TWI784990B - 噻吩并-茚并-單體及聚合物 - Google Patents

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張衛民
麥可 休爾漢吉
伊愛恩 麥克古羅奇
帕斯卡 海奧茲
丹尼爾 卡畢恩
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Abstract

本發明係關於包含至少一個下式之單元之聚合物，
Figure 106142815-A0101-11-0001-1
或
Figure 106142815-A0101-11-0001-2
及下式之化合物：
Figure 106142815-A0101-11-0001-3
或
Figure 106142815-A0101-11-0002-4
其中，在式1 、1’ 、2 及2’ 中 n 係0、1、2、3或4 m 係0、1、2、3或4 M1及M2彼此獨立地係芳香族或雜芳香族單環或二環系統； X 在每次出現時選自由以下組成之群：O、S、Se或Te， Q 在每次出現時選自由以下組成之群：C、Si或Ge R 在每次出現時選自由以下組成之群：氫、C1-100 -烷基、C2-100 -烯基、C2-100 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基、5至20員雜芳基、C(O)-C1- 100 -烷基、C(O)-C5-12 -環烷基及C(O)-OC1-100 -烷基， R2 、R2’ 、R2’’ 、R* 在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：氫、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基、5至20員雜芳基、OR21 、OC(O)-R21 、C(O)-OR21 、C(O)-R21 、NR21 R22 、NR21 -C(O)R22 、C(O)-NR21 R22 、N[C(O)R21 ][C(O)R22 ]、SR21 、鹵素、CN、SiRSis RSit RSiu 及OH， L1 及L2 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：C6-30 -伸芳基、5至30員伸雜芳基、
Figure 106142815-A0101-11-0002-5
及

Description

噻吩并-茚并-單體及聚合物
本發明係關於新穎單體及由其製得之聚合物，具體而言噻吩并-茚并-單體及聚合物，關於製備該等單體及聚合物之方法，關於中間體，關於包含該等聚合物之電子裝置，以及關於該等聚合物作為半導電材料之用途。
有機半導電材料可用於電子裝置中，例如有機光伏打裝置(OPV)、有機場效電晶體(OFET)、有機發光二極體(OLED)、有機光電二極體(OPD)及有機電致變色裝置(ECD)。 期望有機半導電材料與液體處理技術(例如自可處理性觀點來看，作為液體處理技術之旋塗係方便的)相容，且由此容許產生低成本之基於有機半導電材料之電子裝置。另外，液體處理技術亦與塑膠基板相容，且由此容許產生低重量且具機械撓性之基於有機半導電材料之電子裝置。 對於在有機光伏打裝置(OPV)、有機場效電晶體(OFET)及有機光電二極體(OPD)中之應用，另外期望有機半導電材料顯示高的電荷載體遷移率。 對於在有機光伏打裝置(OPV)及有機光電二極體(OPD)中之應用，有機半導電材料亦應顯示可見光之強吸收。
本發明之目標係提供有機半導電材料。此目標可藉由本發明聚合物、製備該等聚合物之製程、用於製備含有該等聚合物之聚合物電子裝置之中間體及使用該等聚合物來解決。
本發明之聚合物包含至少一個下式之單元：
Figure 02_image027
或
Figure 02_image029
以下各式之化合物亦係本發明之一部分：
Figure 02_image031
或
Figure 02_image033
其中，在式1 、1’ 、2 及2’ 中， n 為0、1、2、3或4 m 為0、1、2、3或4 M1及M2彼此獨立地係芳香族或雜芳香族單環或二環系統； X 在每次出現時選自由以下組成之群：O、S、Se或Te，較佳地O、S或Se，更佳地S或Se，最佳地S； Q 在每次出現時選自由以下組成之群：C、Si或Ge，較佳地C或Si，最佳地C； R 在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-100 -烷基、C2-100 -烯基、C2-100 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基、5至20員雜芳基、C(O)-C1- 100 -烷基、C(O)-C5-12 -環烷基及C(O)-OC1-100 -烷基， 其中 C1-100 -烷基、C2-100 -烯基及C2-100 -炔基可經一至四十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa Rb 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、N[C(O)Ra ][C(O)Rb ]、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素、CN及NO2 ；且C1-100 -烷基、C2-100 -烯基及C2- 100 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由O或S替代， C5-12 -環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa Rb 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、N[C(O)Ra ][C(O)Rb ]、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素、CN及NO2 ；且C5-12 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRa 或NRa -CO， C6-18 -芳基及5至20員雜芳基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6- 14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa Rb 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、N[C(O)Ra ][C(O)Rb ]、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素、CN及NO2 ， 其中 Ra 及Rb 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， RSia 、RSib 及RSic 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60 -烷基、O-C2-60 -烯基、O-C2-60 -炔基、O-C5-8 -環烷基、O-C6-14 -芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSid RSie ]o -RSif 、NR5 R6 、鹵素及O-C(O)-R5 ， 其中 o係1至50之整數， RSid 、RSie 、RSif 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60 -烷基、O-C2-60 -烯基、O-C2-60 -炔基、O-C5-8 -環烷基、O-C6-14 -芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSig RSih ]p -RSii 、NR50 R60 、鹵素及O-C(O)-R50 ； 其中 p係1至50之整數， RSig 、RSih 、RSii 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3 )3 、NR500 R600 、鹵素及O-C(O)-R500 ， R5 、R6 、R50 、R60 、R500 及R600 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 - 烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， C1-60 -烷基、C2-60 -烯基及C2-60 -炔基可經1至20個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc Rd 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、N[C(O)Rc ][C(O)Rd ]、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素、CN及NO2 ；且C1-60 -烷基、C2-60 -烯基及C2-60 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc Rd 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、N[C(O)Rc ][C(O)Rd ]、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素、CN及NO2 ；且C5-8 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRc 或NRc -CO， C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc Rd 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、N[C(O)Rc ][C(O)Rd ]、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rc 及Rd 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基， RSij 、RSik 及RSil 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSim RSin ]q -RSio 、NR7 R8 、鹵素及O-C(O)-R7 ， 其中 q係1至50之整數， RSim 、RSin 、RSio 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSip RSiq ]r -RSir 、NR70 R80 、鹵素及O-C(O)-R70 ； 其中 r係1至50之整數， RSip 、RSiq 、RSir 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3 )3 、NR700 R800 、鹵素及O-C(O)-R700 ， R7 、R8 、R70 、R80 、R700 及R800 獨立地選自由以下組成之群：H、C1- 30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基及5至10員雜芳基， C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 ， R2 、R2’ 、R2’’ 、R* 在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：氫、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基、5至20員雜芳基、OR21 、OC(O)-R21 、C(O)-OR21 、C(O)-R21 、NR21 R22 、NR21 -C(O)R22 、C(O)-NR21 R22 、N[C(O)R21 ][C(O)R22 ]、SR21 、鹵素、CN、SiRSis RSit RSiu 及OH， 其中 R21 及R22 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基，且 C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基可經一至十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORe 、OC(O)-Re 、C(O)-ORe 、C(O)-Re 、NRe Rf 、NRe -C(O)Rf 、C(O)-NRe Rf 、N[C(O)Re ][C(O)Rf ]、SRe 、鹵素、CN、SiRSis RSit RSiu 及NO2 ；且C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由O或S替代， C5-12 -環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORe 、OC(O)-Re 、C(O)-ORe 、C(O)-Re 、NRe Rf 、NRe -C(O)Rf 、C(O)-NRe Rf 、N[C(O)Re ][C(O)Rf ]、SRe 、鹵素、CN、SiRSis RSit RSiu 及NO2 ；且C5-12 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRe 或NRe -CO， C6-18 -芳基及5至20員雜芳基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6- 14 -芳基、5至14員雜芳基、ORe 、OC(O)-Re 、C(O)-ORe 、C(O)-Re 、NRe Rf 、NRe -C(O)Rf 、C(O)-NRe Rf 、N[C(O)Re ][C(O)Rf ]、SRe 、鹵素、CN、SiRSis RSit RSiu 及NO2 ， 其中 RSis 、RSit 及RSiu 彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、苯基及O-Si(CH3 )3 ， Re 及Rf 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， 其中 C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORg 、OC(O)-Rg 、C(O)-ORg 、C(O)-Rg 、NRg Rh 、NRg -C(O)Rh 、C(O)-NRg Rh 、N[C(O)Rg ][C(O)Rh ]、SRg 、鹵素、CN及NO2 ； C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORg 、OC(O)-Rg 、C(O)-ORg 、C(O)-Rg 、NRg Rh 、NRg -C(O)Rh 、C(O)-NRg Rh 、N[C(O)Rg ][C(O)Rh ]、SRg 、鹵素、CN及NO2 ； C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、5至10員雜芳基、ORg 、OC(O)-Rg 、C(O)-ORg 、C(O)-Rg 、NRg Rh 、NRg -C(O)Rh 、C(O)-NRg Rh 、N[C(O)Rg ][C(O)Rh ]、SRg 、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rg 及Rh 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基， 其中 C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 ， L1 及L2 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：C6-30 -伸芳基、5至30員伸雜芳基、
Figure 02_image035
及
Figure 02_image037
， 其中 C6-30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基可經一至六個取代基R3 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基、OR31 、OC(O)-R31 、C(O)-OR31 、C(O)-R31 、NR31 R32 、NR31 -C(O)R32 、C(O)-NR31 R32 、N[C(O)R31 ][C(O)R32 ]、SR31 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及OH，且 其中
Figure 02_image039
及
Figure 02_image041
