを備える。複数の処理ユニットは、処理の条件を規定するレシピに応じて基板に処理を施す。搬送ユニットは、一群の基板における複数の基板を複数の処理ユニットに順に搬送する。複数のセンサ部は、各処理ユニットにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得する。記憶部は、複数のセンサ部で取得された信号に基づき、各処理ユニットにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を蓄積したデータベースを記憶する。１つ以上の制御ユニットは、複数の処理ユニットのうちの一部の処理ユニットを用いた一群の基板のうちの一部の基板に対する処理ついて、データ群に基づいてレシピの一部を補正する。【選択図】図５

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理システムに関する。処理対象となる基板は、例えば、半導体基板、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置などのフラットパネルディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などを含む。
薬液などの処理液を用いて基板の洗浄およびエッチングなどの各種の処理を実施することができる複数の処理ユニットを有する基板処理装置がある。
また、複数の基板処理装置と、この複数の基板処理装置に通信回線を経由して接続された管理用のサーバと、を有する基板処理システムがある（例えば、特許文献１～３などを参照）。これらの基板処理システムは、例えば、基板処理装置間における処理レシピのコピー、基板処理装置の外側の通信網への機密情報の漏洩の防止、または管理用のサーバによる基板処理装置における処理異常の検出などを行うことができる。
特開平９－１５３４４１号公報 特開平１１－２１５１６０号公報 特許４０６４４０２号明細書
基板処理装置および基板処理システムについては、各処理ユニットにおける処理の精度を向上させる点で改善の余地がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、各処理ユニットにおける処理の精度を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理システムを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、複数の処理ユニットと、搬送ユニットと、複数のセンサ部と、記憶部と、１つ以上の制御ユニットと、を備える。前記複数の処理ユニットは、処理の条件を規定するレシピに応じて基板に処理を施す。前記搬送ユニットは、一群の基板における複数の基板を前記複数の処理ユニットに順に搬送する。前記複数のセンサ部は、各前記処理ユニットにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得する。前記記憶部は、前記複数のセンサ部によって取得された信号に基づいて、前記複数の処理ユニットのそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を蓄積したデータベースを記憶する。前記１つ以上の制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちの１つ以上の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの少なくとも１枚以上の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの少なくとも一部を補正する。前記１つ以上の制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちの一部の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの一部の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの一部を補正する。
第２の態様に係る基板処理システムは、複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置に対してデータの送受信が可能に接続されているサーバと、を備える。各前記基板処理装置は、複数の処理ユニットと、搬送ユニットと、複数のセンサ部と、１つ以上の制御ユニットと、を有する。前記複数の処理ユニットは、処理の条件を規定するレシピに応じて基板に処理を施す。前記搬送ユニットは、一群の基板における複数の基板を前記複数の処理ユニットに順に搬送する。前記複数のセンサ部は、各前記処理ユニットにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得する。前記サーバは、前記複数のセンサ部によって取得された信号に基づいて、前記複数の基板処理装置のそれぞれの前記複数の処理ユニットのそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を蓄積したデータベースを記憶する記憶部、を有する。各前記基板処理装置において、前記１つ以上の制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちの一部の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの一部の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの一部を補正する。
第１の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、一群の基板のうちの少なくとも１枚以上の基板について、複数の処理ユニットにおける基板処理の状況に応じて、基板に施す処理の条件を既定するレシピを補正することで、状況に即した処理を基板に施すことができる。その結果、例えば、基板処理装置の各処理ユニットにおける処理の精度が向上し得る。
第１の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、複数の処理ユニットのうちの他の処理ユニットにおける処理の状況も加味して、一群の基板の一部の基板に対して処理の条件を規定するレシピが補正され得る。これにより、例えば、基板処理装置の各処理ユニットにおける処理の精度が向上し得る。
第２の態様に係る基板処理システムによれば、例えば、複数の基板処理装置のそれぞれの各処理ユニットにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群をサーバで記憶しておき、各基板処理装置が、サーバで記憶しているデータ群に基づいてレシピを補正することで、ある基板処理装置は、他の基板処理装置において収集したデータを活かしてレシピを補正することができる。また、例えば、ある基板処理装置において収集したデータを他の基板処理装置におけるレシピの補正に活かすこともできる。
第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成の一例を示す図である。 管理用サーバの電気的な構成の一例を示すブロック図である。 基板処理装置の概略的な構成の一例を示す模式的な平面図である。 処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 基板処理装置における各構成の接続態様を示すブロック図である。 本体制御ユニットの電気的な構成および機能的な構成の一例を示すブロック図である。 予定管理用制御ユニットの電気的な構成および機能的な構成の一例を示すブロック図である。 部分制御ユニットの電気的な構成および機能的な構成の一例を示すブロック図である。 液管理制御ユニットの電気的な構成および機能的な構成の一例を示すブロック図である。 データストレージに記憶されたデータ群の内容の一例を示す図である。 第１レシピ補正に係る動作フローの一例を示す流れ図である。 第２レシピ補正に係る動作フローの一例を示す流れ図である。 タイムスケジュールの再設定に係る動作フローの一例を示す流れ図である。 タイムスケジュールの一例を示す図である。 タイムスケジュールに不具合が生じる一例を示す図である。 再設定後のタイムスケジュールの一例を示す図である。
例えば、半導体基板などの各種の基板に対して洗浄およびエッチングなどの各種の処理を施すことができる複数の処理ユニットを有する基板処理装置がある。また、例えば、管理用のサーバが複数の基板処理装置に通信回線を経由して接続された基板処理システムがある。
複数の処理ユニットを有する基板処理装置では、複数の処理ユニットにおいて並行して同種の基板処理が行われ得る。このとき、基板処理装置は、例えば、管理用のサーバからの情報によって得た標準的なレシピに従って、スループットが向上するように、複数枚の基板の搬送および処理のタイミングを規定するタイムスケジュールを作成し、このタイムスケジュールに従って複数枚の基板の搬送および処理を実行することが考えられる。
しかしながら、例えば、標準的なレシピに従って複数枚の基板の搬送および処理を単純に実行すると、処理に係る各種の状況の変化などによって処理に過不足が生じ得る。換言すれば、例えば、各処理ユニットにおける処理の精度が低下する場合がある。
そこで、本願発明者は、基板処理装置および基板処理システムの各処理ユニットにおける処理の精度を向上させることが可能な技術を創出した。これについて、以下、第１実施形態および各種変形例を図面に基づいて説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものである。
＜１．第１実施形態＞
＜１－１．基板処理システムの概略構成＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理システム１の概略構成の一例を示す図である。図１で示されるように、基板処理システム１は、例えば、管理用サーバ１０と、複数の基板処理装置２０と、搬送装置３０と、を備えている。複数の基板処理装置２０は、例えば、第１の基板処理装置２０ａ、第２の基板処理装置２０ｂおよび第３の基板処理装置２０ｃを含む。ここでは、管理用サーバ１０と、複数の基板処理装置２０と、搬送装置３０と、が通信回線５を介してデータの送受信が可能に接続されている。通信回線５は、例えば、有線回線および無線回線の何れであってもよい。
＜１－２．管理用サーバの構成＞
図２は、管理用サーバ１０の電気的な構成の一例を示すブロック図である。管理用サーバ１０は、複数の基板処理装置２０を統括的に管理するための装置（管理装置ともいう）である。
図２で示されるように、管理用サーバ１０は、例えば、コンピュータなどで実現され、バスラインＢｕ１０を介して接続された、通信部１１、入力部１２、出力部１３、記憶部１４、制御部１５およびドライブ１６を有する。
通信部１１は、例えば、通信回線５を介して各基板処理装置２０および搬送装置３０に対して信号を送信可能な送信部としての機能、ならびに通信回線５を介して各基板処理装置２０および搬送装置３０からの信号を受信可能な受信部としての機能を有する。
入力部１２は、例えば、管理用サーバ１０を使用するユーザの動作などに応じた信号を入力することができる。入力部１２は、例えば、操作部、マイクおよび各種センサなどを含み得る。操作部は、ユーザの操作に応じた信号を入力することができる。操作部には、マウスおよびキーボードなどが含まれる。マイクは、ユーザの音声に応じた信号を入力することができる。各種センサは、ユーザの動きに応じた信号を入力することができる。
出力部１３は、例えば、各種情報を出力することができる。出力部１３は、例えば、表示部およびスピーカなどを含み得る。表示部は、例えば、各種情報をユーザが認識可能な態様で可視的に出力することができる。この表示部は、例えば、入力部１２の少なくとも一部と一体化されたタッチパネルの形態を有していてもよい。スピーカは、例えば、各種情報をユーザが認識可能な態様で可聴的に出力することができる。
