JP2021082800A - 両面銅フレキシブル回路基板及びその配線ユニット - Google Patents

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俊▲徳▼ 李
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智明 彭
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Yin-Chen Lin
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Abstract

【課題】フリップチッププロセス中にインナーリードボンディング領域に好ましい平坦度を有する両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニットを提供する。【解決手段】両面銅フレキシブル回路基板100の配線ユニットは、フレキシブル回路基板110と、第1配線層120と、第2配線層130と、を備える。第1配線層120は第一面111に位置し、且つ、インナーリードボンディング領域111a中に位置するインナーリードボンディング段121aを有する複数の第1リード121を有する。第2配線層130は、第二面112に位置し、且つインナーリードボンディング支持領域112a中に位置するインナーリード支持段131aを有する複数の第2リード131を有する。各インナーリード支持段131aは幅を有し、且つ、任意の2つのインナーリード支持段131aの幅の間には8μm未満の幅の差値を有する。【選択図】図2

Description

本発明は、両面銅フレキシブル回路基板に関し、より詳しくは、両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニットに関する。
図1は従来の両面銅フレキシブル回路基板200を示す部分概略図である。実線部分は前記両面銅フレキシブル回路基板200の表面構造を示し、破線部分は前記両面銅フレキシブル回路基板200の裏面構造を示す。前記フレキシブル回路基板200はフレキシブル回路基板210と、第1リード220と、第2リード230と、を有する。前記第1リード220は前記フレキシブル回路基板210の表面に位置し、前記第2リード230は前記フレキシブル回路基板210の裏面に位置する。前記フレキシブル回路基板210の表面にはチップ設置領域211及び複数のバンプ設置領域212を有する。これら前記バンプ設置領域212は前記チップ設置領域211中に位置し、且つ前記チップ設置領域211はフリップチップ装置(図示省略)のチップを設置するために用いられる。前記チップの複数のバンプは各前記バンプ設置領域212中にそれぞれ設けられると共に各前記第1リード220のインナーリードボンディング段221に電気的に接続される。前記フレキシブル回路基板210の前記裏面に投射される前記チップ設置領域211はインナーリードボンディング支持領域であり、前記第2リード230のインナーリード支持段231は前記インナーリードボンディング支持領域中に位置する。前記フリップチップ装置が前記フレキシブル回路基板200に接続されると、前記チップの各前記バンプが前記フレキシブル回路基板210の各前記バンプ設置領域212に対置される。熱間圧延棒鋼により前記チップの背面が圧接され、前記チップのこれら前記バンプが各前記インナーリードボンディング段221と共晶接合される。
なお、一般にフレキシブル回路基板は、例えば特許文献1に開示されている。
特開2019−140365号公報
しかしながら、前述した従来の技術では、これら前記第2リード230の前記インナーリード支持段231がチップ設置領域211の下方に位置するため、熱間圧延棒鋼が前記チップに圧接される際に、前記フレキシブル回路基板210及びこれら前記インナーリードボンディング段221の下方が前記第2リード230のこれら前記インナーリード支持段231により支持される。図1を参照すれば、前記インナーリードボンディング支持領域中に位置するこれら前記インナーリード支持段231は、その機能の違いにより異なる幅を有する。例えば、信号伝送、パワー電圧伝送、或いはダミー回路のピッチの違いにより異なる幅を有する。幅は異なるが前記インナーリード支持段231の高さは同じに設計され、熱間圧延棒鋼が前記チップに圧接される際に好ましい平坦度を有する。
但し、これら前記回路は実際のプロセスにおいて、幅が広くなる程前記回路の高さの公差値が幅が狭い前記回路の高さの公差値よりも大きくなる。幅が狭い前記インナーリード支持段231が実際に製造された後にその高さが高くなり、これら前記インナーリード支持段231の平坦度が低下する。熱間圧延棒鋼により前記チップが圧接される際に各バンプの圧接深さが不均一になり、接合不良が生じるリスクが高まった。
そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本発明の提案に至った。
