JP2020532040A - フラッシュメモリセル内のデータを読み出すための改善された感知増幅器回路 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2017年8月25日に出願された米国特許出願第15/687,092号の利益を主張する。
(発明の分野)
フラッシュメモリセル内のデータを読み出すための改善された感知増幅器回路の多数の実施形態が開示される。
Claims (86)
- フラッシュメモリシステムであって、該フラッシュメモリシステムは、
行及び列に配列されたフラッシュメモリセルを備える第1のアレイと、
行及び列に配列されたフラッシュメモリセルを備える第2のアレイと、
第1のノードで前記第1のアレイに結合され、第2のノードで前記第2のアレイに結合された感知増幅器回路と、を備え、前記感知増幅器は、
前記第2のアレイ内の基準メモリセルに結合された基準電流発生器と、
前記第1のアレイ内の選択フラッシュメモリセルに結合された第1の回路ブロックと、
前記基準電流発生器に結合された第2の回路ブロックと、
読み出し要求に応答して、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較し、前記選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するための第3の回路ブロックと、
前記読み出し要求に応答して、前記第1のノードの電圧をブーストするために前記第1のノードに結合された第1のブースト回路と、
前記読み出し要求に応答して、前記第2のノードの電圧をブーストするために前記第2のノードに結合された第2のブースト回路と、を備える、フラッシュメモリシステム。 - 前記第2のアレイはダミーアレイである、請求項1に記載のシステム。
- 前記第2のアレイはユーザデータを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1のブースト回路は、第1のコンデンサを介して前記第1のノードに結合され、前記第2のブースト回路は、第2のコンデンサを介して前記第2のノードに結合されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1のブースト回路は、
第1の端子、第2の端子、及びゲートを備えるNMOSトランジスタであって、前記NMOSトランジスタの前記第1の端子は電圧源に結合され、前記NMOSトランジスタの前記第2の端子は前記第1のノードに結合されている、NMOSトランジスタと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は制御信号を受信し、前記コンデンサの前記第2の端子は前記NMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、コンデンサと、を備える、請求項1に記載のシステム。 - 前記第2のブースト回路は、
第1の端子、第2の端子、及びゲートを備えるNMOSトランジスタであって、前記NMOSトランジスタの前記第1の端子は電圧源に結合され、前記NMOSトランジスタの前記第2の端子は前記第2のノードに結合されている、NMOSトランジスタと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は制御信号を受信し、前記コンデンサの前記第2の端子は前記NMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、コンデンサと、を備える、請求項5に記載のシステム。 - 前記第1のブースト回路は、
電圧源に選択的に結合された第1のスイッチと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は、第1のスイッチが閉じられているときに、制御信号を受信するように選択的に結合され、前記コンデンサの前記第2の端子は、前記第1のノードに結合され、かつ第2のスイッチが閉じられているときに電圧源に選択的に結合されている、コンデンサと、を備える、請求項1に記載のシステム。 - 前記第2のブースト回路は、
電圧源に選択的に結合された第1のスイッチと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は、第1のスイッチが閉じられているときに、制御信号を受信するように選択的に結合され、前記コンデンサの前記第2の端子は、前記第2のノードに結合され、かつ第2のスイッチが閉じられているときに電圧源に選択的に結合されている、コンデンサと、を備える、請求項7に記載のシステム。 - 前記基準電流発生器は電流ミラーを備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記フラッシュメモリセルのそれぞれは、スプリットゲート型ソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項1に記載のシステム。
- 前記フラッシュメモリセルのそれぞれは、先端消去部を有するソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項1に記載のシステム。
- フラッシュメモリシステムであって、該フラッシュメモリシステムは、
行及び列に配列されたフラッシュメモリセルを備える第1のアレイと、
行及び列に配列されたフラッシュメモリセルを備える第2のアレイと、
第1のノードで前記第1のアレイに結合され、第2のノードで前記第2のアレイに結合された感知増幅器回路と、を備え、該感知増幅器は、
前記第1のアレイ内の選択フラッシュメモリセルに結合された第1の回路ブロックと、
前記第2のアレイ内の基準フラッシュメモリセルに結合された第2の回路ブロックと、
読み出し要求に応答して、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較し、前記選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するための第3の回路ブロックと、
前記読み出し要求に応答して、前記第1のノードの電圧をブーストするために前記第1のノードに結合された第1のブースト回路と、
前記読み出し要求に応答して、前記第2のノードの電圧をブーストするために前記第2のノードに結合された第2のブースト回路と、を備える、フラッシュメモリシステム。 - 前記第2のアレイはダミーアレイである、請求項12に記載のシステム。
- 前記第2のアレイはユーザデータを含む、請求項12に記載のシステム。
- 前記第1のブースト回路は、第1のコンデンサを介して前記第1のノードに結合され、前記第2のブースト回路は、第2のコンデンサを介して前記第2のノードに結合されている、請求項12に記載のシステム。