可經一或兩個取代基R4 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41 、C(O)-NR41 R42 、C(O)-OR41 及CN， 其中 R31 、R32 、R41 及R42 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基，且 其中 C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基可經一至十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORi 、OC(O)-Rj 、C(O)-ORi 、C(O)-Ri 、NRi Rj 、NRi -C(O)Rj 、C(O)-NRi Rj 、N[C(O)Ri ][C(O)Rj ]、SRi 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及NO2 ；且C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由O或S替代， C5-12 -環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORi 、OC(O)-Rj 、C(O)-ORi 、C(O)-Ri 、NRi Rj 、NRi -C(O)Rj 、C(O)-NRi Rj 、N[C(O)Ri ][C(O)Rj ]、SRi 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及NO2 ；且C5-12 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRi 或NRi -CO， C6-18 -芳基及5至20員雜芳基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6- 14 -芳基、5至14員雜芳基、ORi 、OC(O)-Rj 、C(O)-ORi 、C(O)-Ri 、NRi Rj 、NRi -C(O)Rj 、C(O)-NRi Rj 、N[C(O)Ri ][C(O)Rj ]、SRi 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及NO2 ， 其中 RSiv 、RSiw 、RSix 彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、苯基及O-Si(CH3 )3 ， Ri 及Rj 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2- 20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， 其中 C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORk 、OC(O)-Rl 、C(O)-ORk 、C(O)-Rk 、NRk Rl 、NRk -C(O)Rl 、C(O)-NRk Rl 、N[C(O)Rk ][C(O)Rl ]、SRk 、鹵素、CN及NO2 ； C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORk 、OC(O)-Rl 、C(O)-ORk 、C(O)-Rk 、NRk Rl 、NRk -C(O)Rl 、C(O)-NRk Rl 、N[C(O)Rk ][C(O)Rl ]、SRk 、鹵素、CN及NO2 ； C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、5至10員雜芳基、ORk 、OC(O)-Rl 、C(O)-ORk 、C(O)-Rk 、NRk Rl 、NRk -C(O)Rl 、C(O)-NRk Rl 、N[C(O)Rk ][C(O)Rl ]、SRk 、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rk 及Rl 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基， 其中 C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 ， 鹵素可為F、Cl、Br及I。 X 較佳地在每次出現時係相同的。 Q 較佳地在每次出現時係相同的。 R2 較佳地在每次出現時係相同的。 R* 較佳地在每次出現時係相同的。 C1-4 -烷基、C1-10 -烷基、C1-20 -烷基、C1-30 -烷基、C1-36 -烷基、C1-50 -烷基、C1-60 -烷基及C1-100 -烷基可具支鏈或無支鏈。C1-4 -烷基之實例係甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基及第三丁基。C1-10 -烷基之實例係C1-4 -烷基、正戊基、新戊基、異戊基、正-(1-乙基)丙基、正己基、正庚基、正辛基、正-(2-乙基)己基、正壬基及正癸基。C1- 20 -烷基之實例係C1-10 -烷基及正十一烷基、正十二烷基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基及正二十烷基(C20 )。C1-30 -烷基、C1-36 -烷基、C1-50 -烷基、C1-60 -烷基及C1-100 -烷基之實例係C1-20 -烷基及正二十二烷基(C22 )、正二十四烷基(C24 )、正二十六烷基(C26 )、正二十八烷基(C28 )及正三十烷基(C30 )。 C2-10 -烯基、C2-20 -烯基、C2-30 -烯基、C2-60 -烯基及C2-100 -烯基可具支鏈或無支鏈。C2 -20 -烯基之實例係乙烯基、丙烯基、順式-2-丁烯基、反式-2-丁烯基、3-丁烯基、順式-2-戊烯基、反式-2-戊烯基、順式-3-戊烯基、反式-3-戊烯基、4-戊烯基、2-甲基-3-丁烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基及癸烯基。C2-20 -烯基、C2-60 -烯基及C2-100 -烯基之實例係C2-10 -烯基及亞麻油基(C18 )、次亞麻油基(C18 )、油基(C18 )及花生四烯基(C20 )。C2-30 -烯基之實例係C2-20 -烯基及瓢兒菜基(C22 )。 C2-10 -炔基、C2-20 -炔基、C2-30 -炔基、C2-60 -炔基及C2-100 -炔基可具支鏈或無支鏈。C2-10 -炔基之實例係乙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、壬炔基及癸炔基。C2-20 -炔基、C2-30 -炔基、C2-60 -炔基及C2-30 -炔基之實例係十一碳炔基、十二碳炔基、十一碳炔基、十二碳炔基、十三碳炔基、十四碳炔基、十五碳炔基、十六碳炔基、十七碳炔基、十八碳炔基、十九碳炔基及二十碳炔基(C20 )。 C5-6 -環烷基之實例係環戊基及環己基。C5-8 -環烷基之實例係C5-6 -環烷基及環庚基及環辛基。C5-12 -環烷基係C5-8 -環烷基及環壬基、環癸基、環十一烷基及環十二烷基。 C6-10 -芳基之實例係苯基、
Figure 02_image043
及
Figure 02_image045
。 C6-14 -芳基之實例係C6-10 -芳基及
Figure 02_image047
Figure 02_image049
及
Figure 02_image051
。 C6-18 -芳基之實例係C6-14 -芳基及
Figure 02_image053
及
Figure 02_image055
。 5至10員雜芳基係5至10員單環或多環，例如二環、三環或四環系統，其包含至少一個雜芳香族環，且其亦可包含非芳香族環，其環可經=O取代。 5至14員雜芳基係5至14員單環或多環，例如二環、三環或四環系統，其包含至少一個雜芳香族環，且其亦可包含非芳香族環，該等非芳香族環可經=O取代。 5至20員雜芳基係5至20員單環或多環，例如二環、三環或四環系統，其包含至少一個雜芳香族環，且其亦可包含非芳香族環，該等非芳香族環可經=O取代。 5至10員雜芳基之實例係
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Figure 02_image059
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Figure 02_image063
Figure 02_image065
及
Figure 02_image067
5至14員雜芳基之實例係針對5至10員雜芳基給出之實例及
Figure 02_image069
Figure 02_image071
Figure 02_image073
Figure 02_image075
及
Figure 02_image077
； 5至20員雜芳基之實例係針對5至14員雜芳基給出之實例及
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Figure 02_image083
及
Figure 02_image085
其中 R100 及R101 獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基，或若R100 及R101 附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統， 其中 C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORq 、OC(O)-Rq 、C(O)-ORq 、C(O)-Rq 、NRq Rr 、NRq -C(O)Rr 、C(O)-NRq Rr 、N[C(O)Rq ][C(O)Rr ]、SRq 、鹵素、CN及NO2 ； C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORq 、OC(O)-Rq 、C(O)-ORq 、C(O)-Rq 、NRq Rr 、NRq -C(O)Rr 、C(O)-NRq Rr 、N[C(O)Rq ][C(O)Rr ]、SRq 、鹵素、CN及NO2 ； C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、5至10員雜芳基、ORq 、OC(O)-Rq 、C(O)-ORq 、C(O)-Rq 、NRq Rr 、NRq -C(O)Rr 、C(O)-NRq Rr 、N[C(O)Rq ][C(O)Rr ]、SRq 、鹵素、CN及NO2 ； 5至12員環系統可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORq 、OC(O)-Rq 、C(O)-ORq 、C(O)-Rq 、NRq Rr 、NRq -C(O)Rr 、C(O)-NRq Rr 、N[C(O)Rq ][C(O)Rr ]、SRq 、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rq 及Rr 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基， 其中 C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 ， C6-30 -伸芳基係6至30員單環或多環，例如二環、三環、四環、五環或六環系統，其包含至少一個C-芳香族環，且其亦可包含非芳香族環或雜芳香族環，該等非芳香族環或雜芳香族環可經=O取代。 C6-30 -伸芳基之實例係
Figure 02_image087
Figure 02_image089
及
Figure 02_image091
Figure 02_image093
其中 R1 在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-100 -烷基、C2-100 -烯基、C2-100 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基、5至20員雜芳基、C(O)-C1- 100 -烷基、C(O)-C5-12 -環烷基及C(O)-OC1-100 -烷基， 其中 C1-100 -烷基、C2-100 -烯基及C2-100 -炔基可經一至四十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa Rb 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、N[C(O)Ra ][C(O)Rb ]、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素、CN及NO2 ；且C1-100 -烷基、C2-100 -烯基及C2- 100 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， C5-12 -環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa Rb 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、N[C(O)Ra ][C(O)Rb ]、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素、CN及NO2 ；且C5-12 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRa 或NRa -CO， C6-18 -芳基及5至20員雜芳基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6- 14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa Rb 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、N[C(O)Ra ][C(O)Rb ]、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素、CN及NO2 ， 其中 Ra 及Rb 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， RSia 、RSib 及RSic 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60 -烷基、O-C2-60 -烯基、O-C2-60 -炔基、O-C5-8 -環烷基、O-C6-14 -芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSid RSie ]o -RSif 、NR5 R6 、鹵素及O-C(O)-R5 ， 其中 o係1至50之整數， RSid 、RSie 、RSif 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60 -烷基、O-C2-60 -烯基、O-C2-60 -炔基、O-C5-8 -環烷基、O-C6-14 -芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSig RSih ]p -RSii 、NR50 R60 、鹵素及O-C(O)-R50 ； 其中 p係1至50之整數， RSig 、RSih 、RSii 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3 )3 、NR500 R600 、鹵素及O-C(O)-R500 ， R5 、R6 、R50 、R60 、R500 及R600 獨立地選自由以下組成之群：H、C1- 60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， C1-60 -烷基、C2-60 -烯基及C2-60 -炔基可經1至20個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc Rd 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、N[C(O)Rc ][C(O)Rd ]、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素、CN及NO2 ；且C1-60 -烷基、C2-60 -烯基及C2-60 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc Rd 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、N[C(O)Rc ][C(O)Rd ]、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素、CN及NO2 ；且C5-8 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRc 或NRc -CO， C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc Rd 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、N[C(O)Rc ][C(O)Rd ]、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rc 及Rd 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基， RSij 、RSik 及RSil 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSim RSin ]q -RSio 、NR7 R8 、鹵素及O-C(O)-R7 ， 其中 q係1至50之整數， RSim 、RSin 、RSio 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSip RSiq ]r -RSir 、NR70 R80 、鹵素及O-C(O)-R70 ； 其中 r係1至50之整數， RSip 、RSiq 、RSir 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3 )3 , NR700 R800 、鹵素及O-C(O)-R700 ， R7 、R8 、R70 、R80 、R700 及R800 獨立地選自由以下組成之群：H、C1- 30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基及5至10員雜芳基， C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 ， R102 及R103 獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基，或若R102 及R103 附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統， 其中 C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； 5至12員環系統可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rs 及Rt 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2- 10 -炔基， 其中 C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 ， 5至30員伸雜芳基係5至30員單環或多環，例如二環、三環、四環、五環或六環系統，其包含至少一個雜芳香族環，且其亦可包含芳香族環或非芳香族環，該等非芳香族環可經=O取代。 5至30員伸雜芳基之實例係
