DE202012013565U1 - Siliziumkarbidsubstrat und Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Siliziumkarbidsubstrat (1), bei dem ein Bereich, der wenigstens eine Hauptoberfläche (1A) umfasst, aus einem Einkristall-Siliziumkarbid besteht, wobei Schwefelatome in der einen Hauptoberfläche (1A) mit nicht weniger als 60 × 1010 Atomen/cm2 und nicht mehr als 2.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind und Sauerstoffatome in der einen Hauptoberfläche (1A) mit nicht weniger als 3 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% vorhanden sind.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Siliziumkarbidsubstrat und eine Halbleitervorrichtung. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Siliziumkarbidsubstrat, das in der Lage ist, einen On-Widerstand zu verringern und den Gewinn von Halbleitervorrichtungen zu verbessern, und auf eine Halbleitervorrichtung, bei der das Substrat Verwendung findet.
  • ZUGRUNDELIEGENDER STAND DER TECHNIK
  • Um eine hohe Durchschlagsspannung, einen geringen Verlust und die Verwendung von Halbleitervorrichtungen in einer Umgebung mit hoher Temperatur zu erreichen, wurde in den vergangenen Jahren damit begonnen, Siliziumkarbid (SiC) als Material für eine Halbleitervorrichtung einzusetzen. Siliziumkarbid ist ein Halbleiter mit einem breiten Bandabstand, das einen Bandabstand hat, der größer ist als jener von Silizium, das normalerweise weit verbreitet als Material für Halbleitervorrichtungen verwendet wird. Somit kann durch Einsatz von Siliziumcarbid als ein Material für eine Halbleitervorrichtung die Halbleitervorrichtung eine hohe Durchschlagsspannung, einen geringen On-Widerstand und dergleichen haben. Weiterhin hat die Halbleitervorrichtung, bei der auf diese Weise Siliziumkarbid als deren Material verwendet wird, vorteilhaft Eigenschaften, die selbst in einer Umgebung hoher Temperaturen weniger beeinträchtigt werden als jene einer Halbleitervorrichtung, bei der Silizium als deren Material eingesetzt wird. Darüber hinaus hat ein Siliziumkarbidsubstrat eine exzellentere Wärmeleitfähigkeit als ein Substrat, das aus einem Nitridhalbleiter, wie etwa Galliumnitrid, besteht, und ist demzufolge ein exzellentes Substrat einer Halbleitervorrichtung für eine Starkstromanwendung, für die eine hohe Spannung und ein starker Strom erforderlich sind.
  • Um eine Hochleistungshalbleitervorrichtung herzustellen, bei der Silziumkarbid als deren Material zum Einsatz kommt, ist es wirkungsvoll, einen Vorgang des Vorbereitens eines Substrates anzuwenden, das aus Siliziumkarbid besteht (Siliziumkarbidsubstrat), und eine Epitaxial-Wachstumsschicht, die aus SiC besteht, auf dem Siliziumkarbidsubstrat auszubilden. Wenn weiterhin beispielsweise eine Leistungsvorrichtung eines vertikalen Typs mit Hilfe eines Siliziumkarbidsubstrates hergestellt wird, kann der On-Widerdstand der Vorrichtung verringert werden, indem der spezifische Widerstand des Substrates in der Dickenrichtung desselben so weit wie möglich reduziert wird. Um weiterhin den spezifischen Widerstand des Substrates in der Dickenrichtung desselben zu verringern, kann beispielsweise ein Verfahren des Einleitens einer Verunreinigung, die ein n-Typ-Dotiermittel, wie etwa Stickstoff ist, in das Substrat bei einer hohen Konzentration angewendet werden (siehe beispielsweise R.C. GLASS et al., "SiC Seeded Crystal Growth", Phys. stat. sol. (b), 1997, 202, pp. 149–162 (Nicht-Patentliteratur 1)). Darüber hinaus wurde der Einfluss einer Verunreinigung, die in einer Oberfläche eines Gruppe-III-Nitridsubstrates vorhanden ist, das eine Kristallstruktur hat, die sich von jener von Siliziumkarbid unterscheidet, untersucht (siehe die japanische Patentoffenlegungsschrift No. 2011-77381 (Patentliteratur 1), die japanische Patentoffenlegungsschrift No. 2010-163307 (Patentliteratur 2)).
  • LITERATURVERZEICHNIS
  • PATENTLITERATUR
    • PTL 1: Japanische Patentoffenlegungsschrift No. 2011-77381
    • PTL 2: Japanische Patentoffenlegungsschrift No. 2010-163307
  • NICHT-PATENTLITERATUR
  • ÜBERSICHT ÜBER DIE ERFINDUNG
  • TECHNISCHES PROBLEM
  • Wenn jedoch eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Siliziumkarbidsubstrates hergestellt wird, das einen geringen spezifischen Widerstand hat, kann das Problem auftreten, dass der On-Widerstand der Halbleitervorrichtung zunimmt und eine Verringerung des Gewinns bewirkt.
  • Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um ein derartiges Problem zu lösen, wobei ein Ziel der vorliegenden Erfindung darin besteht, ein Siliziumkarbidsubstrat, das in der Lage ist, den On-Widerstand zu verringern und den Gewinn von Halbleitervorrichtungen zu verbessern, und eine Halbleitervorrichtung, bei der das Substrat Verwendung findet, anzugeben.
  • LÖSUNG DES PROBLEMS
  • Bei einem Siliziumkarbidsubstrat gemäß der vorliegenden Erfindung besteht ein Bereich, der wenigstens eine Hauptoberfläche umfasst, aus einem Einkristall-Siliziumkarbid, wobei Schwefelatome in der einen Hauptoberfläche mit nicht weniger als 60 × 1010 Atomen/cm2 und nicht mehr als 2.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind und Sauerstoffatome in der einen Hauptoberfläche mit nicht weniger als 3 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% vorhanden sind.
  • Der Erfinder der vorliegenden Erfindung hat die Ursachen einer Verminderung des Gewinns von Halbleitervorrichtungen infolge eines Anstiegs des oben beschriebenen On-Widerstandes und Gegenmaßnahmen hierfür untersucht. Infolgedessen hat der Erfinder herausgefunden, dass der Anstieg des On-Widerstandes durch die Gegenwart eines Verunreinigungselementes in einer Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates verursacht wird, auf der eine epitaxiale Wachstumsschicht ausgebildet werden soll. Der Erfinder hat zudem die Erkenntnis gewonnen, dass sich der Grad des Einflusses auf den On-Widerstand in Abhängigkeit des Typs der Verunreinigungselementes deutlich unterscheidet.
  • Insbesondere wenn Kohlenstoffatome in einer Hauptfläche eines Siliziumkarbidsubstrates vorhanden sind, sofern eine epitaxiale Wachstumsschicht auf der Hauptoberfläche ausgebildet wird, wird eine Schicht eines hohen spezifischen Widerstandes an einer Schnittstelle zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat und der epitaxialen Wachstumsschicht ausgebildet, wobei sich ein On-Widerstand einer Halbleitervorrichtung, die man im Anschluss durch Ausbilden von Elektroden und dergleichen erhält, deutlich erhöht. Wenn andererseits Schwefelatome und Sauerstoffatome in großen Mengen in einer Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates vorhanden sind, verursachen sie einen Anstieg des On-Widerstandes, aber wenn sie in geringen Mengen vorhanden sind, haben sie einen geringeren Einfluss. Weiterhin unterdrückt die Gegenwart von Schwefelatomen und Sauerstoffatomen die Bindung zwischen Siliziumatomen, die das Siliziumkarbidsubstrat bilden, und Kohlenstoffatomen als ein Verunreinigungselement. Somit hat die Gegenwart von Schwefelatomen und Sauerstoffatomen in geringen Mengen eine Wirkung des Unterdrückens der Gegenwart von Kohlenstoffatomen als ein Verunreinigungselement und des Unterdrückens eines Anstiegs des On-Widerstandes.
  • Da bei dem Siliziumkarbidsubstrat gemäß der vorliegenden Erfindung die Anteile von Schwefelatomen und Sauerstoffatomen in der Hauptoberfläche auf nicht mehr als 2.000 × 1010 Atome/cm2 bzw. nicht mehr als 30 Atom-% eingestellt sind, wird ein Anstieg des On-Widerstandes infolge der Gegenwart dieser Atome unterdrückt. Da darüber hinaus die Anteile der Schwefelatome und der Sauerstoffatome in der Hauptoberfläche auf nicht weniger als 60 × 1010 Atome/cm2 bzw. nicht weniger als 3 Atom-% eingestellt sind, wird eine Bindung zwischen Siliziumatomen, die das Siliziumkarbidsubstrat bilden, und Kohlenstoffatomen als eine Verunreinigung unterdrückt und ein Anstieg des On-Widerstandes unterdrückt. Infolgedessen kann gemäß dem Siliziumkarbidsubstrat in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ein Siliziumkarbidsubstrat bereitgestellt werden, das in der Lage ist, den On-Widerstand zu vermindern und den Gewinn von Halbleitervorrichtungen zu verbessern.
  • Bei dem Siliziumkarbidsubstrat können Chloratome in der einen Hauptfläche mit nicht mehr als 4.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sein. Dadurch kann ein Siliziumkarbidsubstrat bereitgestellt werden, das in der Lage ist, einen On-Widerstand zu verringern und den Gewinn von Halbleitervorrichtungen zu verbessern.
  • Bei dem Siliziumkarbidsubstrat können Kohlenstoffatome in der einen Hauptoberfläche mit nicht weniger als 40 Atom-% und nicht mehr als 60 Atom-% vorhanden sein. Dadurch wird die Ausbildung einer Schicht mit hohem spezifischen Widerstand an der Schnittstelle zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat und der epitaxialen Wachstumsschicht unterdrückt, die auf dem Siliziumkarbidsubstrat ausgebildet wird. Insbesondere sind Kohlenstoffatome als eine Verunreinigung in der einen Hauptoberfläche vorzugsweise mit nicht mehr als 22 Atom-%, vorzugsweise mit nicht mehr als 14 Atom-% und stärker bevorzugt mit nicht mehr als 8 Atom-% vorhanden.
  • Bei dem Siliziumkarbidsubstrat kann eine Metallverunreinigung in der einen Hauptoberfläche mit nicht mehr als 11.000 × 1010 Atomen/cm2 und weiterhin mit nicht mehr als 4.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sein. Metallatome, wie etwa Ti (Titan), Cr (Chrom), Fe (Eisen), Ni (Nickel), Cu (Kupfer), Zn (Zink), Ca (Kalzium) und K (Kalium) bewirken die Bildung einer Schicht mit hohem spezifischen Widerstand an der oben beschriebenen Schnittstelle. Somit wird durch Verringern eines Anteils derselben auf den obigen Bereich eine Bildung der Schicht mit hohem spezifischen Widerstand unterdrückt. Weiterhin kann eine Beeinträchtigung der Qualität der epitaxialen Wachstumsschicht unterdrückt werden, indem die Metallverunreinigung verringert wird.
  • In dem Siliziumkarbidsubstrat können Natriumatome in der einen Hauptoberfläche mit nicht mehr als 10.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sein. Sofern Na(-Atome) in einer großen Menge vorhanden sind, wird Siliziumkarbid mit einer höheren Geschwindigkeit oxidiert, was zu einem Anstieg einer Filmdicke eines Oxidfilms bei einer Oxidationsbehandlung führt und einem Anstieg einer Inebenenverteilung der Filmdicke führt. Zudem beeinträchtigen Na-Atome die Qualität der epitaxialen Wachstumsschicht, die auf dem Siliziumkarbidsubstrat ausgebildet wird. Somit ist es vorzuziehen, einen Anteil desselben auf den oben beschriebenen Bereich zu verringern.