- 前記第1のブースト回路は、
第1の端子、第2の端子、及びゲートを備えるNMOSトランジスタであって、前記NMOSトランジスタの前記第1の端子は電圧源に結合され、前記NMOSトランジスタの前記第2の端子は前記第1のノードに結合されている、NMOSトランジスタと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は制御信号を受信し、前記コンデンサの前記第2の端子は前記NMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、コンデンサと、を備える、請求項12に記載のシステム。 - 前記第2のブースト回路は、
第1の端子、第2の端子、及びゲートを備えるNMOSトランジスタであって、前記NMOSトランジスタの前記第1の端子は電圧源に結合され、前記NMOSトランジスタの前記第2の端子は前記第2のノードに結合されている、NMOSトランジスタと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は制御信号を受信し、前記コンデンサの前記第2の端子は前記NMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、コンデンサと、を備える、請求項16に記載のシステム。 - 前記第1のブースト回路/ブースト回路は、
電圧源に選択的に結合された第1のスイッチと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は、第1のスイッチが閉じられているときに、制御信号を受信するように選択的に結合され、前記コンデンサの前記第2の端子は、前記第1のノードに結合され、かつ第2のスイッチが閉じられているときに電圧源に選択的に結合されている、コンデンサと、を備える、請求項12に記載のシステム。 - 前記第2のブースト回路は、
電圧源に選択的に結合された第1のスイッチと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は、第1のスイッチが閉じられているときに、制御信号を受信するように選択的に結合され、前記コンデンサの前記第2の端子は、前記第2のノードに結合され、かつ第2のスイッチが閉じられているときに電圧源に選択的に結合されている、コンデンサと、を含む、請求項18に記載のシステム。 - 前記基準電流発生器は電流ミラーを含む、請求項12に記載のシステム。
- 前記フラッシュメモリセルのそれぞれは、スプリットゲート型ソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項12に記載のシステム。
- 前記フラッシュメモリセルのそれぞれは、先端消去部を有するソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項12に記載のシステム。
- フラッシュメモリシステムであって、該フラッシュメモリシステムは、
行及び列に配列されたフラッシュメモリセルを備える第1のアレイと、
行及び列に配列されたフラッシュメモリセルを備える第2のアレイと、
第1のノードで前記第1のアレイに結合され、第2のノードで前記第2のアレイに結合された感知増幅器回路を備え、感知増幅器は、
前記第2のアレイ内の基準メモリセルに結合された基準電流発生器と、
前記第1のアレイ内の選択フラッシュメモリセルに結合された第1の回路ブロックと、
前記基準電流発生器に結合された第2の回路ブロックと、
読み出し要求に応答して、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較し、前記選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するための第3の回路ブロックと、
前記読み出し要求に応答して、前記第1のノード又は前記第2のノードの電圧をブーストするために前記第1のノード又は前記第2のノードに結合されたブースト回路と、を備える、フラッシュメモリシステム。 - 前記第2のアレイはダミーアレイである、請求項23に記載のシステム。
- 前記第2のアレイはユーザデータを含む、請求項23に記載のシステム。
- 前記ブースト回路は、コンデンサを介して前記第1のノード又は前記第2のノードに結合されている、請求項23に記載のシステム。
- 前記ブースト回路は、
第1の端子、第2の端子、及びゲートを備えるNMOSトランジスタであって、前記NMOSトランジスタの前記第1の端子は電圧源に結合され、前記NMOSトランジスタの前記第2の端子は前記第1のノードに結合されている、NMOSトランジスタと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は制御信号を受信し、前記コンデンサの前記第2の端子は前記NMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、コンデンサと、を備える、請求項23に記載のシステム。 - 前記ブースト回路は、
電圧源に選択的に結合された第1のスイッチと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は、第1のスイッチが閉じられているときに、制御信号を受信するように選択的に結合され、前記コンデンサの前記第2の端子は、前記第1のノードに結合され、かつ第2のスイッチが閉じられているときに電圧源に選択的に結合されている、コンデンサと、を備える、請求項23に記載のシステム。 - 前記基準電流発生器は電流ミラーを含む、請求項23に記載のシステム。
- 前記フラッシュメモリセルのそれぞれは、スプリットゲート型ソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項23に記載のシステム。
- 前記フラッシュメモリセルのそれぞれは、先端消去部を有するソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項23に記載のシステム。
- フラッシュメモリシステムであって、該フラッシュメモリシステムは、
行及び列に配列されたフラッシュメモリセルを備える第1のアレイと、
行及び列に配列されたフラッシュメモリセルを備える第2のアレイと、
第1のノードで前記第1のアレイに結合され、第2のノードで前記第2のアレイに結合された感知増幅器回路と、を備え、該感知増幅器は、
前記第1のアレイ内の選択フラッシュメモリセルに結合された第1の回路ブロックと、
前記第2のアレイ内の基準フラッシュメモリセルに結合された第2の回路ブロックと、
読み出し要求に応答して、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較し、前記選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するための第3の回路ブロックと、
