JP2022146340A - 半導体装置 - Google Patents

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翔 山口
Sho Yamaguchi
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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Abstract

【課題】導電性接着剤の状態による品質の低下を抑制可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第１リードフレームと、第１リードフレームから離間し、第１の面及び第１の面に交差する第２の面を有する第２リードフレームと、第１リードフレームに接続された半導体チップと、導電性接着剤によって第１の面に接続された第１接続面を有する第１接続部、及び、導電性接着剤によって前記第２の面に接続された第２接続面を有する第２接続部、を備え、半導体チップと第２リードフレームとを電気的に接続する導電部材と、を備える。【選択図】図７

Description

本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
リードフレームと半導体チップの電極とを、例えば板状のコネクタにより電気的に接続した半導体装置が知られる。電極とコネクタとの間、及びリードフレームとコネクタとの間は、半田のような導電性接着剤によって機械的及び電気的に接続される。
特開２０１５－１４２０７２号公報
例えば、シリコン（Ｓｉ）チップをリードフレームおよび銅（Ｃｕ）コネクタに鉛半田を用いて接合してモールド封止して製造される半導体パッケージでは、接合工程でリフロー炉が用いられる。
リフロー工程中の銅コネクタは、溶融半田の表面張力により移動あるいは回転することがあるが、基準値以上の位置ズレを起こした場合、半田接合部の信頼性の観点から不良品となってしまうという課題があった。
実施形態の半導体装置は、第１リードフレームと、第１リードフレームから離間し、第１の面及び第１の面に交差する第２の面を有する第２リードフレームと、第１リードフレームに接続された半導体チップと、導電性接着剤によって第１の面に接続された第１接続面を有する第１接続部、及び、導電性接着剤によって前記第２の面に接続された第２接続面を有する第２接続部、を備え、半導体チップと第２リードフレームとを電気的に接続する導電部材と、を備える。
図１は、第１実施形態の半導体装置の外観正面図である。 図２は、第１実施形態の半導体装置の外観側面図である。 図３は、第１実施形態の半導体装置の外観背面図である。 図４は、上面側から見た半導体装置の外観斜視図である。 図５は、下面側から見た半導体装置の外観斜視図である。 図６は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の正面図である。 図７は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の側面図である。 図８は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の上面図である。 図９は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の背面図である。 図１０は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の下面側から見た斜視図である。 図１１は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の上面側から見た斜視図である。 図１２は、モールド前の従来の半導体装置の問題点の説明図である。 図１３は、第１実施形態の金属コネクタの背面図である。 図１４は、第１実施形態の金属コネクタの側面図である。 図１５は、第２実施形態の半導体装置の説明図である。
次に実施形態について図面を参照して説明する。
［１］第１実施形態
