JP2021141198A - 縦型ウエハボート及び縦型ウエハボートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、前記炉芯管51の出入口の温度を均一に保つための保温筒54と、ウエハWに対して処理ガスを炉芯管51の頂部より内部空間に向けて供給するガス供給管56と、炉芯管51内の処理ガスを排出する排気管55とを備えている。
これにより、炉芯管51内では、高温の処理ガス雰囲気とされ、ウエハW(製品ウエハPW、ダミーウエハDW)に所定の熱処理が施される。
例えば、特許文献1では、高品質の基板処理が行え、基板処理の基板面内均一性の向上を図るために、基板保持手段にてウエハ等の基板を保持する間隔は、基板保持手段の中央部分に保持されるプロダクトウエハ等の製品用基板間の間隔よりも、基板保持手段の両端部分に配置されるダミーウエハ等の非製品用基板間の間隔が狭いものすることが提案されている。
例えば、成膜される製品ウエハは、縦型ウエハボートへ収容され、処理が終了すると、縦型ウエハボートから取出される。
一方、ダミーウエハは、縦型ウエハボートに装着したまま、製品ウエハの成膜処理に繰り返し使用される。そのため、縦型ウエハボートと、縦型ウエハボートに装着されているダミーウエハには、膜が厚く堆積し、ダミーウエハが縦型ウエハボートに固着することがあった。
しかしながら、固着したダミーウエハの破片を完全に除去することは困難であり、未除去の破片が残存した状態で新たなダミーウエハを載置した場合、未除去の破片と新たなダミーウエハとの擦れがパーティクル発生の原因になるという技術的課題があった。
一方、ダミーウエハを連続使用せず、操炉毎に交換するとなると、製造コストや生産性が悪化するという技術的課題があった。
前記表面粗さが10μm未満の場合、ダミーウエハを連続使用すると、従来のようにダミーウエハが固着する虞がある。
また、前記表面粗さが50μmを超える場合、熱処理時に、棚部におけるダミーウエハの載置位置にズレが発生し易く、棚部表面との擦れによるパーティクルが発生する虞がある。
したがって、ダミーウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaが10μm以上50μm以下であることが好ましい。
このように、製品ウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaが0.5μm以上3.0μm以下であるため、ウエハの傷やスリップの発生を抑制することができる。
このように、SiC被膜層に、粒径10μm以上100μm以下のSiC粉を内在させることにより、ダミーウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaを10μm以上50μm以下とすることができる。
なお、前記支柱2、天板3、底板4を構成する基材としては、SiC質基材(SiC材)が好ましく、反応焼結SiCすなわちカーボン成分を含むSiC焼成体にSiを含浸し、前記カーボン成分とSiの一部が反応し、SiC化されたSi−SiC(Si−SiC複合材)であることが好ましく、SiCの成形体を高温で熱処理した再結晶質SiC、焼結助剤を添加し焼結した自焼結SiC等でもよい。
尚、図中、この先端面取り部2a2、側部面取り部2a3は平面状に示されているが、これに限定されるものではなく、曲面状、いわゆるR形状に形成されていても良い。
また、表面の表面粗さRaが3.0μmを超える場合には、ウエハ搭載時あるいは成膜処理等を行なった際に、製品ウエハPW裏面に傷やスリップが生じることとなり好ましくない。
尚、図中、この先端面取り部2b2、側部面取り部2b3は平面状に示されているが、前記棚部2aと同様に、曲面状、いわゆるR形状に形成されていても良い。
先端面取り部2b2、側部面取り部2b3についても、ウエハ載置部2b1と同様に、表面粗さRaが10μm以上50μm以下に形成されている。先端面取り部2b2、側部面取り部2b3に製品ウエハが当接する可能性があるため、表面粗さRaが10μm以上50μm以下に形成されるのが好ましい。
したがって、ダミーウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaが10μm以上50μm以下であることが好ましい。また、ダミーウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaが10μm以上50μm以下であるため、膜が付着した際、アンカー効果が大きく、膜の剥離をより効果的に抑制することができる。
先ず、SiC質基材を支柱2、天板3、底板4を所定の形状に機械加工し、またこれら基材の表面を研磨し、所定の表面粗さを有する部材を製作する。例えば支柱2には、図4(a)に示すように、棚部2bが形成される。
このSiC粉5は、エタノール溶媒に混合して、塗布あるいは吹き付けによって付着させる。尚、製品ウエハPWが搭載される棚部2a表面には、表面粗さが大きくなるため、前記SiC粉5を付着させない。
このとき、ダミーウエハDWが搭載される棚部2b表面に、粒径10μm以上100μm以下のSiC粉5を付着させているために、ダミーウエハDWが搭載される棚部2b表面の表面粗さRaは10μm以上50μm以下に形成される。
(実施例1)
先ず、反応焼結法によってSi−SiC複合材からなる3本の支柱、天板、底板を製作し、これら基材の表面を研磨し、算術平均表面粗さRa(JIS B0601−2001)が、0.5μmの部材を製作した。そして、これら部材を組立て、6インチ用のボートを製作した。
