JP2021516450A - トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造するためのパターニング方法 - Google Patents

トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造するためのパターニング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021516450A
JP2021516450A JP2020546459A JP2020546459A JP2021516450A JP 2021516450 A JP2021516450 A JP 2021516450A JP 2020546459 A JP2020546459 A JP 2020546459A JP 2020546459 A JP2020546459 A JP 2020546459A JP 2021516450 A JP2021516450 A JP 2021516450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alkyl
aryl
phenyl
dielectric layer
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020546459A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7046395B2 (ja
Inventor
リン，ウェイシャン
チョウ，ミ
イ，ジュンミン
イ，ギソク
ベッカー，ステファン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Clap Co Ltd
Original Assignee
Clap Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Clap Co Ltd filed Critical Clap Co Ltd
Publication of JP2021516450A publication Critical patent/JP2021516450A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7046395B2 publication Critical patent/JP7046395B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/478—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a layer of composite material comprising interpenetrating or embedded materials, e.g. TiO2 particles in a polymer matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)

Abstract

本発明は、基板上にトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造する方法に関し、前記有機電界効果トランジスタは、ソース及びドレイン電極、半導電層、硬化した第１誘電層並びにゲート電極を含んでおり、前記方法は、ｉ）有機半導電性材料を含む組成物を塗工して半導電層を形成する段階、ｉｉ）第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物を塗工して第１誘電層を形成する段階、ｉｉｉ）光処理によって、第１誘電層の一部を硬化させる段階、ｉｖ）第１誘電層の未硬化部分を除去する段階、及びｖ）硬化した第１誘電層によってカバーされていない半導電層部分を除去する段階を含み、前記第１誘電性材料は、少なくとも１つのポリマーブロックＡ及び少なくとも２つのポリマーブロックＢで構成された星型ポリマーを含み、前記それぞれのポリマーブロックＢは、ポリマーブロックＡに付着されており、前記ポリマーブロックＢの繰り返し単位の６０ｍｏｌ％以上は、【化１】からなる群より選択され、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−１０−アルキルである。【選択図】なし

