CN112119515A - 用于制造顶栅底接触有机场效应晶体管的图案化方法 - Google Patents

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CN112119515A CN201980012464.5A CN201980012464A CN112119515A CN 112119515 A CN112119515 A CN 112119515A CN 201980012464 A CN201980012464 A CN 201980012464A CN 112119515 A CN112119515 A CN 112119515A
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Abstract

本发明涉及一种在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，所述有机场效应晶体管包括：源极和漏极、半导体层、固化的第一介电层及栅极；所述方法包括：i)步骤，涂布包含有机半导体材料的组合物以形成半导体层；ⅱ)步骤，涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物以形成第一介电层；ⅲ)步骤，通过光处理固化第一介电层的一部分；ⅳ)步骤，去除第一介电层的未固化的部分；及ⅴ)步骤，去除未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分；其中，所述第一介电材料包含由至少一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B构成的星形聚合物，所述各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A；所述聚合物嵌段B的重复单元的60mol％以上从由
Figure DDA0002780172160000011
Figure DDA0002780172160000012
及
Figure DDA0002780172160000013
组成的群组中选择；所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立，并且是H或者C1‑10‑烷基。

Description

用于制造顶栅底接触有机场效应晶体管的图案化方法
技术领域
本发明涉及顶栅(top-gate)底接触(bottom-contact)有机场效应晶体管的制造方法及顶栅底接触有机场效应晶体管的。
背景技术
有机场效应晶体管(OFETs)可使用于诸如显示器、大面积(large-area)传感器、RFID(radio-frequency identification)标签的需要电子功能的许多应用领域。OFETs可具有顶栅(top-gate)或者底接触(bottom-gate)结构。顶栅底接触有机场效应晶体管可依次包括基板(substrate)、源极和漏极(source and drain electrodes)、一个有机半导体层(organic semiconducting layer)、一个以上的介电层(dielectric layer)及栅极(gate electrode)。
在US7384814记述了图案化的顶栅底接触有机场效应晶体管制造方法，记述的方法是通过同个一个步骤将有机半导体层及半导体层上部的介电层图案化。在优选的实施例中，通过光固化形成介电层，而半导体层及介电层的图案化是通过掩膜(mask)将适当的光暴露于介电层来除去未被光固化的介电层的部分来执行的。之后，未被固化的介电层覆盖的半导体层的部分通过蚀刻(etching)去除。作为光固化介电层的一示例，有由乳酸乙酯(ethyl lactate)、酚醛清漆树脂(novolac resin)及1-萘磺酸(1-naphthalenesulfonicacid)构成的HPR504、6-重氮-5,6-二氢-5-氧代(6-diazo-5,6-dihydro-5-oxo-)、1,1’,1”-(1,3,5-苯三基)酯(1,1’,1”-(1,3,5-benzenetriyl)ester)及SC100(环化聚异戊二烯(cyclic polyisoprene))。
发明内容
(要解决的问题)
本发明的目的在于提供改善性能的顶栅底接触有机场效应晶体管的制造方法，半导体层和一个以上的介电层在大气条件下(under ambient conditions)通过低剂量UV光处理(low dosage UV light treatment)可一同被图案化。
如上所述的目的通过权利要求1的方法及权利要求16的顶栅底接触有机场效应晶体管达成。
(解决问题的手段)
本发明的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法包括：i)步骤，涂布包含有机半导体材料的组合物以形成半导体层；ⅱ)步骤，涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物以形成第一介电层；ⅲ)步骤，通过光处理固化第一介电层的一部分；ⅳ)步骤，去除第一介电层的未固化的部分；及ⅴ)步骤，去除未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分；
(发明的效果)
本发明的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法具有在大气条件下通过低剂量UV光处理也可制造具有高残膜比(film retention)的固化的第一介电层的优点。
本发明的基板上的顶栅底接触有机场效应晶体管表现出诸如高载流子迁移率(high charge carrier mobility)、低栅极漏电流(low gate leakage current)及/或者高Ion/Ioff比的改善的性能。
附图说明
图1示出本发明的用于制造顶栅有机场效应晶体管的示例性工艺。在第一步骤中，将源极S及漏极D涂布(apply)于基板。在第二步骤中，为了形成有机半导体层，涂布包含有机半导体材料(OSC)的组合物。在第三步骤中，为了形成第一介电层(1stGI)，涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物。在第四步骤中，为了形成固化的第一介电层(1stGI)，光处理第一介电层(1stGI)的一部分。在第五步骤中，去除第一介电层的未固化的部分。在第六步骤中，去除未被固化的第一介电层覆盖的有机半导体层的部分。在第七步骤中，通过第一介电层及有机半导体层嵌入于第二介电层的方式涂布第二介电层(2ndGI)。在第八步骤中，在第二介电层的上部涂布栅极。
图2是示出显影(development)之后固化的第一介电层的图。
图3是示出去除未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分之后作为抗蚀剂(resist)固化的第一介电层的图。
图4是示出利用Keithley 4200-SCS半导体特性化系统测量的实施例3的顶栅有机场效应晶体管的特性的曲线图。图4a是针对在-3V及-30V各个的源电压Vds下有机场效应晶体管的栅极电压Vgs(transfer curve)示出漏电流Ids的曲线图。图4b是针对在0V、-10V、-20V及-30V的栅极电压Vgs下有机场效应晶体管的漏极电压Vds(output curve)示出漏电流Ids的曲线图。
具体实施方式
本发明的方法作为在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，有机场效应晶体管包括源极和漏极(source and drain electrodes)、半导体层(semiconductinglayer)、固化的第一介电层(cured first dielectric layer)及栅极(gate electrode)。所述方法可包括：
i)步骤，涂布包含有机半导体材料(orqanic semiconductinq material)的组合物以形成半导体层；
ⅱ)步骤，涂布包含第一介电材料(first dielectric material)及至少具有两个叠氮基团(azide group)的交联剂(crosslinking agent)的组合物，以形成第一介电层(first dielectric layer)；
ⅲ)步骤，通过光处理(light treatment)固化第一介电层的一部分；
ⅳ)步骤，去除第一介电层的未固化的部分；及
ⅴ)步骤，去除未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分。
所述第一介电材料包含由至少一个聚合物嵌段A(polymer block A)及至少两个聚合物嵌段B(polymer blockΒ)构成的星形聚合物(star-shaped polymer)，所述各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A，所述聚合物嵌段B的重复单元(repeat unit)的60mol％以上从由
Figure BDA0002623125820000031
Figure BDA0002623125820000032
Figure BDA0002623125820000033
及
Figure BDA0002623125820000034
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立，并且是H或者C1-10-烷基(alkyl)。
如果，星形聚合物为由一个聚合物嵌段A及两个聚合物嵌段B构成的聚合物的情况下，星形聚合物可以是三嵌段聚合物(triblockpolymer)。
C1-4-烷基、C1-6-烷基、C1-10-烷基、C1-20-烷基、C1-30-烷基及C6-30-烷基可以是支链型(branched)或者非支链型(unbranched，线性)。如果是支链型，则C1-4-烷基、C1-6-烷基、C1-10-烷基、C1-20-烷基及C1-30-烷基优选从C2-原子分支。举一示例，C1-4-烷基为甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丁基(butyl)、异丁基(iso-butyl)、仲丁基(sec-butyl)及叔丁基(tert-butyl)。举一示例，C1-6-烷基为甲基(methyl)、乙基(ethyl)、正丙基(n-propyl)、异丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、异丁基(isobutyl)、叔丁基(tert-butyl)、正戊基(n-pentyl)、新戊基(neopentyl)、异戊基(isopentyl)、n-(1-乙基)丙基(n-(1-ethyl)propyl)及正己基(n-hexyl)。举一示例，C1-10-烷基为C1-6-烷基及正庚基(n-heptyl)、正辛基(n-octyl)、n-(2-乙基)己基(n-(2-ethyl)hexyl)、正壬基(n-nonyl)、正癸基(n-decyl)。举一示例，C1-20-烷基为C1-10-烷基及正十一烷基(n-undecyl)、正十二烷基(n-dodecyl)、正十一烷基(n-undecyl)、正十二烷基(n-dodecyl)、正十三烷基(n-tridecyl)、正十四烷基(n-tetradecyl)、n-(2-丁基)癸基(n-(2-butyl)decyl)、正十五烷基(n-pentadecyl)、正十六烷基(n-hexadecyl)、正十七烷基(n-heptadecyl)、正十八烷基(n-octadecyl)、正十九烷基(n-nonadecyl)、n-(2-己基)十四烷基(n-(2-hexyl)tetradecyl)及正二十烷基(n-icosyl)(C20)。举一示例，C1-30-烷基为C1-20-烷基及正二十二烷基(n-docosyl)(C22)、n-(2-癸基)十二烷基(n-(2-decyl)dodecyl)、正二十四烷基(n-tetracosyl)(C24)、正二十六烷基(n-hexacosyl)(C26)、正二十八烷基(n-octacosyl)(C28)及正三十烷基(n-triacontyl)(C30)。举一示例，C6-30-烷基为正己基(n-hexyl)、正庚基(n-heptyl)、正辛基(n-octyl)、n-(2-乙基)己基(n-(2-ethyl)hexyl)、正壬基(n-nonyl)、正癸基(n-decyl)、正十一烷基(n-undecyl)、正十二烷基(n-dodecyl)、正十一烷基(n-undecyl)、正十二烷基(n-dodecyl)、正十三烷基(n-tridecyl)、正十四烷基(n-tetradecyl)、n-(2-丁基)癸基(n-(2-butyl)decyl)、正十五烷基(n-pentadecyl)、正十六烷基(n-hexadecyl)、正十七烷基(n-heptadecyl)、正十八烷基(n-octadecyl)、正十九烷基(n-nonadecyl)、n-(2-己基)十四烷基(n-(2-hexyl)tetradecyl)、正二十烷基(n-icosyl)、正二十二烷基(n-docosyl)(C22)、n-(2-癸基)十二烷基(n-(2-decyl)dodecyl)、正二十四烷基(n-tetracosyl)(C24)、正二十六烷基(n-hexacosyl)(C26)、正二十八烷基(n-octacosyl)(C28)及正三十烷基(n-triacontyl)(C30)。
举一示例，C6-14-芳基(aryl)为苯基(phenyl)及萘基(naphthyl)。
举一示例，5至14元杂芳基(5 to 14membered heteroaryl)为
Figure BDA0002623125820000041
及
Figure BDA0002623125820000051
举一示例，C1-10-亚烃基(alkylene)为亚甲基(methylene)、亚乙基(ethylene)、丙烯(propylene)、丁烯(butylene)、戊二烯(pentylene)、己烯(hexylene)、庚烯(heptylene)、辛烯(octylene)、壬烯(nonylene)及癸烯(decylene)。
举一示例，C2-10-亚烯基(alkenylene)为亚乙烯基(ethenylene)、亚丙烯基(propenylene)、亚丁烯基(butenylene)、亚戊烯基(pentenylene)、亚己烯基(hexenylene)、亚庚烯基(heptenylene)、亚辛烯基(octenylene)、亚壬烯基(nonenylene)及亚癸烯基(decenylene)。
举一示例，C2-10-亚炔基(alkynylene)为亚乙炔基(ethynylene)、亚丙炔基(propynylene)、亚丁炔基(butynylene)、亚戊炔基(pentynylene)、亚己炔基(hexynylene)、亚庚炔基(heptynylene)、亚辛炔基(octynylene)、亚壬炔基(nonynylene)、亚癸炔基(decynylene)。
举一示例，C6-14-亚芳基(arylene)为
Figure BDA0002623125820000052
及
Figure BDA0002623125820000053
举一示例，C5-8-亚环烷基(cycloalkylene)为亚环戊基(cyclopentylene)、亚环己基(cyclohexylene)、亚环庚基(cycloheptylene)及亚环辛基(cyclooctylene)。
举一示例，5至14元亚杂芳基(5 to 14 membered heteroarylene)为
Figure BDA0002623125820000054
及
Figure BDA0002623125820000055
多环体系为包含从由C6-14-芳香环(aromatic ring)及5至14元芳杂环(5 to 14membered heteroaromatic ring)组成的群组中选择的一个以上的环，其一示例为
Figure BDA0002623125820000061
举一示例，卤素为F、Cl、Br及I。
优选为，R1、R2、R3、R4、R5及R6分别独立，并且是H或者C1-4-烷基(alkyl)。更加优选为R1、R2、R3、R4、R5及R6为H。
优选为，聚合物嵌段B的单体单元(monomer unit)的60mol％以上可从由
Figure BDA0002623125820000062
Figure BDA0002623125820000063
组成的群组中选择。
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立，并且是H或者C1-4-烷基(alkyl)。
举一示例，化学式(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的单体单元为
Figure BDA0002623125820000071
Figure BDA0002623125820000072
及
Figure BDA0002623125820000073
举一示例，化学式(1E)及(1F)的单体单元为
Figure BDA0002623125820000074