  • In dem Siliziumkarbidsubstrat können Kupferatome und Zinkatome in der einen Hauptoberfläche mit einer Gesamtmenge von nicht mehr als 6.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sein. Als Ergebnis der Untersuchung durch den Erfinder der vorliegenden Erfindung hat sich gezeigt, dass Kupfer (Cu) und Zink (Zn) jeweils als ein Isoliermaterial dienen, das den Widerstand von Siliziumkarbid erhöht. Ein Isoliermaterial, das in einer Oberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates vorhanden ist, erhöht den On-Widerstand einer Halbleitervorrichtung, die unter Verwendung des Siliziumkarbidsubstrates hergestellt ist. Zudem beeinträchtigen Cu-Atome und Zn-Atome die Qualität der epitaxialen Wachstumsschicht, die auf dem Siliziumkarbidsubstrat ausgebildet ist. Somit ist es vorzuziehen, einen Anteil derselben auf den oben beschriebenen Bereich zu verringern.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass ein Anteil eines Verunreinigungselementes in einer Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates beispielsweise durch TXRF (Totalreflexions-Röntgenstrahlfluoreszenz), AES (Auger-Elektronenspektroskopie), XPS (Röntgenstrahl-Fotoelektronenspektroskopie), ICP-MS (Induktiv gekoppelte Plasmamassenspektroskopie) oder dergleichen gemessen werden kann. Insbesondere können die Anteile von S und Cl durch TXRF gemessen werden. Anteile von O und C können mit AES oder XPS bewertet werden. Zudem kann ein Gegenwartverhältnis einer Metallverunreinigung durch TXRF oder XPS bewertet werden. Ein Anteil von Na kann durch ICP-MS bewertet werden. TXRF erfordert keine Vorbehandlung und kann eine Bewertung vereinfachen. Andererseits wird bei einer Bewertung durch ICP-MS zunächst ein Metall aus einer Oberfläche eines Substrates mit Hilfe von Säure extrahiert und die Menge des extrahierten Metalls durch ICP-MS bewertet. Das heißt, die Menge einer Verunreinigung in der gesamten Oberfläche des Substrates, das mit der Säure (Lösung) in Berührung kommt, kann gemessen werden. Als Säure können Königswasser, Salzsäure, Flusssäure, ein Gemisch aus Salzsäure, Wasserstoffperoxid und Wasser, ein Gemisch aus Flusssäure, Wasserstoffperoxid und Wasser, Fluss-Salpetersäure oder dergleichen verwendet werden.
  • Bei der Messung durch TXRF, AES und XPS wird ein Anteil eines Verunreinigungselementes auf der Basis von Informationen in einem Bereich von der Hauptoberfläche bis zu einer Tiefe von etwa 5 nm gemessen. Das heißt, bei der vorliegenden Ausführungsform bezeichnet ein Anteil eines Elementes in einer Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates den Anteil des Elementes in einem Bereich von der Hauptoberfläche bis zu einer Tiefe von etwa 5 nm. Es wird darauf hingewiesen, dass, da die XPS die Bindungsenergie bewertet, sie Kohlenstoff, der Siliziumkarbid bildet, und Kohlenstoff, der in einer organischen Substanz und dergleichen enthalten ist, die an einer Oberfläche haftet, d.h. Kohlenstoff als eine Verunreinigung, separat bewerten kann.
  • Bei dem Siliziumkarbidsubstrat kann die eine Hauptoberfläche eine Oberflächenrauhigkeit von nicht mehr als 0,5 nm haben, wenn sie in RMS bewertet wird (siehe japanische Industrienorm: JIS). Dadurch wird auf einfache Art und Weise eine epitaxiale Wachstumsschicht auf der einen Hauptoberfläche ausgebildet, wodurch der Gewinn von Halbleitervorrichtungen verbessert wird. Es wird darauf hingewiesen, dass die Oberflächenrauhigkeit der Hauptoberfläche beispielsweise mit einem AFM (Atomkraftmikroskop), einem optischen Interferenz-Rauhigkeitsmesser oder dergleichen gemessen werden kann.
  • Das Siliziumkarbidsubstrat kann einen Durchmesser von mehr als 110 mm haben. Durch Unterdrückung der Bildung der Schicht mit hohem spezifischen Widerstand bei einem Vorgang zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines derartigen Substrates mit großem Durchmesser, kann die Herstellungseffizienz der Halbleitervorrichtung verbessert werden und können die Herstellungskosten derselben gesenkt werden.
  • Bei dem Siliziumkarbidsubstrat kann das Einkristall-Siliziumkarbid, das das Substrat bildet, eine 4H-Struktur haben, und die eine Hauptoberfläche kann einen Abweichwinkel von nicht weniger als 0,1° und nicht mehr als 10° in Bezug auf eine {0001}-Ebene des Einkristall-Siliziumkarbids haben.
  • Siliziumkarbid, das eine 4H-Struktur hat und ein hexagonales Siliziumkarbid ist, kann durch Anwachsen in einer <0001>-Richtung wirkungsvoll anwachsen. Darüber hinaus kann ein Substrat, das einen kleinen Abweichwinkel, insbesondere einen Abweichwinkel von nicht mehr als 10° in Bezug zu der {0001}-Ebene hat, wirkungsvoll aus einem Kristall hergestellt werden, der in der <0001>-Richtung anwächst. Andererseits erfolgt ein gutes epitaxiales Wachstum auf einfache Weise durch Bereitstellen der einen Hauptoberfläche mit einem Abweichwinkel von nicht weniger als 0,1° relativ zu der {0001}-Ebene.
  • Bei dem Siliziumkarbidsubstrat kann das Einkristall-Siliziumkarbidsubstrat, das das Substrat bildet, eine 4H-Struktur haben, und die eine Hauptoberfläche kann einen Abweichwinkel von nicht weniger als 0,01° und nicht mehr als 6° relativ zu einer (000-1)-Ebene des Einkristall-Siliziumkarbids haben. Durch Einstellen eines Abweichwinkels der einen Hauptoberfläche relativ zu der (000-1)-Ebene, d.h. einer C-(Kohlenstoff-)Ebenen-Seitenebene zu der {0001}-Ebene auf nicht weniger als 0,01° und nicht mehr als 6°, können eine effiziente Herstellung des Substrates und ein gutes epitaxiales Wachstum auf der Oberfläche des Substrates erzielt werden. Darüber hinaus werden durch Ausbilden der Hauptoberfläche des Substrates als eine Oberfläche in der Nähe der C-(Kohlenstoff-)Ebene mit höherer Trägermobilität eine Verbesserung der Kanalmobilität und dergleichen auf einfache Art und Weise erreicht, wenn eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung des Substrates hergestellt wird.
  • Bei dem Siliziumkarbidsubstrat kann das Einkristall-Siliziumkarbid, das das Substrat bildet, eine 4H-Struktur haben, wobei die eine Hauptoberfläche einen Abweichwinkel von nicht mehr als 4° relativ zu einer {03-38}-Ebene des Einkristall-Siliziumkarbids haben kann. Dadurch können auf einfache Weise die Unterdrückung eines Kriechstromes, eine Verbesserung der Kanalmobilität und dergleichen in einer Halbleitervorrichtung erreicht werden, die mit Hilfe des Substrates hergestellt wird.
  • Vorzugsweise hat die eine Hauptoberfläche des Siliziumkarbidsubstrates einen vorbestimmten Abweichwinkel, wie etwa einen Abweichwinkel von nicht mehr als 4° relativ zu einer einer (0001)-Ebene, einer (03-38)-Ebene, einer (01-12)-Ebene, einer (01-11)-Ebene und einer Rückseite derselben, d.h. einer (000-1)-Ebene, einer (0-33-8)-Ebene, einer (0-11-2)-Ebene und einer (0-11-1)-Ebene.
  • Das Siliziumkarbidsubstrat kann eine Basisschicht und eine Einkristall-Siliziumkarbidschicht umfassen, die auf der Basisschicht ausgebildet ist. In diesem Fall kann die eine Hauptoberfläche eine Oberfläche der Einkristall-Siliziumkarbidschicht auf einer Seite sein, die einer Seite gegenüberliegt, die der Basisschicht zugewandt ist.
  • Dadurch kann ein Siliziumkarbidsubstrat relativ kostengünstig hergestellt werden, indem beispielsweise ein kostengünstiges Basissubstrat, insbesondere ein Substrat, das aus einem Einkristall-Siliziumkarbid besteht, das eine hohe Defektdichte hat, ein polykristallines Siliziumkarbidsubstrat oder ein Basissubstrat, das aus Keramik besteht, als Basisschicht vorbereitet wird und ein Substrat, das aus einem qualitativ hochwertigen Siliziumkarbid-Einkristall besteht, auf dem Basissubstrat angeordnet wird. Da es insbesondere schwierig ist, ein Siliziumkarbidsubstrat mit einem großen Durchmesser zu erhalten, kann ein kostengünstiges Siliziumkarbidsubstrat mit einem großen Durchmesser beispielsweise dadurch erzeugt werden, dass eine Vielzahl von Einkristall-Siliziumkarbidsubstraten, die eine gute Qualität jedoch eine geringe Größe haben, auf einer Basisschicht, in einer Aufsicht betrachtet, nebeneinander angeordnet werden, um ein Siliziumkarbidsubstrat herzustellen, das eine Vielzahl von Einkristall-Siliziumkarbidschichten hat, die nebeneinander auf einer Basisschicht entlang einer Hauptoberfläche der Basisschicht angeordnet sind.
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein Siliziumkarbidsubstrat, eine epitaxiale Wachstumsschicht, die auf der Hauptoberfläche des Siliziumkarbidsubstrates ausgebildet ist, und eine Elektrode, die auf der epitaxialen Wachstumsschicht ausgebildet ist. Das Siliziumkarbidsubstrat, das die Halbleitervorrichtung bildet, ist ein Siliziumkarbidsubstrat gemäß der vorliegenden Erfindung, die oben beschrieben wurde.
  • Durch Verwenden des Siliziumkarbidsubstrates gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine qualitativ hochwertige epitaxiale Wachstumsschicht auf dem Siliziumkarbidsubstrat ausgebildet werden. Infolgedessen kann gemäß der Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ein hoher Gewinn sichergestellt werden.
  • Die Halbleitervorrichtung kann weiterhin eine zweite Elektrode umfassen, die auf der anderen Hauptfläche des Siliziumkarbidsubstrates als eine Hauptoberfläche auf einer Seite ausgebildet ist, die der Seite gegenüberliegt, die der epitaxialen Wachstumsschicht zugewandt ist.
  • Dadurch erhält man eine Halbleitervorrichtung eines vertikalen Typs, bei der ein Strom in einer Substratdickenrichtung fließt. Darüber hinaus wird durch den Einsatz des Siliziumkarbidsubstrates gemäß der vorliegenden Erfindung als Substrat die Ausbildung einer Schicht mit hohem spezifischen Widerstand an der Schnittstelle zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat und der epitaxialen Wachstumsschicht unterdrückt und somit der On-Widerstand verringert und ein Gewinn bei der Herstellung verbessert.
  • VORTEILHAFTE AUSWIRKUNGEN DER ERFINDUNG
  • Wie es aus der obigen Beschreibung deutlich wird, können gemäß dem Siliziumkarbidsubstrat und der Halbleitervorrichtung, bei der das Substrat Verwendung findet, in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ein Siliziumkarbidsubstrat, das in der Lage ist, den On-Widerstand zu vermindern und den Gewinn von Halbleitervorrichtungen zu verbessern, und eine Halbleitervorrichtung, bei der das Substrat Verwendung findet, angegeben werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine Struktur eines Siliziumkarbidsubstrates zeigt.
  • 2 ist ein Flussdiagramm, das als erläuterndes Beispiel die Herstellung des Siliziumkarbidsubstrates darstellt.
  • 3 ist eine schematische Perspektivansicht für die Darstellung des Verfahrens zum Herstellen des Siliziumkarbidsubstrates.
  • 4 ist eine schematische Aufsicht zur Veranschaulichung des Verfahrens zum Herstellen des Siliziumkarbidsubstrates.
  • 5 ist eine schematische Perspektivansicht zur Veranschaulichung des Verfahrens zum Herstellen des Siliziumkarbidsubstrates.
  • 6 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Aufbau einer Schottky-Barrieren-Diode darstellt.
  • 7 ist ein Flussdiagramm, das als erläuterndes Beispiel die Herstellung der Schottky-Barrieren-Diode schematisch darstellt.
  • 8 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Aufbau einer Pin-Diode darstellt.
  • 9 ist ein Flussdiagramm, das als erläuterndes Beispiel die Herstellung der Pin-Diode schematisch darstellt.
  • 10 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Aufbau eines Siliziumkarbidsubstrates in einer zweiten Ausführungsform darstellt.
