CN113940002A - 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 - Google Patents

Abstract

本发明使杂散降低。弹性波装置(1)具备支承基板(4)、压电体层(6)、以及IDT电极(7)。支承基板(4)包含石英。压电体层(6)形成在支承基板(4)上，包含LiTaO₃。IDT电极(7)形成在压电体层(6)上，具有多个电极指(72)。IDT电极(7)形成在压电体层(6)的负面侧。压电体层(6)的切割角为39°Y以上且48°Y以下。

Description

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

技术领域

本发明广泛涉及弹性波装置、高频前端电路以及通信装置，更详细地，涉及具备支承基板以及压电体层的弹性波装置、具备弹性波装置的高频前端电路、以及具备高频前端电路的通信装置。

背景技术

以往，已知有具备支承基板以及压电体层的弹性波装置(例如，参照专利文献1)。

在专利文献1记载的弹性波装置具备：包含石英的支承基板；层叠在支承基板上的包含LiTaO₃(钽酸锂)的压电体层；以及形成在压电体层上的IDT电极。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2018/0109241号说明书

发明内容

发明要解决的课题

可是，在专利文献1记载的以往的弹性波装置中，根据压电体层的极化方向或切割角，有可能在弹性波装置自身的通带的0.7倍附近产生由瑞利模式造成的杂散，并引起弹性波装置的特性劣化。

本发明是鉴于上述的方面而完成的发明，本发明的目的在于，提供一种能够使杂散降低的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。

用于解决课题的技术方案

本发明的一个方式涉及的弹性波装置具备支承基板、压电体层、以及IDT电极。所述支承基板包含石英。所述压电体层形成在所述支承基板上，包含LiTaO₃。所述IDT电极形成在所述压电体层上，具有多个电极指。所述IDT电极形成在所述压电体层的负面侧。所述压电体层的切割角为39°Y以上且48°Y以下。

本发明的一个方式涉及的高频前端电路具备滤波器和放大电路。所述滤波器包含所述弹性波装置，使给定的频带的高频信号通过。所述放大电路与所述滤波器连接，并使所述高频信号的振幅放大。

本发明的一个方式涉及的通信装置具备所述高频前端电路和信号处理电路。所述信号处理电路对所述高频信号进行处理。

发明效果

根据本发明的上述方式涉及的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置，能够使杂散降低。

附图说明

图1是实施方式涉及的弹性波装置的电路图。

图2是具备同上的弹性波装置的通信装置的结构图。

图3是同上的弹性波装置的剖视图。

图4A是同上的弹性波装置的主要部分的俯视图。图4B是图4A的X1-X1线剖视图。

图5是示出压电体层的切割角和瑞利模式的相位特性的关系的曲线图。

图6是示出压电体层的切割角和TCF的关系的曲线图。

图7是实施方式的变形例涉及的弹性波装置的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式涉及的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置进行说明。在下述的实施方式等中参照的图3、图4A、图4B以及图7是示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自之比未必反映了实际的尺寸比。

(实施方式)

(1)弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置的结构

参照附图对实施方式涉及的弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置的结构进行说明。

(1.1)弹性波装置

如图1所示，实施方式涉及的弹性波装置1设置在第1端子101与不同于第1端子101的第2端子102之间，第1端子101与弹性波装置1的外部的天线200电连接。弹性波装置1是梯型滤波器，具备多个(例如，九个)弹性波谐振器31～39。多个弹性波谐振器31～39包含设置在将第1端子101和第2端子102连结的第1路径r1上的多个(例如，五个)串联臂谐振器(弹性波谐振器31、33、35、37、39)和设置在将第1路径r1上的多个(四个)节点N1、N2、N3、N4各自与接地连结的多个(四个)第2路径r21、r22、r23、r24上的多个(例如，四个)并联臂谐振器(弹性波谐振器32、34、36、38)。另外，在弹性波装置1中，也可以在第1路径r1上作为串联臂谐振器以外的元件而配置有具有作为电感器或电容器的功能的元件。此外，在弹性波装置1中，电可以在各第2路径r21、r22、r23、r24上作为并联臂谐振器以外的元件而配置有具有作为电感器或电容器的功能的元件。