及
Figure BDA0002623125820000075
更加优选为，聚合物嵌段B的单体单元的70mol％以上可从由
Figure BDA0002623125820000081
及
Figure BDA0002623125820000082
组成的群组中选择。
所述R1、R2、R3、R4、R5及R6分别独立，并且是H或者C1-4-烷基(alkyl)。
更加优选为，聚合物嵌段B的单体单元的80mol％以上可从由
Figure BDA0002623125820000083
及
Figure BDA0002623125820000084
组成的群组中选择。
所述R1、R2、R3、R4、R5及R6为H。
聚合物嵌段B还可包括单体单元；例如，单体单元(4A)、(4C)、(4D)、(4E)或者(4F)。然而，最优选为，聚合物嵌段B必须构成从由(1A)、(1B)、(1C)、(1D)、(1E)、(1F)、(1G)、(1H)及(1I)构成的群组中选择的单体单元。
聚合物嵌段A可由任意合适的单体单元构成。
优选为，聚合物嵌段A的单体单元的80mol％以上可从由
Figure BDA0002623125820000091
Figure BDA0002623125820000092
及
Figure BDA0002623125820000093
构成的群组中选择。
所述R20、R21、R22、R23、R24、R25及R26分别独立，并且从由H、C6-14-芳基、5至14元杂芳基及C1-30-烷基组成的群组中选择。
所述Ra为C(O)OH、C(O)OC1-30-烷基、C(O)-H、C(O)C6-14-芳基、C(O)N(C1-30-烷基)2、C(O)N(C6-14-芳基)2、C(O)N(C1-30-烷基)(C6-14-芳基)、C(O)-C6-14-芳基、C(O)-C1-30-烷基、O-C6-14-芳基、O-C1-30-烷基、OC(O)C1-30-烷基、OC(O)C6-14-芳基或者CN。
所述C6-14-芳基及5至14元杂芳基可被一个以上的取代基取代，所述取代基从由C1-10-烷基、C(O)OH、C(O)OC1-10-烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10-烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10-烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10-烷基、OH、O-苯基、O-C1-10-烷基、OC(O)C1-10-烷基、OC(O)-苯基、CN及NO2组成的群组中选择。
所述C1-30-烷基可被一个以上的取代基取代，所述取代基从由苯基、C(O)OH、C(O)OC1-10-烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10-烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10-烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10-烷基、O-苯基、O-C1-10-烷基、OC(O)C1-10-烷基、OC(O)-苯基、Si(C1-10-烷基)3、Si(苯基)3、CN及NO2组成的群组中选择。
n为1至3的整数。
L20为C1-10-亚烃基、C2-10-亚烯基、C2-10-亚炔基、C6-14-亚芳基或者S(O)。
举一示例，单体单元(4A)为
Figure BDA0002623125820000101
Figure BDA0002623125820000102
及
Figure BDA0002623125820000103
举一示例，单体单元(4B)为
Figure BDA0002623125820000104
举一示例，单体单元(4C)为
Figure BDA0002623125820000111
Figure BDA0002623125820000112
Figure BDA0002623125820000113
及
Figure BDA0002623125820000114
更加优选为，聚合物嵌段A的单体单元的80mol％以上可从由
Figure BDA0002623125820000115
Figure BDA0002623125820000121
及
Figure BDA0002623125820000122
组成的群组中选择。
所述R20、R21及R22独立，并且从由H、C6-14-芳基、5至14元杂芳基及C1-30-烷基组成的群组中选择。
所述Ra为C(O)OC1-30-烷基。
所述C6-14-芳基及5至14元杂芳基可被一个以上的C1-10-烷基取代。
所述C1-30-烷基可被从由Si(C1-10-烷基)3及Si(苯基)3组成的群组中选择的一个以上的取代基取代。
n为1至3的整数。
L20为C1-10-亚烃基或者C6-14-亚芳基。
更进一步优选为，聚合物嵌段A的单体单元的90mol％以上可以是从由
Figure BDA0002623125820000123
及
Figure BDA0002623125820000124
组成的群组中选择的单体单元。
所述R20及R21独立，并且从由H或者C6-14-芳基组成的群组中选择。
所述C6-14-芳基可被一个以上的C1-10-烷基取代。
L20为C6-14-亚芳基。
最优选为，聚合物嵌段A的单体单元的90mol％以上可以是从由
Figure BDA0002623125820000131
及
Figure BDA0002623125820000132
组成的群组中选择的单体单元。
所述R20及R21独立，并且从由H或者苯基组成的群组中选择。
L20为亚苯基。
聚合物嵌段A还可包含单体单元；例如，单体单元(1A)、(1B)、(1C)、(1D)、(1E)、(1F)、(1G)、(1H)或者(1I)。然而，最优选为，聚合物嵌段A可必须构成从由(4A)、(4B)、(4C)、(4D)、(4E)及(4F)组成的群组中选择的单体单元。
在本发明的一实施例中，星形聚合物由一个聚合物嵌段A及两个以上的聚合物嵌段B构成。
在本发明的其他一实施例中，星形聚合物为由一个聚合物嵌段A及两个聚合物嵌段B构成的三嵌段聚合物。
优选为，星形聚合物为由一个聚合物嵌段A及两个聚合物嵌段B构成的三嵌段聚合物，各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A，所述聚合物嵌段B的单体单元的60mol％以上从由
Figure BDA0002623125820000133
Figure BDA0002623125820000134
Figure BDA0002623125820000141
Figure BDA0002623125820000142
及
Figure BDA0002623125820000143
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立，并且是H或者C1-4-烷基。
但是，存在单体单元(1A)及(1B)中的一个以上；[单体单元(1A)及(1B)的分子(mols)]/[单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子(mols)]的比率在30％以上。
优选为，三嵌段聚合物的聚合物嵌段B的单体单元的70mol％以上可从由
Figure BDA0002623125820000144
及
Figure BDA0002623125820000145
组成的群组中选择。
所述R1、R2、R3、R4、R5及R6分别独立，并且是H或者C1-4-烷基。
但是，存在单体单元(1A)及(1B)中的一个以上，[单体单元(1A)及(1B)的分子(mols)]/[单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子(mols)]的比率在50％以上。
更加优选为，三嵌段聚合物的聚合物嵌段B的单体单元的80mol％以上可从由
Figure BDA0002623125820000151
及
Figure BDA0002623125820000152
组成的群组中选择。
所述R1、R2、R3、R4、R5及R6为H。
但是，存在单体单元(1A)及(1B)中的一个以上，[单体单元(1A)及(1B)的分子(mols)]/[单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子(mols)]的比率在70％以上。
三嵌段聚合物的聚合物嵌段B还可包含单体单元；例如，单体单元(4A)、(4C)、(4D)、(4E)或者(4F)。然而，最优选为，聚合物嵌段B可必须构成从由(1A)、(1B)、(1C)、(1D)、(1E)、(1F)、(1G)、(1H)及(1I)组成的群组中选择的单体单元。
优选为，三嵌段聚合物的聚合物嵌段A的单体单元的80mol％以上可从由
Figure BDA0002623125820000153
Figure BDA0002623125820000161
及
Figure BDA0002623125820000162
组成的群组中选择。
所述R20、R21、R22、R23、R24、R25及R26分别独立，并且从由H、C6-14-芳基、5至14元杂芳基及C1-30-烷基组成的群组中选择。
所述Ra是C(O)OH、C(O)OC1-30-烷基、C(O)-H、C(O)C6-14-芳基、C(O)N(C1-30-烷基)2、C(O)N(C6-14-芳基)2、C(O)N(C1-30-烷基)(C6-14-芳基)、C(O)-C6-14-芳基、C(O)-C1-30-烷基、O-C6-14-芳基、O-C1-30-烷基、OC(O)C1-30-烷基、OC(O)C6-14-芳基或者CN。
所述C6-14-芳基及5至14元杂芳基可被一个以上的取代基取代，所述取代基从由C1-10-烷基、C(O)OH、C(O)OC1-10-烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10-烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10-烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10-烷基、OH、O-苯基、O-C1-10-烷基、OC(O)C1-10-烷基、OC(O)-苯基、CN及NO2组成的群组中选择。
所述C1-30-烷基可被一个以上的取代基取代，所述取代基从由苯基、C(O)OH、C(O)OC1-10-烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10-烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10-烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10-烷基、O-苯基、O-C1-10-烷基、OC(O)C1-10-烷基、OC(O)-苯基、Si(C1-10-烷基)3、Si(苯基)3、CN及NO2组成的群组中选择。
n为1至3的整数。
最优选为，三嵌段聚合物的聚合物嵌段A的单体单元的80mol％以上可从由
Figure BDA0002623125820000171
及
Figure BDA0002623125820000172
组成的群组中选择。
所述R20、R21及R22独立，并且从由H、C6-14-芳基、5至14元杂芳基及C1-30-烷基组成的群组中选择。
所述Ra为C(O)OC1-30-烷基。
所述C6-14-芳基及5至14元杂芳基可被一个以上的C1-10-烷基取代。
所述C1-30-烷基可被从由Si(C1-10-烷基)3及Si(苯基)3组成的群组中选择的一个以上的取代基取代。
n为1至3的整数。
最优选为，三嵌段聚合物的聚合物嵌段A的单体单元的80mol％以上可以是从由
Figure BDA0002623125820000173
组成的群组中选择的单体单元。
所述R20及R21独立，并且从由H及C6-14-芳基组成的群组中选择。
所述C6-14-芳基可被一个以上的C1-10-烷基取代。
三嵌段聚合物的聚合物嵌段A还可包含单体单元；例如，单体单元(1A)、(1B)、(1C)、(1D)、(1E)、(1F)、(1G)、(1H)或者(1I)。然而，最优选为，三嵌段聚合物的聚合物嵌段A可必须构成从由(4A)、(4C)、(4D)、(4E)及(4F)组成的群组中选择的单体单元。
更加优选为，星形聚合物为由一个聚合物嵌段A及两个聚合物嵌段B构成的三嵌段聚合物，所述聚合物嵌段B的单体单元的70mol％以上从由
Figure BDA0002623125820000181
及
Figure BDA0002623125820000182
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5及R6分别独立，并且是H或者C1-4-烷基；
但是，存在单体单元(1A)及(1B)中的一个以上，[单体单元(1A)及(1B)的分子(mols)]/[单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子(mols)]的比率在50％以上；
聚合物嵌段A的单体单元的80mol％以上为化学式
Figure BDA0002623125820000183
的单体单元；
所述R20为H；
所述R21分别为C6-14-芳基；
所述C6-14-芳基可被一个以上的C1-10-烷基取代。
更进一步优选为，本发明的星形聚合物为由一个聚合物嵌段A及两个聚合物嵌段B构成的三嵌段聚合物，所述聚合物嵌段B的单体单元的80mol％以上从由
Figure BDA0002623125820000191
及
Figure BDA0002623125820000192
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5及R6为H；
但是，存在单体单元(1A)及(1B)中的一个以上，[单体单元(1A)及(1B)的分子(mols)]/[单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子(mols)]的比率在70％以上；
聚合物嵌段A的单体单元的90mol％以上为化学式
Figure BDA0002623125820000193
的单体单元；
所述R20为H，R21为苯基。
针对聚合物的如下的定义及制造方法包括与聚合物嵌段A及聚合物嵌段B相关的定义及制造方法，也可适用于包含三嵌段聚合物的星形聚合物。
优选为，聚合物嵌段A/总聚合物嵌段B的重量比(the weight ratio of polymerblock A/total polymer blocksΒ)在60/40至96/4。更加优选为，聚合物嵌段A/总聚合物嵌段B的重量比在70/30至96/4。最优选为，聚合物嵌段A/总聚合物嵌段B的重量比在76/24至94/4。
优选为，在用凝胶渗透色谱(gel permeation chromatography)测量星形聚合物时，星形聚合物具有60000g/mol以上的数均分子量Mn以及70000g/mol以上的重均分子量Mw。
更加优选为，用凝胶渗透色谱(gel permeation chromatography)测量星形聚合物时，星形聚合物具有100000g/mol以上的数均分子量Mn以及120000g/mol以上的重均分子量Mw。
最优选为，用凝胶渗透色谱(gel permeation chromatography)测量星形聚合物时，星形聚合物具有120000g/mol以上的数均分子量Mn以及150000g/mol以上的重均分子量Mw。
假设，用于制造聚合物嵌段B的总单体包含于聚合物嵌段B。
假设，单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子％与单体
Figure BDA0002623125820000201
的分子％相同。
所述R1、R2、R3、R4、R5及R6以用于制造聚合物嵌段B的单体总分子(mols)为基准与单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)定义的相同。
[单体单元(1A)及(1B)的分子(mols)]/[单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子(mols)]的比率可取决于通过1H-NMR得到的混合信号(integrated signals)，所述1H-NMR留出充分的时间用于完全弛豫信号(full relaxation of the signals)。从这种数据可计算[单体单元(1A)及(1B)的分子(mols)]/[单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子(mols)]的比率。
假设，聚合物嵌段B中单体单元(1E)及(1F)的分子％与单体
Figure BDA0002623125820000202
的分子％相同。