Description

本発明は、トップゲート・ボトムコンタクト（ｔｏｐ−ｇａｔｅ，ｂｏｔｔｏｍ−ｃｏｎｔａｃｔ）有機電界効果トランジスタの製造方法及びトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタに関する。
有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴｓ）は、ディスプレイ、大面積（ｌａｒｇｅ−ａｒｅａ）センサ、ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグのような電子機能が要される多くの応用分野で使用され得る。ＯＦＥＴｓは、トップゲート（ｔｏｐ−ｇａｔｅ）又はボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ−ｇａｔｅ）構造を有することができる。トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタは、基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、ソース及びドレイン電極（ｓｏｕｒｃｅ ａｎｄ ｄｒａｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）、１つの有機半導電層（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、１つ以上の誘電層（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）及びゲート電極（ｇａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を順次含むことができる。
米国特許第７３８４８１４号明細書には、パターニングされたトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造する方法が記載されており、記載された方法には有機半導電層及び半導電層の上部の誘電層は１つの段階でパターニングされる。好ましい実施例において、誘電層は光硬化性であって、半導電層及び誘電層のパターニングはマスク（ｍａｓｋ）を通じて適切な光を誘電層に露出させ、光によって硬化しない誘電層部分を除去することによって遂行される。その後、硬化した誘電層によってカバーされない半導電層部分をエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）して除去する。光硬化性誘電層の一例として、エチルラクテート（ｅｔｈｙｌ ｌａｃｔａｔｅ）、ノボラック樹脂（ｎｏｖｏｌａｃ ｒｅｓｉｎ）及び１−ナフタレンスルホン酸（１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ）で構成されたＨＰＲ５０４、６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−（６−ｄｉａｚｏ−５，６−ｄｉｈｙｄｒｏ−５−ｏｘｏ−）、１，１’，１“−（１，３，５−ベンゼントリイル）エステル（１，１’，１”−（１，３，５−ｂｅｎｚｅｎｅｔｒｉｙｌ）ｅｓｔｅｒ）及びサイクリックポリイソプレン（ｃｙｃｌｉｃ ｐｏｌｙｉｓｏｐｒｅｎｅ）であるＳＣ１００がある。
米国特許第７３８４８１４号明細書
本発明の目的は、向上した性能のトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタの製造方法を提供することであって、大気条件下（ｕｎｄｅｒ ａｍｂｉｅｎｔ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ）で、半導電層と１つ以上の誘電層とは、低線量ＵＶ光処理（ｌｏｗ ｄｏｓａｇｅ ＵＶ ｌｉｇｈｔ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）によって共にパターニングされ得る。
このような目的は、請求項１の方法及び請求項１６のトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタによって解決される。
本発明の方法は、基板上にトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造する方法であり、前記有機電界効果トランジスタは、ソース及びドレイン電極、半導電層、硬化した第１誘電層並びにゲート電極を含んでおり、前記方法は、
ｉ）有機半導電性材料を含む組成物を塗工して半導電層を形成する段階、
ｉｉ）第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基（ａｚｉｄｅ ｇｒｏｕｐ）を有する架橋剤を含む組成物を塗工して第１誘電層を形成する段階、
ｉｉｉ）光処理（ｌｉｇｈｔ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）によって、第１誘電層の一部を硬化させる段階、
ｉｖ）第１誘電層の未硬化部分を除去する段階、及び
ｖ）硬化した第１誘電層によってカバーされていない半導電層部分を除去する段階
を含む。
本発明の、基板上にトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造する方法により、大気条件下で、半導電層と誘電層とが低線量ＵＶ光処理によって共にパターニングされている、向上した性能のトランジスタが製造されるという利点がある。該トップゲート有機電界効果トランジスタは、高い電荷キャリア移動度（ｈｉｇｈ ｃｈａｒｇｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｍｏｂｉｌｉｔｙ）、低いゲート漏洩電流（ｌｏｗ ｇａｔｅ ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ）及び／又は高いＩｏｎ／Ｉｏｆｆ比等の向上した性能を示す。
半導電層は、有機半導電性材料を含む組成物から溶液処理技術（ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）により形成され得て、第１誘電層はまた、第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物から溶液処理技術により形成され得る。このように、本発明の、基板上にトップゲート有機電界効果トランジスタを製造する方法は、フレキシブル基板上のトランジスタの大規模生産に適している。
本発明のトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタは、低いゲート漏洩電流を示すという利点がある。
図１は、本発明のトップゲート有機電界効果トランジスタを製造するための例示的な方法を示す図面である。第１段階では、ソース及びドレイン電極を基板に塗工する。第２段階では、有機半導電層を形成するために、有機半導電性材料を含む組成物を塗工する。第３段階では、第１誘電層を形成するために、第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物を塗工する。第４段階では、硬化した第１誘電層を形成するために、第１誘電層（１ｓｔＧＩ）の一部を光で処理する。第５段階では、第１誘電層の未硬化部分を除去する。第６段階では、硬化した第１誘電層によってカバーされていない有機半導電層部分を除去する。第７段階では、第１誘電層及び有機半導電層が第２誘電層に埋め込まれるように、第２誘電層（２ｎｄＧＩ）を塗工する。第８段階では、第２誘電層の上部にゲート電極を塗工する。 図２は、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）後の、硬化した第１誘電層を示す図面である。 図３は、硬化した第１誘電層によってカバーされていない半導電層部分を除去した後の、レジスト（ｒｅｓｉｓｔ）としての硬化した第１誘電層を示す図面である。 図４は、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ４２００−ＳＣＳ半導体特性評価システムで測定した、実施例３のトップゲート有機電界効果トランジスタの特性を示すグラフである。図４ａに、−３Ｖ及び−３０Ｖそれぞれのソース電圧Ｖｄｓでの、有機電界効果トランジスタのゲート電圧Ｖｇｓに対するドレイン電流Ｉｄｓの転移曲線（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｃｕｒｖｅ）を示す。図４ｂに、０Ｖ、−１０Ｖ、−２０Ｖ及び−３０Ｖのゲート電圧Ｖｇｓでの、有機電界効果トランジスタのドレイン電圧Ｖｄｓに対するドレイン電流Ｉｄｓの出力曲線（ｏｕｔｐｕｔ ｃｕｒｖｅ）を示す。
本発明の方法は、基板上にトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造する方法であり、前記有機電界効果トランジスタは、ソース及びドレイン電極（ｓｏｕｒｃｅ ａｎｄ ｄｒａｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）、半導電層（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、硬化した第１誘電層（ｃｕｒｅｄ ｆｉｒｓｔ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）並びにゲート電極（ｇａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を含んでおり、前記方法は、
ｉ）有機半導電性材料（ｏｒｑａｎｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｑ ｍａｔｅｒｉａｌ）を含む組成物を塗工して半導電層を形成する段階、
ｉｉ）第１誘電性材料（ｆｉｒｓｔ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌ）及び少なくとも２つのアジド基（ａｚｉｄｅ ｇｒｏｕｐ）を有する架橋剤（ｃｒｏｓｓｌｉｎｋｉｎｇ ａｇｅｎｔ）を含む組成物を塗工して第１誘電層（ｆｉｒｓｔ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）を形成する段階、
ｉｉｉ）光処理（ｌｉｇｈｔ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）によって、第１誘電層の一部を硬化させる段階、
ｉｖ）第１誘電層の未硬化部分を除去する段階、及び
ｖ）硬化した第１誘電層によってカバーされていない半導電層部分を除去する段階
を含んでおり、
前記第１誘電性材料は、少なくとも１つのポリマーブロックＡ（ｐｏｌｙｍｅｒ ｂｌｏｃｋ Ａ）及び少なくとも２つのポリマーブロックＢ（ｐｏｌｙｍｅｒ ｂｌｏｃｋＢ）で構成された星型ポリマー（ｓｔａｒ−ｓｈａｐｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ）を含み、
前記それぞれのポリマーブロックＢは、ポリマーブロックＡに付着されており、前記ポリマーブロックＢの繰り返し単位（ｒｅｐｅａｔ ｕｎｉｔ）の６０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−１０−アルキルである。
星型ポリマーが１つのポリマーブロックＡ及び２つのポリマーブロックＢで構成されたポリマーである場合、星型ポリマーは、トリブロックポリマー（ｔｒｉｂｌｏｃｋ ｐｏｌｙｍｅｒ）とも言われる。
Ｃ１−４−アルキル、Ｃ１−６−アルキル、Ｃ１−１０−アルキル、Ｃ１−２０−アルキル、Ｃ１−３０−アルキル及びＣ６−３０−アルキルは、分岐状（ｂｒａｎｃｈｅｄ）又は非分岐状（ｕｎｂｒａｎｃｈｅｄ）（線形）であり得る。分岐状の場合、Ｃ１−４−アルキル、Ｃ１−６−アルキル、Ｃ１−１０−アルキル、Ｃ１−２０−アルキル及びＣ１−３０−アルキルは、好ましくはＣ２−原子で分枝する。Ｃ１−４−アルキルの一例は、メチル（ｍｅｔｈｙｌ）、エチル（ｅｔｈｙｌ）、ブチル（ｂｕｔｙｌ）、イソブチル（ｉｓｏ−ｂｕｔｙｌ）、ｓｅｃ−ブチル（ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌ）及びｔｅｒｔ−ブチル（ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ）である。Ｃ１−６−アルキルの一例は、メチル（ｍｅｔｈｙｌ）、エチル（ｅｔｈｙｌ）、ｎ−プロピル（ｎ−ｐｒｏｐｙｌ）、イソプロピル（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ）、ｎ−ブチル（ｎ−ｂｕｔｙｌ）、ｓｅｃ−ブチル（ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌ）、イソブチル（ｉｓｏｂｕｔｙｌ）、ｔｅｒｔ−ブチル（ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ）、ｎ−ペンチル（ｎ−ｐｅｎｔｙｌ）、ネオペンチル（ｎｅｏｐｅｎｔｙｌ）、イソペンチル（ｉｓｏｐｅｎｔｙｌ）、ｎ−（１−エチル）プロピル（ｎ−（１−ｅｔｈｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ）及びｎ−ヘキシル（ｎ−ｈｅｘｙｌ）である。Ｃ１−１０−アルキルの一例は、Ｃ１−６−アルキル及びｎ−ヘプチル（ｎ−ｈｅｐｔｙｌ）、ｎ−オクチル（ｎ−ｏｃｔｙｌ）、ｎ−（２−エチル）ヘキシル（ｎ−（２−ｅｔｈｙｌ）ｈｅｘｙｌ）、ｎ−ノニル（ｎ−ｎｏｎｙｌ）、ｎ−デシル（ｎ−ｄｅｃｙｌ）である。Ｃ１−２０−アルキルの一例は、Ｃ１−１０−アルキル及びｎ−ウンデシル（ｎ−ｕｎｄｅｃｙｌ）、ｎ−ドデシル（ｎ−ｄｏｄｅｃｙｌ）、ｎ−ウンデシル（ｎ−ｕｎｄｅｃｙｌ）、ｎ−ドデシル（ｎ−ｄｏｄｅｃｙｌ）、ｎ−トリデシル（ｎ−ｔｒｉｄｅｃｙｌ）、ｎ−テトラデシル（ｎ−ｔｅｔｒａｄｅｃｙｌ）、ｎ−（２−ブチル）デシル（ｎ−（２−ｂｕｔｙｌ）ｄｅｃｙｌ）、ｎ−ペンタデシル（ｎ−ｐｅｎｔａｄｅｃｙｌ）、ｎ−ヘキサデシル（ｎ−ｈｅｘａｄｅｃｙｌ）、ｎ−ヘプタデシル（ｎ−ｈｅｐｔａｄｅｃｙｌ）、ｎ−オクタデシル（ｎ−ｏｃｔａｄｅｃｙｌ）、ｎ−ノナデシル（ｎ−ｎｏｎａｄｅｃｙｌ）、ｎ−（２−ヘキシル）テトラデシル（ｎ−（２−ｈｅｘｙｌ）ｔｅｔｒａｄｅｃｙｌ）及びｎ−イコシル（ｎ−ｉｃｏｓｙｌ）（Ｃ２０）である。Ｃ１−３０−アルキルの一例は、Ｃ１−２０−アルキル及びｎ−ドコシル（ｎ−ｄｏｃｏｓｙｌ）（Ｃ２２）、ｎ−（２−デシル）ドデシル（ｎ−（２−ｄｅｃｙｌ）ｄｏｄｅｃｙｌ）、ｎ−テトラコシル（ｎ−ｔｅｔｒａｃｏｓｙｌ）（Ｃ２４）、ｎ−ヘキサコシル（ｎ−ｈｅｘａｃｏｓｙｌ）（Ｃ２６）、ｎ−オクタコシル（ｎ−ｏｃｔａｃｏｓｙｌ）（Ｃ２８）及びｎ−トリアコンチル（ｎ−ｔｒｉａｃｏｎｔｙｌ）（Ｃ３０）である。Ｃ６−３０−アルキルの一例は、ｎ−ヘキシル（ｎ−ｈｅｘｙｌ）、ｎ−ヘプチル（ｎ−ｈｅｐｔｙｌ）、ｎ−オクチル（ｎ−ｏｃｔｙｌ）、ｎ−（２−エチル）ヘキシル（ｎ−（２−ｅｔｈｙｌ）ｈｅｘｙｌ）、ｎ−ノニル（ｎ−ｎｏｎｙｌ）、ｎ−デシル（ｎ−ｄｅｃｙｌ）、ｎ−ウンデシル（ｎ−ｕｎｄｅｃｙｌ）、ｎ−ドデシル（ｎ−ｄｏｄｅｃｙｌ）、ｎ−ウンデシル（ｎ−ｕｎｄｅｃｙｌ）、ｎ−ドデシル（ｎ−ｄｏｄｅｃｙｌ）、ｎ−トリデシル（ｎ−ｔｒｉｄｅｃｙｌ）、ｎ−テトラデシル（ｎ−ｔｅｔｒａｄｅｃｙｌ）、ｎ−（２−ブチル）デシル（ｎ−（２−ｂｕｔｙｌ）ｄｅｃｙｌ）、ｎ−ペンタデシル（ｎ−ｐｅｎｔａｄｅｃｙｌ）、ｎ−ヘキサデシル（ｎ−ｈｅｘａｄｅｃｙｌ）、ｎ−ヘプタデシル（ｎ−ｈｅｐｔａｄｅｃｙｌ）、ｎ−オクタデシル（ｎ−ｏｃｔａｄｅｃｙｌ）、ｎ−ノナデシル（ｎ−ｎｏｎａｄｅｃｙｌ）、ｎ−（２−ヘキシル）テトラデシル（ｎ−（２−ｈｅｘｙｌ）ｔｅｔｒａｄｅｃｙｌ）、ｎ−イコシル（ｎ−ｉｃｏｓｙｌ）、ｎ−ドコシル（ｎ−ｄｏｃｏｓｙｌ）（Ｃ２２）、ｎ−（２−デシル）ドデシル（ｎ−（２−ｄｅｃｙｌ）ｄｏｄｅｃｙｌ）、ｎ−テトラコシル（ｎ−ｔｅｔｒａｃｏｓｙｌ）（Ｃ２４）、ｎ−ヘキサコシル（ｎ−ｈｅｘａｃｏｓｙｌ）（Ｃ２６）、ｎ−オクタコシル（ｎ−ｏｃｔａｃｏｓｙｌ）（Ｃ２８）及びｎ−トリアコンチル（ｎ−ｔｒｉａｃｏｎｔｙｌ）（Ｃ３０）である。
Ｃ６−１４−アリール（ａｒｙｌ）の一例は、フェニル（ｐｈｅｎｙｌ）及びナフチル（ｎａｐｈｔｈｙｌ）である。
５〜１４員のヘテロアリール（５ ｔｏ １４ ｍｅｍｂｅｒｅｄ ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌ）の一例は、
Figure 2021516450
 である。
Ｃ１−１０−アルキレン（ａｌｋｙｌｅｎｅ）の一例は、メチレン（ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）、エチレン（ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、プロピレン（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ブチレン（ｂｕｔｙｌｅｎｅ）、ペンチレン（ｐｅｎｔｙｌｅｎｅ）、へキシレン（ｈｅｘｙｌｅｎｅ）、ヘプチレン（ｈｅｐｔｙｌｅｎｅ）、オクチレン（ｏｃｔｙｌｅｎｅ）、ノニレン（ｎｏｎｙｌｅｎｅ）及びデシレン（ｄｅｃｙｌｅｎｅ）である。
Ｃ２−１０−アルキレン（ａｌｋｙｌｅｎｅ）の一例は、エテニレン（ｅｔｈｅｎｙｌｅｎｅ）、プロペニレン（ｐｒｏｐｅｎｙｌｅｎｅ）、ブテニレン（ｂｕｔｅｎｙｌｅｎｅ）、ペンテニレン（ｐｅｎｔｅｎｙｌｅｎｅ）、ヘキセニレン（ｈｅｘｅｎｙｌｅｎｅ）、ヘプテニレン（ｈｅｐｔｅｎｙｌｅｎｅ）、オクテニレン（ｏｃｔｅｎｙｌｅｎｅ）、ノネニレン（ｎｏｎｅｎｙｌｅｎｅ）及びデセニレン（ｄｅｃｅｎｙｌｅｎｅ）である。
Ｃ２−１０−アルキニレン（ａｌｋｙｎｙｌｅｎｅ）の一例は、エチニレン（ｅｔｈｙｎｙｌｅｎｅ）、プロピニレン（ｐｒｏｐｙｎｙｌｅｎｅ）、ブチニレン（ｂｕｔｙｎｙｌｅｎｅ）、ペンチニレン（ｐｅｎｔｙｎｙｌｅｎｅ）、ヘキシニレン（ｈｅｘｙｎｙｌｅｎｅ）、ヘプチニレン（ｈｅｐｔｙｎｙｌｅｎｅ）、オクチニレン（ｏｃｔｙｎｙｌｅｎｅ）、ノニリレン（ｎｏｎｙｎｙｌｅｎｅ）及びデシニレン（ｄｅｃｙｎｙｌｅｎｅ）である。
Ｃ６−１４−アリーレン（ａｒｙｌｅｎｅ）の一例は、
Figure 2021516450
 である。
Ｃ５−８−シクロアルキレン（ｃｙｃｌｏａｌｋｙｌｅｎｅ）の一例は、シクロペンチレン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌｅｎｅ）、シクロへキシレン（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅ）、シクロヘプチレン（ｃｙｃｌｏｈｅｐｔｙｌｅｎｅ）及びシクロオクチレン（ｃｙｃｌｏｏｃｔｙｌｅｎｅ）である。
５〜１４員のヘテロアリーレン（５ ｔｏ １４ ｍｅｍｂｅｒｅｄ ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌｅｎｅ）の一例は、
Figure 2021516450
 である。
Ｃ６−１４−芳香族環（ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ）及び５〜１４員のヘテロ芳香族環（５ ｔｏ １４ ｍｅｍｂｅｒｅｄ ｈｅｔｅｒｏａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ）からなる群より選択された１つ以上の環を含む多環系（ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ｓｙｓｔｅｍ）の一例は、
Figure 2021516450
 である。
ハロゲンの一例は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩである。
好ましくは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−４−アルキル（ａｌｋｙｌ）である。さらに好ましくは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、Ｈである。
好ましくは、ポリマーブロックＢのモノマー単位（ｍｏｎｏｍｅｒ ｕｎｉｔ）の６０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−４−アルキル（ａｌｋｙｌ）である。
式（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）で表されるモノマー単位の一例は、
Figure 2021516450
 である。
式（１Ｅ）及び（１Ｆ）で表されるモノマー単位の一例は、
Figure 2021516450
 である。
さらに好ましくは、ポリマーブロックＢのモノマー単位の７０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−４−アルキル（ａｌｋｙｌ）である。
さらに好ましくは、ポリマーブロックＢのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、Ｈである。
ポリマーブロックＢは、例えば、モノマー単位（４Ａ）、（４Ｃ）、（４Ｄ）、（４Ｅ）又は（４Ｆ）等のモノマー単位をさらに含むことができる。しかしながら、最も好ましくは、ポリマーブロックＢは、（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）、（１Ｄ）、（１Ｅ）、（１Ｆ）、（１Ｇ）、（１Ｈ）及び（１Ｉ）からなる群より選択されたモノマー単位から本質的に構成される。
ポリマーブロックＡは、いずれかの適したモノマー単位から構成され得る。
好ましくは、ポリマーブロックＡのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ、Ｃ６−１４−アリール、５〜１４員のヘテロアリール及びＣ１−３０−アルキルからなる群より選択され、
前記Ｒａは、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−３０−アルキル、Ｃ（Ｏ）−Ｈ、Ｃ（Ｏ）Ｃ６−１４−アリール、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−３０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ６−１４−アリール）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−３０−アルキル）（Ｃ６−１４−アリール）、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−３０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ６−１４−アリール又はＣＮであり、
前記Ｃ６−１４−アリール及び５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）フェニル、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（フェニル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）（フェニル）、Ｃ（Ｏ）−フェニル、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＨ、Ｏ−フェニル、Ｏ−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）−フェニル、ＣＮ及びＮＯ２からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
