JP2021138984A - 方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】素材スラブを作り分けることなく、板厚0.20mm以下と板厚が薄くても安定して二次再結晶を発現させることができる方向性電磁鋼板の製造方法を提供する。【解決手段】mass%で、C:0.02〜0.10%、Si:2.0〜5.0%、Mn:0.01〜1.0%、S:0.005〜0.015%およびSe:0.007〜0.028%を含有し、かつ、SおよびSeが式:1/3×Se(mass%)<S(mass%)<2/3×Se(mass%)を満たして含有する成分組成を有する鋼スラブを1300℃以上の温度に再加熱し、熱間圧延し、熱延板焼鈍を施した後、中間焼鈍を挟む2回以上冷間圧延して最終板厚の冷延板とし、脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施し、鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布した後、二次再結晶を起こさせた後、純化処理する仕上焼鈍を施し、平坦化焼鈍する方向性電磁鋼板の製造方法。【選択図】図1

Description

本発明は、変圧器の鉄心材料に用いて好適な方向性電磁鋼板の製造方法に関し、特に、板厚が薄い方向性電磁鋼板の製造方法に関するものである。
方向性電磁鋼板は、変圧器や発電機、電動機等の鉄心材料として用いられる軟磁性材料であり、鉄の磁化容易軸である<001>方位が、鋼板の圧延方向に高度に揃った集合組織を有していることが特徴である。このような集合組織は、方向性電磁鋼板の製造工程の仕上焼鈍において、二次再結晶を起こさせることで形成される。ここで、上記二次再結晶とは、粒界エネルギーを利用して、いわゆるゴス(Goss)方位と称される{110}<001>方位の結晶粒を優先的に巨大粒成長させる現象をいう。
上記の二次再結晶を生じさせる代表的な技術として、インヒビターと呼ばれる析出物を利用する方法がある。この方法は、AlNやMnS、MnSeなどの析出物を鋼中に微細に分散させることで仕上焼鈍における結晶粒の成長を制御し、最終的にGoss方位を有する結晶粒を選択的に粒成長させる技術である。
インヒビターには、大きく分けて二つの役割がある。一つ目は、二次再結晶を発現するまでの間、一次再結晶粒の正常粒成長を抑制することである。仕上焼鈍においては、ゴス方位が二次再結晶するまでの数時間以上という極めて長い時間にわたって、一次再結晶粒の正常粒成長を抑制する必要がある。正常粒成長を抑制するとは、インヒビターの数がオストワルド成長によりが減少することを抑制することに他ならない。これにはインヒビターの複合析出が有効であるとされている。二つ目は、一次再結晶粒の粒径制御である。二次再結晶の駆動力は粒界エネルギーであるため、一次再結晶粒の粒径を制御することは粒界エネルギーを制御することとなる。粒界エネルギーは、粒界が存在することで生じる過剰なエネルギーであるため、一次再結晶粒径が小さいほど粒界が多くなり、粒界エネルギーも大きくなる。この粒界エネルギーが大きいほど、二次再結晶を安定的に発現させることができる。特許文献1〜3は、いずれも一次再結晶粒径を制御することで二次再結晶を安定化させるものである。
特開平07−062434号公報 特許平05−078744号公報 特開2017−110263号公報
ところで、方向性電磁鋼板は、板厚が薄いほど鉄損が低くなることが知られている。しかし、板厚を薄くした場合、二次再結晶不良が生じ易くなり、特に板厚が0.20mm以下と薄くなると、安定して製造することが困難となるという問題がある。
本発明は、板厚が薄い方向性電磁鋼板製造が抱える上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、板厚が0.20mm以下と薄くても二次再結晶不良を引き起こすことなく安定して二次再結晶を発現させ、良好な磁気特性が得られる方向性電磁鋼板の製造方法を提案することにある。
発明者らは、上記課題の解決に向け、インヒビター形成成分であるSおよびSeに着目して鋭意検討を重ねた。その結果、インヒビターを形成する成分であるSの含有量とSeの含有量との関係を適正化することで、安定して二次再結晶を発現させることができ、ひいては、良好な磁気特性を有する方向性電磁鋼板を安定して製造することができることを見出し、本発明を開発するに至った。