对于所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8，以用于制造聚合物嵌段B的单体总分子(mol)为基准与单体单元(1E)及(1F)定义的相同。
假设，聚合物嵌段B中单体单元(1G)的分子％以用于制造聚合物嵌段B的单体总分子(mol)为基准与单体
Figure BDA0002623125820000211
的分子％相同。
假设，聚合物嵌段B中单体单元(1H)的分子％以用于制造聚合物嵌段B的单体总分子(mol)为基准与单体
Figure BDA0002623125820000212
的分子％相同。
假设，聚合物嵌段B中单体单元(1I)的分子％以用于制造聚合物嵌段B的单体总分子(mol)为基准与单体
Figure BDA0002623125820000213
的分子％相同。
假设，用于制造聚合物嵌段A的总单体包含于聚合物嵌段A。
据此，假设聚合物嵌段A的单体单元(4A)的分子％与单体
Figure BDA0002623125820000214
的分子％相同。
所述R20及R21与在单体单元(4A)定义的相同，
并且以用于制造聚合物嵌段A的单体总分子为基准。
假设，聚合物嵌段A的单体单元(4B)的分子％与单体
Figure BDA0002623125820000215
的分子％相同。
所述L20与在单体单元(4B)定义的相同；
并且以用于制造聚合物嵌段A的单体总分子为基准。
假设，聚合物嵌段A的单体单元(4C)的分子％与单体
Figure BDA0002623125820000221
的分子％相同。
所述R22及Ra与单体单元(4C)定义的相同，
并且以用于制造聚合物嵌段A的单体总分子为基准。
假设，聚合物嵌段A的单体单元(4D)的分子％与单体
Figure BDA0002623125820000222
的分子％相同。
所述n与在单体单元(4D)定义的相同，
并且以用于制造聚合物嵌段A的单体总分子为基准。
假设，聚合物嵌段A的单体单元(4E)的分子％与单体
Figure BDA0002623125820000223
的分子％相同。
所述R23、R24、R25及R26与在单体单元(4E)定义的相同，
并且以用于制造聚合物嵌段A的单体总分子为基准。
假设，聚合物嵌段A的单体单元(4F)的分子％与单体
Figure BDA0002623125820000224
的分子％相同。
所述R23、R24、R25及R26与在单体单元(4F)定义的相同，
并且以用于制造聚合物嵌段A的单体总分子为基准。
由至少一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B构成的星形聚合物可通过在该领域公知的聚合(polymerization)方法制造。
例如，聚合物嵌段A可通过阴离子聚合方法(anionic polymerisation method)制造，该方使用从由
Figure BDA0002623125820000231
Figure BDA0002623125820000232
及
Figure BDA0002623125820000233
组成的群组中选择的80分子％以上的单体。
所述R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26、Ra及n与在单体单元(4A)、(4B)、(4C)、(4D)、(4E)及(4F)定义的相同；
以用于制造聚合物嵌段A的单体总分子为基准。
例如，聚合物嵌段B可通过阴离子聚合方法(anionic polymerisation method)制造，该方法使用从由
Figure BDA0002623125820000234
及
Figure BDA0002623125820000235
组成的群组中选择的60分子％以上的单体。
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8与在单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)定义的相同，
并且以用于制造聚合物嵌段B的单体总分子为基准。
通常，阴离子聚合方法由诸如n-BuLi或者sec-BuLi的单官能团的引发剂(mono-functional initiator)或者诸如1,4-二锂-1,1,4,4-四苯基丁烷(1,4-dilithio-1,1,4,4-tetraphenylbutane)的两个官能团的引发剂(bi-functional initiator)引发。
阴离子聚合方法通常在合适的非质子溶剂(aprotic solvent)或者非质子溶剂的混合物中进行。非质子溶剂可以是诸如四氢呋喃(tetrahydrofuran)的极性溶剂或者诸如甲苯(toluene)或者环己烷(cyclohexane)的非极性溶剂。
总单体/溶剂的重量比通常在1/100至40/100(重量/重量)的范围内，更在优选为在5/10至300/100(重量/重量)的范围内。
阴离子聚合通常在30至80℃的温度下进行，优选为在50至80℃的温度。
阴离子聚合通常通过添加水或者诸如异丙醇(isopropanol)的质子溶剂(proticsolvent)终止。
在进行阴离子聚合的具体内容记载于如下的文献中：例如，Maurice Morton in“Anionic Polymerization:Principles and Practice”,Academic Press,New York,1983,及Henry Hsieh,RodericΡ.Quirk Anionic Polymerization:Principles andPractical Applications,Marcel Dekker,New York,1996。
例如，聚合物嵌段B可通过开环易位聚合(ROMP；ring-opening metathesispolymerisation)制造而成，而且使用从由
Figure BDA0002623125820000241
及
Figure BDA0002623125820000242
组成的群组中选择的60分子％以上的单体，
并且以用于制造聚合物嵌段B的单体总分子为基准。
开环易位聚合(ROMP)方法通常在诸如Schrock催化剂或者Grubbs’催化剂的合适的催化剂下进行。开环易位聚合(ROMP)方法可通过添加醛(aldehyde)终止。
催化剂的正确选择及ROMP的进行可从“Handbook of Metathesis,Volume 1-3”byRobertΗ.Grubbs et at.2015,Wiley-VCH,Weinheim,and RobertΗ.Grubbs in Handbookof Metathesis(Wiley-VCH,Weinheim,2003)中获得。
如果，星形聚合物为由一个聚合物嵌段A及两个聚合物嵌段B构成三嵌段聚合物，则可使用“依次添加单体(sequential addition of monomers)”、“引发两个官能团(bifunctional initiation)”或者“偶联两个官能团(bifunctional coupling)”的制造方法。
根据阴离子聚合的“依次添加单体”如下：提供诸如n-BuLi或者sec-BuLi的单官能团的引发剂，之后添加用于第一聚合物嵌段B的单体，然后添加用于第一聚合物嵌段A的单体，之后添加用于第二聚合物嵌段B的单体，用质子溶剂终止。
根据阴离子聚合的“引发两个官能团”如下：提供诸如1,4-二锂-1,1,4,4-四苯基丁烷(1,4-dilithio-1,1,4,4-tetraphenylbutane)的两个官能团的引发剂，之后添加聚合物嵌段A的单体，然后添加聚合物嵌段B的单体，用质子溶剂终止。最终，在聚合物中两个官能团的引发剂成为聚合物嵌段A的一部分。
“偶联两个官能团”可包括通过使用单官能团引发剂的阴离子聚合或者开环易位聚合(ROMP)制造的聚合物嵌段B和具有2个末端CH＝O基的聚合物嵌段A的偶联。
“偶联两个官能团”可包括通过使用两个官能团引发剂的阴离子聚合制造的聚合物嵌段A和具有CH＝O基的聚合物嵌段B的偶联。
具有2个末端CH＝O基的聚合物嵌段A通过使用两个官能团的引发剂的阴离子聚合制造而成，之后利用含有引发终止的基团的试剂及还含有醛基(aldehyde group)或者受保护的醛基(protected aldehyde group)的试剂可终止反应，如果有受保护的醛基，则受保护的醛基可脱离保护。
具有CH＝O基的聚合物嵌段B通过使用单官能团的引发剂的阴离子聚合或者开环易位聚合(ROMP)制造而成，之后利用含有引发终止的基团的试剂及还含有醛基或者受保护的醛基的试剂终止反应，如果有受保护的醛基，则受保护的醛基可脱离保护。
举一示例，追加包含引发终止的基团和醛基的试剂为O＝CH-(CH2)2-Cl、O＝CH-亚苯基-CH2Cl及O＝CH-CH2-Si(Me)2Cl。
举一示例，追加包含引发终止的基团和受保护的醛基的试剂为O＝CH-(CH2)2-C(OCH3)2或者O＝CH-亚苯基-C(OCH3)2。受保护的醛基可在醋酸的存在被水解，从而可脱离保护。
用于通过受保护且官能化的终止剂(protected functionalized terminationagent)及引发剂制造端基官能化聚合物(end-functionalized polymer)的概括性概要如下提供：A.Hirao andΜ.Hayashi in“Recent advance in syntheses and applicationsof well-defined endfunctionalized polymers by means of anionic livingpolymerization”,Acta Polymerica 1999,Vol.50,page 219to 231。
如果，聚合物为由一个聚合物嵌段A及两个以上的聚合物嵌段B构成的聚合物，即所谓的“星形聚合物(star-shaped polymer)”，则可使用诸如“引发多官能团(multifunctional initiation)”或者“偶联多官能团(multifunctional coupling)”的制造方法。
例如，根据阴离子聚合的“引发多官能团”可包括：提供多官能团的引发剂，之后添加用于聚合物嵌段A的单体，然后添加用于聚合物嵌段B的单体。在最终聚合物中，多官能团的引发剂成为聚合物嵌段A的一部分。例如，如果聚合物嵌段A主要包含化学式(1A)的单体单元，则多官能团的引发剂可以是在单官能团的引发剂，通常是锂有机化合物(例如，n-BuLi或者sec-BuLi)的存在下聚合二乙烯基苯(divinylbenzene)、二苯乙烯(diphenylethylene)及笨乙烯(styrene)得到的低聚物(oligomer)。
例如，根据阴离子聚合“偶联多官能团”如下：提供单官能团引发剂，通常是锂有机化合物(例如，n-BuLi或者sec-BuLi)，之后添加聚合物嵌段B的单体，然后添加聚合物嵌段A，之后可添加诸如1,2-双(三氯硅基)乙烷(1,2-bis-(trichlorosilyl)ethane)的多官能团偶联剂。
根据聚合物嵌段A及聚合物嵌段B的单体单元可选择合适的制造方法。
优选为，至少具有两个叠氮基团(azide group)的交联剂为具有两个叠氮基团的交联剂(crosslinking agent)。
优选为，具有两个叠氮基团的交联剂为化学式(2)
Figure BDA0002623125820000261
在所述化学式(2)中，a为0或者1；
R50分别从由H、卤素、SO3M及C1-20-烷基组成的群组中选择，所述C1-20-烷基可被一个以上的卤素取代；
所述M为H、Na、K或者Li；
L50为连接基(linking group)。
优选为，在所述化学式(2)中，a为0；
R50分别从由F、SO3M及C1-20-烷基组成的群组中选择，所述C1-20-烷基可被一个以上的F取代；
所述M为H、Na、K或者Li。
更加优选为，在所述化学式(2)中，R50分别为F。
L50可以是任意合适的连接基。
优选为，L50为以下化学式(3)的连接基：
Figure BDA0002623125820000262
在所述化学式(3)中，b、c、d、e、f、g及h同时都不是0的情况下，b、c、d、e、f、g及h相互独立，并且是0或者1；
W1、W2、W3及W4独立，并且从由C(O)、C(O)O、C(O)-NR51、SO2-NR51、NR51、N+R51R51、CR51＝CR51及亚乙炔基(ethynylene)组成的群组中选择；
R51在各个情况下为H或者C1-10-烷基或者2个R51基，这可以是相互不同的W1、W2、W3及W4基，并且可与连接原子一同形成5、6或者7元的环，并且可被1至3的C1-6-烷基取代；
Z1、Z2及Z3独立，并且从由多环体系(polycyclic system)组成的群组中选择，其中所述多环体系包含从由C1-10-亚烃基、C5-8-亚环烷基、C6-14-亚芳基、5至14元杂亚芳基和C6-14-芳香环及5至14元杂芳香环组成的群组中选择的一个以上的环；
包含从由所述C1-10-亚烃基、C5-8-亚环烷基、C6-14-亚芳基、5至14元杂亚芳基和C6-14-芳香环及5至14元杂芳香环组成的群组中选择的一个以上的环的多环体系可被1至5的C1-20-烷基或者苯基取代。
举一示例，连接基L50为
Figure BDA0002623125820000271
Figure BDA0002623125820000272
Figure BDA0002623125820000281
Figure BDA0002623125820000282
及
Figure BDA0002623125820000283
更加优选为，L50为以下化学式(3)的连接基：
Figure BDA0002623125820000284
在所述化学式(3)中，c、e及g中的一个以上为1的情况下，b、c、d、e、f、g及h相互独立，并且是0或者1；
W1、W2、W3及W4相互独立，并且从由C(O)、C(O)O、C(O)-NR51、SO2-NR51、NR51、N+R51R51、CR51＝CR51及亚乙炔基组成的群组中选择；
R51在各个情况下为H或者C1-10-烷基或者2个R51基，这可以是相互不同的W1、W2、W3及W4基，并且可与连接原子一同形成5、6或者7元的环，并且可被1至3的C1-6-烷基取代；
Z1、Z2及Z3相互独立，并且从由多环体系组成的群组中选择，其中所述多环体系包含从由C1-10-亚烃基、C5-8-亚环烷基、C6-14-亚芳基、5至14元杂亚芳基及C6-14-芳香环及5至14元杂芳香环组成的群组中选择的一个以上的环；
包括从由所述C1-10-亚烃基、C5-8-亚环烷基、C6-14-亚芳基、5至14元杂亚芳基及C6-14-芳香环及5至14元杂芳香环组成的群组中选择的一种以上的环的多环体系可被1至5的C1-20-烷基或者苯基取代；
但是，这是处于Z1、Z2及Z3中的一个以上为多环体系的情况，所述多环体系包括从由C6-14-亚芳基、5至14元杂亚芳基或者C6-14-芳香环及5至14元杂芳香环组成的群组中选择的一个以上的环。
最优选为，L50为以下化学式(3)的连接基：
Figure BDA0002623125820000291
在所述化学式(3)中，在c、e及g中的一个以上为1的情况下，b、c、d、e、f、g及h相互独立，并且是0或者1；
W1、W2、W3及W4相互独立，并且从由C(O)、CR51＝CR51及亚乙炔基组成的群组中选择；
R51为H；
Z1、Z2及Z3相互独立，并且从由多环体系组成的群组中选择，其中所述多环体系包含从由C1-10-亚烃基、C6-14-亚芳基、5至14元杂亚芳基和C6-14-芳香环及5至14元杂芳香环组成的群组中选择的一个以上的环；
包含从由C1-10-亚烃基、C6-14-亚芳基、5至14元杂亚芳基和C6-14-芳香环及5至14元杂芳香环组成的群组中选择的一个以上的环的多环体系可被1或者2的C1-20-烷基或者苯基取代；
但是，这是处于Z1、Z2及Z3中一个以上为多环体系的情况，所述多环体系包含从由C6-14-亚芳基、5至14元杂亚芳基及C6-14-芳香环及5至14元杂芳香环组成的群组中选择的一个以上的环。
尤其是，L50为
Figure BDA0002623125820000292
所述R12为C1-20-烷基。
对于制造至少具有两个叠氮基团的交联剂已记载于各种出版物，例如，记载于如下的文献中：WO 2015/004563,Cai,S.X.；Glenn,D.J.；Kanskar,M.；Wybourne,M.N.；Keana,J.F.W.Chem.Mater.1994,6,1822-1829,Yan,M.；Cai,S.X.；Wybourne,M.N.；Keana,J.F.W.J.Mater.Chem.1996,6,1249-1252,Touwslager,F.J.；Willard,N.P.；Leeuw,D.M.Applied Physics Letters 2002,81,4556,WO 04/100282,WO 2007/004995,WO 2009/068884,Png,R.-Q.；Chia,P.-J.；Tang,J.-C.；Liu,B.；Sivaramakrishnan S.；Zhou,M.；Khong,S.-H.；Chan,H.S.O.；Burroughes,J.H.；Chua,L.-L.；Friend,R.H.；Ho,P.K.H.Nature Materials 2010,9(2),152-152及WO 2011/068482。
