KR20220158679A - 음향파 디바이스들에서의 에너지 구속 - Google Patents
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Abstract
음향파 디바이스들에서의 에너지 구속. 일부 실시예들에서, 표면 음향파 디바이스는 석영 기판, LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성되고 석영 기판 위에 배치된 압전 필름, 및 압전 필름 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서 전극을 포함할 수 있다. 표면 음향파 디바이스는 압전 필름 위에 구현된 접합 층, 및 캡 층을 더 포함할 수 있고, 캡 층은 접합 층 위에 형성되고 이에 의해 캡 층 아래에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속한다.
Description
본 출원은 2019년 11월 27일자로 출원된, 발명의 명칭이 "ENERGY CONFINEMENT IN ACOUSTIC WAVE DEVICES"인 미국 가출원 번호 62/941,683에 대한 우선권을 주장하며, 그 개시내용은 그 전체가 참조로 본원에 명확히 포함된다.
본 개시내용은 음향파 디바이스들, 예컨대, 표면 음향파(SAW) 디바이스들에 관한 것이다.
표면 음향파(SAW) 공진기는 전형적으로, 압전 층의 표면 상에 구현된 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극을 포함한다. 그러한 전극은 핑거들의 2개의 인터디지털화된 세트들을 포함하고, 그러한 구성에서, 동일한 세트의 2개의 이웃하는 핑거들 사이의 거리는 IDT 전극에 의해 지원되는 표면 음향파의 파장(λ)과 대략 동일하다.
많은 응용들에서, 전술한 SAW 공진기는 파장(λ)에 기초하여 라디오 주파수(RF) 필터로서 활용될 수 있다. 그러한 필터는 다수의 바람직한 특징들을 제공할 수 있다.
다수의 구현들에 따르면, 본 개시내용은 석영 기판, 및 LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성되고 석영 기판 위에 배치된 압전 필름을 포함하는 표면 음향파 디바이스에 관한 것이다. 표면 음향파 디바이스는 압전 필름 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서 전극, 및 압전 필름 위에 구현된 접합 층을 더 포함한다. 표면 음향파 디바이스는 캡 층을 더 포함하고, 캡 층은 접합 층 위에 형성되고 이에 의해 캡 층 아래에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속한다.
일부 실시예들에서, 접합 층은 SiO2로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 캡 층은 Si로 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 인터디지털 트랜스듀서 전극은 압전 필름의 상부 표면 상에 직접 형성될 수 있고, 캡 층의 하부 표면은 접합 층의 상부 표면과 직접 접촉할 수 있다. 일부 실시예들에서, 접합 층은 인터디지털 트랜스듀서 전극을 캡슐화할 수 있다. 일부 실시예들에서, 인터디지털 트랜스듀서 전극 위의 체적은 압전 필름의 상부 표면 및 캡 층의 하부 표면에 의해 한정되는 공동을 포함할 수 있고, 이로써, 인터디지털 트랜스듀서 전극은 공동에 노출된다.
일부 실시예들에서, 공동은 측벽에 의해 측방향으로 더 한정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 측벽은 접합 층의 주연 부분에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 측벽은 접합 층 내에 적어도 부분적으로 매립된 벽 구조에 의해 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 벽 구조는 SiN으로 채워진 하나 이상의 트렌치를 포함할 수 있고, 하나 이상의 트렌치는 공동을 부분적으로 또는 완전히 둘러싼다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 트렌치는 공동을 실질적으로 둘러싸는 단일 트렌치를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 캡 층은 공동의 형성의 결과로 생성되는 하나 이상의 개구부를 한정할 수 있다.
일부 실시예들에서, 음향파 디바이스는, 압전 필름 위에 형성되고 인터디지털 트랜스듀서 전극에 전기적으로 연결된 제1 및 제2 접촉 패드들을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 음향파 디바이스는 제1 및 제2 접촉 패드들 각각으로부터 캡 층의 상부 표면으로 연장되는 전도성 비아를 더 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 음향파 디바이스는, 압전 필름 상에 구현되고 인터디지털 트랜스듀서 전극의 제1 및 제2 측들 상에 위치된 제1 및 제2 반사기들을 더 포함할 수 있다.
일부 구현들에 따르면, 본 개시내용은 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 방법은 LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성된 압전 층을 형성 또는 제공하는 단계, 및 압전 층 위에 인터디지털 트랜스듀서 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 압전 층 위에 접합 층을 구현하는 단계, 및 접합 층이 캡 층과 압전 층 사이에 있도록 접합 층 상에 캡 층을 접합하는 단계를 더 포함한다. 캡 층은 캡 층 아래의 체적으로의 전파파의 에너지의 구속을 허용하도록 구성된다. 방법은 압전 필름을 제공하기 위해 압전 층을 박형화하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 방법은 압전 필름 상에 석영 기판을 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다. 압전 층은 제1 및 제2 표면들을 가질 수 있고, 이로써, 인터디지털 트랜스듀서 전극은 압전 층의 제1 표면 상에 형성되고, 접합 층은 압전 층의 제1 표면 상에 구현된다.
일부 실시예들에서, 압전 필름 상에 새로운 제2 표면을 결과로 생성하기 위해 압전 층의 박형화가 압전 층의 제2 표면의 측에 대해 수행될 수 있다. 압전 필름 상에 석영 기판을 부착하는 단계는 압전 필름의 새로운 제2 표면 상에 석영 기판을 접합하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 접합 층의 구현은 인터디지털 트랜스듀서 전극을 캡슐화하는 접합 층을 결과로 생성할 수 있다. 일부 실시예들에서, 접합 층의 구현은, 인터디지털 트랜스듀서 전극 위에 있고 압전 필름의 제1 표면 및 캡 층의 하부 표면에 의해 한정되는 공동을 결과로 생성할 수 있고, 이로써, 인터디지털 트랜스듀서 전극은 공동에 노출된다.
일부 실시예들에서, 공동은 측벽에 의해 측방향으로 더 한정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 접합 층의 구현은 접합 층의 주연 부분에 의해 형성되는 측벽을 결과로 더 생성할 수 있다.
일부 실시예들에서, 방법은 벽 구조를 적어도 부분적으로 접합 층 내에 매립하는 단계를 더 포함할 수 있고, 이로써, 벽 구조는 공동의 측벽을 형성한다.