上記知見に基づく本発明は、C:0.02〜0.10mass%、Si:2.0〜5.0mass%、Mn:0.01〜1.0mass%、S:0.005〜0.015mass%およびSe:0.007〜0.028mass%を含有し、かつ、SおよびSeが下記(1)式;
1/3×Se(mass%)<S(mass%)<2/3×Se(mass%)
・・・(1)
を満たして含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる成分組成を有する鋼スラブを1300℃以上の温度に再加熱し、熱間圧延して熱延板とし、該熱延板に熱延板焼鈍を施した後、中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延して最終板厚の冷延板とし、脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施し、鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布し、その後、二次再結晶させた後、純化処理を行う仕上焼鈍を施し、平坦化焼鈍する一連の工程からなる方向性電磁鋼板の製造方法を提案する。
本発明の方向性電磁鋼板の製造方法は、上記最終板厚を0.20mm以下とすることを特徴とする。
また、本発明の方向性電磁鋼板の製造方法は、上記仕上焼鈍の加熱過程における800〜1000℃間の昇温速度を12℃/hr以上とすることを特徴とする。
また、本発明の方向性電磁鋼板の製造方法に用いる上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、sol.Al:0.01〜0.04mass%およびN:0.004〜0.020mass%を含有することを特徴とする。
また、本発明の方向性電磁鋼板の製造方法に用いる上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、Cr:0.01〜0.50mass%、Cu:0.01〜0.50mass%、Ni:0.01〜0.50mass%、Bi:0.005〜0.50mass%、B:0.0002〜0.0025mass%、Nb:0.0010〜0.0100mass%、Sn:0.010〜0.400mass%、Sb:0.010〜0.150mass%、Mo:0.010〜0.200mass%、P:0.010〜0.150mass%、V:0.0005〜0.0100mass%およびTi:0.0005〜0.0100mass%のうちから選ばれる少なくとも1種の成分を含有することを特徴とする。
本発明によれば、板厚が0.20mm以下と薄くても、仕上焼鈍において二次再結晶を安定して発現させることができるので、高磁束密度の方向性電磁鋼板を安定して提供することが可能となる。
磁束密度B8に及ぼすS含有量とSe含有量の影響を示すグラフである。
まず、本発明を開発する契機となった実験について説明する。
C:0.052mass%、Si:3.20mass%、Mn:0.08mass%を含有し、さらに、Sを0.001〜0.170mass%の範囲で種々に変化して含有し、Seを0.0100mass%および0.0150mass%および0.0200mass%の3水準で含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる成分組成を有する鋼素材を、1420℃の温度に再加熱した後、熱間圧延して板厚2.0mmの熱延板とし、最高到達温度1000℃の熱延板焼鈍を施した後、1回目の冷間圧延で中間板厚1.4mmとし、1100℃の温度で中間焼鈍を施した後、2回目の冷間圧延で最終板厚0.20mmの冷延板とした。次いで、上記冷延板に、50vol%H−50vl%N、露点55℃の湿潤雰囲気下で、830℃×200秒の脱炭を伴う一次再結晶焼鈍を施した後、MgOを主体とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布した後、水素雰囲気下で、再結晶させた後、1200℃の温度に5時間保持する純化処理を行う仕上焼鈍を施した。この際、仕上焼鈍における加熱過程の800〜1000℃間の昇温速度は15℃/hrとした。
斯くして得た仕上焼鈍後の鋼板から磁気特性測定用に試験片を採取し、磁束密度B(800A/mで励磁した時の磁束密度)をJIS C2550に記載の方法で測定し、その結果をS含有量とSe含有量の関係として図1に示した。この図から、磁束密度を高める、即ち、二次再結晶を安定して発現させるためのS含有量の最適値は、Se含有量に依存していることがわかる。
このように、高磁束密度が得られるS含有量の最適値がSe含有量に依存するメカニズムについては、まだ十分には解明されていないが、発明者らは以下のように考えている。
