JP2020031200A5 - 気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents
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Description
本発明の一態様の気相成長装置は、反応室と、前記反応室の上に設けられ、第１のプロセスガスが導入される第１のガス室と、前記第１のガス室から前記反応室に前記第１のプロセスガスを供給する複数の第１のガス流路と、前記反応室の中に設けられ、基板を載置可能なホルダと、前記基板を１５００℃以上の温度に加熱することが可能なヒータと、を備え、前記複数の第１のガス流路のうち少なくとも１つは、第１の領域と、前記第１の領域と前記反応室との間に位置する第２の領域とを有し、前記第１の領域は前記第１のプロセスガスの流れる方向に垂直な面における第１の開口断面積と前記方向の第１の長さとを有し、前記第２の領域は前記方向に垂直な面における第２の開口断面積と前記方向の第２の長さとを有し、前記第１の開口断面積は前記第２の開口断面積よりも小さく、前記第１の長さは前記第２の長さ以下であり、前記第１の領域は第１のコンダクタンスを有し、前記第２の領域は第２のコンダクタンスを有し、前記第２のコンダクタンスに対する前記第１のコンダクタンスの比率は、１％以上４０％以下である。
Claims (7)
- 反応室と、
前記反応室の上に設けられ、第１のプロセスガスが導入される第１のガス室と、
前記第１のガス室から前記反応室に前記第１のプロセスガスを供給する複数の第１のガス流路と、
前記反応室の中に設けられ、基板を載置可能なホルダと、
前記基板を１５００℃以上の温度に加熱することが可能なヒータと、
を備え、
前記複数の第１のガス流路のうち少なくとも１つは、第１の領域と、前記第１の領域と前記反応室との間に位置する第２の領域とを有し、前記第１の領域は前記第１のプロセスガスの流れる方向に垂直な面における第１の開口断面積と前記方向の第１の長さとを有し、前記第２の領域は前記方向に垂直な面における第２の開口断面積と前記方向の第２の長さとを有し、前記第１の開口断面積は前記第２の開口断面積よりも小さく、前記第１の長さは前記第２の長さ以下であり、
前記第１の領域は第１のコンダクタンスを有し、前記第２の領域は第２のコンダクタンスを有し、前記第２のコンダクタンスに対する前記第１のコンダクタンスの比率は、１％以上４０％以下である気相成長装置。 - 前記第１の領域は、前記第２の領域と分離可能な部品で形成される請求項１記載の気相成長装置。
- 前記第２の領域の内壁面と前記方向に対し垂直な面とのなす角度は８０度以上である請求項１又は請求項２記載の気相成長装置。
- 前記第２の長さは５ｍｍ以上である請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の気相成長装置。
- 前記反応室と前記第１のガス室との間に設けられ、前記第１のプロセスガスと異なる第２のプロセスガスが導入される第２のガス室と、
前記第２のガス室から前記反応室に前記第２のプロセスガスを供給する複数の第２のガス流路と、
を更に備え、
前記複数の第２のガス流路のうち少なくとも１つは、第３の領域と、前記第３の領域と前記反応室との間に位置する第４の領域とを有し、前記第３の領域は前記第２のプロセスガスの流れる第２の方向に垂直な面における第３の開口断面積と前記第２の方向の第３の長さとを有し、前記第４の領域は前記第２の方向に垂直な面における第４の開口断面積と前記第２の方向の第４の長さとを有し、前記第３の開口断面積は前記第４の開口断面積よりも小さく、前記第３の長さは前記第４の長さ以下である請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の気相成長装置。 - 反応室上に設けられ、プロセスガスが導入されるガス室と、
前記ガス室から前記反応室に前記プロセスガスを供給する複数のガス流路と、
前記反応室の中に設けられ、基板を載置可能なホルダと、
前記基板を１５００℃以上の温度に加熱することが可能なヒータと、
を備え、
複数の前記ガス流路のうちの少なくとも１つは、前記ガス流路の上端を含む第１の領域と、前記第１の領域と前記反応室との間に位置する第２の領域とを有し、前記ガス流路の前記上端の第１の流路面積より前記ガス流路の下端の第２の流路面積が大きく、前記ガス流路の前記上端と前記下端の中間位置における流路面積は、前記第１の流路面積より大きく、前記第２の流路面積以下であり、
前記第１の領域は第１のコンダクタンスを有し、前記第２の領域は第２のコンダクタンスを有し、前記第２のコンダクタンスに対する前記第１のコンダクタンスの比率は、１％以上４０％以下である気相成長装置。 - 反応室内に基板を載置し、
前記基板を１５００℃以上の温度に加熱し、
前記反応室の上に設けられたガス室から複数のガス流路を経て前記反応室内にプロセスガスを導入し、
複数の前記ガス流路のうちの少なくとも１つは、第１のコンダクタンスを有する第１の領域と、前記第１の領域と前記反応室との間に位置し前記第１の領域より距離が長く第２のコンダクタンスを有する第２の領域とを有し、前記第２のコンダクタンスに対する前記第１のコンダクタンスの比率は、１％以上４０％以下である気相成長方法。
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