일부 실시예들에서, 방법은 인터디지털 트랜스듀서 전극과 연관된 제1 및 제2 접촉 패드들 각각에 캡 층의 상부 표면의 또는 그 근처의 위치로의 전기 연결을 제공하기 위해 캡 층 및 접합 층을 통해 제1 및 제2 전도성 비아들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일부 구현들에 따르면, 본 개시내용은 신호를 수신하기 위한 입력 노드 및 필터링된 신호를 제공하기 위한 출력 노드를 포함하는 라디오 주파수 필터에 관한 것이다. 라디오 주파수 필터는 필터링된 신호를 생성하기 위해 전기적으로 입력 노드와 출력 노드 사이에 있도록 구현된 음향파 디바이스를 더 포함한다. 음향파 디바이스는 석영 기판, LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성되고 석영 기판 위에 배치된 압전 필름, 및 압전 필름 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서 전극을 포함한다. 표면 음향파 디바이스는 압전 필름 위에 구현된 접합 층, 및 캡 층을 더 포함하고, 캡 층은 접합 층 위에 형성되고 이에 의해 캡 층 아래에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속한다.
일부 구현들에서, 본 개시내용은 복수의 구성요소들을 수용하도록 구성된 패키징 기판, 및 패키징 기판 상에 구현되고 신호들의 송신 및 수신 중 어느 하나 또는 둘 다를 지원하도록 구성된 라디오 주파수 회로를 포함하는 라디오 주파수 모듈에 관한 것이다. 라디오 주파수 모듈은 신호들 중 적어도 일부에 대한 필터링을 제공하도록 구성된 라디오 주파수 필터를 더 포함한다. 라디오 주파수 필터는 석영 기판, LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성되고 석영 기판 위에 배치된 압전 필름, 및 압전 필름 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서 전극을 갖는 표면 음향파 디바이스를 포함한다. 표면 음향파 디바이스는 압전 필름 위에 구현된 접합 층, 및 캡 층을 더 포함하고, 캡 층은 접합 층 위에 형성되고 이에 의해 캡 층 아래에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속한다.
일부 구현들에서, 본 개시내용은 송수신기, 안테나, 및 전기적으로 송수신기와 안테나 사이에 있도록 구현된 무선 시스템을 포함하는 무선 디바이스에 관한 것이다. 무선 시스템은 무선 시스템에 필터링 기능을 제공하도록 구성되는 필터를 포함한다. 필터는 석영 기판, LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성되고 석영 기판 위에 배치된 압전 필름, 및 압전 필름 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서 전극을 갖는 표면 음향파 디바이스를 포함한다. 표면 음향파 디바이스는 압전 필름 위에 구현된 접합 층, 및 캡 층을 더 포함하고, 캡 층은 접합 층 위에 형성되고 이에 의해 캡 층 아래에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속한다.
본 개시내용을 요약하기 위해, 본 발명들의 특정 양상들, 장점들 및 신규한 특징들이 본원에서 설명되었다. 본 발명의 임의의 특정 실시예에 따라 반드시 모든 그러한 장점들이 달성될 수 있을 필요는 없다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 본 발명은, 본원에 교시되거나 제안될 수 있는 바와 같은 다른 장점들을 반드시 달성할 필요 없이, 본원에 교시된 바와 같은 하나의 장점 또는 장점들의 그룹을 달성하거나 최적화하는 방식으로 구현되거나 수행될 수 있다.
도 1은 SAW 공진기로서 구현된 표면 음향파(SAW) 디바이스의 예를 도시한다.
도 2는 도 1의 SAW 공진기 상에 구현된 예시적인 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극의 확대 및 개별 평면도를 도시한다.
도 3은, 일부 실시예들에서, SAW 공진기가 석영 기판, 압전 층, 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극, 압전 층 위에 구현된 접합 층, 및 접합 층 위에 형성된 캡 층의 조합을 포함할 수 있다는 것을 도시한다.
도 4는, 일부 실시예들에서, 도 3의 SAW 공진기가, IDT 전극에 전기 연결들을 제공하고, 일반적으로 IDT 전극 위에 내부 구조를 포함하도록 구성될 수 있다는 것을 도시한다.
도 5는 도 4의 SAW 공진기의 더 구체적인 예를 도시한다.
도 6은 도 4의 SAW 공진기의 다른 더 구체적인 예를 도시한다.
도 7은 도 4의 SAW 공진기의 또 다른 더 구체적인 예를 도시한다.
도 8a 내지 8h는 도 5의 예시적인 SAW 공진기를 제조하는 데 활용될 수 있는 예시적인 프로세스를 도시한다.
도 9a 내지 9d는 도 6의 예시적인 SAW 공진기를 제조하는 데 활용될 수 있는 예시적인 프로세스를 도시한다.
도 10a 내지 10h는 도 7의 예시적인 SAW 공진기를 제조하는 데 활용될 수 있는 예시적인 프로세스를 도시한다.
도 11은, 일부 실시예들에서, SAW 공진기들의 다수의 유닛들이 어레이 형태로 제조될 수 있다는 것을 도시한다.
도 12는, 일부 실시예들에서, 본원에서 설명된 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 SAW 공진기가 패키징된 디바이스의 일부로서 구현될 수 있다는 것을 도시한다.
도 13은, 일부 실시예들에서, 도 12의 SAW 공진기 기반 패키징된 디바이스가, 패키징된 필터 디바이스일 수 있다는 것을 도시한다.
도 14는, 일부 실시예들에서, 라디오 주파수(RF) 모듈이 하나 이상의 RF 필터의 조립체를 포함할 수 있다는 것을 도시한다.
도 15는 본원에서 설명되는 하나 이상의 유리한 특징을 갖는 예시적인 무선 디바이스를 도시한다.
도 2는 도 1의 SAW 공진기 상에 구현된 예시적인 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극의 확대 및 개별 평면도를 도시한다.
도 3은, 일부 실시예들에서, SAW 공진기가 석영 기판, 압전 층, 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극, 압전 층 위에 구현된 접합 층, 및 접합 층 위에 형성된 캡 층의 조합을 포함할 수 있다는 것을 도시한다.
도 4는, 일부 실시예들에서, 도 3의 SAW 공진기가, IDT 전극에 전기 연결들을 제공하고, 일반적으로 IDT 전극 위에 내부 구조를 포함하도록 구성될 수 있다는 것을 도시한다.
도 5는 도 4의 SAW 공진기의 더 구체적인 예를 도시한다.
도 6은 도 4의 SAW 공진기의 다른 더 구체적인 예를 도시한다.
도 7은 도 4의 SAW 공진기의 또 다른 더 구체적인 예를 도시한다.
도 8a 내지 8h는 도 5의 예시적인 SAW 공진기를 제조하는 데 활용될 수 있는 예시적인 프로세스를 도시한다.
도 9a 내지 9d는 도 6의 예시적인 SAW 공진기를 제조하는 데 활용될 수 있는 예시적인 프로세스를 도시한다.
도 10a 내지 10h는 도 7의 예시적인 SAW 공진기를 제조하는 데 활용될 수 있는 예시적인 프로세스를 도시한다.
