JP2019212872A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
CN111009459B (zh) * 2019-12-26 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 含氟残留物去除方法、刻蚀方法和氧化层清洗方法
US11329140B2 (en) 2020-01-17 2022-05-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of manufacture
KR20220161474A (ko) * 2020-04-01 2022-12-06 램 리써치 코포레이션 반도체 재료의 선택적인 정밀 에칭
KR102590870B1 (ko) * 2020-04-10 2023-10-19 주식회사 히타치하이테크 에칭 방법
JP7472634B2 (ja) * 2020-04-28 2024-04-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US11677015B2 (en) * 2020-05-13 2023-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device
DE102020133643A1 (de) 2020-05-13 2021-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung, und halbleitervorrichtung
JP7550534B2 (ja) 2020-05-15 2024-09-13 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP7535424B2 (ja) * 2020-09-29 2024-08-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
JP7589578B2 (ja) * 2021-02-16 2024-11-26 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US11295960B1 (en) * 2021-03-09 2022-04-05 Hitachi High-Tech Corporation Etching method
US20220375751A1 (en) * 2021-05-24 2022-11-24 Applied Materials, Inc. Integrated epitaxy and preclean system
JP7457084B2 (ja) * 2021-12-31 2024-03-27 サムス カンパニー リミテッド 基板処理方法及び基板処理装置
US12444613B2 (en) 2022-02-14 2025-10-14 Hitachi High-Tech Corporation Etching processing method
KR102808277B1 (ko) * 2022-09-26 2025-05-15 세메스 주식회사 반도체 소자의 형성 방법 및 반도체 소자의 형성을 위한 기판 처리 시스템
JP2024062579A (ja) * 2022-10-25 2024-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
WO2025106307A1 (en) * 2023-11-17 2025-05-22 Lam Research Corporation Selective etch of stack using a hydrogen and fluorine containing gas and an -oh containing gas
US20250246437A1 (en) * 2024-01-26 2025-07-31 Tokyo Electron Limited Selective etching in semiconductor devices
JP2025133516A (ja) * 2024-03-01 2025-09-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100197670B1 (ko) * 1996-06-27 1999-06-15 김영환 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
JP2000021842A (ja) 1998-06-29 2000-01-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd 珪素半導体単結晶基板の処理方法
US6391793B2 (en) * 1999-08-30 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Compositions for etching silicon with high selectivity to oxides and methods of using same
JP4833512B2 (ja) 2003-06-24 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 被処理体処理装置、被処理体処理方法及び被処理体搬送方法
JP2006167849A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Denso Corp マイクロ構造体の製造方法
WO2008088300A2 (en) * 2005-03-08 2008-07-24 Primaxx, Inc. Selective etching of oxides from substrates
JP5084250B2 (ja) 2006-12-26 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体
US20110061812A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US8076250B1 (en) * 2010-10-06 2011-12-13 Applied Materials, Inc. PECVD oxide-nitride and oxide-silicon stacks for 3D memory application
JP2016012609A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP2016025195A (ja) 2014-07-18 2016-02-08 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9431268B2 (en) * 2015-01-05 2016-08-30 Lam Research Corporation Isotropic atomic layer etch for silicon and germanium oxides
JP6426489B2 (ja) * 2015-02-03 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6498022B2 (ja) * 2015-04-22 2019-04-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法
KR102396111B1 (ko) 2015-06-18 2022-05-10 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9564341B1 (en) * 2015-08-04 2017-02-07 Applied Materials, Inc. Gas-phase silicon oxide selective etch
US9349605B1 (en) * 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
FR3041471B1 (fr) 2015-09-18 2018-07-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor
JP6602699B2 (ja) * 2016-03-14 2019-11-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
CN113506731B (zh) 2016-10-08 2024-07-23 北京北方华创微电子装备有限公司 一种集成电路的制造工艺

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