Figure 02_image095
Figure 02_image097
Figure 02_image099
Figure 02_image101
Figure 02_image103
及
Figure 02_image105
Figure 02_image107
Figure 02_image109
其中 R1 係如上文所定義 X’在每次出現時選自由以下組成之群：O、S、Se或Te，較佳地O、S或Se，更佳地S或Se，最佳地S； R104 及R105 獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基，或若R104 及R105 附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統， 其中 C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； 5至12員環系統可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rs 及Rt 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2- 10 -炔基， 其中 C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 。 除R100 及R101 、R102 及R103 分別、R104 及R105 分別所附接之原子以外，5至12員環系統可含有選自由以下組成之群之環成員：CH2 、O、S及NRu ，其中Ru 在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基。 較佳者係式1 、1’ 、2 及2’ 之部分，其中M1及M2使得能夠在L1 與L2 之間進行電子共軛連接。 較佳者係包含至少一個下式單元之聚合物：
Figure 02_image111
、
Figure 02_image113
Figure 02_image115
Figure 02_image117
Figure 02_image119
。 n、m、L1、L2、X、Q、R、R2 、R2’ 、R2’’ 係如上文所定義； Y在每次出現時選自由以下組成之群：O、S、Se或Te，較佳地O、S或Se，更佳地S或Se，最佳地S； 更佳者係包含至少一個式1a 、1b 、1d 、1e 或1f 之單元之聚合物，其中n、m、L1、L2、X、Q、R、R2 、R2’ 、R2’’ 係如上文所定義； 甚至更佳者係包含至少一個下式單元之聚合物
Figure 02_image121
Figure 02_image123
或
Figure 02_image125
其中n、m、L1、L2、X、Q、R、R2 、R2’ 、R2’’ 係如上文所定義； 再更佳者係包含至少一個下式單元之聚合物
Figure 02_image127
或
Figure 02_image129
， 其中n、m、L1、L2、X、Q、R、R2 、R2’ 、R2’’ 係如上文所定義； 最佳者係包含至少一個下式單元之聚合物
Figure 02_image131
， 其中n、m、L1、L2、X、Q、R、R2 、R2’ 、R2’’ 係如上文所定義； 較佳地，基於聚合物之重量，本發明之聚合物包含至少60重量%之式(1 )或(1’ )之單元。 更佳地，基於聚合物之重量，本發明之聚合物包含至少80重量%之式(1 )或(1’ )之單元。 最佳地，本發明之聚合物基本上由式(1 )或(1’ )之單元組成。 較佳地，R及R1 在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-100 -烷基、C2-100 -烯基、C2-100 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基， 其中 C1-100 -烷基、C2-100 -烯基及C2-100 -炔基可經一至四十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素及CN；且C1-100 -烷基、C2-100 -烯基及C2-100 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由O或S替代， C5-12 -環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素及CN；且C5-12 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRa 或NRa -CO， C6-18 -芳基及5至20員雜芳基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6- 14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素及CN， 其中 Ra 及Rb 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， RSia 、RSib 及RSic 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60 -烷基、O-C2-60 -烯基、O-C2-60 -炔基、O-C5-8 -環烷基、-[O-SiRSid RSie ]o -RSif ， 其中 o係1至50之整數， RSid 、RSie 及RSif 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、-[O-SiRSig RSih ]p -RSii ， 其中 p係1至50之整數， RSig 、RSih 及RSii 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、O-Si(CH3 )3 ， C1-60 -烷基、C2-60 -烯基及C2-60 -炔基可經1至20個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素及CN；且C1-60 -烷基、C2-60 -烯基及C2-60 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素及CN；且C5-8 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRc 或NRc -CO， C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素及CN； 其中 Rc 及Rd 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基， RSij 、RSik 及RSil 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSim RSin ]q -RSio ， 其中 q係1至50之整數， RSim 、RSin 、RSio 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSip RSiq ]r -RSir 、NR70 R80 、鹵素及O-C(O)-R70 ； 其中 r係1至50之整數， RSip 、RSiq 、RSir 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30 -烷基、O-C2-30 -烯基、O-C2-30 -炔基、O-C5-6 -環烷基、O-C6-10 -芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3 )3 、NR700 R800 、鹵素及O-C(O)-R700 ， R70 、R80 、R700 及R800 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基及5至10員雜芳基， C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素及CN。 更佳地，R及R1 在每次出現時選自由以下組成之群：C1-100 -烷基、C2-100 -烯基及C2-100 -炔基， 其中 C1-100 -烷基、C2-100 -烯基及C2-100 -炔基可經一至四十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORa 、OC(O)-Ra 、C(O)-ORa 、C(O)-Ra 、NRa -C(O)Rb 、C(O)-NRa Rb 、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素及CN；且C1-100 -烷基、C2-100 -烯基及C2-100 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由O或S替代， 其中 Ra 及Rb 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， RSia 、RSib 及RSic 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、-[O-SiRSid RSie ]o -RSif ， 其中 o係1至50之整數， RSid 、RSie 及RSif 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60 -烷基、C2-60 -烯基、C2-60 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、-[O-SiRSig RSih ]p -RSii ， 其中 p係1至50之整數， RSig 、RSih 、RSii 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、O-Si(CH3 )3 ， C1-60 -烷基、C2-60 -烯基及C2-60 -炔基可經1至20個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素及CN；且C1-60 -烷基、C2-60 -烯基及C2-60 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素及CN；且C5-8 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRc 或NRc -CO， C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、ORc 、OC(O)-Rc 、C(O)-ORc 、C(O)-Rc 、NRc -C(O)Rd 、C(O)-NRc Rd 、SRc 、Si(RSij )(RSik )(RSil )、-O-Si(RSij )(RSik )(RSil )、鹵素及CN； 其中 Rc 及Rd 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基， RSij 、RSik 及RSil 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSim RSin ]q -RSio ， 其中 q係1至50之整數， RSim 、RSin 、RSio 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSip RSiq ]r -RSir ， 其中 r係1至50之整數， RSip 、RSiq 、RSir 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、O-Si(CH3 )3 ， C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素及CN。 甚至更佳地，R及R1 在每次出現時選自由以下組成之群：C1-50 -烷基、C2-50 -烯基及C2-50 -炔基， 其中 C1-50 -烷基、C2-50 -烯基及C2-50 -炔基可經1至20個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORa 、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素及CN；且C1-50 -烷基、C2-50 -烯基及C2-50 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， 其中 Ra 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基及C6-10 -芳基， RSia 、RSib 及RSic 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSid RSie ]o -RSif ， 其中 o係1至50之整數， RSid 、RSie 、RSif 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSig RSih ]p -RSii ， 其中 p係1至50之整數， RSig 、RSih 、RSii 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、O-Si(CH3 )3 ， C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素及CN。 再更佳地，R及R1 在每次出現時選自由以下組成之群：C1-50 -烷基、C3-50 -烯基及C3-50 -炔基， 其中 C1-50 -烷基、C3-50 -烯基及C3-50 -炔基可經1至20個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORa 、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素及CN；且C1-36 -烷基、C2-36 -烯基及C2-36 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， 其中 Ra 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C3-20 -烯基、C3-20 -炔基、C5-6 -環烷基及C6-10 -芳基 RSia 、RSib 及RSic 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSid RSie ]o -RSif 其中 o係1至50之整數， RSid 、RSie 、RSif 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSig RSih ]p -RSii ， 其中 p係1至50之整數， RSig 、RSih 、RSii 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、O-Si(CH3 )3 ， C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素及CN。 最佳地，R及R1 在每次出現時選自由以下組成之群：C1-50 -烷基、C3- 50 -烯基及C3-50 -炔基， 其中 C1-50 -烷基、C3-50 -烯基及C3-50 -炔基可經一至十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：ORa 、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )及鹵素；且C1-50 -烷基、C3-50 -烯基及C3-50 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， 其中 Ra 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C3-20 -烯基、C3-20 -炔基、C5-6 -環烷基及C6-10 -芳基 RSia 、RSib 及RSic 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSid RSie ]o -RSif 其中 o係1至50之整數， RSid 、RSie 、RSif 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSig RSih ]p -RSii ， 其中 p係1至50之整數， RSig 、RSih 、RSii 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、O-Si(CH3 )3 ， C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素及CN。 