CN110582502A - 噻吩并-茚并-单体和聚合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及聚合物，其包含至少一个式1或1’的单元，和式2或2’的化合物，其中在式1、1’、2和2’中，n是0、1、2、3或4，m是0、1、2、3或4，M1和M2互相独立地是芳族或杂芳族的单环或双环体系；X在每次出现时是选自O、S、Se或Te；Q在每次出现时是选自C、Si或Ge；R在每次出现时是选自氢，C1‑100烷基，C2‑100链烯基，C2‑100炔基，C5‑12环烷基，C6‑18芳基，5至20员杂芳基，C(O)‑C1‑100烷基，C(O)‑C5‑12环烷基和C(O)‑OC1‑100烷基。R2、R2'、R2”、R*在每次出现时是独立地选自氢，C1‑30烷基，C2‑30链烯基，C2‑30炔基，C5‑12环烷基，C6‑18芳基，5至20员杂芳基，OR21，OC(O)‑R21，C(O)‑OR21，C(O)‑R21，NR21R22，NR21‑C(O)R22，C(O)‑NR21R22，N[C(O)R21][C(O)R22]，SR21，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和OH；L1和L2互相独立地和在每次出现时是选自C6‑30亚芳基、5至30员亚杂芳基、(A)、(B)和(C)。

Description

噻吩并-茚并-单体和聚合物
本发明涉及新型单体和由其制备的聚合物，特别是噻吩并-茚并-单体和聚合物，涉及这些单体和聚合物的制备方法，涉及中间体，涉及包含这些聚合物的电子装置，以及这些聚合物作为半导体材料的用途。
有机半导体材料可以用于电子装置中，例如有机光伏器件(OPV)、有机场效应晶体管(OFET)、有机发光二极管(OLED)、有机光电二极管(OPD)和有机电致变色器件(ECD)。
希望有机半导体材料能与液体加工技术、例如旋涂工艺相容，这是因为从加工性考虑，液体加工技术是方便的，进而允许生产低成本的基于有机半导体材料的电子装置。另外，液体加工技术也能与塑料基材相容，因此允许生产重量轻且机械柔性的基于有机半导体材料的电子装置。
为了在有机光伏器件(OPV)、有机场效应晶体管(OFET)和有机发光二极管(OPD)中应用，另外希望有机半导体材料还显示高的载流子迁移率。
为了在有机光伏器件(OPV)和有机光电二极管(OPD)中应用，有机半导体材料也应当显示对可见光的强吸收。
本发明的目的是提供有机半导体材料。此目的通过本发明的聚合物、制备聚合物的方法、用于制备聚合物的中间体、包含聚合物的电子装置以及聚合物的用途来实现。
本发明的聚合物包含至少一个式1或1’的单元：
本发明的另一部分是式2或2’的化合物：
其中，在式1、1’、2和2’中，
n是0、1、2、3或4，
m是0、1、2、3或4，
M1和M2互相独立地是芳族或杂芳族的单环或双环的环体系；
X在每次出现时是选自O、S、Se或Te，优选O、S或Se，更优选S或Se，最优选S；
Q在每次出现时是选自C、Si或Ge，优选C或Si，最优选C；
R在每次出现时是选自H，C1-100烷基，C2-100链烯基，C2-100炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基，5至20员杂芳基，C(O)-C1-100烷基，C(O)-C5-12环烷基和C(O)-OC1-100烷基，
其中
C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基可以被1-40个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRaRb，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，N[C(O)Ra][C(O)Rb]，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，CN，和NO2；并且C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRaRb，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，N[C(O)Ra][C(O)Rb]，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，CN，和NO2；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRaRb，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，N[C(O)Ra][C(O)Rb]，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，CN，和NO2，
其中
Ra和Rb独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基和5至14员杂芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，O-C1-60烷基，O-C2-60链烯基，O-C2-60炔基，O-C5-8环烷基，O-C6-14芳基，O-5至14员杂芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，NR5R6，卤素和O-C(O)-R5，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，O-C1-60烷基，O-C2-60链烯基，O-C2-60炔基，O-C5-8环烷基，O-C6-14芳基，O-5至14员杂芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，NR50R60，卤素和O-C(O)-R50；
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih、RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，O-Si(CH3)3，NR500R600，卤素和O-C(O)-R500，
R5、R6、R50、R60、R500和R600独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基可以被1-20个独立地选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRcRd，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，N[C(O)Rc][C(O)Rd]，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil),-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，CN，和NO2；并且C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2-基团可以被O或S代替，
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRcRd，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，N[C(O)Rc][C(O)Rd]，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil)，-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，CN，和NO2；并且C5-8环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO代替，
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRcRd，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，N[C(O)Rc][C(O)Rd]，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil)，-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，CN和NO2；
其中
Rc和Rd独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基和C2-30炔基，
RSij、RSik和RSil独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，-[O-SiRSimRSin]q-RSio，NR7R8，卤素，和O-C(O)-R7，
其中
q是1-50的整数，
RSim、RSin、RSio独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，-[O-SiRSipRSiq]r-RSir，NR70R80，卤素，和O-C(O)-R70；
其中
r是1-50的整数，
RSip、RSiq、RSir独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，O-Si(CH3)3，NR700R800，卤素和O-C(O)-R700，
R7、R8、R70、R80、R700和R800独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，和5至10员杂芳基，
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
R2、R2'、R2”、R*在每次出现时是独立地选自氢，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基，5至20员杂芳基，OR21，OC(O)-R21，C(O)-OR21，C(O)-R21，NR21R22，NR21-C(O)R22，C(O)-NR21R22，N[C(O)R21][C(O)R22]，SR21，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和OH，
其中
R21和R22独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，和
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORe，OC(O)-Re，C(O)-ORe，C(O)-Re，NReRf，NRe-C(O)Rf，C(O)-NReRf，N[C(O)Re][C(O)Rf]，SRe，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和NO2；并且C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基和C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORe，OC(O)-Re，C(O)-ORe，C(O)-Re，NReRf，NRe-C(O)Rf，C(O)-NReRf，N[C(O)Re][C(O)Rf]，SRe，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和NO2；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRe或NRe-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORe，OC(O)-Re，C(O)-ORe，C(O)-Re，NReRf，NRe-C(O)Rf，C(O)-NReRf，N[C(O)Re][C(O)Rf]，SRe，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和NO2，
其中
RSis、RSit和RSiu互相独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，苯基和O-Si(CH3)3，
Re和Rf独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
其中
Rg和Rh独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10
炔基，
其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
L1和L2互相独立地和在每次出现时是选自C6-30亚芳基，5至30员亚杂芳基，
其中
C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基可以被1-6个取代基R3取代，取代基R3在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，OR31，OC(O)-R31，C(O)-OR31，C(O)-R31，NR31R32，NR31-C(O)R32，C(O)-NR31R32，N[C(O)R31][C(O)R32]，SR31，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和OH，和
其中
可以被1个或2个取代基R4取代，取代基R4在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，C(O)-R41，C(O)-NR41R42，C(O)-OR41和CN，
其中
R31、R32、R41和R42互相独立地和在每次出现时是选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，和
其中
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并且C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基和C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2，
其中
RSiv、RSiw、RSix是互相独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，苯基和O-Si(CH3)3，
Ri和Rj独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
其中
Rk和Rl独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10炔基，
其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
卤素可以是F、Cl、Br和I。
X优选在每次出现时是相同的。
Q优选在每次出现时是相同的。
R2优选在每次出现时是相同的。
R*优选在每次出现时是相同的。
C1-4烷基、C1-10烷基、C1-20烷基、C1-30烷基、C1-36烷基、C1-50烷基、C1-60烷基和C1-100烷基可以是支化或未支化的。C1-4烷基的例子是甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，仲丁基，异丁基和叔丁基。C1-10烷基的例子是C1-4烷基，正戊基，新戊基，异戊基，正-(1-乙基)丙基，正己基，正庚基，正辛基，正-(2-乙基)己基，正壬基和正癸基。C1-20烷基的例子是C1-10烷基和正十一烷基，正十二烷基，正十三烷基，正十四烷基，正十五烷基，正十六烷基，正十七烷基，正十八烷基，正十九烷基和正二十烷基(C20)。C1-30烷基、C1-36烷基、C1-50烷基、C1-60烷基和C1-100烷基的例子是C1-20烷基和正二十二烷基(C22)，正二十四烷基(C24)，正二十六烷基(C26)，正二十八烷基(C28)和正三十烷基(C30)。