  • 11 ist ein Flussdiagramm, das als erläuterndes Beispiel die Herstellung des Siliziumkarbidsubstrates der zweiten Ausführungsform schematisch darstellt.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Es wird darauf hingewiesen, dass bei den im Folgenden erwähnten Zeichnungen gleiche oder entsprechende Abschnitte mit denselben Bezugszeichen versehen sind und nicht wiederholt beschrieben werden. Zudem ist in der vorliegenden Beschreibung eine individuelle Ausrichtung mit [] dargestellt, eine Gruppenausrichtung mit <> dargestellt, eine individuelle Ebene mit () gekennzeichnet und eine Gruppenebene mit {} gekennzeichnet. Darüber hinaus wird angenommen, dass ein negativer Index kristallografisch gekennzeichnet wird, indem ein "-" (Strich) über eine Zahl gesetzt wird, wobei er in der vorliegenden Beschreibung dadurch gekennzeichnet ist, dass das negative Vorzeichen vor die Ziffer gesetzt ist.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Zunächst wird eine erste Ausführungsform als eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert. Unter Bezugnahme auf 1 besteht ein Siliziumkarbidsubstrat 1 bei der vorliegenden Ausführungsform vollständig aus einem Einkristall-Siliziumkarbid, wobei in einer Hauptoberfläche 1A Schwefelatome mit nicht weniger als 60 × 1010 Atomen/cm2 und nicht mehr als 2.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind und Sauerstoffatome mit nicht weniger als 3 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% vorhanden sind.
  • Da die Anteile der Schwefelatome und der Sauerstoffatome in der Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 auf nicht mehr als 2.000 × 1010 Atome/cm2 bzw. nicht mehr als 30 Atom-% eingestellt sind, wird, selbst wenn eine epitaxiale Wachstumsschicht auf der Hauptoberfläche 1A ausgebildet ist, die Bildung einer Schicht mit einem hohen spezifischen Widerstand an einer Schnittstelle zwischen der epitaxialen Wachstumsschicht und dem Siliziumkarbidsubstrat 1 infolge der Gegenwart der Schwefelatome und der Sauerstoffatome unterdrückt. Da weiterhin eine epitaxiale Wachstumsschicht guter Qualität auf dem Siliziumkarbidsubstrat ausgebildet werden kann, wird der Gewinn von Halbleitervorrichtungen verbessert. Da die Anteile der Schwefelatome und der Sauerstoffatome in der Hauptoberfläche 1A auf nicht weniger als 60 × 1010 Atome/cm2 bzw. nicht weniger als 3 Atom-% eingestellt sind, wird die Bindung zwischen Siliziumatomen, die das Siliziumkarbidsubstrat 1 bilden, und Kohlenstoffatomen als eine Verunreinigung unterdrückt und eine Bildung einer Schicht mit hohem spezifischen Widerstand an der oben genannten Schnittstelle unterdrückt. Infolgedessen dient das Siliziumkarbidsubstrat 1 als ein Siliziumkarbidsubstrat, das in der Lage ist, einen On-Widerstand zu unterdrücken und den Gewinn von Halbleitervorrichtungen zu verbessern. Der Anteil der Schwefelatome wird vorzugsweise auf nicht weniger als 60 × 1010 Atome/cm2 und nicht mehr als 900 × 1010 Atome/cm2 eingestellt und stärker bevorzugt auf nicht weniger als 120 × 1010 Atome/cm2 und nicht mehr als 500 × 1010 Atome/cm2 eingestellt. Das Gegenwartverhältnis der Sauerstoffatome wird vorzugsweise auf nicht weniger als 3 Atom-% und nicht mehr als 22 Atom-% eingestellt und stärker bevorzugt auf nicht weniger als 5 Atom-% und nicht mehr als 15 Atom-% eingestellt.
  • Hier sind in dem Siliziumkarbidsubstrat 1 Chloratome in der Hauptoberfläche 1A vorzugsweise mit nicht mehr als 4.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden. Auf diese Weise kann eine epitaxiale Wachstumsschicht einer guten Qualität auf dem Siliziumkarbidsubstrat ausgebildet werden. Zudem kann der On-Widerstand verringert und der Gewinn der Halbleitervorrichtung verbessert werden. Die Chloratome sind vorzugsweise mit nicht mehr als 800 × 1010 Atomen/cm2 und stärker bevorzugt mit nicht mehr als 100 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden.
  • In dem Siliziumkarbidsubstrat 1 sind weiterhin Kohlenstoffatome vorzugsweise in der Hauptoberfläche 1A mit nicht mehr als 40 Atom-% und nicht mehr als 60 Atom-% vorhanden. Dadurch kann eine epitaxiale Wachstumsschicht guter Qualität auf der Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 ausgebildet werden. Zudem wird die Bildung einer Schicht mit hohem spezifischen Widerstand an der Schnittstelle zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 1 und der epitaxialen Wachstumsschicht unterdrückt, die auf dem Siliziumkarbidsubstrat ausgebildet wird.
  • Weiterhin ist in dem Siliziumkarbidsubstrat 1 eine Metallverunreinigung in der Hauptoberfläche 1A vorzugsweise mit nicht mehr als 11.000 × 1010 Atomen/cm2 und stärker bevorzugt mit nicht mehr als 4.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden. Dadurch kann eine epitaxiale Wachstumsschicht guter Qualität auf der Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 ausgebildet werden. Darüber hinaus wird die Bildung der Schicht mit hohem spezifischen Widerstand, die oben beschrieben ist, weiter unterdrückt. Die Metallverunreinigung ist stärker bevorzugt mit nicht mehr als 100 × 1010 Atomen/cm2 und weiter bevorzugt mit nicht mehr als 10 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden.
  • Weiterhin sind in dem Siliziumkarbidsubstrat 1 Natriumatome in der Hauptoberfläche 1A vorzugsweise mit nicht mehr als 10.000 × 1010 Atomen/cm2 und stärker bevorzugt mit nicht mehr als 1.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden. Dadurch kann eine Inebenenverteilung einer Filmdicke eines Oxidfilms bei der Oxidationsbehandlung unterdrückt und eine Beeinträchtigung der Qualität der epitaxialen Wachstumsschicht, die auf der Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 ausgebildet wird, unterdrückt werden. Es ist weiterhin zu bevorzugen, dass die Natriumatome in der Hauptoberfläche 1A mit nicht mehr als 100 × 1010 Atomen/cm2 und weiterhin mit nicht mehr als 10 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind.
  • Weiterhin sind in dem Siliziumkarbidsubstrat 1 Kupferatome und Zinkatome in der Hauptoberfläche 1A vorzugsweise mit einer Gesamtmenge von nicht mehr als 6.000 × 1010 Atomen/cm2 und stärker bevorzugt mit einer Gesamtmenge von nicht mehr als 1.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden. Dadurch kann der On-Widerstand einer Halbleitervorrichtung, die unter Verwendung des Siliziumkarbidsubstrates 1 hergestellt wird, verringert werden und die Qualität der epitaxialen Wachstumsschicht, die auf der Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 ausgebildet wird, verbessert werden. Es ist weiterhin zu bevorzugen, dass die Kupferatome und die Zinkatome in der Hauptoberfläche 1A in einer Gesamtmenge von nicht mehr als 100 × 1010 Atomen/cm2 und weiterhin in einer Gesamtmenge von nicht mehr als 10 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind.
  • Weiterhin hat bei dem Siliziumkarbidsubstrat 1 die Hauptoberfläche 1A vorzugsweise eine Oberflächenrauhigkeit von nicht mehr als 0,5 nm, wenn sie nach RMS bewertet wird, und stärker bevorzugt eine Oberflächenrauhigkeit von nicht mehr als 0,3 nm und weiter von nicht mehr als 0,1 nm. Dadurch kann auf einfache Weise eine Wachstumsschicht guter Qualität auf der Hauptoberfläche 1A ausgebildet werden und wird der Gewinn von Halbleitervorrichtungen verbessert.
  • Weiterhin hat das Siliziumkarbidsubstrat 1 vorzugsweise einen Durchmesser, der größer als 110 mm ist. Dadurch kann die Fertigungseffizienz der Halbleitervorrichtung verbessert werden. Insbesondere beträgt der Durchmesser nicht weniger als 125 mm und nicht mehr als 300 mm. Der Durchmesser von nicht weniger als 125 mm gestattet eine weitere Verbesserung der Fertigungseffizienz. Der Durchmesser von nicht mehr als 300 mm gestattet die Kontrolle von Verwerfung und TTV und ermöglicht eine Verbesserung des Gewinns von Halbleitervorrichtungen.
  • Weiterhin kann bei dem Siliziumkarbidsubstrat 1 das Einkristall-Siliziumkarbid, das das Siliziumkarbidsubstrat 1 bildet, eine 4H-Struktur haben, wobei die Hauptoberfläche 1A einen Abweichwinkel von nicht weniger als 0,1° und nicht mehr als 10° relativ zu einer {0001}-Ebene des Einkristall-Siliziumkarbids haben kann. Dies ermöglicht eine Ausbildung einer guten epitaxialen Wachstumsschicht auf der Hauptoberfläche 1A, während die Fertigungseffizienz des Substrates verbessert wird.
  • Andererseits kann bei dem Siliziumkarbidsubstrat 1 das Einkristall-Siliziumkarbidsubstrat, das das Siliziumkarbidsubstrat 1 bildet, eine 4H-Struktur haben, wobei die eine Hauptoberfläche einen Abweichwinkel von nicht mehr als 4° relativ zu einer {03-38}-Ebene des Einkristall-Siliziumkarbids aufweisen kann. Dadurch kann eine Unterdrückung des Kriechstroms, eine Verbesserung der Kanalmobilität und dergleichen in der Halbleitervorrichtung erreicht werden, die unter Verwendung des Siliziumkarbidsubstrates 1 hergestellt wird.
  • Als nächstes wird als erläuterndes Beispiel die Herstellung des Siliziumkarbidsubstrates 1 beschrieben. Hier unterscheiden sich die chemische Dauerhaftigkeit und der Oberflächenzustand in Abhängigkeit des Materials, das das Substrat bildet. Demzufolge unterscheiden sich der Zustand der Oxidation einer Oberfläche eines Substrates und die Leichtigkeit der Absorption oder Adhäsion einer Verunreinigung an der Oberfläche in Abhängigkeit des Materials, das das Substrat bildet. Selbst wenn ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates, das aus einem anderen Material besteht, auf ein Siliziumkarbidsubstrat angewendet wird, ist es somit schwierig, ein Siliziumkarbidsubstrat zu erhalten, das eine stabilisierte Oberfläche hat. Bei dem Siliziumkarbidsubstrat kann man ein Substrat, das eine stabilisierte Oberfläche hat, beispielsweise durch einen Vorgang erhalten, der im Folgenden beschrieben ist. Unter Bezugnahme auf 2 wird bei dem Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidsubstrates 1 ein Kristallanwachsschritt als Schritt (S10) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S10) wird ein Einkristall-Siliziumkarbid beispielsweise durch ein Sublimationsverfahren hergestellt, das im Folgenden erläutert ist.
  • Zunächst werden ein Keimkristall eines Einkristall-Siliziumkarbids und ein Ursprungsmaterialpulver, das aus Siliziumkarbid besteht, in einen Behälter eingefügt, der aus Graphit besteht. Anschließend wird das Ursprungsmaterialpulver erwärmt und dadurch Siliziumkarbid sublimiert und auf dem Keimkristall rekristallisiert. Hierbei schreitet die Rekristallisation fort, während eine gewünschte Verunreinigung, wie etwa Stickstoff, eingeleitet wird. Anschließend wird die Erwärmung gestoppt, wenn ein Kristall einer gewünschten Größe auf dem Keimkristall angewachsen ist, und ein Kristall eines Einkristall-Siliziumkarbids aus dem Behälter entnommen.
  • Als nächstes wird ein Ingot-Formungsschritt als Schritt (S20) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S20) wird der Kristall des Einkristall-Siliziumkarbids, das in Schritt (S10) hergestellt wird, zu einem Ingot 10 verarbeitet, der beispielsweise eine zylindrische Form hat, wie es in 3 gezeigt ist. Da das Anwachsen von hexagonalem Siliziumkarbid in der <0001>-Richtung wirkungsvoll das Kristallwachstum unterstützen kann, während das Auftreten eines Defektes verhindert wird, ist es hierbei vorzuziehen, einen Ingot 10 herzustellen, der eine Längsrichtung hat, die der <0001>-Richtung entspricht, wie es in 3 gezeigt ist.