包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团(azide group)的交联剂的组合物还可包含溶剂。溶剂可以是任意合适的溶剂或者溶剂混合物。优选为，溶剂为极性非质子溶剂(polar aprotic solvent)或者极性非阳性非质子溶剂的混合物。举一示例，极性非质子溶剂为乙酸乙酯(ethyl acetate)、乙酸丁酯(butyl acetate)、丙酮(acetone)、环戊酮(cyclopentanone)、四氢呋喃(tetrahydrofuran)、丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycolmonomethyl ether acetate)、乙腈(acetonitrile)、二甲基甲酰胺(dimethylformamide)及二甲亚砜(dimethylsulfoxide)。优选为，极性非质子溶剂为乙酸丁酯(butyl acetate)、环戊酮(cyclopentanone)及丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycol monomethyl etheracetate)；尤其是，环戊酮(cyclopentanone)及丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycolmonomethyl ether acetate)。
优选为，包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物为溶液，包含：
i)以组合物1000mg为基准，0.1至500mg的第一介电材料；
ⅱ)以第一介电材料的重量为基准，0.1至20重量％的至少具有两个叠氮基团的交联剂；及
ⅲ)溶剂。
更加优选为，包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物为溶液，包含：
i)以组合物1000mg为基准，0.1至250mg的第一介电材料；
ⅱ)以第一介电材料的重量为基准，0.1至15重量％的至少具有两个叠氮基团的交联剂；及
ⅲ)溶剂。
最优选为，包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物为溶液，包含：
i)以组合物1000mg为基准，10至100mg的第一介电材料；
ⅱ)以第一介电材料的重量为基准，1至10重量％的至少具有两个叠氮基团的交联剂；及
ⅲ)溶剂。
包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物可以是混合第一介电材料、至少具有两个叠氮基团的交联剂及任意溶剂制造而成。
有机半导体材料(organic semiconducting material)可以是在该技术领域公知的任意的有机半导体材料。有机半导体材料可以是小分子(small molecule)或者聚合物。
举一示例，有机半导体材料如下：由诸如蒽(anthracene)、并五苯(pentacene)及其衍生物的线性稠合芳香环(linearly-fused aromatic ring)构成的多环芳烃(polycyclic aromatic hydrocarbon)；由诸如苝(perylene)、苝二酰亚胺衍生物(perylene diimide derivatives)、苝二酸酐衍生物(perylene dianhydridederivatives)及萘二酰亚胺衍生物(naphthalene diimide derivatives)的二维稠合芳香环(two-dimensional fused aromatic ring)构成的多环芳烃；诸如三苯胺衍生物(triphenylamine derivatives)、低聚物及聚合物、聚乙炔(polyacetylenes)的烃链，包含诸如低聚噻吩(oligothiophene)、低聚亚苯基亚乙炔基(oligophenylenevinylene)、聚噻吩(polythiophene)、聚亚苯基亚乙烯基聚对亚苯基(polythienylenevinylenepolyparaphenylene)、聚吡咯(polypyrrole)及聚苯胺(polyaniline)的芳香族单元；及基于吡咯并吡咯的材料(diketopyrrolopyrrole-based material)。
例如，由线性稠合芳环构成的双炔基取代的多环芳烃(bis-alkinyl substitutedpolycyclic aromatic hydrocarbon)记载于WO2007/068618。
例如，苝二酰亚胺衍生物、苝二酸酐衍生物及萘二酰亚胺衍生物记载于WO2007/074137、WO2007/093643、WO2009/024512、WO2009/147237、WO2012/095790、WO2012/117089、WO2012/152598、WO2014/033622、WO2014/174435及WO2015/193808。
例如，包含噻吩(thiophene)单元的聚合物记载于WO2010/000669，包含苯并噻二唑-环戊二噻吩(benzothiadiazol-cyclopentadithiophene)单元的聚合物记载于WO2010/000755，包含二噻吩并苯并噻吩并噻吩(dithienobenzathienothiophene)单元的聚合物记载于WO2011/067192，包含二噻吩并邻苯二甲酰亚胺(dithienophthalimide)单元的聚合物记载于WO2013/004730，包含噻吩并噻吩-2,5-二酮(thienothiophene-2,5-dione)单元的聚合物记载于WO2012/146506，包含基于异靛蓝(Isoindigo-based)的单元的聚合物记载于WO2009/053291。
例如，基于吡咯并吡咯的材料及其合成记载于WO2005/049695、WO2008/000664、WO2010/049321、WO2010/049323、WO2010/108873、WO2010/136352、WO2010/136353、WO2012/041849、WO2012/175530、WO2013/083506、WO2013/083507及WO2013/150005。
适合半导体材料的基于吡咯并吡咯(DPP)的聚合物的摘要也在ChristianB.Nielsen,Mathieu Turbiez and lain McCulloch,Advanced Materials 2013,25,1859to1880提出。
优选为，有机半导体材料为一种以上的基于吡咯并吡咯的材料(diketopyrrolopyrrole-based material)。
优选为，基于吡咯并吡咯的材料为i)基于吡咯并吡咯的聚合物(diketopyrrolopyrrole-based polymer)，包含以下化学式(7)的单元：
Figure BDA0002623125820000311
在所述化学式(7)中，R30在各个情况下为C1-30-烷基(alkyl)、C2-30-烯基(alkenyl)或者C2-30-炔基(alkynyl)；所述C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基可被一个以上的-Si(Rb)3或者-OSi(Rb)3取代，或者C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基的一个以上的CH2基可被-Si(Rb)2-或者-[Si(Rb)2-O]a-Si(Rb)2-取代；
所述Rb在各个情况下为C1-10-烷基，a为1至20的整数，o及m独立并且是0或者1；
Ar1及Ar2独立，并且是亚芳基(arylene)或者杂亚芳基(heteroarylene)；所述亚芳基及杂亚芳基可被一个以上的C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基(aryl)或者杂芳基(heteroaryl)取代；在此，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基及杂芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基(phenyl)取代；
L1及L2独立，并且从由
Figure BDA0002623125820000321
Figure BDA0002623125820000322
Figure BDA0002623125820000323
及
Figure BDA0002623125820000331
组成的群组中选择；
Ar3在各个情况下为亚芳基或者杂亚芳基；所述亚芳基及杂亚芳基可被一个以上的C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基或者杂芳基取代；在此，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基及杂芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；所述相邻的Ar3可通过CRcRc、SiRcRc或者GeRcRc链接剂连接；所述Rc在各个情况下为H、C1-30-烷基或者芳基；在此，C1-30-烷基及芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；
P在各个情况下为1至8的整数；
Ar4在各个情况下为芳基或者杂芳基；所述芳基及杂芳基可被一个以上的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基或者苯基取代；在此，苯基可被C1-20-烷基或者O-C1-20-烷基取代。
另外，优选为，基于吡咯并吡咯的材料为ii)以下化学式(8)的基于吡咯并吡咯的小分子(diketopyrrolopyrrole-based small molecule)或者以下化学式(9)的基于吡咯并吡咯的小分子：
Figure BDA0002623125820000332
在所述化学式(8)及化学式(9)中，R31在各个情况下为C1-30-烷基、C2-30-烯基或者C2-30-炔基；所述C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基可被一个以上的-Si(Rd)3或者-OSi(Rd)3取代，或者C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基的一个以上的CH2基可被-Si(Rd)2-或者-[Si(Rd)2-O]a-Si(Rd)2-取代；
所述Rd在各个情况下为C1-10-烷基，a为1至20的整数；
R32为H、CN、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、O-C1-20-烷基、芳基或者杂芳基；在此，C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、O-C1-20-烷基、芳基及杂芳基可被一个以上的C1-6-烷基、O-C1-6-烷基或者苯基取代；
x及y独立，并且是0或者1；
Ar5及Ar6独立，并且是亚芳基或者杂亚芳基；所述亚芳基及杂亚芳基可被一个以上的C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基或者杂芳基取代；在此，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基及杂芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；
L3及L4独立，并且从由
Figure BDA0002623125820000341
Figure BDA0002623125820000342
Figure BDA0002623125820000343
及
Figure BDA0002623125820000344
组成的群组中选择；
Ar7在各个情况下为亚芳基或者杂亚芳基；所述亚芳基及杂亚芳基可被一个以上的C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基或者杂芳基取代；在此，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基及杂芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；所述相邻的Ar7可通过CReRe、SiReRe或者GeReRe链接剂连接；所述Re在各个情况下为H、C1-30-烷基或者芳基；在此，C1-30-烷基及芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；
q在各个情况下为1至8的整数；
Ar8在各个情况下为芳基或者杂芳基；所述芳基及杂芳基可被一个以上的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基或者苯基取代；在此，苯基可被C1-20-烷基或者O-C1-20-烷基取代。
举一示例，线性C6-14-烷基为正己基(n-hexyl)、正庚基(n-heptyl)、正辛基(n-octyl)、正壬基(n-nonyl)、正癸基(n-decyl)、正十一烷基(n-undecyl)、正十二烷基(n-dodecyl)、正十一烷基(n-undecyl)、正十二烷基(n-dodecyl)、正十三烷基(n-tridecyl)及正十四烷基(n-tetradecyl)。
举一示例，线性C2-12-烷基为乙基(ethyl)、正丙基(n-propyl)、异丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、正戊基(n-pentyl)、正己基(n-hexyl)、正庚基(n-heptyl)、正辛基(n-octyl)、正壬基(n-nonyl)、正癸基(n-decyl)、正十一烷基(n-undecyl)及正十二烷基(n-dodecyl)。
C2-30-烯基可以是支链型或者非支链型。举一示例，C2-30-烯基为乙烯基(vinyl)、丙烯基(propenyl)、顺式-2-丁烯基(cis-2-butenyl)、反式-2-丁烯基(trans-2-butenyl)、3-丁烯基(3-butenyl)、顺式-2-戊烯基(cis-2-pentenyl)、反式-2-戊烯基(trans-2-pentenyl)、顺式-3-戊烯基(cis-3-pentenyl)、反式-3-戊烯基(trans-3-pentenyl)、4-戊烯基(4-pentenyl)、2-甲基-3-丁烯基(2-methyl-3-butenyl)、己烯基(hexenyl)、庚烯基(heptenyl)、辛烯基(octenyl)、壬烯基(nonenyl)、癸烯基(docenyl)、亚油烯基(linoleyl)(C18)、亚麻烯基(linolenyl)(C18)、油烯基(oleyl)(C18)及生四烯基(arachidonyl)(C20)和芥烯基(erucyl)(C22)。
C2-30-炔基可以是支链型或者非支链型。举一示例，C2-30-炔基为乙炔基(ethynyl)、2-丙炔基(2-propynyl)、2-丁炔基(2-butynyl)、3-丁炔基(3-butynyl)、戊炔基(pentynyl)、己炔基(hexynyl)、庚炔基(heptynyl)、辛炔基(octynyl)、壬炔基(nonynyl)、癸炔基(decynyl)、十一癸炔基(undecynyl)、十二癸炔基(dodecynyl)、十一癸炔基(undecynyl)、十二癸炔基(dodecynyl)、十三癸炔基(tridecynyl)、十四癸炔基(tetradecynyl)、十五癸炔基(pentadecynyl)、十六癸炔基(hexadecynyl)、十七癸炔基(heptadecynyl)、十八癸炔基(octadecynyl)、十九癸炔基(nonadecynyl)及二十炔基(icosynyl)(C20)。
亚芳基为由一个芳香环或者2至8个稠和芳香环构成的二价芳香环体系；在此，所有环的形成来自于碳原子。优选为，亚芳基为由一个芳香环或者2至4个稠和芳香环构成的二价芳香环体系；在此，所有环的形成来自于碳原子。
举一示例，亚芳基为
Figure BDA0002623125820000361
Figure BDA0002623125820000362
Figure BDA0002623125820000371
Figure BDA0002623125820000372
及
Figure BDA0002623125820000373
杂亚芳基为由一个芳香环或者2至8稠和芳香环构成的二价芳香环体系；在此，一个以上的芳香环包含从由S、O、N及Se组成的群组中选择的一个以上的杂原子。
优选为，杂亚芳基为由一个芳香环或者2至4个稠和芳香环构成的二价芳香环题词；在此，一个以上的芳香环包含从由S、O、N及Se构成的群组中选择的一个以上的杂原子。
举一示例，杂亚芳基为
Figure BDA0002623125820000374