前記Ｃ１−３０−アルキルは、フェニル、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）フェニル、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（フェニル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）（フェニル）、Ｃ（Ｏ）−フェニル、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−１０−アルキル、Ｏ−フェニル、Ｏ−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）−フェニル、Ｓｉ（Ｃ１−１０−アルキル）３、Ｓｉ（フェニル）３、ＣＮ及びＮＯ２からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｌ２０は、Ｃ１−１０−アルキレン、Ｃ２−１０−アルケニレン、Ｃ２−１０−アルキニレン、Ｃ６−１４−アリーレン又はＳ（Ｏ）である。
モノマー単位４Ａの一例は、
Figure 2021516450
 である。
モノマー単位４Ｂの一例は、
Figure 2021516450
 である。
モノマー単位４Ｃの一例は、
Figure 2021516450
 である。
さらに好ましくは、ポリマーブロックＡのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ２０、Ｒ２１及びＲ２２は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ６−１４−アリール、５〜１４員のヘテロアリール及びＣ１−３０−アルキルからなる群より選択され、
前記Ｒａは、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−３０−アルキルであり、
前記Ｃ６−１４−アリール及び５〜１４員のヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−１０−アルキルで置換され得て、
前記Ｃ１−３０−アルキルは、Ｓｉ（Ｃ１−１０−アルキル）３及びＳｉ（フェニル）３からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｌ２０は、Ｃ１−１０−アルキレン又はＣ６−１４−アリーレンである。
さらに好ましくは、ポリマーブロックＡのモノマー単位の９０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択されたモノマー単位であり、
前記Ｒ２０及びＲ２１は、互いに独立して、Ｈ及びＣ６−１４−アリールからなる群より選択され、
前記Ｃ６−１４−アリールは、１つ以上のＣ１−１０−アルキルで置換され得て、
Ｌ２０は、Ｃ６−１４−アリーレンである。
最も好ましくは、ポリマーブロックＡのモノマー単位の９０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択されたモノマー単位であり、
前記Ｒ２０及びＲ２１は、互いに独立して、Ｈ及びフェニルからなる群より選択され、
Ｌ２０は、フェニレンである。
ポリマーブロックＡは、例えば、モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）、（１Ｄ）、（１Ｅ）、（１Ｆ）、（１Ｇ）、（１Ｈ）又は（１Ｉ）等のモノマー単位をさらに含むことができる。しかしながら、最も好ましくは、ポリマーブロックＡは、（４Ａ）、（４Ｂ）、（４Ｃ）、（４Ｄ）、（４Ｅ）及び（４Ｆ）からなる群より選択されたモノマー単位から本質的に構成され得る。
本発明の一実施態様において、星型ポリマーは、１つのポリマーブロックＡ及び２つよりも多いポリマーブロックＢで構成される。
本発明の他の一実施態様において、星型ポリマーは、１つのポリマーブロックＡ及び２つのポリマーブロックＢで構成されたトリブロックポリマーである。
好ましくは、星型ポリマーは、１つのポリマーブロックＡ及び２つのポリマーブロックＢで構成されたトリブロックポリマーであり、
前記それぞれのポリマーブロックＢは、ポリマーブロックＡに付着されており、前記ポリマーブロックＢのモノマー単位の６０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−４−アルキルであり、
ただし、モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のうち１つ以上が存在し、［モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のモル（ｍｏｌｓ）］／［モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル（ｍｏｌｓ）］の比は、３０％以上である。
好ましくは、トリブロックポリマーのポリマーブロックＢのモノマー単位の７０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−４−アルキルであり、
ただし、モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のうち１つ以上が存在し、［モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のモル（ｍｏｌｓ）］／［モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル（ｍｏｌｓ）］の比は、５０％以上である。
さらに好ましくは、トリブロックポリマーのポリマーブロックＢのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、Ｈであり、
ただし、モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のうち１つ以上が存在し、［モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のモル（ｍｏｌｓ）］／［モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル（ｍｏｌｓ）］の比は、７０％以上である。
トリブロックポリマーのポリマーブロックＢは、例えば、モノマー単位（４Ａ）、（４Ｃ）、（４Ｄ）、（４Ｅ）又は（４Ｆ）等のモノマー単位をさらに含むことができる。しかしながら、最も好ましくは、ポリマーブロックＢは、（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）、（１Ｄ）、（１Ｅ）、（１Ｆ）、（１Ｇ）、（１Ｈ）及び（１Ｉ）からなる群より選択されたモノマー単位から本質的に構成され得る。
好ましくは、トリブロックポリマーのポリマーブロックＡのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ、Ｃ６−１４−アリール、５〜１４員のヘテロアリール及びＣ１−３０−アルキルからなる群より選択され、
前記Ｒａは、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−３０−アルキル、Ｃ（Ｏ）−Ｈ、Ｃ（Ｏ）Ｃ６−１４−アリール、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−３０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ６−１４−アリール）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−３０−アルキル）（Ｃ６−１４−アリール）、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−３０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ６−１４−アリール又はＣＮであり、
前記Ｃ６−１４−アリール及び５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）フェニル、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（フェニル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）（フェニル）、Ｃ（Ｏ）−フェニル、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＨ、Ｏ−フェニル、Ｏ−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）−フェニル、ＣＮ及びＮＯ２からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
前記Ｃ１−３０−アルキルは、フェニル、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）フェニル、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（フェニル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）（フェニル）、Ｃ（Ｏ）−フェニル、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−１０−アルキル、Ｏ−フェニル、Ｏ−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）−フェニル、Ｓｉ（Ｃ１−１０−アルキル）３、Ｓｉ（フェニル）３、ＣＮ及びＮＯ２からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
ｎは、１〜３の整数である。
さらに好ましくは、トリブロックポリマーのポリマーブロックＡのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ２０、Ｒ２１及びＲ２２は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ６−１４−アリール、５〜１４員のヘテロアリール及びＣ１−３０−アルキルからなる群より選択され、
前記Ｒａは、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−３０−アルキルであり、
前記Ｃ６−１４−アリール及び５〜１４員のヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−１０−アルキルで置換され得て、
前記Ｃ１−３０−アルキルは、Ｓｉ（Ｃ１−１０−アルキル）３及びＳｉ（フェニル）３からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
ｎは、１〜３の整数である。
最も好ましくは、トリブロックポリマーのポリマーブロックＡのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択されたモノマー単位であり、
前記Ｒ２０及びＲ２１は、互いに独立して、Ｈ及びＣ６−１４−アリールからなる群より選択され、
前記Ｃ６−１４−アリールは、１つ以上のＣ１−１０−アルキルで置換され得る。
トリブロックポリマーのポリマーブロックＡは、例えば、モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）、（１Ｄ）、（１Ｅ）、（１Ｆ）、（１Ｇ）、（１Ｈ）及び（１Ｉ）等のモノマー単位をさらに含むことができる。しかしながら、最も好ましくは、トリブロックポリマーのポリマーブロックＡは、（４Ａ）、（４Ｂ）、（４Ｃ）、（４Ｄ）、（４Ｅ）及び（４Ｆ）からなる群より選択されたモノマー単位から本質的に構成され得る。
さらに好ましくは、星型ポリマーは、１つのポリマーブロックＡ及び２つのポリマーブロックＢで構成されたトリブロックポリマーであり、
前記ポリマーブロックＢのモノマー単位の７０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−４−アルキルであり、
ただし、モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のうち１つ以上が存在し、［モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のモル（ｍｏｌｓ）］／［モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル（ｍｏｌｓ）］の比は、５０％以上であり、
前記ポリマーブロックＡのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマー単位であり、
前記Ｒ２０は、Ｈであり、
前記Ｒ２１は、各出現において、Ｃ６−１４−アリールであり、
前記Ｃ６−１４−アリールは、１つ以上のＣ１−１０−アルキルで置換され得る。
よりさらに好ましくは、本発明の星型ポリマーは、１つのポリマーブロックＡ及び２つのポリマーブロックＢで構成されたトリブロックポリマーであり、
前記ポリマーブロックＢのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、Ｈであり、
ただし、モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のうち１つ以上が存在し、［モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のモル（ｍｏｌｓ）］／［モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル（ｍｏｌｓ）］の比は、７０％以上であり、
前記ポリマーブロックＡのモノマー単位の９０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマー単位であり、
前記Ｒ２０は、Ｈであり、
前記Ｒ２１は、フェニルである。
ポリマーブロックＢ及びポリマーブロックＡに係る定義及び製造方法を含んだポリマーに係る以下の定義及び製造方法は、トリブロックポリマーを含んだ星型ポリマーにも適用される。
好ましくは、ポリマーブロックＡ／総ポリマーブロックＢの重量比は、６０／４０〜９６／４である。さらに好ましくは、ポリマーブロックＡ／総ポリマーブロックＢの重量比は、７０／３０〜９６／４である。最も好ましくは、ポリマーブロックＡ／総ポリマーブロックＢの重量比は、７６／２４〜９４／４である。
好ましくは、星型ポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ｇｅｌ ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）での測定時、６００００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎ、及び７００００ｇ／ｍｏｌ以上の重量平均分子量Ｍｗを有する。
さらに好ましくは、星型ポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィーでの測定時、１０００００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎ、及び１２００００ｇ／ｍｏｌ以上の重量平均分子量Ｍｗを有する。
最も好ましくは、星型ポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィーでの測定時、１２００００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎ、及び１５００００ｇ／ｍｏｌ以上の重量平均分子量Ｍｗを有する。
ポリマーブロックＢの製造に使用された総モノマーは、ポリマーブロックＢに含まれるものと仮定する。
モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＢの製造に使用されたモノマーの総モル（ｍｏｌｓ）を基準としている。
［モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のモル（ｍｏｌｓ）］／［モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル（ｍｏｌｓ）］の比は、シグナルの完全な緩和（ｆｕｌｌ ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｇｎａｌｓ）に充分な時間が許容された１Ｈ−ＮＭＲによって得られたシグナル積分値（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｓｉｇｎａｌｓ）から決定され得る。このデータから、［モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のモル（ｍｏｌｓ）］／［モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル（ｍｏｌｓ）］の比が計算され得る。
ポリマーブロックＢにおけるモノマー単位（１Ｅ）及び（１Ｆ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、モノマー単位（１Ｅ）及び（１Ｆ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＢの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
ポリマーブロックＢにおけるモノマー単位（１Ｇ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、ポリマーブロックＢの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
ポリマーブロックＢにおけるモノマー単位（１Ｈ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、ポリマーブロックＢの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
ポリマーブロックＢにおけるモノマー単位（１Ｉ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、ポリマーブロックＢの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
ポリマーブロックＡの製造に使用された全モノマーは、ポリマーブロックＡに含まれるものと仮定する。
このように、ポリマーブロックＡにおけるモノマー単位（４Ａ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、前記Ｒ２０及びＲ２１は、モノマー単位（４Ａ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＡの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
ポリマーブロックＡにおけるモノマー単位（４Ｂ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、前記Ｌ２０は、モノマー単位（４Ｂ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＡの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
ポリマーブロックＡにおけるモノマー単位（４Ｃ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、前記Ｒ２２及びＲａは、モノマー単位（４Ｃ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＡの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
ポリマーブロックＡにおけるモノマー単位（４Ｄ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、前記ｎは、モノマー単位（４Ｄ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＡの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
ポリマーブロックＡにおけるモノマー単位（４Ｅ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、前記Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６は、モノマー単位（４Ｅ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＡの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
ポリマーブロックＡにおけるモノマー単位（４Ｆ）のモル％は、
Figure 2021516450
 で表されるモノマーのモル％と同じであると仮定し、前記Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６は、モノマー単位（４Ｆ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＡの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
少なくとも１つのポリマーブロックＡ及び少なくとも２つのポリマーブロックＢで構成された星型ポリマーは、当該技術分野で公知の重合方法によって製造され得る。
例えば、ポリマーブロックＡは、
Figure 2021516450
 からなる群より選択されたモノマーを８０モル％以上使用するアニオン重合方法（ａｎｉｏｎｉｃ ｐｏｌｙｍｅｒｉｓａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ）により製造することができ、前記Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒａ及びｎは、モノマー単位（４Ａ）、（４Ｂ）、（４Ｃ）、（４Ｄ）、（４Ｅ）及び（４Ｆ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＡの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
例えば、ポリマーブロックＢは、
Figure 2021516450
 からなる群より選択されたモノマーを６０モル％以上使用するアニオン重合方法により製造することができ、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）について定義された通りであり、ポリマーブロックＢの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