도 11은, 일부 실시예들에서, SAW 공진기들의 다수의 유닛들이 어레이 형태로 제조될 수 있다는 것을 도시한다.
도 12는, 일부 실시예들에서, 본원에서 설명된 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 SAW 공진기가 패키징된 디바이스의 일부로서 구현될 수 있다는 것을 도시한다.
도 13은, 일부 실시예들에서, 도 12의 SAW 공진기 기반 패키징된 디바이스가, 패키징된 필터 디바이스일 수 있다는 것을 도시한다.
도 14는, 일부 실시예들에서, 라디오 주파수(RF) 모듈이 하나 이상의 RF 필터의 조립체를 포함할 수 있다는 것을 도시한다.
도 15는 본원에서 설명되는 하나 이상의 유리한 특징을 갖는 예시적인 무선 디바이스를 도시한다.
본원에 제공된 서두는, 있다면, 단지 편의를 위한 것이며, 청구된 본 발명의 범위 또는 의미에 반드시 영향을 미치는 것은 아니다.
도 1은 SAW 공진기로서 구현된 표면 음향파(SAW) 디바이스(98)의 예를 도시한다. 그러한 SAW 공진기는, 예를 들어, LiTaO3(본원에서 LT로 또한 지칭됨) 또는 LiNbO3(본원에서 LN으로 또한 지칭됨)로 형성된 압전 층(104)을 포함할 수 있다. 그러한 압전 층은 제1 표면(110)(예를 들어, SAW 공진기(98)가, 도시된 바와 같이 배향될 때 상부 표면) 및 대향하는 제2 표면을 포함할 수 있다. 압전 층(104)의 제2 표면은, 예를 들어, 석영 기판(112)에 부착될 수 있다.
압전 층(104)의 제1 표면(110) 상에, 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극(102)뿐만 아니라 하나 이상의 반사기 조립체(예를 들어, 114, 116)가 구현될 수 있다. 도 2는 도 1의 SAW 공진기(98)의 IDT 전극(102)의 확대 및 개별 평면도를 도시한다. 도 1 및 2의 IDT 전극(102)은 핑거들의 2개의 인터디지털화된 세트들에 대해 더 많거나 더 적은 개수의 핑거들을 포함할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 2의 예에서, IDT 전극(102)은 인터디지털화 방식으로 배열되는 핑거들(122a)의 제1 세트(120a) 및 핑거들(122b)의 제2 세트(120b)를 포함하는 것으로 도시된다. 그러한 구성에서, 동일한 세트의 2개의 이웃하는 핑거들(예를 들어, 제1 세트(120a)의 이웃하는 핑거들(122a)) 사이의 거리는 IDT 전극(102)과 연관되는 표면 음향파의 파장(λ)과 대략 동일하다.
도 2의 예에서, 핑거들과 연관된 다양한 치수들이 도시된다. 더 특히, 각각의 핑거(122a 또는 122b)는 측방향 폭(F)을 갖는 것으로 도시되고, 갭 거리(G)는 2개의 인터디지털화된 이웃하는 핑거들(122a 및 122b) 사이에 제공되는 것으로 도시된다.
도 3은, 일부 실시예들에서, SAW 공진기(100)가, 도 1의 예와 유사한, 석영 기판(112), 압전 층(104)(예를 들어, LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성된 필름), 및 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극(102)의 조합을 포함할 수 있다는 것을 도시한다. 그러한 IDT 전극은 도 2의 예와 유사할 수 있고, 인터디지털화 방식으로 배열된 핑거들(122a, 122b)의 제1 및 제2 세트들을 포함할 수 있다. 설명의 목적을 위해, 핑거들(122a)의 제1 세트는 제1 접촉 패드(121a)에 전기적으로 연결될 수 있고, 핑거들(122b)의 제2 세트는 제2 접촉 패드(121b)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3은, SAW 공진기(100)가, 압전 층(104) 위에 구현되는 접합 층(123)(예를 들어, 이산화규소(SiO2))을 더 포함할 수 있다는 것을 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 접합 층은 IDT 전극(102) 및 대응하는 접촉 패드들(121a, 121b)을 부분적으로 또는 완전히 캡슐화하도록 구현될 수 있다.
도 3은, 일부 실시예들에서, SAW 공진기(100)가, 접합 층(123) 위에 형성된 캡 층(124)(예를 들어, 규소(Si))을 더 포함할 수 있다는 것을 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 캡 층은 접합 층(123) 및/또는 압전 층(104) 내에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속하도록 구성될 수 있다.
도 4는, 일부 실시예들에서, 도 3의 SAW 공진기(100)가 (예를 들어, 각각의 접촉 패드들(121a, 121b)을 통해) IDT 전극(102)에 전기 연결들(137a, 137b)을 제공하도록 구성될 수 있다는 것을 도시한다. 그러한 전기 연결들에 관련된 예들이 본원에서 더 상세히 설명된다.
도 4는 또한, 일부 실시예들에서, 도 3의 SAW 공진기(100)가, 일반적으로 IDT 전극(102) 위에 내부 구조(139)를 포함하도록 구성될 수 있다는 것을 도시한다. 그러한 내부 구조에 관련된 예들이 본원에서 더 상세히 설명된다.
도 5는 도 4의 SAW 공진기(100)의 더 구체적인 예를 도시한다. 도 5의 예에서, 전기 연결들(도 4의 137a, 137b)은 캡 층(124) 및 접합 층(123)을 통해 형성된 제1 및 제2 전도성 비아들(125a, 125b)로서 구현될 수 있다. 이에 따라, 제1 비아(125a)는 캡 층(124)의 상부 표면(127)의 또는 그 근처의 (제1 비아(125a)의) 노출된 표면(126a)과 제1 접촉 패드(121a) 사이에 전기 연결을 제공할 수 있다. 유사하게, 제2 비아(125b)는 캡 층(124)의 상부 표면(127)의 또는 그 근처의 (제2 비아(125b)의) 노출된 표면(126b)과 제2 접촉 패드(121b) 사이에 전기 연결을 제공할 수 있다.
도 5의 예에서, 내부 구조(도 4의 139)는 접합 층(123)이 IDT 전극(102) 및 접촉 패드들(121a, 121b)을 실질적으로 캡슐화하도록 구현될 수 있다. 그러한 구성에서, 캡 층(124)은 그를 통해 연장되는 전도성 비아들(125a, 125b) 이외에는 중실 층일 수 있다.
도 5의 SAW 공진기(100)를 제조하는데 활용될 수 있는 프로세스의 예가 도 8a-8h를 참조하여 본원에서 설명된다.