前記読み出し要求に応答して、前記第1のノード又は前記第2のノードの電圧をブーストするために前記第1のノード又は前記第2のノードに結合されたブースト回路と、を備える、フラッシュメモリシステム。 - 前記第2のアレイはダミーアレイである、請求項32に記載のシステム。
- 前記第2のアレイはユーザデータを含む、請求項32に記載のシステム。
- 前記ブースト回路は、コンデンサを介して前記第1のノード又は前記第2のノードに結合されている、請求項32に記載のシステム。
- 前記ブースト回路は、
第1の端子、第2の端子、及びゲートを備えるNMOSトランジスタであって、前記NMOSトランジスタの前記第1の端子は電圧源に結合され、前記NMOSトランジスタの前記第2の端子は前記第1のノードに結合されている、NMOSトランジスタと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は制御信号を受信し、前記コンデンサの前記第2の端子は前記NMOSトランジスタの前記ゲートに結合されている、コンデンサと、を備える、請求項32に記載のシステム。 - 前記ブースト回路は、
電圧源に選択的に結合された第1のスイッチと、
第1の端子及び第2の端子を備えるコンデンサであって、前記コンデンサの前記第1の端子は、第1のスイッチが閉じられているときに、制御信号を受信するように選択的に結合され、前記コンデンサの前記第2の端子は、前記第1のノードに結合され、かつ第2のスイッチが閉じられているときに電圧源に選択的に結合されている、コンデンサと、を備える、請求項32に記載のシステム。 - 前記基準電流発生器は電流ミラーを含む、請求項32に記載のシステム。
- 前記フラッシュメモリセルのそれぞれは、スプリットゲート型ソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項32に記載のシステム。
- 前記フラッシュメモリセルのそれぞれは、先端消去部を有するソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項32に記載のシステム。
- 第1のノードでデータメモリアレイに結合され、第2のノードで基準回路に結合されたフラッシュメモリ感知増幅器であって、該フラッシュメモリ感知増幅器は、
前記データメモリアレイ内の選択フラッシュメモリセルに結合された第1の回路ブロックと、
前記基準回路に結合された第2の回路ブロックと、
読み出し要求に応答して、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較し、前記選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するための第3の回路ブロックと、
前記読み出し要求に応答して、前記第2のノードの電圧をブーストするために前記第2のノードに結合された第1のブースト回路と、を備える、フラッシュメモリ感知増幅器。 - 前記第1のノードをバイアス電圧レベルにプリチャージし、前記第2ノードをバイアス電圧レベルにプリチャージするための1つ以上のプリチャージ回路を更に備える、請求項41に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記第3の回路ブロックは、前記1つ以上のプリチャージ回路が前記第1のノードへのプリチャージと、前記第2のノードへのプリチャージとを印加した後で、前記第1のノードの電圧及び前記第2のノードの電圧がランプダウンしている間に、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較するように構成されている、請求項42に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記第1の回路ブロックは、前記第3の回路ブロックを前記データメモリアレイから分離するために、前記第1のノードに結合されたコンデンサを備え、前記第2の回路ブロックは、前記第3の回路ブロックを前記基準回路から分離するために、前記第2のノードに結合されたコンデンサを備える、請求項41に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記読み出し要求に応答して前記第1のノードの電圧をブーストするために、前記第1のノードに結合された第2のブースト回路を更に備える、請求項41に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 第1のノードでデータメモリアレイに結合され、第2のノードで基準回路に結合されたフラッシュメモリソース分離型感知増幅器であって、該フラッシュメモリソース分離型感知増幅器は、
読み出し要求に応答して、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較し、前記選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するためのソース分離型入力ペア回路ブロックと、
前記読み出し要求に応答して、前記第2のノードの電圧をブーストするために前記第2のノードに結合された第1のブースト回路と、を備える、フラッシュメモリソース分離型感知増幅器。 - 前記第1のノードをバイアス電圧レベルにプリチャージし、前記第2ノードをバイアス電圧レベルにプリチャージするための1つ以上のプリチャージ回路を更に備える、請求項46に記載のフラッシュメモリソース分離型感知増幅器。
- 前記ソース分離型入力ペア回路ブロックは、前記1つ以上のプリチャージ回路が前記第1のノードへのプリチャージと、前記第2のノードへのプリチャージとを印加した後で、前記第1のノードの電圧及び前記第2のノードの電圧がランプダウンしている間に、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較するように構成されている、請求項47に記載のフラッシュメモリソース分離型感知増幅器。
- 前記ソース分離型入力ペア回路ブロックは、前記ソース分離型入力ペア回路ブロックを前記データメモリアレイから分離するために、前記第1のノードに結合されたコンデンサを備え、前記第2の回路ブロックは、前記ソース分離型入力ペア回路ブロックを前記基準回路から分離するために、前記第2のノードに結合されたコンデンサを備える、請求項46に記載のフラッシュメモリソース分離型感知増幅器。
- 前記読み出し要求に応答して、前記第1のノードの電圧をブーストするために、前記第1のノードに結合された第2のブースト回路を更に備える、請求項46に記載のフラッシュメモリソース分離型感知増幅器。