アニオン重合方法は、通常、ｎ−ＢｕＬｉ又はｓｅｃ−ＢｕＬｉ等の単官能開始剤又は１，４−ジリチオ−１，１，４，４−テトラフェニルブタン（１，４−ｄｉｌｉｔｈｉｏ−１，１，４，４−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｎｅ）等の二官能開始剤により開始される。
アニオン重合方法は、通常、適した非プロトン性溶媒又は非プロトン性溶媒の混合物において行われる。非プロトン性溶媒は、テトラヒドロフラン（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎ）等の極性溶媒、もしくはトルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）又はシクロヘキサン（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ）等の非極性溶媒であり得る。
総モノマー／溶媒の重量比は、通常、１／１００〜４０／１００（重量／重量）の範囲、さらに好ましくは、５／１０〜３００／１００（重量／重量）の範囲である。
アニオン重合は、通常、３０〜８０℃、好ましくは５０〜８０℃の温度で行われる。
アニオン重合は、通常、水又はイソプロパノール（ｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ）等のプロトン性溶媒の添加によって停止する。
アニオン重合についての実務的な詳細は、例えば、Ｍａｕｒｉｃｅ Ｍｏｒｔｏｎ ｉｎ「Ａｎｉｏｎｉｃ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ：Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ Ｐｒａｃｔｉｃｅ」、Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９８３、及びＨｅｎｒｙ Ｈｓｉｅｈ、Ｒｏｄｅｒｉｃ Ρ．Ｑｕｉｒｋ Ａｎｉｏｎｉｃ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ：Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９９６に記載されている。
例えば、ポリマーブロックＢは、
Figure 2021516450
 からなる群より選択されたモノマーを６０モル％以上使用する開環メタセシス重合（ｒｉｎｇ−ｏｐｅｎｉｎｇ ｍｅｔａｔｈｅｓｉｓ ｐｏｌｙｍｅｒｉｓａｔｉｏｎ、ＲＯＭＰ）により製造することができ、ポリマーブロックＢの製造に使用されたモノマーの総モルを基準としている。
開環メタセシス重合方法は、通常、Ｓｃｈｒｏｃｋ触媒又はＧｒｕｂｂｓ’触媒等の適した触媒下で行われる。開環メタセシス重合方法は、アルデヒド（ａｌｄｅｈｙｄｅ）の添加によって停止され得る。
触媒の適切な選択及びＲＯＭＰの進行は、「Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｍｅｔａｔｈｅｓｉｓ、Ｖｏｌｕｍｅ １−３」ｂｙ Ｒｏｂｅｒｔ Η．Ｇｒｕｂｂｓ ｅｔ ａｌ． ２０１５、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ、Ｗｅｉｎｈｅｉｍ、ａｎｄ Ｒｏｂｅｒｔ Η．Ｇｒｕｂｂｓ ｉｎ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｍｅｔａｔｈｅｓｉｓ（Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ、Ｗｅｉｎｈｅｉｍ、２００３）から得ることができる。
星型ポリマーが１つのポリマーブロックＡ及び２つのポリマーブロックＢで構成されたトリブロックポリマーである場合、以下の示す「モノマーの逐次添加（ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ ａｄｄｉｔｉｏｎ ｏｆ ｍｏｎｏｍｅｒｓ）」、「二官能性開始（ｂｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ）」又は「二官能性カップリング（ｂｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）」の製造方法が採用され得る。
アニオン重合による「モノマーの逐次添加」では、ｎ−ＢｕＬｉ又はｓｅｃ−ＢｕＬｉ等の単官能開始剤を提供した後、第１ポリマーブロックＢのためのモノマーを添加し、引き続き第１ポリマーブロックＡのためのモノマーを添加した後、第２ポリマーブロックＢのためのモノマーを添加し、プロトン性溶媒で停止させる。
アニオン重合による「二官能性開始」は、１，４−ジリチオ−１，１，４，４−テトラフェニルブタン（１，４−ｄｉｌｉｔｈｉｏ−１，１，４，４−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｎｅ）等の二官能開始剤を提供した後、ポリマーブロックＡのためのモノマーを添加し、引き続きポリマーブロックＢのためのモノマーを添加した後、プロトン性溶媒で停止させる。最終ポリマーにおいて、二官能開始剤はポリマーブロックＡの一部となる。
「二官能性カップリング」は、２個の末端ＣＨ＝Ｏ基を有するポリマーブロックＡと、単官能開始剤を用いたアニオン重合又は開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）により製造されたポリマーブロックＢとのカップリングを含むことができる。
「二官能性カップリング」はまた、二官能開始剤を用いたアニオン重合により製造されたポリマーブロックＡと、ＣＨ＝Ｏ基を有するポリマーブロックＢとのカップリングを含むことができる。
２個の末端ＣＨ＝Ｏ基を有するポリマーブロックＡは、二官能開始剤を用いたアニオン重合により製造された後、停止を起こす基と共にアルデヒド基（ａｌｄｅｈｙｄｅ ｇｒｏｕｐ）又は保護アルデヒド基（ｐｒｏｔｅｃｔｅｄ ａｌｄｅｈｙｄｅ ｇｒｏｕｐ）をさらに含む試薬で反応を停止させることができ、保護アルデヒド基が存在していれば、保護アルデヒド基は脱保護され得る。
ＣＨ＝Ｏ基を有するポリマーブロックＢは、単官能開始剤を用いたアニオン重合又は開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）により製造された後、停止を起こす基と共にアルデヒド基又は保護アルデヒド基をさらに含む試薬で反応を停止させることができ、保護アルデヒド基が存在していれば、保護アルデヒド基は脱保護され得る。
停止を起こす基及びアルデヒド基をさらに含む試薬の一例は、Ｏ＝ＣＨ−（ＣＨ２）２−Ｃｌ、Ｏ＝ＣＨ−フェニレン−ＣＨ２Ｃｌ及びＯ＝ＣＨ−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｍｅ）２Ｃｌである。
停止を起こす基及び保護アルデヒド基をさらに含む試薬の一例は、Ｏ＝ＣＨ−（ＣＨ２）２−Ｃ（ＯＣＨ３）２又はＯ＝ＣＨ−フェニレン−Ｃ（ＯＣＨ３）２である。保護アルデヒド基は、酢酸の存在下で加水分解によって脱保護され得る。
保護官能化停止剤（ｐｒｏｔｅｃｔｅｄ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ａｇｅｎｔ）及び開始剤によって末端官能化ポリマー（ｅｎｄ−ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ）を製造するための包括的な概要は、Ａ．Ｈｉｒａｏ ａｎｄ Μ．Ｈａｙａｓｈｉ ｉｎ「Ｒｅｃｅｎｔ ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ ｗｅｌｌ−ｄｅｆｉｎｅｄ ｅｎｄｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｂｙ ｍｅａｎｓ ｏｆ ａｎｉｏｎｉｃ ｌｉｖｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ」、Ａｃｔａ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃａ １９９９、Ｖｏｌ．５０、ｐａｇｅ ２１９ ｔｏ ２３１によって提供される。
ポリマーが、１つのポリマーブロックＡ及び２つ以上のポリマーブロックＢで構成されたポリマー、いわゆる「星型ポリマー」である場合、「多官能性開始（ｍｕｌｔｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ）」又は「多官能性カップリング（ｍｕｌｔｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）」の製造方法が採用され得る。
例えば、アニオン重合による「多官能性開始」は、多官能開始剤を提供した後、ポリマーブロックＡのためのモノマーを添加し、引き続きポリマーブロックＢのためのモノマーを添加することを含むことができる。最終ポリマーにおいて、多官能開始剤はポリマーブロックＡの一部となる。例えば、ポリマーブロックＡが主に式（１Ａ）で表されるモノマー単位を含む場合、多官能開始剤は、例えばｎ−ＢｕＬｉ又はｓｅｃ−ＢｕＬｉ等の通常のリチウム有機化合物といった単官能開始剤の存在下で、ジビニルベンゼン（ｄｉｖｉｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、ジフェニルベンゼン（ｄｉｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｌｅｎｅ）及びスチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）の重合によって得られたオリゴマー（ｏｌｉｇｏｍｅｒ）であり得る。
例えば、アニオン重合による「多官能性カップリング」は、例えばｎ−ＢｕＬｉ又はｓｅｃ−ＢｕＬｉ等の通常のリチウム有機化合物といった単官能開始剤を提供した後、ポリマーブロックＢのためのモノマーを添加し、引き続きポリマーブロックＡのためのモノマーを添加した後、１，２−ビス−（トリクロロシリル）エタン（１，２−ｂｉｓ−（ｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌｙｌ）ｅｔｈａｎｅ）等の多官能カップリング剤を添加することができる。
ポリマーブロックＡ及びポリマーブロックＢのモノマー単位により、適切な製造方法が選択され得る。
好ましくは、少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤は、２つのアジド基を有する架橋剤である。
好ましくは、２つのアジド基を有する架橋剤は、下記式（２）で表される。
Figure 2021516450
 前記式（２）において、
ａは、０又は１であり、
Ｒ５０は、各出現において、Ｈ、ハロゲン、ＳＯ３Ｍ及びＣ１−２０−アルキルからなる群より選択され、
前記Ｃ１−２０−アルキルは、１つ以上のハロゲンで置換され得て、
前記Ｍは、Ｈ、Ｎａ、Ｋ又はＬｉであり、
Ｌ５０は、連結基（ｌｉｎｋｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）である。
好ましくは、ａは、０である。
好ましくは、Ｒ５０は、各出現において、Ｆ、ＳＯ３Ｍ及びＣ１−２０−アルキルからなる群より選択され、前記Ｃ１−２０−アルキルは、１つ以上のＦで置換され得て、前記Ｍは、Ｎａ、Ｋ又はＬｉである。
さらに好ましくは、Ｒ５０は、各出現において、Ｆである。
Ｌ５０は、いずれかの適した連結基であり得る。
好ましくは、Ｌ５０は、下記式（３）で表される連結基である。
Figure 2021516450
 前記式（３）において、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈは、互いに独立して、０又は１で、ただし、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈの全てが同時に０ではなく、
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４は、互いに独立して、Ｃ（Ｏ）、Ｃ（Ｏ）Ｏ、Ｃ（Ｏ）−ＮＲ５１、ＳＯ２−ＮＲ５１、ＮＲ５１、Ｎ＋Ｒ５１Ｒ５１、ＣＲ５１＝ＣＲ５１及びエチニレン（ｅｔｈｙｎｙｌｅｎｅ）からなる群より選択され、
Ｒ５１は、各出現において、Ｈ又はＣ１−１０−アルキルであるか、もしくは、異なるＷ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４基からのものであり得る２個のＲ５１基は、連結原子とともに５、６又は７員環を形成し、Ｒ５１は、１〜３個のＣ１−６−アルキルで置換され得て、
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、互いに独立して、Ｃ１−１０−アルキレン、Ｃ５−８−シクロアルキレン、Ｃ６−１４−アリーレン、５〜１４員のヘテロアリーレン並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員のヘテロ芳香族環からなる群より選択される１つ以上の環を含む多環系（ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ｓｙｓｔｅｍ）からなる群より選択され、
前記Ｃ１−１０−アルキレン、Ｃ５−８−シクロアルキレン、Ｃ６−１４−アリーレン、５〜１４員のヘテロアリーレン並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員のヘテロ芳香族環からなる群より選択される１つ以上の環を含む多環系は、１〜５個のＣ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得る。
連結基Ｌ５０の一例は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 である。
さらに好ましくは、Ｌ５０は、下記式（３）で表される連結基である。
Figure 2021516450
 前記式（３）において、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈは、互いに独立して、０又は１で、ただし、ｃ、ｅ及びｇのうち１つ以上が１であり、
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４は、互いに独立して、Ｃ（Ｏ）、Ｃ（Ｏ）Ｏ、Ｃ（Ｏ）−ＮＲ５１、ＳＯ２−ＮＲ５１、ＮＲ５１、Ｎ＋Ｒ５１Ｒ５１、ＣＲ５１＝ＣＲ５１及びエチニレンからなる群より選択され、
Ｒ５１は、各出現において、Ｈ又はＣ１−１０−アルキルであるか、もしくは、異なるＷ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４基からのものであり得る２個のＲ５１基は、連結原子とともに５、６又は７員環を形成し、Ｒ５１は、１〜３個のＣ１−６−アルキルで置換され得て、
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、互いに独立して、Ｃ１−１０−アルキレン、Ｃ５−８−シクロアルキレン、Ｃ６−１４−アリーレン、５〜１４員のヘテロアリーレン並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員のヘテロ芳香族環からなる群より選択される１つ以上の環を含む多環系からなる群より選択され、
前記Ｃ１−１０−アルキレン、Ｃ５−８−シクロアルキレン、Ｃ６−１４−アリーレン、５〜１４員のヘテロアリーレン並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員のヘテロ芳香族環からなる群より選択される１つ以上の環を含む多環系は、１〜５個のＣ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
ただし、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３のうち１つ以上が、Ｃ６−１４−アリーレン、５〜１４員のヘテロアリーレン又はＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員のヘテロ芳香族環からなる群より選択される１つ以上の環を含む多環系である。
最も好ましくは、Ｌ５０は、下記式（３）で表される連結基である。
Figure 2021516450
 前記式（３）において、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈは、互いに独立して、０又は１で、ただし、ｃ、ｅ及びｇのうち１つ以上が１であり、
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４は、互いに独立して、Ｃ（Ｏ）、ＣＲ５１＝ＣＲ５１及びエチニレンからなる群より選択され、
Ｒ５１は、Ｈであり、
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、互いに独立して、Ｃ１−１０−アルキレン、Ｃ６−１４−アリーレン、５〜１４員のヘテロアリーレン並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員のヘテロ芳香族環からなる群より選択される１つ以上の環を含む多環系からなる群より選択され、
前記Ｃ１−１０−アルキレン、Ｃ６−１４−アリーレン、５〜１４員のヘテロアリーレン並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員のヘテロ芳香族環からなる群より選択される１つ以上の環を含む多環系は、１又は２個のＣ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
ただし、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３のうち１つ以上が、Ｃ６−１４−アリーレン、５〜１４員のヘテロアリーレン又はＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員のヘテロ芳香族環からなる群より選択される１つ以上の環を含む多環系である。
特に、Ｌ５０は、
Figure 2021516450
 （ここで、Ｒ１２は、Ｃ１−２０−アルキルである）である。
少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤の製造は、種々の出版物に記載されており、例えば、ＷＯ ２０１５／００４５６３、Ｃａｉ、Ｓ．Ｘ．；Ｇｌｅｎｎ、Ｄ．Ｊ．；Ｋａｎｓｋａｒ、Ｍ．；Ｗｙｂｏｕｒｎｅ、Ｍ．Ｎ．；Ｋｅａｎａ、Ｊ．Ｆ．Ｗ．Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１９９４、６、１８２２−１８２９、Ｙａｎ、Ｍ．；Ｃａｉ、Ｓ．Ｘ．；Ｗｙｂｏｕｒｎｅ、Ｍ．Ｎ．；Ｋｅａｎａ、Ｊ．Ｆ．Ｗ．Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．１９９６、６、１２４９−１２５２、Ｔｏｕｗｓｌａｇｅｒ、Ｆ．Ｊ．；Ｗｉｌｌａｒｄ、Ｎ．Ｐ．；Ｌｅｅｕｗ、Ｄ．Ｍ．Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ２００２、８１，４５５６、ＷＯ ２００４／１００２８２、ＷＯ ２００７／００４９９５、ＷＯ ２００９／０６８８８４、Ｐｎｇ、Ｒ．−Ｑ．；Ｃｈｉａ、Ｐ．−Ｊ．；Ｔａｎｇ、Ｊ．−Ｃ．；Ｌｉｕ、Ｂ．；Ｓｉｖａｒａｍａｋｒｉｓｈｎａｎ Ｓ．；Ｚｈｏｕ、Ｍ．；Ｋｈｏｎｇ、Ｓ．−Ｈ．；Ｃｈａｎ、Ｈ．Ｓ．Ｏ．；Ｂｕｒｒｏｕｇｈｅｓ、Ｊ．Ｈ．；Ｃｈｕａ、Ｌ．−Ｌ．；Ｆｒｉｅｎｄ、Ｒ．Ｈ．；Ｈｏ、Ｐ．Ｋ．Ｈ．Ｎａｔｕｒｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１０、９（２）、１５２−１５２、及びＷＯ ２０１１／０６８４８２に記載されている。
第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物は、溶媒をさらに含むことができる。溶媒は、いずれかの適した溶媒又は溶媒の混合物であり得る。好ましくは、溶媒は、極性非プロトン性溶媒又は極性非プロトン性溶媒の混合物である。極性非プロトン性溶媒の一例は、エチルアセテート（ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）、ブチルアセテート（ｂｕｔｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）、アセトン（ａｃｅｔｏｎｅ）、シクロペンタノン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｎｏｎｅ）、テトラヒドロフラン（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ）、アセトニトリル（ａｃｅｔｏｎｉｔｒｉｌｅ）、ジメチルホルムアミド（ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ）及びジメチルスルホキシド（ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｕｌｆｏｘｉｄｅ）である。好ましい極性非プロトン性溶媒は、ブチルアセテート（ｂｕｔｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）、シクロペンタノン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｎｏｎｅ）及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ）であり、特には、シクロペンタノン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｎｏｎｅ）及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ）である。
好ましくは、第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物は、溶液であり、
ｉ）組成物１０００ｍｇを基準として、０．１〜５００ｍｇの第１誘電性材料、
ｉｉ）第１誘電性材料の重量を基準として、０．１〜２０重量％の少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤、及び
ｉｉｉ）溶媒
を含む。
さらに好ましくは、第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物は、溶液であり、
ｉ）組成物１０００ｍｇを基準として、０．１〜２５０ｍｇの第１誘電性材料、
ｉｉ）第１誘電性材料の重量を基準として、０．１〜１５重量％の少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤、及び
ｉｉｉ）溶媒
を含む。
最も好ましくは、第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物は、溶液であり、
ｉ）組成物１０００ｍｇを基準として、１０〜１００ｍｇの第１誘電性材料、
ｉｉ）第１誘電性材料の重量を基準として、１〜１０重量％の少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤、及び
ｉｉｉ）溶媒
を含む。
