JP2021105665A - 露光装置および物品製造方法 - Google Patents
露光装置および物品製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021105665A JP2021105665A JP2019236968A JP2019236968A JP2021105665A JP 2021105665 A JP2021105665 A JP 2021105665A JP 2019236968 A JP2019236968 A JP 2019236968A JP 2019236968 A JP2019236968 A JP 2019236968A JP 2021105665 A JP2021105665 A JP 2021105665A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- marks
- exposure apparatus
- submark
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 84
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 71
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 61
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000000611 regression analysis Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Control Of Vending Devices And Auxiliary Devices For Vending Devices (AREA)
- Developing Agents For Electrophotography (AREA)
Abstract
Description
ここで、第2マークP11(第2マーク260)の下に配置された光電変換部242の出力が最大値を示す基板ステージ206のY方向の位置をPSy、基板ステージ206の基準位置から第2マークP11のHマーク261までのY方向の距離をP11yとする。
ここで、第2マークP11(第2マーク260)の下に配置された光電変換部242の出力が最大値を示す基板ステージ206のX方向の位置をPSx、基板ステージ206の基準位置から第2マークP11のVマーク262までのX方向の距離をP11xとする。また、M11xと同様に、制御部232は、他の第1マークM12、M21、M22yについてM12x、M21x、M22xを得ることができる。X方向についての計測データ(後述の式のδx)も、基板ステージ206の位置の誤差(ex,eθ)と、第2マークの製造時の位置誤差(dx2)と、光電変換部242の量子化誤差(εx)とを含みうる。
dx1(i),dy1(i):第1マークの結像位置
dx2(j),dy2(j):第2マークのマスク製造上の位置誤差
ex(l),ey(l),eθ(l):計測時の基板ステージの位置誤差
X2(j),Y2(j):第2マークの位置
εx(n),εy(n):光電変換部の量子化誤差
SX(l),SY(l):計測時の基板ステージの位置
p:マスクに配置された第2マークの数(第1実施要形態では4)
q:計測数(第1実施形態では90回)。
dz1(i):第1マークの結像位置
dz2(j):プレートの製造上の高さ方向の誤差
ez(l):計測時の基板ステージのZ方向の位置誤差
εz(n):光電変換部の量子化誤差
SX(l),SY(l):計測時の基板ステージの位置
p:マスクに配置された第2マークの数(第2実施形態では4マーク)
q:計測数(第2実施形態では90回)
第2実施形態では、第2マーク群240を構成する第2マーク260の個数が4であり、それに対応して光電変換部242の個数が4であるが、これは一例に過ぎず、他の個数が採用されてもよい。例えば、図5(a)のようにX方向における配列数を3、Y方向における配列数を3とした構成を採用することができる。この場合は、図5(b)、(c)、(d)のように計測することとなり、計測回数はX方向=29回、Y方向=2回となり、1回あたり9データで、合計522の計測データを得ることができる。基板ステージ206の駆動誤差をZ方向だけでなく、ピッチ方向とロール方向の誤差を分離して計算してもよい。その他、露光装置の構成および状況に合わせて方程式は変えてよい。
ここで、イメージセンサ300による撮像時の基板ステージ206のY方向の位置をPSy、基板ステージ206の基準位置からイメージセンサ300の中心までの距離をISyとする。また、処理の結果(イメージセンサ300の中心から第1マークM11のHマークの結像位置までの距離)をIMGyとする。そして、第1マークの配列ピッチ(25[mm])をX、Y方向の移動距離として基板ステージ206を移動させる移動処理と、その後の検出処理とを繰り返す。これにより、X方向に関して30種類の位置、Y方向に関して3種類の位置、合計90箇所で検出処理がなされる。1箇所について4つの計測データがX,Y方向のそれぞれについて得られるので、全部で90×4×2=720個の計測データが得られる。
X2(j),Y2(j):設計上の第1マークの結像位置(イメージセンサの中心座標基準)
εx(n),εy(n):イメージセンサの量子化誤差
第3実施形態によれば、露光および現像を行うことなく、投影光学系204の結像特性(ディストーション)を高精度に計測することができる。
εz (n):イメージセンサの量子化誤差
以下、上記の第1乃至第4実施形態に代表される露光装置を用いて物品を製造する物品製造方法を説明する。一実施形態の物品製造方法は、例えば、デバイス(半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など)、カラーフィルターなどの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、上記の露光装置を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する露光工程と、露光工程で露光された基板を現像する現像工程を含む。また、該製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (13)
- 被照明面に配置されたマスクを照明する照明系と、前記マスクの像を基板に投影する投影光学系と、前記基板を保持する基板ステージとを有する露光装置であって、
前記基板ステージに搭載されるセンサと、
前記センサを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記被照明面に配置される複数のマークから選択される少なくとも2つのマークの結像位置を前記センサを使って検出する検出処理を複数回にわたって実施し、前記検出処理と前記検出処理との間において、前記センサが搭載された前記基板ステージを移動させる移動処理を実施し、
前記移動処理における前記基板ステージの移動は、前記移動処理の前の前記検出処理において前記複数のマークから選択される少なくとも2つのマークの一部と前記移動処理の後の前記検出処理において前記複数のマークから選択される少なくとも2つのマークの一部とが共通するように実施される、
ことを特徴とする露光装置。 - 走査露光装置として構成され、
前記照明系は、スリット状の被照明領域を照明し、
前記複数のマークは、前記被照明領域に配置される、
ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記結像位置の検出は、前記投影光学系の光軸に直交する方向における前記結像位置を検出するようになされる、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。 - 前記結像位置の検出は、前記投影光学系の光軸に平行な方向における前記結像位置を検出するようになされる、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。 - 前記複数のマークは、同一の形状を有し、
前記センサは、前記複数のマークの各々の形状と相似な形状を有する複数の開口を有するプレートと、前記複数の開口を通過した光束を検出する複数の光電変換部と、を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記複数のマークの各々は、第1サブマークおよび第2サブマークを含み、
前記複数の開口の各々は、第3サブマークおよび第4サブマークを含み、