C2-10链烯基、C2-20链烯基、C2-30链烯基、C2-60链烯基和C2-100链烯基可以是支化或未支化的。C2-10链烯基的例子是乙烯基，丙烯基，顺-2-丁烯基，反-2-丁烯基，3-丁烯基，顺-2-戊烯基，反-2-戊烯基，顺-3-戊烯基，反-3-戊烯基，4-戊烯基，2-甲基-3-丁烯基，己烯基，庚烯基，辛烯基，壬烯基和癸烯基。C2-20链烯基、C2-60链烯基和C2-100链烯基的例子是C2-10链烯基和亚油基(C18),亚麻基(C18),油基(C18)，和花生四烯基(C20)。C2-30链烯基的例子是C2-20链烯基和瓢儿菜基(C22)。
C2-10炔基、C2-20炔基、C2-30炔基、C2-60炔基和C2-100炔基可以是支化或未支化的。C2-10炔基的例子是乙炔基，2-丙炔基，2-丁炔基，3-丁炔基，戊炔基，己炔基，辛炔基，壬炔基，和癸炔基。C2-20炔基、C2-30链烯基、C2-60炔基和C2-100炔基的例子是C2-10炔基和十一炔基，十二炔基，十一炔基，十二炔基，十三炔基，十四炔基，十五炔基，十六炔基，十七炔基，十八炔基，十九炔基和二十炔基(C20)。
C5-6环烷基的例子是环戊基和环己基。C5-8环烷基的例子是C5-6环烷基、环庚基和环辛基。C5-12环烷基是C5-8环烷基和环壬基，环癸基，环十一烷基和环十二烷基。
C6-10芳基的例子是苯基，
C6-14芳基的例子是C6-10芳基，和
C6-18芳基的例子是C6-14芳基，和
5至10员杂芳基是5至10员的单环或多环的环体系，例如双环、三环或四环体系，其含有至少一个杂芳族环，和也可以含有非芳族环，其可以被＝O取代。
5至14员杂芳基是5至14员的单环或多环的环体系，例如双环、三环或四环体系，其含有至少一个杂芳族环，和也可以含有非芳族环，其可以被＝O取代。
5至20员杂芳基是5至20员的单环或多环的环体系，例如双环、三环或四环体系，其含有至少一个杂芳族环，和也可以含有非芳族环，其可以被＝O取代。
5至10员杂芳基的例子是：
5至14员杂芳基的例子是关于5至10员杂芳基所述的那些例子，和：
5至20员杂芳基的例子是关于5至14员杂芳基所述的那些例子，以及：
其中
R100和R101独立地和在每次出现时是选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，或如果R100和R101与相同的原子连接，则R100和R101和与它们连接的原子一起形成5-12员环体系，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORq，OC(O)-Rq，C(O)-ORq，C(O)-Rq，NRqRr，NRq-C(O)Rr，C(O)-NRqRr，N[C(O)Rq][C(O)Rr]，SRq，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORq，OC(O)-Rq，C(O)-ORq，C(O)-Rq，NRqRr，NRq-C(O)Rr，C(O)-NRqRr，N[C(O)Rq][C(O)Rr]，SRq，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORq，OC(O)-Rq，C(O)-ORq，C(O)-Rq，NRqRr，NRq-C(O)Rr，C(O)-NRqRr，N[C(O)Rq][C(O)Rr]，SRq，卤素，CN，和NO2；
5-12员环体系可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORq，OC(O)-Rq，C(O)-ORq，C(O)-Rq，NRqRr，NRq-C(O)Rr，C(O)-NRqRr，N[C(O)Rq][C(O)Rr]，SRq，卤素，CN，和NO2；
其中
Rq和Rr独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10炔基，
其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
C6-30亚芳基是6-30员的单环或多环的环体系，例如双环、三环或四环的环体系，其含有至少一个碳-芳族环，和也可以含有非芳族环或杂芳族环，其可以被＝O取代。
C6-30亚芳基的的例子是：
其中
R1在每次出现时是选自H，C1-100烷基，C2-100链烯基，C2-100炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基，5至20员杂芳基，C(O)-C1-100烷基，C(O)-C5-12环烷基和C(O)-OC1-100烷基，
其中
C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基可以被1-40个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRaRb，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，N[C(O)Ra][C(O)Rb]，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，CN，和NO2；并且C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRaRb，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，N[C(O)Ra][C(O)Rb]，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic),-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，CN，和NO2；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRaRb，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，N[C(O)Ra][C(O)Rb]，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，CN，和NO2，
其中
Ra和Rb独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基和5至14员杂芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，O-C1-60烷基，O-C2-60链烯基，O-C2-60炔基，O-C5-8环烷基，O-C6-14芳基，O-5至14员杂芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，NR5R6，卤素和O-C(O)-R5,
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，O-C1-60烷基，
O-C2-60链烯基，O-C2-60炔基，O-C5-8环烷基，O-C6-14芳基，O-5至14员杂芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，NR50R60，卤素和O-C(O)-R50；
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih、RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，O-Si(CH3)3，NR500R600，卤素和O-C(O)-R500，
R5、R6、R50、R60、R500和R600独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基可以被1-20个独立地选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRcRd，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，N[C(O)Rc][C(O)Rd]，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil)，-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，CN，和NO2；并且C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRcRd，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，N[C(O)Rc][C(O)Rd]，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil)，-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，CN，和NO2；并且C5-8环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO代替，
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRcRd，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，N[C(O)Rc][C(O)Rd]，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil)，-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，CN和NO2；
其中
Rc和Rd独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基和C2-30炔基，
RSij、RSik和RSil独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，-[O-SiRSimRSin]q-RSio，NR7R8，卤素，和O-C(O)-R7,
其中
q是1-50的整数，
RSim、RSin、RSio独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，-[O-SiRSipRSiq]r-RSir，NR70R80，卤素，和O-C(O)-R70；
其中
r是1-50的整数，
RSip、RSiq、RSir独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，O-Si(CH3)3，NR700R800，卤素和O-C(O)-R700，
R7、R8、R70、R80、R700和R800独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，和5至10员杂芳基，
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
R102和R103独立地和在每次出现时是选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，或如果R102和R103与相同的原子相连，则R102和R103与和它们连接的原子一起形成5-12员环体系，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
5-12员环体系可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
其中
Rs和Rt独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10炔基，
其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
5至30员亚杂芳基是5至30员单环或多环的环体系，例如双环、三环或四环的环体系，其含有至少一个杂芳族环，和也可以含有芳族环或非芳族环，其可以被＝O取代。
5至30员亚杂芳基的例子是：
其中
R1是如上文所定义，
X’在每次出现时是选自O、S、Se或Te，优选O、S或Se，更优选S或Se，最优选S；
R104和R105独立地和在每次出现时是选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，或如果R104和R105与相同的原子相连，则R104和R105和与它们连接的原子一起形成5-12员环体系，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
5-12员环体系可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
其中
Rs和Rt独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10炔基，
其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
除了与R100和R101相连、与R102和R103相连或者与R104和R105相连的原子之外，5-12员环体系还可以含有选自CH2、O、S和NRu的环成员，其中Ru在每次出现时是选自H、C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基。
优选的是式1,1’,2和2’的结构部分，其中M1和M2能实现在L1和L2之间的电子共轭连接。
优选的是包含至少一个下式单元的聚合物：
n、m、L1、L2、X、Q、R、R2、R2’、R2”是如上文所定义；
Y在每次出现时是选自O、S、Se或Te，优选O、S或Se，更优选S或Se，最优选S；
更优选的是包含至少一个式1a、1b、1d、1e或1f的单元的聚合物，其中n、m、L1、L2、X、Q、R、R2、R2’、R2”是如上文所定义；
甚至更优选的是包含至少一个下式单元的聚合物：
其中n、m、L1、L2、X、Q、R、R2、R2’、R2”是如上文所定义；
再更优选的是包含至少一个下式单元的聚合物：
其中n、m、L1、L2、X、Q、R、R2、R2’、R2”是如上文所定义；
最优选的是包含至少一个下式单元的聚合物：
其中n、m、L1、L2、X、Q、R、R2、R2’、R2”是如上文所定义；
优选，本发明聚合物包含基于聚合物重量计的至少60重量％的式(1)或(1’)单元。
更优选，本发明聚合物包含基于聚合物重量计的至少80重量％的式(1)或(1’)单元。
最优选，本发明聚合物基本上由式(1)或(1’)单元组成。
优选，R和R1在每次出现时是选自H，C1-100烷基，C2-100链烯基，C2-100炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基，和5至20员杂芳基，
其中
C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基可以被1-40个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic),-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素和CN；并且C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，和CN；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic),-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，和CN，
其中
Ra和Rb独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基和5至14员杂芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，O-C1-60烷基，O-C2-60链烯基，O-C2-60炔基，O-C5-8环烷基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie和RSif独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii,