尤佳地，R及R1 在每次出現時選自由以下組成之群：C1-50 -烷基、C3- 50 -烯基及C3-50 -炔基， 其中 C1-50 -烷基、C3-50 -烯基及C3-50 -炔基可經一至十個氟基團取代；且C1- 50 -烷基、C3-50 -烯基及C3-50 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S。 具體而言，R及R1 在每次出現時係未經取代之C1-50 -烷基、C3-50 -烯基及C3-50 -炔基，尤其C1-36 -烷基，更尤其C8-36 -烷基。 較佳地，R2 、R2’ 、R2’’ 及R* 在每次出現時選自由以下組成之群：氫、C1-30 -烷基及鹵素， 其中 C1-30 -烷基可經一至十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORe 、OC(O)-Re 、C(O)-ORe 、C(O)-Re 、NRe Rf 、NRe -C(O)Rf 、C(O)-NRe Rf 、N[C(O)Re ][C(O)Rf ]、SRe 、鹵素、CN、SiRSis RSit RSiu 及NO2 ；且C1-30 -烷基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由O或S替代， 其中 RSis 、RSit 及RSiu 彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、苯基及O-Si(CH3 )3 ， Re 及Rf 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C3-20 -烯基、C3-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， 其中 C1-20 -烷基、C3-20 -烯基及C3-20 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORg 、OC(O)-Rg 、C(O)-ORg 、C(O)-Rg 、NRg Rh 、NRg -C(O)Rh 、C(O)-NRg Rh 、N[C(O)Rg ][C(O)Rh ]、SRg 、鹵素、CN及NO2 ； C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORg 、OC(O)-Rg 、C(O)-ORg 、C(O)-Rg 、NRg Rh 、NRg -C(O)Rh 、C(O)-NRg Rh 、N[C(O)Rg ][C(O)Rh ]、SRg 、鹵素、CN及NO2 ； C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、5至10員雜芳基、ORg 、OC(O)-Rg 、C(O)-ORg 、C(O)-Rg 、NRg Rh 、NRg -C(O)Rh 、C(O)-NRg Rh 、N[C(O)Rg ][C(O)Rh ]、SRg 、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rg 及Rh 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10 -烷基、C3-10 -烯基及C3-10 -炔基， 其中 C1-10 -烷基、C3-10 -烯基及C3-10 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 。 更佳地，R2 、R2’ 、R2’’ 及R* 在每次出現時選自由以下組成之群：氫、未經取代之C1-30 -烷基及鹵素。 具體而言，R2 、R2’ 、R2’’ 及R* 在每次出現時為氫。 較佳地，n係0、1或2。更佳地，n係0或1。最佳地，n係0。 較佳地，m係0、1或2。 在一些實施例中，L1 及L2 彼此獨立地且在每次出現時較佳地選自由以下組成之群：C6-30 -伸芳基、5至30員伸雜芳基、 及
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， 其中 C6-30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基可經一至六個取代基R3 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基、OR31 、OC(O)-R31 、C(O)-OR31 、C(O)-R31 、NR31 R32 、NR31 -C(O)R32 、C(O)-NR31 R32 、SR31 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及OH，且 其中
Figure 02_image135
可經一或兩個取代基R4 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41 、C(O)-NR41 R42 、C(O)-OR41 及CN， 其中 R31 、R32 、R41 及R42 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基，且 其中 C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基可經一至十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORi 、OC(O)-Rj 、C(O)-ORi 、C(O)-Ri 、NRi Rj 、NRi -C(O)Rj 、C(O)-NRi Rj 、N[C(O)Ri ][C(O)Rj ]、SRi 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及NO2 ；且C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基之至少兩個CH2 基團(但非毗鄰CH2 基團)可由O或S替代， C5-12 -環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORi 、OC(O)-Rj 、C(O)-ORi 、C(O)-Ri 、NRi Rj 、NRi -C(O)Rj 、C(O)-NRi Rj 、N[C(O)Ri ][C(O)Rj ]、SRi 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及NO2 ；且C5-12 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRi 或NRi -CO， C6-18 -芳基及5至20員雜芳基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6- 14 -芳基、5至14員雜芳基、ORi 、OC(O)-Rj 、C(O)-ORi 、C(O)-Ri 、NRi Rj 、NRi -C(O)Rj 、C(O)-NRi Rj 、N[C(O)Ri ][C(O)Rj ]、SRi 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及NO2 ， 其中 RSiv 、RSiw 、RSix 彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、苯基及O-Si(CH3 )3 ， Ri 及Rj 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C3-20 -烯基、C3- 20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基， 其中 C1-20 -烷基、C3-20 -烯基及C3-20 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORk 、OC(O)-Rl 、C(O)-ORk 、C(O)-Rk 、NRk Rl 、NRk -C(O)Rl 、C(O)-NRk Rl 、N[C(O)Rk ][C(O)Rl ]、SRk 、鹵素、CN及NO2 ； C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORk 、OC(O)-Rl 、C(O)-ORk 、C(O)-Rk 、NRk Rl 、NRk -C(O)Rl 、C(O)-NRk Rl 、N[C(O)Rk ][C(O)Rl ]、SRk 、鹵素、CN及NO2 ； C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、5至10員雜芳基、ORk 、OC(O)-Rl 、C(O)-ORk 、C(O)-Rk 、NRk Rl 、NRk -C(O)Rl 、C(O)-NRk Rl 、N[C(O)Rk ][C(O)Rl ]、SRk 、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rk 及Rl 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10 -烷基、C3-10 -烯基及C3-10 -炔基， 其中 C1-10 -烷基、C3-10 -烯基及C3-10 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 。 在一些其他實施例中，L1 及L2 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：C6 -C30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基， 及
Figure 02_image137
， 其中 C6 -C30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基可經一至六個取代基R3 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2- 30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基、OR31 、OC(O)-R31 、C(O)-OR31 、C(O)-R31 、NR31 R32 、NR31 -C(O)R32 、C(O)-NR31 R32 、SR31 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及OH，且 其中
Figure 02_image139
可經一或兩個取代基R4 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41 、C(O)-NR41 R42 、C(O)-OR41 及CN， 其中 R31 、R32 、R41 及R42 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-30 -烯基、C2-30 -炔基、C5-12 -環烷基、C6-18 -芳基及5至20員雜芳基，且 其中 C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基可經一至十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORi 、OC(O)-Rj 、C(O)-ORi 、C(O)-Ri 、NRi Rj 、NRi -C(O)Rj 、C(O)-NRi Rj 、N[C(O)Ri ][C(O)Rj ]、SRi 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及NO2 ；且C1-30 -烷基、C2-30 -烯基及C2-30 -炔基之至少兩個CH2 基團(但非毗鄰CH2 基團)可由O或S替代， C5-12 -環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基、5至14員雜芳基、ORi 、OC(O)-Rj 、C(O)-ORi 、C(O)-Ri 、NRi Rj 、NRi -C(O)Rj 、C(O)-NRi Rj 、N[C(O)Ri ][C(O)Rj ]、SRi 、鹵素、CN、SiRSiv RSiw RSix 及NO2 ；且C5-12 -環烷基之一或兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O、S、OC(O)、CO、NRi 或NRi -CO。 較佳地，L1 及L2 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：C6-30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基， 及
Figure 02_image141
， 其中C6-30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基選自由以下組成之群：
Figure 02_image143
Figure 02_image145
Figure 02_image147
Figure 02_image149
及
Figure 02_image151
Figure 02_image153
Figure 02_image155
其中 R104 及R105 獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H或C1-20 -烷基及C6-14 -芳基， 其中 C1-20 -烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：ORs 及鹵素； C6-14 -芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、ORs 及鹵素； 其中 Rs 獨立地選自由以下組成之群：H及C1-10 -烷基， R1 在每次出現時選自由以下組成之群：C1-36 -烷基、C3-36 -烯基及C3- 36 -炔基， 其中 C1-36 -烷基、C3-36 -烯基及C3-36 -炔基可經1至20個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORa 、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素及CN；且C1-36 -烷基、C2-36 -烯基及C2-36 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， 其中 Ra 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C3-20 -烯基、C3-20 -炔基、C5-6 -環烷基及C6-10 -芳基 RSia 、RSib 及RSic 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSid RSie ]o -RSif 其中 o係1至50之整數， RSid 、RSie 、RSif 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSig RSih ]p -RSii ， 其中 p係1至50之整數。 RSig 、RSih 、RSii 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、O-Si(CH3 )3 ， C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素及CN， 其中 C6-30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基可經一至六個取代基R3 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C1-30 -烷氧基、CN及鹵素，且 其中
Figure 02_image157
可經一或兩個取代基R4 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C(O)-R41 、C(O)-OR41 及CN， 其中 R41 在每次出現時為C1-30 -烷基。 更佳地，L1 及L2 彼此獨立地且在每次出現時為C6-30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基 及
Figure 02_image159
其中C6-30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基選自由以下組成之群：
Figure 02_image161
及
Figure 02_image163
Figure 02_image165
其中 R104 及R105 獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H及C1-20 -烷基， X’為O、S或Se，較佳地S或Se，尤佳S。 R1 獨立地且在每次出現時為C1-36 -烷基， 其中 5至30員伸雜芳基可經一至六個取代基R3 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C1-30 -烷氧基、CN及鹵素。 其中
Figure 02_image167
係未經取代的。 具體而言，L1 及L2 彼此獨立地且在每次出現時為C6-30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基 及
Figure 02_image169
其中C6-30 -伸芳基及5至30員伸雜芳基選自由以下組成之群：
Figure 02_image171
