JP5469840B2 - 炭化珪素単結晶基板の製造方法 - Google Patents
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Description
しかし、炭化珪素(SiC)化合物半導体の製造プロセスにおけるエピタキシャル成長を伴う製造プロセスにおいては、前記洗浄方法を用いて清浄化した半導体基板を用いても、依然としてエピタキシャル成長時に異常成長等が生じて、前記薄膜に結晶欠陥などを発生させる場合があった。
表面検査工程S130で不合格とされた基板は再び表面加工処理工程S110へ戻し、必要とされる表面加工処理を行って、洗浄処理工程S120を行った後、再び表面検査工程S130で表面検査を行う。合格した基板は最終品として出荷し、不合格品は、合格するまで上記のサイクルを続ける。
このような従来の方法では検出できなかった光学検出限界を超える大きさの付着粒子の残留が、エピタキシャル成長時に異常成長等を生じさせ、依然として前記薄膜に結晶欠陥などを発生させている可能性があった。
(1) pH調整剤を含浸させた研磨布とダイヤモンド砥粒からなる研磨剤を用いて、炭化珪素単結晶基板の表面のpHを3以下としてその表面を研磨処理する付着粒子低減用表面加工処理工程を行って形成された基板の一面に付着した高さが100nm以上の第1付着粒子の密度が1個/cm2以下とされ、かつ、前記基板の一面に付着した高さが100nm未満の第2付着粒子の密度が1500個/cm2以下とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶基板。
(2) 基板の一面に付着した高さが100nm以上の第1付着粒子の密度が1個/cm 2 以下とされ、かつ、前記基板の一面に付着した高さが100nm未満の第2付着粒子の密度が1500個/cm 2 以下である炭化珪素単結晶基板の製造方法であって、表面加工処理工程と洗浄処理工程と表面検査工程と付着粒子低減用表面加工処理工程を含み、付着粒子低減用表面処理工程がpH調整剤を含浸させた研磨布とダイヤモンド砥粒からなる研磨剤を用い、pH調整剤によって炭化珪素単結晶基板の表面のpHを3以下としてその表面を研磨処理するものであること特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
(4) 前記pH調整剤が前記炭化珪素単結晶基板の表面のpHを2以下とすることを特徴とする(2)または(3)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
(6) 前記軟固形剤が珪素、アルミニウム、セリウムまたはクロムのいずれかの金属酸化物を一以上含有することを特徴とする(5)に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
(7) 前記酸化剤が硫酸、塩素、オゾン、次亜塩素酸塩、フッ素イオン、臭素イオンのいずれかを一以上含有する水溶液であることを特徴とする(5)または(6)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態である炭化珪素単結晶基板の作製工程の一例を示すフローチャート図である。本発明の実施形態である炭化珪素単結晶基板の作製工程は、表面加工処理工程S10、洗浄処理工程S20、表面検査工程S30および付着粒子低減用表面加工処理工程S15とから概略構成されている。
表面加工処理工程S10は、端面加工処理S11と、粗加工処理S12と、鏡面研磨加工処理S13と、CMP加工表面処理S14と、からなり、洗浄処理工程S20は、粗洗浄処理S21と、形状検査S22と、最終洗浄処理S23と、からなる。また、表面検査工程S30は、光学式表面検査S31と、原子間力顕微鏡(AFM)による表面検査(原子間力式表面検査)S32と、からなる。原子間力式表面検査S32で、合格した炭化珪素単結晶基板を最終品として出荷する。
表面検査工程S30で不合格とされた基板は付着粒子低減用表面加工処理工程S15へ戻し、表面加工処理を行った後、洗浄処理工程S20を行った後、再び表面検査工程S30で表面検査を行う。合格した基板は最終品として出荷し、不合格品は、合格するまで上記のサイクルを続ける。
まず、昇華法などにより形成した炭化珪素単結晶インゴットを切り出して形成した炭化珪素単結晶ウェーハ(炭化珪素単結晶基板)に端面加工処理S11を施す。具体的には、ほぼ直角に切断された前記炭化珪素単結晶基板の表裏の端面縁を、研削等によりR50−200μm程度の円弧形状に加工する。
たとえば、セラミック等で作製された平坦な台(プレート)上に数枚の前記炭化珪素単結晶基板をワックス等により平坦に貼り付け、不織布等を貼り付けた回転する定盤に加工液を供給しながら、該プレートを介して前記炭化珪素単結晶基板の平面を押し付けて回転させ、前記炭化珪素単結晶基板の表面を極めて薄く除去する処理である。これにより、前記炭化珪素単結晶基板の表面ダメージを除去することができ、前記炭化珪素単結晶基板は、鏡面状となる。なお、本表面処理で用いる加工液には、酸化クロム等が用いられる。