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih和RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，O-Si(CH3)3，
C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基可以被1-20个独立地选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil),-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，和CN；并且C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil)，-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，和CN；并且C5-8环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO代替，
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil),-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素和CN；
其中
Rc和Rd独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基和C2-30炔基，
RSij、RSik和RSil独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSimRSin]q-RSio,
其中
q是1-50的整数，
RSim、RSin、RSio独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，-[O-SiRSipRSiq]r-RSir，NR70R80，卤素，和O-C(O)-R70；
其中
r是1-50的整数，
RSip、RSiq、RSir独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，O-Si(CH3)3，NR700R800，卤素和O-C(O)-R700，
R70、R80、R700和R800独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，和5至10员杂芳基，
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个选自卤素和CN的取代基取代。
更优选，R和R1在每次出现时是选自C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基，
其中
C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基可以被1-40个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，和CN；并且C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
其中
Ra和Rb独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基和5至14员杂芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie和RSif独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih、RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，
C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，O-Si(CH3)3，
C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基可以被1-20个独立地选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil),-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，和CN；并且C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil)，-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，和CN；并且C5-8环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO代替，
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil),-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，和CN；
其中
Rc和Rd独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基和C2-30炔基，
RSij、RSik和RSil独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSimRSin]q-RSio，
其中
q是1-50的整数，
RSim、RSin、RSio独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSipRSiq]r-RSir，
其中
r是1-50的整数，
RSip、RSiq、RSir独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，O-Si(CH3)3，
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个选自卤素和CN的取代基取代。
甚至更优选，R和R1在每次出现时是选自C1-50烷基、C2-50链烯基和C2-50炔基，
其中
C1-50烷基、C2-50链烯基和C2-50炔基可以被1-20个独立地选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORa，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic),-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，和CN；并且C1-50烷基、C2-50链烯基和C2-50炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
其中
Ra独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基和C6-10芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih、RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，O-Si(CH3)3，
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个选自卤素和CN的取代基取代。
再更优选，R和R1在每次出现时是选自C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基，
其中
C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基可以被1-20个独立地选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORa，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，和CN；并且C1-36烷基，C2-36链烯基和C2-36炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
其中
Ra独立地选自H，C1-20烷基，C3-20链烯基，C3-20炔基，C5-6环烷基和C6-10芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H，C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih、RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，O-Si(CH3)3，
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-10个选自卤素和CN的取代基取代。
最优选，R和R1在每次出现时是选自C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基，
其中
C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：ORa，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，和卤素；并且C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
其中
Ra独立地选自H，C1-20烷基，C3-20链烯基，C3-20炔基，C5-6环烷基和C6-10芳基
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H，C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih、RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，O-Si(CH3)3，
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-10个选自卤素和CN的取代基取代。
尤其优选的是，R和R1在每次出现时是选自C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基，
其中
C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基可以被1-10个氟基团取代；并且C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替。
特别是，R和R1在每次出现时是未取代的C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基，尤其是C1-36烷基，更尤其是C8-36烷基。
优选，R2、R2'、R2”和R*在每次出现时是选自氢、C1-30烷基和卤素，
其中
C1-30烷基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORe，OC(O)-Re，C(O)-ORe，C(O)-Re，NReRf，NRe-C(O)Rf，C(O)-NReRf，N[C(O)Re][C(O)Rf]，SRe，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和NO2；并且C1-30烷基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
其中
RSis、RSit和RSiu是互相独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，苯基和O-Si(CH3)3,
Re和Rf独立地选自H，C1-20烷基，C3-20链烯基，C3-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
其中
C1-20烷基、C3-20链烯基和C3-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
其中
Rg和Rh独立地选自H，C1-10烷基，C3-10链烯基和C3-10
炔基，
其中
C1-10烷基、C3-10链烯基和C3-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
更优选，R2、R2'、R2”和R*在每次出现时是选自氢、未取代的C1-30烷基和卤素。
特别是，R2、R2'、R2”和R*在每次出现时是氢。
优选，n是0、1或2。更优选，n是0或1。最优选，n是0。
优选，m是0、1或2。
在一些实施方案中，L1和L2是互相独立地和在每次出现时优选选自C6-30亚芳基，5至30员亚杂芳基，
和
其中
C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基可以被1-6个取代基R3取代，取代基R3在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，OR31，OC(O)-R31，C(O)-OR31，C(O)-R31，NR31R32，NR31-C(O)R32，C(O)-NR31R32，SR31，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和OH，和
其中
可以被1个或2个取代基R4取代，取代基R4在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，C(O)-R41，C(O)-NR41R42，C(O)-OR41和CN，
其中
R31、R32、R41和R42互相独立地和在每次出现时是选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，和
其中
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并且C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基和C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2,
其中
RSiv、RSiw、RSix是互相独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，苯基和O-Si(CH3)3，
Ri和Rj独立地选自H，C1-20烷基，C3-20链烯基，C3-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
其中
C1-20烷基、C3-20链烯基和C3-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
其中
Rk和Rl独立地选自H,C1-10烷基，C3-10链烯基和C3-10炔基，
其中
C1-10烷基、C3-10链烯基和C3-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
在一些其它实施方案中，L1和L2互相独立地和在每次出现时是选自C6-C30亚芳基和5至30员亚杂芳基，
和
其中
C6-C30亚芳基和5至30员亚杂芳基可以被1-6个取代基R3取代，取代基R3在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，OR31，OC(O)-R31，C(O)-OR31，C(O)-R31，NR31R32，NR31-C(O)R32，C(O)-NR31R32，SR31，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和OH，和
其中
可以被1个或2个取代基R4取代，取代基R4在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，C(O)-R41，C(O)-NR41R42，C(O)-OR41和CN，
其中
R31、R32、R41和R42互相独立地和在每次出现时是选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，和
其中