  • Als nächstes wird ein Scheibenschneidschritt als Schritt (S30) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S30) wird ein Substrat hergestellt, indem ein Ingot 10 geschnitten wird, den man in Schritt (S20) erhält. Insbesondere wird unter Bezugnahme auf 4 zunächst der hergestellte säulenförmige (zylindrische) Ingot 10 derart angeordnet, dass ein Abschnitt seiner Seitenfläche von einem Träger 20 gehalten ist. Während ein Draht 9 in einer Richtung entlang einer Richtung eines Durchmessers des Ingots 10 verläuft, nähert sich anschließend der Ingot 10 dem Draht 9 entlang einer Schneidrichtung α, die senkrecht zu der Laufrichtung ist, wodurch der Ingot 10 mit dem Draht 9 in Kontakt kommt. Anschließend bewegt sich der Ingot 10 weiterhin entlang der Schneidrichtung α, wodurch der Ingot 10 geschnitten wird. Auf diese Weise erhält man das Siliziumkarbidsubstrat 1, das in 5 gezeigt ist. Hierbei wird der Ingot 10 derart geschnitten, dass die Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 eine gewünschte Ebenenausrichtung hat.
  • Als nächstes wird eine Oberflächenplanrichtschritt als Schritt (S40) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S40) werden eine Schleifbearbeitung, eine Polierbearbeitung und dergleichen an der Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 ausgeführt, um die Rauhigkeit einer geschnittenen Oberfläche, die bei dem Schritt (S30) erzeugt wird (d.h. der Hauptoberfläche 1A), zu vermindern. Bei der Schleifbearbeitung wird ein Diamantschleifstein als Werkzeug verwendet, wobei der Schleifstein derart angeordnet ist, dass er dem Siliziumkarbidsubstrat 1 zugewandt ist, und gedreht wird, um in diesen mit einer konstanten Drehzahl zu schneiden, wodurch er eine Oberfläche des Substrates abträgt. Die Hauptoberfläche 1A kann plangerichtet werden, indem ihre Unebenheiten beseitigt wird, wobei ihre Dicke eingestellt werden kann. Bei der Polierbearbeitung kann man eine gewünschte Oberflächenrauhigkeit erhalten, indem eine Korngröße von Schleifkörnern, wie etwa Diamant, eingestellt wird. Als Richtplatte kann eine Richtplatte, die aus Metall, wie etwa Eisen, Kupfer, Zinn, einer Zinnlegierung oder dergleichen besteht, eine Verbundrichtplatte, die aus einem Metall und einem Harz besteht, oder ein Poliergewebe verwendet werden. Die Verwendung einer harten Metallrichtplatte kann eine Rate verbessern. Die Verwendung eines Poliergewebes kann die Oberflächenrauhigkeit verringern. Um die Oberflächenrauhigkeit innerhalb eines geeigneten Bereiches einzustellen, ist es vorzuziehen, einen Widerstandskoeffizienten R (m2/s), der durch R = η × Q × V/S × P dargestellt ist, mit Hilfe einer Viskosität η (mPa·s) einer Polierflüssigkeit, einer Flüssigkeitsflussrate Q (m3/s), einer Fläche S (m2) der Polierrichtplatte, eines Polierdrucks P (kPa) und einer Umfangsgeschwindigkeit V (m/s) auf 1,0 × 10–18 bis 3.0 × 10–17 einzustellen. Durch Steuern eines Widerstandskoeffizienten R kann ein Widerstand, der auf das Substrat während des Polierens durch Reibung zwischen der Richtplatte und dem Substrat wirkt, über das gesamte Substrat vereinheitlicht und innerhalb eines Bereiches eingestellt werden, der sich für die Planrichtbearbeitung eignet, und die Inebenenverteilung der Rauhigkeit verringert werden.
  • Als nächstes wird ein Oberflächenendbearbeitungsschritt als Schritt (S50) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S50) wird durch Ausführen von Trockenätzen, CMP (Chemisch-mechanisches Polieren) oder dergleichen an der Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 die Hauptoberfläche 1A in einem Ausmaß endbearbeitet, dass eine epitaxiale Wachstumsschicht einer guten Qualität auf der Hauptoberfläche 1A ausgebildet werden kann, wie etwa ein einem Umfang, dass die Hauptoberfläche 1A eine Oberflächenrauhigkeit von nicht mehr als 0,5 nm hat, wenn sie in RMS bewertet wird.
  • Hierbei werden mit Hilfe eines schwefelbasierten Gases, eines chlorbasierten Gases und eines sauerstoffbasierten Gases bei dem Trockenätzen Anteile von Schwefelatomen, Chloratomen und Sauerstoffatomen in der Hauptoberfläche 1A jeweils erhöht. Somit können durch geeignetes Wählen dieser Gase die Anteile der Schwefelatome, der Chloratome und der Sauerstoffatome in der Hauptoberfläche 1A jeweils derart eingestellt werden, dass sie in dem gewünschten Bereich liegen, der oben beschrieben ist. Weiterhin können durch geeignete selektive Verwendung der Zusammensetzung eines Poliermittels für das CMP und Bedingungen hierfür die Anteile der Schwefelatome, der Chloratome und der Sauerstoffatome in der Hauptoberfläche 1A jeweils derart eingestellt werden, dass sie in dem oben beschriebenen gewünschten Bereich liegen. Um die Poliergeschwindigkeit zu verbessern und die Oberflächenrauhigkeit zu verringern, ist es wirkungsvoll, eine chemische Wirkung der Polierflüssigkeit für die CMP zu erhöhen. Insbesondere hat die Polierflüssigkeit vorzugsweise einen pH-Wert von nicht mehr als 4 oder weniger als 9,5 und stärker bevorzugt einen pH-Wert von nicht mehr als 2 oder nicht weniger als 10,5. Weiterhin wird vorzugsweise ein Oxidationsmittel der Polierflüssigkeit hinzugefügt. Als Oxidationsmittel können ein chlorbasiertes Oxidationsmittel, wie etwa Trichloroisocyanursäure, Dichloroisocyanursäure oder dergleichen, und Schwefelsäure, Salpetersäure, wässriges Wasserstoffperoxid oder dergleichen verwendet werden. Schwefelsäure oder Sulfat wird vorzugsweise für die pH-Einstellung verwendet, da es die Steuerung des Anteils der Schwefelatome in der Hauptoberfläche 1A erleichtert. Wässriges Wasserstoffperoxid wird vorzugsweise als Oxidationsmittel eingesetzt, da es die Steuerung des Anteils der Sauerstoffatome in der Hauptoberfläche 1A erleichtert. Um einen Anteil von Atomen in der Oberfläche (Verunreinigungsatome) zu steuern, die Oberflächenrauhigkeit zu steuern und die Poliergeschwindigkeit zu verbessern, ist es vorzuziehen, dass die folgende Gleichung erfüllt ist: –50x + 700 ≤ y ≤ –50x + 1000, wobei x für einen pH-Wert der Polierflüssigkeit steht und y ein Oxidationsreduktionspotential kennzeichnet.
  • Durch Steuern des Oxidationsreduktionspotentials innerhalb eines geeigneten Bereiches ist es möglich, die Oxidationskraft der Polierflüssigkeit zu steuern, die Menge des Sauerstoffes in der Oberfläche zu steuern und die Oberflächenrauhigkeit sowie die Poliergeschwindigkeit innerhalb geeigneter Bereiche zu steuern.
  • Um weiterhin die Zusammensetzung der Oberfläche zu steuern, die Oberflächenrauhigkeit zu steuern und die Poliergeschwindigkeit zu verbessern, ist es vorzuziehen, den Widerstandskoeffizienten R (m2/s), der durch R = η × Q × V/S × P dargestellt ist, mit Hilfe einer Viskosität η (mPa·s) der Polierflüssigkeit, der Flüssigkeitsflussrate Q (m3/s), der Fläche S (m2) der Polierrichtplatte, des Polierdrucks P (kPa) und der Umfangsgeschwindigkeit V (m/s) auf 1,0 × 10–15 bis 3.0 × 10–14 einzustellen. Durch Steuern des Widerstandskoeffizienten kann ein Widerstand, der auf das Substrat während des Polierens durch Reibung zwischen dem Poliergewebe und dem Substrat wirkt, wobei sich das Poliermittel zwischen beiden befindet, gesteuert werden, die Zusammensetzung der Oberfläche wirkungsvoll gesteuert werden und die Oberflächenrauhigkeit sowie die Poliergeschwindigkeit innerhalb geeigneter Bereiche gesteuert werden. Die Schleifkörner des Poliermittels für das CMP müssen aus einem Material bestehen, das weicher ist als das Siliziumkarbid, um die Oberflächenrauhigkeit und eine durch Bearbeitung beschädigte Schicht zu verringern, wobei es insbesondere zu bevorzugen ist, kolloidales Siliziumoxid, pyrogene Kieselsäure oder dergleichen einzusetzen.
  • Als nächstes wird ein Reinigungsschritt als Schritt (S60) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S60) werden Fremdkörper, die an der Oberfläche während des Vorgangs bis zu Schritt (S50) haften, durch Reinigen entfernt. Die Anteile der Kohlenstoffatome und der Metallverunreinigung können durch Wahl einer chemischen Lösung, Anwendung von Ultraschall, Überlaufumwälzung der chemischen Lösung in einem Reinigungstank und das Entfernen von Partikeln mit Hilfe eines Filters bei dem Reinigungsschritt jeweils derart eingestellt werden, dass sie sich in dem oben beschriebenen Bereich befinden. Als chemische Lösung können eine anorganische Säure, anorganisches Alkali, eine organische Säure oder organisches Alkali verwendet werden. Zudem kann wässriges Wasserstoffperoxid als Oxidationsmittel zum Zweck des Verbesserns der Fähigkeit verwendet werden, die Metallverunreinigung durch Reinigen zu entfernen. Der Ultraschall kann eine Frequenz von 50 kHz bis 2 MHz haben. Der Filter für die Umwälzung der chemischen Lösung hat vorzugsweise einen Porendurchmesser von nicht weniger als 50 nm und nicht mehr als 5 µm. Durch die oben genannten Schritte ist das Siliziumkarbidsubstrat 1 der vorliegenden Erfindung abgeschlossen.
  • Als nächstes wird eine Halbleitervorrichtung der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. Unter Bezugnahme auf 6 umfasst eine Schottky-Barrieren-Diode 100, die als Halbleitervorrichtung bei der vorliegenden Ausführungsform dient, ein Siliziumkarbidsubstrat 101, eine Driftschicht 102, die auf der Hauptoberfläche 101A des Siliziumkarbidsubstrates 101 ausgebildet ist und als eine epitaxiale Wachstumsschicht dient, die aus einem Einkristall-Siliziumkarbid besteht, eine Anodenelektrode 111 als eine erste Elektrode, die auf und in Kontakt mit einer Hauptoberfläche 102A der Driftschicht 102 auf einer Seite ausgebildet ist, die einer Seite gegenüberliegt, die dem Siliziumkarbidsubstrat 101 zugewandt ist, und eine Kathodenelektrode 112 als eine zweite Elektrode, die auf der anderen Hauptoberfläche 101D des Siliziumkarbidsubstrates 101 als eine Hauptoberfläche auf einer Seite ausgebildet ist, die einer Seite gegenüberliegt, die der Driftschicht 102 zugewandt ist.
  • Das Siliziumkarbidsubstrat 101 hat eine n-Typ-Leitfähigkeit (einen ersten Leitfähigkeitstyp), da es eine n-Typ-Verunreinigung (eine Verunreinigung, die Elektronen als einen Träger zuführt), wie etwa Stickstoff enthält. Die Driftschicht 102 hat eine n-Typ-Leitfähigkeit, da sie eine n-Typ-Verunreinigung enthält, die eine Konzentration hat, die geringer ist als jene in dem Siliziumkarbidsubstrat 101. Die Anodenelektrode 111 besteht aus einem Metall, das einen Schottky-Kontakt mit der Driftschicht 102 herstellen kann. Die Kathodenelektrode 112 besteht aus einem Metall, das einen ohmschen Kontakt mit dem Siliziumkarbidsubstrat 101 herstellen kann.
  • Liegt eine Spannung an der Schottky-Barrieren-Diode 100 in einer Vorwärtsrichtung an, fließt ein Strom zwischen der Anodenelektrode 111 und der Kathodenelektrode 112 über das Siliziumkarbidsubstrat 101 und die Driftschicht 102. Liegt andererseits eine Spannung in der Gegenrichtung an, wird eine Verarmungsschicht in der Driftschicht 102 ausgebildet, die einen Bereich umfasst, der mit der Anodenelektrode 111 in Kontakt steht, wobei somit kein Strom fließt.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird das Siliziumkarbidsubstrat 1 der vorliegenden Ausführungsform, die oben beschrieben ist, als Siliziumkarbidsubstrat 101 eingesetzt. Hierbei entspricht die Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 der Hauptoberfläche 101A des Siliziumkarbidsubstrates 101. Wie es oben erläutert wurde, sind bei dem Siliziumkarbidsubstrat 1 die Anteile der Schwefelatome und der Sauerstoffatome in der Hauptoberfläche 1A jeweils derart eingestellt, dass sie sich in einem geeigneten Bereich befinden. Somit wird die Bildung einer Schicht mit hohem spezifischen Widerstand an einer Schnittstelle zwischen der Driftschicht 102, die als epitaxiale Wachstumsschicht dient, und dem Siliziumkarbidsubstrat 101 der Schottky-Barrieren-Diode 100 unterdrückt. Infolgedessen dient die Schottky-Barrieren-Diode 100 als eine Halbleitervorrichtung mit einem verminderten On-Widerstand und einem verbesserten Gewinn.