(1.2)多工器

如图2所示，实施方式涉及的多工器100具备第1端子101、第2端子102、第3端子103、由弹性波装置1构成的第1滤波器21、以及第2滤波器22。

第1端子101是能够与多工器100的外部的天线200电连接的天线端子。

第1滤波器21是包含弹性波装置1并设置在第1端子101与第2端子102之间的第1接收用滤波器。第1滤波器21使给定的第1频带的高频信号通过，并使第1频带以外的信号衰减。

第2滤波器22是设置在第1端子101与第3端子103之间的第2接收用滤波器。第2滤波器22使给定的第2频带的高频信号通过，并使第2频带以外的信号衰减。

第1滤波器21和第2滤波器22具有相互不同的通带。在多工器100中，第1滤波器21的通带与第2滤波器22的通带相比为低频带。因此，在多工器100中，第2滤波器22的通带处于比第1滤波器21的通带靠高频率侧。在多工器100中，例如，第1滤波器21的通带的最大频率低于第2滤波器22的通带的最小频率。

在多工器100中，第1滤波器21和第2滤波器22连接于公共的第1端子101。

此外，多工器100还具备第4端子104、第5端子105、第3滤波器23、以及第4滤波器24。但是，在多工器100中，第4端子104、第5端子105、第3滤波器23、以及第4滤波器24不是必需的构成要素。

第3滤波器23是设置在第1端子101与第4端子104之间的第1发送用滤波器。第3滤波器23使给定的第3频带的高频信号通过，并使第3频带以外的信号衰减。

第4滤波器24是设置在第1端子101与第5端子105之间的第2发送用滤波器。第4滤波器24使给定的第4频带的高频信号通过，并使第4频带以外的信号衰减。

(1.3)高频前端电路

如图2所示，高频前端电路300具备多工器100、第1放大电路303、以及第1开关电路301。此外，高频前端电路300还具备第2放大电路304和第2开关电路302。但是，在高频前端电路300中，第2放大电路304以及第2开关电路302不是必需的构成要素。

第1放大电路303与多工器100的第1滤波器21以及第2滤波器22电连接。更详细地，第1放大电路303经由第1开关电路301与第1滤波器21以及第2滤波器22连接。第1放大电路303将经由了天线200、多工器100以及第1开关电路301的高频信号(接收信号)放大并输出。第1放大电路303是低噪声放大器电路。

第1开关电路301具有与多工器100的第2端子102以及第3端子103独立地连接的两个被选择端子和与第1放大电路303连接的公共端子。也就是说，第1开关电路301经由第2端子102与第1滤波器21连接，并经由第3端子103与第2滤波器22连接。

第1开关电路301例如由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。第1开关电路301通过控制电路(未图示)进行控制。第1开关电路301按照来自上述控制电路的控制信号将公共端子和被选择端子连接。第1开关电路301也可以由开关IC(Integrated Circuit，集成电路)构成。另外，在第1开关电路301中，与公共端子连接的被选择端子并不限于一个，也可以是多个。也就是说，高频前端电路300也可以构成为应对载波聚合(Carrier Aggregation)。

第2放大电路304将从高频前端电路300的外部(例如，后述的RF信号处理电路402)输出的高频信号(发送信号)放大，并经由第2开关电路302以及多工器100输出到天线200。第2放大电路304是功率放大器电路。

第2开关电路302例如由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。第2开关电路302通过上述控制电路进行控制。第2开关电路302按照来自上述控制电路的控制信号将公共端子和被选择端子连接。第2开关电路302也可以由开关IC(IntegratedCircuit，集成电路)构成。另外，在第2开关电路302中，与公共端子连接的被选择端子并不限于一个，也可以是多个。