まず、第１実施形態について説明する。なお、本明細書において、実施形態に係る構成要素及び当該要素の説明が、複数の表現で記載されることがある。構成要素及びその説明は、一例であり、本明細書の表現によって限定されない。構成要素は、本明細書におけるものとは異なる名称で特定され得る。また、構成要素は、本明細書の表現とは異なる表現によって説明され得る。
図１は、第１実施形態の半導体装置の外観正面図である。
図２は、第１実施形態の半導体装置の外観側面図である。
半導体装置１０は、例えば、パワーデバイス（パワートランジスタ）として構成される。なお、半導体装置１０は、この例に限られず、他の装置であっても良い。
各図面に示されるように、本明細書において、便宜上、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、半導体装置１の幅に沿って設けられる。Ｙ軸は、半導体装置１の長さ（奥行き）に沿って設けられる。Ｚ軸は、半導体装置１の厚さに沿って設けられる。
さらに、本明細書において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向が定義される。Ｘ方向は、Ｘ軸に沿う方向であって、Ｘ軸の矢印が示す＋Ｘ方向と、Ｘ軸の矢印の反対方向である－Ｘ方向とを含む。Ｙ方向は、Ｙ軸に沿う方向であって、Ｙ軸の矢印が示す＋Ｙ方向と、Ｙ軸の矢印の反対方向である－Ｙ方向とを含む。Ｚ方向は、Ｚ軸に沿う方向であって、Ｚ軸の矢印が示す＋Ｚ方向と、Ｚ軸の矢印の反対方向である－Ｚ方向とを含む。
半導体装置１０は、図１に示すように、樹脂モールド１１と、第１コネクタ１２と、第２コネクタ１３と、第３コネクタ１４と、第４コネクタ１５と、を備えている。
上記構成において樹脂モールド１１は、第１コネクタ１２～第４コネクタ１５の一部並びに後述する半導体チップ、第１リードフレームの一部、第２リードフレーム及び第３リードフレームを封止している。
また、第１コネクタ１２及び第２コネクタ１３は、第２リードフレームとして機能し、第３コネクタ１４及び第４コネクタ１５は、第１リードフレームの一部を構成している。
ここで、第１コネクタ１２は、樹脂モールド１１に対して一旦＋Ｘ方向に沿って延在し、さらに＋Ｘ方向及び－Ｚ方向に徐々に延在し、最終的には＋Ｘ方向に沿って延在するように設けられている。
また、第２コネクタ１３も第１コネクタ１２と同様に、樹脂モールド１１に対して一旦＋Ｘ方向に沿って延在し、さらに＋Ｘ方向及び－Ｚ方向に徐々に延在し、最終的には＋Ｘ方向に沿って延在するように設けられている。
また、第３コネクタ１４は、樹脂モールド１１に対して＋Ｘ方向に沿って延在するように設けられている。
また、第４コネクタ１５は、樹脂モールド１１に対して－Ｘ方向に沿って延在するように設けられている。
図３は、第１実施形態の半導体装置の外観背面図である。
第４コネクタ１５は、上述したようにリードフレームとして機能しており、後述する半導体チップの放熱のために、図３に示すように、樹脂モールド１１から露出するようにされている。
図４は、上面側から見た半導体装置の外観斜視図である。
図５は、下面側から見た半導体装置の外観斜視図である。
図４及び図５に示すように、樹脂モールド１１の上面側（＋Ｚ方向側）からは第４コネクタ１５が突設されている。
また、樹脂モールド１１の下面側（－Ｚ方向側）からは、第１コネクタ１２、第２コネクタ１３及び第４コネクタ１４が突設されている。この場合において、半導体装置１０は、表面実装タイプであるので、第１コネクタ１２、第２コネクタ１３及び第４コネクタ１４の突端は、実装時の接合面（－Ｚ方向の端面）が実効的に同一のＸ－Ｙ平面上に位置するようにされている。
図６は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の正面図である。
半導体装置１０は、半導体チップ２１が搭載された第１リードフレーム２２を備えている。