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并且C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基和C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO代替。
优选，L1和L2互相独立地和在每次出现时是选自C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基，
和
其中C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基是选自：
其中
R104和R105独立地和在每次出现时是选自H，或C1-20烷基和C6-14芳基，
其中
C1-20烷基可以被1-5个选自ORs和卤素的取代基取代；
C6-14芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，ORs和卤素；
其中
Rs独立地选自H和C1-10烷基，
R1在每次出现时是选自C1-36烷基、C3-36链烯基和C3-36炔基，
其中
C1-36烷基、C3-36链烯基和C3-36炔基可以被1-20个独立地选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORa，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，和CN；并且C1-36烷基、C2-36链烯基和C2-36炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
其中
Ra独立地选自H，C1-20烷基，C3-20链烯基，C3-20炔基，C5-6环烷基和C6-10芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H，C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1-50的整数，
RSig RSih、RSii独立地选自H,C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，O-Si(CH3)3，
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-10个选自卤素和CN的取代基取代。
其中
C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基可以被1-6个取代基R3取代，取代基R3在每次出现时是选自C1-30烷基，C1-30烷氧基，CN和卤素，和
其中
可以被1个或2个取代基R4取代，取代基R4在每次出现时是选自C1-30烷基，C(O)-R41，C(O)-OR41和CN，
其中
R41在每次出现时是C1-30烷基。
更优选，L1和L2互相独立地和在每次出现时是C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基
和
其中C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基是选自：
其中
R104和R105独立地和在每次出现时是选自H和C1-20烷基，
X’是O、S或Se，优选S或Se，特别优选S。
R1独立地和在每次出现时是C1-36烷基，
其中
5至30员亚杂芳基可以被1-6个取代基R3取代，取代基R3在每次出现时是选自C1-30烷基、C1-30烷氧基、CN和卤素。
其中
是未取代的。
特别是，L1和L2互相独立地和在每次出现时是C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基
和
其中C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基是选自：
其中
5至30员亚杂芳基是未取代的，
X’是O、S或Se，优选S或Se，特别优选S。
R1独立地和在每次出现时是C1-36烷基。
在甚至更优选的包含至少一个式(1)或(1’)单元的聚合物中，R1在每次出现时是选自C1-36烷基、C2-36链烯基和C2-36炔基，
其中
C1-36烷基、C2-36链烯基和C2-36炔基可以被1-20个独立地选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORa，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic),-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，和CN；并且C1-36烷基、C2-36链烯基和C2-36炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
其中
Ra和Rb独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基和C6-10芳基
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H，C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih、RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，O-Si(CH3)3，
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-10个选自卤素和CN的取代基取代，
R2在每次出现时是选自未取代的氢、C1-30烷基和卤素，
n是0或1，
m是0、1或2，和
L1和L2互相独立地和在每次出现时是选自5至30员亚杂芳基，
和
其中5至30员亚杂芳基是选自：
其中
R104和R105是独立地和在每次出现时选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，或如果R104和R105与相同的原子相连，则R104和R105和与它们连接的原子一起形成5-12员环体系，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
5-12员环体系可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
其中
Rs和Rt独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10炔基，
其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
其中
5至30员亚杂芳基可以被1-6个取代基R3取代，取代基R3在每次出现时是选自C1-30烷基和卤素，和
其中
可以被1个或2个取代基R4取代，取代基R4在每次出现时是选自C1-30烷基，C(O)-R41，C(O)-OR41和CN，
其中
R41在每次出现时是C1-30烷基。
在最优选的包含至少一个式(1)或(1’)单元的聚合物中，
R1在每次出现时是未取代的C1-36烷基，
R2是氢，
n是0，
m是0、1或2，和
L1和L2互相独立地和在每次出现时是5至30员亚杂芳基，其中5至30员亚杂芳基是选自：
其中
5至30员亚杂芳基可以被R3取代，特别是被氟取代。
在其它优选实施方案中，L1和L2是选自：
其中
R1在每次出现时是未取代的C1-36烷基，
R3和R4是氢，
n是0、1或2，
m是0、1或2。
特别优选的本发明聚合物包含至少一个下式单元：
其中包含至少式1a-1基团的聚合物是尤其优选的，和
其中p是2-1000的整数，
X、X’、Q、R、R2、R2’、R2”是如上文所定义；
在另一个本发明实施方案中，特别优选的聚合物包含至少一个下式单元：
其中包含至少式1b-1基团的聚合物是尤其优选的，和
在再一个本发明实施方案中，特别优选的聚合物包含至少一个下式单元：
其中包含至少式1f-1基团的聚合物是尤其优选的，和
其中p是2-1000的整数，
X、X’、Q、R、R2、R2’、R2”是如上文所定义；
p优选是3-200，更优选4-100，最优选5-50,
R优选在每次出现时是C1-36烷基，
R2、R2’和R2”优选在每次出现时是氢，
Q优选在每次出现时是碳，
X优选在每次出现时是S或Se，尤其是S，
X’优选在每次出现时是S或Se，尤其是S。
本发明聚合物优选具有1-10000kDa的重均分子量(Mw)和1-10000kDa的数均分子量(Mn)。本发明聚合物更优选具有1-1000kDa的重均分子量(Mw)和1-100kDa的数均分子量(Mn)。本发明聚合物甚至更优选具有5-1000kDa的重均分子量(Mw)和5-100kDa的数均分子量(Mn)。本发明聚合物再更优选具有10-1000kDa的重均分子量(Mw)和10-100kDa的数均分子量(Mn)。本发明聚合物最优选具有10-100kDa的重均分子量(Mw)和5-60kDa的数均分子量(Mn)。重均分子量(Mw)和数均分子量(Mn)可以通过凝胶渗透色谱法(GPC)检测，例如在80℃下使用氯苯或优选在150℃下使用三氯苯作为洗脱剂，和使用聚苯乙烯作为标准。
本发明聚合物可以通过本领域已知的方法制备，例如通过Suzuki-、Stille、Yamamoto-或直接杂芳基-聚合方法制备。
本发明聚合物优选完全沿着整个聚合物主链共轭。
例如，包含至少一个式(1)或(1’)单元的本发明聚合物，其中n是0，并且是式(1-I)或(1-I’)：
其中
p、M1、M2、Q、X、R、R2、R2’和L2是如上文所定义，
m是0、1、2、3或4，
可以通过式(3)或(3’)化合物与1摩尔当量的式(10)化合物反应制备，
其中Z*在每次出现时是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3，并且p、M1、M2、Q、X、R、R2和R2’是如上文所定义，
其中
L2是如对于式(1-I)化合物所定义，和
Za和Zb独立地选自B(OZ1)(OZ2)，SnZ1Z2Z3,
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5和Z6互相独立地和在每次出现时是H或C1-4烷基。
Z*优选在每次出现时是I或Br，尤其是Br。
Za和Zb优选独立地选自基团SnZ1Z2Z3或
尤其是SnZ1Z2Z3。
包含式(1-I)或(1-I’)化合物的聚合物也可以相似地从化合物(4)或(4’)和(11)得到，其中R、R2、R2’、Q、X、L2、Z*、Za和Zb是如上文所定义：
例如，包含至少一个式(1)或(1’)单元的本发明聚合物，其中n和m是0，并且是式(1-II)或(1-II’)：
其中
p、M1、M2、Q、X、R、R2、R2’是如上文所定义，
可以例如通过式(3)或(3’)的化合物与式(4)或(4’)的化合物反应制备：
其中Z*在每次出现时是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3，并且R、R2和R2’是如上文所定义，
其中
R、R2和R2’是如对于式(1-II)化合物所定义，和
Za和Zb独立地选自B(OZ1)(OZ2)，SnZ1Z2Z3，
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5和Z6互相独立地和在每次出现时是H或C1-4烷基。
Z*优选在每次出现时是I或Br，尤其是Br。
Za和Zb优选独立地选自基团SnZ1Z2Z3或
尤其是SnZ1Z2Z3。
当Za和Zb独立地选自B(OZ1)(OZ2),
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5和Z6互相独立地和在每次出现时是H或C1-4烷基，此反应通常在催化剂和碱的存在下进行，催化剂优选是Pd催化剂，例如Pd(P(Ph)3)4、Pd(OAc)2和Pd2(dba)3，碱例如是K3PO4、Na2CO3、K2CO3、LiOH和NaOMe。根据Pd催化剂，此反应也可以要求存在膦配体例如P(Ph)3、P(邻-甲苯基)3和P(叔丁基)3。此反应也通常在升高的温度下进行，例如40-250℃，优选60-200℃。此反应可以在合适溶剂的存在下进行，例如四氢呋喃、甲苯或氯苯。此反应通常在惰性气体下进行。
当Za和Zb独立地是SnZ1Z2Z3,其中Z1、Z2和Z3互相独立地是C1-4烷基，此反应通常在催化剂的存在下进行，催化剂优选是Pd催化剂，例如Pd(P(Ph)3)4和Pd2(dba)3。根据Pd催化剂，此反应也可以要求存在膦配体，例如P(Ph)3、P(邻-甲苯基)3和P(叔丁基)3。此反应也通常在升高的温度下进行，例如40-250℃，优选60-200℃。此反应可以在合适溶剂的存在下进行，例如甲苯或氯苯。此反应通常在惰性气体下进行。
式(3)或(3’)的化合物可以通过本领域已知的方法从式(5)或(5’)的化合物制备。
例如，式(3)或(3’)的化合物，其中
其中Z*是I、Br、Cl或O-三氟甲磺酸根，并且R在每次出现时是C1-30烷基，R2和R2’是氢，
可以通过用Z*-供体处理式(5)或(5’)化合物制备：
其中R在每次出现时是C1-36烷基，R2和R2’是氢。
Z*是优选I或Br，尤其是Br。
例如，当Z*是Br时，Z*-供体可以是N-溴代琥珀酰亚胺。当使用N-溴代琥珀酰亚胺作为Z*-供体时，此反应可以在0℃下在作为溶剂的CHCl3/乙酸的存在下进行。
式(5)化合物，其中Q是碳原子，并且M1是苯环，可以例如通过以下路线1所示的合成方法制备。R2、R2’、X和R具有上文所述的定义。
R2优选是氢，
R2’优选是氢，
X优选是O、S或Se，更优选S或Se，尤其是S，
R优选是C1-36烷基。
本发明的一部分也是具有式(3)、(3')、(4)、(4')、(5)和(5')的中间体：
其中
R2、R2’、R2”、X、Q、M1、M2、Za、Zb和R具有上文所述的定义。
Z*在每次出现时是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3。
在优选的式(3)、(3’)、(4)、(4’)、(5)、(5’)中间体中，在每次出现时，
R2和R2'是氢，未取代的C1-30烷基或卤素；
X是O、S或Se；
Q是碳原子；
R是氢，C1-36烷基，C2-36链烯基，C2-36炔基，C5-12环烷基，或苯基，优选C1-36烷基；
Z*在每次出现时是I或Br；
Za、Zb是其中Z1-Z4是甲基。
在更优选的式(3)、(3’)、(4)、(4’)、(5)、(5’)中间体中，在每次出现时，
R2和R2'是氢或卤素；
X是S或Se；
Q是碳原子；
R是C1-36烷基，
Z*是I或Br；
在最优选的式(3)、(3’)、(4)、(4’)、(5)、(5’)中间体中，在每次出现时，
R2和R2'是氢，
X是S，
Q是碳原子；
R是C1-36烷基，
Z*是I或Br；
优选的式(3)中间体是：
其中
R在每次出现时是C1-36烷基，
Hal独立地在每次出现时是Br或I。
特别优选的式(3)中间体是：
其中，R在每次出现时是C1-36烷基，并且R2是氢。
优选的式(4)中间体是：
其中，R在每次出现时是C1-36烷基。
特别优选的式(4)中间体是：
其中，R在每次出现时是C1-36烷基，并且R2是氢。
优选的式(5)中间体是：
其中，R在每次出现时是C1-36烷基。
特别优选的式(5)中间体是：
其中，R在每次出现时是C1-36烷基，并且R2是氢。
在本发明的另一个实施方案中，式(6)中间体是优选的：
其中
R在每次出现时是C1-36烷基，
Z1、Z2和Z3互相独立地是C1-4烷基。
特别优选的式(6)中间体：
本发明还提供包含本发明聚合物的电子装置。
电子装置可以是有机光伏器件(OPV)、有机场效应晶体管(OFET)、有机发光二极管(OLED)或有机光电二极管(OPDs)。
优选，电子装置是有机光伏器件(OPV)、有机场效应晶体管(OFET)或有机光电二极管(OPD)。
更优选，电子装置是有机场效应晶体管(OFET)。
通常，有机场效应晶体管包含介电层、半导体层和基材。另外，有机场效应晶体管通常包含栅电极和源/漏电极。
优选，半导体层包含本发明聚合物。半导体层可以具有5-500nm的厚度，优选10-100nm，更优选20-50nm。