記憶部１４は、例えば、情報を記憶することができる。この記憶部１４は、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリなどの不揮発性の記憶媒体で構成され得る。記憶部１４の構成は、例えば、１つの記憶媒体を有する構成、２つ以上の記憶媒体を一体的に有する構成、および２つ以上の記憶媒体を２つ以上の部分に分けて有する構成の何れであってもよい。記憶部１４は、例えば、プログラム１４ｐｇ、処理計画情報１４ｐｃおよびデータベース１４ｄｂなどの各種の情報を記憶することができる。記憶部１４は、例えば、後述するメモリ１５ｂを含んでもよい。処理計画情報１４ｐｃは、各基板処理装置２０について、後述するＮ台（Ｎは自然数）の処理ユニット２１（図３など参照）における、複数の基板群に係る複数の連続した基板処理を実行するタイミングなどを示す。基板群は、例えば、１つのロットを構成する複数枚の基板Ｗ（図３など参照）によって構成される。データベース１４ｄｂは、例えば、各基板Ｗの情報および各基板処理装置２０の情報などを含み得る。各基板Ｗの情報は、例えば、キャリアＣのうちの基板Ｗが保持されているスロットの番号、基板Ｗの形態および基板Ｗに施された処理を示す情報を含み得る。基板Ｗの形態を示す情報は、例えば、基板Ｗにおける１種類以上の膜の厚さ（膜厚ともいう）および膜厚の分布などを含み得る。膜厚は、例えば、膜厚の平均値、最小値、最大値の何れであってもよい。各基板処理装置２０の情報は、例えば、各基板処理装置２０の複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板Ｗに対する処理（基板処理ともいう）の状況についての１種類以上の指標に係るデータを含み得る。換言すれば、記憶部１４は、例えば、複数の基板処理装置２０のそれぞれの複数の処理ユニット２１における基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を蓄積したデータベース１４ｄｂを記憶する。データ群は、１種類以上の指標に係る複数のデータを含む。
制御部１５は、例えば、プロセッサとして働く演算処理部１５ａおよび情報を一時的に記憶するメモリ１５ｂなどを含む。演算処理部１５ａには、例えば、中央演算部（ＣＰＵ）などの電気回路が適用され得る。メモリ１５ｂには、例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）などが適用され得る。演算処理部１５ａは、例えば、記憶部１４に記憶されているプログラム１４ｐｇを読み込んで実行することで、管理用サーバ１０の機能を実現することができる。制御部１５における各種情報処理によって一時的に得られる各種情報は、適宜メモリ１５ｂなどに記憶され得る。ここで、例えば、演算処理部１５ａで実現される機能の少なくとも一部が専用の電子回路で実現されてもよい。
ドライブ１６は、例えば、可搬性の記憶媒体ＲＭ１０の脱着が可能な部分である。ドライブ１６は、例えば、記憶媒体ＲＭ１０が装着されている状態で、この記憶媒体ＲＭ１０と制御部１５との間におけるデータの授受を行わせることができる。ここで、例えば、プログラム１４ｐｇが記憶された記憶媒体ＲＭ１０がドライブ１６に装着されて、記憶媒体ＲＭ１０から記憶部１４内にプログラム１４Ｐｇが読み込まれて記憶されてもよい。
＜１－３．基板処理装置の構成＞
図３は、基板処理装置２０の概略的な構成の一例を示す模式的な平面図である。基板処理装置２０は、例えば、基板Ｗの表面に対して処理液を供給することで各種処理を行うことができる枚葉式の装置である。ここでは、基板Ｗの一例として、半導体基板（ウエハ）が用いられる。各種処理には、例えば、薬液などでエッチングを施す薬液処理、液体で異物もしくは除去対象物を除去する洗浄処理、水で洗い流すリンス処理およびレジストなどを塗布する塗布処理などが含まれる。
基板処理装置２０は、複数のロードポートＬＰ、搬送ユニット２４、液貯留ユニット２３および複数の処理ユニット２１を含む。また、基板処理装置２０は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０、予定管理用制御ユニットＰＣ１、複数の部分制御ユニットＰＣ２、液管理制御ユニットＰＣ３およびデータストレージＮＡ１を含む。
＜１－３－１．ロードポート＞
複数のロードポートＬＰは、それぞれ収容器としての複数のキャリア（ＦＯＵＰともいう）Ｃを保持することができる機構（収容器保持機構ともいう）である。図３の例では、複数のロードポートＬＰとして、第１～４ロードポートＬＰ１～ＬＰ４が存在している。第１～４ロードポートＬＰ１～ＬＰ４は、基板処理装置２０とこの基板処理装置２０の外部との間で複数の基板群の搬入および搬出を行うための部分（搬出入部ともいう）としての機能を有する。図３の例では、第１～４ロードポートＬＰ１～ＬＰ４と各処理ユニット２１とは、水平方向に間隔を空けて配置されている。また、第１～４ロードポートＬＰ１～ＬＰ４は、平面視したときに水平な第１方向ＤＲ１に沿って配列されている。
ここで、第１～４ロードポートＬＰ１～ＬＰ４には、例えば、キャリア置き場４０内から搬送装置３０によってキャリアＣが搬送されて載置される。キャリアＣは、例えば、一群の基板Ｗとしての複数（第１実施形態では２５）枚の基板Ｗを収容することができる。搬送装置３０の動作は、例えば、管理用サーバ１０によって制御され得る。ここで、例えば、搬送装置３０は、複数の基板処理装置２０の間で、キャリアＣを搬送することができてもよい。図３の例では、搬送装置３０は、例えば、第１方向ＤＲ１およびこの第１方向ＤＲ１に直交する水平な第２方向ＤＲ２に沿って移動可能である。このため、例えば、キャリア置き場４０内から１つの基板群を成す複数枚の基板Ｗをそれぞれ収容するキャリアＣが搬送されて第１～４ロードポートＬＰ１～ＬＰ４の何れかに載置され得る。そして、第１～４ロードポートＬＰ１～ＬＰ４において、複数のキャリアＣは、第１方向ＤＲ１に沿って配列され得る。
＜１－３－２．搬送ユニット＞
搬送ユニット２４は、例えば、ロードポートＬＰに保持されたキャリアＣに収容された一群の基板Ｗにおける複数枚の基板Ｗを複数の処理ユニット２１に向けて順に搬送することができる。第１実施形態では、搬送ユニット２４は、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、を含む。インデクサロボットＩＲは、例えば、第１～４ロードポートＬＰ１～ＬＰ４とセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送することができる。センターロボットＣＲは、例えば、インデクサロボットＩＲと各処理ユニット２１との間で基板Ｗを搬送することができる。
具体的には、インデクサロボットＩＲは、例えば、キャリアＣからセンターロボットＣＲに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送することができるとともに、センターロボットＣＲからキャリアＣに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送することができる。同様に、センターロボットＣＲは、例えば、インデクサロボットＩＲから各処理ユニット２１に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬入することができるとともに、各処理ユニット２１からインデクサロボットＩＲに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送することができる。また、例えば、センターロボットＣＲは、必要に応じて複数の処理ユニット２１の間において基板Ｗを搬送することができる。
図３の例では、インデクサロボットＩＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを有している。２つのハンドＨは、異なる高さに配置されている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持することができる。インデクサロボットＩＲは、ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、インデクサロボットＩＲは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転（自転）することで、ハンドＨの向きを変更することができる。インデクサロボットＩＲは、受渡位置（図３でインデクサロボットＩＲが描かれている位置）を通る経路２０１において第１方向ＤＲ１に沿って移動する。受渡位置は、平面視したときにインデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとが第１方向ＤＲ１に直交する方向において対向する位置である。インデクサロボットＩＲは、任意のキャリアＣおよびセンターロボットＣＲにそれぞれハンドＨを対向させることができる。ここで、例えば、インデクサロボットＩＲは、ハンドＨを移動させることにより、キャリアＣに基板Ｗを搬入する搬入動作と、キャリアＣから基板Ｗを搬出する搬出動作と、を行うことができる。また、例えば、インデクサロボットＩＲは、センターロボットＣＲと協働して、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲの一方から他方に基板Ｗを移動させる受渡動作を受渡位置で行うことができる。
図３の例では、センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと同様に、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを有している。２つのハンドＨは、異なる高さに配置されている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持することができる。センターロボットＣＲは、各ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、センターロボットＣＲは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転（自転）することで、ハンドＨの向きを変更することができる。センターロボットＣＲは、平面視したときに、複数台の処理ユニット２１に取り囲まれている。センターロボットＣＲは、任意の処理ユニット２１およびインデクサロボットＩＲの何れかにハンドＨを対向させることができる。ここで、例えば、センターロボットＣＲは、ハンドＨを移動させることにより、各処理ユニット２１に基板Ｗを搬入する搬入動作と、各処理ユニット２１から基板Ｗを搬出する搬出動作と、を行うことができる。ここで、各処理ユニット２１は、センターロボットＣＲとの間を遮蔽する開閉式のシャッターを有する。このシャッターは、センターロボットＣＲによる処理ユニット２１への基板Ｗの搬入および処理ユニット２１からの基板Ｗの搬出を行う際に開放される。また、例えば、センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと協働して、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲの一方から他方に基板Ｗを移動させる受渡動作を行うことができる。
また、複数の処理ユニット２１およびセンターロボットＣＲが位置しているボックスの内部空間Ｓｃ０には、この内部空間Ｓｃ０にガス（例えば空気）を供給する部分（ガス供給部分ともいう）２２ａと、内部空間Ｓｃ０の雰囲気の状態を示す指標（例えば、温度など）を検知する部分（センサ部ともいう）２２ｓと、が設けられている。センサ部２２ｓは、ガス供給部分２２ａによる内部空間Ｓｃ０へのガスの供給量を、内部空間Ｓｃ０の雰囲気の状態を示す１つの指標として検出してもよい。ここで、内部空間Ｓｃ０の雰囲気の状態は、処理ユニット２１における基板処理に影響する。このため、センサ部２２ｓは、処理ユニット２１における基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得することができる。
＜１－３－３．液貯留ユニット＞
液貯留ユニット２３は、例えば、複数の処理ユニット２１で使用する処理液Ｌ１（図４など参照）を貯留することができる。この液貯留ユニット２３は、例えば、処理液Ｌ１を貯留することが可能な１つ以上の貯留槽２３ｔを含んでいる。図３の例では、液貯留ユニット２３には、第１貯留槽２３ｔａ、第２貯留槽２３ｔｂおよび第３貯留槽２３ｔｃを含む３つの貯留槽２３ｔが存在している。各貯留槽２３ｔには、例えば、センサ部２３ｓおよび加熱部２３ｈが設けられている。センサ部２３ｓは、貯留槽２３ｔ内の処理液Ｌ１の状態（例えば、濃度、水素イオン指数（ｐＨ）および温度など）を示す物理量を測定するための部分である。この処理液Ｌ１は、処理ユニット２１における基板Ｗの処理に用いられる。そして、処理液Ｌ１は、例えば、時間の経過および使用の程度に応じて劣化し得る。このため、処理液Ｌ１の状態が、処理ユニット２１における基板処理に影響する。すなわち、センサ部２３ｓは、処理ユニット２１における基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得することができる。加熱部２３ｈは、貯留槽２３ｔ内の処理液Ｌ１の温度を調整するための発熱体を含む部分である。発熱体の加熱方式には、例えば、ハロゲンランプによる放射加熱方式、液に直接触れない間接加熱方式あるいは近赤外線光による放射加熱方式などが採用される。図３の例では、第１貯留槽２３ｔａに第１センサ部２３ｓａと第１加熱部２３ｈａとが位置し、第２貯留槽２３ｔｂに第２センサ部２３ｓｂと第２加熱部２３ｈｂとが位置し、第３貯留槽２３ｔｃに第３センサ部２３ｓｃと第３加熱部２３ｈｃとが位置している。ここで、各貯留槽２３ｔには、例えば、処理液Ｌ１を攪拌するための機構が存在していてもよい。また、例えば、１つ以上の貯留槽２３ｔは、各処理ユニット２１に対して、処理液Ｌ１の供給が可能な状態で接続されている。ここで、各貯留槽２３ｔは、複数の処理ユニット２１のうちの全ての処理ユニット２１に接続されていてもよいし、複数の処理ユニット２１のうちの一部の処理ユニット２１に接続されていてもよい。また、ここで、３つの貯留槽２３ｔに、同じ種類の処理液Ｌ１が貯留されていてもよいし、異なる種類の処理液Ｌ１が貯留されていてもよい。換言すれば、第１貯留槽２３ｔａと第２貯留槽２３ｔｂと第３貯留槽２３ｔｃとの間で、同一種類の処理液Ｌ１が貯留されていてもよいし、相互に異なる種類の処理液Ｌ１が貯留されていてもよい。