도 6은 도 4의 SAW 공진기(100)의 다른 더 구체적인 예를 도시한다. 도 6의 예에서, 전기 연결들(도 4의 137a, 137b)은 캡 층(124) 및 접합 층(123)을 통해 형성된 제1 및 제2 전도성 비아들(125a, 125b)로서 구현될 수 있다. 이에 따라, 제1 비아(125a)는 캡 층(124)의 상부 표면(127)의 또는 그 근처의 (제1 비아(125a)의) 노출된 표면(126a)과 제1 접촉 패드(121a) 사이에 전기 연결을 제공할 수 있다. 유사하게, 제2 비아(125b)는 캡 층(124)의 상부 표면(127)의 또는 그 근처의 (제2 비아(125b)의) 노출된 표면(126b)과 제2 접촉 패드(121b) 사이에 전기 연결을 제공할 수 있다.
도 6의 예에서, 내부 구조(도 4의 139)는 공동(128)이 IDT 전극(102) 위에 제공되도록 구현될 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 공동은 압전 층(104)의 상부 표면, 캡 층(124)의 하부측 표면, 및 접합 층(123)의 주연 부분에 의해 한정될 수 있다. 그러한 구성에서, 캡 층(124)은 그를 통해 연장되고 공동(128)의 형성을 허용하도록 치수가 정해지는 하나 이상의 개구부(129)를 포함할 수 있다.
도 6의 SAW 공진기(100)를 제조하는데 활용될 수 있는 프로세스의 예가 도 9a-9d를 참조하여 본원에서 설명된다.
도 7은 도 4의 SAW 공진기(100)의 또 다른 더 구체적인 예를 도시한다. 도 7의 예에서, 전기 연결들(도 4의 137a, 137b)은 캡 층(124) 및 접합 층(123)을 통해 형성된 제1 및 제2 전도성 비아들(125a, 125b)로서 구현될 수 있다. 이에 따라, 제1 비아(125a)는 캡 층(124)의 상부 표면(127)의 또는 그 근처의 (제1 비아(125a)의) 노출된 표면(126a)과 제1 접촉 패드(121a) 사이에 전기 연결을 제공할 수 있다. 유사하게, 제2 비아(125b)는 캡 층(124)의 상부 표면(127)의 또는 그 근처의 (제2 비아(125b)의) 노출된 표면(126b)과 제2 접촉 패드(121b) 사이에 전기 연결을 제공할 수 있다.
도 7의 예에서, 내부 구조(도 4의 139)는 공동(128)이 IDT 전극(102) 위에 제공되도록 구현될 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 공동은 압전 층(104)의 상부 표면, 캡 층(124)의 하부측 표면, 및 접합 층(123)의 주연 부분 근처에 매립된 벽 구조(131)(예를 들어, 일질화규소(SiN))에 의해 한정될 수 있다. 그러한 구성에서, 캡 층(124)은 그를 통해 연장되고 공동(128)의 형성을 허용하도록 치수가 정해지는 하나 이상의 개구부(129)를 포함할 수 있다.
도 7의 SAW 공진기(100)를 제조하는데 활용될 수 있는 프로세스의 예가 도 10a-10h를 참조하여 본원에서 설명된다.
도 8a-8h는 도 5의 예시적인 SAW 공진기(100)를 제조하는 데 활용될 수 있는 예시적인 프로세스를 도시한다. 그러한 예시적인 프로세스에서, 특정 물질들의 사용이 설명되지만; 유사한 특성들을 갖는 다른 물질들이 또한 활용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 8a는, 일부 실시예들에서, 제조 프로세스가, 비교적 두꺼운 압전 층, 예컨대, LiTaO3(LT) 층(104')이 형성되거나 제공될 수 있는 프로세스 단계를 포함할 수 있다는 것을 도시한다.
도 8b는, 조립체(160)를 결과로 생성하기 위해, 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극(102) 및 대응하는 접촉 패드들(121a, 121b)이, 비교적 두꺼운 LT 층(104')의 표면 상에 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다.
도 8c는, 조립체(161)를 결과로 생성하기 위해, 접합 층, 예컨대, 이산화규소(SiO2) 접합 층(123)이, 비교적 두꺼운 LT 층(104') 위에 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 SiO2 접합 층은, IDT 전극(102) 및 접촉 패드들(121a, 121b)을 캡슐화하는 평탄한 층을 결과로 생성하기 위해, 퇴적에 의해 형성되고 (예를 들어, 화학 기계적 평탄화(CMP) 프로세스에 의해) 연마될 수 있다.
도 8d는, 조립체(162)를 결과로 생성하기 위해, 캡 층, 예컨대, 규소(Si) 캡 층(124)이 SiO2 접합 층(123)에 접합될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다.
도 8e는, 조립체(163)를 결과로 생성하기 위해, LT 층(104)을 결과로 생성하도록 비교적 두꺼운 LT 층(104')의 두께가 감소될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 박형화 프로세스 단계는, 예를 들어, 연마 프로세스, 예컨대, 기계적 연마 프로세스, 화학 기계적 프로세스 등에 의해 달성될 수 있다.
도 8f는, 조립체(164)를 결과로 생성하기 위해, 기판 층, 예컨대, 석영 층(112)이 LT 층(104)에 부착될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, LT 층(104)으로의 석영 층(112)의 그러한 부착은 접합에 의해 달성될 수 있다. 도 8f의 예에서, Si 캡 층(124)은 표면(127)(예를 들어, 도시된 바와 같이 배향될 때 상부 표면)을 포함하는 것으로 도시된다.
도 8g는, 조립체(166)를 결과로 생성하기 위해, 제1 및 제2 접촉 패드들(121a, 121b)의 각각의 부분들을 노출시키도록 제1 및 제2 개구부들(165a, 165b)(예를 들어, 비아들)이 Si 캡 층(124) 및 SiO2 접합 층(123)을 통해 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 개구부들은, 예를 들어, 패터닝 식각 등에 의해 형성될 수 있다.
도 8h는, 도 5의 예와 유사한 SAW 공진기(100)를 결과로 생성하기 위해, 도 8g의 제1 및 제2 개구부들(165a, 165b) 내에 전도성 물질을 도입함으로써 제1 및 제2 전도성 비아들(125a, 125b)이 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 전도성 비아들은 전도성 물질, 예컨대, 금속으로 형성될 수 있다. 그러한 전도성 물질은 본원에서 설명된 바와 같은 각각의 전기 연결들을 제공하기 위해 제1 및 제2 개구부들을 부분적으로 또는 완전히 채울 수 있다. 도 8h의 예에서, 제1 및 제2 전도성 비아들(125a, 125b)은 Si 캡 층(124)의 상부 표면(127)에 또는 그 근처에 각각의 노출된 표면들(126a, 126b)을 포함하는 것으로 도시된다.
도 9a-9d는 도 6의 예시적인 SAW 공진기(100)를 제조하는 데 활용될 수 있는 예시적인 프로세스를 도시한다. 그러한 예시적인 프로세스에서, 특정 물질들의 사용이 설명되지만; 유사한 특성들을 갖는 다른 물질들이 또한 활용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 9a는, 일부 실시예들에서, 제조 프로세스가, 도 8f의 조립체(164)와 유사한 조립체(164)가 형성되거나 제공될 수 있는 프로세스 단계를 포함할 수 있다는 것을 도시한다. 그러한 조립체는 본원에서 설명된 바와 같이 형성될 수 있다.
도 9b는 표면(127')을 노출시키기 위해 Si 캡 층(124)이 박형화될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 조립체(168)를 결과로 생성하기 위해, SiO2 접합 층(123)의 각각의 부분들을 노출시키도록 하나 이상의 개구부(129)가, 박형화된 Si 캡 층(124')을 통해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 개구부(들)는, 예를 들어, 패터닝 식각 등에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 개구부(들)의 개수, 치수 및 배열과 같은 인자들은 본원에서 설명된 바와 같이 공동의 형성을 허용하도록 선택될 수 있다.
도 9c는, 조립체(169)를 결과로 생성하기 위해, 공동(128)이 IDT 전극(102) 위에 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 공동은 개구부(들)(129)를 통해 SiO2 접합 층(123)의 부분의 식각(예를 들어, 화학적 식각)에 의해 형성될 수 있다. 도 9c의 프로세스 단계에서, 공동(128)의 측방향 범위(SiO2가 제거되는 곳)는, 예를 들어, 개구부(들)(129) 및/또는 식각 프로세스의 지속기간에 의해 제어될 수 있다.
도 9d는, 도 6의 예와 유사한 SAW 공진기(100)를 결과로 생성하기 위해, 제1 및 제2 전도성 비아들(125a, 125b)이 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 전도성 비아들은, 제1 및 제2 접촉 패드들(121a, 121b)의 각각의 부분들을 노출시키기 위해 Si 캡 층(124) 및 SiO2 접합 층(123)(공동(128)의 측방향 경계를 넘어 존재하는 경우)을 통해 각각의 개구부들(예를 들어, 비아들의 패터닝 식각)을 먼저 형성하고, 이어서 개구부들 내에 전도성 물질을 도입함으로써 형성될 수 있다. 그러한 전도성 비아들은 전도성 물질, 예컨대, 금속으로 형성될 수 있고, 전도성 물질은 본원에서 설명된 바와 같은 각각의 전기 연결들을 제공하기 위해 개구부들을 부분적으로 또는 완전히 채울 수 있다는 점을 이해할 것이다.
도 10a-10h는 도 7의 예시적인 SAW 공진기(100)를 제조하는 데 활용될 수 있는 예시적인 프로세스를 도시한다. 그러한 예시적인 프로세스에서, 특정 물질들의 사용이 설명되지만; 유사한 특성들을 갖는 다른 물질들이 또한 활용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 10a는, 일부 실시예들에서, 제조 프로세스가, 조립체(170)가 형성되거나 제공될 수 있는 프로세스 단계를 포함할 수 있다는 것을 도시한다. 도 10a에서, 조립체(170)는 일 측이 기판, 예컨대, 석영 기판(112)에 부착된 압전 층, 예컨대, LiTaO3(LT) 층(104), 및 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극(102), 대응하는 접촉 패드들(121a, 121b), 및 LT 층(104)의 다른 측 상에 구현된 접합 층, 예컨대, 이산화규소(SiO2) 접합 층(123)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 조립체는, 예를 들어, 도 8f 및 도 9a를 참조하여 본원에서 설명된 조립체(164)로부터 캡 층, 예컨대, 규소(Si) 캡 층(124)을 (예를 들어, 식각에 의해) 제거함으로써 형성될 수 있다.
도 10b는, 조립체(172)를 결과로 생성하기 위해, 하나 이상의 개구부(171)가 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 개구부(들)는 위에서 볼 때 IDT 전극(102)을 부분적으로 또는 완전히 둘러싸는 하나 이상의 트렌치일 수 있다. 예를 들어, 하나의 트렌치가 IDT 전극(102)을 둘러싸도록 구현될 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 트렌치(들)는, 예를 들어, 패터닝 식각 등에 의해 형성될 수 있다.
도 10c는, 조립체(173)를 결과로 생성하기 위해, SiN 벽 구조(131)를 제공하도록 조립체(172)의 개구부(들)(171)가 물질, 예컨대, 일질화규소(SiN)로 채워질 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 SiN 벽 구조는 위에서 볼 때 IDT 전극(102)을 부분적으로 또는 완전히 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, IDT 전극(102)을 둘러싸는 하나의 트렌치(171)가 존재하는 경우, 결과적인 SiN 벽 구조(131)가 또한, IDT 전극(102)을 둘러쌀 수 있다. 일부 실시예들에서, 벽 구조(131)는, 예를 들어, 트렌치(들)(171) 내로의 SiN의 퇴적, 이어서, 접합 층(123) 및 SiN 벽 구조(131)의 상부 부분들을 포함해 원하는 표면을 제공하기 위한 연마 프로세스에 의해 형성될 수 있다.
도 10d는, 조립체(174)를 결과로 생성하기 위해, 캡 층, 예컨대, 규소(Si) 캡 층(124)이 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 상부 표면(127)을 갖는 Si 캡 층(124)을 결과로 생성하기 위해, 더 두꺼운 Si 층이 SiO2 접합 층(123)에 접합되고 박형화될 수 있다. 그러한 구성에서, Si 캡 층(124)은 SiO2 접합 층(123) 및 SiN 벽 구조(131)의 상부 부분들을 커버할 수 있다.
도 10e는, 조립체(175)를 결과로 생성하기 위해, SiO2 접합 층(123)의 각각의 부분들을 노출시키도록 하나 이상의 개구부(129)가 Si 캡 층(124)을 통해 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 개구부(들)는, 예를 들어, 패터닝 식각 등에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 개구부(들)의 개수, 치수 및 배열과 같은 인자들은 본원에서 설명된 바와 같이 공동의 형성을 허용하도록 선택될 수 있다.
도 10f는, 조립체(176)를 결과로 생성하기 위해, 공동(128)이 IDT 전극(102) 위에 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 공동은 개구부(들)(129)를 통해 SiO2 접합 층(123)의 부분의 식각(예를 들어, 화학적 식각)에 의해 형성될 수 있다. 도 10f의 프로세스 단계에서, SiN 벽 구조(131)는, 그렇지 않으면 식각 프로세스가 SiN 벽 구조의 부재 시에 측방향으로 더 큰 공동을 생성할 경우에도 공동(128)의 측방향 범위를 제한할 수 있다.
도 10g는, 조립체(178)를 결과로 생성하기 위해, 제1 및 제2 접촉 패드들(121a, 121b)의 각각의 부분들을 노출시키도록 제1 및 제2 개구부들(177a, 177b)(예를 들어, 비아들)이 Si 캡 층(124) 및 SiO2 접합 층(123)을 통해 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 개구부들은, 예를 들어, 패터닝 식각 등에 의해 형성될 수 있다.
도 10h는, 도 7의 예와 유사한 SAW 공진기(100)를 결과로 생성하기 위해, 도 10g의 제1 및 제2 개구부들(177a, 177b) 내에 전도성 물질을 도입함으로써 제1 및 제2 전도성 비아들(125a, 125b)이 형성될 수 있는 프로세스 단계를 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 전도성 비아들은 전도성 물질, 예컨대, 금속으로 형성될 수 있다. 그러한 전도성 물질은 본원에서 설명된 바와 같은 각각의 전기 연결들을 제공하기 위해 제1 및 제2 개구부들을 부분적으로 또는 완전히 채울 수 있다. 도 10h의 예에서, 제1 및 제2 전도성 비아들(125a, 125b)은 Si 캡 층(124)의 상부 표면(127)에 또는 그 근처에 각각의 노출된 표면들(126a, 126b)을 포함하는 것으로 도시된다.
도 11은, 일부 실시예들에서, SAW 공진기들의 다수의 유닛들이 어레이 형태로 제조될 수 있다는 것을 도시한다. 예를 들어, 웨이퍼(200)는 유닛들(100')의 어레이를 포함할 수 있고, 그러한 유닛들은 함께 결합되는 동안 다수의 프로세스 단계들을 통해 처리될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 도 8a-8h, 도 9a-9d, 및 도 10a-10h 각각의 모든 프로세스 단계들은 그러한 유닛들의 어레이가 웨이퍼 포맷으로 함께 결합되는 동안 달성될 수 있다.
전술한 웨이퍼 포맷의 프로세스 단계들의 완료 시에, 유닛들(100')의 어레이는 다수의 SAW 공진기들(100)을 제공하도록 싱귤레이션될 수 있다. 도 11은 그러한 SAW 공진기들(100) 중 하나를 도시한다. 도 11의 예에서, 싱귤레이션된 SAW 공진기(100)는 도 5의 SAW 공진기를 나타낸다. 도 11의 싱귤레이션된 SAW 공진기(100)가 또한, 도 6 및 7의 예들을 포함해, 다른 구성들을 나타낼 수 있다는 점을 이해할 것이다.
도 12는, 일부 실시예들에서, 본원에서 설명된 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 SAW 공진기(100)가 패키징된 디바이스(300)의 일부로서 구현될 수 있다는 것을 도시한다. 그러한 패키징된 디바이스는, SAW 공진기(100)를 포함해, 하나 이상의 구성요소를 수용 및 지지하도록 구성된 패키징 기판(302)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 패키징된 디바이스(300)는 라디오 주파수(RF) 기능을 제공하도록 구성될 수 있다.
도 13은, 일부 실시예들에서, 도 12의 SAW 공진기 기반 패키징된 디바이스(300)가, 패키징된 필터 디바이스(300)일 수 있다는 것을 도시한다. 그러한 필터 디바이스는 필터링 기능, 예컨대, RF 필터링 기능을 제공하도록 구성된 SAW 공진기(100)를 수용 및 지지하기에 적합한 패키징 기판(302)을 포함할 수 있다.
도 14는, 일부 실시예들에서, 라디오 주파수(RF) 모듈(400)이 하나 이상의 RF 필터의 조립체(406)를 포함할 수 있다는 것을 도시한다. 그러한 필터(들)는 SAW 공진기 기반의 필터(들)(100), 패키징된 필터(들)(300), 또는 이들의 일부 조합일 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 14의 RF 모듈(400)은 또한, 예를 들어, RF 집적 회로(RFIC)(404), 및 안테나 스위치 모듈(ASM)(408)을 포함할 수 있다. 그러한 모듈은, 예를 들어, 무선 작동을 지원하도록 구성된 전단 모듈일 수 있다. 일부 실시예들에서, 전술한 구성요소들 전부 중 일부는 패키징 기판(402) 상에 실장되고 패키징 기판(402)에 의해 지지될 수 있다.
일부 구현들에서, 본원에서 설명된 하나 이상의 특징을 갖는 디바이스 및/또는 회로는 RF 디바이스, 예컨대, 무선 디바이스에 포함될 수 있다. 그러한 디바이스 및/또는 회로는 무선 디바이스에서 직접, 본원에서 설명된 바와 같은 모듈러 형태로, 또는 이들의 일부 조합으로 구현될 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 무선 디바이스는, 예를 들어, 셀룰러 폰, 스마트 폰, 폰 기능을 갖거나 갖지 않는 핸드헬드 무선 디바이스, 무선 태블릿 등을 포함할 수 있다.
도 15는 본원에서 설명되는 하나 이상의 유리한 특징을 갖는 예시적인 무선 디바이스(500)를 도시한다. 본원에서 설명된 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 모듈의 맥락에서, 그러한 모듈은 일반적으로 파선 박스(400)에 의해 도시될 수 있고, 예를 들어, 전단 모듈(FEM)로서 구현될 수 있다. 그러한 예에서, 본원에서 설명된 바와 같은 하나 이상의 SAW 필터는, 예를 들어, 듀플렉서들(526)과 같은 필터들의 조립체에 포함될 수 있다.
도 15를 참조하면, 전력 증폭기들(PA들)(520)은 그들의 각각의 RF 신호들을, 증폭되고 송신될 RF 신호들을 생성하기 위해 그리고 수신된 신호들을 처리하기 위해, 공지된 방식들로 구성되고 작동될 수 있는 송수신기(510)로부터 수신할 수 있다. 송수신기(510)는, 사용자에 적합한 데이터 및/또는 음성 신호들과 송수신기(510)에 적합한 RF 신호들 사이의 변환을 제공하도록 구성되는 기저대역 서브시스템(408)과 상호작용하는 것으로 도시된다. 송수신기(510)는 또한, 무선 디바이스(500)의 작동을 위한 전력을 관리하도록 구성되는 전력 관리 구성요소(506)와 통신할 수 있다. 그러한 전력 관리는 또한, 기저대역 서브시스템(508) 및 모듈(400)의 작동들을 제어할 수 있다.
기저대역 서브시스템(508)은, 사용자에게 제공되고 사용자로부터 수신되는 데이터 및/또는 음성의 다양한 입력 및 출력을 용이하게 하기 위해 사용자 인터페이스(502)에 연결되는 것으로 도시된다. 기저대역 서브시스템(508)은 또한, 무선 디바이스의 작동을 용이하게 하기 위해 데이터 및/또는 명령어들을 저장하고/거나 사용자에 대한 정보의 저장을 제공하도록 구성되는 메모리(504)에 연결될 수 있다.
예시적인 무선 디바이스(500)에서, PA들(520)의 출력들은 그들의 각각의 듀플렉서들(526)로 라우팅되는 것으로 도시된다. 그러한 증폭되고 필터링된 신호들은 송신을 위해 안테나 스위치(514)를 통해 안테나(516)로 라우팅될 수 있다. 일부 실시예들에서, 듀플렉서들(526)은 송신 및 수신 작동들이 공통 안테나(예를 들어, 516)를 사용하여 동시에 수행되는 것을 허용할 수 있다. 도 15에서, 수신된 신호들은, 예를 들어, 저잡음 증폭기(LNA)를 포함할 수 있는 "Rx" 경로들(도시되지 않음)로 라우팅되는 것으로 도시된다.
문맥이 명백히 달리 요구하지 않는 한, 설명 및 청구항들 전반에 걸쳐, "포함" 등의 단어들은, 배타적이거나 철저한 의미와는 대조적으로, 포괄적인 의미로 해석되어야 하는데; 즉, "포함하지만, 이에 제한되지 않는"의 의미로 해석되어야 한다. 본원에서 일반적으로 사용되는 바와 같은 "결합된"이라는 단어는, 직접 연결될 수 있거나 하나 이상의 중간 요소에 의해 연결될 수 있는 2개 이상의 요소들을 지칭한다. 추가적으로, "본원에서", "위에서", "아래에서"라는 단어들, 및 유사한 의미의 단어들은, 본 출원에서 사용될 때, 본 출원의 임의의 특정 부분들을 지칭하는 것이 아니라 전체로서 본 출원을 지칭할 것이다. 문맥이 허용하는 경우, 단수 또는 복수를 사용하는, 위의 상세한 설명에서의 단어들은 각각 복수 또는 단수를 또한 포함할 수 있다. 2개 이상의 항목들의 목록과 관련하여 "또는"이라는 단어는 단어의 이하의 해석들 모두: 목록의 항목들 중 임의의 항목, 목록의 항목들 모두, 및 목록의 항목들의 임의의 조합을 커버한다.
본 발명의 실시예들의 상기 상세한 설명은 철저하거나 본 발명을 위에서 개시된 정확한 형태로 제한하도록 의도되지 않는다. 본 발명의 특정 실시예들 및 본 발명에 대한 예들이 예시의 목적으로 위에서 설명되었지만, 관련 기술분야의 통상의 기술자들이 인식할 바와 같이, 다양한 등가의 수정들이 본 발명의 범위 내에서 가능하다. 예를 들어, 프로세스들 또는 블록들이, 주어진 순서로 제시되지만, 대안적인 실시예들은 단계들을 갖는 루틴들을 수행하거나, 상이한 순서로 블록들을 갖는 시스템들을 채용할 수 있고, 일부 프로세스들 또는 블록들은 삭제, 이동, 추가, 세분, 조합, 및/또는 수정될 수 있다. 이러한 프로세스들 또는 블록들 각각은 다양한 상이한 방식들로 구현될 수 있다. 또한, 프로세스들 또는 블록들이 순차적으로 수행되는 것으로 때때로 도시되지만, 그 대신에 이러한 프로세스들 또는 블록들은 병행하여 수행될 수 있거나, 상이한 시간들에 수행될 수 있다.
본원에서 제공된 본 발명의 교시들은, 반드시 위에 설명된 시스템이 아니라 다른 시스템들에 적용될 수 있다. 위에 설명된 다양한 실시예들의 요소들 및 작동들은 추가의 실시예들을 제공하기 위해 조합될 수 있다.
본 발명들의 일부 실시예들이 설명되었지만, 이러한 실시예들은 단지 예로서 제시되었고, 본 개시내용의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다. 실제로, 본원에서 설명된 신규한 방법들 및 시스템들은 다양한 다른 형태들로 실시될 수 있고; 더욱이, 본원에서 설명된 방법들 및 시스템들의 형태에서 다양한 생략들, 치환들 및 변경들이 본 개시내용의 사상으로부터 벗어나지 않고 이루어질 수 있다. 첨부된 청구항들 및 그들의 등가물들은 본 개시내용의 범위 및 사상 내에 있는 바와 같은 그러한 형태들 또는 수정들을 커버하도록 의도된다.
Claims (29)
- 표면 음향파 디바이스로서,
석영 기판;
LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성되고 석영 기판 위에 배치된 압전 필름;
상기 압전 필름 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서 전극;
상기 압전 필름 위에 구현된 접합 층; 및
캡 층을 포함하고, 상기 캡 층은 상기 접합 층 위에 형성되고 이에 의해 상기 캡 층 아래에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속하는, 표면 음향파 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 접합 층은 SiO2로 형성되는, 표면 음향파 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 캡 층은 Si로 형성되는, 표면 음향파 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 인터디지털 트랜스듀서 전극은 상기 압전 필름의 상부 표면 상에 직접 형성되고, 상기 캡 층의 하부 표면은 상기 접합 층의 상부 표면과 직접 접촉하는, 표면 음향파 디바이스. - 제4항에 있어서,
상기 접합 층은 상기 인터디지털 트랜스듀서 전극을 캡슐화하는, 표면 음향파 디바이스. - 제4항에 있어서,
상기 인터디지털 트랜스듀서 전극 위의 체적은 상기 압전 필름의 상기 상부 표면 및 상기 캡 층의 상기 하부 표면에 의해 한정되는 공동을 포함하고, 이로써, 상기 인터디지털 트랜스듀서 전극은 상기 공동에 노출되는, 표면 음향파 디바이스. - 제6항에 있어서,
상기 공동은 측벽에 의해 측방향으로 더 한정되는, 표면 음향파 디바이스. - 제7항에 있어서,
상기 측벽은 상기 접합 층의 주연 부분에 의해 형성되는, 표면 음향파 디바이스. - 제7항에 있어서,
상기 측벽은 상기 접합 층 내에 적어도 부분적으로 매립된 벽 구조에 의해 형성되는, 표면 음향파 디바이스. - 제9항에 있어서,
상기 벽 구조는 SiN으로 채워진 하나 이상의 트렌치를 포함하고, 상기 하나 이상의 트렌치는 상기 공동을 부분적으로 또는 완전히 둘러싸는, 표면 음향파 디바이스. - 제9항에 있어서,
상기 하나 이상의 트렌치는 상기 공동을 실질적으로 둘러싸는 단일 트렌치를 포함하는, 표면 음향파 디바이스. - 제6항에 있어서,
상기 캡 층은 상기 공동의 형성의 결과로 생성되는 하나 이상의 개구부를 한정하는, 표면 음향파 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 압전 필름 위에 형성되고 상기 인터디지털 트랜스듀서 전극에 전기적으로 연결된 제1 및 제2 접촉 패드들을 더 포함하는, 표면 음향파 디바이스. - 제13항에 있어서,
상기 제1 및 제2 접촉 패드들 각각으로부터 상기 캡 층의 상부 표면으로 연장되는 전도성 비아를 더 포함하는, 표면 음향파 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 압전 필름 상에 구현되고 상기 인터디지털 트랜스듀서 전극의 제1 및 제2 측들 상에 위치된 제1 및 제2 반사기들을 더 포함하는, 표면 음향파 디바이스. - 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법으로서,
LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성된 압전 층을 형성 또는 제공하는 단계;
상기 압전 층 위에 인터디지털 트랜스듀서 전극을 형성하는 단계;
상기 압전 층 위에 접합 층을 구현하는 단계;
상기 접합 층이 캡 층과 상기 압전 층 사이에 있도록 상기 접합 층 상에 캡 층을 접합하는 단계 - 상기 캡 층은 상기 캡 층 아래의 체적으로의 전파파의 에너지의 구속을 허용하도록 구성됨 -; 및
압전 필름을 제공하기 위해 상기 압전 층을 박형화하는 단계
를 포함하는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제16항에 있어서,
석영 기판을 상기 압전 필름 상에 부착하는 단계를 더 포함하는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제17항에 있어서,
상기 압전 층은 제1 및 제2 표면들을 갖고, 이로써, 상기 인터디지털 트랜스듀서 전극은 상기 압전 층의 상기 제1 표면 상에 형성되고, 상기 접합 층은 상기 압전 층의 상기 제1 표면 상에 구현되는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제18항에 있어서,
상기 압전 필름 상에 새로운 제2 표면을 결과로 생성하기 위해 상기 압전 층의 박형화가 상기 압전 층의 상기 제2 표면의 측에 대해 수행되는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제19항에 있어서,
상기 압전 필름 상에 상기 석영 기판을 부착하는 단계는 상기 압전 필름의 새로운 제2 표면 상에 상기 석영 기판을 접합하는 단계를 포함하는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제18항에 있어서,
상기 접합 층을 구현하는 단계는 상기 인터디지털 트랜스듀서 전극을 캡슐화하는 상기 접합 층을 결과로 생성하는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제18항에 있어서,
상기 접합 층을 구현하는 단계는, 상기 인터디지털 트랜스듀서 전극 위에 있고 상기 압전 필름의 상기 제1 표면 및 상기 캡 층의 하부 표면에 의해 한정되는 공동을 결과로 생성하고, 이로써, 상기 인터디지털 트랜스듀서 전극은 상기 공동에 노출되는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제22항에 있어서,
상기 공동은 측벽에 의해 측방향으로 더 한정되는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제23항에 있어서,
상기 접합 층을 구현하는 단계는 상기 접합 층의 주연 부분에 의해 형성되는 상기 측벽을 결과로 더 생성하는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제23항에 있어서,
벽 구조를 적어도 부분적으로 상기 접합 층 내에 매립하는 단계를 더 포함하고, 이로써, 상기 벽 구조는 상기 공동의 상기 측벽을 형성하는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 제18항에 있어서,
상기 인터디지털 트랜스듀서 전극과 연관된 제1 및 제2 접촉 패드들 각각에 상기 캡 층의 상부 표면의 또는 그 근처의 위치로의 전기 연결을 제공하기 위해 상기 캡 층 및 상기 접합 층을 통해 제1 및 제2 전도성 비아들을 형성하는 단계를 더 포함하는, 음향파 디바이스를 제조하기 위한 방법. - 라디오 주파수 필터로서,
신호를 수신하기 위한 입력 노드;
필터링된 신호를 제공하기 위한 출력 노드; 및
상기 필터링된 신호를 생성하기 위해 전기적으로 상기 입력 노드와 상기 출력 노드 사이에 구현되는 음향파 디바이스 - 상기 음향파 디바이스는 석영 기판, LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성되고 상기 석영 기판 위에 배치된 압전 필름, 및 상기 압전 필름 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서 전극을 포함하고, 상기 표면 음향파 디바이스는 상기 압전 필름 위에 구현된 접합 층, 및 캡 층을 더 포함하고, 상기 캡 층은 상기 접합 층 위에 형성되고 이에 의해 상기 캡 층 아래에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속함 -
를 포함하는, 라디오 주파수 필터. - 라디오 주파수 모듈로서,
복수의 구성요소들을 수용하도록 구성되는 패키징 기판;
상기 패키징 기판 상에 구현되고 신호들의 송신 및 수신 중 어느 하나 또는 둘 다를 지원하도록 구성된 라디오 주파수 회로; 및
상기 신호들 중 적어도 일부에 대한 필터링을 제공하도록 구성되고 표면 음향파 디바이스를 포함하는 라디오 주파수 필터 - 상기 표면 음향파 디바이스는 석영 기판, LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성되고 상기 석영 기판 위에 배치된 압전 필름, 및 상기 압전 필름 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서 전극을 포함하고, 상기 표면 음향파 디바이스는 상기 압전 필름 위에 구현된 접합 층, 및 캡 층을 더 포함하고, 상기 캡 층은 상기 접합 층 위에 형성되고 이에 의해 상기 캡 층 아래에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속함 -
를 포함하는, 라디오 주파수 모듈. - 무선 디바이스로서,
송수신기;
안테나; 및
전기적으로 상기 송수신기와 상기 안테나 사이에 있도록 구현되는 무선 시스템 - 상기 무선 시스템은 상기 무선 시스템에 필터링 기능을 제공하도록 구성된 필터를 포함하고, 상기 필터는 표면 음향파 디바이스를 포함하고, 상기 표면 음향파 디바이스는 석영 기판, LiTaO3 또는 LiNbO3로 형성되고 상기 석영 기판 위에 배치된 압전 필름, 및 상기 압전 필름 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서 전극을 갖고, 상기 표면 음향파 디바이스는 상기 압전 필름 위에 구현된 접합 층, 및 캡 층을 더 포함하고, 상기 캡 층은 상기 접합 층 위에 형성되고 이에 의해 상기 캡 층 아래에 전파파의 에너지를 실질적으로 구속함 -
을 포함하는, 무선 디바이스.
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