たとえば、表面加工処理工程の終了後、プレートを片面加工機に取り付け、純水のみを供給して5分間表面洗浄を実施し、その後、プレートを同機から取り外して水洗した後、炭化珪素単結晶基板をプレートから剥離する。
次に、鏡面状の前記炭化珪素単結晶基板に粗洗浄処理S21を施す。粗洗浄処理S21は、半導体基板の洗浄方法として一般的なRCA洗浄の処理を用いる。RCA洗浄とは、米RCA社が開発した半導体基板の洗浄方法であり、過酸化水素、アルカリおよび酸を加えた薬液を用いて、高温で洗浄する方法である。なお、使用する薬剤及び条件などは、各半導体基板メーカーによって異なる。
まず、炭化珪素単結晶基板に対して光学式表面検査S31を施す。光学式表面検査S31は、従来の表面検査方法であり、主に裸眼あるいは光学顕微鏡を用いた目視やSurfScan(Tencor社製)が用いられ、表面の傷、くもり、及び 付着粒子等を検査する。
前記光学式表面検査では、検出手段として光を用いるため、被測定対象の大きさ(高さおよび径)は原理的に光波長以上(100nm:0.1μm以上)である。これにより、高さが100nm以上の付着粒子の大きさ、数および位置を把握することができる。なお、これ以後、高さが100nm以上の付着粒子を第1付着粒子と呼称する。
前記第1付着粒子の密度が1個/cm2以下とされることが好ましい。前記第1付着粒子の密度が1個/cm2以下とされることにより、第1付着粒子に起因するエピタキシャル成長時の異常成長を抑制することができる。
次に、原子間力顕微鏡(AFM)による表面検査(原子間力式表面検査)S32を施す。原子間力式表面検査S32は、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)を用いた表面検査であり、高さ0.05nm〜0.5μmまでの粒子を観察することができる。これにより、高さが100nm未満の付着粒子の大きさ、数および位置を把握することができる。なお、これ以後、高さが100nm未満の付着粒子を第2付着粒子と呼称する。
すなわち、第1付着粒子だけでなく第2付着粒子の密度を低減することにより、炭化珪素単結晶ウェーハ基板上の表面清浄度をより向上させ、エピタキシャル成長膜を欠陥なく成膜させることができ、炭化珪素単結晶半導体のプロセス歩留まりを向上させることができる。
なお、Si、GaAs、InPなどを基板として用いた場合には、基板表面上の不純物粒子(付着粒子)は基板の表面に化学的に安定な状態で付着することがなく、従来の洗浄工程を適用することにより、第1付着粒子だけでなく、第2付着粒子も容易に除去される。
付着粒子低減用表面加工処理工程S15は、pH調整剤を含浸させた研磨布とダイヤモンド砥粒からなる研磨剤を用いて表面を研磨処理して第2付着粒子の密度を低減する工程である。
炭化珪素単結晶基板の表面のpHを調整することにより、炭化珪素単結晶基板の表面と付着粒子との間の化学的結合を弱めることができ、化学的に安定して付着した第2付着粒子を除去することが容易になる。その状態で、ダイヤモンド砥粒からなる研磨剤を用いて表面を研磨処理することにより、化学的に安定して付着した第2付着粒子を除去することができる。
たとえば、第1の方法としては、炭化珪素単結晶基板の表面のpHが2以下となるように調整するpH調整剤と、ダイヤモンド砥粒と、を含浸させた研磨布を用いて鏡面研磨する。
また、第2の方法としては、酸化剤及び軟固形剤を含浸させた研磨布を用いて鏡面処理し、pH調整剤を用いてpHが3以下となるように調整し、また珪素、アルミニウム、セリウム、クロムの酸化物の内、一つ又はそれ以上を含有する軟固形材を使用し、酸化剤として、硫酸、塩素、オゾン、次亜塩素酸塩、フッ素イオン、臭素イオンの内、一つ又はそれ以上を含有する水溶液を用いて鏡面研磨する。
これにより、洗浄処理工程を1段階減らすことができ、炭化珪素単結晶基板の作製プロセスを効率化することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
図1のフローチャート図に示した炭化珪素単結晶基板の作製工程を用いて、炭化珪素単結晶基板(実施例1サンプル)を作製した。
まず、直径約50mmφの炭化珪素単結晶基板の(0001)8°傾斜基板を用意して、所定の端面加工処理を行った。
次に、上下2枚の平坦な定盤の間に炭化珪素単結晶基板を挟み、研磨剤を供給しながら、2枚の定盤を相互に対向して回転させ、炭化珪素単結晶基板の表裏を削り取って厚さを調整し、平坦度を向上させて、粗加工処理を行った。加工砥粒にはダイヤモンド砥粒を用いた。
次に、上下2枚の平坦な定盤の加工面に不織布等を貼付け、前記2枚の定盤の間に炭化珪素単結晶基板を挟み、より微細な研磨剤を供給しながら、2枚の定盤を相互に対向して回転させ、炭化珪素単結晶基板の表裏を削り取って厚さを調整し、平坦度を向上させて、鏡面研磨加工処理を行った。この際、より微細なダイヤモンド砥粒を用いた。これにより、表面粗さRaが5nm程度の光学的に平坦な鏡面を得た。
