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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7661771B2 (ja) * 2021-05-06 2025-04-15 住友電気工業株式会社 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法
CN114211389A (zh) * 2022-02-23 2022-03-22 北京通美晶体技术股份有限公司 一种磷化铟晶片及其制备方法
JP7268784B1 (ja) * 2022-05-31 2023-05-08 株式会社レゾナック ＳｉＣ基板及びＳｉＣエピタキシャルウェハ
JP7245586B1 (ja) * 2022-06-02 2023-03-24 株式会社レゾナック ｎ型ＳｉＣ単結晶基板
JP7217828B1 (ja) * 2022-06-02 2023-02-03 昭和電工株式会社 ＳｉＣ単結晶基板
CN115332052B (zh) * 2022-08-15 2026-03-27 福建晶安光电有限公司 可降低形变应力的衬底加工方法及衬底
FR3139409B1 (fr) * 2022-09-01 2024-08-23 Soitec Silicon On Insulator Procédé de préparation de la face avant d’une plaque de carbure de silicium polycristallin
CN115343301B (zh) * 2022-10-20 2023-05-23 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 一种非金属材料亚表面损伤深度的表征方法
CN115652432B (zh) * 2022-10-31 2025-12-19 山东天岳先进科技股份有限公司 一种碳化硅晶体、籽晶及衬底
JP2025054483A (ja) * 2023-09-26 2025-04-08 株式会社プロテリアル 炭化珪素単結晶の製造方法
CN117304814B (zh) * 2023-11-29 2024-03-12 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6046112A (en) * 1998-12-14 2000-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Chemical mechanical polishing slurry
JP4262922B2 (ja) 2002-01-25 2009-05-13 日立金属株式会社 固定砥粒ワイヤソーを用いた高硬度材料の切断方法および磁気ヘッド用セラミックス基板の製造方法
JP5233241B2 (ja) 2007-10-22 2013-07-10 株式会社デンソー 炭化珪素ウェハの製造方法
JP2010167509A (ja) 2009-01-20 2010-08-05 Kanai Hiroaki 固定砥粒ソーワイヤ及び切断方法
CN102533124A (zh) * 2010-12-31 2012-07-04 上海硅酸盐研究所中试基地 碳化硅衬底用抛光液
KR101232716B1 (ko) * 2011-02-16 2013-02-13 한솔테크닉스(주) 기판 제조방법
DE202012013565U1 (de) * 2011-07-20 2017-11-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Siliziumkarbidsubstrat und Halbleitervorrichtung
US9018639B2 (en) * 2012-10-26 2015-04-28 Dow Corning Corporation Flat SiC semiconductor substrate
CN103624675B (zh) * 2013-11-29 2016-05-11 河北同光晶体有限公司 一种获得低加工损伤的碳化硅衬底表面的加工方法
CN103722625B (zh) * 2013-12-25 2015-12-09 山东天岳先进材料科技有限公司 一种利用金刚石线切割大直径碳化硅单晶的方法和设备
JP2014168067A (ja) 2014-03-25 2014-09-11 Asahi Glass Co Ltd 非酸化物単結晶基板の研磨方法
JP6358740B2 (ja) * 2014-04-08 2018-07-18 山口精研工業株式会社 研磨用組成物
CN103935990B (zh) * 2014-04-15 2016-09-14 江苏大学 基于聚焦离子束系统的He离子刻蚀制备石墨烯纳米带方法
US10113249B2 (en) * 2014-10-23 2018-10-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide substrate and method for manufacturing the same
CN104465720A (zh) * 2014-12-05 2015-03-25 中山大学 一种半导体外延结构及其生长方法
JP6744295B2 (ja) * 2015-04-01 2020-08-19 三井金属鉱業株式会社 研摩材および研摩スラリー
US9978651B2 (en) * 2015-05-11 2018-05-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
JP6564624B2 (ja) * 2015-06-10 2019-08-21 株式会社ディスコ 研削砥石
JP6579889B2 (ja) * 2015-09-29 2019-09-25 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶基板の製造方法
JP6690282B2 (ja) * 2016-02-15 2020-04-28 住友電気工業株式会社 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6597381B2 (ja) 2016-02-22 2019-10-30 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板の製造方法、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6632132B2 (ja) * 2016-05-18 2020-01-15 昭和電工株式会社 単結晶ＳｉＣ基板の物性判別方法および単結晶ＳｉＣ基板の製造方法
JP6465193B2 (ja) * 2017-11-28 2019-02-06 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶基板および炭化珪素エピタキシャル基板

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