介电层包含介电材料。介电材料可以是二氧化硅或氧化铝，或有机聚合物，例如聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、苯并环丁烯(BCB)或聚酰亚胺(PI)。介电层可以具有10-2000nm的厚度，优选50-1000nm，更优选100-800nm。
除了介电材料之外，介电层可以还包含有机硅烷衍生物或有机磷酸衍生物的自组装单层。有机硅烷衍生物的例子是辛基三氯硅烷。有机磷酸衍生物的例子是辛基癸基磷酸。在介电层中所含的自组装单层通常与半导体层接触。
源/漏电极可以由任何合适的有机或无机源/漏材料制成。无机源/漏材料的例子是金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)，以及包含至少一种这些金属的合金。源/漏电极可以具有1-100nm的厚度，优选20-70nm。
栅电极可以由任何合适的栅材料制成，例如高度掺杂的硅、铝(Al)、钨(W)、氧化铟锡或金(Au)，或包含至少一种这些金属的合金。栅电极可以具有1-200nm的厚度，优选5-100nm。
基材可以是任何合适的基材，例如玻璃，或塑料材料，例如聚醚砜、聚碳酸酯、聚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。根据有机场效应晶体管的设计，栅电极、例如高度掺杂的硅也可以用作基材。
有机场效应晶体管可以通过本领域公知的方法制备。
例如，底栅顶接触式有机场效应晶体管可以如下制备：可以通过合适的沉积方法例如原子层沉积或热蒸发方法将介电材料例如Al2O3或二氧化硅作为层施用到栅电极例如高度掺杂的硅晶片上，后者也用作基材。有机磷酸衍生物或有机硅烷衍生物的自组装单层可以施用到介电材料层上。例如，有机磷酸衍生物或有机硅烷衍生物可以从溶液采用溶液-沉积技术施用。半导体层可以通过本发明聚合物的溶液沉积或在真空中热蒸发到有机磷酸衍生物或有机硅烷衍生物的自组装单层上形成。源/漏电极可以通过在半导体层上经由掩膜沉积合适的源/漏材料、例如钽(Ta)和/或金(Au)而形成。通道宽度(W)通常是10-1000μm，通常长度(L)通常是5-500μm。
例如，顶栅底接触式有机场效应晶体管可以如下制备：源/漏电极可以通过在位于合适基材例如玻璃基材上的光刻蚀电极上蒸发合适的源/漏材料、例如金(Au)形成。半导体层可以通过在源/漏电极上例如通过旋涂方式沉积本发明聚合物的溶液，然后在高温例如80-360℃下退火该层形成。在淬灭半导体层后，介电层可以通过例如旋涂方式将合适介电材料例如聚甲基丙烯酸甲酯的溶液施用到半导体层上获得。合适的栅材料例如金(Au)的电极可以经由在介电层上的掩膜蒸发。
本发明也包括本发明聚合物作为半导体材料的用途。
本发明聚合物显示高的载流子迁移率。另外，本发明聚合物显示高的稳定性，特别是高的热稳定性。另外，本发明聚合物能与液体加工技术相容。
本发明也包括本发明聚合物作为发光材料的用途。
本发明也包括本发明化合物作为发光材料的用途。
实施例
用于合成部件的通用实验细节：
方法和材料:所有商购来源的试剂在未经提纯的情况下使用。溶剂使用标准技术进行干燥和提纯。大多数化合物用NMR表征，通常在室温下进行。高分辨率质谱(HRMS)是使用Thermo Scientific-LTQ Velos Orbitrap MS按照正大气压光离子化(+APPI)模式记录的。UV-Vis光谱是在Varian Cary 100分光光度计中记录的。热重分析(TGA)是在N2下使用Bruker TGA-IR TG209F1按照10℃/min的升温进行。差示量热分析(DSC)是在DSC-204F1-phoenix上运行的。数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)是通过Agilent Technologies 1200系列GPC在氯苯中于80℃使用顺序连接的两个PL混合B柱检测，和/或在三氯苯中于150℃检测，并相对于具有窄分散度指数的聚苯乙烯标准进行校准。快速色谱(FC)是在硅胶上进行。微波实验是在Biotage initiator V 2.3中进行。
合成细节和表征：
路线S1:合成对应于式J-9和J-10的中间体
实施例1
合成1-溴-2-氯-4-(二溴甲基)-5-氟苯(J-2):
将1-溴-2-氯-5-氟-4-甲基苯(20.0g,90mmol)、NBS(48.06g,270mmol)和BPO(2.18g,9mmol)溶解在1,2-二氯乙烷(250ml)中。在回流下搅拌直到通过GC-MS监控测得原料被消耗，并用水淬灭和用乙酸乙酯萃取。收集有机相并在硫酸镁上干燥，过滤并在真空下浓缩。经由在硅胶上的柱色谱法提纯，其中用1:1的乙酸乙酯:己烷作为洗脱剂，得到棕色的油。产率：32.50g(95％)
1H NMR(700MHz，CDCl3)δ7.91(d,J＝7.1Hz,1H),7.36(d,J＝9.1Hz,1H),6.80(s,1H)。
实施例2
合成4-溴-5-氯-2-氟苯甲醛(J-3):
将1-溴-2-氯-4-(二溴甲基)-5-氟苯(34.0g,89.2mmol)溶解在甲酸(500ml)中并在回流下搅拌过夜。冷却到室温并倒入水中。收集所得的固体，用水洗涤直到洗涤物不再是酸性的，并干燥，得到白色固体。产率：15.32g(72％)
1H NMR(700MHz，CDCl3)δ10.25(s,1H),7.92(d,J＝6.5Hz,1H),7.53(d,J＝9.2Hz,1H)。
实施例3
合成6-溴-5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸乙基酯(J-4):
将4-溴-5-氯-2-氟苯甲醛(22.40g,94.4mmol)溶解在DMSO(200ml)中。加入三乙胺(39.5ml,283.2mmol)和巯基乙醇酸乙酯(12.4ml,113.2mmol)，并将混合物在80℃下搅拌。当通过GC-MS监控测得原料完全消失时，此反应用水淬灭，并用乙酸乙酯萃取。收集有机相，在硫酸镁上干燥，过滤并在真空下浓缩。产物经由在硅胶上的柱色谱法提纯，其中5:1的己烷:二氯甲烷作为洗脱剂。得到浅黄色固体。产率：24.74g(82％)
1H NMR(400MHz，CDCl3)δ8.14(s,1H),7.96(s,1H),7.94(s,1H),4.43(q,2H),1.44(t,3H)。
实施例4
合成二乙基6,6'-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)二(5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸酯)(J-5):
在50mL烧瓶中，将6-溴-5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸乙酯(2g,6.29mmol)、2,2'-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)二(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧环戊硼烷)(0.90g,2.52mmol)溶解在甲苯/H2O(15mL/3mL)中并用氩气脱气，然后将Pd2(dba)3(0.09g，0.25mmol)、(o-tol)3P(0.09g,0.76mmol)、K3PO4(8.01g,37.74mmol)和2滴季铵氯化物(Aliquat)加入混合物中，并再次用氩气脱气。混合物进行24小时的回流。在冷却到室温后，反应混合物用氯仿萃取，收集有机相，然后快速地从短程硅胶柱通过，然后从氯仿/甲醇重结晶，得到白色固体。产率：1.06g(72％)
1H NMR(500MHz，CDCl3)δ8.05(s,2H),8.01(d,J＝1.9Hz,2H),7.86和7.77(2s(旋转异构体),2H),7.12(s,2H),4.45(q,4H),2.15(s,6H),1.45(t,J＝7.2Hz,6H)。
实施例5
合成6,6'-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)二(5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸)(J-6):
将二乙基6,6'-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)二(5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸酯)(10g,17.14mmol)溶解在热乙醇(300mL)中，并加入在水(80mL)中的氢氧化钾(9.62g，171.4mmol)。将悬浮液在回流下加热过夜。在稍微冷却后，分份加入6N HCl(60mL)。残余固体进行过滤，用水洗涤并干燥，得到米白色固体。产率：9.04g(98％)
1H NMR(700MHz,DMSO)δ13.68(s,2H),8.25(d,J＝1.9Hz,2H),8.13(d,J＝2.1Hz,2H),8.11和8.07(2s(旋转异构体),2H),2.06(s,6H)。
实施例6
合成6,6'-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)二(5-氯苯并[b]噻吩)(J-7):
将6,6'-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)二(5-氯苯并[b]噻吩-2-甲酸)(8g,15.21mmol)和铜粉末(2.24g，35mmol)悬浮在喹啉(120mL)中，并在185℃下加热过夜。在冷却到室温后，混合物进行过滤，固体用氯仿洗涤，合并的有机溶液用2N HCl洗涤两次。残余物经由在硅胶上的色谱法提纯，其中使用氯仿/己烷，得到白色固体。产率：5.53g(83％)
1H NMR(700MHz,DMSO,80℃)δ8.10(s,2H),8.02和7.98(2s(旋转异构体),2H),7.85(d,J＝5.3Hz,2H),7.48(d,J＝5.3Hz,2H),7.13(s,2H),2.07(s,6H)。
实施例7
合成(J-8):
在50mL烧瓶中，6,6'-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)二(5-氯苯并[b]噻吩)(1g，2.28mmol)、Pd(OAc)2(0.15g,0.228mmol)、IPr·HCl(0.19g,0.456mmol)、K2CO3(1.26g，9.12mmol)和NMP(25mL)的混合物用氮气吹扫5分钟。然后，混合物在170℃下在油浴中保持过夜。在冷却到室温后，溶液用氯仿萃取并用水洗涤。在减压下除去有机相的溶剂。残余物进行在硅胶上经由色谱法提纯，其中用己烷/氯仿洗脱，得到白色固体。产率：0.69g(83％)
1H NMR(700MHz,DMSO)δ8.51(s,2H),8.15(s,2H),8.05(s,2H),7.70(d,J＝5.3Hz,2H),7.46(d,J＝5.3Hz,2H),4.10(s,4H)。
实施例8
合成化合物(J-9):
向化合物8(1g，2.73mmol)在无水DMSO(50ml)中的悬浮液中分份加入叔丁醇钠(2.63g，27.3mmol)。反应混合物在80℃下加热1小时，然后滴加1-溴十六烷(5g，16.38mmol)。在添加完成后，所得的混合物在85℃下加热12小时。在冷却到室温后，加入水以淬灭此反应，然后溶液用二氯甲烷萃取并用水洗涤。在减压下除去有机相的溶剂。残余物经由在硅胶上的色谱法提纯，其中用己烷洗脱，得到浅黄色固体。产率：3.45g(81％)
1H NMR(700MHz，CD2Cl2)δ8.24(s,2H),7.79(s,2H),7.75(s,2H),7.46(d,J＝5.3Hz,2H),7.39(d,J＝5.3Hz,2H),2.13-2.11(m,8H),0.96-1.36(m,104H),0.90-0.86(m,12H),0.83-0.69(m,8H)。
实施例9
合成化合物(J-10):
向化合物8(1g，2.73mmol)在无水DMSO(50ml)中的悬浮液中分份加入叔丁醇钠(2.63g，27.3mmol)。反应混合物在80℃下加热1小时，然后滴加2-乙基己基溴(3.16g，16.38mmol)。在添加完成后，所得的混合物在85℃下加热12小时。在冷却到室温后，加入水以淬灭此反应，然后溶液用二氯甲烷萃取并用水洗涤。在减压下除去有机相的溶剂。残余物经由在硅胶上的色谱法提纯，其中用己烷洗脱，得到浅黄色固体。产率：2.23g(71％)
1H NMR(700MHz，CD2Cl2)δ8.20(s,2H),7.78–7.75(m,2H),7.74(d,J＝3.1Hz,2H),7.41(d,J＝5.3Hz,2H),7.36–7.33(d,2H),2.18–1.95(m,8H),1.02-0.41(m,60H)。
路线S2:合成聚合物P-1至P-4，从中间体J-9开始：
路线S3:合成聚合物P-5至P-8，从中间体J-10开始：
所用的二溴-共聚单体是可商购的：
实施例10
合成中间体(J-11):
将化合物J-9(1g，0.79mmol)在无水THF(30ml)中的悬浮液冷却到-78℃，然后滴加nBuLi(2.73mmol)。反应混合物在-78℃下搅拌1小时，然后温度升高到室温，并再次冷却到-10℃，然后滴加Me3SnCl(2.73mmol)。在添加完成后，所得的混合物缓慢加热到室温并搅拌过夜。加入水以淬灭此反应，然后溶液用乙酸乙酯萃取并浓缩。混合物经由在Al2O3上的色谱法提纯，其中用己烷洗脱，得到作为浅黄色油的J-11。产率：1.09g(87％)
1H NMR(500MHz，CD2Cl2)δ8.23(s,2H),7.76(s,2H),7.73(s,2H),7.45(s,2H),2.13-2.11(m,8H),0.96-1.36(m,104H),0.90-0.86(m,12H),0.83-0.69(m,8H),0.44(t,18H)。
实施例11
合成中间体(J-12):
将化合物J-10(0.64g，0.79mmol)在无水THF(30ml)中的悬浮液冷却到-78℃，然后滴加nBuLi(2.73mmol)。反应混合物在-78℃下搅拌1小时，然后温度升高到室温，并再次冷却到-10℃，然后滴加Me3SnCl(2.73mmol)。在添加完成后，所得的混合物缓慢加热到室温并搅拌过夜。加入水以淬灭此反应，然后溶液用乙酸乙酯萃取并浓缩。混合物经由在Al2O3上的色谱法提纯，其中用己烷洗脱，得到浅黄色固体。产率：0.77g(85％)
1H NMR(500MHz，CD2Cl2)δ8.24(s,2H),7.77(s,2H),7.75(s,2H),7.48(s,2H),2.13-1.36(m,8H),0.90-0.69(m,60H),0.44(t,18H)。
实施例12-19
合成聚合物P-1至P-8:
向2.5mL微波管形瓶加入二(三甲基甲锡烷基)单体J-10或J-12(0.233mmol)、1当量的二溴化单体(相应的(氟化)苯并噻二唑或噻吩并噻吩)、2摩尔％的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)和8摩尔％的三(邻-甲苯基)膦。密封管形瓶，并加入氯苯(1mL)。所得的溶液用氩气脱气30分钟。管形瓶在微波反应器中经受以下反应条件：在100℃下2分钟，在120℃下2分钟，在140℃下5分钟，在160℃下5分钟，和在180℃下40分钟。通过添加0.1当量的2-溴噻吩将聚合物封端，然后反应混合物再在微波反应器中经受以下条件：在100℃下1分钟，在120℃下1分钟，在140℃下2分钟，和在160℃下5分钟。将聚合物溶液冷却，并经由注射器加入0.1当量的2-(三甲基甲锡烷基)噻吩。反应管形瓶经受上述温度路径以完成封端反应。在反应后，将粗聚合物在甲醇中沉淀，然后再通过在24小时内各自用丙酮、己烷和氯仿进行索格利特萃取来提纯。剩余的钯残余物通过于50℃在剧烈搅拌下用二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液处理该聚合物的氯仿溶液而除去。然后，从水相分离有机相，并用水洗涤数次。聚合物溶液在减压下浓缩并沉淀到冷甲醇中。过滤出聚合物，并在高真空下干燥至少24小时。
聚合物P-1:1H NMR(500MHz，CDCl3)δ8.73(br,2H),8.27(br,2H),8.03(br,2H),7.88(br,2H),7.76(br,2H),2.13-2.11(br,8H),0.96-1.36(br,104H),0.90-0.86(br,12H),0.83-0.69(br,8H)；