まず、上記実験に用いた鋼素材の成分系では、MnSとMnSeがインヒビターである。インヒビターの核生成においては、S量が増加するほどインヒビターの数密度が増加する。これにより一次再結晶粒径が微細化することで二次再結晶駆動力が増加すると考えられる。S量が増加するほどインヒビター数密度が増加する原因としては、SはSeに比べて拡散速度が速いため、Sの含有量を増加することで、核生成におけるMnSの核生成頻度が増加する。S含有量が少ないと、インヒビターとなるMnSの核生成数が減少することで二次再結晶不良が生じ易くなり、一方、S含有量が多くなり過ぎると、駆動力が過多となってGoss方位の先鋭性が却って低下すると考えられる。
また、図1において、Seの含有量が0.010mass%から0.015mass%、0.015mass%から0.020mass%に増加することで、磁束密度が向上している。これは、MnSeは、インヒビターとなるMnSの核生成サイトに遅れて析出(複合析出)してインヒビターのオストワルド成長が抑制されることにより、二次再結晶した結晶粒のゴス方位への先鋭性が高まるためであると考えられる。
したがって、SとSeの含有量との関係を適正化し、インヒビターの核生成とオストワルド成長を制御することで、二次再結晶の発現に有効な効果が得られたものと考えている。本発明は、上記の新規な知見に、さらに検討を加えて開発したものである。
次に、本発明の方向性電磁鋼板の製造に用いる鋼素材の成分組成の限定理由について説明する。
C:0.02〜0.10mass%
Cは、0.02mass%に満たないと、組織がα単相となり、鋳造時や熱延時に鋼が脆化し、スラブに割れが生じたり、熱延後の鋼板エッジに耳割れが生じたりして、製造に支障を来たす欠陥を生ずるようになる。一方、0.10mass%を超えると、脱炭焼鈍で、磁気時効の起きない0.005mass%以下に低減することが困難となる。よって、Cは0.02〜0.10mass%の範囲とする。好ましくは0.025〜0.08mass%の範囲である。
Si:2.0〜5.0mass%
Siは、鋼の比抵抗を高め、鉄損を低減するのに必要な元素である。上記効果は、2.0mass%未満では十分ではなく、一方、5.0mass%を超えると、加工性が低下し、圧延して製造すること困難となる。よって、Siは2.0〜5.0mass%の範囲とする。好ましくは2.5〜4.0mass%の範囲である。
Mn:0.01〜1.0mass%
Mnは、鋼の熱間加工性を改善するために必要な元素である。上記効果は、0.01mass%未満では十分ではなく、一方、1.0mass%を超えると、製品板の磁束密度が低下するようになる。よって、Mnは0.01〜1.0mass%の範囲とする。好ましくは0.02〜0.30mass%の範囲である。
S:0.005〜0.015mass%
Sは、Mnと結合してインヒビターとなるMnSを形成する。Sの拡散速度は、Seよりも速いため、MnSは、MnSeに比べて長時間焼鈍中の正常粒成長を抑制する力は劣るものの、核生成密度がMnSeよりも高くなるため、一次再結晶粒を微細化し、駆動力を高めることで、二次再結晶の発現を安定化する。しかし、S含有量が0.005mass%未満では、インヒビターの核密度の増加効果が十分に得られない。一方、0.015mass%を超えると、二次再結晶を起こすための駆動力が過多となり、Goss方位の先鋭性が低下し、磁気特性が劣化する。よって、Sの含有量は0.005〜0.015mass%の範囲とする。好ましくは0.050〜0.010mass%の範囲である。
Se:0.007〜0.028mass%
Seは、Mnと結合してインヒビターとなるMnSeを形成する。MnSeは、MnSに比べて長時間焼鈍中の正常粒成長を抑制する力が大きいため、磁気特性を向上するのに有効なインヒビターである。しかし、Se含有量が0.007mass%未満では、上記インヒビター効果が十分に得られない。一方、0.028mass%を超えると、オストワルド成長の進行が速く、正常粒成長の抑制力が不足する。よって、Seの含有量は、0.007〜0.028mass%の範囲とする。好ましくは0.010〜0.025mass%の範囲である。
1/3×Se(mass%)<S(mass%)<2/3×Se(mass%)
SおよびSeは、上述したように、Mnと結合してインヒビターとなるMnSとMnSeを形成する。MnSおよびMnSeは、単独でもインヒビターとしては十分な効果があるが、複合析出することでオストワルド成長がより抑制され、Goss方位先鋭性が向上し、磁気特性がより向上する。そのためには、SおよびSeの含有量は、上述した組成範囲を満たすことに加えてさらに、下記(1)式;