＜１－３－４．処理ユニット＞
複数の処理ユニット２１は、それぞれ基板Ｗを処理することができる。図３の例では、平面的に配置されている４台の処理ユニット２１でそれぞれ構成されている３組の処理ユニット２１が、上下方向に積層するように位置している。これにより、合計で１２台の処理ユニット２１が存在している。複数の処理ユニット２１は、同種の基板処理を基板Ｗに施すことができる２つ以上の処理ユニット２１を含む。これにより、複数の処理ユニット２１では、同種の基板処理を基板Ｗに並行して施すことができる。
図４は、処理ユニット２１の一構成例を模式的に示す図である。処理ユニット２１は、処理液Ｌ１を用いて基板Ｗに処理を施すことができる。処理ユニット２１では、例えば、平面内で回転している基板Ｗの一主面（上面ともいう）Ｕｓ１上に処理液Ｌ１を供給することで、基板Ｗの上面Ｕｓ１に対して各種処理を施すことができる。処理液Ｌ１には、例えば、粘度が比較的低い水または薬液などの流動性を有する基板の処理に用いるための液体一般が適用される。薬液には、エッチング液または洗浄用薬液が適用される。さらに具体的には、薬液として、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、フッ硝酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤および腐食防止剤のうちの１つ以上を含む液が採用され得る。
図４で示されるように、処理ユニット２１は、例えば、保持部２１１と、回転機構２１２と、処理液供給系２１３と、センサ部２１４と、を有する。
保持部２１１は、例えば、基板Ｗを略水平姿勢で保持して回転させることができる。保持部２１１には、例えば、基板Ｗの上面Ｕｓ１の逆の他の一主面（下面ともいう）Ｂｓ１を真空吸着可能な上面２１１ｕを有する真空チャック、または基板Ｗの周縁部を挟持可能な複数個のチャックピンを有する挟持式のチャックなどが適用される。
回転機構２１２は、例えば、保持部２１１を回転させることができる。回転機構２１２の構成には、例えば、回転支軸２１２ｓと、回転駆動部２１２ｍと、を有する構成が適用される。回転支軸２１２ｓは、例えば、上端部に保持部２１１が連結されており、鉛直方向に沿って延在している。回転駆動部２１２ｍは、例えば、回転支軸２１２ｓを鉛直方向に沿った仮想的な回転軸Ａｘ１を中心として回転させることが可能なモータなどを有する。ここでは、例えば、回転駆動部２１２ｍが、回転軸Ａｘ１を中心として回転支軸２１２ｓを回転させることで、保持部２１１が水平面に沿った姿勢を保持したままで回転する。これにより、例えば、保持部２１１上に保持されている基板Ｗが、回転軸Ａｘ１を中心として回転する。ここで、例えば、基板Ｗの上面Ｕｓ１および下面Ｂｓ１が略円形であれば、回転軸Ａｘ１は、基板Ｗの上面Ｕｓ１および下面Ｂｓ１の中心を通る。
処理液供給系２１３は、例えば、１種類以上の処理液Ｌ１を基板Ｗに向けて吐出することができる。図４の例では、処理液供給系２１３は、第１処理液供給部２１３ａ、第２処理液供給部２１３ｂおよび第３処理液供給部２１３ｃを有する。
第１処理液供給部２１３ａは、例えば、ノズルＮｚ１と、配管部Ｐｐ１と、可動配管部Ａｔ１、吐出バルブＶｖ１と、液送給部Ｓｕ１と、を有する。ノズルＮｚ１は、例えば、保持部２１１に保持された基板Ｗに向けて処理液Ｌ１の１つである第１処理液Ｌ１１を吐出することができる。配管部Ｐｐ１は、液送給部Ｓｕ１とノズルＮｚ１とをつないでおり、第１処理液Ｌ１１が流れる経路を形成している。また、可動配管部Ａｔ１は、配管部Ｐｐ１の途中に位置しており、配管部Ｐｐ１のうちのノズルＮｚ１側の部分を、鉛直方向に沿った軸を中心として回動可能に支持している。そして、例えば、モータなどの駆動部による駆動力によって、基板Ｗ上にノズルＮｚ１が位置している状態（液吐出可能状態ともいう）と、基板Ｗ上にノズルＮｚ１が位置していない状態（退避状態ともいう）と、が切り替わり得る。図４の例では、第１処理液供給部２１３ａが液吐出可能状態にあり、ノズルＮｚ１は、基板Ｗの直上から基板Ｗの上面Ｕｓ１に向けて第１処理液Ｌ１１を吐出することができる。吐出バルブＶｖ１は、例えば、配管部Ｐｐ１の途中に配されており、部分制御ユニットＰＣ２からの信号に応じて開閉することができる。ここでは、例えば、吐出バルブＶｖ１が開放されることで、液送給部Ｓｕ１とノズルＮｚ１とが連通している状態となる。また、例えば、吐出バルブＶｖ１が閉鎖されることで、液送給部Ｓｕ１とノズルＮｚ１とが連通していない状態となる。液送給部Ｓｕ１は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０あるいは部分制御ユニットＰＣ２などからの信号に応じて、例えば、液貯留ユニット２３（ここでは第１貯留槽２３ｔａ）から第１処理液Ｌ１１を配管部Ｐｐ１に向けて送給することができる。液送給部Ｓｕ１には、例えば、ポンプが適用される。
第２処理液供給部２１３ｂは、第１処理液供給部２１３ａと類似した構成を有する。具体的には、第２処理液供給部２１３ｂは、例えば、ノズルＮｚ２と、配管部Ｐｐ２と、可動配管部Ａｔ２、吐出バルブＶｖ２と、液送給部Ｓｕ２と、を有する。ノズルＮｚ２は、例えば、保持部２１１に保持された基板Ｗに向けて処理液Ｌ１の１つである第２処理液Ｌ１２を吐出することができる。配管部Ｐｐ２は、液送給部Ｓｕ２とノズルＮｚ２とをつないでおり、第２処理液Ｌ１２が流れる経路を形成している。また、可動配管部Ａｔ２は、配管部Ｐｐ２の途中に位置しており、配管部Ｐｐ２のうちのノズルＮｚ２側の部分を、鉛直方向に沿った軸を中心として回動可能に支持している。そして、例えば、モータなどの駆動部による駆動力によって、基板Ｗ上にノズルＮｚ２が位置している状態（液吐出可能状態）と、基板Ｗ上にノズルＮｚ２が位置していない状態（退避状態）と、が切り替わり得る。図４の例では、第２処理液供給部２１３ｂが液吐出可能状態にあり、ノズルＮｚ２は、基板Ｗの直上から基板Ｗの上面Ｕｓ１に向けて第２処理液Ｌ１２を吐出することができる。吐出バルブＶｖ２は、例えば、配管部Ｐｐ２の途中に配されており、部分制御ユニットＰＣ２からの信号に応じて開閉することができる。ここでは、例えば、吐出バルブＶｖ２が開放されることで、液送給部Ｓｕ２とノズルＮｚ２とが連通している状態となる。また、例えば、吐出バルブＶｖ２が閉鎖されることで、液送給部Ｓｕ２とノズルＮｚ２とが連通していない状態となる。液送給部Ｓｕ２は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０あるいは部分制御ユニットＰＣ２などからの信号に応じて、液貯留ユニット２３（ここでは第２貯留槽２３ｔｂ）から第２処理液Ｌ１２を配管部Ｐｐ２に向けて送給することができる。液送給部Ｓｕ２には、例えば、ポンプが適用される。
図４には、第１処理液供給部２１３ａおよび第２処理液供給部２１３ｂの両方が液吐出可能状態にある場合が描かれているが、実際には、第１処理液供給部２１３ａおよび第２処理液供給部２１３ｂの両方が退避状態にある状態から、第１処理液供給部２１３ａおよび第２処理液供給部２１３ｂのうちの一方が択一的に液吐出可能状態に切り替わる。また、図４では、第１処理液供給部２１３ａと第２処理液供給部２１３ｂとが、互いに干渉しないように上下にずれた関係を有しているが、第１処理液供給部２１３ａおよび第２処理液供給部２１３ｂの退避状態と液吐出可能状態との間の切り替え動作が適切に同期していれば、第１処理液供給部２１３ａと第２処理液供給部２１３ｂとが上下にずれた関係を有していなくても、互いに干渉しない。
第３処理液供給部２１３ｃは、例えば、ノズルＮｚ３と、配管部Ｐｐ３と、吐出バルブＶｖ３と、液送給部Ｓｕ３と、を有する。ノズルＮｚ３は、例えば、保持部２１１に保持された基板Ｗに向けて処理液Ｌ１の１つである第３処理液Ｌ１３を吐出することができる。図４の例では、ノズルＮｚ３は、基板Ｗの斜め上方から基板Ｗの上面Ｕｓ１に向けて第３処理液Ｌ１３を吐出することができる。配管部Ｐｐ３は、液送給部Ｓｕ３とノズルＮｚ３とをつないでおり、第３処理液Ｌ１３が流れる経路を形成している。吐出バルブＶｖ３は、例えば、配管部Ｐｐ３の途中に配されており、部分制御ユニットＰＣ２からの信号に応じて開閉することができる。ここでは、例えば、吐出バルブＶｖ３が開放されることで、液送給部Ｓｕ３とノズルＮｚ３とが連通している状態となる。また、例えば、吐出バルブＶｖ３が閉鎖されることで、液送給部Ｓｕ３とノズルＮｚ３とが連通していない状態となる。液送給部Ｓｕ３は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０あるいは部分制御ユニットＰＣ２などからの信号に応じて、液貯留ユニット２３（ここでは第３貯留槽２３ｔｃ）から第３処理液Ｌ１３を配管部Ｐｐ３に向けて送給することができる。液送給部Ｓｕ３には、例えば、ポンプが適用される。
ここでは、例えば、第１処理液供給部２１３ａのノズルＮｚ１から基板Ｗに向けた第１処理液Ｌ１１の吐出と、第２処理液供給部２１３ｂのノズルＮｚ２から基板Ｗに向けた第２処理液Ｌ１２の吐出と、第３処理液供給部２１３ｃのノズルＮｚ３から基板Ｗに向けた第３処理液Ｌ１３の吐出と、が順に行われ得る。
ここで、各ノズルＮｚ１～Ｎｚ３から基板Ｗに向けて吐出される処理液Ｌ１は、例えば、基板Ｗの側方から下方にかけて設けられたカップなどで回収され、液貯留ユニット２３の対応する貯留槽２３ｔに戻される。換言すれば、液貯留ユニット２３に貯留されている処理液Ｌ１は、循環するように繰り返して基板処理に使用される。このとき、例えば、処理液Ｌ１は、徐々に劣化する傾向を示す。ここで、処理ユニット２１から液貯留ユニット２３に処理液Ｌ１が戻される際には、フィルタなどで処理液Ｌ１が浄化されてもよい。
また、ここで、例えば、処理ユニット２１に、１～２つあるいは４つ以上の処理液供給部が存在していてもよい。
センサ部２１４は、例えば、処理ユニット２１における基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得することができる。図４の例では、センサ部２１４は、基板Ｗの状態を検出するための膜厚計Ｆｍ０および撮像部２１ｓｂを有する。膜厚計Ｆｍ０には、例えば、光の干渉を利用したものが適用され得る。撮像部２１ｓｂには、例えば、受光素子が平面的に配列されたエリアセンサなどの撮像素子を利用したものが適用される。
膜厚計Ｆｍ０は、例えば、可動部Ａｔ０によって鉛直方向に沿った軸を中心として回転可能に支持されたアーム部Ａｍ１に固定されている。そして、例えば、モータなどの駆動部による駆動力によって、アーム部Ａｍ１が回動することで、基板Ｗ上に膜厚計Ｆｍ０が位置している状態（測定可能状態）と、基板Ｗ上に膜厚計Ｆｍ０が位置していない状態（退避状態）と、が切り替わり得る。膜厚計Ｆｍ０は、例えば、退避状態において、処理液Ｌ１の付着から保護するためのシールドによって保護されてもよい。ここでは、基板Ｗを回転機構２１２で適宜回転させつつ、アーム部Ａｍ１を回動させることで、膜厚計Ｆｍ０が、基板Ｗ上の広い範囲で位置している各種の膜の厚さ（膜厚ともいう）を計測することができる。ここでも、膜厚は、例えば、膜厚の平均値、最小値および最大値の何れであってもよい。ここで、基板Ｗ上に位置している膜としては、例えば、酸化膜、シリコン単結晶層、シリコン多結晶層、アモルファスシリコン層、レジスト膜などの、各種の膜が採用され得る。膜厚計Ｆｍ０は、例えば、処理ユニット２１における処理液Ｌ１による基板Ｗの処理の前後に、基板Ｗ上の膜の膜厚を測定することができる。これにより、処理ユニット２１における基板処理の状況についての１指標としての膜厚に係る信号を取得することができる。膜厚計Ｆｍ０は、例えば、得られた信号を部分制御ユニットＰＣ２に送出する。図４では、測定可能状態において、基板Ｗの上面Ｕｓ１と膜厚計Ｆｍ０との距離が離れているように便宜的に描かれているが、実際には、膜厚計Ｆｍ０は、基板Ｗの上面Ｕｓ１と接近した状態で膜厚の測定を行う。