第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物は、第１誘電性材料、少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤及び任意の溶媒を混合することによって製造され得る。
有機半導電性材料（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ）は、当該技術分野で公知のいずれかの有機半導電性材料であり得る。有機半導電性材料は、小分子（ｓｍａｌｌ ｍｏｌｅｃｕｌｅ）又はポリマーであり得る。
有機半導電性材料の一例は、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）及びこれらの誘導体等の線形縮合芳香族環（ｌｉｎｅａｒｌｙ−ｆｕｓｅｄ ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ）からなる多環芳香族炭化水素（ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ａｒｏｍａｔｉｃ ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ペリレンジイミド誘導体（ｐｅｒｙｌｅｎｅ ｄｉｉｍｉｄｅ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ）、ペリレン無水物誘導体（ｐｅｒｙｌｅｎｅ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ）及びナフタレンジイミド誘導体（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ ｄｉｉｍｉｄｅ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ）等の２次元縮合芳香族環（ｔｗｏ−ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｆｕｓｅｄ ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ）からなる多環芳香族炭化水素、トリフェニルアミン誘導体（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ）、オリゴチオフェン（ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、オリゴフェニレンビニレン（ｏｌｉｇｏｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ポリチエニレンビニレンポリパラフェニレン（ｐｏｌｙｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ ｐｏｌｙｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、ポリピロール（ｐｏｌｙｐｙｒｒｏｌｅ）及びポリアニリン（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）等の芳香族単位を含むオリゴマー及びポリマー、ポリアセチレン（ｐｏｌｙａｃｅｔｙｌｅｎｅｓ）等の炭化水素鎖、並びにジケトピロロピロール系材料（ｄｉｋｅｔｏｐｙｒｒｏｌｏｐｙｒｒｏｌｅ−ｂａｓｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌ）である。
例えば、線形縮合芳香族環からなるビス−アルキニル置換多環芳香族炭化水素（ｂｉｓ−ａｌｋｉｎｙｌ ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ａｒｏｍａｔｉｃ ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ）は、ＷＯ２００７／０６８６１８に記載されている。
例えば、ペリレンジイミド誘導体、ペリレン無水物誘導体及びナフタレンジイミド誘導体は、ＷＯ２００７／０７４１３７、ＷＯ２００７／０９３６４３、ＷＯ２００９／０２４５１２、ＷＯ２００９／１４７２３７、ＷＯ２０１２／０９５７９０、ＷＯ２０１２／１１７０８９、ＷＯ２０１２／１５２５９８、ＷＯ２０１４／０３３６２２、ＷＯ２０１４／１７４４３５及びＷＯ２０１５／１９３８０８に記載されている。
例えば、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）単位を含むポリマーは、ＷＯ２０１０／０００６６９に記載されており、ベンゾチアジアゾール−シクロペンタジチオフェン（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌ−ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）単位を含むポリマーは、ＷＯ２０１０／０００７５５に記載されており、ジチエノベンザチエノチオフェン（ｄｉｔｈｉｅｎｏｂｅｎｚａｔｈｉｅｎｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）単位を含むポリマーは、ＷＯ２０１１／０６７１９２に記載されており、ジチエノフタルイミド（ｄｉｔｈｉｅｎｏｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）単位を含むポリマーは、ＷＯ２０１３／００４７３０に記載されており、チエノチオフェン−２，５−ジオン（ｔｈｉｅｎｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，５−ｄｉｏｎｅ）単位を含むポリマーは、ＷＯ２０１２／１４６５０６に記載されており、イソインディゴ系（Ｉｓｏｉｎｄｉｇｏ−ｂａｓｅｄ）単位を含むポリマーは、ＷＯ２００９／０５３２９１に記載されている。
例えば、ジケトピロロピロール系材料及びこれらの合成は、ＷＯ２００５／０４９６９５、ＷＯ２００８／０００６６４、ＷＯ２０１０／０４９３２１、ＷＯ２０１０／０４９３２３、ＷＯ２０１０／１０８８７３、ＷＯ２０１０／１３６３５２、ＷＯ２０１０／１３６３５３、ＷＯ２０１２／０４１８４９、ＷＯ２０１２／１７５５３０、ＷＯ２０１３／０８３５０６、ＷＯ２０１３／０８３５０７及びＷＯ２０１３／１５０００５に記載されている。
半導電性材料として適切なジケトピロロピロール（ＤＰＰ）系ポリマーに対する要旨も、Ｃｈｒｉｓｔｉａｎ Ｂ．Ｎｉｅｌｓｅｎ、Ｍａｔｈｉｅｕ Ｔｕｒｂｉｅｚ ａｎｄ ｌａｉｎ ＭｃＣｕｌｌｏｃｈ、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１３、２５、１８５９ ｔｏ １８８０に提示されている。
好ましくは、有機半導電性材料は、少なくとも１つのジケトピロロピロール系材料（ｄｉｋｅｔｏｐｙｒｒｏｌｏｐｙｒｒｏｌｅ−ｂａｓｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌ）である。
好ましくは、ジケトピロロピロール系材料は、
ｉ）下記式（７）で表される単位を含むジケトピロロピロール系ポリマー、もしくは
ii）下記式（８）又は下記式（９）で表されるジケトピロロピロール系小分子である。
Figure 2021516450
 前記式（７）において、
Ｒ３０は、各出現において、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル又はＣ２−３０−アルキニルであり、前記Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル及びＣ２−３０−アルキニルは、１つ以上の−Ｓｉ（Ｒｂ）３又はＯＳｉ（Ｒｂ）３で置換され得るか、又はＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル及びＣ２−３０−アルキニルの１つ以上のＣＨ２基が−Ｓｉ（Ｒｂ）２−又は［Ｓｉ（Ｒｂ）２−Ｏ］ａ−Ｓｉ（Ｒｂ）２−で代替され得て、
前記Ｒｂは、各出現において、Ｃ１−１０−アルキルであり、ａは、１〜２０の整数であり、
ｏ及びｍは、互いに独立して、０又は１であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、アリーレン（ａｒｙｌｅｎｅ）又はヘテロアリーレン（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌｅｎｅ）であり、前記アリーレン及びヘテロアリーレンは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール又はヘテロアリールで置換され得て、ここで、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
Ａｒ３は、各出現において、アリーレン又はヘテロアリーレンであり、前記アリーレン及びヘテロアリーレンは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール又はヘテロアリールで置換され得て、ここで、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、隣接したＡｒ３は、ＣＲｃＲｃ、ＳｉＲｃＲｃ又はＧｅＲｃＲｃリンカーを介して連結され得て、前記Ｒｃは、各出現において、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル又はアリールであり、ここで、Ｃ１−３０−アルキル及びアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
ｐは、各出現において、１〜８の整数であり、
Ａｒ４は、各出現において、アリール又はヘテロアリールであり、前記アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル又はフェニルで置換され得て、ここで、フェニルは、Ｃ１−２０−アルキル又はＯ−Ｃ１−２０−アルキルで置換され得る；
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 前記式（８）及び式（９）において、
Ｒ３１は、各出現において、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル又はＣ２−３０−アルキニルであり、前記Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル及びＣ２−３０−アルキニルは、１つ以上の−Ｓｉ（Ｒｄ）３又はＯＳｉ（Ｒｄ）３で置換され得るか、又はＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル及びＣ２−３０−アルキニルの１つ以上のＣＨ２基が−Ｓｉ（Ｒｄ）２−又は［Ｓｉ（Ｒｄ）２−Ｏ］ａ−Ｓｉ（Ｒｄ）２−で代替され得て、
前記Ｒｄは、各出現において、Ｃ１−１０−アルキルであり、ａは、１〜２０の整数であり、
Ｒ３２は、Ｈ、ＣＮ、Ｃ１−２０−アルキル、Ｃ２−２０−アルケニル、Ｃ２−２０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル、アリール又はヘテロアリールであり、ここで、Ｃ１−２０−アルキル、Ｃ２−２０−アルケニル、Ｃ２−２０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−６−アルキル、Ｏ−Ｃ１−６−アルキル又はフェニルで置換され得て、
ｘ及びｙは、互いに独立して、０又は１であり、
Ａｒ５及びＡｒ６は、互いに独立して、アリーレン又はヘテロアリーレンであり、前記アリーレン及びヘテロアリーレンは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール又はヘテロアリールで置換され得て、ここで、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
Ｌ３及びＬ４は、互いに独立して、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
Ａｒ７は、各出現において、アリーレン又はヘテロアリーレンであり、前記アリーレン及びヘテロアリーレンは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール又はヘテロアリールで置換され得て、ここで、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、隣接したＡｒ７は、ＣＲｅＲｅ、ＳｉＲｅＲｅ又はＧｅＲｅＲｅリンカーを介して連結され得て、前記Ｒｅは、各出現において、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル又はアリールであり、ここで、Ｃ１−３０−アルキル及びアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
ｑは、各出現において、１〜８の整数であり、
Ａｒ８は、各出現において、アリール又はヘテロアリールであり、前記アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル又はフェニルで置換され得て、フェニルは、Ｃ１−２０−アルキル又はＯ−Ｃ１−２０−アルキルで置換され得る。
線形Ｃ６−１４−アルキルの一例は、ｎ−ヘキシル（ｎ−ｈｅｘｙｌ）、ｎ−ヘプチル（ｎ−ｈｅｐｔｙｌ）、ｎ−オクチル（ｎ−ｏｃｔｙｌ）、ｎ−ノニル（ｎ−ｎｏｎｙｌ）、ｎ−デシル（ｎ−ｄｅｃｙｌ）、ｎ−ウンデシル（ｎ−ｕｎｄｅｃｙｌ）、ｎ−ドデシル（ｎ−ｄｏｄｅｃｙｌ）、ｎ−ウンデシル（ｎ−ｕｎｄｅｃｙｌ）、ｎ−ドデシル（ｎ−ｄｏｄｅｃｙｌ）、ｎ−トリデシル（ｎ−ｔｒｉｄｅｃｙｌ）及びｎ−テトラデシル（ｎ−ｔｅｔｒａｄｅｃｙｌ）である。
線形Ｃ２−１２−アルキルの一例は、エチル（ｅｔｈｙｌ）、ｎ−プロピル（ｎ−ｐｒｏｐｙｌ）、イソプロピル（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ）、ｎ−ブチル（ｎ−ｂｕｔｙｌ）、ｎ−ペンチル（ｎ−ｐｅｎｔｙｌ）、ｎ−ヘキシル（ｎ−ｈｅｘｙｌ）、ｎ−ヘプチル（ｎ−ｈｅｐｔｙｌ）、ｎ−オクチル（ｎ−ｏｃｔｙｌ）、ｎ−ノニル（ｎ−ｎｏｎｙｌ）、ｎ−デシル（ｎ−ｄｅｃｙｌ）、ｎ−ウンデシル（ｎ−ｕｎｄｅｃｙｌ）及びｎ−ドデシル（ｎ−ｄｏｄｅｃｙｌ）である。
Ｃ２−３０−アルケニルは、分岐状又は非分岐状であり得る。Ｃ２−３０−アルケニルの一例は、ビニル（ｖｉｎｙｌ）、プロぺニル（ｐｒｏｐｅｎｙｌ）、シス−２−ブテニル（ｃｉｓ−２−ｂｕｔｅｎｙｌ）、トランス−２−ブテニル（ｔｒａｎｓ−２−ｂｕｔｅｎｙｌ）、３−ブテニル（３−ｂｕｔｅｎｙｌ）、シス−２−ペンテニル（ｃｉｓ−２−ｐｅｎｔｅｎｙｌ）、トランス−２−ペンテニル（ｔｒａｎｓ−２−ｐｅｎｔｅｎｙｌ）、シス−３−ペンテニル（ｃｉｓ−３−ｐｅｎｔｅｎｙｌ）、トランス−３−ペンテニル（ｔｒａｎｓ−３−ｐｅｎｔｅｎｙｌ）、４−ペンテニル（４−ｐｅｎｔｅｎｙｌ）、２−メチル−３−ブテニル（２−ｍｅｔｈｙｌ−３−ｂｕｔｅｎｙｌ）、ヘキセニル（ｈｅｘｅｎｙｌ）、ヘブテニル（ｈｅｐｔｅｎｙｌ）、オクテニル（ｏｃｔｅｎｙｌ）、ノネニル（ｎｏｎｅｎｙｌ）、ドセニル（ｄｏｃｅｎｙｌ）、リノレイル（ｌｉｎｏｌｅｙｌ（Ｃ１８）、リノレニル（ｌｉｎｏｌｅｎｙｌ）（Ｃ１８）、オレイル（ｏｌｅｙｌ）（Ｃ１８）、及びアラチドニル（ａｒａｃｈｉｄｏｎｙｌ）（Ｃ２０）、及びエルシル（ｅｒｕｃｙｌ）（Ｃ２２）である。
Ｃ２−３０−アルキニルは、分岐状又は非分岐状であり得る。Ｃ２−３０−アルキニルの一例は、エチニル（ｅｔｈｙｎｙｌ）、２−プロピニル（２−ｐｒｏｐｙｎｙｌ）、２−ブチニル（２−ｂｕｔｙｎｙｌ）、３−ブチニル（３−ｂｕｔｙｎｙｌ）、ペンチニル（ｐｅｎｔｙｎｙｌ）、ヘキシニル（ｈｅｘｙｎｙｌ）、ヘブチニル（ｈｅｐｔｙｎｙｌ）、オクチニル（ｏｃｔｙｎｙｌ）、ノニニル（ｎｏｎｙｎｙｌ）、テシニル（ｄｅｃｙｎｙｌ）、ウンデシニル（ｕｎｄｅｃｙｎｙｌ）、トデシニル（ｄｏｄｅｃｙｎｙｌ）、ウンデシニル（ｕｎｄｅｃｙｎｙｌ）、トデシニル（ｄｏｄｅｃｙｎｙｌ）、トリデシニル（ｔｒｉｄｅｃｙｎｙｌ）、テトラデシニル（ｔｅｔｒａｄｅｃｙｎｙｌ）、ペンタデシニル（ｐｅｎｔａｄｅｃｙｎｙｌ）、ヘキサデシニル（ｈｅｘａｄｅｃｙｎｙｌ）、ヘプタデシニル（ｈｅｐｔａｄｅｃｙｎｙｌ）、オクタデシニル（ｏｃｔａｄｅｃｙｎｙｌ）、ノナデシニル（ｎｏｎａｄｅｃｙｎｙｌ）及びイコシニル（ｉｃｏｓｙｎｙｌ）（Ｃ２０）である。
アリーレンは、１つの芳香族環又は２〜８個の縮合芳香族環からなる２価芳香族環系であり、ここで、全ての環は、炭素原子から形成される。好ましくは、アリーレンは、１つの芳香族環又は２〜４個の縮合芳香族環からなる２価芳香族環系であり、ここで、全ての環は、炭素原子から形成される。
Figure 2021516450
Figure 2021516450
ヘテロアリーレンは、１つの芳香族環又は２〜８個の縮合芳香族環からなる２価芳香族環系であり、ここで、１つ以上の芳香族環は、Ｓ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された１つ以上のヘテロ原子を含む。好ましくは、ヘテロアリーレンは、１つの芳香族環又は２〜４個の縮合芳香族環からなる２価芳香族環系であり、ここで、１つ以上の芳香族環は、Ｓ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された１つ以上のヘテロ原子を含む。
ヘテロアリーレンの一例は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 である。
前記Ｒｋは、Ｈ、Ｃ１−２０−アルキル、アリール又はヘテロアリールであり、ここで、Ｃ１−２０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−６−アルキル、Ｏ−Ｃ１−６−アルキル又はフェニルで置換され得る。
隣接するＡｒ３は、ＣＲｃＲｃ、ＳｉＲｃＲｃ又はＧｅＲｃＲｃリンカーを介して連結され、Ｒｃは、各出現において、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル又はアリールであり、ここで、Ｃ１−３０−アルキル及びアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、ｂは、各出現において、１〜８の整数である。隣接するＡｒ３の一例は、
Figure 2021516450
 である。
隣接するＡｒ７は、ＣＲｅＲｅ、ＳｉＲｅＲｅ又はＧｅＲｅＲｅリンカーを介して連結され、Ｒｅは、各出現において、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル又はアリールであり、ここで、Ｃ１−３０−アルキル及びアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、ｃは、各出現において、１〜８の整数である。隣接するＡｒ７の一例は、
Figure 2021516450
 である。
アリールは、１つの芳香族環又は２〜８個の縮合芳香族環からなる１価芳香族環系であり、ここで、全ての環は、炭素原子から形成される。好ましくは、アリールは、１つの芳香族環又は２〜４個の縮合芳香族環からなる１価芳香族環系であり、ここで、全ての環は、炭素原子から形成される。
アリールの一例は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 である。
ヘテロアリールは、１つの芳香族環又は２〜８個の縮合芳香族環からなる１価芳香族環系であり、ここで、１つ以上の芳香族環は、Ｓ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された１つ以上のヘテロ原子を含む。好ましくは、ヘテロアリールは、１つの芳香族環又は２〜４個の縮合芳香族環からなる１価芳香族環系であり、ここで、１つ以上の芳香族環は、Ｓ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された１つ以上のヘテロ原子を含む。
ヘテロアリールの一例は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 であり、
前記Ｒｍは、Ｈ、Ｃ１−２０−アルキル、アリール又はヘテロアリールであり、ここで、Ｃ１−２０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−６−アルキル、Ｏ−Ｃ１−６−アルキル又はフェニルで置換され得る。
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４の一例は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 である。
より好ましくは、ジケトピロロピロール系材料は、前記定義された通り、式（７）で表される単位を含むジケトピロロピロール系ポリマーである。
式（７）で表される単位を含むジケトピロロピロール系ポリマーは、他の共役単位（ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ｕｎｉｔ）を含むことができる。式（７）で表される単位を含むジケトピロロピロール系ポリマーは、ホモポリマー又はコポリマーであり得る。コポリマーは、ランダム又はブロックであり得る。
好ましくは、ジケトピロロピロール系ポリマーは、ポリマーの重量を基準として式（７）で表される単位を、５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、さらに好ましくは９０重量％以上含む。最も好ましくは、ジケトピロロピロール系ポリマーは、本質的に式（７）で表される単位で構成される。本質的に式（７）で表される単位で構成されるジケトピロロピロール系ポリマーは、ホモポリマー又はコポリマーであり得る。
より好ましくは、ジケトピロロピロール系材料は、本質的に下記式（７）で表される単位で構成されるジケトピロロピロール系ポリマーである。
Figure 2021516450
前記式（７）において、
Ｒ３０は、Ｃ６−３０−アルキルであり、
ｏ及びｍが共に０ではないという条件で、ｏ及びｍは、互いに独立して、０又は１であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、
Figure 2021516450
 であり、
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
Ａｒ３は、各出現において、アリーレン又はヘテロアリーレンであり、前記アリーレン及びヘテロアリーレンは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール又はヘテロアリールで置換され得て、ここで、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、隣接するＡｒ３は、ＣＲｃＲｃ、ＳｉＲｃＲｃ又はＧｅＲｃＲｃリンカーを介して連結され得て、前記Ｒｃは、各出現において、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル又はアリールであり、ここで、Ｃ１−３０−アルキル及びアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
ｐは、各出現において、１〜８の整数であり、
Ａｒ４は、各出現において、アリール又はヘテロアリールであり、前記アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル又はフェニルで置換され得て、ここで、フェニルは、Ｃ１−２０−アルキル又はＯ−Ｃ１−２０−アルキルで置換され得る。