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、両面銅フレキシブル回路基板及びその配線ユニットを提供することにある。インナーリードボンディング領域下方のインナーリードボンディング支持領域中に位置するインナーリード支持段の幅の差値を小さくし、フリップチッププロセス中にインナーリードボンディング領域に好ましい平坦度を有する。
上記課題を解決するために、本発明のある態様の両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニットは、フレキシブル回路基板と、第1配線層と、第2配線層と、を備える。前記フレキシブル回路基板は、インナーリードボンディング領域を含む第一面、及び、前記インナーリードボンディング領域が投射されてインナーリードボンディング支持領域をなす第二面、を有する。
前記第1配線層は前記第一面に位置し、且つ前記インナーリードボンディング領域中に位置するインナーリードボンディング段を有する複数の第1リードを有する。
前記第2配線層は前記第二面に位置し、且つ前記インナーリードボンディング支持領域中に位置するインナーリード支持段を有する複数の第2リードを有する。各前記インナーリード支持段は幅を有し、且つ任意の2つの前記インナーリード支持段の前記幅の間には8μm未満の幅の差値を有する。
このように、本発明によれば、次のような効果がある。
前記インナーリードボンディング支持領域中に位置されるこれら前記インナーリード支持段の間の前記幅の差値が制限されることにより、これら前記インナーリード支持段の高さが近似し、インナーリード接合プロセス中に好ましい平坦度を提供し、熱間圧延棒鋼の圧接深さが不均一にならないようにする。
従来の両面銅フレキシブル回路基板を示す部分概略図である。 本発明に係る両面銅フレキシブル回路基板の一実施例を示す断面図である。 本発明に係る両面銅フレキシブル回路基板の一実施例を示す部分概略図である。
本発明における好適な実施の形態について、添付図面を参照して説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本発明の必須要件であるとは限らない。
図2は本発明に係る両面銅フレキシブル回路基板100を示す断面図である。前記両面銅フレキシブル回路基板100は、フレキシブル回路基板110と、第1配線層120と、第2配線層130と、フリップチップ装置140と、回路装置150と、を備える。前記フレキシブル回路基板110は、第一面111及び第二面112を有する。前記第一面111には前記フリップチップ装置140及び前記回路装置150によりインナーリードボンディング領域111a及びアウターリードボンディング領域111bが定義される。前記第二面112に投射される前記インナーリードボンディング領域111aはインナーリードボンディング支持領域112aであり、前記第二面112に投射される前記アウターリードボンディング領域111bはアウターリードボンディング支持領域112bをなす。前記フレキシブル回路基板110はポリイミド(polyimide)や好ましい電気絶縁性、安定性、化学的腐食耐性、及び機械性を有する他のポリマーであり、本発明はその種類の制限はない。
前記第1配線層120は前記フレキシブル回路基板110の前記第一面111に位置し、前記第1配線層120は前記第一面111に電気めっきまたは圧着される銅層がパターン化エッチングされることにより形成される。本実施例では、前記第1配線層120は複数の第1リード121及び複数の第4リード122を有する。各前記第1リード121及び各前記第4リード122は、信号伝送に加わる同じ回路または異なる回路である。或いは、各前記第一回路121及び各前記第4リード122は、信号伝送に加わらないダミーリード(Dummy lead)である。
各前記第1リード121は前記第一面111の前記インナーリードボンディング領域111a中に位置するインナーリードボンディング段121aを有し、各前記第4リード122は前記アウターリードボンディング領域111b中に位置するアウターリードボンディング段122aを有する。前記フリップチップ装置140が前記インナーリードボンディング領域111aに設置される場合、前記フリップチップ装置140が前記インナーリードボンディング段121aに電気的に接続される。前記回路装置150が前記アウターリードボンディング領域111bに設置される場合、前記回路装置150が前記アウターリードボンディング段122aに電気的に接続される。
また、前記第2配線層130は前記フレキシブル回路基板110の前記第二面112に位置し、前記第2配線層130は前記第二面112に電気めっきまたは圧着される銅層がパターン化エッチングされることにより形成される。本実施例では、前記第2配線層130は複数の第2リード131及び複数の第3リード132を有する。各前記第2リード131及び各前記第3リード132は、信号伝送に加わる同じ回路または異なる回路である。或いは、各前記第二回路131及び各前記第3リード132は、信号伝送に加わらないダミーリードである。
