JP2019507546A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. 石英キャリア基板、
   前記石英キャリア基板の表面上に圧電層、及び
   前記石英キャリア基板に対向する前記圧電層の表面上に少なくとも１つの交差指電極、
   を備え、前記少なくとも１つの交差指電極の伝搬方向は、前記石英キャリア基板の水晶振動子のｚ軸または−ｚ軸に関して１０度未満の角度を形成する、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス。
2. 前記圧電層の厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極のトランスデューサ電極周期の４倍未満である、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
3. 前記圧電層の厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極のトランスデューサ電極周期の２倍未満である、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
4. 前記ＳＡＷデバイスは少なくとも１つのＳＡＷ共振子を備える、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
5. 前記圧電層は、ＹからＹ＋６０度の間の配向、及びＸ沿いの伝搬を有するタンタル酸リチウムから形成される、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
6. 前記圧電層の前記厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極の前記トランスデューサ電極周期の６０％未満である、請求項５に記載のＳＡＷデバイス。
7. 前記石英キャリア基板の法線は、前記石英キャリア基板の前記水晶振動子のｘ軸またはｙ軸沿いに配向される、請求項６に記載のＳＡＷデバイス。
8. 前記圧電層の前記厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極の前記トランスデューサ電極周期の３０％から５０％の間にある、請求項７に記載のＳＡＷデバイス。
9. 前記石英キャリア基板の法線は、前記石英キャリア基板の前記水晶振動子のｘ軸に関して３０から５５度の間の角度を形成する、請求項６に記載のＳＡＷデバイス。
10. 前記圧電層の前記厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極の前記トランスデューサ電極周期の２０％から４０％の間にある、請求項９に記載のＳＡＷデバイス。
11. 前記圧電層は、ＹからＹ＋６０度の間の配向を有するタンタル酸リチウムから形成される、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
12. 前記圧電層は、Ｙ−２０度からＹ＋６０度の間の配向を有するニオブ酸リチウムから形成される、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
13. 前記石英キャリア基板と前記圧電層との間の前記石英キャリア基板の前記表面上に１層以上の追加の層をさらに含む、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
14. 前記１層以上の追加の層は、１層以上の誘電体層を含む、請求項１３に記載のＳＡＷデバイス。
15. 前記１層以上の誘電体層は、少なくとも１層の酸化ケイ素を含む、請求項１４に記載のＳＡＷデバイス。
16. 前記少なくとも１つの交差指電極は、１層以上の誘電体層内側に埋め込まれる、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
17. 前記１層以上の誘電体層は、酸化ケイ素を含む、請求項１６に記載のＳＡＷデバイス。
18. 前記圧電層に対向する前記少なくとも１つの交差指電極の表面上に１層以上の誘電体層をさらに含む、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
19. 前記石英キャリア基板と前記圧電層との間の前記石英キャリア基板の前記表面上に少なくとも１層の酸化ケイ素をさらに含み、そこで前記少なくとも１層の酸化ケイ素は、その温度感度を低下させるようにドーピングされる、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
20. 前記少なくとも１層の酸化ケイ素は、フッ化物またはホウ素原子を含むドーパントによりドーピングされる、請求項１９に記載のＳＡＷデバイス。
21. 石英キャリア基板、
    前記石英キャリア基板の表面上に圧電層、及び
    前記石英キャリア基板に対向する前記圧電層の表面上の少なくとも１つの交差指電極、
    を含む、弾性表面波（ＳＡＷ）共振子、
    を備え、前記少なくとも１つの交差指電極の伝搬方向は、前記石英キャリア基板の水晶振動子のｚ軸または−ｚ軸に関して１０度未満の角度を形成する、フィルタリング回路。
22. 石英キャリア基板を提供し、
    前記石英キャリア基板の表面上に圧電層を提供し、
    前記石英キャリア基板に対向する前記圧電層の表面上に少なくとも１つの交差指電極を提供する、
    ことを備え、前記少なくとも１つの交差指電極の伝搬方向は、前記石英キャリア基板の水晶振動子のｚ軸または−ｚ軸に関して１０度未満の角度を形成する、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを製造する方法。
23. 石英キャリア基板、
    前記石英キャリア基板の表面上に圧電層、及び
    前記石英キャリア基板に対向する前記圧電層の表面上の少なくとも１つの交差指電極、
    を備え、前記圧電層の結晶学的なｘ軸は、前記石英キャリア基板の結晶学的なｚ軸とアライメントを取る、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス。
24. 前記圧電層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムから形成される、請求項２３に記載のＳＡＷデバイス。
25. 前記石英キャリア基板内のバルクカットオフ周波数が前記ＳＡＷデバイスの共振周波数よりも高い、請求項２３に記載のＳＡＷデバイス。