撮像部２１ｓｂは、例えば、処理ユニット２１における処理液Ｌ１による基板Ｗの処理の前後に、基板Ｗ上の状況を撮像することで、処理ユニット２１における基板処理の状況についての１指標としての基板Ｗの上面Ｕｓ１の状態に係る画像信号を取得することができる。撮像部２１ｓｂは、例えば、得られた画像信号を部分制御ユニットＰＣ２に送出する。
センサ部２１４は、例えば、各ノズルＮｚ１～Ｎｚ３から吐出される処理液Ｌ１の吐出量を検出する流量計、および各ノズルＮｚ１，Ｎｚ２が処理液Ｌ１を吐出した位置（吐出位置ともいう）を検出するセンサ（例えば、角度センサなど）などを含んでいてもよい。
＜１－３－５．本体制御ユニット＞
本体制御ユニットＰＣ０は、例えば、管理用サーバ１０との間におけるデータの送受信および基板処理装置２０の各部の動作などを制御することができる。
図５は、基板処理装置２０における制御系およびデータ送受信系の接続態様を示すブロック図である。ここでは、本体制御ユニットＰＣ０と、予定管理用制御ユニットＰＣ１と、複数の部分制御ユニットＰＣ２と、液管理制御ユニットＰＣ３と、が制御用の通信回線Ｌ０ｃを介して相互に各種の制御用の信号の送受信が可能となるように接続されている。また、本体制御ユニットＰＣ０と、予定管理用制御ユニットＰＣ１と、複数の部分制御ユニットＰＣ２と、液管理制御ユニットＰＣ３と、データストレージＮＡ１と、がデータ用の通信回線Ｌ０ｄを介して相互に各種のデータの送受信が可能に接続されている。制御用の通信回線Ｌ０ｃおよびデータ用の通信回線Ｌ０ｄは、それぞれ有線回線および無線回線の何れであってもよい。
図６（ａ）は、本体制御ユニットＰＣ０の電気的な構成の一例を示すブロック図である。図６（ａ）で示されるように、本体制御ユニットＰＣ０は、例えば、コンピュータなどで実現され、バスラインＢｕ０を介して接続された、通信部Ｐ０１、入力部Ｐ０２、出力部Ｐ０３、記憶部Ｐ０４、制御部Ｐ０５およびドライブＰ０６を有する。
通信部Ｐ０１は、例えば、制御用の通信回線Ｌ０ｃを介した、予定管理用制御ユニットＰＣ１、複数の部分制御ユニットＰＣ２および液管理制御ユニットＰＣ３との間における信号の送受信、ならびにデータ用の通信回線Ｌ０ｄを介した、予定管理用制御ユニットＰＣ１、複数の部分制御ユニットＰＣ２、液管理制御ユニットＰＣ３およびデータストレージＮＡ１との間におけるデータの送受信、が可能な送信部および受信部としての機能を有する。また、通信部Ｐ０１は、例えば、通信回線５を介して管理用サーバ１０からの信号を受信可能な受信部としての機能を有する。
入力部Ｐ０２は、例えば、基板処理装置２０を使用するユーザの動作などに応じた信号を入力することができる。ここで、入力部Ｐ０２には、例えば、上記入力部１２と同様に、操作部、マイクおよび各種センサなどが含まれ得る。入力部Ｐ０２では、例えば、レシピの情報に対する手動の補正を指示する信号を入力することができてもよい。
出力部Ｐ０３は、例えば、各種情報を出力することができる。ここで、出力部Ｐ０３には、例えば、上記出力部１３と同様に、表示部およびスピーカなどが含まれ得る。この表示部は、入力部Ｐ０２の少なくとも一部と一体化されたタッチパネルの形態を有していてもよい。
記憶部Ｐ０４は、例えば、情報を記憶することができる。この記憶部Ｐ０４は、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリなどの不揮発性の記憶媒体で構成され得る。記憶部Ｐ０４では、例えば、１つの記憶媒体を有する構成、２つ以上の記憶媒体を一体的に有する構成、および２つ以上の記憶媒体を２つ以上の部分に分けて有する構成の何れが採用されてもよい。記憶部Ｐ０４は、例えば、プログラムＰｇ０、各種情報Ｄｔ０およびデータベースＤｂ０を記憶する。記憶部Ｐ０４には、後述するメモリＰ０５ｂが含まれてもよい。データベースＤｂ０は、例えば、基板処理装置２０における処理の対象としての各基板Ｗの情報および複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータを含み得る。換言すれば、記憶部Ｐ０４は、例えば、複数のセンサ部２２ｓ，２３ｓ，２１４によって取得された信号に基づいて、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を蓄積したデータベースＤｂ０を記憶することができる。各基板Ｗの情報は、例えば、基板Ｗの形態および基板Ｗに施された処理を示す情報を含み得る。基板Ｗの形態を示す情報は、例えば、基板Ｗにおける１種類以上の膜厚および膜厚の分布などを含み得る。
制御部Ｐ０５は、例えば、プロセッサとして働く演算処理部Ｐ０５ａおよび情報を一時的に記憶するメモリＰ０５ｂなどを含む。演算処理部Ｐ０５ａとしては、例えば、ＣＰＵなどの電子回路が採用され、メモリＰ０５ｂとしては、例えば、ＲＡＭなどが採用され得る。演算処理部Ｐ０５ａは、例えば、記憶部Ｐ０４に記憶されたプログラムＰｇ０を読み込んで実行することで、本体制御ユニットＰＣ０の機能を実現することができる。制御部Ｐ０５における各種情報処理によって一時的に得られる各種情報は、適宜メモリＰ０５ｂなどに記憶され得る。
ドライブＰ０６は、例えば、可搬性の記憶媒体ＲＭ０の脱着が可能な部分である。ドライブＰ０６は、例えば、記憶媒体ＲＭ０が装着されている状態で、この記憶媒体ＲＭ０と制御部Ｐ０５との間におけるデータの授受を行わせることができる。また、ドライブＰ０６は、プログラムＰｇ０が記憶された記憶媒体ＲＭ０がドライブＰ０６に装着された状態で、記憶媒体ＲＭ０から記憶部Ｐ０４内にプログラムＰｇ０を読み込ませて記憶させてもよい。
図６（ｂ）は、演算処理部Ｐ０５ａで実現される機能的な構成の一例を示すブロック図である。図６（ｂ）で示されるように、演算処理部Ｐ０５ａは、実現される機能的な構成として、例えば、情報取得部Ｆ０１、指示部Ｆ０２、記憶制御部Ｆ０３、出力制御部Ｆ０４および送信制御部Ｆ０５を有する。これらの各部での処理におけるワークスペースとして、例えば、メモリＰ０５ｂが使用される。ここで、例えば、演算処理部Ｐ０５ａで実現される機能の少なくとも一部が専用の電子回路で実現されてもよい。
情報取得部Ｆ０１は、例えば、管理用サーバ１０から各種の情報を得ることができる。例えば、情報取得部Ｆ０１は、管理用サーバ１０から、ロードポートＬＰに載置されたキャリアＣに格納された一群の基板Ｗについての情報を得ることができる。ここで、一群の基板Ｗについての情報は、例えば、基板Ｗの枚数、ジョブ、膜厚の情報およびレシピの情報などを含む。ここで、膜厚の情報は、例えば、平均膜厚、膜厚の最小値、膜厚の最大値および膜厚分布などのうちの少なくとも１つ以上の情報を含む。レシピの情報は、例えば、基板処理の流れを規定するフローレシピ、基板Ｗに施す処理の条件を既定するプロセスレシピならびレシピの補正ルールを規定した補正式の情報などを含む。また、情報取得部Ｆ０１は、例えば、各センサ部２２ｓ，２３ｓ，２１４で得られる各種の指標に係る信号に基づくデータを、部分制御ユニットＰＣ２などを経由して得ることができる。
指示部Ｆ０２は、例えば、予定管理用制御ユニットＰＣ１、複数の部分制御ユニットＰＣ２および液管理制御ユニットＰＣ３に各種の指示を行うことができる。指示部Ｆ０２は、例えば、基板処理装置２０における一群の基板Ｗの搬送および処理についてのタイムスケジュールを設定するように予定管理用制御ユニットＰＣ１に指示を行うこと、レシピおよびタイムスケジュールに従った動作を行うように複数の部分制御ユニットＰＣ２に指示を行うこと、処理液Ｌ１の温調、交換およびモニタなどを行うように液管理制御ユニットＰＣ３に指示を行うこと、が可能である。タイムスケジュールは、例えば、搬送ユニット２４による基板Ｗの搬送タイミングおよび複数の処理ユニット２１による基板Ｗの処理タイミングなどを規定する。これにより、例えば、複数の処理ユニット２１は、基板Ｗに施す処理の条件を既定するレシピに応じて基板Ｗに処理を施すことができる。第１実施形態では、例えば、複数の処理ユニット２１のうちの２つ以上の処理ユニット２１において、同様なプロセスレシピに応じて基板Ｗに同種の処理を並行して施すことができる。ここで、同種の処理は、処理ユニット２１内において同一の１種類以上の処理液Ｌ１を用いて同一の手順で基板Ｗに処理を施す処理を意味する。そして、例えば、後述するレシピの補正によって処理液Ｌ１を用いた基板Ｗに対する処理時間が増減しても、処理ユニット２１内において同一の１種類以上の処理液Ｌ１を用いて同一の手順で基板Ｗに処理を施すものであれば、同種の処理と言える。
記憶制御部Ｆ０３は、例えば、情報取得部Ｆ０１で得られた情報を、記憶部Ｐ０４に記憶させることができる。これにより、記憶部Ｐ０４では、例えば、レシピの情報およびタイムスケジュールの情報などが各種情報Ｄｔ０を構成し、各センサ部２２ｓ，２３ｓ，２１４で得られる各種の指標に係るデータが蓄積されることでデータベースＤｂ０が構築される。データベースＤｂ０では、例えば、各種の指標が得られた場所およびタイミングならびに各種の指標が得られた際に処理対象であった基板Ｗの情報などが、指標に係るデータと関連づけられた状態で記憶される。
出力制御部Ｆ０４は、例えば、基板処理装置２０の状態についての情報を出力部Ｐ０３に可視的あるいは可聴的に出力させることができる。
送信制御部Ｆ０５は、例えば、管理用サーバ１０への各種の情報の送信を通信部Ｐ０１に実行させることができる。ここで、各種の情報には、例えば、基板処理装置２０における各キャリアＣの一群の基板Ｗに対する処理の結果に係る情報、ならびにデータベースＤｂ０に格納された各種の指標に係るデータが含まれ得る。また、送信制御部Ｆ０５は、例えば、複数の部分制御ユニットＰＣ２へのレシピの情報の送信を通信部Ｐ０１に実行させることができる。
＜１－３－６．予定管理用制御ユニット＞
予定管理用制御ユニットＰＣ１は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０からの指示に応じて、キャリアＣに格納された一群の基板Ｗについて、レシピの補正ならびにレシピに応じたタイムスケジュールの設定を行うことができる。タイムスケジュールは、例えば、搬送ユニット２４によってキャリアＣに格納された一群の基板Ｗを構成する複数の基板Ｗを複数の処理ユニット２１に順に搬送するタイミングと、これらの複数の基板Ｗに処理を施すタイミングと、を規定する。
図７（ａ）は、予定管理用制御ユニットＰＣ１の電気的な構成の一例を示すブロック図である。図７（ａ）で示されるように、予定管理用制御ユニットＰＣ１は、例えば、コンピュータなどで実現され、バスラインＢｕ１を介して接続された、通信部Ｐ１１、記憶部Ｐ１４および制御部Ｐ１５を有する。
通信部Ｐ１１は、例えば、制御用の通信回線Ｌ０ｃを介した、本体制御ユニットＰＣ０などとの間における信号の送受信、ならびにデータ用の通信回線Ｌ０ｄを介した、本体制御ユニットＰＣ０およびデータストレージＮＡ１との間におけるデータの送受信、が可能な送信部および受信部としての機能を有する。
記憶部Ｐ１４は、例えば、情報を記憶することができる。この記憶部Ｐ１４は、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリなどの不揮発性の記憶媒体で構成され得る。記憶部Ｐ１４では、例えば、１つの記憶媒体を有する構成、２つ以上の記憶媒体を一体的に有する構成、および２つ以上の記憶媒体を２つ以上の部分に分けて有する構成の何れが採用されてもよい。記憶部Ｐ１４は、例えば、プログラムＰｇ１および各種情報Ｄｔ１を記憶する。記憶部Ｐ１４には、後述するメモリＰ１５ｂが含まれてもよい。
制御部Ｐ１５は、例えば、プロセッサとして働く演算処理部Ｐ１５ａおよび情報を一時的に記憶するメモリＰ１５ｂなどを含む。演算処理部Ｐ１５ａとしては、例えば、ＣＰＵなどの電子回路が採用され、メモリＰ１５ｂとしては、例えば、ＲＡＭなどが採用され得る。演算処理部Ｐ１５ａは、例えば、記憶部Ｐ１４に記憶されたプログラムＰｇ１を読み込んで実行することで、予定管理用制御ユニットＰＣ１の機能を実現することができる。制御部Ｐ１５における各種情報処理によって一時的に得られる各種情報は、適宜メモリＰ１５ｂなどに記憶され得る。
図７（ｂ）は、演算処理部Ｐ１５ａで実現される機能的な構成の一例を示すブロック図である。図７（ｂ）で示されるように、演算処理部Ｐ１５ａは、実現される機能的な構成として、例えば、レシピ取得部Ｆ１１、情報取得部Ｆ１２、第１補正部Ｆ１３、スケジュール設定部Ｆ１４および送信制御部Ｆ１５を有する。これらの各部での処理におけるワークスペースとして、例えば、メモリＰ１５ｂが使用される。ここで、例えば、演算処理部Ｐ１５ａで実現される機能の少なくとも一部が専用の電子回路で実現されてもよい。
レシピ取得部Ｆ１１は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０からの指示に応答して、本体制御ユニットＰＣ０からロードポートＬＰに載置されたキャリアＣに格納された一群の基板Ｗに対するレシピの情報を取得することができる。