Figure BDA0002623125820000375
Figure BDA0002623125820000381
Figure BDA0002623125820000382
及
Figure BDA0002623125820000383
所述Rk为H、C1-20-烷基、芳基或者杂芳基；在此，C1-20-烷基、芳基及杂芳基可被一个以上的C1-6-烷基、O-C1-6-烷基或者苯基取代。
举一示例，通过CRcRc、SiRcRc或者GeRcRc链接剂连接的相邻的Ar3为
Figure BDA0002623125820000391
Figure BDA0002623125820000392
及
Figure BDA0002623125820000393
所述Rc在各个情况下为H、C1-30-烷基或者芳基；在此，C1-30-烷基及芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；b在各个情况下为1至8的整数。
举一示例，通过CReRe、SiReRe或者GeReRe链接剂连接的相邻的Ar7为
Figure BDA0002623125820000394
Figure BDA0002623125820000395
及
Figure BDA0002623125820000401
所述Re在各个情况下为H、C1-30-烷基或者芳基；在此，C1-30-烷基及芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；c在各个情况下为1至8的整数。
芳基为由一个芳香环或者2至8个稠和芳香环构成的一价芳香环体系；在此，所有环的形成来自于碳原子。优选为，芳基为由一个芳香环或者2至4个稠和芳香环构成的一价芳香环体系；在此，所有环的形成来自于碳原子。
举一示例，芳基为
Figure BDA0002623125820000402
Figure BDA0002623125820000403
Figure BDA0002623125820000411
Figure BDA0002623125820000412
及
Figure BDA0002623125820000413
杂芳基为由一个芳香环或者2至8个稠和芳香环构成的一价芳香环体系；在此，一个以上的芳香环包含从由S、O、N及Se构成的群组中选择的一个以上的杂原子。优选为，杂亚芳基为由一个芳香环或者2至4个稠和芳香环构成的一价芳香环体系；在此，一个以上的芳香环包含从由S、O、N及Se构成的群组中选择的一个以上的杂原子。
举一示例，杂芳基
Figure BDA0002623125820000414
Figure BDA0002623125820000415
Figure BDA0002623125820000421
Figure BDA0002623125820000431
及
Figure BDA0002623125820000432
所述Rm为H、C1-20-烷基、芳基或者杂芳基；在此，C1-20-烷基、芳基及杂芳基可被一个以上的C1-6-烷基、O-C1-6-烷基或者苯基取代。
举一示例，L1、L2、L3及L4为
Figure BDA0002623125820000433
Figure BDA0002623125820000434
Figure BDA0002623125820000441
Figure BDA0002623125820000451
Figure BDA0002623125820000452
及
Figure BDA0002623125820000453
更加优选为，基于吡咯并吡咯的材料与上述定义的相同，是包含化学式(7)的单元的基于吡咯并吡咯的聚合物。
包含化学式(7)的单位的基于吡咯并吡咯的聚合物可包含其他共轭单元(conjugated unit)。包含化学式(7)的单位的基于吡咯并吡咯的聚合物可以是均聚物或者共聚物。共聚物可以是随机或者嵌段。
优选为，基于吡咯并吡咯的聚合物以聚合物的重量为基准包含化学式(7)的单元在50重量％以上，更加优选为在70重量％以上，更进一步优选为以聚合物的重量为基准包含化学式(7)的单位在90重量％以上。最优选为，基于吡咯并吡咯的聚合物必须由化学式(7)的单位构成。必须由化学式(7)的单位构成的基于吡咯并吡咯的聚合物可以是均聚物或者共聚物。
更加优选为，基于吡咯并吡咯的材料必须为由以下化学式(7)的单元构成的基于吡咯并吡咯的聚合物：
Figure BDA0002623125820000461
在所述化学式(7)中，R30为C6-30-烷基；
o及m全部不是0的情况下，o及m独立，并且是0或者1；
Ar1及Ar2独立，并且是
Figure BDA0002623125820000462
或者
Figure BDA0002623125820000463
L1及L2独立，并且是从由
Figure BDA0002623125820000464
Figure BDA0002623125820000465
Figure BDA0002623125820000471
Figure BDA0002623125820000472
及
Figure BDA0002623125820000473
组成的群组中选择；
Ar3在各个情况下为亚芳基或者杂亚芳基；所述亚芳基及杂亚芳基可被一个以上的C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基或者杂芳基取代；在此，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基及杂芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；所述相邻的Ar3可通过CRcRc、SiRcRc或者GeRcRc链接剂连接；所述Rc在各个情况下为H、C1-30-烷基或者芳基；在此，C1-30-烷基及芳基可被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；
P在各个情况下为1至8的整数；
Ar4在各个情况下为芳基或者杂芳基；所述芳基及杂芳基可被一个以上的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基或者苯基取代；在此，苯基可被C1-20-烷基或者O-C1-20-烷基取代。
最优选为，基于吡咯并吡咯的材料必须是由以下化学式(7)的单元构成的基于吡咯并吡咯的聚合物：
Figure BDA0002623125820000474
在所述化学式(7)中，R30为
Figure BDA0002623125820000481
Rf为线性C6-14-烷基；
Rg为线性C2-12-烷基；
在o及m全部不是0的情况下，o及m独立，并且是0或者1；
Ar1及Ar2为
Figure BDA0002623125820000482
L1及L2独立，并且从由
Figure BDA0002623125820000483
及
Figure BDA0002623125820000484
组成的群组中选择；
Rh及Ri独立，并且是C6-30-烷基；
r及s独立，并且是0或者1。
尤其是，基于吡咯并吡咯的材料必须是由以下化学式(7a)的单元及/或者以下化学式(7b)的单元构成的基于吡咯并吡咯的聚合物：
Figure BDA0002623125820000485
Figure BDA0002623125820000491
包含有机半导体材料的组合物还可包含溶剂。溶剂可以是任意合适的溶剂或者溶剂混合物。优选为，溶剂为非极性非质子溶剂(nonpolar aprotic solvent)或者非极性非质子溶剂的混合物。举一示例，非极性非质子溶剂为甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)及均三甲苯(mesitylene)。
优选为，包含有机半导体材料的组合物还包含溶剂；以组合物的重量为基准包含0.01至10重量％的有机半导体材料。更加优选为，包含有机半导体材料的组合物为溶液，并且以组合物为基准包含0.1至5重量％的有机半导体材料。
用于顶栅底接触有机场效应晶体管的基板可以是诸如玻璃的任意合适的基板，或者诸如聚醚砜(polyethersulfone)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚砜(polysulfone)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)的塑料基板。
源极和漏极可通过诸如溅射(sputtering)的任意合适的技术涂布于基板；举一示例，可通过平版印刷术(lithography)进行图案化。源极和漏极可用任意合适的材料制造。举一示例，合适的材料为金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)或者铜(Cu)及包含这些金属中的一种以上的金属的合金。源极和漏极可具有1至100nm的厚度，优选为20至70nm。
源极和漏极之间的距离(即，有机场效应晶体管的沟道长度L)通常在5至100μm的范围内。
包含有机半导体材料的组合物通过该领域中公知的任意合适的技术可涂布于源/漏极的上部。优选为，包含有机半导体层的组合物通过液体处理技术进行涂布，所述液体处理技术如下：旋转涂布(spin coating)、刮刀涂布(blading)、狭缝式涂布(slot-diecoating)、滴液涂布(drop-coating)、喷射涂布(spray-coating)、喷墨涂布(ink-jetting)或者将电子装置的基板浸渍(soaking)于组合物。优选为，通过旋转涂布来涂布包含半导体层组合物。
对于半导体层，可在40至120℃的温度下被热处理，优选在70至100℃的温度下。
半导体层可具有5至500nm的厚度，优选为10至100nm。
对于包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物通过该技术领域公知的技术可涂布于半导体层上部。优选为，包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物通过液体处理技术进行涂布，所述液体处理技术如下：旋转涂布(spin coating)、刮刀涂布(blading)、狭缝式涂布(slot-die coating)、喷墨涂布(ink-jetting)或者将电子装置的基板浸渍(soaking)于组合物。优选为，通过旋转涂布来涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物。
第一介电层可在40至120℃的温度下被热处理，优选温度为70至100℃。
第一介电层可具有10至2000nm的厚度，优选为50至1000nm，更加优选为100至500nm。
通过使用掩膜(mask)的光处理(light treatment)可固化第一介电层的一部分。
优选为，光处理以5至300mJ/cm2的低剂量(low dosage)进行，更加优选为20至150mJ/cm2，最优选为50至100mJ/cm2。优选为，光处理在大气条件(under ambientconditions)下进行。大气条件是指空气、湿度及温度。优选为，光处理为UV光处理，更加优选为，在365nm的波长下的UV光处理。
第一介电层的未固化的部分用诸如丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)的合适的溶剂处理，从而被去除，这可通过湿式蚀刻(wet-etching)执行。
溶剂处理之后，对顶栅有机场效应晶体管的前体吹入(blowing)氮气，在高温(例如，70至100℃范围内的温度)下进行加热，进而可干燥顶栅有机场效应晶体管的前体。
对于未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分使用诸如氧气等离子处理(oxygen plasma treatment)(100sccm、40W、2分钟)来进行蚀刻，从而可被去除。
有机场效应晶体管的沟道长度L通常在3至2000μm，优选在3至20μm的范围以内。
有机场效应晶体管的宽度W/长度L比例通常为3/1至10/1。
选择性地，将包含第二介电材料的组合物涂布于第一介电层的上部，可形成第二介电层。可通过在该技术领域公知的技术涂布包含第二介电层的组合物。优选为，包含第二介电材料的组合物通过液体处理技术进行涂布，所述液体处理技术如下：旋转涂布(spincoating)、刮刀涂布(blading)、狭缝式涂布(slot-diecoating)、喷射涂布(spray-coating)、喷墨涂布(ink-jetting)或者将电子装置的基板浸渍(soaking)于组合物。优选为，通过旋转涂布来涂布包含第二介电材料的组合物。
第二介电层可在40至120℃的温度下被热处理，优选为70至100℃。
第二介电层可具有10至2000nm的厚度，优选为50至1000nm，更加优选为100至500nm。
第二介电材料可以是在该技术领域公知的任意的介电材料或者这些混合物。介电材料可以是聚苯乙烯(PS)及聚苯乙烯衍生聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚(4-乙基苯酚)(PVP)、聚(乙烯醇)(PVA)、苯并环丁烯(BCB)或者聚酰亚胺(PI)，或者如上述定义的星形聚合物。优选为，第二介电材料为聚苯乙烯、聚苯乙烯衍生聚合物或者如上述定义的星形聚合物。更加优选为，第二介电材料为如上述定义的星形聚合物。在第二介电材料为如上述定义的星形聚合物的情况下，包含第二介电材料的组合物优选还包含第二交联剂及溶剂，所述第二交联剂具有至少具有两个叠氮基团的交联剂。针对包含至少具有两个叠氮基团的交联剂及第一介电材料的组合物的溶剂的上述定义也可适用于包含至少具有两个叠氮基团的第二交联剂及第二介电材料的组合物的溶剂。
如果，在由包含第二介电材料及至少具有两个叠氮基团的第二交联剂的组合物形成第二介电层的情况下，也可通过光处理(light treatment)固化第二介电层。
优选为，第二介电层的光处理以5至300mJ/cm2的低剂量(low dosage)进行，更优选为20至150mJ/cm2、最优选为50至100mJ/cm2。优选为，光处理在大气条件下进行。大气条件通常是指空气、湿度及温度条件。优选为，光处理为UV光处理，更加优选为在365nm的波长下的UV光处理。
栅极可涂布于第一介电层上部或者第二介电层上部，涂布可通过诸如使用掩膜的沉积(evaporation using a mask)执行。栅极可用诸如高浓度参杂的硅、铝(Al)、钨(W)、铟锡氧化物(indium tin oxide)或者金(Au)的任意合适的栅极材料或者包含这些金属中的一种以上的合金制造。栅极可具有1至200nm的厚度，优选为5至100nm。
在第二介电层形成在第一介电层上部的实施例中，通过光处理固化第一介电层的一部分的步骤是固化的第一介电层覆盖源极和漏极之间的通道(path)，并且能够以选择性地部分或者完全覆盖源极和漏极的方式进行。更加优选为，固化的第一介电层覆盖源极和漏极之间的通道，并且部分性地覆盖源极和漏极。固化的第一介电层也执行用于将半导体层图案化的“抗蚀剂”的功能，因此固化的第一介电层及半导体层覆盖源极和漏极之间的通道，而且也选择性地部分或者完全覆盖源极和漏极。更加优选为，固化的第一介电层及半导体层覆盖源极和漏极之间的通道，并且部分性地覆盖源极和漏极。
在第二介电层形成在固化的第一介电层上部的实施例中，优选为，包含所述第二介电材料的组合物以第一介电层及半导体层嵌入(embed)第二介电层的方式涂布于固化的第一介电层上部。
另外，本发明提供在基板上的顶栅底接触有机场效应晶体管，作为基板上的顶栅底接触有机场效应晶体管，有机场效应晶体管包括：源极和漏极、半导体层、固化的第一介电层、第二介电层及栅极；
i)固化的第一介电层及半导体层覆盖源极和漏极之间的通道，并且选择性地部分或者完全覆盖源极和漏极；
ⅱ)固化的第一介电层及半导体层嵌入于第二介电层。
优选为，在基板上的顶栅底接触有机场效应晶体管的固化的第一介电层如下获得：
i)为了形成第一介电层，涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团(azidegroup)的交联剂的组合物；
ⅱ)为了形成固化的第一介电层，通过光处理(light treatment)固化第一介电层的一部分；
第一介电材料包含由至少一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B构成的星形聚合物(star-shaped polymer)；所述各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A，所述聚合物嵌段B的重复单元(repeat units)的60mol％以上从由
Figure BDA0002623125820000521
Figure BDA0002623125820000522
及
Figure BDA0002623125820000523
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立，并且是H或者C1-10-烷基。
更加优选为，在基板上的顶栅底接触有机场效应晶体管的固化的第一介电层及半导体层覆盖源极和漏极之间的通道，并且部分性覆盖源极和漏极。