(1.4)通信装置

如图2所示，通信装置400具备高频前端电路300和信号处理电路401。信号处理电路401对高频信号进行处理。信号处理电路401具备RF信号处理电路402和基带信号处理电路403。另外，基带信号处理电路403不是必需的构成要素。

RF信号处理电路402对由天线200接收的高频信号进行处理。高频前端电路300在天线200与RF信号处理电路402之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。

RF信号处理电路402例如为RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)，进行对高频信号(接收信号)的信号处理。例如，RF信号处理电路402对从天线200经由高频前端电路300输入的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并向基带信号处理电路403输出通过该信号处理生成的接收信号。基带信号处理电路403例如为BBIC(Baseband Integrated Circuit，基带集成电路)。在基带信号处理电路403中处理的接收信号例如作为图像信号而用于图像显示或者作为声音信号而用于通话。

此外，RF信号处理电路402例如对从基带信号处理电路403输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并向第2放大电路304输出进行了信号处理的高频信号。基带信号处理电路403例如进行针对来自通信装置400的外部的发送信号的给定的信号处理。

(2)弹性波装置的各构成要素

以下，参照附图对实施方式涉及的弹性波装置1的各构成要素进行说明。在此，着眼于一个弹性波谐振器，对弹性波装置1进行说明。

如图3、图4A以及图4B所示，弹性波装置1具备支承基板4、压电体层6、以及IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极7。

(2.1)支承基板

支承基板4是包含石英的基板。更详细地，支承基板4对压电体层6以及IDT电极7进行支承。在支承基板4中，传播的体波(bulk wave)的声速与在压电体层6传播的弹性波的声速相比为高速。在支承基板4中，在其中传播的多个体波中的最为低声速的体波的声速与在压电体层6传播的弹性波的声速相比为高速。多个弹性波谐振器3各自是在IDT电极7的弹性波传播方向上的两侧分别具备反射器(例如，短路格栅)的单端口型弹性波谐振器。但是，反射器不是必需的。另外，各弹性波谐振器3并不限于单端口型弹性波谐振器，例如，也可以是包含多个IDT电极的纵向耦合型弹性波谐振器。

(2.2)压电体层

在本实施方式中，压电体层6直接层叠于支承基板4。压电体层6具有IDT电极7侧的第1主面61和支承基板4侧的第2主面62。压电体层6形成在支承基板4上，使得第2主面62处于支承基板4侧。

压电体层6形成在支承基板4上，包含LiTaO₃(钽酸锂)。更详细地，压电体层6例如是Γ°Y切割X传播LiTaO₃压电单晶。在将LiTaO₃压电单晶的三个晶轴设为X轴、Y轴、Z轴的情况下，Γ°Y切割X传播LiTaO₃压电单晶是在将以X轴为中心轴而从Y轴向Z轴方向旋转了Γ°的轴作为法线的面处切断的LiTaO₃单晶，并且是声表面波在X轴方向上传播的单晶。Γ°例如为39°以上且48°以下。若将切割角设为Γ(°)，并将压电体层6的欧拉角设为

则压电体层6的切割角为Γ＝θ+90°。压电体层6并不限于Γ°Y切割X传播LiTaO₃压电单晶，例如，也可以是Γ°Y切割X传播LiTaO₃压电陶瓷。

在实施方式涉及的弹性波装置1中的弹性波谐振器3中，作为在压电体层6传播的弹性波的模式，存在纵波、SH波或SV波、或复合了它们的模式。在弹性波谐振器3中，使用以SH波为主分量的模式作为主模式。所谓高阶模式，是指与在压电体层6传播的弹性波的主模式相比在高频率侧产生的杂散模式。关于在压电体层6传播的弹性波的模式是否为“以SH波为主分量的模式主模式”，例如，能够通过如下方式来确认，即，使用压电体层6的参数(材料、欧拉角以及厚度等)、IDT电极7的参数(材料、厚度以及电极指周期等)等，通过有限元法对位移分布进行解析，并解析形变。压电体层6的欧拉角能够通过分析求出。