  • Als nächstes wird als ein erläuterndes Beispiel die Herstellung einer Schottky-Barrieren-Diode 100 erläutert. Unter Bezugnahme auf 7 wird bei dem Verfahren zum Herstellen einer Schottky-Barrieren-Diode 100 zunächst ein Siliziumkarbidsubstrat-Vorbereitungsschritt als Schritt (S110) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S110) wird das Siliziumkarbidsubstrat 1 durch das Verfahren zum Herstellen des Siliziumkarbidsubstrates hergestellt, die oben erläutert ist. Anschließend wird unter Bezugnahme auf 6 das Siliziumkarbidsubstrat 1 als Siliziumkarbidsubstrat 101 verwendet.
  • Als nächstes wird ein epitaxialer Wachstumsschritt als ein Schritt (S120) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S120) wird eine Driftschicht 102 auf der Hauptoberfläche 101A des Siliziumkarbidsubstrates 101 durch epitaxiales Wachstum ausgebildet. Hierbei werden in dem Siliziumkarbidsubstrat 101 die Anteile der Schwefelatome und der Sauerstoffatome in der Hauptoberfläche 101A jeweils derart eingestellt, dass sie sich innerhalb eines geeigneten Bereiches befinden. Somit wird die Bildung einer Schicht mit hohem spezifischen Widerstand an der Schnittstelle zwischen der Driftschicht 102 und dem Siliziumkarbidsubstrat 101 unterdrückt. Weiterhin kann die Beeinträchtigung der Qualität der epitaxialen Wachstumsschicht (Driftschicht 102) unterdrückt werden.
  • Als nächstes wird ein Elektrodenausbildungsschritt als ein Schritt (S130) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S130) werden eine Anodenelektrode 111, die auf und in Kontakt mit der Hauptoberfläche 102A der Driftschicht 102 angeordnet ist, und eine Kathodenelektrode 112 ausgebildet, die auf und in Kontakt mit der Hauptoberfläche 101D des Siliziumkarbidsubstrates 101 angeordnet ist. Die Ausbildung der Elektroden kann ausgeführt werden, indem beispielsweise das Aufdampfen eines Metallfilms, die Ausbildung einer Maskierschicht und das Ausformen des Metallfilms durch Ätzen kombiniert werden. Um die Dicke des Siliziumkarbidsubstrates 101 einzustellen, kann eine Bearbeitung, wie etwa das Schleifen und Polieren der Rückseite an dem Siliziumkarbidsubstrat 101 von der Seite einer Hauptfläche 101D des Siliziumkarbidsubstrates 101 ausgeführt werden, bevor die Kathodenelektrode 112 ausgebildet wird, um die Dicke des Siliziumkarbidsubstrates 101 zu verringern. Durch den Vorgang, der oben beschrieben ist, kann die Schottky-Barrieren-Diode 100 hergestellt werden.
  • Als nächstes wird eine Modifikation der Halbleitervorrichtung in der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. Unter Bezugnahme auf 8 umfasst eine Pin-Diode 200 (Pin – positiviintrinsisch-negativ), die als Halbleitervorrichtung bei der Modifikation der vorliegenden Erfindung dient, ein Siliziumkarbidsubstrat 201, das eine n-Typ-Leitfähigkeit (der erste Leitfähigkeitstyp), eine Driftschicht 202, die auf der Hauptoberfläche 201A des Siliziumkarbidsubstrates 201 ausgebildet ist und als eine epitaxiale Wachstumsschicht dient, die eine n-Typ-Leitfähigkeit hat und aus einem Einkristall-Siliziumkarbid ausgebildet ist, einen p-Bereich 203, der eine p-Typ-Leitfähigkeit (der zweite Leitfähigkeitstyp) hat und derart ausgebildet ist, dass er eine Hauptoberfläche 202A der Driftschicht 202 auf einer gegenüberliegenden Seite zu einer Seite hat, die dem Siliziumkarbidsubstrat 201 zugewandt ist, eine Anodenelektrode 211 als eine erste Elektrode, die auf und in Kontakt mit dem p-Bereich 203 ausgebildet ist, und eine Kathodenelektrode 212 als eine zweite Elektrode, die auf der anderen Hauptoberfläche 201D des Siliziumkarbidsubstrates 201 als eine Hauptoberfläche auf einer Seite ausgebildet ist, die einer Seite gegenüberliegt, die der Driftschicht 202 zugewandt ist. Das Siliziumkarbidsubstrat 201, die Driftschicht 202, die Anodenelektrode 211 und die Kathodenelektrode 212 entsprechen dem Siliziumkarbidsubstrat 101, der Driftschicht 102, der Anodenelektrode 111 bzw. der Kathodenelektrode 112 der Schottky-Barrieren-Diode 100 und haben im Wesentlichen identische Strukturen. Die Pin-Diode 200 der vorliegenden Modifikation unterscheidet sich von der Schottky-Barrieren-Diode 100 dadurch, dass der p-Bereich 203 innerhalb der Driftschicht 202 ausgebildet ist und der p-Bereich einen ohmschen Kontakt mit der Anodenelektrode 211 herstellt.
  • Insbesondere hat der p-Bereich 203 eine p-Typ-Leitfähigkeit, weil er eine p-Typ-Verunreinigung (eine Verunreinigung, die Löcher als einen Träger hervorruft), wie etwa Bor enthält. Weiterhin besteht die Anodenelektrode 211 aus einem Metall, das einen ohmschen Kontakt mit dem p-Bereich 203 herstellen kann.
  • Wenn eine Spannung an der Pin-Diode 200 in der Vorwärtsrichtung anliegt, fließt ein Strom zwischen der Anodenelektrode 211 und der Kathodenelektrode 212 über das Siliziumkarbidsubstrat 201, die Driftschicht 202 und den p-Bereich 203. Wenn andererseits eine Spannung in der umgekehrten Richtung anliegt, wird eine Verarmungsschicht in einem Bereich ausgebildet, der eine Schnittstelle zwischen dem p-Bereich 203 und der Driftschicht 202 außer dem p-Bereich 203 umfasst, wodurch somit kein Strom fließt.
  • Zudem wird bei der vorliegenden Modifikation das Siliziumkarbidsubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform, die oben beschrieben ist, als Siliziumkarbidsubstrat 201 eingesetzt. Hierbei entspricht die Hauptoberfläche 1A des Siliziumkarbidsubstrates 1 der Hauptoberfläche 201A des Siliziumkarbidsubstrates 201. Infolgedessen dient die Pin-Diode 200 als eine Halbleitervorrichtung mit vermindertem On-Widerstand und verbessertem Gewinn wie bei der Schottky-Barrieren-Diode 100.
  • Als nächstes wird als ein erläuterndes Beispiel die Herstellung einer Pin-Diode 200 beschrieben. Unter Bezugnahme auf 9 werden bei dem Verfahren zum Herstellen der Pin-Diode 200 zunächst der Siliziumkarbidsubstrat-Vorbereitungsschritt als Schritt (S110) und der epitaxiale Wachstumsschritt als Schritt (S120) ausgeführt, wie dies bei der Schottky-Barrieren-Diode 100 der Fall ist, wodurch man einen strukturellen Körper erhält, der eine Driftschicht 202 hat, die auf dem Siliziumkarbidsubstrat 201 ausgebildet ist (siehe 8). Hierbei wird die Bildung einer Schicht mit hohem spezifischen Widerstand an der Schnittstelle zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 201 und der Driftschicht 202 mit Hilfe des Siliziumkarbidsubstrates 1 als Siliziumkarbidsubstrat 201 unterdrückt, wie dies bei der Schottky-Barrieren-Diode 100 der Fall ist. Weiterhin kann die Beeinträchtigung der Qualität der epitaxialen Wachstumsschicht (Driftschicht 202) unterdrückt werden.
  • Als nächstes wird unter Bezugnahme auf 9 ein Ionenimplantierschritt als ein Schritt (S121) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S121) wird unter Bezugnahme auf 8 ein p-Bereich 203 durch Ausführen einer Ionenimplantierung an der Driftschicht 202 ausgeführt, die in Schritt (S120) ausgebildet wird. Die Ionenimplantierung kann ausgeführt werden, indem beispielsweise eine Maskierschicht, die aus Siliziumdioxid besteht, über einer Hauptoberfläche 202A der Driftschicht 202 durch Fotolithografie und RIE (reaktives Ionenätzen) ausgebildet wird und die Maskierschicht als Maske verwendet wird.
  • Als nächstes wird ein Aktivierungsanlassschritt als ein Schritt (S122) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S122) wird beispielsweise eine Wärmebehandlung des Erwärmens des strukturellen Körpers auf etwa 1.600°C bis 1.900°C ausgeführt. Dadurch wird die Verunreinigung, wie etwa Bor, das in Schritt (S121) implantiert wird, aktiviert, wodurch der p-Bereich die p-Typleitfähigkeit hat. Anschließend wird der Schritt (S130) ausgeführt, wie dies bei der Schottky-Barrieren-Diode 100 der Fall ist, wodurch die Pin-Diode 200 bei der vorliegenden Modifikation vervollständigt ist.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Als nächstes wird ein Siliziumkarbidsubstrat in einer zweiten Ausführungsform beschrieben.
  • Unter Bezugnahme auf 10 hat das Siliziumkarbidsubstrat 2 der zweiten Ausführungsform im Wesentlichen denselben Aufbau und weist im Wesentlichen dieselbe Wirkung auf wie das Siliziumkarbidsubstrat 1 bei der ersten Ausführungsform. Das Siliziumkarbidsubstrat 1 der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von jenem der ersten Ausführungsform dadurch, dass es eine Basisschicht und eine Einkristall-Siliziumkarbidschicht umfasst.
  • Insbesondere umfasst unter Bezugnahme auf 10 das Siliziumkarbidsubstrat 1 der zweiten Ausführungsform eine Basisschicht 11 und eine Einkristall-Siliziumkarbidschicht 12, die auf der Basisschicht 11 ausgebildet ist. Weiterhin entspricht eine Hauptoberfläche 12A der Einkristall-Siliziumkarbidschicht 12 auf einer Seite, die einer Seite gegenüberliegt, die der Basisschicht zugewandt ist, der Hauptoberfläche 1A der ersten Ausführungsform. Das heißt, bei dem Siliziumkarbidsubstrat 1 der vorliegenden Ausführungsform besteht ein Bereich, der eine Hauptoberfläche 12A umfasst, aus einem Einkristall-Siliziumkarbid.
  • Bei dem Siliziumkarbidsubstrat 1 der vorliegenden Ausführungsform wird ein kostengünstiges Basissubstrat, wie etwa ein Substrat, das aus einem Einkristall-Siliziumkarbid besteht, das eine hohe Defektdichte hat, ein polykristallines Siliziumkarbidsubstrat oder ein Basissubstrat, das aus Keramik besteht, als Basisschicht 11 eingesetzt und ein Substrat, das aus einem Siliziumkarbid-Einkristall guter Qualität besteht, auf der Basisschicht 11 angeordnet, um als Einkristall-Siliziumkarbidschicht 12 zu dienen. Auf diese Weise dient das Siliziumkarbidsubstrat 1 der vorliegenden Ausführungsform als Siliziumkarbidsubstrat mit verringerten Herstellungskosten. Weiterhin hat bei der vorliegenden Ausführungsform das Siliziumkarbidsubstrat 1 eine Struktur, bei der eine Vielzahl von Einkristall-Siliziumkarbidschichten 12 auf einer Basisschicht 11 mit einem großen Durchmesser, in der Aufsicht betrachtet, nebeneinander angeordnet sind. Infolgedessen dient das Siliziumkarbidsubstrat 1 der vorliegenden Ausführungsform als ein Siliziumkarbidsubstrat mit verringerten Herstellungskosten und mit einem großen Durchmesser.