本发明的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法优点如下：在大气条件下用低剂量UV光处理也可制造具有高残膜比(film retention)的固化的第一介电层。大气条件是指大气空气、湿度及温度条件。据此，第一介电层不需要为了在低剂量UV放射线(low-dosage UV radiation)中下固化的惰性气体环境(inert gas atmosphere)。
固化的第一介电层的残膜比是指d2/d1的比率；在此，d1是清洗(显影，development)前固化的介电层的厚度，d2是清洗(显影，development)后固化的介电层的厚度。
固化的第一介电层在溶剂溶解(solvent dissolution)中非常稳定。据此，不会溶解固化的第一介电层，而是涂布下一层(next layer)，例如电极材料层(electrodematerial layer)或者其他介电层。
根据使用至少具有两个叠氮基团(azide group)的交联剂可使用365nm的波长下的UV光处理。
本发明的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法的优点如下：
半导体层和第一介电层在大气条件下使用低剂量UV光处理被一同图案化，因此可提供改善性能的晶体管。顶栅有机场效应晶体管表现出诸如高载流子迁移率(high chargecarrier mobility)、低栅极漏电流(low gate leakage current)及/或者高Ion/Ioff比的改善的性能，。
通过溶液处理技术(solution processing techniques)可由包含有机半导体材料的组合物形成半导体层，而第一介电层也通过溶液处理技术可由包含至少具有两个叠氮基团的交联剂及第一介电层的组合物形成。据此，本发明的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法适合大规模生产在柔性基版上晶体管。
本发明在基板上的顶栅底接触有机场效应晶体管具有体现低栅极漏电流(lowgate leakage current)的优点。
(实施例)
实施例1：使用笨乙烯及丁二烯的质量比为90：10的一个基于笨乙烯的内嵌段(styrene-based inner block)及两个基于丁二烯的外嵌段(butadiene-based outerblock)，制造了在聚丁二烯嵌段中以丁二烯的总含量(total amount of butadiene)为基准在聚丁二烯嵌段中具有73％的丁二烯的1,2-添加含量(amount of 1,2-addition ofbutadiene)的三嵌段聚合物，即星形聚合物；
在安装有横杆搅拌器的10L不锈钢反应器中，加热4872ml(3800g)的环己烷(cyclohexane)、256ml(200g)的THF及1g的1,1-二苯基乙烯(DPE)至30℃，之后用s-BuLi(1.4M in cyclohexane，环己烷)滴定直到出现稳定的橙红色(stable orange-red color)(ca.1.8ml)。然后，将7.14ml的s-BuLi(1.4M in cyclohexane)添加于反应混合物，之后立即进行搅拌并添加76ml(50g)的丁二烯(butadiene)。通过反应器夹套温度(reactorjacket temperature)将温度保持在60℃，20分钟之后，通过夹套冷却计时器将温度保持在50℃，同时慢慢添加990ml(900g)的笨乙烯(styrene)。25分钟之后，再添加76ml(50g)的丁二烯。20分钟之后，再添加1.15mL的异丙醇(isopropanol)并搅拌10分钟。将无色溶液转移到2个5升的罐(canister)中，为了酸化与25ml的水及50g的干冰一同摇晃。
后处理(Workup)
将酸化的混合物(固体粉末20％)沉淀于乙醇(1Ofold volume containing 0.1％Kerobit TBK with respect to polymer)，之后在Büchi漏斗(Büchi funnel)中用5L的乙醇清洗3次、1L的蒸馏水清洗3次。最后，将白色粉末(white powder)用2.5L的乙醇清洗2次，250mL的乙醇清洗4次，之后在真空下以50℃的温度干燥24小时。得到的白色粉末的三嵌段聚合物P1的特征如下：Mn＝220000g/mol、Mw＝330000g/mol(用聚苯乙烯标准品的凝胶渗透色谱(gel-permeation chromatography with polystyrene standards)测量)。在PDI1.5.聚丁二烯嵌段中，以丁二烯的总含量为基准聚丁二烯嵌段中丁二烯的1,2-添加含量＝73％(用1H-NMR测量)。
实施例2：制造组合物A及B
组合物A为在丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及环戊酮(CP)(70/30)的混合物中8重量％的由实施例1制造的P1(第一介电层)及以P1的重量为基准的4重量％的2,7-bis[2-(4-azido-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)ethynyl]-9-heptyl-9-hexyl-fluorene(2,7-双[2-(4-叠氮基-2,3,5,6-四氟苯基)乙炔基]-9-庚基-9-己基芴)的溶液(至少具有两个叠氮基团的交联剂)。混合P1、交联剂及溶剂制造了组合物A。
组合物B是在甲苯中作为有机半导体材料的WO2010/049321的实施例4的吡咯并吡咯聚合物0.75重量％的溶液。对于组合物B通过0.45微米的聚四氟乙烯(PTFE)进行过滤。
实施例3：制造包含组合物A及组合物B的顶栅底接触有机场效应晶体管
在聚对苯二甲酸乙二醇酯基板(PET)上溅射金，并且利用平版印刷术(lithography)进行图案化。得到的源极和漏极的厚度约50nm。沟道长度为10μm、沟道宽度为250。通过旋转涂布(1000rpm，30秒)将在实施例2中制造的组合物B涂布于源极和漏极，在90℃的热板(hot plate)上干燥1分钟，形成了厚度为50nm的半导体层。通过旋转涂布(8000rpm，30秒)将在实施例2中制造的组合物A涂布于半导体层，之后在80℃的热板上干燥2分钟，形成了厚度为180nm的第一介电层。在第一介电层的上部对齐光刻掩膜(lithographic photomask)，在大气条件下使用365nm的光(radiation dosage 20mJ/cm2,Suss Mask aligner MA6；辐射剂量20mJ/cm2、Suss掩模对准器MA6)固化第一介电层的暴露的部分。将固化的第一介电层在丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)浸渍1分钟，之后吹入氮气，在90℃下加热15分钟进行了显影(development)。通过氧气等离子处理(oxygen plasmatreatment)蚀刻了未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分(100sccm，40W，2分钟)。通过旋转涂布(1500rpm,30秒)涂布实施例2中制造的组合物A来形成第二介电膜，之后在80℃的热板上干燥2分钟形成了厚度为500nm的第二介电层。对于第二介电层，在大气条件下使用365nm的光(radiation dosage 20mJ/cm2,Suss Mask aligner MA6；辐射剂量20mJ/cm2、Suss掩模对准器MA6)进行固化。通过荫罩(shadow mask)将厚度大致在50nm的金栅极沉积在介电层的上部。
对于下栅顶接触有机场效应晶体管的特性用Keithley 4200-SCS半导体特性系统进行了检测。在图4a针对在-3V及-30V各个的源电压Vds下有机场效应晶体管的栅极电压Vgs(transfer curve)示出漏电流Ids的曲线图。在图4b是针对在0V、-10V、-20V及-30V的栅极电压Vgs下有机场效应晶体管的漏电压Vds(output curve)示出漏电流Ids的曲线图。
在表1示出了针对有机场效应晶体管(OFET)的电荷载流子迁移率(chargecarrier mobility)μ、Ion/Ioff比(Vgs＝-30V)、起始电压(onset voltage)Von、栅极漏电流(low gate leakage current)Ig[@Vgs＝-30V，Vds＝-30V]的平均值(average values)。
(表1)
实施例3的OFET的特性
Figure BDA0002623125820000551
在所述表1中可以确认到实施例3的OFET表现出非常低栅极漏电流Ig。
实施例4：评估辐射对从由组合物A形成的层形成的固化的第一介电层的残留造成的影响
通过1微米过滤器过滤在实施例2中制造的组合物A，之后通过旋转涂布(1800rpm，30秒)涂布于二氧化硅基板上。将湿式介电层(wet dielectric layer)在90℃的热板上预烘烤2分钟，获取的厚度为400nm的层。对于介电层在大气条件下使用365nm的光(dosage20mJ/cm2)进行了UV固化。在显影(development)介电层的丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及环戊酮(CP)(70/30)的混合物将介电层浸渍1分钟，之后在90℃下加热5分钟。对于介电层的厚度，使用Veeco Dektak 150测量了显影前固化的介电层的厚度d1，以及测量清洗之后固化的介电层的厚度d2，获得了薄膜残膜比(film retention ratio)(d2/d1)。测量薄膜残膜比(d2/d1)并显示于表2。
(表2)
Figure BDA0002623125820000552
从所述表2中可以确认到由组合物A形成并固化的介电层体现出高薄膜保持力(film retention)。

Claims (17)

1.一种在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，所述有机场效应晶体管包括：源极、漏极、半导体层、固化的第一介电层及栅极；所述方法包括：
i)步骤，涂布包含有机半导体材料的组合物以形成半导体层；
ⅱ)步骤，涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物以形成第一介电层；
ⅲ)步骤，通过光处理固化第一介电层的一部分；
ⅳ)步骤，去除第一介电层的未固化的部分；及
ⅴ)步骤，去除未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分；
其中，所述第一介电材料包含由至少一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B构成的星形聚合物，所述各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A；所述聚合物嵌段B的重复单元的60mol％以上从由
Figure FDA0002623125810000011
Figure FDA0002623125810000012
Figure FDA0002623125810000021
及
Figure FDA0002623125810000022
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立，并且是H或者C1-10-烷基。
2.根据权利要求1所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述聚合物嵌段B的单体单元的80mol％以上从由
Figure FDA0002623125810000023
Figure FDA0002623125810000024
及
Figure FDA0002623125810000025
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5及R6为H。
3.根据权利要求1或2所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述聚合物嵌段A的单体单元的80mol％以上从由
Figure FDA0002623125810000031
Figure FDA0002623125810000032
及
Figure FDA0002623125810000033
组成的群组中选择；
所述R20、R21、R22、R23、R24、R25及R26分别独立，并且从由H、C6-14-芳基、5至14元杂芳基及C1-30-烷基组成的群组中选择；
所述Ra为C(O)OH、C(O)OC1-30-烷基、C(O)-H、C(O)C6-14-芳基、C(O)N(C1-30-烷基)2、C(O)N(C6-14-芳基)2、C(O)N(C1-30-烷基)(C6-14-芳基)、C(O)-C6-14-芳基、C(O)-C1-30-烷基、O-C6-14-芳基、O-C1-30-烷基、OC(O)C1-30-烷基、OC(O)C6-14-芳基或者CN；
所述C6-14-芳基及5至14元杂芳基被一个以上的取代基取代，所述取代基从由C1-10-烷基、C(O)OH、C(O)OC1-10-烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10-烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10-烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10-烷基、OH、O-苯基、O-C1-10-烷基、OC(O)C1-10-烷基、OC(O)-苯基、CN及NO2组成的群组中选择；
所述C1-30-烷基被一个以上的取代基取代，所述取代基从由苯基、C(O)OH、C(O)OC1-10-烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10-烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10-烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10-烷基、O-苯基、O-C1-10-烷基、OC(O)C1-10-烷基、OC(O)-苯基、Si(C1-10-烷基)3、Si(苯基)3、CN及NO2组成的群组中选择；
n为1至3的整数；
L20为C1-10-亚烃基、C2-10-亚烯基、C2-10-亚炔基、C6-14-亚芳基或者S(O)。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述聚合物嵌段A的单体单元的90mol％以上是从由
Figure FDA0002623125810000041
及
Figure FDA0002623125810000042
组成的群组中选择的单体单元；
所述R20及R21独立，并且从由H或者C6-14-芳基组成的群组中选择；
所述C6-14-芳基被一个以上的C1-10-烷基取代；
L20为C6-14-亚芳基。
5.根据权利要求1所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述星形聚合物为由一个聚合物嵌段A及两个聚合物嵌段B构成的三嵌段聚合物，所述各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A，所述聚合物嵌段B的单体单元的60mol％以上从由
Figure FDA0002623125810000043
Figure FDA0002623125810000051
Figure FDA0002623125810000052
及
Figure FDA0002623125810000053
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立，并且是H或者C1-10-烷基；
但是，存在单体单元(1A)及(1B)中的一个以上；[单体单元(1A)及(1B)的分子(mols)]/[单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子(mols)]的比率在30％以上。
6.根据权利要求5所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述三嵌段聚合物的聚合物嵌段B的单体单元的80mol％以上从由
Figure FDA0002623125810000061
及
Figure FDA0002623125810000062
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5及R6为H；
但是，存在单体单元(1A)及(1B)中的一个以上，[单体单元(1A)及(1B)的分子(mols)]/[单体单元(1A)、(1B)、(1C)及(1D)的分子(mols)]的比率在70％以上。