次に、ダミーウエハが搭載される棚部表面に、平均粒径60μmのSiC粉を、エタノール溶媒に混合して、塗布して付着させた。
尚、製品ウエハが搭載される棚部表面には、表面粗さが大きくなるため、前記SiC粉を付着させなかった。
このときの製品ウエハが搭載される棚部の表面粗さRaは1.5μmであった。ダミーウエハが搭載される棚部の表面粗さRaは、30μmであった。
実施例2では、実施例1と同じ条件で製作したボートのダミーウエハが搭載される棚部表面に、平均粒径20μmのSiC粉を、エタノール溶媒に混合して、塗布して付着させた。製品ウエハが搭載される棚部表面には、表面粗さが大きくなるため、前記SiC粉を付着させなかった。
このときの製品ウエハが搭載される棚部の表面粗さRaは2.1μmであった。ダミーウエハが搭載される棚部の表面粗さRaは、10μmであった。
実施例3では、実施例1と同じ条件で製作したボートのダミーウエハが搭載される棚部表面に、平均粒径100μmのSiC粉を、エタノール溶媒に混合して、塗布して付着させた。製品ウエハが搭載される棚部表面には、表面粗さが大きくなるため、前記SiC粉を付着させなかった。
このときの製品ウエハが搭載される棚部の表面粗さRaは1.2μmであった。ダミーウエハが搭載される棚部の表面粗さRaは、50μmであった。
比較例1では、実施例1と同じ条件で製作したボートのダミーウエハが搭載される棚部表面および製品ウエハが搭載される棚部表面にSiC粉を付着させなかった。
このときのダミーウエハが搭載される棚部表面粗さ、および製品ウエハが搭載される棚部の表面粗さRaは共に1.5μmであった。
比較例2では、実施例1と同じ条件で製作したボートのダミーウエハが搭載される棚部表面に、平均粒径150μmのSiC粉を、エタノール溶媒に混合して、塗布して付着させた。製品ウエハが搭載される棚部表面には、表面粗さが大きくなるため、前記SiC粉を付着させなかった。
このときの製品ウエハが搭載される棚部の表面粗さRaは1.8μmであった。ダミーウエハが搭載される棚部の表面粗さRaは、80μmであった。
更に、新たな製品ウエハをウエハボートに載置し、ダミーウエハは連続使用し、SiN膜を5μm積層させた。そして、ダミーウエハは連続50回使用し、ダミーウエハとウエハボートの棚部との固着状況を調べた。
固着状況は、ダミーウエハを取り外した際にウエハボートの棚部にダミーウエハの破片の有無で評価した。
その結果を表1に示す。
2 支柱
2a 製品ウエハが搭載される棚部
2b ダミーウエハが搭載される棚部
3 天板
4 底板
5 SiC粉
6 SiC被覆膜
DW ダミーウエハ
PW 製品ウエハ
Claims (6)
- 複数のウエハを上下方向に載置する縦型ウエハボートにおいて、
前記複数のウエハを載置する、上下方向に配置された複数の棚部を有するボート支柱部と、前記ボート支柱を保持する天板と底板とを備え、
ダミーウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaが、製品ウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaよりも大きいことを特徴する縦型ウエハボート。 - ダミーウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaが10μm以上50μm以下であることを特徴する請求項1記載の縦型ウエハボート。
- 製品ウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaが0.5μm以上3μm以下であることを特徴する請求項1または請求項2記載の縦型ウエハボート。
- ボート支柱部、天板、底板がSi−SiC複合材あるいはSiC材からなり、その表面にSiC被膜層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の縦型ウエハボート。
- ダミーウエハが搭載される棚部表面に、粒径10μm以上100μm以下の炭化ケイ素粉を内在するSiC被膜層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の縦型ウエハボート。
- 複数のウエハを上下方向に載置する縦型ウエハボートの製造方法であって、前記複数のウエハを載置する、上下方向に配置された複数の棚部を有するボート支柱部と、前記ボート支柱を保持する天板と底板とを備え、ダミーウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaが、製品ウエハが搭載される棚部表面の表面粗さRaよりも大きい縦型ウエハボートの製造方法において、
ボート支柱部、天板、底板を、Si−SiC複合材あるいはSiC材で形成し、ボートを組立てる工程と、
前記組立工程の後、ダミーウエハが搭載される棚部表面に、粒径10μm以上100μm以下の炭化ケイ素粉を付着させる工程と、
前記炭化ケイ素粉付着工程の後、ボート表面に、CVD法により、炭化ケイ素被膜層を形成する被膜層形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする縦型ウエハボートの製造方法。
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