最も好ましくは、ジケトピロロピロール系材料は、本質的に下記式（７）で表される単位で構成されるジケトピロロピロール系ポリマーである。
Figure 2021516450
前記式（７）において、
Ｒ３０は、
Figure 2021516450
 であり、
Ｒｆは、線形Ｃ６−１４−アルキルであり、
Ｒｇは、線形Ｃ２−１２−アルキルであり、
ｏ及びｍが共に０ではないという条件で、ｏ及びｍは、互いに独立して、０又は１であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、
Figure 2021516450
 であり、
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
Ｒｈ及びＲｉは、互いに独立して、Ｃ６−３０−アルキルであり、
ｒ及びｓは、互いに独立して、０又は１である。
特に、ジケトピロロピロール系材料は、本質的に下記式（７ａ）で表される単位及び下記式（７ｂ）で表される単位で構成されるジケトピロロピロール系ポリマーである。
Figure 2021516450
有機半導電性材料を含む組成物は、溶媒をさらに含むことができる。溶媒は、いずれかの適した溶媒又は溶媒の混合物であり得る。好ましくは、溶媒は、非極性非プロトン性溶媒（ｎｏｎｐｏｌａｒ ａｐｒｏｔｉｃ ｓｏｌｖｅｎｔ）又は非極性非プロトン性溶媒の混合物である。非極性非プロトン性溶媒の一例は、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）及びメシチレン（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）である。
好ましくは、有機半導電性材料を含む組成物は、溶媒をさらに含み、組成物の重量を基準として、０．０１〜１０重量％の有機半導電性材料を含む。さらに好ましくは、有機半導電性材料を含む組成物は、溶液であり、組成物を基準として、０．１〜５重量％の有機半導電性材料を含む。
トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタのための基板は、ガラス等のいずれかの適切な基板、又はポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のプラスチック基板であり得る。
ソース及びドレイン電極は、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）等のいずれかの適切な技術によって基板に塗工され得て、一例として、リソグラフィ（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）によりパターニングされ得る。ソース及びドレイン電極は、いずれかの適切な材料で製造され得る。適切な材料の一例は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）又は銅（Ｃｕ）、及びこれらの金属のうち１つ以上を含む合金である。ソース及びドレイン電極は、１〜１００ｎｍの厚さ、好ましくは２０〜７０ｎｍの厚さを有することができる。
ソース及びドレイン電極間の距離である有機電界効果トランジスタのチャネル長（Ｌ）は、代表的には５〜１００μｍの範囲である。
有機半導電性材料を含む組成物は、当該技術分野で公知のいずれかの適切な技術によって、ソース／ドレイン電極の上部に塗工され得る。好ましくは、有機半導電層を含む組成物は、スピンコート（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、ブレード（ｂｌａｄｉｎｇ）、スロットダイコート（ｓｌｏｔ−ｄｉｅ ｃｏａｔｉｎｇ）、ドロップコート（ｄｒｏｐ−ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコート（ｓｐｒａｙ−ｃｏａｔｉｎｇ）、インクジェット（ｉｎｋ−ｊｅｔｔｉｎｇ）又は組成物への電子デバイスの基板の浸漬（ｓｏａｋｉｎｇ）等の液体処理技術によって塗工される。好ましくは、有機半導電層を含む組成物は、スピンコートによって塗工される。
半導電層は、４０〜１２０℃の温度、好ましくは７０〜１００℃の温度で熱処理され得る。
半導電層は、５〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍの厚さを有することができる。
第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物は、当該技術分野で公知のいずれかの適切な技術によって、半導電層の上部に塗工され得る。好ましくは、第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物は、スピンコート、ブレード、スロットダイコート、インクジェット又は組成物への電子デバイスの基板の浸漬等の液体処理技術によって塗工される。好ましくは、第１誘電性材料及び２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物は、スピンコートによって塗工される。
第１誘電層は、４０〜１２０℃の温度、好ましくは７０〜１００℃の温度で熱処理され得る。
第１誘電層は、１０〜２０００ｎｍ、好ましくは５０〜１０００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜５００ｎｍの厚さを有することができる。
第１誘電層の一部は、マスク（ｍａｓｋ）を用いた光処理（ｌｉｇｈｔ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）により硬化され得る。
光処理は、好ましくは５〜３００ｍＪ／ｃｍ２、さらに好ましくは２０〜１５０ｍＪ／ｃｍ２、最も好ましくは５０〜１００ｍＪ／ｃｍ２の低線量（ｌｏｗ ｄｏｓａｇｅ）で行われる。好ましくは、光処理は、大気条件下（ｕｎｄｅｒ ａｍｂｉｅｎｔ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ）で行われる。大気条件は、一般的な空気、湿度及び温度条件を示す。好ましくは、光処理は、ＵＶ光処理であり、さらに好ましくは、３６５ｎｍの波長でのＵＶ光処理である。
第１誘電層の未硬化部分は、例えばプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等の適切な溶媒で処理することによって除去され得て、これは、ウェットエッチング（ｗｅｔ−ｅｔｃｈｉｎｇ）とも言われる。
溶媒処理後、トップゲート有機電界効果トランジスタの前駆体は、窒素でブローイング（ｂｌｏｗｉｎｇ）し、例えば７０〜１００℃の範囲の高温で加熱することにより、乾燥され得る。
硬化した第１誘電層によってカバーされていない半導電層部分は、例えば、酸素プラズマ処理（ｏｘｙｇｅｎ ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）（１００ｓｃｃｍ、４０Ｗ、２分間）を行ってエッチングすることにより、除去され得る。
有機電界効果トランジスタのチャネル長（Ｌ）は、代表的には３〜２０００μｍの範囲であり、好ましくは３〜２０μｍの範囲である。
有機電界効果トランジスタの幅（Ｗ）／長さ（Ｌ）の比は、通常、３／１〜１０／１である。
任意に、第２誘電性材料を含む組成物を第１誘電層の上部に塗工し、第２誘電層を形成させることができる。第２誘電層を含む組成物は、当該技術分野で公知の技術によって塗工され得る。好ましくは、第２誘電性材料を含む組成物は、スピンコート、ブレード、スロットダイコート、スプレーコート、インクジェット又は組成物への電子デバイスの基板の浸漬等の液体処理技術によって塗工される。好ましくは、第２誘電性材料を含む組成物は、スピンコートによって塗工される。
第２誘電層は、４０〜１２０℃の温度、好ましくは７０〜１００℃の温度で熱処理され得る。
第２誘電層は、１０〜２０００ｎｍ、好ましくは５０〜１０００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜５００ｎｍの厚さを有することができる。
第２誘電性材料は、当該技術分野で公知のいずれかの誘電性材料又はこれらの混合物であり得る。誘電性材料は、ポリスチレン（ＰＳ）及びポリスチレン由来ポリマー、ポリ（メチルメタアクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（４−ビニルフェノール）（ＰＶＰ）、ポリ（ビニルアルコール）（ＰＶＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）又はポリイミド（ＰＩ）、もしくは先に定義した星型ポリマーであり得る。好ましくは、第２誘電性材料は、ポリスチレン、ポリスチレン由来ポリマー又は先に定義した星型ポリマーである。さらに好ましくは、第２誘電性材料は、先に定義した星型ポリマーである。第２誘電性材料が先に定義した星型ポリマーである場合、第２誘電性材料を含む組成物はまた、少なくとも２つのアジド基を有する第２架橋剤及び溶媒をさらに含むことが好ましい。第１誘電性材料を含む組成物中の少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤及び溶媒に対して前述した定義は、第２誘電性材料を含む組成物中の少なくとも２つのアジド基を有する第２架橋剤及び溶媒にも適用される。
第２誘電層が第２誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する第２架橋剤を含む組成物から形成される場合、第２誘電層もまた、光処理により硬化され得る。
第２誘電層の光処理は、好ましくは５〜３００ｍＪ／ｃｍ２、さらに好ましくは２０〜１５０ｍＪ／ｃｍ２、最も好ましくは５０〜１００ｍＪ／ｃｍ２の低線量で行われる。好ましくは、光処理は、大気条件下で行われる。大気条件は、一般的な空気、湿度及び温度条件を示す。好ましくは、光処理は、ＵＶ光処理であり、さらに好ましくは、３６５ｎｍの波長でのＵＶ光処理である。
ゲート電極は、第１誘電層の上部又は第２誘電層の上部に塗工され得て、塗工は、例えばマスクを使った蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ｕｓｉｎｇ ａ ｍａｓｋ）によって行われ得る。ゲート電極は、高濃度でドーピングされたシリコン、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、インジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）又は金（Ａｕ）、もしくはこれらの金属のうち１つ以上を含む合金等のいずれかの適切なゲート材料で製造され得る。ゲート電極は、１〜２００ｎｍ、好ましくは５〜１００ｎｍの厚さを有することができる。
第２誘電層が第１誘電層の上部に形成される実施態様において、光処理によって第１誘電層の一部を硬化させる段階は、硬化した第１誘電層がソース及びドレイン電極の間の経路（ｐａｔｈ）をカバーし、また任意にソース及びドレイン電極を部分的に又は完全にカバーするように行われることが、好ましい。硬化した第１誘電層が、ソース及びドレイン電極の間の経路をカバーし、ソース及びドレイン電極を部分的にカバーすることが、さらに好ましい。硬化した第１誘電層はまた、半導電層をパターニングするための「レジスト」として機能するので、硬化した第１誘電層及び半導電層が、ソース及びドレイン電極の間の経路をカバーし、また任意にソース及びドレイン電極を部分的に又は完全にカバーすることがまた、好ましい。硬化した第１誘電層及び半導電層が、ソース及びドレイン電極の間の経路をカバーし、ソース及びドレイン電極を部分的にカバーすることが、さらに好ましい。この好ましい実施態様において、硬化した第１誘電層及び半導電層は、ソース及びドレイン電極を超える範囲には拡張しない。
第２誘電層が硬化した第１誘電層の上部に形成される実施態様において、第２誘電性材料を含む組成物は、硬化した第１誘電層及び半導電層が第２誘電層に埋め込まれる（ｅｍｂｅｄ）ように、硬化した第１誘電層の上部に塗工されることが好ましい。
また、本発明の一部は、基板上のトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタに関するものであり、該有機電界効果トランジスタは、ソース及びドレイン電極、半導電層、硬化した第１誘電層、第２誘電層並びにゲート電極を含んでおり、
ｉ）硬化した第１誘電層及び半導電層は、ソース及びドレイン電極の間の経路をカバーし、任意にソース及びドレイン電極を部分的に又は完全にカバーしており、
ｉｉ）硬化した第１誘電層及び半導電層は、第２誘電層に埋め込まれている。
好ましくは、基板上のトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタにおいて、硬化した第１誘電層は、
ｉ）第１誘電層を形成するために、第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を含む組成物を塗工すること、及び
ｉｉ）硬化した第１誘電層を形成するために、光処理によって第１誘電層の一部を硬化させること
によって得られ、
前記第１誘電性材料は、少なくとも１つのポリマーブロックＡ及び少なくとも２つのポリマーブロックＢで構成された星型ポリマーを含み、
前記それぞれのポリマーブロックＢは、ポリマーブロックＡに付着されており、前記ポリマーブロックＢの繰り返し単位の６０ｍｏｌ％以上は、
Figure 2021516450
Figure 2021516450
 からなる群より選択され、
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−１０−アルキルである。
さらに好ましくは、基板上のトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタにおいて、硬化した第１誘電層及び半導電層は、ソース及びドレイン電極の間の経路をカバーし、ソース及びドレイン電極を部分的にカバーする。
本発明の、基板上にトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造する方法は、大気条件下で、低線量ＵＶ光処理（５〜３００ｍＪ／ｍ２）によって高い膜保持率（ｆｉｌｍ ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ）を有する硬化した第１誘電層を製造できる利点がある。大気条件は、大気空気、湿度及び温度条件を示す。このように、第１誘電層は低線量ＵＶ照射で硬化されるので、不活性ガス雰囲気を必要としない。
硬化した第１誘電層の膜保持率は、ｄ２／ｄ１の比を指す。ここで、ｄ１は、洗浄（現像）前の硬化した誘電層の厚さであり、ｄ２は、洗浄（現像）後の硬化した誘電層の厚さである。
硬化した第１誘電層は、溶媒溶解（ｓｏｌｖｅｎｔ ｄｉｓｓｏｌｕｔｉｏｎ）に対して非常に安定している。したがって、硬化した第１誘電層を溶解させることなく、次の層、例えば電極材料層（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ）又は他の誘電層を塗工することができる。
少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤を用いることによって、３６５ｎｍの波長でのＵＶ光処理が採用され得る。
＜実施例１＞
トリブロックポリマーである星型ポリマーの製造
［スチレン：ブタジエン（質量比）が９０：１０である、１つのスチレン系内部ブロック（ｓｔｙｒｅｎｅ−ｂａｓｅｄ ｉｎｎｅｒ ｂｌｏｃｋ）及び２つのブタジエン系外部ブロック（ｂｕｔａｄｉｅｎｅ−ｂａｓｅｄ ｏｕｔｅｒ ｂｌｏｃｋ）を有しており、ポリブタジエンブロックにおけるブタジエンの総量を基準として、ポリブタジエンブロックにおけるブタジエンの１，２−付加量が７３％である］
クロスバー撹拌機が装着された１０Ｌ容のステンレススチール反応器で、４８７２ｍＬ（３８００ｇ）のシクロヘキサン、２５６ｍＬ（２００ｇ）のＴＨＦ及び１ｇの１，１−ジフェニルエチレン（ＤＰＥ）を３０℃に加熱し、安定した橙赤色が残存するまでｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．４Ｍ）で滴定した（ｃａ．１．８ｍＬ）。その後、７．１４ｍＬのｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．４Ｍ）を反応混合物に添加し、直ちに、７６ｍＬ（５０ｇ）のブタジエンを撹拌しながら添加した。反応器ジャケット温度によって温度を６０℃に維持し、２０分後、９９０ｍＬ（９００ｇ）のスチレンをゆっくりと添加し、ジャケットカウンター冷却によって温度を５０℃に維持した。２５分後、７６ｍＬ（５０ｇ）のブタジエンをさらに添加した。２０分後、１．１５ｍＬのイソプロパノールを添加し、さらに１０分間撹拌した。無色の溶液を２個の５Ｌ容のキャニスタに移し、酸性化のために、２５ｍＬの水及び５０ｇのドライアイスと共に揺すった。
（後処理（Ｗｏｒｋｕｐ））
酸性化した混合物（固形分２０％）をエタノール（０．１％のケロビット（Ｋｅｒｏｂｉｔ）ＴＢＫを含み、ポリマーに対して１０倍体積）に沈殿させ、ブフナー漏斗で、５Ｌのエタノールで３回、１Ｌの蒸溜水で３回洗浄した。最後に、白色パウダーを、２．５Ｌのエタノールで２回、２５０ｍＬのエタノールで４回洗浄し、最終的に真空下で、５０℃の温度で２４時間に亘って乾燥させた。得られた白色パウダーであるトリブロックポリマーＰ１は、次のような特徴を有する。
・Ｍｎ：２２００００ｇ／ｍｏｌ
・Ｍｗ：３３００００ｇ／ｍｏｌ
（いずれも、ポリスチレン標準ゲル浸透クロマトグラフィーにて測定）
・ＰＤＩ：１．５
・ポリブタジエンブロックにおけるブタジエンの総量を基準とした、ポリブタジエンブロックにおけるブタジエンの１，２−付加量：７３％
（１Ｈ−ＮＭＲで測定）
＜実施例２＞
組成物Ａ及びＢの製造
組成物Ａは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）及びシクロペンタノン（ＣＰ）（７０／３０）の混合物における、実施例１で製造されたＰ１（８重量％、第１誘電性材料）と２，７−ビス［２−（４−アジド−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）エチニル］−９−ヘプチル−９−ヘキシル−フルオレン（Ｐ１の重量を基準として４重量％、少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤）との溶液である。Ｐ１、架橋剤及び溶媒を混合して組成物Ａを製造した。
組成物Ｂは、トルエンにおける、ＷＯ２０１０／０４９３２１に記載の実施例４のジケトピロロピロールポリマー（０．７５重量％、有機半導電性材料）の溶液である。組成物Ｂは、０．４５マイクロメータのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を通して濾過した。
＜実施例３＞
組成物Ａ及び組成物Ｂを用いたトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタの製造
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上に金をスパッタリングし、リソグラフィを用いてパターニングした。得られたソース及びドレイン電極の厚さは、約５０ｎｍであった。チャネル長は１０μｍであり、チャネル幅は２５０μｍであった。実施例２で製造した組成物Ｂをスピンコート（１０００ｒｐｍ、３０秒）によりソース及びドレイン電極上に塗工し、９０℃のホットプレート上で１分間乾燥させて、厚さ５０ｎｍの半導電層を形成した。実施例２で製造した組成物Ａをスピンコート（８０００ｒｐｍ、３０秒）により半導電層上に塗工し、８０℃のホットプレート上で２分間乾燥させて、厚さ１８０ｎｍの第１誘電層を形成した。リソグラフィフォトマスクを第１誘電層の上部に整列させ、第１誘電層の露出した部分を、大気条件下で、３６５ｎｍの光（照射線量：２０ｍＪ／ｃｍ２、Ｓｕｓｓ Ｍａｓｋ ａｌｉｇｎｅｒ ＭＡ６）を用いて硬化させた。硬化した第１誘電層をプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に１分間浸漬させて現像した後、窒素を吹き込み、９０℃で１５分間加熱した。硬化した第１誘電層によってカバーされていない半導電層部分を、酸素プラズマ処理（１００ｓｃｃｍ、４０Ｗ、２分）によりエッチングした。実施例２で製造した組成物Ａをスピンコート（１５００ｒｐｍ、３０秒）により塗工して第２誘電フィルムを形成し、８０℃のホットプレート上で２分間乾燥させて、厚さ５００ｎｍの第２誘電層を形成した。第２誘電層を、大気条件下で、３６５ｎｍの光（照射線量：２０ｍＪ／ｃｍ２、Ｓｕｓｓ Ｍａｓｋ ａｌｉｇｎｅｒ ＭＡ６）を用いて硬化させた。厚さ略５０ｎｍの金のゲート電極を、シャドーマスクを通して誘電層の上部に蒸着させた。
トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタの特性を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ４２００−ＳＣＳ半導体特性評価システムで測定した。図４ａに、−３Ｖ及び−３０Ｖそれぞれのソース電圧Ｖｄｓでの、有機電界効果トランジスタのゲート電圧Ｖｇｓに対するドレイン電流Ｉｄｓの転移曲線を示す。図４ｂに、０Ｖ、−１０Ｖ、−２０Ｖ及び−３０Ｖのゲート電圧Ｖｇｓでの、有機電界効果トランジスタのドレイン電圧Ｖｄｓに対するドレイン電流Ｉｄｓの出力曲線を示す。
表１に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）についての、電荷キャリア移動度μ、Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ比（Ｖｇｓ＝−３０Ｖ）、オンセット電圧（ｏｎｓｅｔ ｖｏｌｔａｇｅ）Ｖｏｎ及びゲート漏洩電流Ｉｇ［Ｖｇｓ＝−３０Ｖ、Ｖｄｓ＝−３０Ｖにて］の平均値を示す。
Figure 2021516450
実施例３のＯＦＥＴは、非常に低いゲート漏洩電流Ｉｇを示す。
＜実施例４＞
組成物Ａから形成された層から形成された硬化した第１誘電層の保持に対する、放射線の影響の評価
実施例２で製造した組成物Ａを、１マイクロメータフィルターを通して濾過し、スピンコート（１８００ｒｐｍ、３０秒）により二酸化ケイ素基板上に塗工した。湿式誘電層（ｗｅｔ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）を、９０℃のホットプレート上で２分間予備焼成して、厚さ４００ｎｍの層を得た。誘電層は、大気条件下で、３６５ｎｍの光（線量：２０ｍＪ／ｃｍ２）を用いてＵＶ硬化させた。
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）及びシクロペンタノン（ＣＰ）（７０／３０）の混合物に、誘電層を１分間浸漬させて現像した後、９０℃で５分間加熱した。硬化後の誘電層について、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ １５０を用いて、現像前の厚さ（ｄ１）及び現像後の厚さ（ｄ２）を測定し、膜保持率（ｄ２／ｄ１）を得た。膜保持率（ｄ２／ｄ１）を決定し、その結果を表２に示す。
Figure 2021516450
組成物Ａから形成された硬化した誘電層は、高い膜保持率を示す。