7.根据权利要求5或6所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述三嵌段聚合物的聚合物嵌段A的单体单元的80mol％以上从由
Figure FDA0002623125810000063
Figure FDA0002623125810000071
及
Figure FDA0002623125810000072
组成的群组中选择；
所述R20、R21、R22、R23、R24、R25及R26分别独立，并且从由H、C6-14-芳基、5至14元杂芳基及C1-30-烷基组成的群组中选择；
所述Ra为C(O)OH、C(O)OC1-30-烷基、C(O)-H、C(O)C6-14-芳基、C(O)N(C1-30-烷基)2、C(O)N(C6-14-芳基)2、C(O)N(C1-30-烷基)(C6-14-芳基)、C(O)-C6-14-芳基、C(O)-C1-30-烷基、O-C6-14-芳基、O-C1-30-烷基、OC(O)C1-30-烷基、OC(O)C6-14-芳基或者CN；
所述C6-14-芳基及5至14元杂芳基被一个以上的取代基取代，所述取代基从由C1-10-烷基、C(O)OH、C(O)OC1-10-烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10-烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10-烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10-烷基、OH、O-苯基、O-C1-10-烷基、OC(O)C1-10-烷基、OC(O)-苯基、CN及NO2组成的群组中选择；
所述C1-30-烷基被一个以上的取代基取代，所述取代基从由苯基、C(O)OH、C(O)OC1-10-烷基、C(O)苯基、C(O)N(C1-10-烷基)2、C(O)N(苯基)2、C(O)N(C1-10-烷基)(苯基)、C(O)-苯基、C(O)-C1-10-烷基、O-苯基、O-C1-10-烷基、OC(O)C1-10-烷基、OC(O)-苯基、Si(C1-10-烷基)3、Si(苯基)3、CN及NO2组成的群组中选择；
n为1至3的整数。
8.根据权利要求7所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述三嵌段聚合物的聚合物嵌段A的单体单元的80mol％以上是从由
Figure FDA0002623125810000081
组成的群组中选择的单体单元；
所述R20及R21分别独立，并且从由H及C6-14-芳基组成的群组中选择；
所述C6-14-芳基被一个以上的C1-10-烷基取代。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述聚合物嵌段A/总聚合物嵌段B的重量比在60/40至96/4。
10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
在用凝胶渗透色谱测量星形聚合物时，所述星形聚合物具有60000g/mol以上的数均分子量Mn以及70000g/mol以上的重均分子量Mw。
11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述至少具有两个叠氮基团的交联剂为具有两个叠氮基团的交联剂，并且是以下化学式(2)：
Figure FDA0002623125810000082
在所述化学式(2)中，a为0或者1；
R50分别从由H、卤素、SO3M及C1-20-烷基组成的群组中选择，所述C1-20-烷基被一个以上的卤素取代；
所述M为H、Na、K或者Li；
L50为连接基。
12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述有机半导体材料为至少一种以上的基于吡咯并吡咯的材料，所述基于吡咯并吡咯的材料为i)包含以下化学式(7)的单元的基于吡咯并吡咯的聚合物，或者ii)以下化学式(8)的基于吡咯并吡咯的小分子或者以下化学式(9)的基于吡咯并吡咯的小分子：
Figure FDA0002623125810000091
在所述化学式(7)中，R30在各个情况下为C1-30-烷基、C2-30-烯基或者C2-30-炔基；所述C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基被一个以上的-Si(Rb)3或者-OSi(Rb)3取代，或者C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基的一个以上的CH2基被-Si(Rb)2-或者-[Si(Rb)2-O]a-Si(Rb)2-取代；
所述Rb在各个情况下为C1-10-烷基，a为1至20的整数，o及m独立并且是0或者1；
Ar1及Ar2独立，并且是亚芳基或者杂亚芳基；所述亚芳基及杂亚芳基被一个以上的C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基或者杂芳基取代；在此，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基及杂芳基被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；
L1及L2独立，并且从由
Figure FDA0002623125810000092
Figure FDA0002623125810000093
Figure FDA0002623125810000101
Figure FDA0002623125810000102
及
Figure FDA0002623125810000103
组成的群组中选择；
Ar3在各个情况下为亚芳基或者杂亚芳基；所述亚芳基及杂亚芳基被一个以上的C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基或者杂芳基取代；在此，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基及杂芳基被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；所述相邻的Ar3通过CRcRc、SiRcRc或者GeRcRc链接剂连接；所述Rc在各个情况下为H、C1-30-烷基或者芳基；在此，C1-30-烷基及芳基被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；
P在各个情况下为1至8的整数；
Ar4在各个情况下为芳基或者杂芳基；所述芳基及杂芳基被一个以上的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基或者苯基取代；在此，苯基被C1-20-烷基或者O-C1-20-烷基取代；
Figure FDA0002623125810000104
在所述化学式(8)及化学式(9)中，R31在各个情况下为C1-30-烷基、C2-30-烯基或者C2-30-炔基；所述C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基被一个以上的-Si(Rd)3或者-OSi(Rd)3取代，或者C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基的一个以上的CH2基被-Si(Rd)2-或者-[Si(Rd)2-O]a-Si(Rd)2-取代；
所述Rd在各个情况下为C1-10-烷基，a为1至20的整数；
R32为H、CN、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、O-C1-20-烷基、芳基或者杂芳基；在此，C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、O-C1-20-烷基、芳基及杂芳基被一个以上的C1-6-烷基、O-C1-6-烷基或者苯基取代；
x及y独立，并且是0或者1；
Ar5及Ar6独立，并且是亚芳基或者杂亚芳基；所述亚芳基及杂亚芳基被一个以上的C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基或者杂芳基取代；在此，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基及杂芳基被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；
L3及L4独立，并且从由
Figure FDA0002623125810000111
Figure FDA0002623125810000112
Figure FDA0002623125810000113
及
Figure FDA0002623125810000121
组成的群组中选择；
Ar7在各个情况下为亚芳基或者杂亚芳基；所述亚芳基及杂亚芳基被一个以上的C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基或者杂芳基取代；在此，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基、芳基及杂芳基被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；所述相邻的Ar7可通过CReRe、SiReRe或者GeReRe链接剂连接；所述Re在各个情况下为H、C1-30-烷基或者芳基；在此，C1-30-烷基及芳基被一个以上的C1-20-烷基、O-C1-20-烷基或者苯基取代；
q在各个情况下为1至8的整数；
Ar8在各个情况下为芳基或者杂芳基；所述芳基及杂芳基被一个以上的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基或者苯基取代；在此，苯基被C1-20-烷基或者O-C1-20-烷基取代。
13.根据权利要求1至12中的任意一项所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，还包括：
ⅵ)步骤，将包含第二介电材料的组合物涂布于固化的第一介电层的上部，以形成第二介电层。
14.根据权利要求13所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
所述固化的第一介电层及半导体层覆盖源极和漏极之间的通道，并且选择性地部分或者完全覆盖源极和漏极。
15.根据权利要求13或14所述的在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，其特征在于，
包含所述第二介电材料的组合物以固化的第一介电层及半导体层嵌入于第二介电层的方式涂布于固化的第一介电层上部。
16.一种基板上的顶栅底接触有机场效应晶体管，顶栅底接触有机场效应晶体管包括：源极、漏极、半导体层、固化的第一介电层、第二介电层及栅极；
i)固化的第一介电层及半导体层覆盖源极和漏极之间的通道，并且选择性地部分或者完全覆盖源极和漏极；
ⅱ)固化的第一介电层及半导体层嵌入于第二介电层。
17.根据权利要求16所述的基板上的顶栅底接触有机场效应晶体管，其特征在于，
所述固化的第一介电层如下获得：
i)为了形成第一介电层，涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物；
ⅱ)为了形成固化的第一介电层，通过光处理固化第一介电层的一部分；
其中，第一介电材料包含由至少一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B构成的星形聚合物；所述各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A，所述聚合物嵌段B的重复单元的60mol％以上从由
Figure FDA0002623125810000131
Figure FDA0002623125810000132
Figure FDA0002623125810000133
及
Figure FDA0002623125810000134
组成的群组中选择；
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立，并且是H或者C1-10-烷基。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3697780B1 (en) 2017-10-19 2022-07-27 Clap Co., Ltd. New substituted benzonaphthathiophene compounds for organic electronics

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06313107A (ja) * 1993-05-06 1994-11-08 Tomoegawa Paper Co Ltd 感光性樹脂組成物
US20060223218A1 (en) * 2003-05-20 2006-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Field effect transistor arrangement and method of manufacturing a field effect transistor arrangement
JP2010034394A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機薄膜トランジスタ
WO2012059386A1 (en) * 2010-11-01 2012-05-10 Basf Se Polyimides as dielectric
WO2013072853A1 (en) * 2011-11-15 2013-05-23 Basf Se Organic semiconductor device and manufacturing method thereof
US20130200345A1 (en) * 2012-02-07 2013-08-08 Polyera Corporation Photocurable Polymeric Materials and Related Electronic Devices
WO2013119717A1 (en) * 2012-02-07 2013-08-15 Polyera Corporation Photocurable polymeric materials and related electronic devices
WO2015004563A1 (en) * 2013-07-08 2015-01-15 Basf Se Azide-based crosslinking agents
US20150364687A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Deepak Shukla Devices having dielectric layers with thiosulfate-containing polymers
WO2016046659A1 (en) * 2014-09-25 2016-03-31 Basf Se Ether-based polymers as photo-crosslinkable dielectrics
US20160254466A1 (en) * 2013-11-21 2016-09-01 Nikon Corporation Transistor manufacturing method and transistor
WO2017038944A1 (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機半導体組成物、有機半導体膜および有機半導体膜の製造方法
US20170192354A1 (en) * 2014-06-26 2017-07-06 Flexterra, Inc. Photopatternable compositions, patterned high k thin film dielectrics and related devices

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55145712A (en) 1979-05-01 1980-11-13 Agency Of Ind Science & Technol Novel high-molecular compound having phase transfer catalytic effect and preparation thereof
JPS6047284B2 (ja) 1982-05-10 1985-10-21 工業技術院長 新規高分子化合物の製造方法
US5070140A (en) 1989-12-22 1991-12-03 Basf Corporation Copolymers of vinyl acetate and allyl glycidyl ether capped C12 -C.sub.