  • Als nächstes wird als erläuterndes Beispiel die Herstellung des Siliziumkarbidsubstrates beschrieben. Unter Bezugnahme auf 11 werden bei der Herstellung des Siliziumkarbidsubstrates zunächst die Schritte (S10) bis (S30) wie im vorangehenden Beispielausgeführt. Anschließend wird ein Einkristallsubstrat-Ausformungsschritt als ein Schritt (S31) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S31) wird ein Substrat, das man infolge der Schritte (S10) bis (S30) erhält, zu einer Gestalt ausgeformt, die sich dazu eignet, die Einkristall-Siliziumkarbidschicht 12 zu bilden, die in 10 gezeigt ist. Insbesondere werden eine Vielzahl von rechteckigen Substraten durch Ausformen des Substrates vorbereitet, das man infolge der Schritte (S10) bis (S30) erhält.
  • Daraufhin wird ein Bonding-Schritt als ein Schritt (S32) ausgeführt. Bei diesem Schritt (S32) wird die Vielzahl von Substraten, die bei Schritt (S31) hergestellt werden, auf einem separat vorbereiteten Basissubstrat, in der Aufsicht betrachtet, nebeneinander beispielsweise matrixartig angeordnet. Anschließend werden die Substrate, die bei Schritt (S31) hergestellt werden, mit dem Basissubstrat integriert, indem sie einer Behandlung unterzogen werden, bei der sie auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt werden, wobei man einen strukturellen Körper, bei dem die Vielzahl von Einkristall-Siliziumkarbidschichten 12 auf der Basisschicht 11, in der Aufsicht betrachtet, nebeneinander angeordnet ist, erhält, wie es in 10 gezeigt ist.
  • Anschließend werden die Schritte (S40) bis (S60) wie im vorangehenden Beispielausgeführt, wodurch das Siliziumkarbidsubstrat der zweiten Ausführungsform vervollständigt ist.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass, obwohl die zweite Ausführungsform den Fall beschrieben hat, bei dem das Siliziumkarbidsubstrat 1 ausgebildet wird, indem die Basisschicht 11 und die Einkristall-Siliziumkarbidschicht 12 durch Erwärmen direkt gebondet werden, sie durch eine Zwischenschicht gebondet werden können, die zwischen ihnen angeordnet ist. Wenngleich die oben genannte Ausführungsform eine Diode als beispielhafte Halbleitervorrichtung beschrieben hat, ist die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt und kann beispielsweise ein MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor), ein IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode), ein JFET (Sperrschicht-Feldeffekttransistor) oder dergleichen sein.
  • [Beispiele]
  • (Beispiel 1)
  • Es wurde ein Versuch ausgeführt um, um den Einfluss der Anteile von Schwefelatomen und Sauerstoffatomen in einer Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates auf den Gewinn von Vorrichtungen zu untersuchen. Insbesondere wurden 11 Substrate, die unterschiedliche Anteile von Schwefelatomen und Sauerstoffatomen in ihren Oberflächen haben, vorbereitet und eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen für jedes Substrat hergestellt. Anschließend wurde der Betrieb der hergestellten Vorrichtungen geprüft, um deren Gewinn zu prüfen. Ein Siliziumkarbid-Einkristall wurde mit dem Sublimationsverfahren zum Anwachsen gebracht. Als Keimsubstrat wurde ein Siliziumkarbidsubstrat mit einem Durchmesser von 50 mm verwendet, das eine Hauptoberfläche hat, die einer (0001)-Ebene entspricht. Der angewachsene Kristall hatte eine Stickstoffkonzentration von 1 × 1019 cm–3. Eine angewachsene Oberfläche, ein Keimsubstrat und ein Außenumfang des Kristalls wurden mit einer Außenumfangsschleifmaschine geschliffen, um einen zylindrischen Ingot aus Siliziumkarbid zu erhalten. Das Schneiden in Scheiben wurde mit einer Mehrdrahtsäge ausgeführt. Um eine geschnittene Hauptoberfläche zu erhalten, die der {03-38}-Ebene entspricht, wurde der Ingot in einer Drahtsägenvorrichtung angeordnet, wobei er um 54,7° zu einer Laufrichtung eines Drahtes geneigt und geschnitten wurde. Ein geschnittenes Substrat hatte eine Dicke von 250 µm. Das geschnittene Substrat wurde gewürfelt, um ein kachelförmiges Substrat von 20 mm × 30 mm zu erhalten. Das Kristallwachstum für ein Basissubstrat wurde in einem Kohlenstoffbehälter durch das Sublimationsverfahren ausgeführt, ohne einen Keimkristall zu verwenden, um ein polykristallines Siliziumkarbid anwachsen zu lassen. Einen Ingot mit einem Durchmesser von 155 mm erhielt man durch die Bearbeitung des Außenumfangs. Der Ingot wurde mit einer Mehrdrahtsäge in Scheiben geschnitten, um ein polykristallines Basissubstrat mit einer Dicke von 500 µm zu erhalten. Die rechteckigen Einkristallsubstrate wurden auf dem polykristallinen Basissubstrat angeordnet und durch Sublimation im geschlossenen Raum gebondet. Der Außenumfang des gebondeten Verbundsubstrates wurde bearbeitet, um ein Substrat mit einem Durchmesser von 150 mm und einer Dicke von 750 µm zu erhalten.
  • Das Basissubstrat und die Einkristallsubstrate des Verbundsubstrates wurden nacheinander geglättet, um ein Substrat für das epitaxiale Wachstum zu erhalten. Das Basissubstrat wurde einer Schleifbearbeitung unter Verwendung eines Diamantschleifsteins unterzogen und anschließend poliert, wodurch dessen Hauptoberfläche spiegelblank mit einem Ra von 0,3 bis 10 nm war. Es wurde eine Einzugsschleifvorrichtung für die Schleifbearbeitung verwendet und ein gesinterter gebondeter Schleifstein mit einer Maschenweite von #600 und einem Konzentrationsgrad von 150 als Schleifstein benutzt. Bei der Polierbearbeitung wurde ein mehrphasiges Läppen ausgeführt. Eine Kupferrichtplatte und eine Zinnrichtplatte wurden als Richtplatten verwendet, wobei eine Diamantschlämme mit einer Korngröße von 3 µm und eine Diamantschlämme mit einer Korngröße von 1 µm verwendet wurden.
  • Um eine Einkristalloberfläche zu bearbeiten, wurden eine Schleifbearbeitung, eine Läppbearbeitung und anschließend CMP ausgeführt. Kolloidales Siliziumoxid mit einer durchschnittlichen Korngröße von 50 nm wurde als Schleifkörner der Schlämme für die CMP verwendet. Um eine Rate zu verbessern und die Zusammensetzung einer Oberfläche zu steuern, wurden Schwefelsäure und wässriges Wasserstoffperoxid als chemische Bestandteile der Schlämme hinzugefügt. Es wurde eine Einstellung vorgenommen, um die folgende Gleichung zu erfüllen: –50x + 700 ≤ y ≤ –50x + 1000, wobei x für einen pH-Wert der Schlämme steht und y ein Oxidationsreduktionspotential repräsentiert.
  • Es wurde ein wildlederartiges Poliergewebe eingesetzt. Zudem wurde ein Widerstandskoeffizient R (m2/s), der durch R = η × Q × V/S × P dargestellt ist, mit Hilfe einer Viskosität η (mPa·s) einer Polierflüssigkeit, einer Flüssigkeitsflussrate Q (m3/s), einer Fläche S (m2) der Polierrichtplatte, eines Polierdrucks P (kPa) und einer Umfangsgeschwindigkeit V (m/s) auf 1,0 bis 1,5 × 10–14 eingestellt. Der Anteil der Schwefelatome wurde durch TXRF analysiert, und der Anteil von Sauerstoffatomen wurde durch XPS analysiert. Tabelle 1 zeigt das Ergebnis des Versuches.
  • Eine Schottky-Barrieren-Diode wurde als die Vorrichtung eingesetzt. Die Dicke des Substrates wurde auf 150 µm eingestellt, indem das Schleifen der Rückseite vor dem Ausbilden eine Kathodenelektrode ausgeführt wurde. Es konnte eine epitaxiale Wachstumsschicht guter Qualität durch Steuern der Zusammensetzung der Oberfläche ausgebildet werden, wobei man gute Eigenschaften der Vorrichtung dadurch erhielt, dass ein Anstieg des Widerstandes an einer Schnittstelle zwischen dem Substrat und der epitaxialen Wachstumsschicht unterdrückt wurde. [Tabelle 1]
    Figure DE202012013565U1_0002
  • Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde ein Gewinn, der 50% überschreitet, bei den Proben 4 bis 8 erreicht, bei denen Schwefelatome in der Substrathauptoberfläche mit nicht weniger als 60 × 1010 Atomen/cm2 und nicht mehr als 2.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden waren und Sauerstoffatome in der Substrathauptoberfläche mit nicht weniger als 3 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% vorhanden waren. Somit wurde bestätigt, dass in Übereinstimmung mit dem Siliziumkarbidsubstrat gemäß der vorliegenden Erfindung, in dem Schwefelatome in der Substrathauptoberfläche in einem Umfang von nicht weniger als 60 × 1010 Atomen/cm2 und nicht mehr als 2.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind und Sauerstoffatome in der Substrathauptoberfläche in einem Umfang von nicht weniger als 3 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% vorhanden sind, der Gewinn der Halbleitervorrichtung verbessert werden kann.
  • (Beispiel 2)
  • Es wurde ein Verbundsubstrat wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass das kachelförmige Substrat eine Hauptoberfläche mit einer Ebenenausrichtung von {0001} hatte und das kolloidale Siliziumoxid eine Korngröße von 90 nm hatte. Die Ebenenausrichtung des kachelförmigen Substrates wurde durch eine Schneidrichtung während des Schneidens in Scheiben gesteuert. Ein zu einer Scheibe geschnittenes Substrat hatte eine Dicke von 250 µm. Es wurde auch bei dem Verbundsubstrat mit einer Ebenenausrichtung von {0001} bestätigt, dass in Übereinstimmung mit dem Siliziumkarbidsubstrat gemäß der vorliegenden Erfindung, bei dem Schwefelatome in der Substrathauptoberfläche in einem Umfang von nicht weniger als 60 × 1010 Atomen/cm2 und nicht mehr als 2.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind und Sauerstoffatome in der Substrathauptoberfläche in einem Umfang von nicht weniger als 3 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% vorhanden sind, der Gewinn von Halbleitervorrichtungen verbessert werden kann.
  • (Beispiel 3)
  • Es wurde ein Versuch ausgeführt, um den Einfluss eines Anteils von Chloratomen in einer Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates auf den Gewinn von Vorrichtungen zu untersuchen. Insbesondere wurden vier Substrate vorbereitet, die unterschiedliche Anteile von Chloratomen in ihren Hauptoberflächen haben, wobei eine Vielzahl von Vorrichtungen für jedes Substrat wie in Beispiel 1 hergestellt wurde. Anschließend wurde der Betrieb der hergestellten Vorrichtungen geprüft, um deren Gewinn zu untersuchen. Unter Verwendung des Verbundsubstrates in Beispiel 1 wurde die Zusammensetzung einer Oberfläche durch Ändern der Bedingungen für die CMP gesteuert. Um die Rate zu verbessern und die Zusammensetzung der Oberfläche zu steuern, wurden Natriumsulfat und Natrium-Dichloroisocyanurat als chemische Bestandteile der Schlämme hinzugefügt. Kolloidales Siliziumdioxid mit einer durchschnittlichen Korngröße von 50 nm wurde als Schleifkörner der Schlämme für die CMP verwendet. Es wurde ein wildlederartiges Poliergewebe verwendet. Zudem wurde der Widerstandskoeffizient R (m2/s) auf 2,0 bis 5,0 × 10–15 (m2/s) eingestellt. Der Anteil der Chloratome wurde durch TXRF analysiert. Tabelle 2 zeigt die Ergebnisse des Versuchs. [Tabelle 2]
    1 2 3 4
    S-Anteil (× 1010 Atome/cm2) 1000 1000 1000 1000
    O-Anteil (Atom-%) 24 24 24 24
    Cl-Anteil (× 1010 Atome/cm2) 100 800 4000 5000
    Vorrichtungsgewinn (%) 68 66 63 58
  • Wie in Tabelle 2 gezeigt, wurde ein Gewinn, der 50% überschreitet, bei den Proben 1 bis 3 erreicht, bei denen Chloratome in der Substrathauptoberfläche mit nicht mehr als 4.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden waren. Somit kann gesagt werden, dass Chloratome vorzugsweise in der Substrathauptoberfläche mit nicht mehr als 4.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind. Darüber hinaus kann, um den Gewinn weiterhin zu verbessern, gesagt werden, dass Chloratome in der Substrathauptoberfläche vorzugsweise mit nicht mehr als 800 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind und stärker bevorzugt mit nicht mehr als 100 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind.