1/3×Se(mass%)<S(mass%)<2/3×Se(mass%)
を満たして含有することが必要であり、これによりMnSとMnSeのインヒビター効果を最大限に引き出すことができる。
本発明の方向性電磁鋼板の製造に用いる鋼素材(スラブ)は、上記成分以外の残部は、Feおよび不可避的不純物である。ただし、本発明に用いる鋼素材は、上記成分に加えてさらに、インヒビターを形成する成分として、AlおよびNを以下の範囲で含有していてもよい。
sol.Al:0.01〜0.04mass%
Alは、インヒビターとなるAlNを形成して析出し、二次再結晶を起こさせる仕上焼鈍において正常粒成長を抑制する元素である。しかし、Al含有量が、酸可溶性Al(sol.Al)で0.01mass%に満たないと、インヒビターの絶対量が不足し、正常粒成長の抑制力が不足する。一方、0.04mass%を超えると、AlNがオストワルド成長して粗大化し、やはり正常粒成長の抑制力が不足する。そのため、Alはsol.Alで0.01〜0.04mass%の範囲で含有するのが好ましい。より好ましくは0.012〜0.030mass%の範囲である
N:0.004〜0.020mass%
Nは、Alと結合して、上述したインヒビターとなるAlNを形成する元素である。しかし、Nの含有量が0.004mass%未満では、インヒビターの絶対量が不足し、正常粒成長の抑制力が不足する。一方、含有量が0.020mass%を超えると、熱間圧延時にスラブが膨れを引き起こすおそれがある。そのため、Nは0.004〜0.020mass%の範囲で含有するのが好ましい。より好ましくは0.006〜0.010mass%の範囲である。
さらに、本発明に用いる鋼素材は、上記成分に加えてさらに、Cr:0.01〜0.50mass%、Cu:0.01〜0.50mass%、Ni:0.01〜0.50mass%、Bi:0.005〜0.50mass%、B:0.0002〜0.0025mass%、Nb:0.0010〜0.0100mass%、Sn:0.010〜0.400mass%、Sb:0.010〜0.150mass%、Mo:0.010〜0.200mass%、P:0.010〜0.150mass%、V:0.0005〜0.0100mass%およびTi:0.0005〜0.0100mass%のうちうちから選ばれる1種または2種以上を含有することができる。
上記各元素は、方向性電磁鋼板の磁気特性を向上させる効果を有しているが、含有量が上記下限値より低いと、磁気特性向上効果を十分に得ることができない。一方、上記各元素の含有量が上記上限値を超えると、二次再結晶粒の発達が却って阻害されるようになり、磁気特性が劣化するおそれがある。よって、上記成分を含有する場合は、上記範囲とするのが好ましい。
次に、本発明の方向性電磁鋼板の製造方法について説明する。
本発明の方向性電磁鋼板の製造に用いる鋼素材(スラブ)は、常法の製造方法、すなわち、上述した成分組成を満たす鋼を常法の精錬プロセスで溶製した後、常法の連続鋳造法または造塊−分塊圧延法で製造することができる。なお、100mm以下の厚さの薄鋳片を直接鋳造法で製造してもよい。
上記鋼素材(スラブ)は、次いで、1300℃以上の温度に再加熱した後、熱間圧延し、所定の板厚の熱延板とする。スラブの再加熱温度が1300℃未満では、添加したインヒビター形成成分が鋼中に十分に固溶しない。好ましいスラブ加熱温度は1350℃以上である。スラブを加熱する手段は、ガス炉、誘導加熱炉、通電炉などの公知の手段を用いることができる。また、熱間圧延の条件は、常法に準じて行えばよく、特に制限はない。
次いで、上記熱間圧延後の鋼板(熱延板)に熱延板焼鈍を施す。熱延板焼鈍の温度は、熱延組織を完全に再結晶させるため、950℃以上とするのが好ましい。一方、焼鈍温度が1200℃を超えると熱延板焼鈍後の結晶粒が粗大化し、整粒の一次再結晶組織を得ることが難しくなるため、上限は1200℃とするのが好ましい。より好ましくは1000〜1100℃の範囲である。
上記熱延板焼鈍後の鋼板は、次いで、酸洗して脱スケールした後、中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延により最終板厚の冷延板とする。上記中間焼鈍の温度は、完全に再結晶させるため1000℃以上とするのが好ましい。一方、焼鈍温度が1200℃を超えると、結晶粒が粗大化し、整粒の一次再結晶組織を得ることが難しくなるので、上限は1200℃とするのが好ましい。より好ましくは1020〜1100℃の範囲である。