- 第1のノードでデータメモリアレイに結合され、第2のノードで基準回路に結合されたフラッシュメモリ自己タイミング式感知増幅器であって、該フラッシュメモリ自己タイミング式感知増幅器は、
読み出し要求に応答して、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較し、前記データメモリアレイ内の選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するための差動増幅器回路ブロックを備え、前記差動増幅器回路ブロックは、自己タイミング式感知及びラッチ回路を備える、フラッシュメモリ自己タイミング式感知増幅器。 - 前記第1のノードをバイアス電圧レベルにプリチャージし、前記第2ノードをバイアス電圧レベルにプリチャージするための1つ以上のプリチャージ回路を更に備える、請求項51に記載のフラッシュメモリ自己タイミング式ソース分離型感知増幅器。
- 前記差動増幅器回路ブロックは、前記1つ以上のプリチャージ回路が前記第1のノードへのプリチャージと、前記第2のノードへのプリチャージとを印加した後で、前記第1のノードの電圧及び前記第2のノードの電圧がランプダウンしている間に、前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較するように構成されている、請求項52に記載のフラッシュメモリ自己タイミング式ソース分離型感知増幅器。
- 前記自己タイミング式感知及びラッチ回路は、前記差動増幅器回路ブロックが前記第1のノードからの電流を前記第2のノードからの電流と比較するときに自己ラッチするように構成されている、請求項51に記載のフラッシュメモリ自己タイミング式ソース分離型感知増幅器。
- 前記読み出し要求に応答して、前記第1のノードの電圧をブーストするために前記第1のノードに結合された第1のブースト回路と、
前記読み出し要求に応答して、前記第2のノードの電圧をブーストするために前記第2のノードに結合された第2のブースト回路と、を更に備える、請求項51に記載のフラッシュメモリ自己タイミング式ソース分離型感知増幅器。 - 前記差動増幅器回路ブロックは、前記差動増幅器回路ブロックを前記データメモリアレイから分離するために、前記第1のノードに結合されたコンデンサを備え、前記第2の回路ブロックは、前記差動増幅器回路ブロックを前記基準回路から分離するために、前記第2のノードに結合されたコンデンサを備える、請求項51に記載のフラッシュメモリ自己タイミング式ソース分離型感知増幅器。
- 第1のノードでデータメモリアレイに結合され、第2のノードで基準回路に結合されたフラッシュメモリ感知増幅器であって、該フラッシュメモリ感知増幅器は、
前記データメモリアレイ内の選択フラッシュメモリセルに結合された第1の回路ブロックと、
前記基準回路に結合された第2の回路ブロックと、
読み出し要求に応答して、前記選択メモリセルからの電流を前記基準回路からの読み出し基準電流と比較し、前記選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するための第3の回路ブロックと、
前記読み出し要求に応答して、第1のソースノードの電圧をブーストするために、前記第3の回路ブロックの交差結合NMOSペアの前記第1のソースノードに結合された第1のブースト回路と、
前記読み出し要求に応答して、第2のソースノードの前記電圧をブーストするために、前記第3の回路ブロックの前記交差結合NMOSペアの前記第2のソースノードに結合された第2のブースト回路と、を備える、フラッシュメモリ感知増幅器。 - 前記第1のノードをバイアス電圧レベルにプリチャージし、前記第2ノードをバイアス電圧レベルにプリチャージするための1つ以上のプリチャージ回路を更に備える、請求項57に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記第1の回路ブロックは、前記第3の回路ブロックを前記データメモリアレイから分離するために、前記第1のノードに結合されたコンデンサを備え、前記第3の回路ブロックが、前記第3の回路ブロックを前記基準回路から分離するために、前記第2のノードに結合されたコンデンサを備える、請求項57に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記選択メモリセルはスプリットゲート型ソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項57に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記選択メモリセルは、先端消去部を有するソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項57に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 第1のノードでデータメモリアレイに結合され、第2のノードで基準回路に結合されたフラッシュメモリ感知増幅器であって、該フラッシュメモリ感知増幅器は、
前記データメモリアレイ内の選択フラッシュメモリセルに結合された第1の回路ブロックと、
前記基準回路に結合された第2の回路ブロックと、
読み出し要求に応答して、前記選択メモリセルからの電流を前記基準回路からの電流と比較し、前記選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するための第3の回路ブロックと、
前記読み出し要求に応答して、第1のソースノードの前記電圧をブーストするために、前記第3の回路ブロックの前記第1のソースノードに結合された第1のブースト回路と、
前記読み出し要求に応答して、第2のソースノードの前記電圧をブーストするために、前記第3の回路ブロックの前記第2のソースノードに結合された第2のブースト回路と、を備える、フラッシュメモリ感知増幅器。 - 前記第1のノードをバイアス電圧レベルにプリチャージし、前記第2ノードをバイアス電圧レベルにプリチャージするための1つ以上のプリチャージ回路を更に備える、請求項62に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記第1の回路ブロックは、前記第3の回路ブロックを前記データメモリアレイから分離するために、前記第1のノードに結合されたコンデンサを備え、前記第3の回路ブロックは、前記第3の回路ブロックを前記基準回路から分離するために、前記第2のノードに結合されたコンデンサを備える、請求項62に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記選択メモリセルはスプリットゲート型ソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項62に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記選択メモリセルは、先端消去部を有するソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項62に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記基準回路は、前記第2の回路ブロックに結合された非選択ビット線を備える、請求項62に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- 前記フラッシュメモリ感知増幅器内の全てのトランジスタは、前記データメモリアレイ内の前記フラッシュメモリセルによって利用される供給電圧を使用して動作する、請求項62に記載のフラッシュメモリ感知増幅器。