  • (Beispiel 4)
  • Es wurde ein Versuch durchgeführt, um den Einfluss einer Oberflächenrauhigkeit einer Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates auf den Gewinn von Vorrichtungen zu untersuchen. Insbesondere wurden fünf Substrate, die unterschiedliche Oberflächenrauhigkeiten ihrer Hauptoberflächen haben, vorbereitet, und es wurde eine Vielzahl von Vorrichtungen für jedes Substrat wie in Beispiel 1 hergestellt. Anschließend wurde der Betrieb der hergestellten Vorrichtungen überprüft, um deren Gewinn zu untersuchen. Unter Verwendung des Verbundsubstrates aus Beispiel 1 wurde die Oberflächenrauhigkeit durch Ändern der Bedingungen für die CMP gesteuert. Kolloidales Siliziumoxid mit einer durchschnittlichen Korngröße von 20 bis 100 nm wurde als Schleifkörner der Schlämme für die CMP verwendet. Es wurde ein wildlederartiges Poliergewebe verwendet. Weiterhin wurde der Widerstandskoeffizient R (m2/s) auf 2,0 bis 5,0 × 10–15 (m2/s) eingestellt. Tabelle 3 zeigt die Ergebnisse des Versuchs [Tabelle 3]
    1 2 3 4 5
    S-Anteil (× 1010 Atome/cm2) 800 800 800 800 800
    O-Anteil (Atom-%) 16 16 16 16 16
    Rauhigkeit RMS (nm) 0,1 0,2 0,3 0,5 1
    Vorrichtungsgewinn (%) 72 71 70 68 64
  • Wie in Tabelle 3 gezeigt, erhielt man, wenn die Hauptoberfläche eine Oberflächenrauhigkeit RMS (siehe JIS) von nicht mehr als 0,5 nm hatte, einen hohen Gewinn von nicht weniger als 68%. Somit wird es als zu bevorzugen erachtet, dass die Substrathauptoberfläche eine Rauhigkeit von nicht mehr als 0,5 nm hat, wenn diese in RMS bewertet wird. Unter dem Aspekt der weiteren Verbesserung des Gewinnes wird es als stärker bevorzugt erachtet, dass die Substrathauptoberfläche eine Rauhigkeit von nicht mehr als 0,3 nm und weiterhin nicht mehr als 0,1 nm hat, wenn diese in RMS bewertet wird.
  • Dieselbe Bewertung wurde auch an einem Substrat ausgeführt, das vollständig aus einem Einkristall-Siliziumkarbid besteht. Ein Siliziumkarbidkristall wurde durch das Sublimationsverfahren zum Anwachsen gebracht. Als Keimsubstrat wurde ein Siliziumkarbidsubstrat mit einem Durchmesser von 100 mm verwendet, das eine Hauptoberfläche hat, die der (0001)-Ebene entspricht. Der angewachsene Kristall hatte eine Stickstoffkonzentration von 6 × 1018 cm–3. Das Schneiden in Scheiben wurde mit Hilfe einer Mehrdrahtsäge ausgeführt. Das Schneiden in Scheiben wurde ausgeführt, um eine scheibenförmige Substratoberfläche zu erhalten, die eine Ebenenausrichtung von {0001} hat, wobei man ein Substrat mit einem Durchmesser von 110 mm erhielt. Die Rückseite und die Vorderseite des geschnittenen Substrates wurden anschließend geglättet, um ein Substrat für epitaxiales Wachstum zu erhalten. Das Glätten wurde in derselben Weise wie bei dem Verbundsubstrat ausgeführt. Bei dem Substrat mit der Zusammensetzung der Oberfläche gemäß der vorliegenden Erfindung wurde ein guter Gewinn erzielt.
  • Es konnte eine epitaxiale Wachstumsschicht guter Qualität durch Steuern der Zusammensetzung der Oberfläche ausgebildet werden, wobei man gute Eigenschaften einer Halbleitervorrichtung erhielt, indem ein Anstieg des Widerstandes an einer Schnittstelle zwischen dem Substrat und der epitaxialen Wachstumsschicht unterdrückt wurde.
  • (Beispiel 5)
  • Es wurde ein Versuch durchgeführt, um den Einfluss eines Anteils von Metallatomen in der Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates auf den Gewinn von Vorrichtungen zu untersuchen. Insbesondere wurden sechs Substrate vorbereitet, die unterschiedliche Anteile von Metallatomen in ihren Hauptoberflächen haben, wobei eine Vielzahl von Vorrichtungen für jedes Substrat wie in Beispiel 1 vorbereitet wurde. Anschließend wurde der Betrieb der Vorrichtungen überprüft, um deren Gewinn zu untersuchen. Unter Verwendung des Verbundsubstrates aus Beispiel 1 wurde der Umfang einer Metallverunreinigung in einer Oberfläche gesteuert, indem eine chemische Zusammensetzung oder dergleichen in dem Reinigungsschritt geändert wurde. Tabelle 4 zeigt die Ergebnisse des Versuches. [Tabelle 4]
    1 2 3 4 5 6
    S-Anteil (× 1010 Atome/cm2) 1500 1500 1500 1500 1500 1500
    O-Anteil (Atom-%) 27 27 27 27 27 27
    Metallverunreinigung (× 1010 Atome/cm2) 2 10 100 4000 11000 13000
    Vorrichtungsgewinn (%) 67 66 64 62 61 56
  • Wie in Tabelle 4 gezeigt, wurde ein Gewinn, der 60% überschreitet, bei den Proben 1 bis 5 erzielt, bei denen Metallatome in der Substrathauptoberfläche mit nicht mehr als 11.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden waren. Somit kann gesagt werden, dass Metallatome vorzugsweise in der Substrathauptoberfläche mit nicht mehr als 11.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind. Um darüber hinaus den Gewinn weiter zu verbessern, kann gesagt werden, dass Metallatome in der Substrathauptoberfläche vorzugsweise mit nicht mehr als 4.000 × 1010 Atomen/cm2 und stärker bevorzugt mit nicht mehr als 100 × 1010 Atomen/cm2 und weiter mit nicht mehr als 10 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind.
  • (Beispiel 6)
  • Es wurde ein Versuch durchgeführt, um den Einfluss eines Anteils von Natriumatomen in einer Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates auf den Gewinn von Vorrichtungen zu untersuchen. Insbesondere wurden sechs Substrate vorbereitet, die unterschiedliche Anteile von Natriumatomen in ihren Hauptoberflächen haben, und es wurde eine Vielzahl von Vorrichtungen für jedes Substrat wie bei Beispiel 1 hergestellt. Anschließend wurde der Betrieb der hergestellten Vorrichtungen geprüft, um deren Gewinn zu untersuchen. Mit Hilfe des Verbundsubstrates aus Beispiel 1 wurde der Anteil von Natrium in einer Oberfläche gesteuert, indem eine chemische Lösung oder dergleichen bei dem Reinigungsschritt geändert wurde. Tabelle 5 zeigt die Ergebnisse des Versuches. [Tabelle 5]
    1 2 3 4 5 6
    S-Anteil (× 1010 Atome/cm2) 1200 1200 1200 1200 1200 1200
    O-Anteil (Atom-%) 21 21 21 21 21 21
    Na-Anteil (× 1010 Atome/cm2) 0,5 10 100 1000 10000 12000
    Vorrichtungsgewinn (%) 68 67 65 63 62 57
  • Wie in Tabelle 5 gezeigt, wurde ein Gewinn, der 60% übersteigt, bei den Proben 1 bis 5 erzielt, bei denen Natriumatome in der Hauptoberfläche mit nicht mehr als 10.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden waren. Somit kann gesagt werden, dass Natriumatome vorzugsweise in der Substrathauptoberfläche mit nicht mehr als 10.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind. Um darüber hinaus den Gewinn weiter zu verbessern, kann gesagt werden, dass Natriumatome in der Substrathauptoberfläche vorzugsweise mit nicht mehr als 1.000 × 1010 Atomen/cm2 und stärker bevorzugt mit nicht mehr als 100 × 1010 Atomen/cm2 und weiterhin mit nicht mehr als 10 × 1010 Atomen vorhanden sind.
  • (Beispiel 7)
  • Es wurde ein Versuch durchgeführt, um den Einfluss eines Gesamtanteils von Kupferatomen und Zinkatomen in einer Hauptoberfläche eines Siliziumkarbidsubstrates auf den Gewinn von Vorrichtungen zu untersuchen. Insbesondere wurden sechs Substrate vorbereitet, die unterschiedliche Gesamtanteile von Kupferatomen und Zinkatomen in ihren Hauptoberflächen haben, und eine Vielzahl von Vorrichtungen wurde für jedes Substrat wie bei Beispiel 1 hergestellt. Anschließend wurde der Betrieb der hergestellten Vorrichtungen geprüft, um deren Gewinn zu untersuchen. Mit Hilfe des Verbundsubstrates aus Beispiel 1 wurde die Gesamtmenge von Kupferatomen und Zinkatomen in einer Oberfläche gesteuert, indem eine chemische Lösung oder dergleichen in dem Reinigungsschritt geändert wurde. Tabelle 6 zeigt die Ergebnisse des Versuchs. [Tabelle 6]
    1 2 3 4 5 6
    S-Anteil (× 1010 Atome/cm2) 1800 1800 1800 1800 1800 1800
    O-Anteil (Atom-%) 24 24 24 24 24 24
    Cu + Zn-Anteil (× 1010 Atome/cm2) 0 10 100 1000 6000 8000
    Vorrichtungsgewinn (%) 68 66 64 61 60 56
  • Wie es in Tabelle 6 gezeigt ist, wurde ein Gewinn von nicht weniger als 60% bei den Proben 1 bis 5 erreicht, bei denen Kupferatome und Zinkatome in der Substrathauptoberfläche mit einer Gesamtmenge von nicht mehr als 6.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden waren. Somit kann gesagt werden, dass Kupferatome und Zinkatome vorzugsweise in der Substrathauptoberfläche mit einer Gesamtmenge von nicht mehr als 6.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind. Um darüber hinaus den Gewinn weiterhin zu verbessern, kann gesagt werden, dass Kupferatome und Zinkatome in der Substrathauptoberfläche vorzugsweise mit einer Gesamtmenge von nicht mehr als 1.000 × 1010 Atomen/cm2, stärker bevorzugt mit einer Gesamtmenge von nicht mehr als 100 × 1010 Atomen/cm2 und weiterhin mit einer Gesamtmenge von nicht mehr als 10 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind.
  • Es versteht sich, dass die hier offenbarten Ausführungsformen und Beispiele in jeder Hinsicht beispielhaft und nicht einschränkend sind. Der Geltungsbereich der vorliegenden Erfindung ist durch den Geltungsbereich der Ansprüche anstelle durch die obige Beschreibung definiert und soll beliebige Modifikationen innerhalb des Geltungsbereiches und der Bedeutung umfassen, die äquivalent zu dem Geltungsbereich der Ansprüche ist.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Das Siliziumkarbidsubstrat und die Halbleitervorrichtung, bei der das Substrat Verwendung findet, gemäß der vorliegenden Erfindung sind insbesondere vorteilhaft auf ein Siliziumkarbidsubstrat, das erforderlich ist, um einen On-Widerstand zu verringern und den Gewinn von Halbleitervorrichtungen zu verbessern, und eine Halbeitervorrichtung, bei der das Substrat Verwendung findet, anwendbar.
  • BEZUGSZEICHENLISTE
    • 1: Siliziumkarbidsubstrat, 1A: Hauptoberfläche, 9: Draht, 10: Ingot, 11: Basisschicht, 12: Einkristall-Siliziumkarbidschicht, 12A: Hauptoberfläche, 20: Träger, 100: Schottky-Barrieren-Diode, 101: Siliziumkarbidsubstrat, 101A, 101D: Hauptoberfläche, 102: Driftschicht, 102A: Hauptoberfläche, 111: Anodenelektrode, 112: Kathodenelektrode, 200: Diode, 201: Siliziumkarbidsubstrat, 201A, 201D: Hauptoberfläche, 202: Driftschicht, 202A: Hauptoberfläche, 203: p-Bereich, 211: Anodenelektrode, 212: Kathodenelektrode.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2011-77381 [0003]
    • JP 2010-163307 [0003]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • R.C. GLASS et al., "SiC Seeded Crystal Growth", Phys. stat. sol. (b), 1997, 202, pp. 149–162 [0003]

Claims (15)

  1. Siliziumkarbidsubstrat (1), bei dem ein Bereich, der wenigstens eine Hauptoberfläche (1A) umfasst, aus einem Einkristall-Siliziumkarbid besteht, wobei Schwefelatome in der einen Hauptoberfläche (1A) mit nicht weniger als 60 × 1010 Atomen/cm2 und nicht mehr als 2.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind und Sauerstoffatome in der einen Hauptoberfläche (1A) mit nicht weniger als 3 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% vorhanden sind.