另外，关于压电体层6的单晶材料、切割角，例如，只要根据滤波器的要求规格(通过特性、衰减特性、温度特性以及带宽等滤波器特性)等而适当地决定即可。

在将由IDT电极7的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层6的厚度为3.5λ以下。所谓电极指周期，是IDT电极7的多个电极指72的周期。由此，能够提高Q值。

优选地，压电体层6的厚度为2.5λ以下。由此，能够使TCF(TemperatureCoefficients of Frequency：频率温度系数)改善。更优选地，压电体层6的厚度为1.5λ以下。由此，能够在宽范围调整机电耦合系数。进一步优选地，压电体层6的厚度为0.05λ以上且0.5λ以下。由此，能够在更宽的范围调整机电耦合系数。

(2.3)IDT电极

IDT电极7形成在压电体层6上。所谓“形成在压电体层6上”，包含直接形成在压电体层6上的情况和间接地形成在压电体层6上的情况。IDT电极7隔着压电体层6位于与支承基板4相反侧。

IDT电极7能够由Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W或以这些金属中的任意金属为主体的合金等适当的金属材料形成。此外，IDT电极7也可以具有将包含这些金属或合金的多个金属膜层叠的构造。例如，IDT电极7为Al膜，但是并不限于此，例如，也可以是形成在压电体层6上的由Ti膜构成的密接膜和形成在密接膜上的由Al膜构成的主电极膜的层叠膜。密接膜的厚度例如为10nm左右。此外，主电极膜的厚度例如为130nm左右。

如图4A以及图4B所示，IDT电极7具有多个汇流条71和多个电极指72。多个汇流条71包含第1汇流条711和第2汇流条712。多个电极指72包含多个第1电极指721和多个第2电极指722。另外，在图4B中，省略了支承基板4的图示。

第1汇流条711以及第2汇流条712是将与沿着支承基板4的厚度方向的第1方向D1(Γ°Y方向)正交的第2方向D2(X轴方向)作为长边方向的长条状。在IDT电极7中，第1汇流条711和第2汇流条712在与第1方向D1和第2方向D2双方正交的第3方向D3上对置。

多个第1电极指721与第1汇流条711连接，并朝向第2汇流条712延伸。在此，多个第1电极指721从第1汇流条711起沿着第3方向D3延伸。多个第1电极指721的前端与第2汇流条712分离。例如，多个第1电极指721彼此的长度以及宽度相同。

多个第2电极指722与第2汇流条712连接，并朝向第1汇流条711延伸。在此，多个第2电极指722从第2汇流条712起沿着第3方向D3延伸。多个第2电极指722各自的前端与第1汇流条711分离。例如，多个第2电极指722彼此的长度以及宽度相同。在图4A的例子中，多个第2电极指722的长度以及宽度分别与多个第1电极指721的长度以及宽度相同。

在IDT电极7中，多个第1电极指721和多个第2电极指722在第2方向D2上一根一根交替地相互隔开排列。因此，在第1汇流条711的长边方向上相邻的第1电极指721和第2电极指722分离。IDT电极7的电极指周期是相邻的第1电极指721和第2电极指722的相互对应的边之间的距离。在将第1电极指721或第2电极指722的宽度设为W1并将相邻的第1电极指721和第2电极指722的间隔宽度设为S1的情况下，IDT电极7的电极指周期用(W1+S1)来定义。在IDT电极7中，作为将电极指的宽度W1除以电极指周期而得到的值的占空比用W1/(W1+S1)来定义。占空比例如为0.5。在将由IDT电极7的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，λ用多个第1电极指721以及多个第2电极指722的重复周期P1来定义。

关于包含多个第1电极指721和多个第2电极指722的一组电极指(多个电极指72)，只要是多个第1电极指721和多个第2电极指722在第2方向D2上隔开排列的结构即可，也可以不是多个第1电极指721和多个第2电极指722交替地相互隔开排列的结构。例如，也可以混合存在第1电极指721和第2电极指722一根一根隔开排列的区域和第1电极指721或第2电极指722在第2方向D2上排列有两个的区域。IDT电极7中的多个第1电极指721以及多个第2电极指722各自的数量没有特别限定。

(2.4)IDT电极的配置以及压电体层的切割角

如图3所示，IDT电极7形成在压电体层6的负面侧。更详细地，在压电体层6中，第1主面61为负面(negative surface)，第2主面62为正面(positive surface)。换言之，压电体层6形成在支承基板4上，使得第1主面61成为负面，且第2主面62成为正面。而且，IDT电极7形成在压电体层6的第1主面61，即，负面。

压电体层6的切割角为39°Y以上且48°Y以下。如图5所示，在压电体层6的切割角为39°Y以上且48°Y以下的情况下，与压电体层6的切割角小于39°Y的情况以及压电体层6的切割角大于48°Y的情况相比，相位特性优异。

优选地，压电体层6的切割角为42°Y以上。如图6所示，能够减小TCF。例如，能够使TCF的绝对值为5ppm/℃以下。

更优选地，压电体层6的切割角为44°Y以上。由此，能够进一步减小TCF。例如，能够使TCF的绝对值为2ppm/℃以下。

(2.5)支承基板的声速

在支承基板4传播的慢横波的声速为3950m/s以上。更详细地，在支承基板4传播的上述慢横波的声速大于谐振的声速3800m/s，且为反谐振的声速3950m/s以上。由此，能够得到良好的谐振特性以及反谐振特性。

更优选地，在支承基板4传播的上述慢横波的声速为4100m/s以上。更详细地，在支承基板4传播的上述慢横波的声速为反谐振的声速3950m/s与谐振的声速3800m/s的差分(150m/s)和反谐振的声速3950m/s之和4100m/s以上。由此，能够使梯型滤波器的特性提高。

(2.6)支承基板和IDT电极的关系

由支承基板4和Z轴和LiTaO₃的X轴(第2方向D2)所成的角度为±20°以下。在图3的例子中，由支承基板4的Z轴和IDT电极7的多个电极指72排列的方向(第2方向D2)所成的角度为±20°以下。由此，能够使在支承基板4传播的慢横波的声速为4100m/s以上。

更优选地，由支承基板4和Z轴和LiTaO₃的X轴(第2方向D2)所成的角度为平行。在图3的例子中，支承基板4的Z轴和IDT电极7的多个电极指72排列的方向(第2方向D2)平行。由此，能够设为Z传播，因此能够实现支承基板4中的高声速化。

(3)效果

在实施方式涉及的弹性波装置1中，IDT电极7形成在压电体层6的负面侧，且压电体层6的切割角为39°Y以上且48°Y以下。由此，能够使杂散降低。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，支承基板4的声速为3950m/s。由此，能够得到良好的谐振特性以及反谐振特性。由此，能够使梯型滤波器的特性提高。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，由支承基板4的Z轴和LiTaO₃的X轴(第2方向D2)所成的角度为±20°以下。由此，能够使慢横波的声速为4100m/s以上。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，支承基板4的Z轴和LiTaO₃的X轴(第2方向D2)平行。由此，能够设为Z传播，因此能够实现支承基板4中的高声速化。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，压电体层6的切割角为42°Y以上。由此，能够减小TCF。例如，能够使TCF的绝对值为5ppm/℃以下。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，压电体层6的切割角为44°Y以上。由此，能够进一步减小TCF。例如，能够使TCF的绝对值为2ppm/℃以下。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，压电体层6直接层叠于支承基板4。由此，能够使杂散进一步降低，因此能够抑制特性劣化。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，压电体层6的厚度为3.5λ以下。由此，能够提高Q值。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，压电体层6的厚度为2.5λ以下。由此，能够使TCF改善。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，压电体层6的厚度为1.5λ以下。由此，能够在宽范围调整机电耦合系数。