この場合において、半導体チップ２１の正面側（＋Ｚ方向側）の面には、ゲート端子ＴＧ及びソース端子ＴＳが設けられている。また半導体チップ２１の背面側には、図示しないドレイン端子が設けられている。そして半導体チップ２１のドレイン端子は、第１リードフレーム２２に導電性接着剤としての鉛半田により電気的に接続されている。
この結果、半導体チップ２１は第１リードフレーム２２に対し、機械的に固定され、所定の熱伝導状態となって、第１リードフレーム２２を介して放熱を行えるようになっている。
この第１リードフレーム２２の一端（図６の例では、右端）は、ドレイン端子ＴＤとして機能する第３コネクタ１４を構成している。同様に第１リードフレーム２２の他端（図６の例では左端）は、ドレイン端子ＴＤとして機能する第４コネクタ１５を構成している。
半導体チップ２１のゲート端子ＴＧには、導電部材として機能する金属（Ｃｕ）コネクタ２４Ａが導電性接着剤としての鉛半田により電気的に接続されている。
同様に半導体チップ２１のソース端子ＴＳには、導電部材として機能する金属（Ｃｕ）コネクタ２４Ｂが導電性接着剤としての鉛半田により電気的に接続されている。
この場合において、金属コネクタ２４Ａ及び金属コネクタ２４Ｂは、正面視、線対称な形状を有し、同一構成要素を有している。
図７は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の側面図である。
図８は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の上面図である。
図９は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の背面図である。
図１０は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の下面側から見た斜視図である。
図１１は、モールド前の第１実施形態の半導体装置の上面側から見た斜視図である。
金属コネクタ２４Ａは、図７及び図８に示すように、平面視、－Ｘ方向に沿って半導体チップ２１のゲート端子ＴＧの設けられている位置に向かって、接続部３１、延在部３２、アーム部３３及び接続部３４が配置されている。
また、金属コネクタ２４Ａは、平面視略Ｓ字形状を有している。
ここで、接続部３１は、平面視長方形状を有し、背面側（－Ｚ方向）に第１接続面２６が設けられている。
また、延在部３２は、平面視略台形形状を有し、接続部３１から－Ｘ方向、かつ、＋Ｙ方向に、Ｘ－Ｙ平面に沿って延びて徐々にすぼまりアーム部３３につながっている。
延在部３２は、接続部３１と略平行な（Ｘ－Ｙ平面に沿った）板状となっているが、接続部３１から－Ｚ方向にずらされた位置に設けられている。接続部３１と延在部３２との間には、例えば、曲げ加工によって形成される屈曲部２５が設けられている。屈曲部２５は、延在部３２の縁と接続部３１の縁との間で－Ｚ方向に延びている。
アーム部３３は、ゲート端子ＴＧ側に向けて延在すべく、－Ｘ方向、かつ、－Ｚ方向に徐々に延びて接続部３４につながっている。
接続部３４は、背面側（－Ｚ方向）にゲート端子ＴＧに機械的及び電気的に接続される接続面２８が設けられている。
上記構成において、金属コネクタ２４Ａの接続部３４の接続面２８は、導電性接着剤としての鉛半田によりゲート端子ＴＧに電気的に接続されている。
また、接続部３１の背面側（－Ｚ方向側）には、第１リードフレーム２２から離間し、第１の面Ｆ１及び第１の面Ｆ１に交差する第２の面Ｆ２を有する第２リードフレーム２３Ａが位置している。第１の面Ｆ１は、例えば、＋Ｚ方向に向く略平坦な面である。第２の面Ｆ２は、例えば、－Ｘ方向に向く略平坦な面である。
この場合において、第１の面Ｆ１は、Ｘ－Ｙ平面に沿って設けられている。
そして、金属コネクタ２４Ａの接続部３１の第１接続面２６は、導電性接着剤としての鉛半田により第２リードフレーム２３Ａの第１の面Ｆ１に機械的及び電気的に接続されている。ここで、接続部３１は、第１接続部として機能している。
同様に、金属コネクタ２４Ａにおいて、第２接続面２７を有する第２接続部としての屈曲部２５は、導電性接着剤としての鉛半田によって第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２に機械的及び電気的に接続されている。これにより、金属コネクタ２４Ａは、半導体チップ２１と第２リードフレーム２３Ａとを電気的に接続している。