- フラッシュメモリセルの第1のアレイと、フラッシュメモリセルの第2のアレイと、感知増幅器回路と、を備えるフラッシュメモリシステム内の選択メモリセルに記憶された値を決定する方法であって、前記方法は、
前記感知増幅器回路内の第1のノードで電圧をブーストするステップと、
前記感知増幅器回路内の第2のノードで電圧をブーストするステップと、
前記選択メモリセルを前記感知増幅器回路に接続するステップと、
基準メモリセルを前記感知増幅器回路に接続するステップと、
前記第1のノードにおける電流と前記第2のノードにおける電流とを比較し、前記選択メモリセルに記憶された値を示す出力を生成するステップと、を含む、方法。 - 前記選択メモリセルは、スプリットゲート型ソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項69に記載の方法。
- 前記選択メモリセルは、先端消去部を有するソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項69に記載の方法。
- 選択フラッシュメモリセルを感知する方法であって、
感知ノードをプリチャージ電圧レベルにプリチャージするステップであって、前記感知ノードは前記選択フラッシュメモリセルに結合されている、プリチャージするステップと、
前記感知ノードの電圧を前記プリチャージ電圧レベルよりも高いブースト電圧レベルにブーストするステップと、
前記選択フラッシュメモリセル内に記憶された値を決定するために前記感知ノードを基準ノードと比較するステップと、を含む、方法。 - 前記比較するステップは、前記感知ノードの前記電圧がランプダウンしている間に行われる、請求項72に記載の方法。
- 前記比較するステップは、前記基準ノードの前記電圧がランプダウンしている間に行われる、請求項73に記載の方法。
- 前記基準ノードの前記電圧をブーストするステップを更に含む、請求項72に記載の方法。
- 前記基準ノードは、読み出し基準バイアス源に結合されている、請求項72に記載の方法。
- 前記読み出し基準バイアス源は基準アレイを備える、請求項76に記載の方法。
- 前記感知ノードは、コンデンサによって前記選択フラッシュメモリセルから分離されている、請求項72に記載の方法。
- 前記比較するステップは、差動増幅器によって実施される、請求項72に記載の方法。
- 前記比較するステップは、差動増幅器によって実施される、請求項72に記載の方法。
- 前記感知ノード及び前記基準ノードは、前記差動増幅器の交差結合NMOSペアのソースである、請求項80に記載の方法。
- 前記感知ノード及び前記基準ノードは、前記差動増幅器の入力ペアのドレインに結合されている、請求項81に記載の方法。
- 前記異なる増幅器は、分離されたソースを有する入力トランジスタペアを含む、請求項80に記載の方法。
- 前記比較する工程は、前記選択メモリセルに記憶された前記値を示す出力の自己タイミング式自動ラッチを含む、請求項72に記載の方法。
- 前記選択メモリセルは、スプリットゲート型ソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項72に記載の方法。
- 前記選択メモリセルは、先端消去部を有するソース側注入フラッシュメモリセルである、請求項72に記載の方法。
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---|---|---|---|---|
US10636470B2 (en) * | 2018-09-04 | 2020-04-28 | Micron Technology, Inc. | Source follower-based sensing scheme |
TWI717749B (zh) * | 2019-06-10 | 2021-02-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 記憶體之資料清除方法及應用其之儲存裝置 |
CN112242172A (zh) * | 2019-07-19 | 2021-01-19 | 四川省豆萁科技股份有限公司 | 一种nor闪存及其参考电流比较电路 |
US11145337B1 (en) | 2020-04-13 | 2021-10-12 | Nantero, Inc. | Sense amplifiers |
US20230009065A1 (en) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | Macronix International Co., Ltd. | High density memory with reference cell and corresponding operations |
US12027214B2 (en) * | 2021-12-16 | 2024-07-02 | Ememory Technology Inc. | Sensing device for non-volatile memory |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08321190A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-12-03 | Sgs Thomson Microelectron Srl | センス増幅回路 |
JP2001101884A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 感知増幅器回路 |
US20090296506A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Macronix International Co., Ltd. | Sense amplifier and data sensing method thereof |