聚合物P-2:1H NMR(500MHz，CDCl3)δ8.77(br,2H),8.71(br,2H),8.28(br,3H),7.90(br,2H),7.77(br,2H),2.13-2.11(br,8H),0.96-1.36(br,104H),0.90-0.86(br,12H),0.83-0.69(br,8H)；
聚合物P-3:1H NMR(500MHz，CDCl3)δ8.75(br,2H),8.32(br,2H),7.93(br,2H),7.79(br,2H),2.13-2.11(br,8H),0.96-1.36(br,104H),0.90-0.86(br,12H),0.83-0.69(br,8H)；
聚合物P-4:1H NMR(500MHz，CDCl3)δ8.14(br,2H),7.69(br,4H),7.49(br,2H),7.46(br,2H),2.13-2.11(br,8H),0.96-1.36(br,104H),0.90-0.86(br,12H),0.83-0.69(br,8H)；
聚合物P-5:1H NMR(500MHz，CDCl3)δ8.74(br,2H),8.27(br,2H),8.02(br,2H),7.86(br,2H),7.74(br,2H),2.13-2.11(br,8H),0.96-1.36(br,104H),0.90-0.86(br,12H),0.83-0.69(br,8H),0.44-0.48(br,18H)；
聚合物P-6:1H NMR(500MHz，CDCl3)δ8.76(br,2H),8.73(br,2H),8.25(br,3H),7.93(br,2H),7.77(br,2H),2.13-2.11(br,8H),0.96-1.36(br,104H),0.90-0.86(br,12H),0.83-0.69(br,8H),0.44-0.48(br,18H)；
聚合物P-7:1H NMR(500MHz，CDCl3)δ8.75(br,2H),8.34(br,2H),7.92(br,2H),7.79(br,2H),2.13-2.11(br,8H),0.96-1.36(br,104H),0.90-0.86(br,12H),0.83-0.69(br,8H),0.44-0.48(br,18H)；
聚合物P-8:1H NMR(500MHz，CDCl3)δ7.95(br,2H),7.83(br,2H),7.71(br,2H),7.40(br,2H),7.23(br,2H),2.13-2.11(br,8H),0.96-1.36(br,104H),0.90-0.86(br,12H),0.83-0.69(br,8H),0.44-0.48(br,18H)。
GPC数据：
路线S4:合成对应于式J-18的中间体
实施例20
合成中间体(J-13)
中间体J-13可以作为[1197732-41-4]商购，或通过文献所述的方法从1,4-二溴-2,3-二甲基-苯[75024-22-5]得到。
实施例21
合成中间体(J-14)
将56.3mmol(18.0g)的化合物J-4、28.15mmol(9.604g)的化合物J-13、0.67mmol(0.633g)的三-(二亚苄基丙酮)-二钯(0)[51364-51-3]和1.61mmol(0.481g)的四氟硼酸三叔丁基[131274-22-1]加入配备温度计、带有氩气入口的回流冷凝器和隔膜的250ml三颈烧瓶中。此体系抽真空并用氩气再填充两次。然后，将150ml的经脱气的干四氢呋喃加入反应烧瓶中。在原料在50℃下溶解后，加入83mmol(18g)磷酸钾在3.8ml水中的脱气溶液，将反应混合物加热至回流并搅拌4小时。反应混合物冷却到室温过夜，其中产物沉淀。反应混合物进行过滤，用THF洗涤，然后用水洗涤，并然后干燥得到粗制J-14，其直接用于下一步中。
1H NMR(400MHz，CDCl3)δ8.06(s,2H),8.02(s,2H),7.86和7.79(2s(旋转异构体),2H),7.13(s,2H),4.45(q,4H),2.13(s,6H),1.46(t,6H)。
实施例22
合成中间体(J-15)
将20mmol(11.5g)的化合物J-14悬浮在300ml乙醇中，然后将5.5g的KOH在20ml水中的溶液加入悬浮液中。悬浮液然后回流过夜。悬浮液冷却到室温，然后倒入4M HCl中。沉淀物进行过滤，并用水很好地洗涤，然后干燥得到粗制J-15，其直接用于下一步中。
1H NMR(400MHz,DMSO-D6)δ8.28(s,2H),8.15(s,2H),8.10和8.06(2s(旋转异构体),2H),7.13(s,2H),2.06(s,6H)。
实施例23
合成中间体(J-16)
将11.82mmol(6.400g)的化合物J-15悬浮在25ml的喹啉中。然后加入1.728g的铜粉末，反应混合物在185℃下加热8小时。使得铜沉降到烧瓶的底部，溶液进行滗析，并且产物用乙醇沉淀，得到粗制J-16，其直接用于下一步中。
1H NMR(400MHz,DMSO-D6)δ8.14(s,2H),8.05和8.01(2s(旋转异构体),2H),7.90(d,2H),7.51(d,2H),7.11(s,2H),2.06(s,6H)。
实施例24
合成中间体(J-17)
7.282mmol(3.20g)的化合物J-16、29.129mmol(4.066g)的碳酸钾、0.728mmol(0.163g)的乙酸钯(II)和1.456mmol(0.619g)的1,3-二(2,6-二异丙基苯基)氯化咪唑[250285-32-6]已经装入配备温度计、带有氩气入口的回流冷凝器和隔膜的的50ml三颈烧瓶中。然后，在氮气下加入20ml的无水N-甲基吡咯烷酮，并将反应混合物在170℃下搅拌7小时。然后，混合物冷却到室温并加入水。沉淀物进行过滤，用水洗涤，然后干燥得到粗制J-17，其直接用于下一步中。产物是不溶性的以致不能检测NMR。
实施例25
合成中间体(J-18)
将3.82mmol(1.46g)的化合物J-17悬浮在20ml的干二甲基亚砜中。然后在氮气下加入38mmol(3.67g)的叔丁醇钠。反应混合物在1小时内加热到85℃。然后在2小时内加入23mmol(8.075g)1-碘代十六烷在5ml二甲基亚砜中的溶液。反应混合物在85℃下搅拌过夜。混合物冷却到室温，并加入水。然后，混合物用庚烷萃取。庚烷溶液用水洗涤并在MgSO4上干燥，然后蒸发溶剂。产物通过在硅胶上的色谱法提纯。然后，产物从乙酸乙酯重结晶，得到化合物J-18。
1H NMR(400MHz，CDCl3)δ8.18(s,2H),7.85(s,2H),7.69(s,2H),7.44(d,2H),7.39(d,2H),2.46(br t,4H),2.10(br t,4H),1.35-1.02(m,104H),0.90(t,12H),0.62-0.58(br,8H)。
路线S5:合成聚合物P-9，从中间体J-18开始：
实施例26
合成中间体(J-19)
将0.791mmol(1.0g)的化合物J-18加入配备温度计、带有氩气入口的回流冷凝器和隔膜的100ml三颈烧瓶中。此体系抽真空，并用氩气再填充两次。然后，将50ml的脱气的干四氢呋喃加入反应烧瓶中。在原料溶解后，温度降低到-78℃。然后经由注射器缓慢加入在庚烷中的2.689mmol(0.996ml)的2.7M正丁基锂溶液。在搅拌15分钟后，使反应混合物在1小时内冷却到室温。然后温度降低到-20℃，并经由注射器加入2.689mmol(2.689ml)的1M三甲基氯化锡溶液(在己烷中)。然后，反应混合物在室温下搅拌过夜。添加水以淬灭此反应，并且产物用乙酸乙酯萃取。有机相经由MgSO4干燥并蒸发。残余物从乙酸乙酯重结晶，然后从庚烷重结晶，得到400mg的化合物J-19。
1H NMR(400MHz，CD2Cl2)δ8.21(s,2H),7.88(s,2H),7.73(s,2H),7.50(s,2H),2.50(br t,4H),2.13(br t,4H),1.35-1.04(m,104H),0.90(t,12H),0.64-0.55(br,8H),0.49(t,18H)。
实施例27
合成聚合物(P-9)
将0.019mmol(30.2mg)的化合物J-19和0.019mmol(5.6mg)的4,7-二溴-苯并[c]-1,2,5-噻二唑[15155-41-6]、0.001mmol(0.9mg)的三-(二亚苄基丙酮)-二钯(0)[51364-51-3]和0.004mmol(1.2mg)的三-(邻-甲苯基)-膦[6163-58-2]装入配备温度计、带有氩气入口的回流冷凝器和隔膜的10ml三颈烧瓶中。此体系抽真空，并用氩气再填充5次。经由注射器加入2ml的脱气氯苯。然后，反应混合物回流22小时。反应混合物变成深红色。将反应混合物加入20ml的丙酮中，在这里聚合物发生沉淀。聚合物进行过滤，残余物用丙酮洗涤。在甲苯中吸收聚合物，并用二乙基-二硫代氨基甲酸钠的水溶液回流3小时以除去Pd残余物。使溶液冷却到室温，分离各相，有机相用去离子水洗涤两次。将甲苯相加入丙酮中以使聚合物再次沉淀。在过滤后，将聚合物加入索格利特套管，并先用丙酮萃取，然后用己烷萃取，最后用甲苯萃取。丙酮级分不含聚合物。将己烷级分和甲苯级分加入丙酮中，在这里聚合物发生沉淀。己烷级分得到22mg的聚合物P-9(GPC数据(三氯苯,150℃):Mw 32’665，PDI 2.21)，并且甲苯级分得到7mg的聚合物P-9。
路线S6:合成对应于式J-25的中间体
实施例28
合成中间体(J-20)
使64mmol(10.0g)的2,6-二甲基萘溶解在100ml二氯甲烷中，并加入20mg碘。在21℃下在7小时内滴加139mmol(22.21g)溴。然后，混合物在室温下搅拌过夜。有机相用硫代硫酸钠水溶液和水洗涤，干燥和蒸发。粗产物从乙醇重结晶，得到化合物J-20。
1H NMR(400MHz，CDCl3)δ8.22(d,2H),7.44(d,2H),2.65(s,6H)。
实施例29
合成中间体(J-21)
将33.4mmol(10.50g)的化合物J-20、94.5mmol(24.00g)的双联频哪醇基二硼[73183-34-3]、268mmol(26.52g)的乙酸钾和2.006mmol(1.47g)的Pd(dppf)Cl2[72287-26-4]装入配备温度计、带有氩气入口的回流冷凝器和隔膜的250ml三颈烧瓶中。此体系抽真空，并用氩气再填充5次。经由注射器加入80ml的脱气二甲基甲酰胺。然后，反应混合物在110℃下加热和搅拌48小时。使混合物冷却到室温，并加入水，产物用庚烷萃取。有机相进行干燥和蒸发。产物从异丙醇重结晶，得到化合物J-21。
1H NMR(400MHz，CDCl3)δ8.03(d,2H),7.27(d,2H),2.60(s,6H),1.49(s,24H)。
实施例30
合成中间体(J-22)
中间体J-22是从化合物J-4和J-21根据实施例21中化合物J-14所述的方式合成的。
1H NMR(300MHz,DMSO-D6)δ8.41(s,2H),8.29(s,2H),8.18和8.09(2s(旋转异构体),2H),7.40(d,2H),7.12(d,2H),4.40(q,4H),2.10(s,6H),1.37(t,6H)。
实施例31
合成中间体(J-23)
中间体J-23是从化合物J-22根据实施例22中化合物J-15所述的方式合成的。
1H NMR(300MHz,DMSO-D6)δ8.40(s,2H),8.21(s,2H),8.08(s,2H),7.39(d,2H),7.13(d,2H),2.12(s,6H)。
实施例32
合成中间体(J-24)
中间体J-24是从化合物J-23根据实施例23中化合物J-16所述的方式合成的。
1H NMR(300MHz,DMSO-D6)δ8.25(s,2H),8.09和8.00(2s(旋转异构体),2H),7.94(d,2H),7.57(d,2H),7.37(d,2H),7.13(d,2H),2.12(s,6H)。
实施例33
合成中间体(J-25)
中间体J-25是从化合物J-24根据实施例24中化合物J-17所述的方式合成的。
1H NMR(400MHz,DMSO-D6)δ9.23(s,2H),9.02(d,2H),8.16(s,2H),7.99(d,2H),7.81(d,2H),7.52(d,2H),4.24(s,4H)。
实施例34
合成中间体(J-26)
中间体J-26是从化合物J-25根据实施例25中化合物J-18所述的方式合成的。
1H NMR(300MHz，CDCl3)δ8.89(d,2H),8.87(s,2H),7.86(s,2H),7.73(d,2H),7.50(d,2H),7.42(d,2H),2.19-2.11(br,8H),1.35-0-95(m,104H),0.89(t,12H),0.75-0.60(br,8H)。
路线S7:合成聚合物P-10，从中间体J-26开始：
实施例35
合成中间体(J-27)
中间体J-27是从化合物J-26根据实施例26中化合物J-19所述的方式合成的。
1H NMR(300MHz，CDCl3)δ8.89(d,2H),8.87(s,2H),7.85(s,2H),7.73(d,2H),7.51(s,2H),2.19-2.11(br,8H),1.50-1.00(m,104H),0.90(t,12H),0.73-0.62(br,8H),0.49(t,18H)。
实施例36
合成聚合物(P-10)
聚合物P-10是从0.274mmol(449mg)的化合物J-27和0.274mmol(80.5mg)的4,7-二溴-苯并[c]-1,2,5-噻二唑[15155-41-6]根据实施例27中聚合物P-9所述的方式合成的。进行索格利特萃取，从己烷级分得到79mg的聚合物P-10(GPC数据(三氯苯,150℃):Mw 27’139,PDI 2.23)，和从甲苯级分得到257mg的聚合物P-10(GPC数据(三氯苯,150℃):Mw 78’162,PDI2.28)。
实施例37
经由直接杂芳基化聚合反应合成聚合物P-11(与上述聚合物P-1的结构相同)：
0.032mmol(40mg)的化合物J-9和0.032mmol(12mg)的4,7-二溴-苯并[c]-1,2,5-噻二唑[15155-41-6]与10％Pd(Herrmann)催化剂和15％三(邻-甲氧基-苯基)膦、2当量的新戊酸、3当量的碳酸钾和2ml二甲基乙酰胺一起加入管形瓶中，并用氩气脱气。然后，反应混合物在140℃下加热和剧烈搅拌48小时。聚合物P-11用水沉淀，过滤并用水洗涤。然后，聚合物按照与上述实验12-19相似的方式进行提纯和分级。氯仿级分得到聚合物P-11，具有以下GPC数据(氯苯，在80℃下):Mw 52’300,PDI 1.41。
应用实施例A-1至A-4：
基于聚合物P-1、P-2、P-3、和P-4的有机场效应晶体管(OFET)的制造和表征：
将聚合物按照0.75重量％的浓度溶解在二氯苯中。按照以下工序从各种配制剂制造背接触顶栅式FET：
具有刻蚀预先图案化的金触点的PEN基材用作基材，这些触点用作FET的源和漏接触。通过标准刮刀式涂布器涂布100μl的配制剂，这在整个基材上形成均匀的半导体层。在涂布完成之后，立即将基材转移到预热的热板上，并于90℃加热30秒。然后，将由溶解在PGMEA中的4重量％聚苯乙烯组成的栅介电层旋涂到有机半导体的顶部(2500rpm,30秒)。在旋涂介电材料之后，再次将基材转移到热板上，并于90℃再退火5分钟。介电层的厚度是420nm，这通过外形仪检测。最后，通过真空蒸发沉积得到50nm厚的带掩膜图案的金栅极，从而获得BCTG构造的FET。
迁移率μ是从传输特性曲线(实心灰色曲线)的方根形式在饱和区域中计算的。斜率m是从相应传输特性中的黑色虚线得到的。黑色虚线拟合到漏电流特性ID的方根形式区域，从而获得与方根形式的线性斜率之间的优良相关性。
阈值电压UTh可以从黑色虚线与X轴部分(VGS)的截距得到。
为了计算OFET的电性能，使用以下公式：
其中ε0是真空介电常数8.85x10-12As/Vm。对于聚苯乙烯，εr＝2.6；d是介电层的厚度。宽度/长度之比W/L＝10。
图1显示由聚合物P-1制造的FET的代表性传输特性，其中VGS＝按照0.5V的步长从30V到-30V，其中VDS＝-30V。漏电流(黑色实心曲线)，栅电流(灰色点状曲线)，漏电流的平方根(灰色实心曲线)，和平方根的拟合斜率(黑色虚线曲线)。