この場合において、第２接続面２７及び第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２は、第１リードフレーム２２の半導体チップ２１の搭載面（Ｘ－Ｙ平面に沿って配置）と交差する同一方向、すなわち、Ｙ－Ｚ平面に沿って延び、少なくとも一部が対向しているので、金属コネクタ２４Ａのリフロー工程における回転を抑制できる。
さらに屈曲部２５は、導電部材である金属コネクタ２４Ａの第１接続部として機能する接続部３１に連設されているので、金属コネクタ２４Ａのリフロー工程における回転を最小限に抑制できる。
この場合において、屈曲部２５は、導電部材である第１接続部である接続部３１と、半導体チップ２１との間に設けられているので、金属コネクタ２４Ａの半導体チップ２１に対する位置ずれを抑制するように作用する。
同様に金属コネクタ２４Ｂは、図６に示すように、平面視、－Ｘ方向に沿って半導体チップ２１のゲート端子ＴＧの設けられている位置に向かって、接続部３１、延在部３２、アーム部３３及び接続部３４が配置されている。
また、金属コネクタ２４Ｂは、平面視略Ｓ字形状を有している。
ここで、接続部３１は、平面視長方形状を有し、背面側（－Ｚ方向）にＸ－Ｙ平面に沿って第１接続面２６が設けられている。
また、延在部３２は、平面視略台形形状を有し、接続部３１から－Ｘ方向、かつ、－Ｙ方向に、Ｘ－Ｙ平面に沿って延びて徐々にすぼまりアーム部３３につながっている。
延在部３２は、接続部３１と略平行な（Ｘ－Ｙ平面に沿った）板状となっているが、接続部３１から－Ｚ方向にずらされた位置に設けられている。接続部３１と延在部３２との間には、例えば、曲げ加工によって形成される屈曲部２５が設けられている。屈曲部２５は、延在部３２の縁と接続部３１の縁との間で－Ｚ方向に延びている。
アーム部３３は、ゲート端子ＴＧ側に向けて延在すべく、－Ｘ方向、かつ、－Ｚ方向に徐々に延びて接続部３４につながっている。
接続部３４は、背面側（－Ｚ方向）にゲート端子ＴＧに機械的及び電気的に接続される接続面２８が設けられている。
上記構成において、第２リードフレーム２３Ｂの接続部３４は、導電性接着剤としての鉛半田によりソース端子ＴＳに電気的に接続されている。
また、接続部３１の背面側（－Ｚ方向側）には、第１リードフレーム２２から離間し、第１の面Ｆ１及び第１の面Ｆ１に交差する第２の面Ｆ２を有する第２リードフレーム２３Ｂが位置している。
この場合において、第１の面Ｆ１は、Ｘ－Ｙ平面に沿って設けられている。
そして、金属コネクタ２４Ｂの接続部３１の第１接続面２６は、導電性接着剤としての鉛半田により第２リードフレーム２３Ａの第１の面Ｆ１に機械的及び電気的に接続されている。ここで、接続部３１は、第１接続部として機能している。
同様に、金属コネクタ２４Ｂにおいて、第２接続面２５を有する第２接続部としての屈曲部２５は、導電性接着剤としての鉛半田によって第２リードフレーム２３Ｂの第２の面Ｆ２に機械的及び電気的に接続されている。これにより、金属コネクタ２４Ｂは、半導体チップ２１と第２リードフレーム２３Ｂとを電気的に接続している。
この場合において、第２接続面２７及び第２リードフレーム２３Ｂの第２の面Ｆ２は、第１リードフレーム２２の半導体チップ２１の搭載面（Ｘ－Ｙ平面に沿って配置）と交差する同一方向、すなわち、Ｙ－Ｚ平面に沿って延び、少なくとも一部が対向しているので、金属コネクタ２４Ｂのリフロー工程における回転を抑制できる。
図９～図１１に示すように、第２リードフレーム２３Ａには、第１コネクタ１２が連設されている。
同様に第２リードフレーム２３Ｂには、第２コネクタ１３が連設されている。
また、図９に示すように、第１リードフレーム２２の図９中、左右端（＋Ｘ方向及び－Ｘ方向）には、それぞれ第３コネクタ１４及び第４コネクタ１５が形成されている。
次に実施形態の効果を説明する。
まず従来の問題点について説明する。