情報取得部Ｆ１２は、例えば、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を、データストレージＮＡ１から得ることができる。また、情報取得部Ｆ１２は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０からキャリアＣに格納された一群の基板Ｗにおける各基板Ｗの情報を得てもよい。なお、情報取得部Ｆ１２は、例えば、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を、本体制御ユニットＰＣ０から得てもよい。
第１補正部Ｆ１３は、例えば、複数の処理ユニット２１を用いた一群の基板Ｗに対する処理について、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、レシピを一括して補正する第１レシピ補正を行うことができる。これにより、例えば、複数の処理ユニット２１において同種の処理が施される複数の基板Ｗについて、レシピが同様に補正され得る。
ここで、第１補正部Ｆ１３では、例えば、レシピに付随する補正式に１種類以上の指標に係る数値を適用することで、レシピを補正することができる。１種類以上の指標に係る数値は、例えば、内部空間Ｓｃ０における雰囲気の状態を示す指標の数値（雰囲気の温度、ガスの供給量）、処理液Ｌ１の状態を示す指標の数値（例えば、濃度、ｐＨおよび温度など）、基板Ｗの状態を示す指標の数値（例えば、処理前後の膜厚、エッチング速度、基板表面のムラの度合い）などを含み得る。例えば、プロセスレシピで規定する基板Ｗに施す処理の条件の１つである処理時間に、１種類以上の指標の数値に応じた係数が乗算されるような態様が考えられる。具体的には、例えば、プロセスレシピで規定される標準の処理時間が１００である場合に、処理液Ｌ１の濃度もしくは温度が低下したことに応じて、第１レシピ補正において、処理時間１００に係数１．１が乗算されて、処理時間が１１０（＝１００×１．１）とされるような態様が考えられる。このとき、例えば、補正式は、処理液Ｌ１の状態の変化の予測も含めた式であってもよい。
ここで、第１補正部Ｆ１３は、例えば、１種類以上の指標に係るデータ群と、本体制御ユニットＰＣ０から得たキャリアＣに格納された一群の基板Ｗにおける各基板Ｗの情報と、に基づいて、レシピを補正してもよい。
スケジュール設定部Ｆ１４は、例えば、レシピに応じて、タイムスケジュールの設定を行うことができる。ここで、例えば、第１補正部Ｆ１３でレシピが補正されれば、スケジュール設定部Ｆ１４は、第１補正部Ｆ１３でレシピの補正（第１レシピ補正）が行われた後のレシピに応じて、タイムスケジュールの設定を行う。これにより、例えば、基板処理装置２０内における一群の基板Ｗの搬送および処理が効率良く行われ得る。その結果、例えば、基板処理装置２０におけるスループットが向上し得る。
送信制御部Ｆ１５は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０への各種の情報の送信を通信部Ｐ１１に実行させることができる。ここで、各種の情報は、例えば、第１補正部Ｆ１３で補正された補正後のレシピの情報などを含み得る。
＜１－３－７．部分制御ユニット＞
複数の部分制御ユニットＰＣ２は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０からの指示に応じて、複数の処理ユニット２１および搬送ユニット２４の動作を制御することができる。第１実施形態では、処理ユニット２１ごとに専用の部分制御ユニットＰＣ２が設けられ、搬送ユニット２４にも専用の部分制御ユニットＰＣ２が設けられている。処理ユニット２１の部分制御ユニットＰＣ２は、例えば、処理ユニット２１の各部の動作および状態を適宜モニタしながら、処理ユニット２１の各部の動作を制御することができる。搬送ユニット２４の部分制御ユニットＰＣ２は、例えば、搬送ユニット２４の各部の動作および状態を適宜モニタしながら、搬送ユニット２４の各部の動作を制御することができる。なお、例えば、２つ以上の処理ユニット２１に１つの部分制御ユニットＰＣ２が設けられてもよいし、搬送ユニット２４の動作は、本体制御ユニットＰＣ０によって制御されてもよい。
図８（ａ）は、部分制御ユニットＰＣ２の電気的な構成の一例を示すブロック図である。図８（ａ）で示されるように、部分制御ユニットＰＣ２は、例えば、コンピュータなどで実現され、バスラインＢｕ２を介して接続された、通信部Ｐ２１、記憶部Ｐ２４および制御部Ｐ２５を有する。
通信部Ｐ２１は、例えば、制御用の通信回線Ｌ０ｃを介した、本体制御ユニットＰＣ０などとの間における信号の送受信、ならびにデータ用の通信回線Ｌ０ｄを介した、本体制御ユニットＰＣ０およびデータストレージＮＡ１との間におけるデータの送受信、が可能な送信部および受信部としての機能を有する。
記憶部Ｐ２４は、例えば、情報を記憶することができる。この記憶部Ｐ２４は、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリなどの不揮発性の記憶媒体で構成され得る。記憶部Ｐ２４では、例えば、１つの記憶媒体を有する構成、２つ以上の記憶媒体を一体的に有する構成、および２つ以上の記憶媒体を２つ以上の部分に分けて有する構成の何れが採用されてもよい。記憶部Ｐ２４は、例えば、プログラムＰｇ２および各種情報Ｄｔ２を記憶する。記憶部Ｐ２４には、後述するメモリＰ２５ｂが含まれてもよい。
制御部Ｐ２５は、例えば、プロセッサとして働く演算処理部Ｐ２５ａおよび情報を一時的に記憶するメモリＰ２５ｂなどを含む。演算処理部Ｐ２５ａとしては、例えば、ＣＰＵなどの電子回路が採用され、メモリＰ２５ｂとしては、例えば、ＲＡＭなどが採用され得る。演算処理部Ｐ２５ａは、例えば、記憶部Ｐ２４に記憶されたプログラムＰｇ２を読み込んで実行することで、部分制御ユニットＰＣ２の機能を実現することができる。制御部Ｐ２５における各種情報処理によって一時的に得られる各種情報は、適宜メモリＰ２５ｂなどに記憶され得る。
図８（ｂ）は、演算処理部Ｐ２５ａで実現される機能的な構成の一例を示すブロック図である。図８（ｂ）で示されるように、演算処理部Ｐ２５ａは、実現される機能的な構成として、例えば、レシピ取得部Ｆ２１、情報取得部Ｆ２２、第２補正部Ｆ２３、ユニット制御部Ｆ２４および送信制御部Ｆ２５を有する。これらの各部での処理におけるワークスペースとして、例えば、メモリＰ２５ｂが使用される。ここで、例えば、演算処理部Ｐ２５ａで実現される機能の少なくとも一部が専用の電子回路で実現されてもよい。
レシピ取得部Ｆ２１は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０からレシピを取得することができる。ここで取得されるレシピは、例えば、プロセスレシピであっても、フローレシピであってもよい。
情報取得部Ｆ２２は、例えば、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を、データストレージＮＡ１から得ることができる。
第２補正部Ｆ２３は、例えば、複数の処理ユニット２１のうちの１つ以上の処理ユニット２１を用いた一群の基板Ｗのうちの少なくとも１枚以上の基板Ｗに対する処理について、情報取得部Ｆ２２で得られた複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、レシピの少なくとも一部の補正（第２レシピ補正ともいう）を行うことができる。ここでは、第２補正部Ｆ２３は、例えば、複数の処理ユニット２１のうちの一部の処理ユニット２１を用いた一群の基板Ｗのうちの一部の基板Ｗに対する処理について、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、レシピの一部を補正することができる。第１実施形態では、例えば、複数の処理ユニット２１のうちの一部の処理ユニット２１は、１つの処理ユニット２１であり、一群の基板Ｗのうちの一部の基板Ｗは、１枚の基板Ｗであればよい。また、第２レシピ補正が実施されるタイミングは、例えば、一群の基板Ｗに対する第１レシピ補正が行われた後であって、この一群の基板Ｗのうちの１枚の基板Ｗに１つの処理ユニット２１を用いて処理を施す前であればよい。例えば、一群の基板Ｗのうちの１枚の基板Ｗの直前に１つの処理ユニット２１を用いた１枚の基板Ｗに対する処理が完了したことに応答して、第２レシピ補正が実行される態様が考えられる。これにより、例えば、２つ以上の処理ユニット２１が基板Ｗに同種の処理を並行して順に施すような場合に、基板Ｗごとにレシピがリアルタイムに近い状態で補正され得る。
ここで、第２補正部Ｆ２３では、例えば、第１補正部Ｆ１３と同様に、レシピに付随する補正式に１種類以上の指標の数値を適用することで、レシピを補正することができる。ここで適用される指標の数値は、例えば、第２レシピ補正が実施される前に各センサ部２２ｓ，２３ｓ，２１４などによって取得された最新の指標に基づくものであればよい。ここでは、例えば、２つ以上の処理ユニット２１が基板Ｗに同種の処理を並行して施す場合には、最も直近に基板Ｗに対する処理が完了した処理ユニット２１における基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、レシピの一部が補正されてもよい。そして、第２補正部Ｆ２３による第２レシピ補正では、具体的には、例えば、第１レシピ補正が行われた後のプロセスレシピで規定される処理時間が１１０である場合に、処理液Ｌ１の濃度もしくは温度が低下したことに応じて、第２レシピ補正において、処理時間１１０に係数１．１が乗算されて、処理時間が１２１（＝１１０×１．１）とされるような態様が考えられる。
このような第２レシピ補正により、例えば、複数の処理ユニット２１のうちの他の処理ユニット２１における基板処理の状況も加味して、一群の基板Ｗの一部の基板Ｗに対して基板Ｗに施す処理の条件を規定するレシピが補正され得る。これにより、例えば、基板処理装置２０の各処理ユニット２１における基板処理の精度が向上し得る。また、例えば、第１レシピ補正によって一群の基板Ｗに対してレシピが一括で補正された後に、第２レシピ補正によって一群の基板Ｗのうちの一部の基板Ｗに対してレシピがさらに補正される。このため、例えば、一群の基板Ｗに対するレシピの一括のある程度の補正（第１レシピ補正）と、一部の基板Ｗに対するリアルタイムに近い状態のレシピの補正（第２レシピ補正）と、を含む２段階のレシピの補正が行われ得る。これにより、例えば、状況に即した高精度の処理を基板に施すことが容易に実施され得る。
ユニット制御部Ｆ２４は、例えば、第２補正部Ｆ２３によって第２レシピ補正が施された後のプロセスレシピに基づいて、処理ユニット２１によって基板Ｗに対する処理を実行させることができる。処理ユニット２１では、ユニット制御部Ｆ２４は、例えば、センサ部２１４の動作を制御することができる。また、搬送ユニット２４のユニット制御部Ｆ２４は、例えば、センサ部２２ｓの動作を制御することができる。センサ部２１４およびセンサ部２２ｓの動作の条件は、例えば、レシピで規定されていてもよい。これにより、センサ部２１４およびセンサ部２２ｓが、処理ユニット２１における基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得することができる。このとき、ユニット制御部Ｆ２４は、例えば、センサ部２１４およびセンサ部２２ｓから１種類以上の指標に係る信号を取得することができる。ここでは、ユニット制御部Ｆ２４は、例えば、処理前後の膜厚および処理時間から、１種類以上の指標に係る信号に基づく数値として、エッチング速度を算出してもよい。このとき、処理前の膜厚は、例えば、センサ部２１４で得た基板Ｗの膜厚であってもよいし、本体制御ユニットＰＣ０が管理用サーバ１０から得た基板Ｗの膜厚であってもよい。また、例えば、本体制御ユニットＰＣ０は、センサ部２１４から得られる画像信号に対して画像処理を施すことで、１種類以上の指標に係る信号に基づく数値として、基板Ｗの表面のムラの度合いなどを示す数値を算出してもよい。
送信制御部Ｆ２５は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０およびデータストレージＮＡ１への各種の情報の送信を通信部Ｐ２１に実行させることができる。ここで、本体制御ユニットＰＣ０に送信する各種の情報は、例えば、基板処理が完了した旨の情報、実際に基板Ｗに施した処理の履歴（プロセスログ）、第２補正部Ｆ２３で補正された補正後のレシピの情報およびセンサ部２２ｓ，２１４を用いて取得された１種類以上の指標に係るデータなどを含み得る。また、データストレージＮＡ１へ送信する各種の情報は、例えば、センサ部２２ｓ，２１４を用いて取得された１種類以上の指標に係るデータなどを含み得る。
＜１－３－８．液管理制御ユニット＞