また、これら前記第2リード131及びこれら前記第3リード132は前記フレキシブル回路基板110のビア(Via(図示省略))を介して、前記第一面111に位置する前記第1リード121及び前記第4リード122に電気的に接続される。各前記第2リード131は、前記第二面112の前記インナーリードボンディング支持領域112a中に位置するインナーリード支持段131aを有する。各前記第3リード132は、前記アウターリードボンディング支持領域112b中に位置するアウターリード支持段132aを有する。
図2を参照すれば、前記フリップチップ装置140はチップ141及び複数のバンプ142を有し、前記回路装置150はプリント回路基板またはガラス基板である。前記フリップチップ装置140の各前記バンプ142は、各前記第1リード121の前記インナーリードボンディング段121aに電気的に接続され、前記チップ141は、これら前記バンプ142に電気的に接続される。前記チップ141がこれら前記バンプ142、これら前記第1リード121、及びこれら前記第4リード122を介して前記回路装置150に信号を出力するか、前記回路装置150から信号を受信する。
前記フリップチップ装置140の各前記バンプ142と各前記第1リード121の前記インナーリードボンディング段121aとの間は、インナーリード接合プロセス(Inner Lead Bonding、ILB)を経て熱圧着により共晶接合される。前記回路装置150は、アウターリード接合プロセス(Outer Lead Bonding、OLB)を経て異方性導電フィルム(Anisotropic Conductive Film、ACF)(図示省略)と各前記第4リード122の前記アウターリードボンディング段122aとが接合される。
図3は本発明に係る両面銅フレキシブル回路基板100を示す部分概略図である。図中の横線上方の領域は前記第一面111の前記インナーリードボンディング領域111aであり、前記インナーリードボンディング領域111a内に位置する前記第1リード121の部分は前記インナーリードボンディング段121aである。本実施例では、前記インナーリードボンディング領域111aは複数のバンプ設置位置111cを有し、部分的な前記インナーリードボンディング段121aが前記バンプ設置位置111cに位置する。各前記バンプ設置位置111cが前記チップ141の各前記バンプ142の対置位置であるため、前記バンプ142が各前記バンプ設置位置111cに設けられる場合、各前記バンプ142が各前記インナーリードボンディング段121aに接合される。
図2及び図3を参照すれば、前記第二面112に投射される前記インナーリードボンディング領域111aの各前記バンプ設置位置111cはバンプ支持領域112cであり、部分的な前記インナーリード支持段131aが前記バンプ支持領域112c中に位置する。且つ、前記バンプ支持領域112cに位置する前記インナーリード支持段131aの部分的な面積は前記バンプ支持領域112cの面積の40%〜60%であり、インナーリード接合プロセス中に十分な支持を提供する。
好ましくは、各前記インナーリード支持段131aは幅を有し、且つ任意の2つの前記インナーリード支持段131aの前記幅の間には8μm未満の幅の差値を有する。前記幅の差値によりこれら前記インナーリード支持段131aの高さの公差値が近似し、任意の2つの前記インナーリード支持段131aの前記高さの間の高さの差値が2μm未満となり、前記フリップチップ装置140がインナーリードピン接合プロセス実行中に好ましい平坦度の支持を提供する(図3参照)。
同様に、図2を参照すれば、前記アウターリードボンディング支持領域112bに位置する各前記アウターリード支持段132aは幅を有し、且つ任意の2つの前記アウターリード支持段132aの前記幅の間には60μm未満の幅の差値を有する。同様に、これら前記アウターリード支持段132aの高さの公差値が近似し、任意の2つの前記アウターリード支持段132aの前記高さの間の高さの差値が6μm未満となり、前記回路装置150がアウターリードピン接合プロセス実行中に好ましい平坦度の支持を提供する。
上述したように、本発明では、前記インナーリードボンディング支持領域112a中に位置するこれら前記インナーリード支持段131aの間の前記幅の差値が制限されることにより、これら前記インナーリード支持段131aの前記高さが近似する。よって、インナーリード接合プロセス中に好ましい平坦度を提供し、熱間圧延棒鋼の圧接深さが不均一にならないようにする。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
100 両面銅フレキシブル回路基板
110 フレキシブル回路基板
111 第一面
111a インナーリードボンディング領域
111b アウターリードボンディング領域
111c バンプ設置位置
112 第二面
112a インナーリードボンディング支持領域
112b アウターリードボンディング支持領域
112c バンプ支持領域
120 第1配線層
121 第1リード
121a インナーリードボンディング段
122 第4リード
122a アウターリードボンディング段
130 第2配線層
131 第2リード
131a インナーリード支持段
132 第3リード
132a アウターリード支持段
140 フリップチップ装置
141 チップ
142 バンプ
150 回路装置