図１２は、モールド前の従来の半導体装置の問題点の説明図である。
図１２において、図６と同様の部分には、同一の符号を付すものとする。
図１２（Ａ）は、モールド前の従来の半導体装置の正面図である。
図１２（Ｂ）は、モールド前の従来の半導体装置の側面図である。
従来の金属コネクタ２４ＡＰは、図１２（Ａ）に示すように、背面側に第１接続面２６が設けられた第１接続部として機能する接続部３１と、接続部３１に連設され、接続部３１からゲート端子ＴＧ側に延在するアーム部３３と、背面側に接続面２８が設けられた接続部３４と、を備えている。
上記構成において、金属コネクタ２４ＡＰの接続部３４は、導電性接着剤としての鉛半田によりゲート端子ＴＧに電気的に接続される位置に位置している。
また、接続部３１の背面側には、第１リードフレーム２２から離間し、第１の面Ｆ１及び第１の面Ｆ１に交差する第２の面Ｆ２を有する第２リードフレーム２３Ａが位置している。
そして、接続部３１の接続面３１Ａは、導電性接着剤としての鉛半田により第２リードフレーム２３Ａの第１の面Ｆ１に電気的に接続される位置に位置している。
この場合において、金属コネクタ２４ＡＰは、プレス加工機による１回の加工により打ち抜き加工及び曲げ加工がなされたような場合に、領域ＡＲにおいて、図１２（Ｂ）に示すように、下方に延在するバリ（burr）ＢＲが発生したとする。
この状態において、ゲート端子ＴＧ及び第２リードフレーム２３Ａにリフロー用の鉛半田ペーストを塗布した状態で、金属コネクタ２４ＡＰを図１２（Ａ）に示すような状態で載置し、リフロー加工を行った場合を想定する。
リフロー加工により鉛半田ペーストが溶融状態となると、溶融鉛半田の表面張力により金属コネクタ２４ＡＰには、移動力あるいは回転力が付与される。
例えば、回転力が付与された場合、バリＢＲの接触部を回転中心として、図１２（Ａ）に矢印で示すように、金属コネクタ２４ＡＰがＸ－Ｙ平面に沿って回転し、位置ずれを起こす虞があった。
この場合において、基準値以上の位置ズレを起こした場合、金属コネクタ２４ＡＰ及び金属コネクタ２４ＢＰが接触する等のように、半導体装置１０Ｐが不良品となってしまう虞があった。
図１３は、第１実施形態の金属コネクタの背面図である。
図１４は、第１実施形態の金属コネクタの側面図である。
上記従来例に対して、第１実施形態の金属コネクタ２４Ａは、上述したように、接続部３１の第１接続面２６は、第２リードフレーム２３Ａの第１の面Ｆ１に対向する位置に位置するとともに、屈曲部２５の第２接続面２７は、導電性接着剤としての鉛半田により第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２に対向する位置に位置している。
この場合において、第２接続面２７と第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２とは、導電部材としての金属コネクタ２４Ａが半導体チップの接続面（載置面）に沿って回動した場合に、互いに当接、あるいは、鉛半田を介して間接的に当接することにより、さらなる回動を制限する。第２接続面２７と第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２とは、回動の量が所定の許容値以下（位置ずれが所定の許容値以下）となる離間距離とされている。
これらの結果、仮に図１２（Ｂ）に示した様なバリ（burr）が形成されており、リフロー加工時に第１実施形態の金属コネクタ２４Ａがバリを中心として回転したとしても、屈曲部２５の第２接続面２７が第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２に当接、あるいは、鉛半田を介して間接的に当接することとなり、金属コネクタ２４Ａの移動、回転が抑制される。
さらに図１４に示すように屈曲部２５の接続面２７と第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２との間に毛細管現象により進入した溶融半田による表面張力により、金属コネクタ２４Ａの第２接続面２７が第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２側に引き寄せられて、金属コネクタ２４Ａの移動、回転が抑制され、所定位置に導電性接着剤としての鉛半田ＳＯＬにより接着され、電気的に接続されることとなる。