液管理制御ユニットＰＣ３は、例えば、液貯留ユニット２３に含まれている各部の動作を制御することで、液貯留ユニット２３内の処理液Ｌ１の状態を管理することができる。
図９（ａ）は、液管理制御ユニットＰＣ３の電気的な構成の一例を示すブロック図である。図９（ａ）で示されるように、液管理制御ユニットＰＣ３は、例えば、コンピュータなどで実現され、バスラインＢｕ３を介して接続された、通信部Ｐ３１、記憶部Ｐ３４、制御部Ｐ３５を有する。
通信部Ｐ３１は、例えば、制御用の通信回線Ｌ０ｃを介した、本体制御ユニットＰＣ０などとの間における信号の送受信、ならびにデータ用の通信回線Ｌ０ｄを介した、本体制御ユニットＰＣ０およびデータストレージＮＡ１との間におけるデータの送受信、が可能な送信部および受信部としての機能を有する。
記憶部Ｐ３４は、例えば、情報を記憶することができる。この記憶部Ｐ３４は、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリなどの不揮発性の記憶媒体で構成され得る。記憶部Ｐ３４では、例えば、１つの記憶媒体を有する構成、２つ以上の記憶媒体を一体的に有する構成、および２つ以上の記憶媒体を２つ以上の部分に分けて有する構成の何れが採用されてもよい。記憶部Ｐ３４は、例えば、プログラムＰｇ３および各種情報Ｄｔ３を記憶する。記憶部Ｐ３４には、後述するメモリＰ３５ｂが含まれてもよい。
制御部Ｐ３５は、例えば、プロセッサとして働く演算処理部Ｐ３５ａおよび情報を一時的に記憶するメモリＰ３５ｂなどを含む。演算処理部Ｐ３５ａとしては、例えば、ＣＰＵなどの電子回路が採用され、メモリＰ３５ｂとしては、例えば、ＲＡＭなどが採用され得る。演算処理部Ｐ３５ａは、例えば、記憶部Ｐ３４に記憶されたプログラムＰｇ３を読み込んで実行することで、液管理制御ユニットＰＣ３の機能を実現することができる。制御部Ｐ３５における各種情報処理によって一時的に得られる各種情報は、適宜メモリＰ３５ｂなどに記憶され得る。
図９（ｂ）は、演算処理部Ｐ３５ａで実現される機能的な構成の一例を示すブロック図である。図９（ｂ）で示されるように、演算処理部Ｐ３５ａは、実現される機能的な構成として、例えば、情報取得部Ｆ３１、ユニット制御部Ｆ３２および送信制御部Ｆ３３を有する。これらの各部での処理におけるワークスペースとして、例えば、メモリＰ３５ｂが使用される。ここで、例えば、演算処理部Ｐ３５ａで実現される機能の少なくとも一部が専用の電子回路で実現されてもよい。
情報取得部Ｆ３１は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０からの各種の指示を取得することができる。各種の指示は、例えば、処理液Ｌ１の温調、交換およびモニタなどを行う指示を含む。
ユニット制御部Ｆ３２は、例えば、液貯留ユニット２３における動作を制御することができる。ユニット制御部Ｆ３２は、例えば、各貯留槽２３ｔのセンサ部２３ｓに、処理液Ｌ１の状態を示す物理量に係る信号を取得させることができる。これにより、センサ部２３ｓが、処理ユニット２１における基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得することができる。また、ユニット制御部Ｆ３２は、例えば、各貯留槽２３ｔ内の処理液Ｌ１を加熱部ＨＲによって加熱させることができる。なお、例えば、各貯留槽２３ｔが、処理液Ｌ１を自動で交換する液交換部を有する場合には、ユニット制御部Ｆ３２は、液交換部によって各貯留槽２３ｔ内の処理液Ｌ１を交換させることができる。
送信制御部Ｆ３３は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０およびデータストレージＮＡ１への各種の情報の送信を通信部Ｐ３１に実行させることができる。ここで、本体制御ユニットＰＣ０に送信する各種の情報は、例えば、センサ部２３ｓを用いて取得された１種類以上の指標に係る情報、ならびに各貯留槽２３ｔにおける液交換からの経過時間および処理液Ｌ１の使用回数の情報、などを含む。データストレージＮＡ１に送信する各種の情報は、例えば、センサ部２３ｓを用いて取得した１種類以上の指標に係る情報などを含む。
＜１－３－９．データストレージ＞
データストレージＮＡ１は、例えば、各センサ部２２ｓ，２３ｓ，２１４などによって取得された信号に基づいて、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を記憶することができる。データストレージＮＡ１には、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリなどの不揮発性の記憶媒体が適用されてもよいし、ＲＡＭなどの揮発性の記憶媒体が適用されてもよい。
図１０は、データストレージＮＡ１に記憶されるデータ群ＤＧ１の内容の一例を示す図である。図１０で示されるように、データ群ＤＧ１は、例えば、内部空間Ｓｃ０における雰囲気の状態を示す指標の数値（例えば、雰囲気の温度、ガスの供給量など）、処理液Ｌ１の状態を示す指標の数値（例えば、濃度、ｐＨおよび温度など）、基板Ｗの状態を示す指標の数値（例えば、処理前後の膜厚、エッチング速度、基板表面のムラの度合い）、などを含み得る。また、データ群ＤＧ１は、例えば、処理液Ｌ１の吐出状態を示す指標の数値（吐出量、吐出位置など）を含んでもよい。ここで、データストレージＮＡ１では、例えば、データ群ＤＧ１に含まれる各種のデータが、上書きされることで、最新の指標に係るデータとされる。
＜１－４．レシピ補正動作＞
図１１は、第１レシピ補正に係る動作フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、本体制御ユニットＰＣ０の演算処理部Ｐ０５ａでプログラムＰｇ０が実行され、予定管理用制御ユニットＰＣ１の演算処理部Ｐ１５ａでプログラムＰｇ１が実行されることにより、本体制御ユニットＰＣ０と予定管理用制御ユニットＰＣ１とが協働して、第１レシピ補正に係る動作についての動作フローを実現する。
まず、図１１のステップＳｐ１では、本体制御ユニットＰＣ０の情報取得部Ｆ０１が管理用サーバ１０からジョブを取得したか否か判定する。ここでは、例えば、情報取得部Ｆ０１は、一群の基板Ｗが格納されたキャリアＣがロードポートＬＰに載置されたことに応答して、管理用サーバ１０からキャリアＣの格納された一群の基板Ｗについてのジョブを得るまで、ステップＳｐ１の判定を繰り返す。そして、情報取得部Ｆ０１がジョブを得れば、ステップＳｐ２に進む。
ステップＳｐ２では、本体制御ユニットＰＣ０の情報取得部Ｆ０１がステップＳｐ１で得たジョブに応じたレシピを含む一群の基板Ｗについての情報を管理用サーバ１０から取得する。このとき、その一群の基板Ｗについての情報を予定管理用制御ユニットＰＣ１のレシピ取得部Ｆ１１が取得する。
ステップＳｐ３では、予定管理用制御ユニットＰＣ１の情報取得部Ｆ１２が、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を、データストレージＮＡ１から得る。
ステップＳｐ４では、予定管理用制御ユニットＰＣ１の第１補正部Ｆ１３が、一群の基板Ｗについて、ステップＳｐ３で得られた複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、第１レシピ補正を行う。ここでは、第１補正部Ｆ１３は、複数の処理ユニット２１を用いた一群の基板Ｗに対する処理について、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、レシピを一括して補正する。これにより、例えば、２つ以上の処理ユニット２１において同種の処理が施される複数の基板Ｗについて、レシピが同様に補正され得る。
ステップＳｐ５では、予定管理用制御ユニットＰＣ１のスケジュール設定部Ｆ１４が、レシピに応じて、タイムスケジュールの設定を行う。ここで、ステップＳｐ４において、第１レシピ補正によってレシピが補正されていれば、スケジュール設定部Ｆ１４は、ステップＳｐ４で第１レシピ補正が行われた後のレシピに応じて、タイムスケジュールの設定を行う。
ステップＳｐ６では、予定管理用制御ユニットＰＣ１の送信制御部Ｆ１５が、本体制御ユニットＰＣ０へ、ステップＳｐ４で補正した補正後のレシピおよびステップＳｐ５で設定したタイムスケジュールなどの情報を送信する。
ステップＳｐ７では、本体制御ユニットＰＣ０の指示部Ｆ０２が、レシピおよびタイムスケジュールに従った動作を行うように複数の部分制御ユニットＰＣ２に指示を行う。これにより、第１レシピ補正が行われた後のレシピおよびこのレシピに応じたタイムスケジュールに応じて、複数の処理ユニット２１において基板Ｗに処理を施すことができる。
図１２は、第２レシピ補正に係る動作フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、処理ユニット２１の部分制御ユニットＰＣ２における演算処理部Ｐ２５ａが、プログラムＰｇ２を実行することにより、第２レシピ補正に係る動作フローを実現する。
まず、図１２のステップＳｐ１１では、部分制御ユニットＰＣ２のユニット制御部Ｆ２４が、処理ユニット２１における基板Ｗの処理が終了したか否か判定する。ここでは、ユニット制御部Ｆ２４は、処理ユニット２１においてプロセスレシピに従った基板Ｗの処理が終了するまで、ステップＳｐ１１の判定を繰り返す。そして、ユニット制御部Ｆ２４は、処理ユニット２１においてプロセスレシピに従った基板Ｗの処理が終了すれば、ステップＳｐ１２に進む。
ステップＳｐ１２では、部分制御ユニットＰＣ２の情報取得部Ｆ２２が、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を、データストレージＮＡ１から得る。
ステップＳｐ１３では、部分制御ユニットＰＣ２の第２補正部Ｆ２３が、ステップＳｐ１１において処理ユニット２１での処理が終了した基板Ｗの次にこの処理ユニット２１で処理される基板Ｗについて、ステップＳｐ１２で得られた複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、第２レシピ補正を行う。これにより、例えば、２つ以上の処理ユニット２１が基板Ｗに同種の処理を並行して順に施すような場合に、基板Ｗごとにレシピがリアルタイムに近い状態で補正され得る。
ステップＳｐ１４では、処理ユニット２１における部分制御ユニットＰＣ２のユニット制御部Ｆ２４が、処理ユニット２１においてレシピに応じた動作を実行させる。ここで、ステップＳｐ１３において、第２レシピ補正によってレシピが補正されていれば、ユニット制御部Ｆ２４は、ステップＳｐ１３で第２レシピ補正が行われた後のレシピに応じて、処理ユニット２１の動作を制御する。
＜１－５．第１実施形態のまとめ＞
以上のように、第１実施形態に係る基板処理システム１では、例えば、基板処理装置２０において、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、複数の処理ユニット２１のうちの少なくとも１つ以上の処理ユニット２１を用いた一群の基板Ｗのうちの少なくとも１枚以上の基板Ｗに対する処理について、レシピの少なくとも一部を補正する。これにより、例えば、複数の処理ユニット２１における基板処理の状況に応じて、基板Ｗに施す処理の条件を既定するレシピを補正することができ、状況に即した処理を基板Ｗに施すことができる。その結果、例えば、基板処理装置２０の各処理ユニット２１における基板処理の精度が向上し得る。
＜２．その他＞
本発明は上述の第１実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
上記第１実施形態において、例えば、第２レシピ補正によってタイムスケジュールに何らかの不具合が生じる場合には、タイムスケジュールを再設定してもよい。この場合には、例えば、予定管理用制御ユニットＰＣ１が、第２レシピ補正が行われた後のレシピに応じて、タイムスケジュールを再設定してもよい。これにより、例えば、複数の処理ユニット２１に、複数の基板Ｗを順に搬送して、複数の処理ユニット２１において複数の基板Ｗに順に処理を行う場合に生じ得る不具合が防止される。
図１３は、タイムスケジュールの再設定に係る動作フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、本体制御ユニットＰＣ０の演算処理部Ｐ０５ａでプログラムＰｇ０が実行され、予定管理用制御ユニットＰＣ１の演算処理部Ｐ１５ａでプログラムＰｇ１が実行されることにより、本体制御ユニットＰＣ０と予定管理用制御ユニットＰＣ１とが協働して、タイムスケジュールの再設定に係る動作フローを実現する。本動作フローは、例えば、第２レシピ補正が行われる度に実行される。
図１３のステップＳｐ２１では、予定管理用制御ユニットＰＣ１の演算処理部Ｐ１５ａが、タイムスケジュールに不具合があるか否か判定する。ここでは、予定管理用制御ユニットＰＣ１は、現在のタイムスケジュールに、一部の処理ユニット２１に対する第２レシピ補正後のレシピを適用した場合に、不具合が生じるか否か判定する。