前記第3サブマークおよび前記第4サブマークは、前記第1サブマークと前記第3サブマークとが重なる時は前記第2サブマークと前記第4サブマークとが重ならず、前記第2サブマークと前記第4サブマークとが重なる時は前記第1サブマークと前記第3サブマークとが重ならないように配置されている、
ことを特徴とする請求項5に記載の露光装置。 - 前記第1サブマークは、第1方向に延びたマークであり、前記第2サブマークは、前記第1方向とは異なる第2方向に延びたマークである、
ことを特徴とする請求項6に記載の露光装置。 - 前記センサは、イメージセンサを含む、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記複数のマークは、所定の配列ピッチで配列されている、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記基板ステージは、基板を保持する基板チャックを含み、
前記センサは、前記基板チャックとは異なる領域に配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記制御部は、複数回にわたる前記検出処理の結果に基づいて前記投影光学系の結像特性を得る、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記制御部は、前記結像特性に基づいて前記投影光学系の結像特性を調整する、
ことを特徴とする請求項11に記載の露光装置。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する露光工程と、
前記露光工程で露光された前記基板を現像する現像工程と、
を含み、前記現像工程で現像された前記基板から物品を得ることを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019236968A JP7361599B2 (ja) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 露光装置および物品製造方法 |
TW109141706A TWI821617B (zh) | 2019-12-26 | 2020-11-27 | 曝光裝置以及物品製造方法 |
KR1020200169142A KR20210083168A (ko) | 2019-12-26 | 2020-12-07 | 노광 장치 및 물품제조방법 |
CN202011526977.9A CN113050394A (zh) | 2019-12-26 | 2020-12-22 | 曝光装置以及物品制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019236968A JP7361599B2 (ja) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 露光装置および物品製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021105665A true JP2021105665A (ja) | 2021-07-26 |
JP7361599B2 JP7361599B2 (ja) | 2023-10-16 |
Family
ID=76508055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019236968A Active JP7361599B2 (ja) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 露光装置および物品製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7361599B2 (ja) |
KR (1) | KR20210083168A (ja) |
CN (1) | CN113050394A (ja) |
TW (1) | TWI821617B (ja) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08130181A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10170399A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Nikon Corp | 収差測定方法及び収差測定装置並びにそれを備えた露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2000030163A1 (fr) * | 1998-11-18 | 2000-05-25 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
WO2006009188A1 (ja) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Nikon Corporation | 像面計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 |
JP2008034537A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Nikon Corp | 管理方法 |
JP2010123793A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Nikon Corp | 光学特性計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US20100209831A1 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-19 | Jin Choi | Method for correcting a position error of lithography apparatus |
JP2011049284A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Nikon Corp | 計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
WO2011087129A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011222921A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2012235065A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-29 | Canon Inc | 露光装置、および、デバイス製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3506155B2 (ja) | 1995-02-21 | 2004-03-15 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH1027736A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
KR20030033067A (ko) * | 2000-09-21 | 2003-04-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상특성의 계측방법 및 노광방법 |
JP2004006527A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Canon Inc | 位置検出装置及び位置検出方法、露光装置、デバイス製造方法並びに基板 |
JP3962648B2 (ja) | 2002-07-30 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | ディストーション計測方法と露光装置 |
KR102357577B1 (ko) * | 2014-08-28 | 2022-01-28 | 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 | 투영 노광 장치, 투영 노광 방법, 투영 노광 장치용 포토마스크, 및 기판의 제조 방법 |
JP6552312B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-07-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP6774269B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2020-10-21 | キヤノン株式会社 | 計測方法、計測装置、露光装置及び物品の製造方法 |