上記冷間圧延後の最終板厚(製品板厚)に制限はないが、本発明は、0.20mm以下の板厚で特に効果を発揮する。前述したように、方向性電磁鋼板は、現状の市販されている範囲では、板厚が薄いほど鉄損が良くなることが知られているが、0.20mm以下では二次再結晶不良が生じやすいという問題がある。しかし、本発明では、板厚が0.20mm以下と薄くとも二次再結晶を安定して発現することができる。
最終板厚とした冷延板は、次いで、脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施す。一次再結晶焼鈍は、脱炭性の観点から800℃以上900℃以下の温度で、かつ、湿潤雰囲気で行うのが望ましい。さらに、本発明においては、一次再結晶焼鈍の加熱過程における500℃〜700℃間は、100℃/s以上で急速加熱するのが好ましい。より好ましくは200℃/s以上である。
次いで、上記一次再結晶焼鈍後の鋼板は、フォルステライト被膜を形成させる場合にはMgOを主体とする焼鈍分離剤を鋼板の表面に、塗布・乾燥し、その後、二次再結晶させた後、鋼中の不純物を排除するとともにフォルステライト被膜を形成させる純化処理を行う仕上焼鈍を施す。この際、仕上焼鈍における800〜1000℃までの加熱過程における昇温速度は12℃/hr以上とするのが好ましい。800〜1000℃間の昇温速度を12℃/hr以上とすることで、インヒビターのオストワルド成長と二次再結晶を促進することができる。より好ましくは15℃/hr以上である。なお、800〜1000℃間の昇温速度は、二次再結晶方位を先鋭化する観点から、上限は30℃/hr程度とするのが好ましい。
一方、打抜加工性を重視してフォルステライト被膜を形成させない場合には、焼鈍分離剤を適用しないか、適用する場合でもフォルステライト被膜を形成するMgOは使用せずにシリカやアルミナ等を用いたりすることが好ましい。
上記仕上焼鈍後の鋼板は、未反応の焼鈍分離剤を除去するため,水洗やブラッシング、酸洗等を行った後、平坦化焼鈍を施して形状矯正することが鉄損低減のためには好ましい。
なお、鋼板を積層して使用する場合には、より鉄損を改善するため、上記平坦化焼鈍においてあるいはその前もしくは後において、鋼板表面に絶縁被膜を被成するのが好ましい。上記絶縁被膜は、より鉄損を低減するためには、鋼板表面に張力付与する張力付与被膜を採用するのが好ましい。また、バインダーを介して張力付与被膜を被成したり、物理蒸着や化学蒸着で無機物を鋼板表層に蒸着させた後に張力付与被膜を被成したりすることは、鉄損低減効果が大きいだけでなく、被膜密着性の向上にも有効であるので望ましい。
表1に記載の成分組成を有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる鋼スラブを連続鋳造法で製造し、該スラブを1400℃の温度に加熱した後、熱間圧延して板厚2.2mmの熱延板とし、1050℃×20秒の熱延板焼鈍を施した後、1回目の冷間圧延で1.6mmの中間厚とし、1060℃×60秒の中間焼鈍を施した後、2回目の冷間圧延で最終板厚0.18mmの冷延板とした。次いで、上記冷延板は、加熱過程の500℃〜700℃間を100℃/sで加熱し、さらに、60vol%H−40vol%N、露点55℃の湿潤雰囲気下で、850℃×150秒の脱炭を伴う一次再結晶焼鈍を施した後、MgOを主体とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布・乾燥し、その後、二次再結晶させた後、水素雰囲気下で1200℃の温度に10時間保持して純化処理する仕上焼鈍を施した。この際、二次再結晶させる800〜1000℃間の昇温速度は15℃/hrとした。
斯くして得た仕上焼鈍後の鋼板から磁気測定用の試験片を採取し、磁束密度B(800A/mで励磁した時の磁束密度)をJIS C2550に記載の方法で測定した。上記測定の結果を表1に併記した。この結果から、本発明を満たす成分組成を有する鋼板は、板厚0.18mmの製品でも、二次再結晶が安定して発現し、磁束密度Bが1.88T以上の良好な磁気特性が得られることがわかる。
Figure 2021138984