なお、この際、仕上げ面はSi極性面とし、表面処理のため低膨張ガラスプレートにC極性面側を貼り付けた片面研磨を行った。加工液としては、市販のコロイダルシリカ水溶液に次亜塩素酸系の酸化剤を添加した。これにより、表面粗さRaが0.05nm以下の加工面を得た。
剥離した炭化珪素単結晶基板の粗洗浄処理をした。粗洗浄処理は、過酸化水素、アルカリおよび酸を加えた薬液を用いて、高温で洗浄するRCA洗浄を用いた。
具体的には、下記の薬剤槽に順次浸漬し、揺動や超音波などが加えた。薬剤槽は、アセトン槽、メタノール槽、純水槽、SPM槽(硫酸、過酸化水素混合液)、純水槽、SC1槽(アンモニア及び過酸化水素の水溶混合液)、純水槽、フッ酸槽、純水槽、SC2槽(塩酸及び過酸化水素の水溶混合液)、純水槽、フッ酸槽、純水槽、IPA槽とした。IPA槽の浸漬処理後、IPA槽から引き上げた状態で、IPAの蒸気乾燥をして、乾燥処理した。
次に、フラットネステスター及び光学的マイクロメーターによる形状検査を実施して、平坦度が許容範囲内であることを確認した後、粗洗浄処理と同様にしてRCA洗浄の最終洗浄処理をした。
まず、最終洗浄処理した炭化珪素単結晶基板の暗視野目視検査及びSurfScan(Tencor社製)による光学式表面検査を行った。炭化珪素単結晶基板には表面の傷、くもりは観察されなかった。
図3は、原子間力式表面検査で得られた炭化珪素単結晶基板の表面の写真である。図3に示す測定領域に0.5以上100nm未満の高さの付着粒子は1つも観測されなかった。このようにして、炭化珪素単結晶基板の表面全面をAFMで測定することにより、高さ0.5以上100nm未満の高さの付着粒子の密度が100個/cm2であることが分かった。なお、炭化珪素単結晶基板の表面粗さRaは0.1nm以下であった。
表面加工処理工程終了後、プレートを片面加工機に取り付け、純水のみを供給して実施した表面洗浄の時間を1分間としたほかは実施例1と同様にして、炭化珪素単結晶基板(実施例2サンプル)の作製を行った。
炭化珪素単結晶基板の暗視野目視検査及びSurfScan(Tencor社製)による光学式表面検査では、炭化珪素単結晶基板には表面の傷、くもりは観察されず、0.1μm以上の付着粒子等は全面で1個(1個/cm2)であった。
次に、炭化珪素単結晶基板の表面全面をAFMで測定することにより、高さ0.5以上100nm未満の高さの付着粒子の密度が1500個/cm2であることが分かった。
図4のフローチャート図に示した従来の炭化珪素単結晶基板の作製工程を用いて、炭化珪素単結晶基板(比較例1サンプル)を製造した。
まず、実施例1と同様にして表面加工処理工程を行った後、プレートを加工機から取り外し、水洗により加工液を除去した後、炭化珪素単結晶基板をプレートから剥離した。
次に、実施例1と同様にして、粗洗浄処理、形状検査、最終洗浄処理とからなる洗浄処理工程を行った後、表面検査工程を行った。
次に、炭化珪素単結晶基板の表面全面をAFMで測定することにより、高さ0.5以上100nm未満の高さの付着粒子の密度が1E4個/cm2であることが分かった。
Claims (6)
- 基板の一面に付着した高さが100nm以上の第1付着粒子の密度が1個/cm2以下
とされ、かつ、前記基板の一面に付着した高さが100nm未満の第2付着粒子の密度が
1500個/cm2以下である炭化珪素単結晶基板の製造方法であって、
表面加工処理工程と洗浄処理工程と表面検査工程と付着粒子低減用表面加工処理工程を
含み、
付着粒子低減用表面処理工程がpH調整剤を含浸させた研磨布とダイヤモンド砥粒から
なる研磨剤を用い、pH調整剤によって炭化珪素単結晶基板の表面のpHを3以下として
その表面を研磨処理するものであること特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 前記付着粒子低減用表面加工処理工程の前に、原子間力顕微鏡(AFM)による表面検
査を行って前記第2付着粒子の密度を測定することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪
素単結晶基板の製造方法。 - 前記pH調整剤が前記炭化珪素単結晶基板の表面のpHを2以下とすることを特徴とす
る請求項1または請求項2のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 前記研磨布に更に酸化剤または/および軟固形剤を含浸させることを特徴とする請求項
1〜3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 前記軟固形剤が珪素、アルミニウム、セリウムまたはクロムのいずれかの金属酸化物を
一以上含有することを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 前記酸化剤が硫酸、塩素、オゾン、次亜塩素酸塩、フッ素イオン、臭素イオンのいずれ
かを一以上含有する水溶液であることを特徴とする請求項4または請求項5のいずれかに
記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
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