これと並行して、金属コネクタ２４Ａの接続部３４は、導電性接着剤としての鉛半田によりゲート端子ＴＧの所定位置に電気的に接続されることとなる。
また、金属コネクタ２４Ｂについても同様である。
以上の説明のように、本第１実施形態によれば、金属コネクタ２４Ａ及び金属コネクタ２４Ｂのリフロー加工時の挙動を制御でき、移動、回転に起因する金属コネクタ２４Ａ及び金属コネクタ２４Ｂの簡易な構造変更を行うだけで、製造工程を変更することもなく金属コネクタの接着位置のずれを抑制することができる。
また図１４に示したように、金属コネクタ２４Ａは第２フレーム２３Ａに対し、また、金属コネクタ２４Ｂは第２リードフレーム２３Ｂに対し、互いに交差する（図１４の例では、Ｘ－Ｚ平面で直交する）第１の面Ｆ１及び第２の面Ｆ２に接着されることとなる。さらに屈曲部２５において、第２フレーム２３Ａあるいは第２フレーム２３Ｂの全幅（図６に示す上下方向）に亘って導電性接着剤としての鉛半田が行き渡った状態で接着することが可能となり、クラック耐性を向上することが可能となる。
［２］第２実施形態
次に第２実施形態について説明する。
図１５は、第２実施形態の半導体装置の説明図である。
図１５（Ａ）は、モールド前の第２実施形態の半導体装置の正面図である。
図１５（Ａ）において、図６と同様の部分には、同一の符号を付すものとする。
図１５（Ｂ）は、第２実施形態の金属コネクタの側面図である。
半導体装置１０Ａは、半導体チップ２１が接続（載置）された第１リードフレーム２２を備えている。
半導体チップ２１のゲート端子ＴＧには、導電部材として機能する金属（Ｃｕ）コネクタ４０Ａが導電性接着剤としての鉛半田により電気的に接続されている。
同様に半導体チップ２１のソース端子ＴＳには、導電部材として機能する金属（Ｃｕ）コネクタ４０Ｂが導電性接着剤としての鉛半田により電気的に接続されている。
この場合において、金属コネクタ４０Ａ及び金属コネクタ４０Ｂは、線対称な形状を有し、同一構成を有している。
接続部３１の、アーム部３３とは反対側の縁に、例えば曲げ加工で形成される屈曲部４１が設けられている。第２実施形態では、接続部３１にアーム部３３が連接されており、接続部３１とアーム部３３との間の延在部３２、そして延在部３２と接続部３１との間の屈曲部２５が省略される。なお、第２実施形態でも、金属コネクタ４０Ａ及び金属コネクタ４０Ｂに延在部３２及び屈曲部２５が設けられても良い。
第２実施形態の第２リードフレーム２３Ａ及び第２リードフレーム２３Ｂはそれぞれ、第１の面Ｆ１に交差する第２の面Ｆ２Ａを有する。第２の面Ｆ２Ａは、第１実施形態の第２の面Ｆ２の反対側に設けられている。
第２実施形態の金属コネクタ４０Ａは、上述したように、第１接続部としての接続部３１の第１接続面２６は、第２リードフレーム２３Ａの第１の面Ｆ１に対向する位置に位置するとともに、屈曲部４１の第２接続面４２は、導電性接着剤としての鉛半田により第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２Ａに対向する位置に位置している。
さらに屈曲部４１は、導電部材である金属コネクタ４０Ａの第１接続部としての接続部３１に連設されているので、金属コネクタ２４Ａのリフロー工程における回転を最小限に抑制できる。
第２接続面４２及び第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２Ａは、第１リードフレーム２２の半導体チップ２１の搭載面（Ｘ－Ｙ平面に沿って配置）と交差する同一方向、すなわち、Ｙ－Ｚ平面に沿って延び、少なくとも一部が対向しているので、金属コネクタ２４Ａのリフロー工程における回転を抑制できる。