C:0.07mass%、Si:3.4mass%、Mn:0.10mass%、S:0.010mass%、Se:0.020mass%、sol.Al:0.025mass%およびN:0.010mass%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる本発明に適合する成分組成の鋼スラブを連続鋳造法で製造し、該スラブを1380℃の温度に加熱した後、熱間圧延して板厚2.8mmの熱延板とし、1030℃×40秒の熱延板焼鈍を施した後、1回目の冷間圧延で1.8mmの中間厚とし、1100℃×40秒の中間焼鈍を施した後、2回目の冷間圧延で最終板厚0.18mm、0.20mmおよび0.23mmの3種の板厚の冷延板とした。次いで、上記冷延板は、加熱過程の500℃〜700℃間を200℃/sで加熱し、さらに、55vol%H−45vol%N、露点60℃の湿潤雰囲気下で、850℃×150秒の脱炭を伴う一次再結晶焼鈍を施した後、MgOを主体とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布・乾燥し、その後、二次再結晶させた後、水素雰囲気下で1225℃の温度に10時間保持して純化処理する仕上焼鈍を施した。この際、二次再結晶させる800〜1000℃間の昇温速度は、表2に示したように5〜30℃/hrの範囲で種々に変化させた。
斯くして得た仕上焼鈍後の鋼板から磁気測定用の試験片を採取し、磁束密度B(800A/mで励磁した時の磁束密度)をJIS C2550に記載の方法で測定した。上記測定の結果を表2に併記した。この結果から、本発明を満たす成分組成を有する鋼板は、二次再結晶させる800〜1000℃間の昇温速度を12℃/hr以上とすることで、いずれの板厚でも、二次再結晶が安定して発現し、さらに良好な磁束密度Bが得られていることがわかる。
Figure 2021138984

Claims (5)

  1. C:0.02〜0.10mass%、Si:2.0〜5.0mass%、Mn:0.01〜1.0mass%、S:0.003〜0.015mass%およびSe:0.007〜0.028mass%を含有し、かつ、SおよびSeが下記(1)式を満たして含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる成分組成を有する鋼スラブを1300℃以上の温度に再加熱し、熱間圧延して熱延板とし、該熱延板に熱延板焼鈍を施した後、中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延して最終板厚の冷延板とし、脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施し、鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布し、その後、二次再結晶させた後、純化処理を行う仕上焼鈍を施し、平坦化焼鈍する一連の工程からなる方向性電磁鋼板の製造方法。

    1/3×Se(mass%)<S(mass%)<2/3×Se(mass%)
    ・・・(1)
  2. 上記最終板厚を0.20mm以下とすることを特徴とする請求項1に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
  3. 上記仕上焼鈍の加熱過程における800〜1000℃間の昇温速度を12℃/hr以上とすることを特徴とする請求項1または2に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
  4. 上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、sol.Al:0.01〜0.04mass%およびN:0.004〜0.020mass%を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
  5. 上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、Cr:0.01〜0.50mass%、Cu:0.01〜0.50mass%、Ni:0.01〜0.50mass%、Bi:0.005〜0.50mass%、B:0.0002〜0.0025mass%、Nb:0.0010〜0.0100mass%、Sn:0.010〜0.400mass%、Sb:0.010〜0.150mass%、Mo:0.010〜0.200mass%、P:0.010〜0.150mass%、V:0.0005〜0.0100mass%およびTi:0.0005〜0.0100mass%のうちから選ばれる少なくとも1種の成分を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
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