图2显示由聚合物P-2制造的FET的代表性传输特性，其中VGS＝按照0.5V的步长从30V到-30V，其中VDS＝-30V。漏电流(黑色实心曲线)，栅电流(灰色点状曲线)，漏电流的平方根(灰色实心曲线)，和平方根的拟合斜率(黑色虚线曲线)。
图3显示由聚合物P-3制造的FET的代表性传输特性，其中VGS＝按照0.5V的步长从30V到-30V，其中VDS＝-30V。漏电流(黑色实心曲线)，栅电流(灰色点状曲线)，漏电流的平方根(灰色实心曲线)，和平方根的拟合斜率(黑色虚线曲线)。
图4显示由聚合物P-4制造的FET的代表性传输特性，其中VGS＝按照0.5V的步长从30V到-30V，其中VDS＝-30V。漏电流(黑色实心曲线)，栅电流(灰色点状曲线)，漏电流的平方根(灰色实心曲线)，和平方根的拟合斜率(黑色虚线曲线)。
以下迁移率、阈值电压和开/关比率是对于各化合物得到的平均值。通过平均值计算的TFT数目如下表所示：

Claims (17)

1.聚合物，其包含至少一个式1或1’的单元：
和式2或2’的化合物：
其中，在式1、1’、2和2’中，
n是0、1、2、3或4，
m是0、1、2、3或4，
M1和M2互相独立地是芳族或杂芳族的单环或双环的环体系；
X在每次出现时是选自O、S、Se或Te，优选O、S或Se，更优选S或Se，最优选S；
Q在每次出现时是选自C、Si或Ge，优选C或Si，最优选C；
R在每次出现时是选自H，C1-100烷基，C2-100链烯基，C2-100炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基，5至20员杂芳基，C(O)-C1-100烷基，C(O)-C5-12环烷基和C(O)-OC1-100烷基，
其中
C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基可以被1-40个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRaRb，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，N[C(O)Ra][C(O)Rb]，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，CN，和NO2；并且C1-100烷基、C2-100链烯基和C2-100炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRaRb，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，N[C(O)Ra][C(O)Rb]，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic),-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，CN，和NO2；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORa，OC(O)-Ra，C(O)-ORa，C(O)-Ra，NRaRb，NRa-C(O)Rb，C(O)-NRaRb，N[C(O)Ra][C(O)Rb]，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)，卤素，CN，和NO2，
其中
Ra和Rb独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基和5至14员杂芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，O-C1-60烷基，O-C2-60链烯基，O-C2-60炔基，O-C5-8环烷基，O-C6-14芳基，O-5至14员杂芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，NR5R6，卤素和O-C(O)-R5，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，O-C1-60烷基，O-C2-60链烯基，O-C2-60炔基，O-C5-8环烷基，O-C6-14芳基，O-5至14员杂芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，NR50R60，卤素和O-C(O)-R50；
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih、RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，O-Si(CH3)3，NR500R600，卤素和O-C(O)-R500，
R5、R6、R50、R60、R500和R600独立地选自H，C1-60烷基，C2-60链烯基，C2-60炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基可以被1-20个独立地选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRcRd，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，N[C(O)Rc][C(O)Rd]，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil)，-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，CN，和NO2；并且C1-60烷基、C2-60链烯基和C2-60炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRcRd，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，N[C(O)Rc][C(O)Rd]，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil)，-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，CN，和NO2；并且C5-8环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO代替，
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，ORc，OC(O)-Rc，C(O)-ORc，C(O)-Rc，NRcRd，NRc-C(O)Rd，C(O)-NRcRd，N[C(O)Rc][C(O)Rd]，SRc，Si(RSij)(RSik)(RSil),-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)，卤素，CN和NO2；
其中
Rc和Rd独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基和C2-30炔基，
RSij、RSik和RSil独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，-[O-SiRSimRSin]q-RSio，NR7R8，卤素，和O-C(O)-R7，
其中
q是1-50的整数，
RSim、RSin、RSio独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，-[O-SiRSipRSiq]r-RSir，NR70R80，卤素，和O-C(O)-R70；
其中
r是1-50的整数，
RSip、RSiq、RSir独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，O-C1-30烷基，O-C2-30链烯基，O-C2-30炔基，O-C5-6环烷基，O-C6-10芳基，O-5至10员杂芳基，O-Si(CH3)3，NR700R800，卤素和O-C(O)-R700，
R7、R8、R70、R80、R700和R800独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，和5至10员杂芳基，
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
R2、R2'、R2”、R*在每次出现时是独立地选自氢，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基，5至20员杂芳基，OR21，OC(O)-R21，C(O)-OR21，C(O)-R21，NR21R22，NR21-C(O)R22，C(O)-NR21R22，N[C(O)R21][C(O)R22]，SR21，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和OH，
其中
R21和R22独立地选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，和
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORe，OC(O)-Re，C(O)-ORe，C(O)-Re，NReRf，NRe-C(O)Rf，C(O)-NReRf，N[C(O)Re][C(O)Rf]，SRe，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和NO2；并且C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基和C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORe，OC(O)-Re，C(O)-ORe，C(O)-Re，NReRf，NRe-C(O)Rf，C(O)-NReRf，N[C(O)Re][C(O)Rf]，SRe，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和NO2；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRe或NRe-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORe，OC(O)-Re，C(O)-ORe，C(O)-Re，NReRf，NRe-C(O)Rf，C(O)-NReRf，N[C(O)Re][C(O)Rf]，SRe，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和NO2，
其中
RSis、RSit和RSiu互相独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，苯基和O-Si(CH3)3，
Re和Rf独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
其中
Rg和Rh独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10炔基，
其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
L1和L2互相独立地和在每次出现时是选自C6-30亚芳基，5至30员亚杂芳基，
其中
C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基可以被1-6个取代基R3取代，取代基R3在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，OR31，OC(O)-R31，C(O)-OR31，C(O)-R31，NR31R32，NR31-C(O)R32，C(O)-NR31R32，N[C(O)R31][C(O)R32]，SR31，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和OH，和
其中
可以被1个或2个取代基R4取代，取代基R4在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，C(O)-R41，C(O)-NR41R42，C(O)-OR41和CN，
其中
R31、R32、R41和R42互相独立地和在每次出现时是选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，和
其中
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并且C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基和C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并且C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2，
其中
RSiv、RSiw、RSix是互相独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，苯基和O-Si(CH3)3，
Ri和Rj独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
其中
Rk和Rl独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10炔基，
其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
2.根据权利要求1的聚合物，其包含至少一个下式单元：
n、m、L1、L2、X、Q、R、R2、R2’、R2”、R*如权利要求1中所定义；
Y在每次出现时是选自O、S、Se或Te，优选O、S或Se，更优选S或Se，最优选S；
3.根据权利要求1或2的聚合物，其中
R2、R2'、R2”和R*在每次出现时是选自氢、C1-30烷基和卤素，
其中
C1-30烷基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORe，OC(O)-Re，C(O)-ORe，C(O)-Re，NReRf，NRe-C(O)Rf，C(O)-NReRf，N[C(O)Re][C(O)Rf]，SRe，卤素，CN，SiRSisRSitRSiu和NO2；并且C1-30烷基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
其中
RSis、RSit和RSiu互相独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，苯基和O-Si(CH3)3，
Re和Rf独立地选自H，C1-20烷基，C3-20链烯基，C3-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORg，OC(O)-Rg，C(O)-ORg，C(O)-Rg，NRgRh，NRg-C(O)Rh，C(O)-NRgRh，N[C(O)Rg][C(O)Rh]，SRg，卤素，CN，和NO2；
其中
Rg和Rh独立地选自H、C1-10烷基、C3-10链烯基和C3-10炔基，
其中
C1-10烷基、C3-10链烯基和C3-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
X在每次出现时是选自O、S或Se，
Q在每次出现时是碳原子，
R在每次出现时是选自C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基，
其中
C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：ORa，SRa，Si(RSia)(RSib)(RSic)，和卤素；并且C1-50烷基、C3-50链烯基和C3-50炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
其中