図１４は、タイムスケジュールの一例を示す図である。図１５は、タイムスケジュールに不具合が生じる一例を示す図である。図１６は、再設定後のタイムスケジュールの一例を示す図である。図１４から図１６では、横軸が時間の経過を示し、上から順に、インデクサロボットＩＲによるキャリアＣからセンターロボットＣＲへの基板Ｗの搬送タイミング、センターロボットＣＲによる処理ユニット２１への基板Ｗの搬送タイミング、第１の処理ユニット２１によって基板Ｗに処理が施されるタイミング、第２の処理ユニット２１によって基板Ｗに処理が施されるタイミング、および液貯留ユニット２３から第１の処理ユニット２１および第２の処理ユニット２１へ第１処理液Ｌ１１が供給されるタイミング、が示されている。
図１４で示されるタイムスケジュールによれば、例えば、時刻ｔ０にインデクサロボットＩＲがキャリアＣから第１の基板Ｗを搬出して、時刻ｔ０～ｔ１にインデクサロボットＩＲが第１の基板Ｗを搬送し、時刻ｔ１にインデクサロボットＩＲが第１の基板ＷをセンターロボットＣＲに受け渡す。時刻ｔ１～ｔ２にセンターロボットＣＲが第１の基板Ｗを搬送し、時刻ｔ２にセンターロボットＣＲが第１の基板Ｗを第１の処理ユニット２１に受け渡す。そして、時刻ｔ２～ｔ８に第１の処理ユニット２１が第１の基板Ｗに処理を施す。このとき、時刻ｔ３～ｔ６に液貯留ユニット２３が第１の処理ユニット２１に第１処理液Ｌ１１を供給する。一方、時刻ｔ３にインデクサロボットＩＲがキャリアＣから第２の基板Ｗを搬出して、時刻ｔ３～ｔ４にインデクサロボットＩＲが第２の基板Ｗを搬送し、時刻ｔ４にインデクサロボットＩＲが第２の基板ＷをセンターロボットＣＲに受け渡す。時刻ｔ４～ｔ５にセンターロボットＣＲが第２の基板Ｗを搬送し、時刻ｔ５にセンターロボットＣＲが第２の基板Ｗを第２の処理ユニット２１に受け渡す。そして、時刻ｔ５～ｔ１１に第２の処理ユニット２１が第２の基板Ｗに処理を施す。このとき、時刻ｔ６～ｔ９にかけて液貯留ユニット２３が第２の処理ユニット２１に第１処理液Ｌ１１を供給する。
ここで、例えば、図１５で示されるように、図１４で示されたタイムスケジュールをベースとして、第１の処理ユニット２１が第１の基板Ｗに処理を施す期間が、時刻ｔ２～ｔ８の期間から、時刻ｔ２～ｔ９の期間に延長され、液貯留ユニット２３が第１の処理ユニット２１に第１処理液Ｌ１１を供給する期間が、時刻ｔ３～ｔ６の期間から、時刻ｔ３～ｔ７の期間に延長されるように、第２レシピ補正が行われた場合を想定する。この場合には、時刻ｔ６～ｔ７の期間において、液貯留ユニット２３が第１の処理ユニット２１に第１処理液Ｌ１１を供給する期間（時刻ｔ３～ｔ７）と、液貯留ユニット２３が第２の処理ユニット２１に第１処理液Ｌ１１を供給する期間（時刻ｔ６～ｔ９）と、が重なる。ここで、例えば、仮に、液貯留ユニット２３が第１処理液Ｌ１１を１つの処理ユニット２１にしか供給することができない構成であれば、図１５で示されるタイムスケジュールは実現不可能なタイムスケジュールとなる。すなわち、タイムスケジュールに不具合が生じている。
ステップＳｐ２１では、予定管理用制御ユニットＰＣ１の演算処理部Ｐ１５ａが、タイムスケジュールに不具合があるものと判定すれば、ステップＳｐ２２に進み、タイムスケジュールに不具合がないものと判定すれば、本動作フローを終了する。
ステップＳｐ２２では、予定管理用制御ユニットＰＣ１のスケジュール設定部Ｆ１４が、第２レシピ補正が行われた後のレシピを加味して、タイムスケジュールを再設定する。例えば、図１５で示されたタイムスケジュールの不具合が発生している場合には、図１６で示されるように、２枚目の基板Ｗの搬送および処理が行われる時刻を少し後ろにずらすことで、タイムスケジュールの不具合が解消されるように、タイムスケジュールを再設定する。具体的には、時刻ｔ４にインデクサロボットＩＲがキャリアＣから第２の基板Ｗを搬出して、時刻ｔ４～ｔ５にインデクサロボットＩＲが第２の基板Ｗを搬送し、時刻５にインデクサロボットＩＲが第２の基板ＷをセンターロボットＣＲに受け渡す。時刻ｔ５～ｔ６にセンターロボットＣＲが第２の基板Ｗを搬送し、時刻ｔ６にセンターロボットＣＲが第２の基板Ｗを第２の処理ユニット２１に受け渡す。そして、時刻ｔ６～ｔ１２に第２の処理ユニット２１が第２の基板Ｗに処理を施す。このとき、時刻ｔ７～ｔ１０に液貯留ユニット２３が第２の処理ユニット２１に第１処理液Ｌ１１を供給する。これにより、液貯留ユニット２３が第１の処理ユニット２１に第１処理液Ｌ１１を供給する期間（時刻ｔ３～ｔ７）と、液貯留ユニット２３が第２の処理ユニット２１に第１処理液Ｌ１１を供給する期間（時刻ｔ７～ｔ１０）と、が重なっていない状態となる。
ステップＳｐ２３では、予定管理用制御ユニットＰＣ１の送信制御部Ｆ１５が、ステップＳｐ２２で再設定したタイムスケジュールの情報を、本体制御ユニットＰＣ０に送信する。
ステップＳｐ２４では、本体制御ユニットＰＣ０の指示部Ｆ０２が、再設定後のタイムスケジュールに従った動作を行うように複数の部分制御ユニットＰＣ２に指示する。これにより、第２レシピ補正後のレシピに合わせたタイムスケジュールに応じて、複数の処理ユニット２１において基板Ｗに処理を施すことができる。これにより、例えば、２つ以上の処理ユニット２１において２枚以上の基板Ｗが並行して処理される場合に生じ得る不具合が防止され得る。
上記第１実施形態において、例えば、各基板処理装置２０は、管理用サーバ１０の記憶部１４に格納されたデータ群に基づいて、レシピの少なくとも一部を補正してもよい。この場合には、各基板処理装置２０では、予定管理用制御ユニットＰＣ１において、管理用サーバ１０の記憶部１４に格納されたデータ群に基づいて、第１レシピ補正を行ってもよいし、各部分制御ユニットＰＣ２において、管理用サーバ１０の記憶部１４に格納されたデータ群に基づいて、第２レシピ補正を行ってもよい。このようにして、例えば、複数の基板処理装置２０のそれぞれの各処理ユニット２１における基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を管理用サーバ１０で記憶しておき、各基板処理装置２０が、管理用サーバ１０で記憶しているデータ群に基づいてレシピを補正することで、ある基板処理装置２０は、他の基板処理装置２０において収集したデータを活かしてレシピを補正することができる。また、例えば、ある基板処理装置２０において収集したデータを他の基板処理装置２０におけるレシピの補正に活かすこともできる。
上記第１実施形態において、例えば、データストレージＮＡ１に記憶されたデータ群ＤＧ１は、本体制御ユニットＰＣ０の記憶部Ｐ０４および予定管理用制御ユニットの記憶部Ｐ１４の少なくとも一方に記憶されてもよいし、管理用サーバ１０の記憶部１４に記憶されてもよい。この場合に、例えば、管理用サーバ１０とは別に、データベース１４ｄｂおよびデータ群ＤＧ１が記憶されたサーバが、通信回線５を介して、各基板処理装置２０とデータの送受信が可能に接続されていてもよい。
上記第１実施形態において、例えば、本体制御ユニットＰＣ０において第１レシピ補正が行われてもよい。この場合には、例えば、本体制御ユニットＰＣ０の演算処理部Ｐ０５ａが、予定管理用制御ユニットＰＣ１の演算処理部Ｐ１５ａの第１レシピ補正に係る機能を有していてもよい。また、第１レシピ補正は、例えば、本体制御ユニットＰＣ０および予定管理用制御ユニットＰＣ１の少なくとも１つの制御ユニットで行われてもよいし、本体制御ユニットＰＣ０および予定管理用制御ユニットＰＣ１の協働で行われてもよい。また、例えば、本体制御ユニットＰＣ０および予定管理用制御ユニットＰＣ１の機能が１つの制御ユニットで実現されてもよい。換言すれば、本体制御ユニットＰＣ０の演算処理部Ｐ０５ａの機能と予定管理用制御ユニットＰＣ１の演算処理部Ｐ１５ａの機能とが、１つ以上の制御ユニットに適宜に配分されてもよい。
また、例えば、基板処理装置２０は、例えば、第１レシピ補正を行う制御ユニット（第１制御ユニットともいう）と、第２レシピ補正を行う第２制御ユニットとしての部分制御ユニットＰＣ２と、を含む２つ以上の制御ユニットを有していてもよい。このような構成が採用されれば、例えば、複数の処理ユニット２１の数が多く、基板処理装置２０の広い範囲の構成における動作を制御する第１制御ユニットと、基板処理装置２０のうちの個別の処理ユニット２１あるいは一部の処理ユニット２１といった狭い範囲の構成における動作を制御する第２制御ユニットと、が存在する場合に、第１制御ユニットが第１レシピ補正を行い、第２制御ユニットが第２レシピ補正を行うことで、基板処理装置２０において階層的な動作の制御が容易に実現され得る。その結果、例えば、一群の基板Ｗに対するレシピの一括のある程度の補正（第１レシピ補正）と、一群の基板Ｗのうちの一部の基板Ｗに対するリアルタイムに近い状態でのレシピの補正（第２レシピ補正）と、が２段階で効率良く行われ得る。これにより、例えば、状況に即した高精度の基板処理が効率良く実施され得る。
上記第１実施形態において、例えば、第１レシピ補正および第２レシピ補正が、１つの制御ユニットで行われてもよい。すなわち、１つ以上の制御ユニットで、第１レシピ補正および第２レシピ補正が行われてもよい。この場合には、例えば、予定管理用制御ユニットＰＣ１の演算処理部Ｐ１５ａにおける第１レシピ補正に係る機能と、複数の部分制御ユニットＰＣ２の演算処理部Ｐ２５ａにおける第２レシピ補正に係る機能とが、１つ以上の制御ユニットに適宜に配分されてもよい。
上記第１実施形態において、例えば、処理ユニット２１において基板Ｗに処理が施されている途中に、この処理ユニット２１における基板Ｗの処理を規定するレシピに対して第２レシピ補正が行われてもよい。これにより、例えば、一群の基板Ｗのうちの一部の基板Ｗに対するリアルタイムのレシピの補正が実現され得る。
上記第１実施形態において、例えば、第１レシピ補正および第２レシピ補正のうち、第１レシピ補正のみを実行してもよいし、第２レシピ補正のみを実行してもよい。すなわち、第１レシピ補正および第２レシピ補正のうちの少なくとも一方のレシピ補正を実行してもよい。換言すれば、複数の処理ユニット２１のうちの１つ以上の処理ユニット２１を用いた一群の基板Ｗのうちの少なくとも１枚以上の基板Ｗに対する処理について、複数の処理ユニット２１のそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、レシピの補正が行われてもよい。ここでは、例えば、第１レシピ補正を行って第２レシピ補正を行わない構成では、複数の処理ユニット２１において、状況に即した基板Ｗに対する処理が容易に実施され得る。その結果、例えば、基板処理装置２０の各処理ユニット２１における基板Ｗに対する処理の精度が容易に向上し得る。
上記第１実施形態において、例えば、第１レシピ補正および第２レシピ補正において、データ群を構成する１種類以上の指標のうち、基板Ｗに施される処理に与える影響度に応じて、予め重み付けがされるように、レシピの補正ルールを規定した補正式が設定されていてもよい。例えば、第２レシピ補正であれば、補正の対象となっているレシピに応じた処理が行われる処理ユニット２１についての１種類以上の指標に係るデータの影響が大きくなるように重み付けがされた補正式が設定されていてもよい。また、例えば、第２レシピ補正において、補正の対象となっているレシピに応じた処理が行われる処理ユニット２１以外の処理ユニット２１についてのデータについては基本的には採用することなく、複数の処理ユニット２１間で共通する処理液Ｌ１の状態を示す指標の数値に係るデータを採用してもよい。
上記第１実施形態において、例えば、第１レシピ補正および第２レシピ補正において、処理時間の増減以外に、基板Ｗに対して処理液Ｌ１を吐出する位置の条件などのその他の処理条件を変更するようにレシピを補正してもよい。例えば、１種類以上の指標に、膜厚の分布および基板表面のムラの度合いなどが含まれている場合には、これらの指標に係るデータに基づいて、基板Ｗに対して処理液Ｌ１を吐出する位置の条件が変更されるようにレシピを補正してもよい。
上述した第１実施形態および各種の変形例をそれぞれ構成する全部または一部は、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
１ 基板処理システム
１０ 管理用サーバ
１４，Ｐ０４，Ｐ１４，Ｐ２４，Ｐ３４ 記憶部
１４ｄｂ，Ｄｂ０ データベース
１５，Ｐ０５，Ｐ１５，Ｐ２５，Ｐ３５ 制御部
１５ａ，Ｐ０５ａ，Ｐ１５ａ，Ｐ２５ａ，Ｐ３５ａ 演算処理部
２０ 基板処理装置
２１ 処理ユニット
２１ｓｂ 撮像部
２３ 液貯留ユニット
２４ 搬送ユニット
２１４，２２ｓ，２３ｓ センサ部
ＤＧ１ データ群
Ｆ１３ 第１補正部
Ｆ１４ スケジュール設定部
Ｆ２３ 第２補正部
Ｆ２４，Ｆ３２ ユニット制御部
Ｆｍ０ 膜厚計
Ｌ１ 処理液