  2. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach Anspruch 1, bei dem Chloratome in der einen Hauptoberfläche (1A) mit nicht mehr als 4.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind.
  3. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach Anspruch 1 oder 2, bei dem Kohlenstoffatome in der einen Hauptoberfläche (1A) mit nicht weniger als 40 Atom-% und nicht mehr als 60 Atom-% vorhanden sind.
  4. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem eine Metallverunreinigung in der einen Hauptoberfläche (1A) mit nicht mehr als 11.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden ist.
  5. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem eine Metallverunreinigung in der einen Hauptoberfläche (1A) mit nicht mehr als 4.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden ist.
  6. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem Natriumatome in der einen Hauptoberfläche (1A) mit nicht mehr als 10.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind.
  7. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem Kupferatome und Zinkatome in der Hauptoberfläche (1A) mit einer Gesamtmenge von nicht mehr als 6.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind.
  8. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die eine Hauptoberfläche (1A) eine Oberflächenrauhigkeit von nicht mehr als 0,5 nm bei Bewertung in RMS hat.
  9. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, das einen Durchmesser hat, der größer als 110 mm ist.
  10. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das Einkristall-Siliziumkarbid eine 4H-Struktur hat und die eine Hauptoberfläche (1A) einen Abweichwinkel von nicht weniger als 0,1° und nicht mehr als 10° in Bezug auf eine {0001}-Ebene des Einkristall-Siliziumkarbids hat.
  11. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das Einkristall-Siliziumkarbid eine 4H-Struktur hat und die eine Hauptoberfläche (1A) einen Abweichwinkel von nicht weniger als 0,01° und nicht mehr als 6° in Bezug auf eine (000-1)-Ebene des Einkristall-Siliziumkarbids hat.
  12. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das Einkristall-Siliziumkarbid eine 4H-Struktur hat und die eine Hauptoberfläche (1A) einen Abweichwinkel von nicht mehr als 4° in Bezug auf eine {03+38}-Ebene des Einkristall-Siliziumkarbids hat.
  13. Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 12, umfassend: eine Basisschicht (11); und eine Einkristall-Siliziumkarbidschicht (12), die auf der Basisschicht (11) ausgebildet ist, wobei die eine Hauptoberfläche (1A) eine Oberfläche (12A) der Einkristall-Siliziumkarbidschicht (12) auf einer Seite ist, die einer Seite gegenüberliegt, die der Basisschicht (11) zugewandt ist.
  14. Halbleitervorrichtung (100, 200), umfassend: ein Siliziumkarbidsubstrat (101, 201); eine epitaxiale Wachstumsschicht (102, 202), die auf einer Hauptoberfläche (101A, 201A) des Siliziumkarbidsubstrates (101, 201) ausgebildet ist; und eine Elektrode (111, 211), die auf der epitaxialen Wachstumsschicht (102, 202) ausgebildet ist, wobei das Siliziumkarbidsubstrat (101, 201) ein Siliziumkarbidsubstrat (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 13 ist.
  15. Halbleitervorrichtung (100, 200) nach Anspruch 14, weiterhin umfassend eine zweite Elektrode (112, 212), die auf der anderen Hauptoberfläche (101D, 201D) des Siliziumkarbidsubstrates (101, 201) als eine Hauptoberfläche auf einer Seite ausgebildet ist, die einer Seite gegenüberliegt, die der epitaxialen Wachstumsschicht (102, 202) zugewandt ist.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202012013565U1 (de) 2011-07-20 2017-11-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Siliziumkarbidsubstrat und Halbleitervorrichtung
JP5803786B2 (ja) 2012-04-02 2015-11-04 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法
JP2014049616A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Sony Corp ダイオードおよびダイオードの製造方法
US8860040B2 (en) 2012-09-11 2014-10-14 Dow Corning Corporation High voltage power semiconductor devices on SiC
US9018639B2 (en) 2012-10-26 2015-04-28 Dow Corning Corporation Flat SiC semiconductor substrate
US9017804B2 (en) 2013-02-05 2015-04-28 Dow Corning Corporation Method to reduce dislocations in SiC crystal growth
US9797064B2 (en) 2013-02-05 2017-10-24 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion
US9738991B2 (en) 2013-02-05 2017-08-22 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion
US8940614B2 (en) 2013-03-15 2015-01-27 Dow Corning Corporation SiC substrate with SiC epitaxial film
JP6295537B2 (ja) * 2013-07-17 2018-03-20 住友金属鉱山株式会社 炭化珪素基板ならびに半導体素子
JP2015065316A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6292926B2 (ja) 2013-11-08 2018-03-14 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP5839069B2 (ja) * 2014-03-28 2016-01-06 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法
KR101611711B1 (ko) * 2014-07-24 2016-04-12 하이디스 테크놀로지 주식회사 핀 다이오드의 제조방법 및 이를 이용한 엑스레이 디텍터의 제조방법
US9279192B2 (en) 2014-07-29 2016-03-08 Dow Corning Corporation Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology
CN106537568B (zh) * 2014-07-30 2019-07-12 三菱电机株式会社 半导体装置的制造方法及半导体装置
DE112015004795T5 (de) * 2014-10-23 2017-10-12 Sumitomo Electric Industries Ltd. Siliziumkarbidsubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
FR3030781B1 (fr) 2014-12-19 2016-12-16 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un detecteur de neutrons et detecteur de neutrons
JP6758569B2 (ja) * 2015-03-20 2020-09-23 株式会社タムラ製作所 高耐圧ショットキーバリアダイオード
JP6597381B2 (ja) * 2016-02-22 2019-10-30 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板の製造方法、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法
US11094835B2 (en) * 2017-03-28 2021-08-17 Mitsubishi Electric Corporation Silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
WO2018211842A1 (ja) 2017-05-19 2018-11-22 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板
US11177348B2 (en) * 2018-03-07 2021-11-16 Mitsubishi Electric Corporation Silicon carbide semiconductor device
KR20200044726A (ko) * 2018-10-16 2020-04-29 에스아이씨씨 컴퍼니 리미티드 고평탄도, 저손상 빅직경의 단결정 탄화규소 기판 및 그 제조 방법
JP7158316B2 (ja) * 2019-03-05 2022-10-21 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
IT202000004696A1 (it) 2020-03-05 2021-09-05 St Microelectronics Srl METODO DI FABBRICAZIONE DI UN DISPOSITIVO ELETTRONICO IN SiC CON FASI DI MANIPOLAZIONE RIDOTTE, E DISPOSITIVO ELETTRONICO IN SiC
IT202000008167A1 (it) 2020-04-17 2021-10-17 St Microelectronics Srl Attivazione droganti e formazione di contatto ohmico in un dispositivo elettronico in sic, e dispositivo elettronico in sic
CN111755566B (zh) * 2020-06-15 2022-03-11 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法
IT202000015100A1 (it) * 2020-06-23 2021-12-23 St Microelectronics Srl Metodo di fabbricazione di un dispositivo rivelatore di una radiazione uv basato su sic e dispositivo rivelatore di una radiazione uv basato su sic
JP2022041725A (ja) * 2020-09-01 2022-03-11 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置
CN116856066B (zh) * 2023-09-01 2023-11-14 宁波合盛新材料有限公司 一种碳化硅籽晶粘结方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010163307A (ja) 2009-01-14 2010-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物基板、それを備える半導体デバイス、及び、表面処理されたｉｉｉ族窒化物基板を製造する方法
JP2011077381A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3848700B2 (ja) * 1996-05-10 2006-11-22 株式会社イオン工学研究所 炭化ケイ素半導体装置
JP2958443B2 (ja) 1996-12-26 1999-10-06 工業技術院長 ｎ型シリコンカーバイト半導体
JP3043689B2 (ja) 1997-11-17 2000-05-22 日本ピラー工業株式会社 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法
JP3809464B2 (ja) * 1999-12-14 2006-08-16 独立行政法人理化学研究所 半導体層の形成方法
EP1306890A2 (de) 2001-10-25 2003-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Halbleitersubstrat und -bauelement aus SiC und Verfahren zu deren Herstellung
JP3742877B2 (ja) * 2002-03-22 2006-02-08 独立行政法人産業技術総合研究所 ＳｉＣ単結晶薄膜の作製法
US7601441B2 (en) 2002-06-24 2009-10-13 Cree, Inc. One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer
JP4057470B2 (ja) 2003-06-05 2008-03-05 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2005047753A (ja) 2003-07-29 2005-02-24 Tadahiro Omi 炭化珪素製品、その製造方法、及び、炭化珪素製品の洗浄方法
JP3764157B2 (ja) 2003-10-10 2006-04-05 東洋炭素株式会社 高純度炭素系材料及びセラミックス膜被覆高純度炭素系材料
US7314521B2 (en) 2004-10-04 2008-01-01 Cree, Inc. Low micropipe 100 mm silicon carbide wafer
DE102005024073A1 (de) * 2005-05-25 2006-11-30 Siltronic Ag Halbleiter-Schichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Schichtstruktur
CA2636776A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device
US8980445B2 (en) 2006-07-06 2015-03-17 Cree, Inc. One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
KR20090089362A (ko) 2006-11-10 2009-08-21 스미토모덴키고교가부시키가이샤 탄화규소 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP4523935B2 (ja) 2006-12-27 2010-08-11 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。
US8138583B2 (en) * 2007-02-16 2012-03-20 Cree, Inc. Diode having reduced on-resistance and associated method of manufacture
JP4964672B2 (ja) 2007-05-23 2012-07-04 新日本製鐵株式会社 低抵抗率炭化珪素単結晶基板
TWI421965B (zh) 2007-12-20 2014-01-01 Saint Gobain Ceramics 處理半導體製程元件之方法及其形成之元件
JP4880624B2 (ja) * 2008-01-28 2012-02-22 東洋炭素株式会社 気相成長用サセプター及びその製造方法
JP2009188100A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP5469840B2 (ja) 2008-09-30 2014-04-16 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶基板の製造方法
US8057174B2 (en) 2008-10-09 2011-11-15 General Electric Company Method for controlling a wind turbine using a wind flow model
EP2394787B1 (de) 2009-02-04 2019-05-29 Hitachi Metals, Ltd. Herstellungsverfahren für siliziumkarbid-einzelkristallsubstrat
JP2011071204A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体基板の製造方法
JP4513927B1 (ja) 2009-09-30 2010-07-28 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス
JP5833297B2 (ja) 2010-05-11 2015-12-16 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス
DE202012013565U1 (de) * 2011-07-20 2017-11-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Siliziumkarbidsubstrat und Halbleitervorrichtung
JP5803786B2 (ja) 2012-04-02 2015-11-04 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010163307A (ja) 2009-01-14 2010-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物基板、それを備える半導体デバイス、及び、表面処理されたｉｉｉ族窒化物基板を製造する方法
JP2011077381A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
R.C. GLASS et al., "SiC Seeded Crystal Growth", Phys. stat. sol. (b), 1997, 202, pp. 149–162
R.C. GLASS et al., "SiC Seeded Crystal Growth", Phys. stat. sol.(b), 1997, 202, pp. 149–162

Also Published As

Publication number Publication date
US9728612B2 (en) 2017-08-08
DE112012003035B4 (de) 2024-01-18
JP5803934B2 (ja) 2015-11-04
CN103608498A (zh) 2014-02-26
DE112012003035T5 (de) 2014-05-08
CN108336127B (zh) 2021-09-24
US20160359007A1 (en) 2016-12-08
CN108336127A (zh) 2018-07-27
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CN103608498B (zh) 2018-04-10
US20150295050A1 (en) 2015-10-15
DE202012013581U1 (de) 2018-01-08
US9484416B2 (en) 2016-11-01
US20130020585A1 (en) 2013-01-24
JP2015221750A (ja) 2015-12-10
US9105756B2 (en) 2015-08-11

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