JP6882091B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2021-06-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
JP6978926B2 (ja) * | 2017-12-18 | 2021-12-08 | キヤノン株式会社 | 計測方法、計測装置、露光装置、および物品製造方法 |
KR20200119235A (ko) * | 2018-02-08 | 2020-10-19 | 가부시키가이샤 브이 테크놀로지 | 근접 노광 장치, 근접 노광 방법, 및 근접 노광 장치용 광조사 장치 |
JP7075278B2 (ja) * | 2018-05-08 | 2022-05-25 | キヤノン株式会社 | 計測装置、露光装置及び物品の製造方法 |
-
2019
- 2019-12-26 JP JP2019236968A patent/JP7361599B2/ja active Active
-
2020
- 2020-11-27 TW TW109141706A patent/TWI821617B/zh active
- 2020-12-07 KR KR1020200169142A patent/KR20210083168A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-12-22 CN CN202011526977.9A patent/CN113050394A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08130181A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10170399A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Nikon Corp | 収差測定方法及び収差測定装置並びにそれを備えた露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2000030163A1 (fr) * | 1998-11-18 | 2000-05-25 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
WO2006009188A1 (ja) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Nikon Corporation | 像面計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 |
JP2008034537A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Nikon Corp | 管理方法 |
JP2010123793A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Nikon Corp | 光学特性計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US20100209831A1 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-19 | Jin Choi | Method for correcting a position error of lithography apparatus |
JP2011049284A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Nikon Corp | 計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
WO2011087129A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011222921A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2012235065A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-29 | Canon Inc | 露光装置、および、デバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202125588A (zh) | 2021-07-01 |
KR20210083168A (ko) | 2021-07-06 |
TWI821617B (zh) | 2023-11-11 |
JP7361599B2 (ja) | 2023-10-16 |
CN113050394A (zh) | 2021-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI443472B (zh) | Pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method and element | |
KR102103779B1 (ko) | 계측 방법, 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법 | |
JP4307482B2 (ja) | 位置計測装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2000133579A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
JP2012242630A (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法、並びに露光装置の検査方法 | |
JP7339826B2 (ja) | マーク位置決定方法、リソグラフィー方法、物品製造方法、プログラムおよびリソグラフィー装置 | |
JP4227470B2 (ja) | 位置検出方法 | |
JPH06349702A (ja) | 投影光学系の調整方法 | |
JP7361599B2 (ja) | 露光装置および物品製造方法 | |
JP2009010139A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP6978926B2 (ja) | 計測方法、計測装置、露光装置、および物品製造方法 | |
JP2001085321A (ja) | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2696962B2 (ja) | 線幅測定方法及び該方法を用いた露光装置の検査方法 | |
TW202234175A (zh) | 檢測裝置、檢測方法、程式、微影裝置、及物品製造方法 | |
JP4402418B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP5355245B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP3576722B2 (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
JP2005197338A (ja) | 位置合わせ方法及び処理装置 | |
JPH11121325A (ja) | 投影露光装置 | |
JPH1154418A (ja) | 信号波形補正方法および装置 | |
TW201827955A (zh) | 評價方法、物品製造方法及程式 | |
JP3530716B2 (ja) | 走査投影露光装置 | |
JPH1152545A (ja) | レチクルおよびそれによって転写されたパターンならびにレチクルと半導体ウエハとの位置合わせ方法 | |
JPH10326739A (ja) | 位置合わせ方法及び露光方法 | |
JP3397654B2 (ja) | ディストーション変化量の計測方法及びそれを利用した投影露光装置並びにそれらを用いたデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210103 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231003 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7361599 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |