JP2021118366A - 弾性表面波フィルタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】優れた弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタを提供する。【解決手段】弾性表面波フィルタは、支持基板ＯＳと、圧電体結晶基板ＰＳと、ＩＤＴ電極ＩＤＴを有する。圧電体結晶基板ＰＳは、支持基板ＯＳ上に結合されている。ＩＤＴ電極は、圧電体結晶基板ＰＳ上に形成されている。圧電体結晶基板ＰＳの厚さは、０．０５〜０．５μｍである。ＩＤＴ電極における電極指の幅ｗは、０．２〜１．５μｍであり、電極指の幅ｗと電極指のピッチｐとの比ｗ／ｐは、０．７〜０．９である。弾性表面波フィルタは、奇数次高調波を用いて動作する。【選択図】図２

Description

本発明は弾性表面波フィルタ及びその製造方法に関する。

携帯電話などの移動体通信機器の進化に伴い弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタについても高周波化、広帯域化等の高性能化が要求されている。特許文献１〜３に開示されているように、発明者らは、これまで水晶等の酸化物基板上に圧電体結晶基板が接合されたＳＡＷフィルタを開発してきた。

ＳＡＷフィルタは、圧電体結晶基板上に形成された櫛形状のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極を備えている。非特許文献１には、ＩＤＴ電極における電極指の幅ｗとピッチｐとの比（メタライゼーション比）ｗ／ｄによって、ＳＡＷフィルタにおける奇数次高調波の基本波に対する相対励振強度が変化することが開示されている。

特開２０１８−０２６６９５号公報 特開２０１９−００４３０８号公報 特開２０１９−１４５９２０号公報

H. Engan, "Excitation of elastic surface waves by spatial harmonics of interdigital transducers," IEEE Transactions on Electron Devices, 1969年12月, Vol. 16, Issue 12, p. 1014-1017

発明者は、酸化物基板上に圧電体結晶基板が接合された弾性表面波フィルタの開発に際し、様々な課題を見出した。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態に係る弾性表面波フィルタでは、酸化物結晶からなる支持基板上に接合された圧電体結晶基板の厚さが０．０５〜０．５μｍであり、奇数次高調波が用いられる。

前記一実施の形態によれば、優れた弾性表面波フィルタを提供することができる。

第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタを用いた無線受信回路ＲＸの構成の一例を示すブロック図である。 第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタの構成の一例を示す斜視図である。 奇数次高調波の相対励振強度のメタライゼーション比依存性を示すグラフである。 基本波の波長λによって規格化されたＬＴ基板の板厚ｈに対する漏洩弾性表面波の電気機械結合係数Ｋ^２の変化を示すグラフである。 第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタのシミュレーションによる共振特性解析結果を示すグラフである。

以下、具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜簡略化されている。

（第１の実施の形態）
＜弾性表面波フィルタを用いた無線受信回路ＲＸの構成＞
まず、図１を参照して、第１の実施の形態に係る弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタ）を用いた無線受信回路ＲＸの構成について説明する。図１は、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタを用いた無線受信回路ＲＸの構成の一例を示すブロック図である。図１に示した無線受信回路ＲＸは、スーパーヘテロダイン型の無線受信回路であり、例えば携帯電話に用いられる。なお、図１に示した無線受信回路ＲＸは、あくまでもＳＡＷフィルタの用途の一例であって、ＳＡＷフィルタの用途は何ら限定されない。

まず、無線受信回路ＲＸの概要について説明する。
図１に示すように、無線受信回路ＲＸは、アンテナＡＮを介して受信ＲＦ（Radio Frequency）信号を無線受信する。そして、発振回路ＯＣから出力された周波数信号を用いて、受信ＲＦ信号から受信ＩＱ信号を生成し、ベースバンド処理部ＢＢＰに出力する。

ここで、ベースバンド処理部ＢＢＰは、無線受信回路ＲＸから取得した受信ＩＱ信号を受信データｒｄに復号化して受信データｒｄを出力する。
なお、ベースバンド処理部ＢＢＰは、取得した送信データｔｄを送信ＩＱ信号に符号化し、図示しない無線送信回路に出力する。そして、無線送信回路において送信ＩＱ信号から生成された送信ＲＦ信号が、アンテナＡＮを介して無線送信される。

次に、無線受信回路ＲＸの詳細について説明する。
図１に示すように、無線受信回路ＲＸは、ＲＦ（Radio Frequency）フィルタＲＦＦ、ローノイズアンプＬＮＡ、ＲＦ（Radio Frequency）ミキサＲＦＭ、ＩＦ（Intermediate Frequency）フィルタＩＦＦ１、ＩＦＦ２、ＩＦ（Intermediate Frequency）アンプＩＦＡ、ＩＦ（Intermediate Frequency）ミキサＩＦＭ、周波数シンセサイザＦＳ、ＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路ＰＬＬを備えている。

以下に、受信データｒｄの流れについて説明する。
アンテナＡＮによって無線受信された受信ＲＦ信号は、ＲＦフィルタＲＦＦを介して、ローノイズアンプＬＮＡに入力され、ローノイズアンプＬＮＡによって増幅される。ここで、ＲＦフィルタＲＦＦに、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタが用いられる。ＲＦフィルタＲＦＦが通過させる周波数帯域（通過帯域）は、例えば１．５〜２０ＧＨｚ帯である。第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタは、基本波ではなく、奇数次高調波（例えば３次高調波）を用いるため、高周波数帯域に適している。

また、ＲＦフィルタＲＦＦは、所望の通過帯域幅を達成するために、例えば通過帯域が少しずつずれた複数のＳＡＷフィルタから構成される。第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタは、奇数次高調波でも、電気機械結合係数Ｋ^２が大きく、単独での通過帯域幅が広い。そのため、ＲＦフィルタＲＦＦを構成するＳＡＷフィルタの個数を削減でき、無線受信回路ＲＸを小型化できる。

さらに、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタは、奇数次高調波でも、アドミタンス比が大きい。ＲＦフィルタＲＦＦに用いるＳＡＷフィルタのアドミタンス比が大きいと、後段のローノイズアンプＬＮＡを小型化できると共に、ローノイズアンプＬＮＡの消費電力を低減できる。すなわち、無線受信回路ＲＸを小型化できると共に、無線受信回路ＲＸの消費電力を低減できる

次に、増幅された受信ＲＦ信号は、ＲＦミキサＲＦＭにおいて、周波数シンセサイザＦＳから出力された周波数信号とミキシングされ、受信ＩＦ信号へダウンコンバートされる。ＲＦミキサＲＦＭから出力された受信ＩＦ信号は、ＩＦフィルタＩＦＦ１を介して、ＩＦアンプＩＦＡに入力され、ＩＦアンプＩＦＡによって増幅される。

増幅された受信ＩＦ信号は、ＩＦミキサＩＦＭにおいて、ＰＬＬ回路ＰＬＬから出力された周波数信号とミキシングされ、受信ＩＱ信号に復調される。そして、ＩＦミキサＩＦＭから出力された受信ＩＱ信号は、ＩＦフィルタＩＦＦ２を介して、ベースバンド処理部ＢＢＰに入力され、ベースバンド処理部ＢＢＰによって受信データｒｄに復号化される。

＜弾性表面波フィルタの構成＞
次に、図２を参照して、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタの構成について説明する。上述の通り、本実施の形態に係るＳＡＷフィルタは、基本波ではなく、奇数次高調波を用いるため、例えば１．５〜２０ＧＨｚ帯の高周波数帯域に適している。
図２は、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタの構成の一例を示す斜視図である。図２に示すように、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタは、酸化物結晶基板ＯＳ、圧電体結晶基板ＰＳ、ＩＤＴ電極ＩＤＴ、及び反射器ＲＥＦ１、ＲＥＦ２を備えている。

すなわち、図２に示したＳＡＷフィルタは、２つの反射器ＲＥＦ１、ＲＥＦ２の間に１つのＩＤＴ電極ＩＤＴが配置された１ポート共振器型ＳＡＷフィルタである。
なお、２つの反射器ＲＥＦ１、ＲＥＦ２の間に１つの２つのＩＤＴ電極が配置された２ポート共振器型ＳＡＷフィルタでもよい。また、反射器ＲＥＦ１、ＲＥＦ２は必須ではない。

酸化物結晶基板ＯＳは、例えば所定の結晶面においてカットされた水晶（ＳｉＯ_２）やサファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）等からなる単結晶基板である。より具体的には、例えばＡＴカットかつ弾性表面波の伝播方向が結晶Ｘ軸に対して０〜９０°（ＡＴカット０〜９０°Ｘ伝播）の水晶基板である。酸化物結晶基板ＯＳの厚さは、例えば５〜５００μｍである。

図２に示すように、圧電体結晶基板ＰＳは、支持基板である酸化物結晶基板ＯＳ上に接合されている。圧電体結晶基板ＰＳは、例えば所定の結晶面においてカットされたＬｉＴａＯ_３（ＬＴ）やＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）等からなる単結晶基板である。より具体的には、例えばカット面が結晶Ｙ軸に対して３６〜４５°かつ弾性表面波の伝播方向が結晶Ｘ軸（３６〜４５°ＹカットＸ伝播）のＬＴ基板である。酸化物結晶基板ＯＳにおける弾性表面波の伝播方向と、圧電体結晶基板ＰＳにおける弾性表面波の伝播方向とが一致している。

圧電体結晶基板ＰＳの厚さｈは、０．０５〜０．５μｍである。詳細には後述するように、奇数次高調波において電気機械結合係数Ｋ^２が大きくなるように、圧電体結晶基板ＰＳの厚さｈを薄肉化することによって、通過帯域幅が広いＳＡＷフィルタが得られる。その結果、図１に示したＲＦフィルタＲＦＦを構成するＳＡＷフィルタの個数を削減でき、無線受信回路ＲＸを小型化できる。

圧電体結晶基板ＰＳと酸化物結晶基板ＯＳとは、例えば表面活性化接合法等によって、直接接合される。あるいは、圧電体結晶基板ＰＳと酸化物結晶基板ＯＳとは、アモルファス中間層を介して接合されてもよい。アモルファス中間層は、例えばＳｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３からなり、例えば１００ｎｍ以下である。アモルファス中間層は、公知の化学蒸着や物理蒸着によって形成できる。例えば、圧電体結晶基板ＰＳ及び酸化物結晶基板ＯＳの一方もしくは両方の表面にアモルファス中間層を形成した後、圧電体結晶基板ＰＳと酸化物結晶基板ＯＳとを接合する。

ＩＤＴ電極ＩＤＴは、圧電体結晶基板ＰＳ上に形成されており、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属膜から構成される。金属膜の厚さは、例えば数１０〜数１００ｎｍである。
図２に示すように、ＩＤＴ電極ＩＤＴは、それぞれ櫛形状の電極Ｅ１、Ｅ２から構成されている。電極Ｅ１、Ｅ２の一方が入力電極であり、他方が出力電極である。

詳細には、電極Ｅ１、Ｅ２のそれぞれは、互いに平行に並んで配置され、かつ、一端が互いに接続された複数本の電極指（櫛歯）を備えている。そして、電極Ｅ１、Ｅ２の一方の隣接する電極指間に、他方の電極指が１本ずつ挿入されるように、電極Ｅ１と電極Ｅ２とが対向配置されている。すなわち、電極Ｅ１の電極指と電極Ｅ２の電極指とが交互に平行に並んで配置されている。

図２に示すように、電極Ｅ１、Ｅ２の電極指圧は、圧電体結晶基板ＰＳの表面における弾性表面波の伝播方向に対して垂直に延設されている。ここで、電極Ｅ１、Ｅ２の電極指の幅ｗ、及び電極Ｅ１の電極指と隣接する電極Ｅ２の電極指とのギャップｇは、一定である。すなわち、ＩＤＴ電極ＩＤＴ（電極Ｅ１、Ｅ２）の電極指の配置ピッチｐも一定であり、電極指の幅ｗとギャップｇとの和である。すなわち、ｐ＝ｗ＋ｇが成立する。

ここで、弾性表面波の波長λは、ピッチｐの２倍（すなわちλ＝２ｐ）であり、幾何学的に定まる。
また、弾性表面波の基本波の中心周波数ｆ０は、弾性表面波の速度ｖと波長λとを用いて、ｆ０＝ｖ／λで表されるため、次式が成立する。
ｆ０＝ｖ／λ＝ｖ／２ｐ＝ｖ／２（ｗ＋ｇ）

ここで、速度ｖは、圧電体結晶基板ＰＳのカット面及び伝播方向等によって定まるため、ピッチｐを小さくすることによって、基本波の中心周波数ｆ０を高くできる。また、奇数次高調波の中心周波数は、基本波の中心周波数ｆ０の奇数倍であり、例えば３次高調波の中心周波数は３ｆ０であり、５次高調波の中心周波数は５ｆ０である。

ここで、図３は、奇数次高調波の相対励振強度のメタライゼーション比依存性を示すグラフである。横軸はメタライゼーション比（電極指の幅ｗとピッチｐとの比）ｗ／ｐ、縦軸は奇数次高調波の相対励振強度（基本波に対する相対強度）を示している。図３に示すように、メタライゼーション比ｗ／ｐが大きい程、ＳＡＷフィルタにおける奇数次高調波の基本波に対する相対励振強度が高くなる。
なお、図３は、非特許文献１に開示されたグラフである。

例えば、図３においてドット表示するように、メタライゼーション比ｗ／ｐを０．７〜０．９とする。特に、３次高調波において優れた励振強度が得られる。
ピッチｐを一定とすると（すなわち基本波の中心周波数ｆ０を一定とすると）、メタライゼーション比ｗ／ｐが大きい程、電極指の幅ｗも大きくなるため、低抵抗化できる。

他方、メタライゼーション比ｗ／ｐが０．９を超えると、ギャップｇが小さくなり、ＩＤＴ電極ＩＤＴの製造が難しくなる。
ＩＤＴ電極ＩＤＴ（電極Ｅ１、Ｅ２）の電極指の幅ｗは、例えば０．２〜１．５μｍである。

なお、図２の例では、電極Ｅ１の電極指の本数が、電極Ｅ２の電極指の本数よりも１本多いが、同じでもよい。また、電極Ｅ１及び電極Ｅ２の電極指の本数は、適宜設定される。さらに、電極Ｅ１、Ｅ２の一方の隣接する電極指間に、電極Ｅ１、Ｅ２の他方の電極指が２本以上ずつ挿入される構成であってもよい。

反射器ＲＥＦ１、ＲＥＦ２は、ＩＤＴ電極ＩＤＴと同じ金属膜から構成される。
図２に示すように、反射器ＲＥＦ１、ＲＥＦ２のそれぞれは、互いに平行に並んで配置され、かつ、両端が互いに接続された複数本のストリップから構成されている。ストリップは、電極Ｅ１、Ｅ２の電極指と同一ピッチｐで、電極Ｅ１、Ｅ２の電極指と平行に設けられている。ＩＤＴ電極ＩＤＴによって励振された弾性表面波が、反射器ＲＥＦ１、ＲＥＦ２によって反射されて定在波となるため、Ｑ値が高く低損失なＳＡＷフィルタが得られる。

＜奇数次高調波の特性向上メカニズム＞
上述の通り、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタは、基本波ではなく、奇数次高調波を用いる。そこで、図４を参照して、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタにおける奇数次高調波の特性向上メカニズムについて説明する。図４は、基本波の波長λによって規格化されたＬＴ基板の板厚ｈに対する漏洩弾性表面波（ＬＳＡＷ：Leaky Surface Acoustic Wave）の電気機械結合係数Ｋ^２の変化を示すグラフである。横軸は波長λによって規格化されたＬＴ基板の板厚ｈ（ｈ／λ）、縦軸は漏洩弾性表面波の電気機械結合係数Ｋ^２を示す。

図４には、３６°ＹカットＸ伝播のＬＴ基板単体の理論値及び実験値、並びにＡＴカット９０°Ｘ伝播の水晶基板（図２の酸化物結晶基板ＯＳ）上に３６°ＹカットＸ伝播のＬＴ基板（図２の圧電体結晶基板ＰＳ）が接合された接合基板の理論値及び実験値が示されている。図４に示すように、３６°ＹカットＸ伝播のＬＴ基板単体の電気機械結合係数Ｋ^２は規格化ＬＴ板厚ｈ／λによらず一定となる。一方、接合基板の電気機械結合係数Ｋ^２の理論値は、規格化ＬＴ板厚ｈ／λ＝０．１７付近において、ＬＴ基板単体の電気機械結合係数Ｋ^２の２倍以上となるピーク値１１．９％を示している。

なお、図４に示したＬＴ基板単体の理論値及び接合基板の理論値のグラフは、発明者らによる特許文献２の図８に示したグラフと同じものである。特許文献２に示したように、規格化ＬＴ板厚ｈ／λ＝０．１７付近では、周波数温度係数（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequency）の理論値も略ゼロであり、伝播減衰の理論値も約１０^−４ｄＢ／λと良好な値を示す。

ここで、発明者らは、図４に示した接合基板の電気機械結合係数Ｋ^２の規格化ＬＴ板厚依存性を用いて、奇数次高調波の電気機械結合係数Ｋ^２を最適化することを考えた。図４に示したグラフは、あくまでも基本波の波長λによって規格化されたＬＴ基板の板厚ｈ（ｈ／λ）についてのグラフである。

３次高調波を用いる場合について説明する。図４に示すように、３次高調波の波長はλ／３である。そこで、３次高調波の電気機械結合係数Ｋ^２がピーク値になるように、規格化ＬＴ板厚ｈ／λを、基本波の電気機械結合係数Ｋ^２がピーク値を示す規格化ＬＴ板厚ｈ／λの１／３に設定する。上述の通り、図４に示した例では、基本波の電気機械結合係数Ｋ^２がピーク値を示す規格化ＬＴ板厚ｈ／λが０．１７であるため、最適な基本波の規格化ＬＴ板厚ｈ／λは０．１７／３≒０．０５７程度となる。例えば、ＬＴ板厚ｈを０．０５λ〜０．０７λ程度に設定する。

同様に、５次高調波を用いる場合、図４に示した例では、最適な基本波の規格化ＬＴ板厚ｈ／λは０．１７／５＝０．０３４程度となる。そのため、５次高調波を用いる場合、例えば、ＬＴ板厚ｈを０．０３λ〜０．０４λ程度に設定する。
一般化すると、（２ｎ＋１）次高調波（ｎは自然数）の電気機械結合係数Ｋ^２を最適化するために、規格化ＬＴ板厚ｈ／λを、基本波の電気機械結合係数Ｋ^２がピーク値を示す規格化ＬＴ板厚ｈ／λの１／（２ｎ＋１）に設定する。

このように、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタでは、（２ｎ＋１）次高調波を用いるため、基本波を用いる場合の１／（２ｎ＋１）にＬＴ板厚ｈを薄肉化する。
具体的には、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタでは、圧電体結晶基板ＰＳ（例えばＬＴ基板）の厚さｈを０．０５〜０．５μｍとする。そのため、例えば１．５〜２０ＧＨｚ帯の高周波数帯域用途に、（２ｎ＋１）次高調波を用い、高い電気機械結合係数Ｋ^２を実現できる。
なお、漏洩弾性表面波だけでなく、縦型漏洩弾性表面波やレイリー弾性表面波等の他の弾性表面波伝搬モードにも適用可能である。

＜シミュレーションによる共振特性解析＞
次に、図５を参照して、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタのシミュレーションによる共振特性解析結果について説明する。図５は、第１の実施の形態に係るＳＡＷフィルタのシミュレーションによる共振特性解析結果を示すグラフである。横軸は周波数［Ｇｈｚ］、縦軸はアドミタンス［Ｓ］を示す。図５には、３６°ＹカットＸ伝播のＬＴ基板単体の解析結果、及びＡＴカット９０°Ｘ伝播の水晶基板上に３６°ＹカットＸ伝播のＬＴ基板が接合された接合基板の解析結果が示されている。

上記のＬＴ基板単体及び接合基板について、ムラタソフトウェア株式会社の解析ソフト製Femtetを用い、共振特性の有限要素法（ＦＥＭ：Finite Element Method）解析を行った。基本波の波長λ（＝２ｐ）を２．５μｍ、支持基板の厚みを１０λとした。また、上述の通り、３次高調波の電気機械結合係数Ｋ^２がピーク値になるように、ＬＴ板厚を０．０６λすなわち０．１５μｍとした。図２に示したＩＤＴ電極ＩＤＴは、膜厚７０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜からなり、無限周期構造を有するものと仮定した。また、ＩＤＴ電極の底面に完全整合層（ＰＭＬ：Perfect Matched Layer）を設定した。

図３を参照して説明したように、メタライゼーション比ｗ／ｐが大きい程、ＳＡＷフィルタにおける３次高調波の基本波に対する相対励振強度が高くなる。そのため、メタライゼーション比ｗ／ｐは０．８に設定した。すなわち、図２に示したＩＤＴ電極ＩＤＴの電極指の幅ｗを１．０μｍとし、電極指のピッチｐを１．２５μｍとした。そして、ＩＤＴ電極ＩＤＴに、±１．０Ｖの正弦波交流電圧を印加した。各材料の誘電損、機械損は考慮しなかった。

図５に示すように、基本波の応答（共振及び反共振）が約１．７ＧＨｚに現れ、３次高調波の応答が約５ＧＨｚに現れている。
ここで、表１には、解析結果であるアドミタンス比、比帯域幅、共振Ｑ値、反共振Ｑ値をまとめて示す。表１において、本実施の形態に係る接合基板の３次高調波については、網掛けによって示されている。

表１に示すように、アドミタンス比については、本実施の形態に係る接合基板における３次高調波の値が９９ｄＢであり、比較例に係るＬＴ基板単体における３次高調波の値６１ｄＢの１．５倍程度であると共に、ＬＴ基板単体における基本波の値１００ｄＢと同等であった。

図４を参照して説明した電気機械結合係数Ｋ^２の値が影響する比帯域幅については、本実施の形態に係る接合基板における３次高調波の値が１．６％であり、比較例に係るＬＴ基板単体における３次高調波の値０．８％の２倍であった。

表１に示すように、共振Ｑ値についても、本実施の形態に係る接合基板における３次高調波の値は、比較例に係るＬＴ基板単体における基本波及び３次高調波の値よりも高かった。また、反共振Ｑ値については、本実施の形態に係る接合基板における３次高調波の値が、比較例に係るＬＴ基板単体における基本波及び３次高調波の値よりも格段に高かった。
さらに、図５に示すように、本実施の形態に係る接合基板の３次高調波については、不要応答も見られない。