US20110304358A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Micron Technology, Inc. | Transistor voltage threshold mismatch compensated sense amplifiers and methods for precharging sense amplifiers |
WO2012158366A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Silicon Storage Technology, Inc. | A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate |
US20140036596A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Winbond Electronics Corporation | Sense Amplifier for Flash Memory |
US20150255165A1 (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-10 | Silicon Storage Technology, Inc. | Sensing Circuits for Use In Low Power Nanometer Flash Memory Devices |
US9224466B1 (en) * | 2014-09-29 | 2015-12-29 | Sandisk 3D Llc | Dual capacitor sense amplifier and methods therefor |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3463621B2 (ja) | 1999-09-06 | 2003-11-05 | 富士通株式会社 | ラッチ型センスアンプ |
US6515902B1 (en) * | 2001-06-04 | 2003-02-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for boosting bitlines for low VCC read |
JP4864549B2 (ja) | 2006-05-30 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | センスアンプ |
JP4810350B2 (ja) | 2006-08-14 | 2011-11-09 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US20090039410A1 (en) | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Xian Liu | Split Gate Non-Volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing |
US8254178B2 (en) * | 2007-08-27 | 2012-08-28 | Infineon Technologies Ag | Self-timed integrating differential current |
US7835187B2 (en) * | 2008-10-31 | 2010-11-16 | Intel Corporation | Boosting seed voltage for a memory device |
JP5266085B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2013-08-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
FR2948809B1 (fr) * | 2009-07-31 | 2012-08-17 | St Microelectronics Rousset | Amplificateur de lecture faible puissance auto-minute |
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EP2299450B1 (en) * | 2009-09-18 | 2013-03-27 | STMicroelectronics Srl | Sense-amplifier circuit for non-volatile memories that operates at low supply voltages |
FR2951575B1 (fr) * | 2009-10-20 | 2011-12-16 | St Microelectronics Rousset | Amplificateur de lecture ayant des moyens de precharge de bitline rapides |
US9070424B2 (en) * | 2012-06-29 | 2015-06-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sense amplifier circuitry for resistive type memory |
WO2014139138A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Silicon Storage Technology, Inc | Self-timer for sense amplifier in memory device |
KR20150127184A (ko) | 2013-03-15 | 2015-11-16 | 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크 | 고속 및 저전력 감지 증폭기 |
US9275702B2 (en) * | 2013-11-29 | 2016-03-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Memory circuitry including read voltage boost |
US9462395B2 (en) * | 2014-07-22 | 2016-10-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Biasing circuit for a MEMS acoustic transducer with reduced start-up time |