在实施方式涉及的弹性波装置1中，压电体层6的厚度为0.05λ以上且0.5λ以下。由此，能够在更宽的范围调整机电耦合系数。

(4)变形例

以下，对实施方式的变形例进行说明。

作为实施方式的变形例，压电体层6并不限于直接层叠于支承基板4，也可以间接地形成在支承基板4上。换言之，也可以如图7所示，在压电体层6与支承基板4之间存在其它层。在图7的例子中，也可以是，在支承基板4上形成有低声速膜5，且压电体层6形成在低声速膜5上。

如图7所示，变形例涉及的弹性波装置1a具备支承基板4、低声速膜5、压电体层6、以及IDT电极7。

低声速膜5是如下的膜，即，在低声速膜5传播的体波的声速与在压电体层6传播的体波的声速相比成为低速。低声速膜5设置在支承基板4与压电体层6之间。通过将低声速膜5设置在支承基板4与压电体层6之间，从而弹性波的声速下降。弹性波的能量在本质上集中于低声速的介质。因此，能够提高向压电体层6内以及激励弹性波的IDT电极7内的弹性波的能量的封闭效果。其结果是，与未设置低声速膜5的情况相比，能够降低损耗，并提高Q值。

低声速膜5的材料例如为氧化硅。另外，低声速膜5的材料并不限定于氧化硅，也可以是玻璃、氮氧化硅、氧化钽、氧化硅中添加了氟、碳、或硼的化合物、或以上述各材料为主成分的材料。

在低声速膜5的材料为氧化硅的情况下，能够改善温度特性。作为压电体层6的材料的LiTaO₃的弹性常数具有负的温度特性，氧化硅的温度特性具有正的温度特性。因此，在弹性波装置1中，能够减小TCF的绝对值。进而，氧化硅的固有声阻抗小于作为压电体层6的材料的LiTaO₃的固有声阻抗。因此，能够谋求机电耦合系数的增大，即，相对带宽的扩大、和频率温度特性的改善这两者。

低声速膜5的厚度优选为2.0λ以下。通过将低声速膜5的厚度设为2.0λ以下，从而能够使膜应力降低，其结果是，能够使晶片的翘曲降低，良品率的提高以及特性的稳定化成为可能。此外，如果低声速膜5的厚度为0.1λ以上且0.5λ以下的范围内，则机电耦合系数基本不变。

另外，在支承基板4与压电体层6之间，并不限于像上述的那样存在一个层(低声速膜5)，也可以层叠有多个层。

在上述的变形例涉及的弹性波装置1a中，也起到与实施方式涉及的弹性波装置1同样的效果。

以上说明的实施方式以及变形例只不过是本发明的各种各样的实施方式以及变形例的一部分。此外，只要能够达到本发明的目的，实施方式以及变形例就能够根据设计等进行各种变更。

(方式)

在本说明书公开了以下的方式。

第1方式涉及的弹性波装置(1；1a)具备支承基板(4)、压电体层(6)、以及IDT电极(7)。支承基板(4)包含石英。压电体层(6)形成在支承基板(4)上，包含LiTaO₃。IDT电极(7)形成在压电体层(6)上，具有多个电极指(72)。IDT电极(7)形成在压电体层(6)的负面侧。压电体层(6)的切割角为39°Y以上且48°Y以下。根据第1方式涉及的弹性波装置(1；1a)，能够使杂散降低。

在第2方式涉及的弹性波装置(1；1a)中，在第1方式中，在支承基板(4)传播的慢横波的声速为3950m/s以上。根据第2方式涉及的弹性波装置(1；1a)，能够得到良好的谐振特性以及反谐振特性。

在第3方式涉及的弹性波装置(1；1a)中，在第2方式中，在支承基板(4)传播的所述慢横波的声速为4100m/s以上。根据第3方式涉及的弹性波装置(1；1a)，能够使梯型滤波器的特性提高。