Claims (17)

  1. 基板上にトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造する方法であって、
    前記有機電界効果トランジスタは、ソース及びドレイン電極、半導電層、硬化した第１誘電層並びにゲート電極を含んでおり、前記方法は、
    ｉ）有機半導電性材料を含む組成物を塗工して半導電層を形成する段階、
    ｉｉ）第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基（ａｚｉｄｅ ｇｒｏｕｐ）を有する架橋剤を含む組成物を塗工して第１誘電層を形成する段階、
    ｉｉｉ）光処理（ｌｉｇｈｔ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）によって、第１誘電層の一部を硬化させる段階、
    ｉｖ）第１誘電層の未硬化部分を除去する段階、及び
    ｖ）硬化した第１誘電層によってカバーされていない半導電層部分を除去する段階
    を含み、
    前記第１誘電性材料は、少なくとも１つのポリマーブロックＡ及び少なくとも２つのポリマーブロックＢで構成された星型ポリマー（ｓｔａｒ−ｓｈａｐｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ）を含み、
    前記それぞれのポリマーブロックＢは、ポリマーブロックＡに付着されており、前記ポリマーブロックＢの繰り返し単位の６０ｍｏｌ％以上は、
    Figure 2021516450
    Figure 2021516450
     からなる群より選択され、
    前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−１０−アルキルである、
    基板上にトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造する方法。
  2. 前記ポリマーブロックＢのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
    Figure 2021516450
     からなる群より選択され、
    前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、Ｈである、
    請求項１に記載の方法。
  3. 前記ポリマーブロックＡのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
    Figure 2021516450
    Figure 2021516450
     からなる群より選択され、
    前記Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ、Ｃ６−１４−アリール、５〜１４員のヘテロアリール及びＣ１−３０−アルキルからなる群より選択され、
    前記Ｒａは、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−３０−アルキル、Ｃ（Ｏ）−Ｈ、Ｃ（Ｏ）Ｃ６−１４−アリール、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−３０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ６−１４−アリール）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−３０−アルキル）（Ｃ６−１４−アリール）、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−３０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ６−１４−アリール又はＣＮであり、
    前記Ｃ６−１４−アリール及び５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）フェニル、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（フェニル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）（フェニル）、Ｃ（Ｏ）−フェニル、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＨ、Ｏ−フェニル、Ｏ−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）−フェニル、ＣＮ及びＮＯ２からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
    前記Ｃ１−３０−アルキルは、フェニル、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）フェニル、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（フェニル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）（フェニル）、Ｃ（Ｏ）−フェニル、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−１０−アルキル、Ｏ−フェニル、Ｏ−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）−フェニル、Ｓｉ（Ｃ１−１０−アルキル）３、Ｓｉ（フェニル）３、ＣＮ及びＮＯ２からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
    ｎは、１〜３の整数であり、
    Ｌ２０は、Ｃ１−１０−アルキレン、Ｃ２−１０−アルケニレン、Ｃ２−１０−アルキニレン、Ｃ６−１４−アリーレン又はＳ（Ｏ）である、
    請求項１及び２のいずれかに記載の方法。
  4. 前記ポリマーブロックＡのモノマー単位の９０ｍｏｌ％以上は、
    Figure 2021516450
     からなる群より選択されたモノマー単位であり、
    前記Ｒ２０及びＲ２１は、互いに独立して、Ｈ及びＣ６−１４−アリールからなる群より選択され、
    前記Ｃ６−１４−アリールは、１つ以上のＣ１−１０−アルキルで置換され得て、
    Ｌ２０は、Ｃ６−１４−アリーレンである、
    請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
  5. 前記星型ポリマーは、１つのポリマーブロックＡ及び２つのポリマーブロックＢで構成されたトリブロックポリマーであり、
    前記それぞれのポリマーブロックＢは、ポリマーブロックＡに付着されており、前記ポリマーブロックＢのモノマー単位の６０ｍｏｌ％以上は、
    Figure 2021516450
    Figure 2021516450
     からなる群より選択され、
    前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−４−アルキルであり、
    ただし、モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のうち１つ以上が存在し、［モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のモル（ｍｏｌｓ）］／［モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル（ｍｏｌｓ）］の比は、３０％以上である、
    請求項１に記載の方法。
  6. 前記トリブロックポリマーのポリマーブロックＢのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
    Figure 2021516450
     からなる群より選択され、
    前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、Ｈであり、
    ただし、モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のうち１つ以上が存在し、［モノマー単位（１Ａ）及び（１Ｂ）のモル（ｍｏｌｓ）］／［モノマー単位（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）及び（１Ｄ）のモル（ｍｏｌｓ）］の比は、７０％以上である、
    請求項５に記載の方法。
  7. 前記トリブロックポリマーのポリマーブロックＡのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
    Figure 2021516450
     からなる群より選択され、
    前記Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ、Ｃ６−１４−アリール、５〜１４員のヘテロアリール及びＣ１−３０−アルキルからなる群より選択され、
    前記Ｒａは、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−３０−アルキル、Ｃ（Ｏ）−Ｈ、Ｃ（Ｏ）Ｃ６−１４−アリール、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−３０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ６−１４−アリール）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−３０−アルキル）（Ｃ６−１４−アリール）、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−３０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ６−１４−アリール又はＣＮであり、
    前記Ｃ６−１４−アリール及び５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）フェニル、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（フェニル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）（フェニル）、Ｃ（Ｏ）−フェニル、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＨ、Ｏ−フェニル、Ｏ−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）−フェニル、ＣＮ及びＮＯ２からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
    前記Ｃ１−３０−アルキルは、フェニル、Ｃ（Ｏ）ＯＨ、Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−１０−アルキル、Ｃ（Ｏ）フェニル、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（フェニル）２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１−１０−アルキル）（フェニル）、Ｃ（Ｏ）−フェニル、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−１０−アルキル、Ｏ−フェニル、Ｏ−Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１−１０−アルキル、ＯＣ（Ｏ）−フェニル、Ｓｉ（Ｃ１−１０−アルキル）３、Ｓｉ（フェニル）３、ＣＮ及びＮＯ２からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換され得て、
    ｎは、１〜３の整数である、
    請求項５又は６に記載の方法。
  8. 前記トリブロックポリマーのポリマーブロックＡのモノマー単位の８０ｍｏｌ％以上は、
    Figure 2021516450
     からなる群より選択されたモノマー単位であり、
    前記Ｒ２０及びＲ２１は、互いに独立して、Ｈ及びＣ６−１４−アリールからなる群より選択され、
    前記Ｃ６−１４−アリールは、１つ以上のＣ１−１０−アルキルで置換され得る、
    請求項７に記載の方法。
  9. 前記ポリマーブロックＡ／総ポリマーブロックＢの重量比は、６０／４０〜９６／４である、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
  10. 前記星型ポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ｇｅｌ ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）での測定時、６００００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎ、及び７００００ｇ／ｍｏｌ以上の重量平均分子量Ｍｗを有する、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
  11. 前記少なくとも２つのアジド基を有する架橋剤は、２つのアジド基を有する架橋剤であり、下記式（２）で表される、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法：
    Figure 2021516450
     前記式（２）において、
    ａは、０又は１であり、
    Ｒ５０は、各出現において、Ｈ、ハロゲン、ＳＯ３Ｍ及びＣ１−２０−アルキルからなる群より選択され、
    前記Ｃ１−２０−アルキルは、１つ以上のハロゲンで置換され得て、
    前記Ｍは、Ｈ、Ｎａ、Ｋ又はＬｉであり、
    Ｌ５０は、連結基（ｌｉｎｋｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）である。
  12. 前記有機半導電性材料は、少なくとも１つのジケトピロロピロール系材料（ｄｉｋｅｔｏｐｙｒｒｏｌｏｐｙｒｒｏｌｅ−ｂａｓｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌ）であり、
    前記ジケトピロロピロール系材料は、
    ｉ）下記式（７）で表される単位を含むジケトピロロピロール系ポリマー、もしくは
    ii）下記式（８）又は下記式（９）で表されるジケトピロロピロール系小分子である、
    請求項１〜１１のいずれかに記載の方法：
    Figure 2021516450
     前記式（７）において、
    Ｒ３０は、各出現において、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル又はＣ２−３０−アルキニルであり、前記Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル及びＣ２−３０−アルキニルは、１つ以上の−Ｓｉ（Ｒｂ）３又はＯＳｉ（Ｒｂ）３で置換され得るか、又はＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル及びＣ２−３０−アルキニルの１つ以上のＣＨ２基が−Ｓｉ（Ｒｂ）２−又は［Ｓｉ（Ｒｂ）２−Ｏ］ａ−Ｓｉ（Ｒｂ）２−で代替され得て、
    前記Ｒｂは、各出現において、Ｃ１−１０−アルキルであり、ａは、１〜２０の整数であり、
    ｏ及びｍは、互いに独立して、０又は１であり、
    Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、アリーレン（ａｒｙｌｅｎｅ）又はヘテロアリーレン（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌｅｎｅ）であり、前記アリーレン及びヘテロアリーレンは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール又はヘテロアリールで置換され得て、ここで、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
    Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、
    Figure 2021516450
    Figure 2021516450
     からなる群より選択され、
    Ａｒ３は、各出現において、アリーレン又はヘテロアリーレンであり、前記アリーレン及びヘテロアリーレンは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール又はヘテロアリールで置換され得て、ここで、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、隣接したＡｒ３は、ＣＲｃＲｃ、ＳｉＲｃＲｃ又はＧｅＲｃＲｃリンカーを介して連結され得て、前記Ｒｃは、各出現において、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル又はアリールであり、ここで、Ｃ１−３０−アルキル及びアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
    ｐは、各出現において、１〜８の整数であり、
    Ａｒ４は、各出現において、アリール又はヘテロアリールであり、前記アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル又はフェニルで置換され得て、ここで、フェニルは、Ｃ１−２０−アルキル又はＯ−Ｃ１−２０−アルキルで置換され得る；
    Figure 2021516450
    Figure 2021516450
     前記式（８）及び式（９）において、
    Ｒ３１は、各出現において、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル又はＣ２−３０−アルキニルであり、前記Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル及びＣ２−３０−アルキニルは、１つ以上の−Ｓｉ（Ｒｄ）３又はＯＳｉ（Ｒｄ）３で置換され得るか、又はＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル及びＣ２−３０−アルキニルの１つ以上のＣＨ２基が−Ｓｉ（Ｒｄ）２−又は［Ｓｉ（Ｒｄ）２−Ｏ］ａ−Ｓｉ（Ｒｄ）２−で代替され得て、
    前記Ｒｄは、各出現において、Ｃ１−１０−アルキルであり、ａは、１〜２０の整数であり、
    Ｒ３２は、Ｈ、ＣＮ、Ｃ１−２０−アルキル、Ｃ２−２０−アルケニル、Ｃ２−２０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル、アリール又はヘテロアリールであり、ここで、Ｃ１−２０−アルキル、Ｃ２−２０−アルケニル、Ｃ２−２０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−６−アルキル、Ｏ−Ｃ１−６−アルキル又はフェニルで置換され得て、
    ｘ及びｙは、互いに独立して、０又は１であり、
    Ａｒ５及びＡｒ６は、互いに独立して、アリーレン又はヘテロアリーレンであり、前記アリーレン及びヘテロアリーレンは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール又はヘテロアリールで置換され得て、ここで、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
    Ｌ３及びＬ４は、互いに独立して、
    Figure 2021516450
    Figure 2021516450
     からなる群より選択され、
    Ａｒ７は、各出現において、アリーレン又はヘテロアリーレンであり、前記アリーレン及びヘテロアリーレンは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール又はヘテロアリールで置換され得て、ここで、Ｃ１−３０−アルキル、Ｃ２−３０−アルケニル、Ｃ２−３０−アルキニル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル、アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、隣接したＡｒ７は、ＣＲｅＲｅ、ＳｉＲｅＲｅ又はＧｅＲｅＲｅリンカーを介して連結され得て、前記Ｒｅは、各出現において、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル又はアリールであり、ここで、Ｃ１−３０−アルキル及びアリールは、１つ以上のＣ１−２０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル又はフェニルで置換され得て、
    ｑは、各出現において、１〜８の整数であり、
    Ａｒ８は、各出現において、アリール又はヘテロアリールであり、前記アリール及びヘテロアリールは、１つ以上のＣ１−３０−アルキル、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル又はフェニルで置換され得て、フェニルは、Ｃ１−２０−アルキル又はＯ−Ｃ１−２０−アルキルで置換され得る。
  13. ｖｉ）硬化した第１誘電層の上部に第２誘電性材料を含む組成物を塗工し、第２誘電層を形成する段階
    をさらに含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
  14. 前記硬化した第１誘電層及び半導電層は、ソース及びドレイン電極の間の経路（ｐａｔｈ）をカバーし、任意にソース及びドレイン電極を部分的に又は完全にカバーする、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記硬化した第１誘電層及び半導電層が前記第２誘電層に埋め込まれるように、前記第２誘電性材料を含む組成物を硬化した第１誘電層の上部に塗工する、請求項１３又は１４に記載の方法。
  16. 基板上のトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタであって、
    前記トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタは、ソース及びドレイン電極、半導電層、硬化した第１誘電層、第２誘電層並びにゲート電極を含んでおり、
    ｉ）硬化した第１誘電層及び半導電層は、ソース及びドレイン電極の間の経路をカバーし、任意にソース及びドレイン電極を部分的に又は完全にカバーしており、
    ｉｉ）硬化した第１誘電層及び半導電層は、第２誘電層に埋め込まれている、
    基板上のトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタ。
  17. 前記硬化した第１誘電層は、
    ｉ）第１誘電層を形成するために、第１誘電性材料及び少なくとも２つのアジド基（ａｚｉｄｅ ｇｒｏｕｐ）を有する架橋剤を含む組成物を塗工すること、及び
    ｉｉ）硬化した第１誘電層を形成するために、光処理（ｌｉｇｈｔ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）によって第１誘電層の一部を硬化させること
    によって得られ、
    前記第１誘電性材料は、少なくとも１つのポリマーブロックＡ及び少なくとも２つのポリマーブロックＢで構成された星型ポリマー（ｓｔａｒ−ｓｈａｐｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ）を含み、
    前記それぞれのポリマーブロックＢは、ポリマーブロックＡに付着されており、前記ポリマーブロックＢの繰り返し単位の６０ｍｏｌ％以上は、
    Figure 2021516450
    Figure 2021516450
     からなる群より選択され、
    前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して、また各出現において、Ｈ又はＣ１−１０−アルキルである、
    請求項１６に記載の基板上のトップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタ。
JP2020546459A 2018-03-07 2019-02-27 トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造するためのパターニング方法 Active JP7046395B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18160518 2018-03-07
EP18160518.9 2018-03-07
PCT/EP2019/054778 WO2019170481A1 (en) 2018-03-07 2019-02-27 Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021516450A true JP2021516450A (ja) 2021-07-01
JP7046395B2 JP7046395B2 (ja) 2022-04-04