Ra独立地选自H，C1-20烷基，C3-20链烯基，C3-20炔基，C5-6环烷基和C6-10芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1-50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H，C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1-50的整数，
RSig、RSih、RSii独立地选自H，C1-30烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，O-Si(CH3)3，
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-10个选自卤素和CN的取代基取代，
并且L1、L2、n和m是如权利要求1中所定义。
4.根据权利要求1-3中任一项的聚合物，其中：
R2、R2'、R2”和R*在每次出现时是选自氢，未取代的C1-30烷基和卤素，和
X在每次出现时是选自O、S或Se，
Q在每次出现时是碳原子，
R在每次出现时是未取代的C1-50烷基、C3-50链烯基或C3-50炔基，
L1、L2、n和m是如权利要求1中所定义。
5.根据权利要求4的聚合物，其中：
R2、R2'、R2”和R*在每次出现时是氢，
X在每次出现时是S，
Q在每次出现时是碳原子，
R在每次出现时是C1-36烷基，
L1、L2、N和m是如权利要求1所定义。
6.根据权利要求1-5的聚合物，其中：
L1和L2互相独立地和在每次出现时是选自C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基，
和
其中
C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基可以被1-6个取代基R3取代，取代基R3在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，OR31，OC(O)-R31，C(O)-OR31，C(O)-R31，NR31R32，NR31-C(O)R32，C(O)-NR31R32，SR31，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和OH，和
其中
可以被1个或2个取代基R4取代，取代基R4在每次出现时是选自C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，C(O)-R41,C(O)-NR41R42，C(O)-OR41和CN，
其中
R31、R32、R41和R42互相独立地和在每次出现时是选自H，C1-30烷基，C2-30链烯基，C2-30炔基，C5-12环烷基，C6-18芳基和5至20员杂芳基，和
其中
C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基可以被1-10个独立地选自以下的取代基取代：C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并且C1-30烷基、C2-30链烯基和C2-30炔基中的至少两个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O或S代替，
C5-12环烷基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基和C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2；并C5-12环烷基中的1个或2个CH2基团、但不相邻的CH2基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO代替，
C6-18芳基和5至20员杂芳基可以被1-6个独立地选自以下的取代基取代：C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，5至14员杂芳基，ORi，OC(O)-Rj，C(O)-ORi，C(O)-Ri，NRiRj，NRi-C(O)Rj，C(O)-NRiRj，N[C(O)Ri][C(O)Rj]，SRi，卤素，CN，SiRSivRSiwRSix和NO2，
其中
RSiv、RSiw、RSix是互相独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-6环烷基，苯基和O-Si(CH3)3,
Ri和Rj独立地选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORk，OC(O)-Rl，C(O)-ORk，C(O)-Rk，NRkRl，NRk-C(O)Rl，C(O)-NRkRl，N[C(O)Rk][C(O)Rl]，SRk，卤素，CN，和NO2；
其中
Rk和Rl独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10炔基，
其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
并且n和m是如权利要求1所定义。
7.根据权利要求6的聚合物，其中：
L1和L2互相独立地和在每次出现时是选自C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基
和
其中
C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基是选自：
其中
R1是如对于R所定义，
R104和R105独立地和在每次出现时是选自H，C1-20烷基，C2-20链烯基，C2-20炔基，C5-8环烷基，C6-14芳基，和5至14员杂芳基，或当R104和R105与相同的原子连接时，R104和R105和与它们连接的原子一起形成5-12员环体系，
其中
C1-20烷基、C2-20链烯基和C2-20炔基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt,C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
C5-8环烷基可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
C6-14芳基和5至14员杂芳基可以被1-5个独立地选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
5-12员环体系可以被1-5个选自以下的取代基取代：C1-10烷基，C2-10链烯基，C2-10炔基，C5-6环烷基，C6-10芳基，5至10员杂芳基，ORs，OC(O)-Rt，C(O)-ORs，C(O)-Rs，NRsRt，NRs-C(O)Rt，C(O)-NRsRt，N[C(O)Rs][C(O)Rt]，SRs，卤素，CN，和NO2；
其中
Rs和Rt独立地选自H，C1-10烷基，C2-10链烯基和C2-10炔基，其中
C1-10烷基、C2-10链烯基和C2-10炔基可以被1-5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
其中
C6-30亚芳基和5至30员亚杂芳基可以被1-6个取代基R3取代，取代基R3在每次出现时是选自C1-30烷基和卤素，和
其中
可以被1个或2个取代基R4取代，取代基R4在每次出现时是选自C1-30烷基，C(O)-R41，C(O)-OR41和CN，
其中
R41在每次出现时是C1-30烷基，
X’是O、S或Se，更优选S或Se，特别优选S，
并且n和m是如权利要求1中所定义。
8.根据权利要求7的聚合物，其中
L1和L2互相独立地选自：
其中
R1、R104和R105是如权利要求7中所定义，
X’是S或Se。
9.根据权利要求8的聚合物，其中L1和L2是选自：
其中R1是如权利要求8中所定义。
10.根据权利要求1-9的聚合物，其中：
n是0、1或2，和
m是0、1或2。
11.一种制备根据权利要求1的聚合物的方法，其中n是0，并且聚合物包含式(1-I)或(1-I’)的单元：
其中R2、R2’、R2”、Q、M1、M2、X、R和L2和m是如权利要求1中所定义，
此方法包括式(3)或式(3')的化合物与式(10)化合物反应的步骤：
其中Z*在每次出现时是I、Br、Cl、O-S(O)2CF3或H，并且R2、R2’、Q、M1、M2、X、R是如对于式(1-I)化合物所定义，
其中
L2是如对于式(1-I)或(1-I’)化合物所定义，和
Za和Zb独立地选自B(OZ1)(OZ2)，SnZ1Z2Z3，
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5和Z6互相独立地和在每次出现时是H或C1-4烷基，
若Z*是H，则Za和Zb是Br，
p是2-1000的整数。
12.具有下式的中间体：
其中
R2、R2’、R2”、Q、M1、M2、X和R是如权利要求1中所定义，和
Z*在每次出现时是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3，
Za和Zb独立地选自B(OZ1)(OZ2)，SnZ1Z2Z3，
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5和Z6互相独立地和在每次出现时是H或C1-4烷基。
13.电子装置，其包含根据权利要求1-10中任一项的聚合物。
14.根据权利要求13的电子装置，其中电子装置是有机场效应晶体管。
15.根据权利要求1-10中任一项的聚合物作为半导体材料的用途。
16.根据权利要求1-10中任一项的聚合物作为发光材料的用途。
17.根据权利要求1的化合物作为发光材料的用途。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3697780B1 (en) 2017-10-19 2022-07-27 Clap Co., Ltd. New substituted benzonaphthathiophene compounds for organic electronics
JP7046395B2 (ja) 2018-03-07 2022-04-04 クラップ カンパニー リミテッド トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造するためのパターニング方法
CN112912381B (zh) * 2018-10-15 2023-09-05 Clap有限公司 作为有机半导体的引达省衍生物

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005020986A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-10 Astrazeneca Ab Heterocyclic amide derivatives which posses glycogen phosphorylase inhibitory activity
CN1886406A (zh) * 2003-12-10 2006-12-27 光学转变公司 吡喃并喹啉类、吡喃并喹啉酮类、它们的结合物、光致变色组合物和制品
CN101073163A (zh) * 2004-12-09 2007-11-14 默克专利有限公司 金属配合物
CN101248156A (zh) * 2005-08-26 2008-08-20 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的新材料
US20110031475A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Xerox Corporation Semiconductor Composition
CN104245786A (zh) * 2012-04-25 2014-12-24 默克专利股份有限公司 共轭聚合物
CN104379588A (zh) * 2012-06-01 2015-02-25 巴斯夫欧洲公司 具有除草活性的取代吡啶化合物

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE452154T1 (de) * 2003-10-15 2010-01-15 Merck Patent Gmbh Polybenzodithiophene
TWI471328B (zh) * 2008-07-02 2015-02-01 Basf Se 以二噻吩并〔２，３－ｄ：２’，３’－ｄ’〕苯并〔１，２－ｂ：４，５－ｂ’〕二噻吩為主之高效能溶液可加工之半導體
EP2671880B1 (en) * 2012-06-05 2015-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd Fused polycyclic heteroaromatic compound, organic thin film including compound and electronic device including organic thin film
EP2875028A1 (en) * 2012-07-23 2015-05-27 Basf Se Dithienobenzofuran polymers and small molecules for electronic application
EP3129382A4 (en) * 2014-03-25 2018-01-03 Basf Se Azaazene analogues and their use as semiconductor
JP6711272B2 (ja) * 2014-07-23 2020-06-17 住友化学株式会社 高分子化合物およびそれを用いた有機半導体素子
JP6713470B2 (ja) * 2015-01-16 2020-06-24 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ベンゾチエノチオフェンイソインジゴポリマー
CN105061463B (zh) 2015-08-15 2018-09-14 华南理工大学 一类九元稠环衍生物及其合成方法与应用
KR102533066B1 (ko) * 2016-10-05 2023-05-15 라이너지 테크 인코포레이션 유기 반도체성 화합물

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005020986A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-10 Astrazeneca Ab Heterocyclic amide derivatives which posses glycogen phosphorylase inhibitory activity
CN1886406A (zh) * 2003-12-10 2006-12-27 光学转变公司 吡喃并喹啉类、吡喃并喹啉酮类、它们的结合物、光致变色组合物和制品
CN101073163A (zh) * 2004-12-09 2007-11-14 默克专利有限公司 金属配合物
CN101248156A (zh) * 2005-08-26 2008-08-20 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的新材料
US20110031475A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Xerox Corporation Semiconductor Composition
CN104245786A (zh) * 2012-04-25 2014-12-24 默克专利股份有限公司 共轭聚合物
CN104379588A (zh) * 2012-06-01 2015-02-25 巴斯夫欧洲公司 具有除草活性的取代吡啶化合物

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