在第4方式涉及的弹性波装置(1；1a)中，在第1～第3方式中的任一方式中，由支承基板(4)的Z轴和LiTaO₃的X轴(第2方向D2)所成的角度为±20°以下。根据第4方式涉及的弹性波装置(1；1a)，能够使慢横波的声速为4100m/s以上。

在第5方式涉及的弹性波装置(1；1a)中，在第4方式中，支承基板(4)的Z轴和LiTaO₃的X轴(第2方向D2)平行。根据第5方式涉及的弹性波装置(1；1a)，能够设为Z传播，因此能够实现支承基板(4)中的高声速化。

在第6方式涉及的弹性波装置(1；1a)中，在第1～第5方式中的任一方式中，压电体层(6)的切割角为42°Y以上。根据第6方式涉及的弹性波装置(1；1a)，能够减小TCF。例如，能够使TCF的绝对值为5ppm/℃以下。

在第7方式涉及的弹性波装置(1；1a)中，在第6方式中，压电体层(6)的切割角为44°Y以上。根据第7方式涉及的弹性波装置(1；1a)，能够进一步减小TCF。例如，能够使TCF的绝对值为2ppm/℃以下。

在第8方式涉及的弹性波装置(1)中，在第1～第7方式中的任一方式中，压电体层(6)直接层叠于支承基板(4)。根据第8方式涉及的弹性波装置(1)，能够使杂散进一步降低，因此能够抑制特性劣化。

第9方式涉及的高频前端电路(300)具备滤波器(第1滤波器21；第2滤波器22；第3滤波器23；第4滤波器24)和放大电路(第1放大电路303；第2放大电路304)。滤波器包含第1～第8方式中的任一方式的弹性波装置(1；1a)，使给定的频带的高频信号通过。放大电路与滤波器连接，使高频信号的振幅放大。根据第9方式涉及的高频前端电路(300)，能够在弹性波装置(1；1a)中使杂散降低。

第10方式涉及的通信装置(400)具备第9方式的高频前端电路(300)和信号处理电路(401)。信号处理电路(401)对高频信号进行处理。根据第10方式涉及的通信装置(400)，能够在弹性波装置(1；1a)中使杂散降低。

附图标记说明

1、1a：弹性波装置；

21：第1滤波器(滤波器)；

22：第2滤波器(滤波器)；

23：第3滤波器(滤波器)；

24：第4滤波器(滤波器)；

4：支承基板；

6：压电体层；

7：IDT电极；

72：电极指；

300：高频前端电路；

303：第1放大电路(放大电路)；

304：第2放大电路(放大电路)；

400：通信装置；

401：信号处理电路；

D2：第2方向。

Claims (10)

1.一种弹性波装置，具备：

支承基板，包含石英；

压电体层，形成在所述支承基板上，包含LiTaO₃；以及

IDT电极，形成在所述压电体层上，具有多个电极指，

所述IDT电极形成在所述压电体层的负面侧，

所述压电体层的切割角为39°Y以上且48°Y以下。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

在所述支承基板传播的慢横波的声速为3950m/s以上。

3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，

在所述支承基板传播的所述慢横波的声速为4100m/s以上。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，

由所述支承基板的Z轴和所述LiTaO₃的X轴所成的角度为±20°以下。

5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，

所述支承基板的Z轴和所述LiTaO₃的X轴平行。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的弹性波装置，其中，

所述压电体层的所述切割角为42°Y以上。

7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，

所述压电体层的所述切割角为44°Y以上。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的弹性波装置，其中，

所述压电体层直接层叠于所述支承基板。

9.一种高频前端电路，具备：

滤波器，包含权利要求1～8中的任一项所述的弹性波装置，使给定的频带的高频信号通过；以及

放大电路，与所述滤波器连接，使所述高频信号的振幅放大。

10.一种通信装置，具备：

权利要求9所述的高频前端电路；以及

信号处理电路，对所述高频信号进行处理。

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