JP2000267282A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP3989149B2 (ja) 1999-12-16 2007-10-10 富士フイルム株式会社 電子線またはｘ線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物
DE602004015103D1 (de) 2003-05-12 2008-08-28 Cambridge Entpr Ltd Herstellung einer polymeren vorrichtung
JP2005002325A (ja) 2003-05-19 2005-01-06 Canon Inc ポリマー、それを含有するポリマー含有組成物、インク組成物、該インク組成物を用いたインク付与方法および装置
JP2005072200A (ja) 2003-08-22 2005-03-17 Canon Inc 電界効果型有機トランジスタ
WO2005049695A1 (en) 2003-10-28 2005-06-02 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Novel diketopyrrolopyrrole polymers
JP4776892B2 (ja) 2003-10-31 2011-09-21 キヤノン株式会社 化合物、その高分子化合物、該高分子化合物を用いた組成物、記録材料、画像形成方法及び装置
EP1794822A2 (en) 2004-08-27 2007-06-13 E.I. Dupont De Nemours And Company Semiconductive percolating networks
CA2511354A1 (en) 2005-07-04 2007-01-04 National University Of Singapore Radiation crosslinkers
JP2007091977A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Canon Finetech Inc ポリビニルエーテル系ポリマーの重合方法及び該ポリビニルエーテル系ポリマーを用いたインクジェットプリンター用水性インク
JP2007099881A (ja) 2005-10-04 2007-04-19 Canon Finetech Inc 精密に重合の制御されたポリマーの効率的製造法
JP5410760B2 (ja) 2005-12-12 2014-02-05 チバ ホールディング インコーポレーテッド 半導体素子、化合物、半導体素子の半導体層及び薄膜トランジスタ素子を作製する方法
DE102005061997A1 (de) 2005-12-23 2007-07-05 Basf Ag Naphthalintetracarbonsäurederivate und deren Verwendung
EP1987092B1 (de) 2006-02-17 2013-05-22 Basf Se Fluorierte rylentetracarbonsäurederivate und deren verwendung
WO2008000664A1 (en) 2006-06-30 2008-01-03 Ciba Holding Inc. Diketopyrrolopyrrole polymers as organic semiconductors
JP2008096680A (ja) 2006-10-11 2008-04-24 Fujifilm Corp カラーフィルタ用硬化性組成物、カラーフィルタ、及びその製造方法
JP5101927B2 (ja) 2007-06-04 2012-12-19 山本化成株式会社 有機トランジスタ
US20110068328A1 (en) 2007-08-17 2011-03-24 Basf Se Halogen-containing perylenetetracarboxylic acid derivatives and the use thereof
JP2009069381A (ja) 2007-09-12 2009-04-02 Fujifilm Corp 電子線、ｘ線またはｅｕｖ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
CA2703438A1 (en) 2007-10-25 2009-04-30 Jean-Charles Flores Ketopyrroles as organic semiconductors
EP2223361A1 (en) 2007-11-28 2010-09-01 National University of Singapore Multilayer heterostructures for application in oleds and photovoltaic devices
CN102027612B (zh) 2008-05-12 2013-11-13 东丽株式会社 碳纳米管复合体、有机半导体复合材料和场效应晶体管
KR101702487B1 (ko) 2008-06-06 2017-02-06 바스프 에스이 염소화 나프탈렌테트라카르복실산 유도체, 이의 제조 방법 및 유기 전자 장치에서의 그 용도
JP5735418B2 (ja) 2008-07-02 2015-06-17 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ポリ（５，５’−ビス（チオフェン−２−イル）−ベンゾ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン）、及び半導体ポリマーを加工可能な高機能溶液としてのその使用方法
CA2729714A1 (en) 2008-07-02 2010-01-07 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. High performance solution processable semiconducting polymers based on alternating donor acceptor copolymers
JP2010100844A (ja) 2008-09-29 2010-05-06 Nippon Carbide Ind Co Inc 光硬化性樹脂組成物
JP5498681B2 (ja) 2008-10-02 2014-05-21 山本化成株式会社 有機トランジスタ
CN102203160B (zh) 2008-10-31 2013-07-17 巴斯夫欧洲公司 用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物
WO2010049321A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors
BRPI1013566A2 (pt) 2009-03-23 2016-04-12 Basf Se polímero, composto, material, camada ou componente orgânicos semi condutores, dispositivo semicondutor, processos para a preparação de um dispositivo semicondutor orgânico, de um composto, e de um polímero, e, uso do polímero, do composto e/ou do material, camada ou componente orgânicos semi condutores
WO2010136385A1 (en) * 2009-05-25 2010-12-02 Basf Se Crosslinkable dielectrics and methods of preparation and use thereof
CN102449030B (zh) 2009-05-27 2014-06-25 巴斯夫欧洲公司 用于有机半导体器件中的二酮基吡咯并吡咯聚合物
JP5623512B2 (ja) 2009-05-27 2014-11-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ （複素環式）芳香族化合物の重合方法
JP5658920B2 (ja) 2009-06-23 2015-01-28 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物、並びに、これを用いたモールドの作成方法、及び、レジスト膜
JP2011012147A (ja) 2009-07-01 2011-01-20 Nippon Carbide Ind Co Inc 新規ビニルエーテル共重合体およびこれを用いた粘着剤組成物
GB2472413B (en) 2009-08-05 2014-04-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic semiconductors
EP2499171A4 (en) 2009-11-12 2014-06-18 Ndsu Res Foundation POLYMERS DERIVED FROM PLANT OILS
US8389670B2 (en) 2009-12-02 2013-03-05 Basf Se Dithienobenzo-thieno[3,2-B]thiophene-copolymer and its use as high performance solution processable semiconducting polymer
US9745252B2 (en) 2009-12-04 2017-08-29 National University Of Singapore Cross-linking moiety
JP2012049225A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Sony Corp 電子デバイス及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
EP2621927B1 (en) 2010-09-29 2020-02-12 Basf Se Semiconductors based on diketopyrrolopyrroles
KR101844106B1 (ko) 2011-01-10 2018-03-30 바스프 에스이 티오시아네이토 또는 이소티오시아네이토 치환된 나프탈렌 디이미드 및 릴렌 디이미드 화합물 및 n형 반도체로서의 그의 용도
US8748873B2 (en) 2011-01-21 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device with dual semiconducting layer
JP2012169550A (ja) 2011-02-16 2012-09-06 Tokai Rika Co Ltd 有機半導体材料
EP2681217A1 (en) 2011-03-03 2014-01-08 Basf Se Perylene-based semiconducting materials
KR101399636B1 (ko) 2011-03-11 2014-05-28 (주)씨에스엘쏠라 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
JP2014514413A (ja) 2011-04-28 2014-06-19 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア チエノチオフェン−２，５−ジオンオリゴマー及びポリマーに基づく半導体材料
WO2012152598A1 (en) 2011-05-11 2012-11-15 Basf Se Halogenated perylene-based semiconducting materials
US8987710B2 (en) 2011-05-19 2015-03-24 Polyera Corporation Carbonaceous nanomaterial-based thin-film transistors
US9362508B2 (en) 2011-06-22 2016-06-07 Basf Se Diketopyrrolopyrrole oligomers for use in organic semiconductor devices
EP2729514A1 (en) 2011-07-05 2014-05-14 Basf Se Dithienophthalimide semiconductor polymers
JP6157497B2 (ja) 2011-12-07 2017-07-05 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 有機電界効果トランジスタ
KR102017358B1 (ko) 2011-12-07 2019-09-26 바스프 에스이 유기 반도체 장치에 사용하기 위한 디케토피롤로피롤 중합체
KR20130075982A (ko) 2011-12-28 2013-07-08 주식회사 두산 안트라센계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
CN104334610A (zh) 2012-04-04 2015-02-04 巴斯夫欧洲公司 二酮基吡咯并吡咯聚合物和小分子
KR101896008B1 (ko) 2012-06-01 2018-09-06 덕산네오룩스 주식회사 벤조플루오렌을 포함하는 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
JP6297269B2 (ja) 2012-06-28 2018-03-20 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ポリマー組成物、このポリマー組成物を含むフォトレジスト、およびこのフォトレジストを含むコーティングされた物品
WO2014033622A2 (en) 2012-08-30 2014-03-06 Basf Se Conveniently prepared naphthalene and perylene derivatives as building blocks for organic electronic materials and dyestuff
JP6297566B2 (ja) 2012-09-04 2018-03-20 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 有機電子デバイスにおける誘電体構造の表面改変方法
CN103709153B (zh) 2012-09-29 2019-01-29 昆山维信诺显示技术有限公司 苯并噻吩类衍生物及其在有机电致发光领域中的应用
US9299940B2 (en) 2012-11-02 2016-03-29 The Regents Of The University Of California Carbon nanotube network thin-film transistors on flexible/stretchable substrates
WO2014115749A1 (ja) 2013-01-22 2014-07-31 日本化薬株式会社 溶液プロセス用有機半導体材料及び有機半導体デバイス
EP2970547A4 (en) 2013-03-11 2016-10-26 Ndsu Res Foundation MONOMERS AND POLYMERS DERIVED FROM NATURAL PHENOLS
CN105143231B (zh) 2013-04-25 2019-01-22 巴斯夫欧洲公司 π扩展萘二酰亚胺的制备及其作为半导体的用途
JP6277625B2 (ja) 2013-08-08 2018-02-14 大日本印刷株式会社 有機半導体素子およびその製造方法
KR101577896B1 (ko) 2014-05-14 2015-12-16 동국대학교 산학협력단 탄소나노튜브 층간층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터
WO2015193808A1 (en) 2014-06-17 2015-12-23 Basf Se N-fluoroalkyl-substituted dibromonaphthalene diimides and their use as semiconductor
US9985222B2 (en) 2014-06-23 2018-05-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic compound, and organic thin film and electronic device
US20160351629A1 (en) 2015-05-27 2016-12-01 University Of Southern California Large-Scale Complementary Macroelectronics Using Hybrid Integration of Carbon Nanotubes and Oxide Thin-Film Transistors
KR101793976B1 (ko) 2015-06-11 2017-11-06 인천대학교 산학협력단 단일 벽 나노 튜브를 기반으로 한 트랜젼트 반도체의 제조 방법
KR102395818B1 (ko) 2015-08-03 2022-05-09 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN105418357B (zh) 2015-11-20 2017-10-24 江苏三月光电科技有限公司 一种苯并螺芴化合物及其在oled上的应用
CN105428401B (zh) 2016-01-08 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法
JP6643757B2 (ja) 2016-02-08 2020-02-12 純一 竹谷 有機電界効果トランジスタ
CN109715717B (zh) * 2016-09-27 2022-09-20 巴斯夫欧洲公司 具有经增强的可交联性的星形及三嵌段聚合物
TWI784990B (zh) 2016-12-06 2022-12-01 南韓商Ｃｌａｐ股份有限公司 噻吩并-茚并-單體及聚合物
EP3697780B1 (en) 2017-10-19 2022-07-27 Clap Co., Ltd. New substituted benzonaphthathiophene compounds for organic electronics
WO2019101569A1 (en) 2017-11-21 2019-05-31 Basf Se Sulfonium salts of dntt and related compounds as soluble photocleavable precursors for organic semiconductors for use in organic field-effect transistors
WO2019170719A1 (en) 2018-03-08 2019-09-12 Basf Se Organic field effect transistor comprising semiconducting single-walled carbon nanotubes and organic semiconducting material
JP2021530577A (ja) 2018-06-26 2021-11-11 クラップ カンパニー リミテッドClap Co., Ltd. 誘電体としてのビニルエーテル系高分子
CN112912381B (zh) 2018-10-15 2023-09-05 Clap有限公司 作为有机半导体的引达省衍生物

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06313107A (ja) * 1993-05-06 1994-11-08 Tomoegawa Paper Co Ltd 感光性樹脂組成物
US20060223218A1 (en) * 2003-05-20 2006-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Field effect transistor arrangement and method of manufacturing a field effect transistor arrangement
JP2010034394A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機薄膜トランジスタ
WO2012059386A1 (en) * 2010-11-01 2012-05-10 Basf Se Polyimides as dielectric
WO2013072853A1 (en) * 2011-11-15 2013-05-23 Basf Se Organic semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2013119717A1 (en) * 2012-02-07 2013-08-15 Polyera Corporation Photocurable polymeric materials and related electronic devices
US20130200345A1 (en) * 2012-02-07 2013-08-08 Polyera Corporation Photocurable Polymeric Materials and Related Electronic Devices
WO2015004563A1 (en) * 2013-07-08 2015-01-15 Basf Se Azide-based crosslinking agents
US20160254466A1 (en) * 2013-11-21 2016-09-01 Nikon Corporation Transistor manufacturing method and transistor
US20150364687A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Deepak Shukla Devices having dielectric layers with thiosulfate-containing polymers
US20170192354A1 (en) * 2014-06-26 2017-07-06 Flexterra, Inc. Photopatternable compositions, patterned high k thin film dielectrics and related devices
WO2016046659A1 (en) * 2014-09-25 2016-03-31 Basf Se Ether-based polymers as photo-crosslinkable dielectrics
WO2017038944A1 (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機半導体組成物、有機半導体膜および有機半導体膜の製造方法

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