200 両面銅フレキシブル回路基板
210 フレキシブル回路基板
211 チップ設置領域
212 バンプ設置領域
220 第1リード
221 インナーリードボンディング段
230 第2リード
231 インナーリード支持段

Claims (10)

  1. インナーリードボンディング領域を含む第一面、及び、前記インナーリードボンディング領域が投射されてインナーリードボンディング支持領域をなす第二面、を有するフレキシブル回路基板と、
    前記第一面に位置し、前記インナーリードボンディング領域中に位置するインナーリードボンディング段を有する複数の第1リードを有する第1配線層と、
    前記第二面に位置し、前記インナーリードボンディング支持領域中に位置するインナーリード支持段を有する複数の第2リードを有し、各前記インナーリード支持段は幅を含み、且つ任意の2つの前記インナーリード支持段の前記幅の間には8μm未満の幅の差値を有する第2配線層と、
    を備えることを特徴とする両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニット。
  2. 各前記第2リードの前記インナーリード支持段は高さを有し、且つ任意の2つの前記インナーリード支持段の前記高さの間には2μm未満の高さの差値を有することを特徴とする請求項1に記載の両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニット。
  3. 前記インナーリードボンディング領域は複数のバンプ設置位置を有し、部分的な前記インナーリードボンディング段が前記バンプ設置位置に位置し、
    前記第二面に投射される各前記バンプ設置位置はバンプ支持領域であり、部分的な前記インナーリード支持段が前記バンプ支持領域中に位置し、
    且つ前記バンプ支持領域に位置する前記インナーリード支持段の部分的な面積は前記バンプ支持領域の面積の40%〜60%であることを特徴とする請求項1に記載の両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニット。
  4. 前記第一面はアウターリードボンディング領域を有し、前記第二面に投射される前記アウターリードボンディング領域はアウターリードボンディング支持領域であり、
    前記第2配線層は、前記アウターリードボンディング支持領域中に位置するアウターリード支持段を含む複数の第3リードを有し、
    各前記アウターリード支持段は幅を有し、且つ任意の2つの前記アウターリード支持段の前記幅の間には60μm未満の幅の差値を有することを特徴とする請求項1に記載の両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニット。
  5. 各前記第3リード及び各前記第2リードは同じ回路であることを特徴とする請求項4に記載の両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニット。
  6. 各前記第3リードの前記アウターリード支持段は高さを有し、且つ任意の2つの前記アウターリード支持段の前記高さの間には6μm未満の高さの差値を有することを特徴とする請求項4に記載の両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニット。
  7. 前記第1配線層は、前記アウターリードボンディング領域中に位置するアウターリードボンディング段を有する複数の第4リードを有することを特徴とする請求項4に記載の両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニット。
  8. 各前記第4リード及び各前記第1リードは同じ回路であることを特徴とする請求項7に記載の両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニット。
  9. 前記第2リードはダミーリード(Dummy lead)であることを特徴とする請求項1に記載の両面銅フレキシブル回路基板の配線ユニット。
  10. インナーリードボンディング領域を含む第一面、及び、前記インナーリードボンディング領域が投射されてインナーリードボンディング支持領域をなす第二面、を有するフレキシブル回路基板と、
    前記第一面に位置し、前記インナーリードボンディング領域中に位置するインナーリードボンディング段を有する複数の第1リードを有する第1配線層と、
    前記第二面に位置し、前記インナーリードボンディング支持領域中に位置するインナーリード支持段を有する複数の第2リードを有し、各前記インナーリード支持段は幅を含み、且つ任意の2つの前記インナーリード支持段の前記幅の間には8μm未満の幅の差値を有する第2配線層と、
    各前記第1リードの前記インナーリードボンディング段に電気的に接続される複数のバンプ、及び、前記バンプに電気的に接続されるチップ、を有するフリップチップ装置と、
    を備えることを特徴とする両面銅フレキシブル回路基板。
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