其中 5至30員伸雜芳基係未經取代的， X’為O、S或Se，較佳地S或Se，尤佳S。 R1 獨立地且在每次出現時為基團C1-36 -烷基。 在包含至少一個式(1 )或(1’ )單元之甚至更佳聚合物中， R1 在每次出現時選自由以下組成之群：C1-36 -烷基、C2-36 -烯基及C2- 36 -炔基， 其中 C1-36 -烷基、C2-36 -烯基及C2-36 -炔基可經1至20個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORa 、SRa 、Si(RSia )(RSib )(RSic )、-O-Si(RSia )(RSib )(RSic )、鹵素及CN；且C1-36 -烷基、C2-36 -烯基及C2-36 -炔基之至少兩個CH2 基團但非毗鄰的CH2 基團可由以下替代：O或S， 其中 Ra 及Rb 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基及C6-10 -芳基 RSia 、RSib 及RSic 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSid RSie ]o -RSif 其中 o係1至50之整數， RSid 、RSie 、RSif 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、-[O-SiRSig RSih ]p -RSii ， 其中 p係1至50之整數， RSig 、RSih 、RSii 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、O-Si(CH3 )3 ， C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素及CN， R2 在每次出現時選自由以下組成之群：未經取代之氫、C1-30 -烷基及鹵素， n係0或1， m為0、1或2，且 L1 及L2 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：5至30員伸雜芳基 及
Figure 02_image173
， 其中5至30員伸雜芳基選自由以下組成之群：
Figure 02_image175
Figure 02_image177
Figure 02_image179
及
Figure 02_image181
其中 R104 及R105 獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-20 -烷基、C2-20 -烯基、C2-20 -炔基、C5-8 -環烷基、C6-14 -芳基及5至14員雜芳基，或若R104 及R105 附接至同一原子，則與其所附接之原子一起形成5至12員環系統， 其中 C1-20 -烷基、C2-20 -烯基及C2-20 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； C5-8 -環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； C6-14 -芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6- 10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； 5至12員環系統可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10 -烷基、C2-10 -烯基、C2-10 -炔基、C5-6 -環烷基、C6-10 -芳基、5至10員雜芳基、ORs 、OC(O)-Rt 、C(O)-ORs 、C(O)-Rs 、NRs Rt 、NRs -C(O)Rt 、C(O)-NRs Rt 、N[C(O)Rs ][C(O)Rt ]、SRs 、鹵素、CN及NO2 ； 其中 Rs 及Rt 獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2- 10 -炔基， 其中 C1-10 -烷基、C2-10 -烯基及C2-10 -炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2 ， 其中 5至30員伸雜芳基可經一至六個取代基R3 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基及鹵素，且 其中
Figure 02_image183
可經一或兩個取代基R4 取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30 -烷基、C(O)-R41 、C(O)-OR41 及CN， 其中 R41 在每次出現時為C1-30 -烷基。 在包含至少一個式(1 )或(1’ )單元之最佳聚合物中 R1 在每次出現時為未經取代之C1-36 -烷基， R2 係氫， n為0， m為0、1或2，且 L1 及L2 彼此獨立地且在每次出現時為5至30員伸雜芳基， 其中5至30員伸雜芳基選自由以下組成之群：
Figure 02_image185
及
Figure 02_image187
其中 5至30員伸雜芳基可經R3 、尤其經氟取代。 在其他較佳實施例中，L1 及L2 選自
Figure 02_image189
及
Figure 02_image191
其中 R1 在每次出現時為未經取代之C1-36 -烷基， R3 及R4 為氫， n係0、1或2 m係0、1或2。 本發明之尤佳聚合物包含至少一個下式之單元：
Figure 02_image193
Figure 02_image195
Figure 02_image197
或
Figure 02_image199
其中包含至少一個式1a-1 之基團之聚合物尤佳，且 其中p係2至1000之整數 X、X’、Q、R、R2 、R2’ 、R2’’ 係如上文所定義； 在本發明之另一實施例中，尤佳聚合物包含至少一個下式之單元：
Figure 02_image201
Figure 02_image203
Figure 02_image205
其中包含至少一個式1b-1 之基團之聚合物尤佳，且 在本發明之再一實施例中，尤佳聚合物包含至少一個下式之單元：
Figure 02_image207
Figure 02_image209
Figure 02_image211
Figure 02_image213
Figure 02_image215
其中包含至少一個式1f-1 之基團之聚合物尤佳，且 其中p係2至1000之整數 X、X’、Q、R、R2 、R2’ 、R2’’ 係如上文所定義； p較佳為3至200，更佳地4至100且最佳5至50， R在每次出現時較佳為C1-36 -烷基， R2 、R2’ 及R2’’ 在每次出現時較佳為氫， Q在每次出現時較佳為碳， X在每次出現時較佳為S或Se，尤其S， X’在每次出現時較佳為S或Se，尤其S。 本發明之聚合物較佳具有1至10000 kDa之重量平均分子量(Mw )及1至10000 kDa之數目平均分子量(Mn )。本發明之聚合物更佳具有1至1000 kDa之重量平均分子量(Mw )及1至100 kDa之數目平均分子量(Mn )。本發明之聚合物甚至更佳具有5至1000 kDa之重量平均分子量(Mw )及5至100 kDa之數目平均分子量(Mn )。本發明之聚合物再更佳具有10至1000 kDa之重量平均分子量(Mw )及10至100 kDa之數目平均分子量(Mn )。本發明之聚合物最佳具有10至100kDa之重量平均分子量(Mw )及5至60 kDa之數目平均分子量(Mn )。重量平均分子量(Mw )及數目平均分子量(Mn )可藉由凝膠滲透層析(GPC)例如在80℃下使用氯苯或較佳在150℃下使用三氯苯作為溶析液及聚苯乙烯作為標準品來測定。 本發明之聚合物可藉由業內已知之方法、例如藉由Suzuki聚合、Stille聚合、Yamamoto聚合或直接雜芳基-聚合來製備。 本發明之聚合物較佳沿整個聚合物主鏈完全共軛。 例如，本發明聚合物包含至少一個式(1 )或(1’ )之單元，其中n係0，且其具有式(1-I )或(1-I’ )
Figure 02_image217
或
Figure 02_image219
其中 p、M1、M2、Q、X、R、R2 、R2’ 及L2 係如上文所定義， m係0、1、2、3或4， 可藉由以下來製備：使式(3 )或(3’ )化合物
Figure 02_image221
或 其中Z*在每次出現時為I、Br、Cl或O-S(O)2 CF3 ，且p、M1、M2、Q、X、R、R2 及R2’ 係如上文所定義， 與1莫耳當量之式(10 )化合物反應
Figure 02_image225
其中 L2 係如針對式(1-I )化合物所定義，且 Za 及Zb 獨立地選自由以下組成之群：B(OZ1 )(OZ2 )、SnZ1 Z2 Z3 、
Figure 02_image227
及
Figure 02_image229
其中Z1 、Z2 、Z3 、Z4 、Z5 及Z6 彼此獨立地且在每次出現時為H或C1-4 -烷基。 Z*在每次出現時較佳為I或Br，尤其Br。 Za 及Zb 較佳獨立地選自群SnZ1 Z2 Z3 或
Figure 02_image231
，尤其SnZ1 Z2 Z3 。 包含式(1-I )或(1-I’ )化合物之聚合物亦可以與化合物(4 )或(4’ )及(11 )類似之方式獲得，其中R、R2 、R2’ 、Q、X、L2 、Z*、Za 及Zb 之含義係如上文所定義：
Figure 02_image233
或
Figure 02_image235
例如，包含至少一個式(1 )或(1’ )之單元之本發明聚合物，其中n及m係0且其具有式(1-II )或(1-II’ )
Figure 02_image237
或
Figure 02_image239
其中 p、M1、M2、Q、X、R、R2 、R2’ 係如上文所定義， 例如可藉由以下來製備：使式(3 )或(3’ )化合物
Figure 02_image241
或 其中Z*在每次出現時為I、Br、Cl或O-S(O)2 CF3 ，且R、R2 及R2’ 係如上文所定義， 與式(4 )或(4’ )化合物反應
Figure 02_image245
其中 R、R2 及R2’ 係如針對式(1-II )化合物所定義，且 Za 及Zb 獨立地選自由以下組成之群：B(OZ1 )(OZ2 )、SnZ1 Z2 Z3 、
Figure 02_image247
及
Figure 02_image249
其中Z1 、Z2 、Z3 、Z4 、Z5 及Z6 彼此獨立地且在每次出現時係H或C1-4 -烷基。 Z*在每次出現時較佳為I或Br，尤其Br。 Za 及Zb 較佳獨立地選自群SnZ1 Z2 Z3 或
Figure 02_image251
，尤其SnZ1 Z2 Z3 。 當Za 及Zb 獨立地選自由以下組成之群時：B(OZ1 )(OZ2 )、
Figure 02_image253
及
Figure 02_image255
其中Z1 、Z2 、Z3 、Z4 、Z5 及Z6 彼此獨立地且在每次出現時為H或C1-4 -烷基， 該反應通常係在觸媒、較佳地Pd觸媒(例如Pd(P(Ph)3 )4 、Pd(OAc)2 及Pd2 (dba)3 )及鹼(例如K3 PO4 、Na2 CO3 、K2 CO3 、LiOH及NaOMe)存在下實施。端視Pd觸媒，該反應亦可能需要膦配體(例如P(Ph)3 、P(鄰甲苯基)3 及P(tert -Bu)3 )之存在。該反應亦通常在升高之溫度下、例如在40℃至250℃、較佳60℃至200℃範圍內之溫度下實施。該反應可在適宜溶劑(例如四氫呋喃、甲苯或氯苯)存在下實施。該反應通常在惰性氣體下實施。 當Za 及Zb 獨立地係SnZ1 Z2 Z3 時，其中Z1 、Z2 及Z3 彼此獨立地係C1-4 -烷基，該反應通常在觸媒、較佳地Pd觸媒(例如Pd(P(Ph)3 )4 及Pd2 (dba)3 )存在下實施。端視Pd觸媒，該反應亦可能需要膦配體(例如P(Ph)3 、P(鄰甲苯基)3 及P(tert -Bu)3 )之存在。該反應亦通常在升高之溫度下、例如在40℃至250℃、較佳60℃至200℃範圍內之溫度下實施。該反應可在適宜溶劑(例如甲苯或氯苯)存在下實施。該反應通常在惰性氣體下實施。 式(3 )或(3’ )化合物可自式(5 )或(5’ )化合物藉由業內已知之方法來製備。 例如，式(3 )或(3’ )化合物，其中
Figure 02_image257
或 其中Z*係I、Br、Cl或O-三氟甲磺酸酯，且R在每次出現時為C1-30 -烷基，R2 及R2’ 係氫 可藉由用Z*供體處理式(5 )或(5’ )之化合物來製備
Figure 02_image261
或
Figure 02_image263
其中R在每次出現時為C1-36 -烷基，R2 及R2’ 為氫。 Z*較佳為I或Br，尤其Br。 例如，當Z*係Br時，Z*供體可為N-溴琥珀醯亞胺。當使用N-溴琥珀醯亞胺作為Z*供體時，該反應可在0℃下在CHCl3 /乙酸作為溶劑存在下實施。 式(5 )化合物(其中Q係碳原子且M1係苯基環)例如可藉由繪示於方案1中之合成路徑來製備。R2 、R2’ 、X及R具有上文所定義之含義。
Figure 02_image265
方案1 R2 較佳係氫， R2’ 較佳係氫， X較佳為O、S或Se，更佳為S或Se，尤其S， R較佳為C1-36 -烷基。 式(3)、(3')、(4)、(4')、(5)及(5')之中間體亦係本發明之一部分：
Figure 02_image269
Figure 02_image271
其中 R2 、R2’ 、R2’’ 、X、Q、M1、M2、Za 、Zb 及R具有上文所定義之含義。 Z* 在每次出現時為I、Br、Cl或O-S(O)2 CF3 。 在式(3 )、(3’ )、(4 )、(4’ )、(5 )、(5’ )之較佳中間體中，在每次出現時 R2 及R2’ 係氫、未經取代之C1-30 -烷基或鹵素； X 係O、S或Se； Q 係碳原子； R 係氫、C1-36 -烷基、C2-36 -烯基、C2-36 -炔基、C5-12 -環烷基或苯基，較佳係C1-36 -烷基； Z* 在每次出現時係I或Br； Za 、Zb 係
Figure 02_image273
，其中Z1 -Z4 係甲基。 在式(3 )、(3’ )、(4 )、(4’ )、(5 )、(5’ )之更佳中間體中，在每次出現時 R2 及R2’ 係氫或鹵素； X 係S或Se； Q 係碳原子； R 係C1-36 -烷基， Z* 係I或Br； 在式(3 )、(3’ )、(4 )、(4’ )、(5 )、(5’ )之最佳中間體中，在每次出現時 R2 及R2’ 係氫， X 係S， Q 係碳原子； R 係C1-36 -烷基， Z* 係I或Br； 式(3 )之較佳中間體係
Figure 02_image275
其中 R在每次出現時為C1-36 -烷基， Hal在每次出現時獨立地為Br或I。 式(3 )之尤佳中間體係
Figure 02_image277
其中，R在每次出現時為C1-36 -烷基且R2 係氫。 式(4 )之較佳中間體係
Figure 02_image279
其中 R在每次出現時為C1-36 -烷基。 式(4 )之尤佳中間體係
Figure 02_image281
其中，R在每次出現時為C1-36 -烷基且R2 係氫。 式(5 )之較佳中間體係
Figure 02_image283
Figure 02_image285
其中 R在每次出現時為C1-36 -烷基。 式(5 )之尤佳中間體係
Figure 02_image287
其中，R在每次出現時為C1-36 -烷基且R2 係氫。 在本發明之另一實施例中，式(6 )之中間體較佳係
Figure 02_image289
其中 R在每次出現時為C1-36 -烷基 Z1 、Z2 及Z3 彼此獨立地係C1-4 -烷基。 式(6 )之尤佳中間體係
Figure 02_image291
包含本發明聚合物之電子裝置亦係本發明之一部分。 電子裝置可為有機光伏打裝置(OPV)、有機場效電晶體(OFET)、有機發光二極體(OLED)或有機光電二極體(OPD)。 較佳地，電子裝置係有機光伏打裝置(OPV)、有機場效電晶體(OFET)或有機光電二極體(OPD)。 更佳地，電子裝置係有機場效電晶體(OFET)。 通常，有機場效電晶體包含介電層、半導電層及基板。此外，有機場效電晶體通常包含閘極電極及源極電極/汲極電極。 較佳地，半導電層包含本發明之聚合物。半導電層可具有5 nm至500 nm、較佳地10 nm至100 nm、更佳地20 nm至50 nm之厚度。 介電層包含介電材料。介電材料可為二氧化矽或氧化鋁或有機聚合物(例如聚苯乙烯(PS)、聚(甲基丙烯酸甲酯) (PMMA)、聚(4-乙烯基苯酚) (PVP)、聚(乙烯醇) (PVA)、苯環丁烯(BCB)或聚醯亞胺(PI))。介電層可具有10 nm至2000 nm、較佳地50 nm至1000 nm、更佳地100 nm至800 nm之厚度。 介電層除介電材料以外亦可包含有機矽烷衍生物或有機磷酸衍生物之自組裝單層。有機矽烷衍生物之實例係辛基三氯矽烷。有機磷酸衍生物之實例係辛基癸基磷酸。介電層中所包含之自組裝單層通常與半導電層接觸。 源極/汲極電極可自任何適宜有機或無機源極/汲極材料製得。無機源極/汲極材料之實例係金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)以及包含該等金屬中之至少一者之合金。源極電極/汲極電極可具有1 nm至100 nm、較佳地20 nm至70 nm之厚度。 閘極電極可自任何適宜閘極材料(例如高摻雜矽、鋁(Al)、鎢(W)、氧化銦錫或金(Au)或包含該等金屬中之至少一者之合金)製得。閘極電極可具有1至200 nm、較佳5至100 nm之厚度。 基板可為任何適宜基板，例如玻璃或塑膠基板(例如聚醚碸、聚碳酸酯、聚碸、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及聚萘二甲酸乙二酯(PEN))。端視有機場效電晶體之設計，閘極電極(例如高摻雜矽)亦可用作基板。 有機場效電晶體可藉由業內已知之方法製備。 例如，底部閘極頂部接觸型有機場效電晶體可如下來製備：可藉由適宜沈積方法(例如原子層沈積或熱蒸發)將介電材料(例如Al2 O3 或二氧化矽)作為一個層施加於閘極電極(例如高摻雜之矽晶圓)上，該閘極電極亦用作基板。可將有機磷酸衍生物或有機矽烷衍生物之自組裝單層施加至介電材料層上。例如，可自溶液使用溶液沈積技術來施加有機磷酸衍生物或有機矽烷衍生物。可藉由在真空中將本發明之聚合物溶液沈積或熱蒸發於有機磷酸衍生物或有機矽烷衍生物之自組裝單層上來形成半導電層。可藉由經由陰影遮罩將適宜源極/汲極材料(例如鉭(Ta)及/或金(Au))沈積於半導電層上來形成源極/汲極電極。通道寬度(W)通常為10 μm至1000 μm且通道長度(L)通常為5 μm至500 μm。 例如，頂部閘極底部接觸型有機場效電晶體可如下來製備：可藉由在適宜基板(例如玻璃基板)上在光微影界定之電極上蒸發適宜源極/汲極材料(例如金(Au))來形成源極/汲極電極。可藉由(例如)旋塗將本發明之聚合物溶液沈積於源極/汲極電極上形成半導電層，隨後在升高之溫度下(例如在80℃至360℃範圍內之溫度下)使該層退火。在對半導電層進行淬火之後，可藉由(例如)旋塗將適宜介電材料(例如聚(甲基丙烯酸甲酯))之溶液施加於半導電層上來形成介電層。可在介電層上藉助陰影遮罩來蒸發適宜閘極材料(例如金(Au))之閘極電極。 本發明聚合物作為半導電材料之用途亦係本發明之一部分。 本發明之聚合物顯示高電荷載體遷移率。另外，本發明之聚合物顯示高穩定性、尤其高熱穩定性。此外，本發明之聚合物與液體處理技術相容。 本發明聚合物作為發光材料之用途亦係本發明之一部分。 本發明化合物作為發光材料之用途亦係本發明之一部分。 實例 合成部分之一般實驗細節 方法及材料：來自商業來源之所有試劑皆不經進一步純化即使用。乾燥溶劑並使用標準技術進行純化。通常在室溫下藉由NMR來表徵大多數化合物。使用Thermo Scientific - LTQ Velos Orbitrap MS以正性大氣壓光電離(+APPI)模式記錄高解析度質譜(HRMS)數據。在Varian Cary 100分光光度計中記錄UV-Vis光譜。在N2 下使用Bruker TGA-IR TG209F1以10℃/min之斜率實施熱重分析(TGA)。在DSC-204F1-phoenix上運行差示掃描量熱法(DSC)。藉由在氯苯中在80℃下使用串聯之兩個PL混合B管柱及/或在三氯苯中在150℃下運行之Agilent Technologies 1200系列GPC來測定數量平均(Mn)及重量平均(Mw)分子量，且針對窄多分散性聚苯乙烯標準品進行校準。在矽膠上實施急速層析(FC)。在Biotage initiator V 2.3中實施微波實驗。 合成細節及表徵 方案S1：對應於式J-9 及 J-10 之中間體之合成
Figure 02_image293
實例1 1-溴-2-氯-4-(二溴甲基)-5-氟苯(J-2 )之合成： 將1-溴-2-氯-5-氟-4-甲苯(20.0g, 90mmol)、NBS(48.06g, 270mmol)及BPO(2.18g, 9mmol)溶解於1,2-二氯乙烷(250ml)中。在回流下攪拌直至起始材料耗盡(藉由GC-MS監測)，並用水淬滅並用乙酸乙酯萃取。收集有機相並經硫酸鎂乾燥、過濾並在真空下濃縮。經由在矽膠上利用1:1乙酸乙酯:己烷作為溶析液進行管柱層析來純化以得到褐色油狀物。產率：32.50g (95%)。1 H NMR (700 MHz, CDCl3 ) δ 7.91 (d, J = 7.1 Hz, 1H), 7.36 (d, J = 9.1 Hz, 1H), 6.80 (s, 1H)。 實例2 4-溴-5-氯-2-氟苯甲醛(J-3 )之合成： 將1-溴-2-氯-4-(二溴甲基)-5-氟苯(34.0g, 89.2mmol)溶解於甲酸(500ml)中並在回流下攪拌過夜。使其冷卻至室溫並倒入水中。收集所得固體，用水洗滌直至洗滌液不再為酸性並乾燥以得到白色固體。產率：15.32g (72%)。1 H NMR (700 MHz, CDCl3 ) δ 10.25 (s, 1H), 7.92 (d, J = 6.5 Hz, 1H), 7.53 (d, J = 9.2 Hz, 1H)。 實例3 6-溴-5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸乙酯(J-4 )之合成： 將4-溴-5-氯-2-氟苯甲醛(22.40g, 94.4mmol)溶解於DMSO (200ml)中。添加三乙胺(39.5ml, 283.2mmol)及氫硫乙酸乙酯(12.4ml, 113.2mmol)並在80℃下攪拌混合物。當起始材料完全消失時(藉由GC-MS監測)用水淬滅反應物並用乙酸乙酯萃取。收集有機相，經硫酸鎂乾燥，過濾並在真空下濃縮。藉由在矽膠上利用5:1己烷:二氯甲烷作為溶析液進行管柱層析來純化產物。得到黃色固體。產率：24.74g (82%)。1 H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.14 (s, 1 H), 7.96 (s, 1 H), 7.94 (s, 1 H), 4.43 (q, 2 H), 1.44 (t, 3H)。 實例4 6,6'-(2,5-二甲基-1,4-伸苯基)雙(5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸二乙酯) (J-5 )之合成： 將6-溴-5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸乙酯(2g, 6.29mmol)、2,2’-(2,5-二甲基-1,4-伸苯基)雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼烷) (0.90g, 2.52mmol)溶解於50 mL燒瓶中之甲苯/H2 O (15 mL / 3mL)中並用氬脫氣，然後將Pd2 (dba)3 (0.09 g, 0.25mmol)、(o-tol)3 P (0.09g, 0.76 mmol)、K3 PO4 (8.01g, 37.74 mmol)及2滴aliquat添加至混合物中並再次用氬脫氣。使混合物經受回流並保持24 h。在冷卻至室溫之後，用氯仿萃取反應混合物，並收集有機相且然後使其快速穿過短矽膠管柱且然後自氯仿/甲醇再結晶，得到白色固體。產率：1.06g (72%)。1 H NMR (500 MHz, CDCl3 ) δ 8.05 (s, 2H), 8.01 (d, J = 1.9 Hz, 2H), 7.86及7.77 (2 s (旋轉異構物), 2H), 7.12 (s, 2H), 4.45 (q, 4H), 2.15 (s, 6H), 1.45 (t, J = 7.2 Hz, 6H)。 實例5 6,6’-(2,5-二甲基-1,4-伸苯基)雙(5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸) (J-6 )之合成： 將6,6’-(2,5-二甲基-1,4-伸苯基)雙(5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸二乙酯) (10 g, 17.14 mmol)溶解於熱乙醇(300 mL)中並添加於水(80 mL)中之氫氧化鉀(9.62 g, 171.4 mmol)。將懸浮液在回流下加熱過夜。在稍微冷卻後，逐份添加6 N HCl (60 mL)。過濾殘餘固體，用水洗滌並乾燥以得到灰白色固體。產率：9.04g (98%)。1 H NMR (700 MHz, DMSO) δ 13.68 (s, 2H), 8.25 (d, J = 1.9 Hz, 2H), 8.13 (d, J = 2.1 Hz, 2H), 8.11及8.07 (2 s (旋轉異構物), 2H), 2.06 (s, 6H)。 實例6 6,6’-(2,5-二甲基-1,4-伸苯基)雙(5-氯苯并[b]噻吩) (J-7 )之合成： 將6,6’-(2,5-二甲基-1,4-伸苯基)雙(5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸) (8 g, 15.21 mmol)及銅粉末(2.24 g, 35 mmol)懸浮於喹啉(120 mL)中並在185℃下加熱過夜。在冷卻至室溫之後，過濾混合物並用氯仿洗滌固體並用2 N HCl將合併之有機溶液洗滌兩次。藉由在二氧化矽上用氯仿/己烷層析來純化殘餘物，以得到白色固體。產率：5.53g (83%)。1 H NMR (700 MHz, DMSO, 80℃) δ 8.10 (s, 2H), 8.02及7.98 (2 s (旋轉異構物), 2H), 7.85 (d, J = 5.3 Hz, 2H), 7.48 (d, J = 5.3 Hz, 2H), 7.13 (s, 2H), 2.07 (s, 6H)。 實例7(J-8) 之合成： 用氮將50 mL燒瓶中6,6’-(2,5-二甲基-1,4-伸苯基)雙(5-氯苯并[b]噻吩) (1 g, 2.28 mmol)、Pd(OAc)2 (0.15 g, 0.228 mmol)、IPr·HCl (0.19 g, 0.456 mmol)、K2 CO3 (1.26 g, 9.12 mmol)及NMP (25 mL)之混合物吹掃5 min。然後將混合物在油浴中在170℃下保持過夜。在冷卻至室溫後，用氯仿萃取溶液並用水洗滌。在減壓下去除有機相之溶劑。使殘餘物經受矽膠上利用己烷/氯仿溶析之層析，以得到白色固體。產率：0.69g (83%)。1 H NMR (700 MHz, DMSO) δ 8.51 (s, 2H), 8.15 (s, 2H), 8.05 (s, 2H), 7.70 (d, J = 5.3 Hz, 2H), 7.46 (d, J = 5.3 Hz, 2H), 4.10 (s, 4H)。 實例8 化合物(J-9 )之合成： 以份形式向化合物8 (1 g, 2.73 mmol)於無水DMSO (50 ml)中之懸浮液中添加第三丁醇鈉(2.63 g, 27.3 mmol)。將反應混合物在80℃下加熱1 h，隨後逐滴添加1-溴十六烷(5 g, 16.38 mmol)。在完成添加之後，將所得混合物在85℃下加熱12h。在冷卻至室溫後，添加水以淬滅反應，然後用二氯甲烷萃取溶液並用水洗滌。在減壓下去除有機相之溶劑。使殘餘物經受矽膠上利用己烷溶析之層析，以得到淺黃色固體。產率：3.45g (81%)。1 H NMR (700 MHz, CD2 Cl2 ) δ 8.24 (s, 2H), 7.79 (s, 2H), 7.75 (s, 2H), 7.46 (d, J = 5.3 Hz, 2H), 7.39 (d, J = 5.3 Hz, 2H), 2.13-2.11 (m, 8H), 0.96-1.36 (m, 104H), 0.90-0.86 (m, 12H), 0.83-0.69 (m, 8H)。 實例9 化合物(J-10 )之合成： 以份形式向化合物8 (1 g, 2.73 mmol)於無水DMSO (50 ml)中之懸浮液中添加第三丁醇鈉(2.63 g, 27.3 mmol)。將反應混合物在80℃下加熱1 h，隨後逐滴添加2-乙基己基溴(3.16 g, 16.38 mmol)。在完成添加後，將所得混合物在85℃下加熱12h。在冷卻至室溫後，添加水以淬滅反應，然後用二氯甲烷萃取溶液並用水洗滌。在減壓下去除有機相之溶劑。使殘餘物經受矽膠上利用己烷溶析之層析以得到淺黃色固體。產率：2.23g (71%)。1 H NMR (700 MHz, CD2 Cl2 ) δ 8.20 (s, 2H), 7.78 - 7.75 (m, 2H), 7.74 (d, J = 3.1 Hz, 2H), 7.41 (d, J = 5.3 Hz, 2H), 7.36 - 7.33 (d, 2H), 2.18 - 1.95 (m, 8H), 1.02-0.41 (m, 60H)。 方案S2：自中間體J-9 開始合成聚合物P-1 至P-4 ：
Figure 02_image295
Figure 02_image297
方案S3：自中間體J-10 開始合成聚合物P-5 至P-8 ：
Figure 02_image299
Figure 02_image301
所使用的二-溴-共單體可自市面購得：
Figure 02_image303
實例10 中間體(J-11 )之合成： 將化合物J -9 (1 g, 0.79 mmol)於無水THF (30 ml)中之懸浮液冷卻至-78℃，然後逐滴添加nBuLi (2.73 mmol)。將反應混合物在-78℃下攪拌1 h，然後使溫度升高至室溫且再次冷卻至-10℃，隨後逐滴添加Me3 SnCl (2.73 mmol)。在完成添加之後，使所得混合物緩慢升溫至室溫並攪拌過夜。添加水以淬滅反應，然後用乙酸乙酯萃取溶液並濃縮。使混合物經受Al2 O3 上用己烷溶析之層析以得到淺黃色油狀J-11 。產率：1.09g (87%)。1 H NMR (500 MHz, CD2 Cl2 ) δ 8.23 (s, 2H), 7.76 (s, 2H), 7.73 (s, 2H), 7.45 (s, 2H), 2.13-2.11 (m, 8H), 0.96-1.36 (m, 104H), 0.90-0.86 (m, 12H), 0.83-0.69 (m, 8H), 0.44 (t, 18H)。 實例11 中間體(J-12 )之合成： 将化合物J-10 (0.64 g, 0.79 mmol)於無水THF (30 ml)中之懸浮液冷卻至-78℃，然後逐滴添加nBuLi (2.73 mmol)。將反應混合物在-78℃下攪拌1 h，然後使溫度升高至室溫且再次冷卻至-10℃，隨後逐滴添加Me3 SnCl (2.73 mmol)。在完成添加之後，使所得混合物緩慢升溫至室溫並攪拌過夜。添加水以淬滅反應，然後用乙酸乙酯萃取溶液並濃縮。使混合物經受Al2 O3 上用己烷溶析之層析，以得到淺黃色固體。產率：0.77g (85%)。1 H NMR (500 MHz, CD2 Cl2 ) δ 8.24 (s, 2H), 7.77 (s, 2H), 7.75 (s, 2H), 7.48 (s, 2H), 2.13-1.36 (m, 8H), 0.90-0.69 (m, 60H), 0.44 (t, 18H)。 實例12 - 19 聚合物P-1 至P-8 之合成： 用雙(三甲基錫烷基)單體J-10 或J-12 (0.233 mmol)、1當量二溴化單體(相應(氟化)苯并噻二唑或噻吩并噻吩)、2 mol%參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)及8 mol%三(鄰甲苯基)膦裝填2.5 mL微波小瓶。密封小瓶並添加氯苯(1 mL)。用氬將所獲得溶液脫氣30分鐘。使小瓶在微波反應器中經受以下反應條件：在100℃下2分鐘、在120℃下2分鐘、在140℃下5分鐘、在160℃下5分鐘及在180℃下40分鐘。藉由添加0.1當量2-溴噻吩對聚合物進行封端，之後使反應混合物重新提交至微波反應器，在100℃下1分鐘、在120℃下1分鐘、在140℃下2分鐘且在160℃下5分鐘。使聚合物溶液冷卻且藉由注射器添加0.1當量2-(三甲基錫烷基)噻吩。使反應小瓶經受先前提及之溫度方案以完成封端反應。在反應後，使粗製聚合物在甲醇中沈澱，且然後藉由索氏萃取(Soxhlet extraction)利用丙酮、己烷及氯仿(各24小時)進行進一步純化。藉由在50℃下在劇烈攪拌下用二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液將聚合物氯仿溶液處理2小時去除剩餘的鈀殘餘物。之後，使有機相與水相分離並用水洗滌若干次。在減壓下濃縮聚合物溶液並沈澱至冷甲醇中。過濾出聚合物並在高真空下乾燥至少24小時。聚合物 P-1 ：1 H NMR (500 MHz, CDCl3 ) δ 8.73 (br, 2H), 8.27 (br, 2H), 8.03 (br, 2H), 7.88 (br, 2H), 7.76 (br, 2H), 2.13-2.11 (br, 8H), 0.96-1.36 (br, 104H), 0.90-0.86 (br, 12H), 0.83-0.69 (br, 8H)；聚合物 P-2 ：1 H NMR (500 MHz, CDCl3 ) δ 8.77 (br, 2H), 8.71 (br, 2H), 8.28 (br, 3H), 7.90 (br, 2H), 7.77 (br, 2H), 2.13-2.11 (br, 8H), 0.96-1.36 (br, 104H), 0.90-0.86 (br, 12H), 0.83-0.69 (br, 8H)；聚合物 P-3 ：1 H NMR (500 MHz, CDCl3 ) δ 8.75 (br, 2H), 8.32 (br, 2H), 7.93 (br, 2H), 7.79 (br, 2H), 2.13-2.11 (br, 8H), 0.96-1.36 (br, 104H), 0.90-0.86 (br, 12H), 0.83-0.69 (br, 8H)；聚合物 P-4 ：1 H NMR (500 MHz, CDCl3 ) δ 8.14 (br, 2H), 7.69 (br, 4H), 7.49 (br, 2H), 7.46 (br, 2H), 2.13-2.11 (br, 8H), 0.96-1.36 (br, 104H), 0.90-0.86 (br, 12H), 0.83-0.69 (br, 8H)；聚合物 P-5 ：1 H NMR (500 MHz, CDCl3 ) δ 8.74 (br, 2H), 8.27 (br, 2H), 8.02 (br, 2H), 7.86 (br, 2H), 7.74 (br, 2H), 2.13-2.11 (br, 8H), 0.96-1.36 (br, 104H), 0.90-0.86 (br, 12H), 0.83-0.69 (br, 8H), 0.44-0.48 (br, 18H)；聚合物 P-6 ：1 H NMR (500 MHz, CDCl3 ) δ 8.76 (br, 2H), 8.73 (br, 2H), 8.25 (br, 3H), 7.93 (br, 2H), 7.77 (br, 2H), 2.13-2.11 (br, 8H), 0.96-1.36 (br, 104H), 0.90-0.86 (br, 12H), 0.83-0.69 (br, 8H), 0.44-0.48 (br, 18H)；聚合物 P-7 ：1 H NMR (500 MHz, CDCl3 ) δ 8.75 (br, 2H), 8.34 (br, 2H), 7.92 (br, 2H), 7.79 (br, 2H), 2.13-2.11 (br, 8H), 0.96-1.36 (br, 104H), 0.90-0.86 (br, 12H), 0.83-0.69 (br, 8H), 0.44-0.48 (br, 18H)；聚合物 P-8 ：1 H NMR (500 MHz, CDCl3 ) δ 7.95 (br, 2H), 7.83 (br, 2H), 7.71 (br, 2H), 7.40 (br, 2H), 7.23 (br, 2H), 2.13-2.11 (br, 8H), 0.96-1.36 (br, 104H), 0.90-0.86 (br, 12H), 0.83-0.69 (br, 8H), 0.44-0.48 (br, 18H)。 GPC數據：
Figure 106142815-A0304-0001
Figure 106142815-A0304-0002
 方案S4：對應於式J-18 之中間體之合成
Figure 02_image305
實例20 中間體(J-13 )之合成 中間體J-13 可商購[1197732-41-4] 或藉由文獻闡述之方法自1,4-二溴-2,3-二甲基-苯[75024-22-5] 獲得。 實例21 中間體(J-14 )之合成 將56.3 mmol (18.0 g)化合物J-4 、28.15 mmol (9.604 g)化合物J-13 、0.67 mmol (0.633 g)參-(二亞苄基丙酮)-二鈀(0) [51364-51-3] 及1.61 mmol (0.481 g)四氟硼酸三-第三丁基-鏻[131274-22-1] 添加至配備有溫度計、具有氬入口之回流冷凝器及隔膜之250 ml 3頸燒瓶中。將系統抽真空且用氬再填充兩次。然後將150 ml無水及脫氣四氫呋喃添加至反應燒瓶中。在50℃下溶解起始材料之後，添加83 mmol (18 g)磷酸鉀於3.8 ml水中之脫氣溶液並將反應混合物加熱至回流並攪拌4小時。使反應混合物冷卻至室溫過夜，其中產物沈澱。過濾反應混合物，用THF且然後用水洗滌且然後乾燥以得到粗製J-14 ，其直接用於下一步驟中。1 H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.06 (s, 2H), 8.02 (s, 2H), 7.86及7.79 (2 s (旋轉異構物), 2H), 7.13 (s, 2H), 4.45 (q, 4H), 2.13 (s, 6H), 1.46 (t, 6H)。 實例22 中間體(J-15 )之合成 將20 mmol (11.5 g)化合物J-14懸浮於300 ml乙醇中，且然後將5.5 g KOH於20 ml水中之溶液添加至懸浮液中。然後將懸浮液回流過夜。使懸浮液冷卻至室溫且然後倒入4 M HCl中。過濾沈澱物並用水充分洗滌且然後乾燥以得到粗製J-15，其直接用於下一步驟中。1 H NMR (400 MHz, DMSO-D6 ) δ 8.28 (s, 2H), 8.15 (s, 2H), 8.10及8.06 (2 s (旋轉異構物), 2H), 7.13 (s, 2H), 2.06 (s, 6H)。 實例23 中間體(J-16 )之合成 將11.82 mmol (6.400 g)化合物J-15 懸浮於25 ml喹啉中。然後添加1.728 g銅粉末且將反應混合物在185℃下加熱8小時。使銅沉降至燒瓶之底部，並傾析溶液並用乙醇沈澱產物以得到粗製J-16 ，其直接用於下一步驟中。1 H NMR (400 MHz, DMSO-D6 ) δ 8.14 (s, 2H), 8.05及8.01 (2 s (旋轉異構物), 2H), 7.90 (d, 2H), 7.51 (d, 2H), 7.11 (s, 2H), 2.06 (s, 6H)。 實例24 中間體(J-17 )之合成 將7.282 mmol (3.20 g)化合物J-16 、29.129 mmol (4.066 g)碳酸鉀、0.728 mmol (0.163 g)乙酸鈀(II)及1.456 mmol (0.619 g) 1,3-雙(2、6-二異丙基苯基)氯化咪唑鎓[250285-32-6] 裝載至配備有溫度計、具有氬入口之回流冷凝器及隔膜之50 ml 3頸燒瓶中。然後在氮下添加20 ml無水N-甲基吡咯啶酮並將反應混合物在170℃下攪拌7小時。然後使混合物冷卻至室溫並添加水。過濾沈澱物並用水洗滌且然後乾燥以得到粗製J-17 ，其直接用於下一步驟中。產物溶解性太差而不能量測NMR。 實例25 中間體(J-18 )之合成 將3.82 mmol (1.46 g)化合物J-17 懸浮於20 ml無水二甲亞碸中。然後在氮下添加38 mmol (3.67 g)第三丁醇鈉。將反應混合物加熱至85℃並保持1小時。然後經2小時之時段添加23 mmol (8.075 g) 1-碘十六烷於5ml二甲亞碸中之溶液。將反應混合物在85℃下攪拌過夜。使混合物冷卻至室溫並添加水。然後用庚烷萃取混合物。使用水洗滌庚烷溶液並經MgSO4 乾燥，且然後蒸發溶劑。藉由矽膠上之管柱層析純化產物。然後使產物自乙酸乙酯再結晶以得到化合物J-18 。1 H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.18 (s, 2H), 7.85 (s, 2H), 7.69 (s, 2H), 7.44 (d, 2H), 7.39 (d, 2H), 2.46 (br t, 4H), 2.10 (br t, 4H), 1.35-1.02 (m, 104H), 0.90 (t, 12H), 0.62-0.58 (br, 8H)。 方案S5：自中間體J-18 開始合成聚合物P-9 ：
Figure 02_image307
實例26 中間體(J-19 )之合成 將0.791 mmol (1.0 g)化合物J-18 添加至配備有溫度計、具有氬入口之回流冷凝器及隔膜之100ml 3頸燒瓶中。將系統抽真空並用氬再填充兩次。然後將50 ml無水及脫氣之四氫呋喃添加至反應燒瓶中。在起始材料溶解之後，使溫度降低至-78℃。然後經由注射器緩慢添加2.689 mmol (0.996 ml) 2.7M於庚烷中之正丁基鋰溶液。在攪拌15分鐘後，使反應混合物達到室溫並保持1小時。然後使溫度降低至-20℃並經由注射器添加2.689 mmol (2.689 ml) 1M三甲基氯化錫溶液(於己烷中)。然後在室溫下將該反應混合物攪拌過夜。藉由添加水淬滅反應且用乙酸乙酯萃取產物。將有機相經MgSO4 乾燥並蒸發。使殘餘物自乙酸乙酯再結晶且然後自庚烷再結晶以得到400 mg化合物J-19 。1 H NMR (400 MHz, CD2 Cl2 ) δ 8.21 (s, 2H), 7.88 (s, 2H), 7.73 (s, 2H), 7.50 (s, 2H), 2.50 (br t, 4H), 2.13 (br t, 4H), 1.35-1.04 (m, 104H), 0.90 (t, 12H), 0.64-0.55 (br, 8H), 0.49 (t, 18H)。 實例27 聚合物(P-9 )之合成 將0.019 mmol (30.2 mg)化合物J-19 及0.019 mmol (5.6 mg) 4,7-二溴-苯并[c]-1,2,5-噻二唑[15155-41-6] 、0.001 mmol (0.9 mg)參-(二亞苄基丙酮)-二鈀(0) [ 51364-51-3] 及0.004 mmol (1.2 mg)三-(鄰甲苯基)-膦[6163-58-2] 裝填至配備有溫度計、具有氬入口之回流冷凝器及隔膜之10 ml 3頸燒瓶中。將系統抽真空並用氬再填充五次。經由注射器添加2 ml脫氣氯苯。然後使反應混合物回流22小時。反應混合物變成深紅色。將反應混合物添加至20 ml丙酮中，其中聚合物沈澱。過濾聚合物並用丙酮洗滌殘餘物。將聚合物吸收至甲苯中並與二乙基-二硫代胺基甲酸鈉水溶液一起回流3小時以去除Pd殘餘物。使溶液冷卻至室溫，分離各相並用去離子水將有機相洗滌兩次。將甲苯相添加至丙酮中以使聚合物再次沈澱。過濾後，將聚合物添加至索氏套管中並首先用丙酮、然後己烷且最後用甲苯萃取。丙酮餾分不含聚合物。將己烷及甲苯餾分添加至丙酮中，其中聚合物沈澱。己烷餾分得到22 mg聚合物P-9 (GPC數據(三氯苯，150℃)：Mw 32’665 PDI 2.21)，且甲苯餾分得到7 mg聚合物P-9 。 方案S6：對應於式J-25 之中間體之合成
Figure 02_image309
實例28 中間體(J-20 )之合成 將64 mmol (10.0 g) 2,6-二甲基萘溶解於100 ml二氯甲烷中並添加20 mg碘。在21℃下經7小時逐滴添加139 mmol (22.21 g)溴。然後將混合物在室溫下攪拌過夜。用硫代硫酸鈉水溶液及水洗滌有機相，乾燥並蒸發。使粗產物自乙醇再結晶以得到化合物J-20 。1 H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.22 (d, 2H), 7.44 (d, 2H), 2.65 (s, 6H)。 實例29 中間體(J-21 )之合成 將33.4 mmol (10.50 g)化合物J-20 、94.5 mmol (24.00g)雙(頻哪醇)二硼[73183-34-3] 、268 mmol (26.52 g)乙酸鉀及2.006 mmol (1.47 g) Pd(dppf)Cl2 [72287-26-4] 置於配備有溫度計、具有氬入口之回流冷凝器及隔膜之250 ml 3頸燒瓶中。將系統抽真空並用氬再填充5次。經由注射器添加80 ml脫氣之二甲基甲醯胺。然後加熱反應混合物並在110℃下攪拌48小時。使混合物冷卻至室溫，並添加水並用庚烷萃取產物。乾燥有機相並蒸發。使產物自異丙醇再結晶以得到化合物J-21 。1 H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.03 (d, 2H), 7.27 (d, 2H), 2.60 (s, 6H), 1.49 (s, 24H)。 實例30 中間體(J-22 )之合成 根據實例21中所闡述之化合物J-14 自化合物J-4 及J-21 合成中間體J-22 。1 H NMR (300 MHz, DMSO-D6 ) δ 8.41 (s, 2H), 8.29 (s, 2H), 8.18及8.09 (2 s (旋轉異構物), 2H), 7.40 (d, 2H), 7.12 (d, 2H), 4.40 (q, 4H), 2.10 (s, 6H), 1.37 (t, 6H)。 實例31 中間體(J-23 )之合成 根據實例22中闡述之化合物J-15 自化合物J-22 合成中間體J-23 。1 H NMR (300 MHz, DMSO-D6 ) δ 8.40 (s, 2H), 8.21 (s, 2H), 8.08 (s, 2H), 7.39 (d, 2H), 7.13 (d, 2H), 2.12 (s, 6H)。 實例32 中間體(J-24 )之合成 根據實例23中闡述之化合物J-16 自化合物J-23 合成中間體J-24 。1 H NMR (300 MHz, DMSO-D6 ) δ 8.25 (s, 2H), 8.09及8.00 (2 s (旋轉異構物), 2H), 7.94 (d, 2H), 7.57 (d, 2H), 7.37 (d, 2H), 7.13 (d, 2H), 2.12 (s, 6H)。 實例33 中間體(J-25 )之合成 根據實例24中闡述之化合物J-17 自化合物J-24 合成中間體J-25 。1 H NMR (400 MHz, DMSO-D6 ) δ 9.23 (s, 2H), 9.02 (d, 2H), 8.16 (s, 2H), 7.99 (d, 2H), 7.81 (d, 2H), 7.52 (d, 2H), 4.24 (s, 4H)。 實例34 中間體(J-26 )之合成 根據實例25中闡述之化合物J-18 自化合物J-25 合成中間體J-26 。1 H NMR (300 MHz, CDCl3 ) δ 8.89 (d, 2H), 8.87 (s, 2H), 7.86 (s, 2H), 7.73 (d, 2H), 7.50 (d, 2H), 7.42 (d, 2H), 2.19-2.11 (br, 8H), 1.35-0-95 (m, 104H), 0.89 (t, 12H), 0.75-0.60 (br, 8H)。 方案S7：自中間體J-26 開始合成聚合物P-10 ：
Figure 02_image311
實例35 中間體(J-27 )之合成 自化合物J-26 根據實例26中闡述之化合物J-19 合成中間體J-27 。1 H NMR (300 MHz, CDCl3 ) δ 8.89 (d, 2H), 8.87 (s, 2H), 7.85 (s, 2H), 7.73 (d, 2H), 7.51 (s, 2H), 2.19-2.11 (br, 8H), 1.50-1.00 (m, 104H), 0.90 (t, 12H), 0.73-0.62 (br, 8H), 0.49 (t, 18H)。 實例36 聚合物(P-10 )之合成 根據實例27中闡述之聚合物P-9 自0.274 mmol (449 mg)化合物J-27 及0.274 mmol (80.5 mg) 4,7-二溴-苯并[c]-1,2,5-噻二唑[15155-41-6] 合成聚合物P-10 。索氏萃取自己烷餾分得到79mg聚合物P-10 (GPC數據(三氯苯、150℃)：Mw 27’139，PDI 2.23)且自甲苯餾分得到257 mg聚合物P-10 (GPC數據(三氯苯，150℃)：Mw 78’162，PDI 2.28)。 實例37 經由直接雜芳基化聚合合成聚合物P-11 (結構與上述聚合物P-1 相同)
Figure 02_image313
將0.032 mmol (40 mg)化合物J-9 及0.032 mmol (12 mg) 4,7-二溴-苯并[c]-1,2,5-噻二唑[15155-41-6] 連同10% Pd (Herrmann)觸酶及15%三(鄰甲氧基-苯基)膦、2當量特戊酸、3當量碳酸鉀及2 ml二甲基乙醯胺一起置於小瓶中並利用氬脫氣。然後加熱反應混合物並在140℃下劇烈攪拌48小時。用水沈澱聚合物P-11 ，過濾並用水洗滌。然後純化聚合物並類似於上述實驗12-19進行分餾。氯仿餾分得到具有以下GPC數據(氯苯在80℃下)之聚合物P-11 ：Mw 52’300，PDI 1.41。 應用實例A-1 至A-4 基於聚合物P-1 、P-2 、P-3 及P-4 之有機場效電晶體(OFET)之製作及電表徵 將聚合物以0.75 wt%之濃度溶解於二氯苯中。根據以下程序自每一調配物製作後觸點、頂部閘極FET：使用具有用作FET之源極及汲極觸點之微影預圖案化之金觸點之PEN-基板作為基板。藉由標準刮刀塗佈機塗佈100 µl調配物，在整個基板上方得到均勻的半導體層。在完成塗佈之後，將基板立即轉移至預加熱之熱板中且在90℃下加熱30 s。接下來，將溶解於PGMEA中之由4 wt%聚苯乙烯組成之閘極介電層旋塗於有機半導體之頂部上(2500 rpm，30 s)。在旋塗該電介質之後，將基板再次轉移至熱板且在90℃下再退火5 Min。介電層之厚度為420 nm (藉由輪廓儀量測)。最後，藉由真空蒸發沈積50 nm厚、陰影遮罩圖案化之金閘極電極以完成呈BCTG構形之FET。 自飽和區中之轉移特徵曲線(灰色實線曲線)之根表示來計算遷移率m。斜率m係自各別轉移特徵中之黑色虛線測定。將黑色虛線擬合至汲極電流ID之平方根表示之區，使得獲得與根表示之線性斜率之良好相關性。 可自黑色虛線與X軸部分之交叉點(VGS )獲取臨限電壓UTh 。 為計算OFET之電性質，採用以下等式：
Figure 02_image315
其中ε0 係真空介電常數8.85 × 10-12 As/Vm。相對於聚苯乙烯εr = 2.6且d係電解質之厚度。寬度:長度比W/L為10。 以下遷移率、臨限電壓及開/關比係針對各別化合物獲得之平均值。參與平均值計算之TFT之數量在下表中給出：
Figure 106142815-A0304-0003
圖1顯示自聚合物P-1 製作之FET之代表性轉移特徵，其中VGS = 30 V至-30 V，步長為0.5 V，且VDS = -30 V。汲極電流(黑色實線曲線)、閘極電流(灰色虛線曲線)、汲極電流之平方根(灰色實線曲線)及平方根之擬合斜率(黑色虛線曲線)。 圖2顯示自聚合物P-2 製作之FET之代表性轉移特徵，其中VGS = 30 V至-30 V，步長為0.5 V，且VDS = -30 V。汲極電流(黑色實線曲線)、閘極電流(灰色虛線曲線)、汲極電流之平方根(灰色實線曲線)及平方根之擬合斜率(黑色虛線曲線)。 圖3顯示自聚合物P-3 製作之FET之代表性轉移特徵，其中VGS = 30 V至-30 V，步長為0.5 V，且VDS = -30 V。汲極電流(黑色實線曲線)、閘極電流(灰色虛線曲線)、汲極電流之平方根(灰色實線曲線)及平方根之擬合斜率(黑色虛線曲線)。 圖4顯示自聚合物P-4 製作之FET之代表性轉移特徵，其中VGS = 30 V至-30 V，步長為0.5 V，且VDS = -30 V。汲極電流(黑色實線曲線)、閘極電流(灰色虛線曲線)、汲極電流之平方根(灰色實線曲線)及平方根之擬合斜率(黑色虛線曲線)。
Figure 106142815-A0101-11-6

Claims (11)

  1. 一種聚合物，其包含至少一個下式之單元：
    Figure 106142815-A0305-02-0121-1
    Figure 106142815-A0305-02-0121-2
    Figure 106142815-A0305-02-0121-3
    Figure 106142815-A0305-02-0122-4
    Figure 106142815-A0305-02-0122-5
    或
    Figure 106142815-A0305-02-0122-6
     其中，n為0、1、2、3或4；m為0、1、2、3或4；及X、Y為S；Q為C；R在每次出現時為未經取代的C1-50-烷基、未經取代的C3-50-烯基或未經取代的C3-50-炔基， R2、R2’及R2” 在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：氫、未經取代的C1-30-烷基及鹵素，L1及L2彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：C6-30-伸芳基、5至30員伸雜芳基、
    Figure 106142815-A0305-02-0123-11
    及
    Figure 106142815-A0305-02-0123-12
    ，其中C6-30-伸芳基及5至30員伸雜芳基可經一至六個取代基R3取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-環烷基、C6-18-芳基及5至20員雜芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、N[C(O)R31][C(O)R32]、SR31、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及OH，且其中
    Figure 106142815-A0305-02-0123-13
    及
    Figure 106142815-A0305-02-0123-14
    可經一或兩個取代基R4取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-環烷基、C6-18-芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41及CN，其中R31、R32、R41及R42彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-環烷基、C6-18-芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基可經一至十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、 ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基之至少兩個CH2基團但非毗鄰CH2基團可由O或S替代，C5-12-環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20-烷基、C2-20-烯基及C2-20-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C5-12-環烷基之一或兩個CH2基團但非毗鄰的CH2基團可由O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO替代，C6-18-芳基及5至20員雜芳基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2，其中RSiv、RSiw、RSix彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Ri及Rj獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基及5至14員雜芳基，其中C1-20-烷基、C2-20-烯基及C2-20-炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、ORk、 OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C5-8-環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C6-14-芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；其中Rk及Rl獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10-烷基、C2-10-烯基及C2-10-炔基，其中C1-10-烷基、C2-10-烯基及C2-10-炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2。
  2. 如請求項1之聚合物，其中R2、R2’及R2”在每次出現時係氫，及R在每次出現時係未經取代的C1-36-烷基。
  3. 如請求項1或2之聚合物，其中 L1及L2彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：C6-30-伸芳基及5至30員伸雜芳基 及
    Figure 106142815-A0305-02-0126-9
    ，其中C6-30-伸芳基及5至30員伸雜芳基可經一至六個取代基R3取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-環烷基、C6-18-芳基及5至20員雜芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及OH，且其中
    Figure 106142815-A0305-02-0126-10
     可經一或兩個取代基R4取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-環烷基、C6-18-芳基及5至20員雜芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R43、C(O)-OR41及CN，其中R31、R32、R41及R42彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-環烷基、C6-18-芳基及5至20員雜芳基，且其中C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基可經一至十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且 C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基之至少兩個CH2基團但非毗鄰CH2基團可由O或S替代，C5-12-環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20-烷基、C2-20-烯基及C2-20-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2；且C5-12-環烷基之一或兩個CH2基團但非毗鄰的CH2基團可由O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO替代，C6-18-芳基及5至20員雜芳基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、鹵素、CN、SiRSivRSiwRSix及NO2，其中RSiv、RSiw、RSix彼此獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-環烷基、苯基及O-Si(CH3)3，Ri及Rj獨立地選自由以下組成之群：H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基及5至14員雜芳基，其中C1-20-烷基、C2-20-烯基及C2-20-炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2； C5-8-環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；C6-14-芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、鹵素、CN及NO2；其中Rk及Rl獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10-烷基、C2-10-烯基及C2-10-炔基，其中C1-10-烷基、C2-10-烯基及C2-10-炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2。
  4. 如請求項3之聚合物，其中L1及L2彼此獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：C6-30-伸芳基及5至30員伸雜芳基 及
    Figure 106142815-A0305-02-0128-15
    ，其中C6-30-伸芳基及5至30員伸雜芳基係選自由以下組成之群：
    Figure 106142815-A0305-02-0129-16
    Figure 106142815-A0305-02-0130-17
    Figure 106142815-A0305-02-0131-18
     其中R1在每次出現時係選自由以下組成之群：H、C1-100-烷基、C2-100-烯基、C2-100-炔基、C5-12-環烷基、C6-18-芳基、5至20員雜芳基、C(O)-C1-100-烷基、C(O)-C5-12-環烷基及C(O)-OC1-100-烷基，其中C1-100-烷基、C2-100-烯基及C2-100-炔基可經一至四十個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O- Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素、CN及NO2；且C1-100-烷基、C2-100-烯基及C2-100-炔基之至少兩個CH2基團但非毗鄰CH2基團可由O或S替代，C5-12-環烷基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素、CN及NO2；且C5-12-環烷基之一或兩個CH2基團但非毗鄰的CH2基團可由O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO替代，C6-18-芳基及5至20員雜芳基可經一至六個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、鹵素、CN及NO2，其中Ra及Rb獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基及5至14員雜芳基，RSia、RSib及RSic獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60-烷基、O-C2-60-烯基、O-C2-60-炔基、O-C5-8-環烷基、O-C6-14-芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif、NR5R6、鹵素及O-C(O)-R5，其中o係1至50之整數， RSid、RSie、RSif獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基、5至14員雜芳基、O-C1-60-烷基、O-C2-60-烯基、O-C2-60-炔基、O-C5-8-環烷基、O-C6-14-芳基、O-5至14員雜芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii、NR50R60、鹵素及O-C(O)-R50；其中p係1至50之整數，RSig、RSih、RSii獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-環烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3)3、NR500R600、鹵素及O-C(O)-R500，R5、R6、R50、R60、R500及R600獨立地選自由以下組成之群：H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基及5至14員雜芳基，C1-60-烷基、C2-60-烯基及C2-60-炔基可經1至20個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6-環烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素、CN及NO2；且C1-60-烷基、C2-60-烯基及C2-60-炔基之至少兩個CH2基團但非毗鄰的CH2基團可由O或S替代，C5-8-環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、 鹵素、CN及NO2；且C5-8-環烷基之一或兩個CH2基團但非毗鄰的CH2基團可由O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO替代，C6-14-芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、鹵素、CN及NO2；其中Rc及Rd獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基，RSij、RSik及RSil獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-環烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio、NR7R8、鹵素及O-C(O)-R7，其中q係1至50之整數，RSim、RSin、RSio獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-環烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10員雜芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir、NR70R80、鹵素及O-C(O)-R70；其中r係1至50之整數，RSip、RSiq、RSir獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30-烷基、C2-30- 烯基、C2-30-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-環烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10員雜芳基、O-Si(CH3)3、NR700R800、鹵素及O-C(O)-R700，R7、R8、R70、R80、R700及R800獨立地選自由以下組成之群：H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基及5至10員雜芳基，C1-30-烷基、C2-30-烯基及C2-30-炔基可經一至十個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2，R104及R105獨立地且在每次出現時選自由以下組成之群：H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-環烷基、C6-14-芳基及5至14員雜芳基，或若R104及R105附接至同一原子，則與其所附接之該原子一起形成5至12員環系統，其中C1-20-烷基、C2-20-烯基及C2-20-炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、鹵素、CN及NO2；C5-8-環烷基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、鹵素、CN及NO2；C6-14-芳基及5至14員雜芳基可經一至五個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-環烷基、C6-10- 芳基、5至10員雜芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、鹵素、CN及NO2；5至12員環系統可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-環烷基、C6-10-芳基、5至10員雜芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、鹵素、CN及NO2；其中Rs及Rt獨立地選自由以下組成之群：H、C1-10-烷基、C2-10-烯基及C2-10-炔基，其中C1-10-烷基、C2-10-烯基及C2-10-炔基可經一至五個選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN及NO2，其中C6-30-伸芳基及5至30員伸雜芳基可經一至六個取代基R3取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30-烷基及鹵素，且其中
    Figure 106142815-A0305-02-0136-19
     可經一或兩個取代基R4取代，該取代基在每次出現時選自由以下組成之群：C1-30-烷基、C(O)-R41、C(O)-OR41及CN，其中R41在每次出現時為C1-30-烷基，及X’為O、S或Se。
  5. 如請求項4之聚合物，其中L1及L2彼此獨立地選自由以下組成之群：
    Figure 106142815-A0305-02-0137-20
    Figure 106142815-A0305-02-0138-21
     其中R1、R104及R105係如請求項4中所定義，X’係S或Se。
  6. 如請求項5之聚合物，其中L1及L2係選自
    Figure 106142815-A0305-02-0139-22
     其中R1係如請求項5中所定義。
  7. 如請求項1或2之聚合物，其中n係0、1或2，且m係0、1或2。
  8. 一種電子裝置，其包含如請求項1至7中任一項之聚合物。
  9. 如請求項8之電子裝置，其中該電子裝置係有機場效電晶體。
  10. 一種如請求項1至7中任一項之聚合物之用途，其用作半導電材料。
  11. 一種如請求項1至7中任一項之聚合物之用途，其用作發光材料。
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