US10145728B2 (en) * | 2014-09-15 | 2018-12-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Reception and transmission circuit for a capacitive micromachined ultrasonic transducer |
US9922715B2 (en) * | 2014-10-03 | 2018-03-20 | Silicon Storage Technology, Inc. | Non-volatile split gate memory device and a method of operating same |
JP6613630B2 (ja) | 2015-06-01 | 2019-12-04 | 凸版印刷株式会社 | 半導体集積回路 |
WO2017116658A1 (en) * | 2015-12-31 | 2017-07-06 | Silicon Storage Technology, Inc. | Low power sense amplifier for a flash memory system |
-
2017
- 2017-08-25 US US15/687,092 patent/US10199112B1/en active Active
-
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Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08321190A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-12-03 | Sgs Thomson Microelectron Srl | センス増幅回路 |
US5729492A (en) * | 1995-04-28 | 1998-03-17 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Sense amplifier having capacitively coupled input for offset compensation |
JP2001101884A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 感知増幅器回路 |
US6400606B1 (en) * | 1999-10-01 | 2002-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sense amplifier circuit for use in a nonvolatile semiconductor memory device |
US20090296506A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Macronix International Co., Ltd. | Sense amplifier and data sensing method thereof |
US20110304358A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Micron Technology, Inc. | Transistor voltage threshold mismatch compensated sense amplifiers and methods for precharging sense amplifiers |
WO2012158366A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Silicon Storage Technology, Inc. | A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate |
US20130121085A1 (en) * | 2011-05-13 | 2013-05-16 | Nhan Do | Method Of Operating A Split Gate Flash Memory Cell With Coupling Gate |
JP2014514783A (ja) * | 2011-05-13 | 2014-06-19 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド | カップリングゲートを備えたスプリットゲート型フラッシュメモリセルを作動させる方法 |
US20140036596A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Winbond Electronics Corporation | Sense Amplifier for Flash Memory |
JP2014056634A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-03-27 | Huabang Electronic Co Ltd | フラッシュメモリのセンスアンプ |
US20150255165A1 (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-10 | Silicon Storage Technology, Inc. | Sensing Circuits for Use In Low Power Nanometer Flash Memory Devices |
WO2015134178A1 (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-11 | Silicon Storage Technology, Inc. | Improved sensing circuits for use in low power nanometer flash memory devices |
JP2017511949A (ja) * | 2014-03-04 | 2017-04-27 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc. | 低電力ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良型感知回路 |
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