これらの結果、仮に図１２（Ｂ）に示した様なバリ（burr）が形成されていたとしても、リフロー加工時に第１実施形態の金属コネクタ２４Ａがバリを中心として回転したとしても、屈曲部４１の接続面４２が第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２Ａに当接することとなり、金属コネクタ４０Ａの移動、回転が抑制される。
さらに図１５（Ｂ）に示すように屈曲部４１の第２接続面４２と第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２Ａとの間に毛細管現象により進入した溶融半田による表面張力により、金属コネクタ４０Ａの接続面４２が第２リードフレーム２３Ａの第２の面Ｆ２Ａ側に引き寄せられて、金属コネクタ４０Ａの移動、回転が抑制され、所定位置に導電性接着剤としての鉛半田ＳＯＬにより接着され、電気的に接続されることとなる。
これと並行して、金属コネクタ４０Ａの接続部３４は、導電性接着剤としての鉛半田によりゲート端子ＴＧの所定位置に電気的に接続されることとなる。
また、金属コネクタ４０Ｂについても同様である。
以上の説明のように、本第２実施形態によれば、金属コネクタ４０Ａ及び金属コネクタ４０Ｂのリフロー加工時の挙動を制御でき、移動、回転に起因する金属コネクタ４０Ａ及び金属コネクタ４０Ｂを従来の金属コネクタに対して簡易な構造変更を行うだけで、製造工程を変更することもなく金属コネクタの接着位置のずれを抑制することができる。
また図１５（Ｂ）に示したように、金属コネクタ４０Ａは第２フレーム２３Ａに対し、また、金属コネクタ４０Ｂは第２リードフレーム２３Ｂに対し、互いに交差する（図１５（Ｂ）の例では、直交する）第１の面Ｆ１及び第２の面Ｆ２Ａに接着されることとなり、さらに屈曲部４１の全幅（図１５（Ａ）に示す＋Ｙ方向及び－Ｙ方向）に亘って導電性接着剤としての鉛半田が行き渡った状態で接着することが可能となり、クラック耐性を向上することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０、１０Ａ…半導体装置、１１…モールド樹脂、１２…第１コネクタ、１３…第２コネクタ、１４…第３コネクタ、１５…第４コネクタ、２１…半導体チップ、２２…第１リードフレーム、２３Ａ、２３Ｂ…第２リードフレーム、２４Ａ、２４Ｂ…金属コネクタ（導電部材）、２５、４１…屈曲部（第２接続部）、２６…第１接続面、２７、４２…第２接続面、Ｆ１…第１の面、Ｆ２、Ｆ２Ａ…第２の面。

Claims (5)

  1. 第１リードフレームと、
    前記第１リードフレームから離間し、第１の面及び前記第１の面に交差する第２の面を有する第２リードフレームと、
    前記第１リードフレームに接続された半導体チップと、
    導電性接着剤によって前記第１の面に接続された第１接続面を有する第１接続部、及び、導電性接着剤によって前記第２の面に接続された第２接続面を有する第２接続部、を備え、前記半導体チップと前記第２リードフレームとを電気的に接続する導電部材と、
    を備えた半導体装置。
  2. 前記第２接続面及び前記第２リードフレームの前記第２の面は、前記第１リードフレームの前記半導体チップの接続面と交差する同一方向に沿って延び、少なくとも一部が対向している、
    請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記第２接続面と前記第２リードフレームの前記第２の面とは、前記導電部材が前記半導体チップの接続面に沿って回動した場合に、互いに当接、あるいは、導電性接着剤を介して間接的に当接することによりさらなる前記回動を制限する、
    請求項２記載の半導体装置。
  4. 前記第２接続部は、前記導電部材の前記第１接続部に連設されている、
    請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
  5. 前記第２接続部は、前記導電部材の前記第１接続部と、前記半導体チップとの間に設けられている、
    請求項４記載の半導体装置。
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