以上の解析結果から分かるように、本実施の形態に係るＳＡＷフィルタでは、基本波を用いる場合の１／３すなわち０．１５μｍにＬＴ板厚ｈを薄肉化することによって、約５ＧＨｚの３次高調波において顕著に優れた性能を発揮することを確認できた。このように、本実施の形態に係るＳＡＷフィルタでは、圧電体結晶基板（例えばＬＴ基板）の厚さｈを０．０５〜０．５μｍに薄肉化することによって、奇数次高調波を用いて、例えば１．５〜２０ＧＨｚ帯の高周波数帯域用途に適用できる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。

ＡＮ アンテナ
ＢＢＰ ベースバンド処理部
ＦＳ 周波数シンセサイザ
ＰＬＬ 周波数シンセサイザ
ＩＤＴ ＩＤＴ電極
ＩＦＡ ＩＦアンプ
ＩＦＦ１、ＩＦＦ２ ＩＦフィルタ
ＩＦＭ ＩＦミキサ
ＬＮＡ ローノイズアンプ
ＯＣ 発振回路
ＯＳ 酸化物結晶基板
ＰＬＬ ＰＬＬ回路
ＰＳ 圧電体結晶基板
ＰＳ 電体結晶基板
ＲＥＦ１、ＲＥＦ２ 反射器
ＲＦＦ ＲＦフィルタ
ＲＦＭ ＲＦミキサ
ＲＸ 無線受信回路

Claims (10)

1. 以下を含む弾性表面波フィルタ：
   酸化物結晶基板；
   前記酸化物結晶基板上に接合された圧電体結晶基板；及び
   前記圧電体結晶基板上に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極、
   ここで、
   前記圧電体結晶基板の厚さが、０．０５〜０．５μｍであり、
   奇数次高調波を用いる。
2. ３次高調波を用いる、
   請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
3. 前記ＩＤＴ電極における電極指の幅ｗが、０．２〜１．５μｍであり、
   前記幅ｗと前記電極指のピッチｐとの比ｗ／ｐが、０．７〜０．９である、
   請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
4. 前記酸化物結晶基板が、水晶基板であり、
   前記圧電体結晶基板が、ＬｉＴａＯ_３基板である、
   請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
5. 前記酸化物結晶基板が、ＡＴカットかつ０〜９０°Ｘ伝播の水晶基板であり、
   前記圧電体結晶基板が、３６〜４５°ＹカットかつＸ伝播のＬｉＴａＯ_３基板である、
   請求項４に記載の弾性表面波フィルタ。
6. 以下を含む弾性表面波フィルタの製造方法：
   （ａ）酸化物結晶基板上に、厚さが０．０５〜０．５μｍの圧電体結晶基板を接合する工程；及び
   （ｂ）前記圧電体結晶基板上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極を形成する工程、
   ここで、
   前記圧電体結晶基板の厚さが０．０５〜０．５μｍであり、
   前記弾性表面波フィルタが、奇数次高調波を用いる。
7. 前記弾性表面波フィルタが、３次高調波を用いる、
   請求項６に記載の弾性表面波フィルタの製造方法。
8. 前記ＩＤＴ電極における電極指の幅ｗが、０．２〜１．５μｍであり、
   前記幅ｗと前記電極指のピッチｐとの比ｗ／ｐが、０．７〜０．９である、
   請求項６に記載の弾性表面波フィルタの製造方法。
9. 前記酸化物結晶基板が、水晶基板であり、
   前記圧電体結晶基板が、ＬｉＴａＯ_３基板である、
   請求項６に記載の弾性表面波フィルタの製造方法。
10. 前記酸化物結晶基板が、ＡＴカットかつ０〜９０°Ｘ伝播の水晶基板であり、
    前記圧電体結晶基板が、３６〜４５°ＹカットかつＸ伝播のＬｉＴａＯ_３基板である、
    請求項９に記載の弾性表面波フィルタの製造方法。

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