Family

ID=61598954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020546459A Active JP7046395B2 (ja) 2018-03-07 2019-02-27 トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造するためのパターニング方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11296290B2 (ja)
EP (1) EP3762979A1 (ja)
JP (1) JP7046395B2 (ja)
KR (1) KR102367372B1 (ja)
CN (1) CN112119515A (ja)
WO (1) WO2019170481A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11355715B2 (en) 2017-10-19 2022-06-07 Clap Co., Ltd. Substituted benzonaphthathiophene compounds for organic electronics

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007500452A (ja) * 2003-05-20 2007-01-11 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 電界効果トランジスタ構成および電界効果トランジスタ構成の製造方法
JP2012049225A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Sony Corp 電子デバイス及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP2012528476A (ja) * 2009-05-25 2012-11-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 架橋可能な誘電体、並びにその製造方法及び使用方法
JP2014503987A (ja) * 2010-11-01 2014-02-13 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 誘電体としてのポリイミド
JP2015035475A (ja) * 2013-08-08 2015-02-19 大日本印刷株式会社 有機半導体素子およびその製造方法
WO2015076334A1 (ja) * 2013-11-21 2015-05-28 株式会社ニコン トランジスタの製造方法およびトランジスタ
JP2017530558A (ja) * 2014-09-25 2017-10-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 光架橋性誘電体としてのエーテル系ポリマー
JP2019530776A (ja) * 2016-09-27 2019-10-24 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 架橋性を高めた星型ポリマーおよびトリブロックポリマー

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55145712A (en) 1979-05-01 1980-11-13 Agency Of Ind Science & Technol Novel high-molecular compound having phase transfer catalytic effect and preparation thereof
JPS6047284B2 (ja) 1982-05-10 1985-10-21 工業技術院長 新規高分子化合物の製造方法
US5070140A (en) 1989-12-22 1991-12-03 Basf Corporation Copolymers of vinyl acetate and allyl glycidyl ether capped C12 -C.sub.
JPH06313107A (ja) * 1993-05-06 1994-11-08 Tomoegawa Paper Co Ltd 感光性樹脂組成物
JP2000267282A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP3989149B2 (ja) 1999-12-16 2007-10-10 富士フイルム株式会社 電子線またはｘ線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物
ATE401672T1 (de) 2003-05-12 2008-08-15 Cambridge Entpr Ltd Herstellung einer polymeren vorrichtung
JP2005002325A (ja) 2003-05-19 2005-01-06 Canon Inc ポリマー、それを含有するポリマー含有組成物、インク組成物、該インク組成物を用いたインク付与方法および装置
JP2005072200A (ja) 2003-08-22 2005-03-17 Canon Inc 電界効果型有機トランジスタ
ES2387304T3 (es) 2003-10-28 2012-09-20 Basf Se Nuevos polímeros de dicetopirrolopirrol
JP4776892B2 (ja) 2003-10-31 2011-09-21 キヤノン株式会社 化合物、その高分子化合物、該高分子化合物を用いた組成物、記録材料、画像形成方法及び装置
KR20070061552A (ko) 2004-08-27 2007-06-13 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 반도전성 침투 네트워크
CA2511354A1 (en) 2005-07-04 2007-01-04 National University Of Singapore Radiation crosslinkers
JP2007091977A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Canon Finetech Inc ポリビニルエーテル系ポリマーの重合方法及び該ポリビニルエーテル系ポリマーを用いたインクジェットプリンター用水性インク
JP2007099881A (ja) 2005-10-04 2007-04-19 Canon Finetech Inc 精密に重合の制御されたポリマーの効率的製造法
JP5410760B2 (ja) 2005-12-12 2014-02-05 チバ ホールディング インコーポレーテッド 半導体素子、化合物、半導体素子の半導体層及び薄膜トランジスタ素子を作製する方法
DE102005061997A1 (de) 2005-12-23 2007-07-05 Basf Ag Naphthalintetracarbonsäurederivate und deren Verwendung
WO2007093643A1 (de) 2006-02-17 2007-08-23 Basf Se Fluorierte rylentetracarbonsäurederivate und deren verwendung
AU2007263828B2 (en) 2006-06-30 2012-03-15 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers as organic semiconductors
JP2008096680A (ja) 2006-10-11 2008-04-24 Fujifilm Corp カラーフィルタ用硬化性組成物、カラーフィルタ、及びその製造方法
JP5101927B2 (ja) 2007-06-04 2012-12-19 山本化成株式会社 有機トランジスタ
CN101809116B (zh) 2007-08-17 2014-03-19 巴斯夫欧洲公司 含有卤素的二萘嵌苯四甲酸衍生物及其用途
JP2009069381A (ja) 2007-09-12 2009-04-02 Fujifilm Corp 電子線、ｘ線またはｅｕｖ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP5180723B2 (ja) * 2008-07-30 2013-04-10 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ
JP5460603B2 (ja) 2007-10-25 2014-04-02 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 有機半導体としてのケトピロール類
EP2223361A1 (en) 2007-11-28 2010-09-01 National University of Singapore Multilayer heterostructures for application in oleds and photovoltaic devices
CN102027612B (zh) 2008-05-12 2013-11-13 东丽株式会社 碳纳米管复合体、有机半导体复合材料和场效应晶体管
US9512354B2 (en) 2008-06-06 2016-12-06 Basf Se Chlorinated naphthalenetetracarboxylic acid derivatives, preparation thereof and use thereof in organic electronics
CA2729714A1 (en) 2008-07-02 2010-01-07 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. High performance solution processable semiconducting polymers based on alternating donor acceptor copolymers
JP5735418B2 (ja) 2008-07-02 2015-06-17 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ポリ（５，５’−ビス（チオフェン−２−イル）−ベンゾ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン）、及び半導体ポリマーを加工可能な高機能溶液としてのその使用方法
JP2010100844A (ja) 2008-09-29 2010-05-06 Nippon Carbide Ind Co Inc 光硬化性樹脂組成物
JP5498681B2 (ja) 2008-10-02 2014-05-21 山本化成株式会社 有機トランジスタ
JP5583133B2 (ja) 2008-10-31 2014-09-03 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 有機電界効果トランジスタに使用するためのジケトピロロピロールポリマー
KR101764436B1 (ko) 2008-10-31 2017-08-14 바스프 에스이 유기 반도체 장치에 사용하기 위한 디케토피롤로피롤 중합체
JP5635070B2 (ja) 2009-03-23 2014-12-03 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 有機半導体デバイスでの使用のためのジケトピロロピロールポリマー
DE112010002086B4 (de) 2009-05-27 2020-07-09 Basf Se Verfahren zum Polymerisieren von (hetero)aromatischen Verbindungen
KR101746873B1 (ko) 2009-05-27 2017-06-14 바스프 에스이 유기 반도체 장치에 사용하기 위한 디케토피롤로피롤 중합체
JP5658920B2 (ja) 2009-06-23 2015-01-28 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物、並びに、これを用いたモールドの作成方法、及び、レジスト膜
JP2011012147A (ja) 2009-07-01 2011-01-20 Nippon Carbide Ind Co Inc 新規ビニルエーテル共重合体およびこれを用いた粘着剤組成物
GB2472413B (en) 2009-08-05 2014-04-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic semiconductors
WO2011060293A1 (en) 2009-11-12 2011-05-19 Ndsu Research Foundation Polymers derived from plant oil
EP2507286B1 (en) 2009-12-02 2017-07-05 Basf Se Dithienobenzo-thieno[3,2-b]thiophene-copolymer and its use as high performance solution processable semiconducting polymer
JP5698759B2 (ja) 2009-12-04 2015-04-08 ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール 架橋成分
KR101880777B1 (ko) 2010-09-29 2018-08-17 바스프 에스이 디케토피롤로피롤을 기재로 하는 반도체
JP6025748B2 (ja) 2011-01-10 2016-11-16 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ チオシアネート又はイソチオシアネートで置換したナフタレンジイミド及びリレンジイミド化合物、並びにｎ−タイプ半導体としてのそれらの使用
US8748873B2 (en) 2011-01-21 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device with dual semiconducting layer
JP2012169550A (ja) 2011-02-16 2012-09-06 Tokai Rika Co Ltd 有機半導体材料
WO2012117089A1 (en) 2011-03-03 2012-09-07 Basf Se Perylene-based semiconducting materials
KR101399636B1 (ko) 2011-03-11 2014-05-28 (주)씨에스엘쏠라 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101489617B1 (ko) 2011-04-28 2015-02-04 바스프 에스이 티에노티오펜-2,5-디온 올리고머 및 중합체 기재의 반도체 물질
EP2707455A1 (en) 2011-05-11 2014-03-19 Basf Se Halogenated perylene-based semiconducting materials
US8987710B2 (en) 2011-05-19 2015-03-24 Polyera Corporation Carbonaceous nanomaterial-based thin-film transistors
CN103619855B (zh) 2011-06-22 2017-08-08 巴斯夫欧洲公司 用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯低聚物
EP2729514A1 (en) 2011-07-05 2014-05-14 Basf Se Dithienophthalimide semiconductor polymers
EP2780409A4 (en) * 2011-11-15 2015-09-16 Basf Se ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2013083507A1 (en) 2011-12-07 2013-06-13 Basf Se An organic field effect transistor
EP2789024B1 (en) 2011-12-07 2015-11-18 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices
KR20130075982A (ko) 2011-12-28 2013-07-08 주식회사 두산 안트라센계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2013119717A1 (en) * 2012-02-07 2013-08-15 Polyera Corporation Photocurable polymeric materials and related electronic devices
US8878169B2 (en) * 2012-02-07 2014-11-04 Polyera Corporation Photocurable polymeric materials and related electronic devices
CN104334610A (zh) 2012-04-04 2015-02-04 巴斯夫欧洲公司 二酮基吡咯并吡咯聚合物和小分子
KR101896008B1 (ko) 2012-06-01 2018-09-06 덕산네오룩스 주식회사 벤조플루오렌을 포함하는 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
JP6297269B2 (ja) 2012-06-28 2018-03-20 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ポリマー組成物、このポリマー組成物を含むフォトレジスト、およびこのフォトレジストを含むコーティングされた物品
EP2890668B1 (en) 2012-08-30 2019-08-21 Basf Se Perylene derivatives as building blocks for organic electronic materials and dyestuff
CN104641482B (zh) * 2012-09-04 2017-12-29 默克专利股份有限公司 有机电子器件中介电结构的表面改性方法
CN103709153B (zh) 2012-09-29 2019-01-29 昆山维信诺显示技术有限公司 苯并噻吩类衍生物及其在有机电致发光领域中的应用
US9299940B2 (en) 2012-11-02 2016-03-29 The Regents Of The University Of California Carbon nanotube network thin-film transistors on flexible/stretchable substrates
TW201444852A (zh) 2013-01-22 2014-12-01 Nippon Kayaku Kk 溶液製程用之有機半導體材料以及有機半導體元件
WO2014197041A2 (en) 2013-03-11 2014-12-11 Nsdu Research Foundation Monomers and polymers derived from natural phenols
WO2014174435A2 (en) 2013-04-25 2014-10-30 Basf Se Preparation of pi-extended naphthalene diimides and their use as semiconductor
JP6214768B2 (ja) 2013-07-08 2017-10-18 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ アジド系架橋剤
KR101577896B1 (ko) 2014-05-14 2015-12-16 동국대학교 산학협력단 탄소나노튜브 층간층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터
US9691997B2 (en) * 2014-06-11 2017-06-27 Eastman Kodak Company Devices having dielectric layers with thiosulfate-containing polymers
KR102325206B1 (ko) 2014-06-17 2021-11-11 주식회사 클랩 N-플루오로알킬-치환된 디브로모나프탈렌 디이미드 및 반도체로서의 그의 용도
US9985222B2 (en) 2014-06-23 2018-05-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic compound, and organic thin film and electronic device
EP2960280A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-30 E.T.C. S.r.l. Photocrosslinkable compositions, patterned high k thin film dielectrics and related devices
US20160351629A1 (en) 2015-05-27 2016-12-01 University Of Southern California Large-Scale Complementary Macroelectronics Using Hybrid Integration of Carbon Nanotubes and Oxide Thin-Film Transistors
KR101793976B1 (ko) 2015-06-11 2017-11-06 인천대학교 산학협력단 단일 벽 나노 튜브를 기반으로 한 트랜젼트 반도체의 제조 방법
KR102395818B1 (ko) 2015-08-03 2022-05-09 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
EP3346515A4 (en) * 2015-09-02 2018-10-17 FUJIFILM Corporation Organic thin-film transistor, organic thin-film transistor manufacturing method, organic semiconductor composition, organic semiconductor film, and organic semiconductor film manufacturing method
CN105418357B (zh) 2015-11-20 2017-10-24 江苏三月光电科技有限公司 一种苯并螺芴化合物及其在oled上的应用
CN105428401B (zh) 2016-01-08 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法
JP6643757B2 (ja) 2016-02-08 2020-02-12 純一 竹谷 有機電界効果トランジスタ
EP3551635B1 (en) 2016-12-06 2021-04-28 Basf Se Thieno-indeno-monomers and polymers
US11355715B2 (en) 2017-10-19 2022-06-07 Clap Co., Ltd. Substituted benzonaphthathiophene compounds for organic electronics
US11152578B2 (en) 2017-11-21 2021-10-19 Clap Co., Ltd. Sulfonium salts of DNTT and related compounds as soluble photocleavable precursors for organic semiconductors for use in organic field-effect transistors
US20200411781A1 (en) 2018-03-08 2020-12-31 Clap Co., Ltd. Organic field effect transistor comprising semiconducting single-walled carbon nanotubes and organic semiconducting material
US20210277157A1 (en) 2018-06-26 2021-09-09 Clap Co., Ltd. Vinylether-based polymer as dielectric
WO2020078815A1 (en) 2018-10-15 2020-04-23 Basf Se Indaceno derivatives as organic semiconductors

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007500452A (ja) * 2003-05-20 2007-01-11 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 電界効果トランジスタ構成および電界効果トランジスタ構成の製造方法
JP2012528476A (ja) * 2009-05-25 2012-11-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 架橋可能な誘電体、並びにその製造方法及び使用方法
JP2012049225A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Sony Corp 電子デバイス及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP2014503987A (ja) * 2010-11-01 2014-02-13 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 誘電体としてのポリイミド
JP2015035475A (ja) * 2013-08-08 2015-02-19 大日本印刷株式会社 有機半導体素子およびその製造方法
WO2015076334A1 (ja) * 2013-11-21 2015-05-28 株式会社ニコン トランジスタの製造方法およびトランジスタ
JP2017530558A (ja) * 2014-09-25 2017-10-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 光架橋性誘電体としてのエーテル系ポリマー
JP2019530776A (ja) * 2016-09-27 2019-10-24 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 架橋性を高めた星型ポリマーおよびトリブロックポリマー

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200101448A (ko) 2020-08-27
WO2019170481A1 (en) 2019-09-12
CN112119515A (zh) 2020-12-22
US20210036248A1 (en) 2021-02-04
EP3762979A1 (en) 2021-01-13
JP7046395B2 (ja) 2022-04-04
US11690236B2 (en) 2023-06-27
KR102367372B1 (ko) 2022-02-25
US20220293873A1 (en) 2022-09-15
US11296290B2 (en) 2022-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6214768B2 (ja) アジド系架橋剤
CN101501080B (zh) 绝缘层、电子元件、场效应晶体管和聚乙烯基苯硫酚
Won et al. Photo-patternable polyimide gate insulator with fluorine groups for improving performance of 2, 7-didecyl [1] benzothieno [3, 2-b][1] benzothiopene (C10-BTBT) thin-film transistors
JP2015512992A (ja) 誘電材料としてのポリイミド
JP5470686B2 (ja) 絶縁層、電子デバイス、電界効果トランジスタ及びポリビニルチオフェノール
EP3198614B1 (en) Ether-based polymers as photo-crosslinkable dielectrics
JP7046395B2 (ja) トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造するためのパターニング方法
CN112074548B (zh) 作为电介质的乙烯醚类聚合物
WO2018060015A1 (en) Star-shaped styrene polymers with enhanced glass transition temperature
TWI764929B (zh) 具有經增強的可交聯性之星形及三嵌段聚合物
JP6953986B2 (ja) 光架橋性重合体、絶縁膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200904

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211102

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220315

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7046395

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150