ＮＡ１ データストレージ
ＰＣ０ 本体制御ユニット
ＰＣ１ 予定管理用制御ユニット
ＰＣ２ 部分制御ユニット
ＰＣ３ 液管理制御ユニット
Ｗ 基板

Claims (2)

  1. 処理の条件を規定するレシピに応じて基板に処理を施す複数の処理ユニットと、
    一群の基板における複数の基板を前記複数の処理ユニットに順に搬送する搬送ユニットと、
    各前記処理ユニットにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得する複数のセンサ部と、
    前記複数のセンサ部によって取得された信号に基づいて、前記複数の処理ユニットのそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を蓄積したデータベースを記憶する記憶部と、
    前記複数の処理ユニットのうちの１つ以上の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの少なくとも１枚以上の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの少なくとも一部を補正する１つ以上の制御ユニットと、を備え、
    前記１つ以上の制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちの一部の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの一部の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの一部を補正する、基板処理装置。
  2. 複数の基板処理装置と、
    前記複数の基板処理装置に対してデータの送受信が可能に接続されているサーバと、を備え、
    各前記基板処理装置は、
    処理の条件を規定するレシピに応じて基板に処理を施す複数の処理ユニットと、
    一群の基板における複数の基板を前記複数の処理ユニットに順に搬送する搬送ユニットと、
    各前記処理ユニットにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係る信号を取得する複数のセンサ部と、
    １つ以上の制御ユニットと、を有し、
    前記サーバは、
    前記複数のセンサ部によって取得された信号に基づいて、前記複数の基板処理装置のそれぞれの前記複数の処理ユニットのそれぞれにおける基板処理の状況についての１種類以上の指標に係るデータ群を蓄積したデータベースを記憶する記憶部、を有し、
    各前記基板処理装置において、前記１つ以上の制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちの一部の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの一部の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの一部を補正する、基板処理システム。
JP2022165943A 2018-09-20 2022-10-17 基板処理装置および基板処理システム Active JP7444947B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022165943A JP7444947B2 (ja) 2018-09-20 2022-10-17 基板処理装置および基板処理システム

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018176481A JP7161896B2 (ja) 2018-09-20 2018-09-20 基板処理装置および基板処理システム
JP2022165943A JP7444947B2 (ja) 2018-09-20 2022-10-17 基板処理装置および基板処理システム

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018176481A Division JP7161896B2 (ja) 2018-09-20 2018-09-20 基板処理装置および基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023002653A true JP2023002653A (ja) 2023-01-10
JP7444947B2 JP7444947B2 (ja) 2024-03-06

Family

ID=69887283

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018176481A Active JP7161896B2 (ja) 2018-09-20 2018-09-20 基板処理装置および基板処理システム
JP2022165943A Active JP7444947B2 (ja) 2018-09-20 2022-10-17 基板処理装置および基板処理システム

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018176481A Active JP7161896B2 (ja) 2018-09-20 2018-09-20 基板処理装置および基板処理システム

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP7161896B2 (ja)
KR (2) KR102519450B1 (ja)
CN (1) CN112400214A (ja)
TW (1) TWI714256B (ja)
WO (1) WO2020059478A1 (ja)

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3892493B2 (ja) 1995-11-29 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP3761700B2 (ja) 1998-01-23 2006-03-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3771435B2 (ja) * 2000-09-27 2006-04-26 大日本スクリーン製造株式会社 レジスト塗布装置、レジスト塗布システムおよび記録媒体
JP3708031B2 (ja) * 2001-06-29 2005-10-19 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置および処理方法
JP4064402B2 (ja) 2003-01-09 2008-03-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システムおよび基板処理装置
JP4448082B2 (ja) * 2005-10-31 2010-04-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4900904B2 (ja) * 2006-02-28 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理条件変更方法及び記憶媒体
JP2007287909A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体
JP5165878B2 (ja) * 2006-10-20 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP5072380B2 (ja) * 2007-02-07 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP4979412B2 (ja) * 2007-02-26 2012-07-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP4600522B2 (ja) 2008-06-03 2010-12-15 ソニー株式会社 プロセス制御装置及びプロセス制御方法
JP4917660B2 (ja) * 2009-10-05 2012-04-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、半導体デバイスの製造方法、装置状態遷移方法、基板処理装置の保守方法及び状態遷移プログラム
JP5998010B2 (ja) 2012-10-24 2016-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法、プログラムおよび記録媒体
WO2014065269A1 (ja) * 2012-10-24 2014-05-01 東京エレクトロン株式会社 補正値算出装置、補正値算出方法及びコンピュータプログラム
WO2014189045A1 (ja) 2013-05-22 2014-11-27 株式会社日立国際電気 管理装置、基板処理システム、装置情報更新方法、及び記録媒体
WO2015107955A1 (ja) * 2014-01-20 2015-07-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6328071B2 (ja) 2015-03-31 2018-05-23 東芝メモリ株式会社 異常予兆検知システム及び半導体デバイスの製造方法
JP6584352B2 (ja) * 2016-03-24 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム
JP6541599B2 (ja) * 2016-03-28 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP7161896B2 (ja) 2022-10-27
JP2020047865A (ja) 2020-03-26
KR102519450B1 (ko) 2023-04-10
WO2020059478A1 (ja) 2020-03-26
KR20230048571A (ko) 2023-04-11
JP7444947B2 (ja) 2024-03-06
KR20210042381A (ko) 2021-04-19
CN112400214A (zh) 2021-02-23
TW202020961A (zh) 2020-06-01
KR102658644B1 (ko) 2024-04-18
TWI714256B (zh) 2020-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101790447B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5841389B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101337840B1 (ko) 액침 노광용 세정 장치 및 세정 방법, 및 기억 매체
US10656524B2 (en) Substrate processing apparatus including transport device
JP5463066B2 (ja) ロット処理開始判定方法及び制御装置
US20230418267A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method
JP4342921B2 (ja) 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置
JP7161896B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
KR101257536B1 (ko) 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체
JP2009260257A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6773497B2 (ja) 基板処理管理装置、基板処理管理方法および基板処理管理プログラム
JP2010087212A (ja) 熱処理装置および基板処理装置
JP3356208B2 (ja) 処理システム
KR20120077880A (ko) 포토리소그라피 공정을 위한 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221017

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7444947

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150